DE2009912A1 - Differenzverstärker - Google Patents
DifferenzverstärkerInfo
- Publication number
- DE2009912A1 DE2009912A1 DE19702009912 DE2009912A DE2009912A1 DE 2009912 A1 DE2009912 A1 DE 2009912A1 DE 19702009912 DE19702009912 DE 19702009912 DE 2009912 A DE2009912 A DE 2009912A DE 2009912 A1 DE2009912 A1 DE 2009912A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- electrode
- differential amplifier
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/347—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45096—Indexing scheme relating to differential amplifiers the difference of two signals being made by, e.g. combining two or more current mirrors, e.g. differential current mirror
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Description
6942-69/Sch/ko
RCA 59,968
U.S.Serial No. 803,804
filed: March 3, 1969
RCA Corporation, New York, N.Y. (V.St.A)
Differenzverstärker
Die Erfindung betrifft einen Differenzverstärker mit zwei Transistoren.
Insbesondere handelt es sich um einen Differenzverstärker, bei welchem eine Gleichspannungskomponente des zu verarbeitenden
Signals unterdrückt wird, welche bei integrierten Verstärkerschaltungen den Aussteuerungsbereich unerwünscht einschränkt.
Unter dem Ausdruck Signalverarbeitungsschaltung seien im folgenden
Schaltungsanordnungen verstanden, welche Signale verstärkern, den Gleichspännungspegel von Signalen verändern, Signale miteinander
addieren oder subtrahieren und/oder Signale umkehren. Mit integrierter Schaltung sind einheitliche oder monolitische
Halbleiteraufbauten oder -plättchen bezeichnet, welche ein Equivalent zu einer mit aktiven oder passiven diskreten Bauelementen
(Transistoren, Dioden, Widerständen oder Kondensatoren) aufgebauten Schaltung bilden.
Differenzverstärker werden zur Verstärkung der Differenz zweier Eingangssignale verwendet, wobei die Verstärkung üblicherweise
wesentlich höher ist als eine Verstärkung gleicher Komponenten
der beiden Eingangssignale wäre.
Eine besondere Notwendigkeit zur Verstärkung eines Ausgangsalgnales,
welches die Differenz zweier Eingangssignalanteile darstellt, liegt vor, wenn mehrere, unmittelbar miteinander gekoppelte
Veretärkerstufen 'verwendet werden und eine unerwünschte ;
ι 009838/1939
große Gleichspannungskomponente entfernt werden soll, wobei das gewünschte Signal mit einer kleineren Gleichspannungskomponente übrig bleiben soll. Dies kann mit Hilfe der Eigenschaft
eines Differenzverstärkers zur Gleichtaktunterdrückung erfolgen. Insbesondere beim Entwurf von Verstärkern mit Halbleiterbauelementen,
hauptsächlich bei einem Aufbau in integrierter Form,kann dadurch jedoch der Ausgangsspannungsbereich begrenzt
werden. Wenn am Verstärkerausgang ein sich veränderndes Ausgangssignal erzeugt werden soll, dann ist daher die Verwendung
eines Eingangssignals zweckmäßig, dessen Gleichspannungskomponente im Vergleich zu den Signalschwankungen um den den
Aussteuerungsbereich bestimmenden Pegel nicht groß ist, so daß
die Maximalamplitude des Ausgangssignals in ihrer Größe etwa
gleich der zur Verfügung stehenden Betriebsgleichspannung (B+) gemacht werden kann.
Bei Schaltungen mit diskreten Bauelementen, also bei nichtintegrierten
Schaltungen, verwendet man häufig Kapazitäten und Induktivitäten zur Sperrung von Gleichspannungskomponenten des
Signals und behält auf diese Weise den dynamischen Aussteuerungsbereich durch die SignalVerarbeitungsstufen bei. Jedoch lassen
sich solche Bauelemente im allgemeinen nicht auf integrierten Schaltungeplättchen ausbilden, sondern müssen unwirtschaftlich
und unzweckmäßig in Porm äußerer, zusätzlich an das Plättchen anzuschließender Bauelemente verwendet werden, so daß zusätzliche
Anschlußkontaktflächen benötigt werden.
Ein Verfahren zur Herstellung einer SignalVerarbeitungsstufe,
welche eine Pegelverschiebung oder Pegeleinstellung in gleichspannungsgeköppelten,integrierten
Schaltunren erlaubt, ist in der US-Patentanmeldung Serial No. 772 245 vom 31. Oktober I96Ü
beschrieben. Wenn das EingangssigiaL hierbei eine unerwünschte
Gleichspannungskomponente enthält, welche größer als die Amplitudenschwankungen des Nutzsignala ist, dann kann iliose SohaLtun^
kein Ausgangssignal liefern, dessen Maximalamplitude von Spitze
im Spitze etwa gleich der verfügbaren BetriebsgLeichapnmiun^ ist,
009838/ 1939
Die Aufgabe der Erfindung besteht demgegenüber in der Schaffung
eines Differenzverstärkers, welcher diese Beschränkung nicht
aufweist. Sie wird bei einem Differenzverstärker mit zwei Transistoren erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine erste, als.
Eingangselektrode geschaltete Elektrode des ersten bzw. zweiten Transistors mit einem ersten bzw. zweiten nichtlinearen Widerstandselement,
deren Leitwerte proportional der Steilheit des ersten bzw. zweiten Transistors sind, und außerdem über je eine
gleichstromdurchlässige Verbindung mit je einem Eingangsanschluß
verbunden ist, daß eine zweite Elektrode jedes Transistors an je einen Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist, an den auch
das erste bzw. zweite Widerstandselement geführt ist, und daß eine dritte Elektrode des ersten Transistors an den Verbindungspunkt der ersten Elektrode des zweiten Transistors mit dem
zweiten Widerstandselement angeschlossen und die dritte Elektrode des zweiten Transistors an die Betriebsspannungsquelle geführt
ist und mit dem Ausgangsanschluß gleichspannungsgekoppelt
ist. Die beiden Widerstandselemente können dabei entsprechend dem ersten und zweiten Transistor als Halbleiterverstärkerelemente
ausgebildet werden, die dann mit einer Gegenkopplung versehen werden.
Ein Gesichtspunkt der Erfindung besteht darin, daß der Differenaverstärker
zur Entfernung unerwünschter Komponenten Aus einem Eingangssignal verwendet werden soll. Eingangssignale mit
erwünschten und unerwünschten Komponenten werden dem Verbindungspunkt der Eingangselektroden des zweiten Widerstandselementes
und des zweiten Transistors und der Eingangselektrode des ersten
Transistors zugeführt. Mindestens ein Teil des Eingangssignals
mit der unerwünschten Komponente wiaid dem Verbindungspunkt der ,
Eingangselektroden des ersten Widerstandselementes und des er- |
sten Transistors zugeführt. Der dritten Elektrode des zweiten i Transistors wird ein Betriebsstrom zugeführt, und an dieser
Elektrode können die Ausgangssignale mit der gewünschten Komponente,
aber ohne die unerwünschte Komponente, abgenommen werden.!
009838/1939
Der Differenzverstärker läßt sich auch zur Subtrahierung zweier Eingangssignale verwenden. Eine erste Eingangsspannung wird
über eine erste Impedanz zu den zusammengeschalteten ersten Elektroden des zweiten Widerstandselementes und des zweiten
Transistors bzw. zur dritten Elektrode des ersten Transistors geführt, während&ie zweite Eingangsspannung über eine zweite
Impedanz den zusammen geschalteten ersten Elektroden des ersten Widerstandselementes und des ersten Transistors zugeführt wird.
Die Betriebsspannung wird über eine Ausgangsimpedaa ζ an die dritte Elektrode des zweiten Transistors geführt. Die Ausgangssignale
hängen von der Differenz der Eingangssignale ab und entstehen an der Ausgangsimpedanz.
Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Darstellungen von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigt
Pig. 1 ein Schaltbild einer nach der Erfindung aufgebauten S i gnalüb e rtragungs s chaltung
Fig. 2 eine abgewandelte Ausführungsform der Schaltung nach
Pig. 1 mit einer anderen Vorspannungsschaltung
Pig. 3 die Schaltung eines erfindungsgemäß aufgebauten Differenzverstärkers,
dem Gegentakteingangssignale zugeführt werden und der ein Eintaktausgangssignal liefert, und
Pig. 4 das Schaltbild eines Teils einer integrierten Schaltung
zur Verwendung in einem Pernsehempfänger, wofür sich die
Erfindung insbesondere eignet, wobei die integrierte Schaltung die Punktionen der Zwi β chenfrequenz verstärkung,
Videodemodulation, Videoverstärkung, Tonverstärkung und
Regelspannungserzeugung erfüllt.
Der in Pig. 1 dargestellte Differenzverstärker ist aus zwei
grundsätzlich gleichen Teilen aufgebaut, die jeweils aus der
Kombination eines Transistors mit einer Diode bestehen, wobei die Diode aus einem Traneistor, dessen Basis und Kollektor
0098 3 8/1939
_ 5 —
zusammengeschlossen sind, gebildet wird. Die Basen der beiden Transistoren sind ebenso wie ihre Emitter zusammengeschaltet.
Der Transistor 10 hat einen Emitter 10a, eine Basis 10b und einen Kollektor 10c und ist auf diese Weise mit der aus einem
zweiten Transistor, der einen Emitter 12a, eine Basis 12b und einen Kollektor 12c hat, gebildeten Diode zusammengeschaltet.
Eine zweite, gleich Zusammenschaltung wird durch einen dritten
Transistor 26 mit Emitter 26a, Basis 26b und Kollektor 26c mit einer Diode 28 gebildet, welche von einem Transistor mit Emitter
28a, Basis 28b und Kollektor 28c gebildet wird. Der Differenzverstärker entsteht durch eine Verbindung des Kollektors 26c \
mit dem Schaltungspunkt 24 und eine Verbindung der Basen 10b und 12b mit dem Kollektor 12c. Dem Verbindungspunkt der Basen
26b, 28b und des Kollektors 28c wird ein Eingangsstrom für den
Differenzverstärker zugeführt, dem Schaltungspunkt 24 wird der andere Eingangsstrom zugeführt. Der Ausgangsstrom wird vom
Kollektor 10c des Differenzverstärkers abgenommen.
Der Gleichvorstrom wird dem Kollektor 10c über den Widerstand
von der Betriebsspannungsquelle 14 zugeführt, deren anderes Ende an Bezugspotential (Masse) liegt. Die Emitter 10a und 12a
sind ebenfalls unmittelbar nach Masse geschaltet. Zwischen dem Schaltungspunkt 24 und Masse werden die Eingangssignale von
einer modulierten Stromquelle eingespeist, die als Reihenschaltung
eines Widerstandes 22 mit einer ersten Wechselspannungsquelle 20 und mit einer zweiten Gleichspannungsquelle 18 dargestellt
ist. Die Diode 28 wird durch eine ihr parallel geschalte-, te unmodulierte Stromquelle in Durchlaßrichtung vorgespannt, ;
welche aus einer Gleichspannungsquelle und einem Widerstand 30
bestehen kann, wobei die Gleichspannungsquelle gleichzeitig I durch die Spannungsquelle 18 gebildet werden kann.
Die Eigenschaften der Dioden 12 und 28 Bind gut auf die Eigen- ι
schäften der Transistoren 10 und 26 abgestimmt. Im Palle einer
integrierten Schaltung werden diese vier Bauelemente gleichzeitig auf einem einzigen Schaltungeplättchen dicht benachbart aus-
009838/1939
gebildet, so daß sie praktisch gleiche Eigenschaften haben.
Das bedeutet, daß bei einer vorgegebenen Basis-Emitterspannung,
welche einem Bauelementenpaar (Diode und Transistor) zugeführt wird, in beiden Bauelementen die gleiche Emitterstromdichte
auftritt. Wenn die Flächen der pn-Übergänge nicht gleich sind, dann zeigen die beiden -Bauelemente für ein gegebenes Eingangssignal
nicht gleiche, sondern entsprechend proportionale Emitterströme. Die folgenden Erläuterungen beziehen sich auf
den Pail gleicher Ströme in beiden Bauelementen eines Paares.
Es sei zunächst zur Erläuterung angenommen, daß die Verbindungen zwischen Kollektor 26c und Schaltungspunkt 24 und vom Widerstand
30 zum Verbindungspunkt der Spannungsquellen 18 und 20 getrennt
sind, so daß der Transistor 26 und die Diode 28 aus der Schaltung herausgelöst sind. Der Betrieb einer solchen Schaltung ist
in der bereits erwähnten US-Patentanmeldung 772 245 beschrieben. Transistor 10 und Diode 12 führen bei einer vorgegebenen Eingangsspannung
den selben Emitterstrom mit der selben Emitterstromdichte, und die Spannungsverstärkung der Schaltung ist
sowohl für die Wechselspannungs- als auch die Gleichspannungskomponenten gleich dem Verhältnis der Widerstände H16/R22. Wenn
am Ausgang (Kollektor 10c) des Differenzverstärkers eine lineare Spannung auftreten soll, dann wird das Verhältnis H16 zu
R22 so gewählt, daß die maximale Eingangsspannung von den
Spannungsquellen 18 und 20 (Gleiche.,-innung + positive Amplitude
der Wechselspannung) multipliziert mit der gewählten Verstärkung nicht größer als die Spannung der Spannungsquelle H ist. Das
bedeutet, daß die Verstärkung eo gewählt werden muß» daß die Spannung an der Ausgangselektrode 10c des Transistors 10 bei
maximaler Eingangssignalamplitude nicht an die Spannungsgrenzen
der Spannungsquelle 14 anstößt. Eine weitere Beschränkung für die Verstärkung ergibt sich daraus, daß die von den kombinierten
Spannungsquellen 18, 20 (Gleichspannungeanteil abzüglich der maximalen negativen Amplitude der Wechselspannung) mindestens
gleich der Schwellspannung der Diode 12 (V^ ) ist, so daß Ver-
009838/1939
BAD
Zerrungen aufgrund einer Steuerung der Diode 12 und des Transistors
10 in den Sperrzustand vermieden werden. Wenn die Gleich<spannungskomponeite
des Eingangssignals größer als die negative Signalamplitude ist, dann überschreitet die minimale Eingangsspannung diese Schwellspannung. Die überschüssige Gleichspannung
führt dann zu einem Gleichstrom in der Diode 12, der wiederum einen Kollektorgleichstrom im Transistor 10 und einen Gleichspannungsabfall
am Widerstand 16 zur PoIge hat. In diesem Pail
ist der dynamische Bereich der Ausgangsspannung (also der verfügbare
Bereich für Signaländerungen) kleiner als die volle Spannung der Betriebsspannungsquelle H. Die Verstärkung muß
geringer gewählt werden als im Falle, wo die minimale Eingangsspannung gleich der Diodenschwellspannung ist. Der unmodulierte
Gleichspannungsabfall am Widerstand 16 führt zu unerwünschten LeistungsVerlusten und damit zu einer Verschlechterung des Wir- \
kungsgrades der Schaltung.
Es sei nun die gesamte Schaltung nach Pig. 1 betrachtet. Der
gerade erwähnte Nachteil wird hierbe^dadurch vermieden,daß der
Gleichvorstrom ,der durch die überschüssige Eingangsgleichspan*
nung erzeugt wird und den unmodulierten Gleichspannungsabfall am Widerstand 16 zur Polge hat, von der Diode 12 abgeleitet
wird. Diese Stromableitung erfolgt über ein zweites Paar von Halbleiterbauelementen 26 und28, deren Eigenschaften praktisch
denjenigen der Bauelemente 10 und 12 entsprechen. Die zwei Bauelementenpaare
und die zugehörigen Schaltungselemente bilden ! einen Differenzverstärker, bei welchem sich die Wirkungen ;
gemeinsam zugeführter Spannungen, die die Spannung der Spannungsf-
j quelle 18, aufheben. - ■ ■ '·
Insbesondere erzeugt die Gleichspannungsquelle 18 eine Spannung ausreichender Amplitude und solcher Polung, daß sowohl die Diode
28 als auck der Basis-Emitter-tlbergang des Transistors 26 in
Durchlaßrichtung vorgespannt wird (d.h. V1 Q>
Vfee gg)· In öler ·
Diode 28 fließt dabei ein Gleichstrom, und ein Gleichstrom
009838/1939
praktisch der selben Größe kommt im Kollektor-Emitter-Kreis des Transistors 26 zum Fließen, da die Eingangs-pn-Übergänge
der Diode 28 und des Transistors 26 aufeinander abgestimmt und parallel geschaltet sind.
Der der Diode 28 zugeführte Gleichspannungsanteil ist gegeben durch den Ausdruck
V18
L30
log der Gleichstromanteil in der Diode 28,
V1Q der Gleichspannungsanteil der Spannungsquelle 18,
V. die Spannung an der leitenden Diode 28 und
R,q der Wert des Widerstandes 30 ist.
Der vom Transistor 26 geforderte Emittergleichstrom ist praktisch gleich dem Strom Lg. Für üblicherweise in integrierter
Technik hergestellte Transistoren (/?'^>
30) ist der Kollektorstrom des Transistors 26 praktisch gleich seinem Emitterstrom.
Daher istder Wert des Widerstandes 22 gleich oder kleiner als der des Widerstandes 30, und die Spannung am Kollektor 26c ist
gleich oder kleiner als die Spannung an der Basis 28b. Der dem Widerstand 22 von der Spannungsquelle 18 zugeführte Gleichstrom
reicht auf, um den von der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 26 aufnehmbaren Gleichstrom zu liefern. Wenn die Widerstände
22 und 30 gleich sind, dann ist der Kollektor-Emitter-Gleichetrom des Transistors 26 gleich dem Gleichstrom im Widerstand.
Der Kollektor 26c wird praktisch auf der Spannung V^
009838/1939
gehalten, da die Basis 12b der Diode 12 unmittelbar an den Kollektor 26c angeschlossen ist und dadurch verhindert, daß die
Spannung am Kollektor 26c über die Durchlaßspannung der Diode 12 ansteigt (Vbe = Vbe ). Außerdem sind die Widerstände
22 und 30 genügend groß im Hinblick auf die zu erwartenden
Spannungsschwankungen der Eingangsspannungsquelle 18, 20 gewählt,
so daß der Transistor 26 bei den auftretenden Eingängssignalen nicht in die Sättigung gelangt.
Wenn der Widerstand 22 kleiner als der Widerstand 30 wäre, dann
würde der von der Spannungsquelle 18 dem Schaltungspunkt 24 zu- <
geführte Gleichstrom (G-leichstrom durch den Widerstand 22) den Kollektorstrombedarf des Transistors 26 überschreiten. Dieser
überschüssige G-leichstrom wird der Diode 12 und dem Basis-Emitter-Kreis
des Transistors 10 als Vorstrom zugeführt. Bei einer bestimmten Anwendung kann also der Widerstand 22 sich in
seinem Wert vom Widerstand 30 entsprechend den Vorspannungserfordernissen
der Diode 10 und des Transistors 12 unterscheiden.
Wie bereits für die Diode 28 und den Transistor 26 erläutert ist, ist auch der Kollektor-Emitter-Strom άέβ Transistors 10
praktisch gleich dem Basis-Emitterstrom der Diode 12. Der der Diode 12 zugeführte Vorstrom wird mit Rücksicht auf das von der
SpannungsqueUß 20 gelieferte Signal und die relative Spannung
der Spannungsquelle 14 und die Werte der Widerstände 22 und 16 gewählt.
Wenn beispielsweise angenommen wird, daß die Spannungsquelle
eine symmetrische Wechselspannung ohne G-leichspannungskomponente
liefert, dann soll der Transistor 10 so vorgespannt werden, daß die Ruhespannung am Kollektor TOc praktisch die Hälfte der Spannung
der Spannungequelle 14 beträgt. Die Widerstände 22 und 30 sind nicht gleich gewählt, so daß der gewünschte (überschüssige)
Vorstrom für die Diode 12 geliefert wird, der ebenfalls im Kollektorkreia dee Transistors 10 fließt. Der Widerstand 16
009838/1939
- ίο -
wird dann so gewählt, daß er gleich dem Quotient der halben
Spannung der Spannungsquelle 14 und dem gewünschten Kollektor
ruhestrom des Transistors 10 ist. Um am Kollektor 10 einen maximalen Signalspannungsanteil zu erhalten, wird überdies das
Verhältnis der Widerstände 16 und 22 so gewählt, daß die Gleichung
ν.,, die Spannung der Spannungs quelle H und
V__ die Spitzenspannung der Spannungsquelle 20 ist.
ss20
Wenn die Signalspannungsquelle 20 ein sich veränderndes Gleichspannungssignal
liefert, dann wird der Vorstrom für die Diode so gewählt, daß seine Größe nur ausreicht, um sicher zu stellen,
daß alle Signalspannungen am Kollektor 10c wiedergegeben werden. D.h., daß der Diode 12 also nur ein relativ kleiner Vorstrom
zugeführt wird und die Ruhespannung am Kollektor 10c fast gleich Vα α ist. Das Verhältnfe R16 zu R22 wird entsprechend dem oben
angegebenen Ausdruck gewählt. Die Signalspannungsverstärkung der gesamten Schaltung ist dann gleich
Aus den vorstehenden Erläuterungen ergibt aich, daß die in
Pig.1 dargestellte Schaltung am Kollektor 10c ein Ausgangssignal liefert, welches von der Größe jeglicher unerwünschter
Gleichspannungsanteile der Spannungaquelle 18 unabhängig ist.
Andererseits tritt die veränderliche Signalspannungakomponente
der Spannungsquelle 18 am Kollektor 10o verstärkt auf. Der
Gleichspannungspegel der verstärkten Spannung am Kollektor kann durch eine geeignete Wahl der Widerstände 16, 22 und 38
hinsichtlich der Betriebsspannung gewählt werden.
009838/1939
"Pig.2 stellt eine Abwandlung der in Figur 1 dargestellten
Schaltung dar, bei welcher die Vorströme für die Diode 12 und den Transistor 10 von der Spannungsquelle 14 mit Hilfe eines
zusätzlichen Widerstandes 32 abgeleitet werden, welcher zwischen die Spannungsquelle 14 und den Schaltungspunkt 24 eingefügt ist.
In Fig. 2 und den übrigen Figuren sind die durch die Transistoren
10 und 12 in Fig. 1 gebildeten Dioden mit dem üblichen
Diodensymbol dargestellt. Die Schaltung nach Fig. 2 arbeitet praktisch in gleicher Weise wie die Schaltung nach Fig. 1 mit
der Ausnahme, daß der Widerstand 32 so gewählt ist, daß er den
gewünschten Vorstrom für die Diode 12 und den Transistor 10 liefert. In diesem Falle können die Widerstände 22 und 30 den
gleichen Wert haben, während die Widerstände 16 und 32 so gewählt sind, daß ein gewünschter Arbeitspunkt für den Transistor
10 eingestellt wird, (die Widerstände 16 und 32 sind für die von der Signalquelle 20 gelieferten veränderlichen Gleichspannungseingangssignale
gleich). Die Spannungsverstärkung der gesamten Schaltung ergibt sich wiederum aus dem Verhältnis lt? ·
Diese Schaltung bietet jedoch eine größere Unabhängigkeit 22 in der Wahl der Schaltungsparameter. Wenn eine Ungewissheit
über die von der Spannungsquelle 18 gelieferte Gleichspannungskomponente besteht, dann kann die Schaltung nach Fig. 2 überdies
mit einer stabilisierten Spannungsquelle 14 betrieben werden, so daß die Vorströme für die Diode 12 und den Transistor
10 stabilisiert sind.
Fig. 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, bei der Signale von zwei Eingangsquelle kombiniert werden und auf
einen anderen Gleichspannungspegel umgesetzt werden, als ihm die Eingangssignale aufweisen. Diese Ausführungsform betrifft j
einen Anwendungsfall, bei dem gegenphasige Eingangssignale vor- (
liegen. Sie eignet sich besonders für die Umwandlung eines symmetrischen Gegentaktsignals in ein unsymmetrisches Eingangssignal,
welches einem gewünschten Gleichspannungspegel überlagert sein soll. Die WechselBpannungssignalquelle 20 ist in
009838/1939
Pig. 3 über die Primärwicklung 34a eines Transformators 34geschaltet,
der eine mittelangezapfte Sekundärwicläung 34b hat.
Die Gleichspannungsquelle 18 liegt zwischen einer Bezugsspannung (Masse) und der Mittelanzapfung 34c des Transformators.
Die übrigen Bauteile sind in Pig.3 mit den selben Bezugsziffern wie in den Figuren 1und 2 bezeichnet.
Zur Erläuterung des Betriebs der Schaltung nach Pig. 3 sei angenommen,
daß die Widerstände 22 und 30 gleich sind und daß der Widerstand 32 hinsichtlich der Spannungsquelle 14 so gewählt
ist, daß Diode 12 und Transistor 10 für alle zu erwartenden
Signalwerte einen ausreichenden Vorstrom führen. Der Widerstand 16 ist in diesem Palle halb so groß wie der Widerstand 32 gewählt,
damit am Kollektor 10c eine maximale Nutzspannung (Signalmodulation) abgenommen werden kann. Wie im Zusammenhang mit
den Piguren 1 und 2 erläutert ist, werden auch hier der Diode 28 und der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 26 gleiche
Gleichströme zugeführt, wobei die Spannung der Quelle 18 größer als der Nominalspannungsabfall V, der Diode 28 ist. Wird von
der Spannungsquelle 20 eine sinusförmige Eingangsspannung geliefert und ist die dem Widerstand 30 zugeführte Spannung positiv,
dann erhält die Diode 28 und die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 26 von der Stromquelle 18 zusätzlich zum Gleichstrom
einen Signalstrom. Diese Erhöhung desDiodenstroms erfolgt in Übereinstimmung mit dem Anwachsen des Kollektor-Emitterstroms
des Transistors 26, wobei diese letztgenannte Stromerhöhung aus dem Abfall des durch den Widerstand j2 zur Diode 12 fließenden
VorspannungsStroms resultiert. Gleichzeitig nimmt die dem Widerstand
22 zugeführte Spannung sinusförmig ab und verringert weiterhin den dem Kollektor 26c über den Widerstand 22 zugeführten
Strom. Der weitere Abfall des für den Transistor 26 zur Verfügung stehenden Stromes macht sich auch am Widerstand 32 bemerkbar,
so daß auch der Strom in der Diode 12 weiter verringert wird. Damit verringert sich der Strom in der Diode 12 um den
doppelten Betrag des Stromzuwachses in der Diode 28. Es tritt eine Verringerung des Stroms durch die Kollektor-Emitter-Strecke
0098 3 8/1939
des Transistors 10 auf, die gleich, der in der Diode 12 ist.
Damit entsteht am Kollektor 10c eine verstärkte Spannungsänderung.
Für die entgegengesetzte Spannungshalbwelle der Spannungsquelle
20 nimmt der Strom in der Diode 28 ab, der Strom im Transistor 26 verringert sich um einen gleichen Betrag und der Strom in
der Diode 12 steigt auf das Doppelte dieses Betrages an. Die entgegengesetzte Halbwelle der Eingangsspannung wird daher in ;
gleicher Weise verstärkt.
Die Schaltungsanordnung nach Pig. 3 läßt sich in verschiedener Weise abwandeln. Beispielsweise kann ein zweiter, gleicher Satz
von vier Halbleitern und den zugehörigen Bauelementen an den Transformator 34 angeschlossen werden. Die Eingangsanschlüsse
für diesen zweiten Bauelementensatz wurden jedoch gegenüber den dargestellten vertauscht, so daß das Ausgangssignal des zweiten
Satzes um 180° in der Phase gegenüber dem Ausgangssignal des
ersten Satzes verschoben ist. Auf diese Weise können Gegentakteingangssignale
in verstärkte Gegentaktausgangssignale umgewan- ; delt werden, die auf einen Gleichspannungspegel bezogen sind,
der von denjenigen der Eingangssignale unabhängig ist.
Eine Schaltung, wie sie in Pig. 3 dargestellt ist, kann auch ;
Anwendung finden, wenn Signale von zwei unabhängigen Signalquellen zusammengefasst, beispielsweise subtrahiert werden sollen.
In diesem Pail können getrennte Eingangswicklungen mit getrennten
Sekundärwicklungen von zwei Eingangstransformatoren !
anstelle des Transformators 34 gekoppelt werden. Die getrennten ! Sekundärwicklungen,(oder anderen unabhängigen geeigneten Signal-j
quellen) werden dann entsprechend mit den ersten und zweiten Eingangsanschlussen der Signalübertragungestufe verbunden, so
daß die Differenz zwischen den zugeführten EingangsSignalen mit
einem von dem der Eingangssignale unabhängigen Gleichspannungsbezugspegel
an der AusgangsImpedanz entsteht. In diesem Falle könmen auch unterschiedliche Verstärkungsfaktoren für die beiden
009838/1939
-H-
unabhängigen Eingangssignale gewählt werden, wobei die unterschiedliche
Verstärkung durch das Verhältnis der Ausgangsimpedanz 16 zu den jeweiligen Eingangsimpedanzen 22 und 30 bestimmt
wird.
In Fig. 4 ist eine integrierte Schaltungsanordnung dargestellt, welche die Punktionen eines Zwischenfrequenz verstärker, Videodemodulators,
Videoverstärkers, Tonzwischenfrequenzverstärkers und Regelspannungserzeugers in einem Pernsehempfanger, der teilweise
in Blockdarstellgung ausgeführt ist, vereinigt sind.
Diejenigen Schaltungselemente, die auf dem integrierten Schaltungsplättchen
ausgebildet sind, sind durch eine gestrichelte Linie umrandet. Die Betriebsspannungsquelle B+ ist außerhalb
des Plättchens angeordnet. Der Übersichtlichkeit halber sind verschiedene Schaltungsverbindungen und die Leitungen zur Betriebsspannungsquelle
B+ nicht einzeln ausgezogen, sondern die Punkte, denen die Betriebsspannung zugeführt wird, sind nur
durch das Symbol B+ markiert. Alle diese Punkte B+ auf den Schaltungsplättchen sind in der Praxis zu einem einzigen Anschluß
B+ des Plättchens zusammen geführt, der mit der Betriebsspannungsquelle verbunden wird. In entsprechender Weise sind
auch die Masseverbindungen, die jeweils durch das Massesymbol
dargestellt sind, in Wirklichkeit durch Leiter auf dem Plättchen untereinander verbunden und zu Masseanschlüssen an gegenüberliegenden
Enden des Platteneis zusammengeführt. Eine genauere
Erläuterung des tatsächlichen Aufbaus eines solchen Schaltungsplättchene ist in der US-Patentanmeldung 803 544 von Jack Avins
beschrieben,
In Fig. 4 wird die vom Tuner kommende Zwischenfrequenz über ein
erstes Frequenzfilter 40 zu einem ersten Zwischenfrequenzverstärker 42 geführt. Die verstärkten ZF-Signale werden über ein
zweites Filter 46 auf die aweite und dritte ZF-Stufe 48 bzw. 50 gegeben.
009838/1939
Ein weiteres Ausgangesignal des zweiten Filters- 46 gelangt zu
einer Tonfrequenzmischstufe 42, die ein 4,5 MHz Ton-ZF-Signal ;
liefer*. ■■
Das Ausgangssignal des dritten ZF-Verstärkers 50 wird der Basis
52b eines Videodemodulatortransistors 52 zugeführt, der als Emitterfolger geschaltet ist. Zwischen den Emitter 52a des Tran-*
sistors 52 und eine Bezugsspannung (Masse ist mit Hilfe eines
Vorspannungsmodulationstransistors 56 ein Testwiderstand 54 :
geschaltet. Zwischen die Basis 52a und Masse ist ein Kondensator 58 eingeschaltet. Der Ausgangs des Videodemodulator 52 ist
über ein 45 MHz Filter 60 mit der Basis 62b eines Emitterfolger-* transistors 62 verbunden. Die Emitter 52a und 62a sind über
einen Kondensator 64 zur Anhebung des oberen Frequenzendes miteinander
verbunden.
Der Emitter 62 ist mit einem ersten Eingangsanschluß 65 einer
Signalübeitragungsstufe 66 verbunden. Parallel mit einer Frequenzanhebungsschaltung
aus der Reihenschaltung eines Widerstandes 68 mit einem Kondensator 70 liegt eine Impedanz 67 zwischen
dem Emitter 62a und einem ersten Schaltungspunkt 72 in der Signalübertragungsstufe
66. Vom Verbindungspunkt des Kondensators 70 mit dem Widerstand 68 ist eine Zenerdiode 74 nach Masse geschaltet.
Zwischen dem Ausgang eines dritten ZF-Verstärkers 50 und Masse liegt ein Filter aus der Reihenschaltung eines Widerstandes 76
mit einem Kondensator 78. Die am Kondensator 78 liegende Gleichspannung wird einem Bezugsvorspannungstransistor 80 zugeführt,
dessen Emitter 80a an den Verbindungspunkt des Widerstandes 54 I mit dem Vorspannungsmodulationstransistor 56 geführt ist. Der
Ausgang des Transistors 80 liegt über ein 45 MHz Filter 82 (das praktisch gleich dem Filter 60 ist) an einen Emitterfolgertransistor
84 gekoppelt, dessen Emitter mit einem zweiten Eingangsanschluß 85 der Signalübertragungsstufe 66 verbunden ist. Eine
Impedanz 86 liegt zwischen dem Eingangsanschliß 85 und einem
009838/1939
zweiten Schaltungspunkt 88 in der Signalübertragungsschaltung
Die Signalübertragungsstufe 66 enthält einen ersten Transistor
90, dessen Emitter 90a nach Masse geschaltet ist, dessen Kollektor
90c über einen Ausganslastwiderstand 92 an eine Betriebsspannungsquele
(B+) geführt ist und dessen Basis 90b mit dem ersten Schaltungspunkt 72 verbunden ist. Ein zweites Halbleiterbauelement
ist als Diode 94 dargestellt, dessen Basis 94b und Emitter 94 a unmittelbar zwischen Basis 90b und Emitter 90a des
Transistors 90 geschaltet sind. Die Diode 94 wird vorzugsweise als dem Transistor 90 identischer Transistor ausgebildet, dessen
Kollektor und Basis miteinander verbunden sind. Die Signalübertragungsstufe 66 enthält ferner ein drittes und viertes Halbleiterelement,
welche als Transistor 96 und Diode 98 dargestellt sind, die im Aufbau und der Betriebsweise den Bauelementen 90
und 94 entsprechen. Der Emitter 96a des Transistors 96 liegt unmittelbar an Masse, sein Kollektor 96c ist mit dem ersten
Schaltungspunkt 92 (dem Verbindungspunkt von Widerstand 67 mit Basis 90b) verbunden und seine Basis liegt am zweiten Schaltungspunkt 88 (einem Ende des Widerstandes 86). Der Emitter 98a der
Diode 98 ist mit dem Emitter 96a verbunden, die Basis 98b ist mit der Basis 96b am zweiten Schaltungspunkt 88 verbunden.
Das Ausgangssignal der Signalübertragungsschaltung 66, welches
am Kollektor 90c entsteht, wird unmittelbar auf den Videoverdcärkertransistor
100 geführt. Der Transistor 100 erhält seinen Basisvorstrom über eine Stromquelle 102, welche über einen Widerstand
104 mit dem Emitter 100a verbunden ist. Die verstärkten Video- und Synchronisiersignalanteile aus dem demodulierten
Fernsehsignal entstehen am Emitter 100a und werden auf weitere Videoverstärkerstufen und eine Synchronsignaltrennstufe geführt,
wie dies bei Fernsehempfängern üblich ist. Der Videoverstärkertransistor
100 liefert ferner Videosignale an einen getasteten Verstärkungsregeldetektor find an eine Störunterdrückungsschaltung
108. Die Tastimpulse werden von der Horizonblablenkstufe des
009838/1939
Fernsehempfängers an diese Schaltungen geliefert. Der Detektor
106 sorgt für die Verstärkungsregelung der Zwischenfrequenz- und Tunerverstärker, wie dies in der US-Patentanmeldung Serial
No. 803 590 von Jack R. Harford beschrieben ist.
Beim Betrieb der Schaltungsanordnung nach Figur 4 entstehen am Ausgang des dritten ZF-Verstärkers 50 die verstärkten ZP-signale,
und diese werden der Basis 52b des Videodemodulator-Transistors 52 zugeführt. Da die ZF-Verstärker 48 und 50 und
der Demodulator 52 unmittelbar in dieser Reihenfolge miteinander verbunden sind und außerdem an eine gemeinsame Betriebsspannungsquelle
B+ geschaltet sind, entsteht außerdem eine nennenswerte unerwünschte Gleichspannungskomponente and der Basis 52b
des Transistors 52, die mit Hilfe der Signalübertragungsstufe 66 entfernt wird, wie im folgenden erläutert ist.
Die ZF-Signalkomponente der an der Basis 52b liegenden Spannung
wird mit Hilfe der Siebschaltung aus dem Widerstand 76 und dem Kondensator 78 herausgefiltert, so daß praktisch nur die unerwünschte
Gleichspannungskomponente in Höhe von etwa 5»5 V am Kondensator 78 ansteht. Diese Gleichspannungskomponente erscheint
vermindert um den Basis-Emitter-Spannungsabfall (0,6V) des Transistors 80 am Verbindungspunkt des Emitters 80a mit dem
Widerstand 54. Entsprechend erscheint die unerwünschte Gleichspannungskomponente
an der Basis 52b vermindert um den Basis-Emitter-Spannungsabfall des Demodulatortransistors 52 am Verbindungspunkt
von dessen Emitter 52a mit dem Widerstand 54. Die Gleichspannung am Emitter 80a ist etwas geringer als die am
Emitter 52 a, so daß dem Emitter 52a über den Widerstand 54, (der etwa 4kO beträgt) ein kleiner Vorstrom (in der Größenordnung
von 50/uA) zugeführt wird. Der Demodulatortransistor 52
arbeitet für die ZP-Signale bis herab zu sehr niedrigen Signalpegeln
linear, wie in der US-Patentanmeldung 803 920 von Jack R. Harford erläutert ist. '
009838/1939
Die am Emitter 80a anstehende Gleichspannungskomponente erscheint verringert um einen zusätzlichen Basis-Emitter-Spannungsabfall
des Transistors 84 am Eingangsanschluß 85 der Signalübertragungsschaltung 66. In gleicher Weise wird die unerwünschte
Gleichspannungskomponente, verringert um die Basis-Emitter-Spannung des Demodulatortransistors 52, und das demodulierte
Videosignal, welches am Emitter 52a erscheint, dem Emitterfolger 62 zugeführt. Die Gleichspannungskomponente, die ferner um den
Basis-Enritterspannungsabfall des Transistors 62 vermindert wird,
liegt zusammen mit dem demodulierten Videosignal am ersten Eingangsanschluß 65 an. Die Signalübertragungsschaltung ist so ausgebildet,
daß diejenigen Spannungsanteile, welche an den Eingangsanschlüssen 65 und 85 liegen, entfernt werden, und daß
diejenigen Spannungskomponenten, die nur an einem Eingangsanschluß auftreten, verstärkt werden. Insbesondere wird die unerwünschte
Gleichspannungskomponente, welche der Gleichspannungskomponente am Ausgang des dritten ZF-Verstarkers 50 entspricht,
unterdrückt, während das demodulierte Videosignal, welches am Ausgang des Videodemodulators 52 anliegt, verstärkt und dem
Videoverstärkertransistor 100 durch die Signalübertragungsstufe 66 zugeführt wird.
Die Signalübertragungsstufe 66 arbeitet praktisch in gleicher
Weise wie die Schaltung nach Figur 1. Die unerwünschte Gleichspannungskomponente,
die gemäß Mg, 1 auf die Batterie 18 zurückzuführen
ist, entspricht der am Ausgang des dritten ZF-Verstärkers 50 liegenden Gleichspannung und wird über die Transistoren
62 und 64 auf die Eingangs*nachlüsse 65 bzw, 85 in Fig. 4
übertragen. Das erwünschte siel), verändernde Signal von der
Spannungsquftlle 20 in Fig,1 entspricht dem Ausgangssignal des
Videodemodulatortransistors 52f welches über den Transistor 62
: dem Eingangsanschluß 65 zugeführt wird. In Fig. 4 ruft die unerwünschte
Gleichapannungskoraponente, die am Eingangsanschluß 85
liegt, einen Gleichstrom im Widerstand 06 und der Diode 98 hervor.
Der Transistor 96 vorHangt einsn praktisch ebensogroßen
0 0 9 8 3 8/ 1939
Kollektorgleichstrom, der durch die unerwünschte Gleichspannungskomponente
geliefert wird, welche am Eingangsanschluß 65 herrscht. Der Widerstand 67 wird etwas kleiner als der Widerstand
86 gewählt (beispielsweise 1980 O gegenüber 2000 0), so daß der Diode 94 und dem Basis-lmitter-Übergang des Transistors
90 ein Gleichvorstrom zugeführt wird, der ein Leiten der Diode 94 und des Transistors 90 bei kleinen Werten des Videosignalanteils
sicherstellt.
Die am Eingangsanschluß 65 anliegenden Videosignalanteile rufen
Stromänderungen in der Diode 94 und im Eingangskreis (Basis-Emitter-Strecke) des Transistors 90 hervor. Daher entsteht am
Kollektor 90c eine sich verändernde Spannung entsprechend der Videosignalkomponente. Die Videosignalspannung am Kollektor 90c
ist praktisch gleich der entsprechenden Spannung am Eingangsanschluß 65 multipliziert mit dem Verhältnis R92 zu R67 (Signalverstärkung
der Signalübertragungsstufe 66). Typischerweise liegt der Widerstand 92 in der Größenordnung von 8 k0, so daß
die Verstärkung für die Videosignale in der Signalübertragungsstufe 66 etwa 4 beträgt. Da die dem Transistor 90 zugeführte
Eingangsvorspannung relativ Hein ist, kann sich die Ausgangssignalspannung praktisch zwischen den Pegeln B+ und Masse ändern,
ohne daß eine erwünschte Gleichspannungskomponente auftritt.
Der Betrieb des Modulations-Vorspannungstransistors 56 ist im
einzelnen in der US-Patentanmeldung 803,920 beschrieben. Es
genügt an dieser Stelle zu erläutern, daß der Transistor 56, auf einen dem Videosignal entsprechenden Strom durch den Widerstand
67 anspricht, so daß der Bezugsvorspannungstransistor
>
für alle zu erwartenden Videosignalpegel am Videodemodulator leitend vorgespannt wird. Der maximale Videosignalpegel am Ausi
gang des Demoaulators 52 wird durch die Wirkung der automatischek
1 Verstärkungsregelung des Fernsehempfängers auf einem gewünschten
Weit gehalten.
009838/1939
Claims (11)
1.4 Differenzverstärker mit zwei Transistoren, dadurch
gekennzeichnet , daß eine erste, als Eingangselektrode geschaltete Elektrode (25b bzw. 10b) des ersten bzw.
zweiten Transistors (26 bzw. 10) mit einen5, ersten bzw. zweiten
nichtlinearen Widerstandselement (28 bzw. 12), deren Leitwerte
proportional der Steilheit des ersten bzw. zweiten Transistors (26 bzw. 10) sind» \md außerdem über eine gleichstromdurchlässige
Verbindung (30 bzw. 22) mit je einem Eingangsanschluß verbunden
ist, daß eine zweite Elektrode (26a bzw. 10a) jedes Transistors a;i :]e einen BeznjgGpQ-uarjtialpunkt (Masse) angeschlossen
ist, an d-211 auch das erste bzw. zweite Widerstandselement (28
bzw. 12) geführt ist, und daß eine dritte Elektrode (26c) des ersten Transistors (26) an den Verbindungspunkt der ersten Elektrode
(10b) des zweiten. Vr-ii, .»t;rs (10) mit dem zweiten Widerstandselement
(12) angö,7ehlo33ou und die dritte Elektrode (10c)
des zweiten Transistors (10) an die Betriebsspannungsquelle (14) geführt und mit dem AusgangsaaBohluß gleichspannungsgekoppelt
ist.
2. Differenzverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Widerstandselemente (28,10) durch dre.i elektrodige Halbleiterverstärkerelemente gebildet
werden, aerr.Ji zweite und dritte Elektroden (Basis und Kollektor)
zusammengeschaltet sind und als ein Anschluß des Widerstandselements
dienen, während die zweite Elektrode (Emitter) als anderer Anschluß dea Widerstandselementes dienen.
3. Differenzverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Elektrode (Basis) jedes der Halbleiterelemente (28,10) unmittelbar mit seiner dritten
Elektrode (Kollektor) verbunden ist.
00S838/ 1939
4. Differenzverstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren
(26,10) eine hohe Steilheit im Vergleich zur Impedanz der mit den Eingangsanschlüssen verbundenen Spannungsquelle und
der damit verbundenen Gleichspannungskoppelelemente aufweisen.
5. Differenzverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Transistoren (26,10) bipolare
Transistoren sind, deren erste Elektrode die Basis, deren zweite Elektrode der Emitter und deren dritte Elektrode der
Kollektor ist.
6. Differenzverstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens
eine der Gleichspannungsverbindungen eine direkte Verbindung ist. '
7. Differenzverstärker nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Gleichspannungsverbindungen
ein Widerstand ist.
8. Differenzverstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß dem Eingangsanschluß, der mit jeder der Gleichspannungsverbindungen, welche aus einem Widerstand
(30,22) bestehen, verbunden ist, Eingangsspannungssignale zugeführt werden.
9. Differenzverstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte
Elektrode (10c) des zweiten Verstärkertransistors (10) über einen Widerstand (16) mit der Betriebsspannungsquelle (14) verbunden
ist.
0098 3 8/1939
10. Differenzverstärker nach, einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß das einem der Eingangssignale zugefügte Signal einzig aus einer Gleichspannungskomponente
besteht.
11. Differenzverstärker nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bauelemente in einer einzigen integrierten Schaltung ausgebildet sind.
0098 3 8/1939
ti .t
Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US80880469A | 1969-03-03 | 1969-03-03 | |
US80380469A | 1969-03-03 | 1969-03-03 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2009912A1 true DE2009912A1 (de) | 1970-09-17 |
DE2009912B2 DE2009912B2 (de) | 1972-06-22 |
DE2009912C3 DE2009912C3 (de) | 1973-01-04 |
Family
ID=27122635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2009912A Expired DE2009912C3 (de) | 1969-03-03 | 1970-03-03 | Als Differenzverstärker verwendbare Signalübertragungsschaltung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3564438A (de) |
AT (1) | AT311415B (de) |
BE (1) | BE746806A (de) |
DE (1) | DE2009912C3 (de) |
FR (1) | FR2039567A5 (de) |
GB (1) | GB1298271A (de) |
NL (1) | NL7002929A (de) |
SE (1) | SE364421B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4940422A (de) * | 1972-08-19 | 1974-04-16 | ||
US3921013A (en) * | 1973-05-30 | 1975-11-18 | Rca Corp | Biasing current attenuator |
JPS5422512U (de) * | 1977-07-15 | 1979-02-14 | ||
US4393355A (en) * | 1981-10-26 | 1983-07-12 | Motorola, Inc. | Operational amplifier |
DE4410560A1 (de) * | 1994-03-26 | 1995-09-28 | Philips Patentverwaltung | Schaltungsanordnung zum Liefern eines Signalwechselstromes |
-
1969
- 1969-03-03 US US803804A patent/US3564438A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
- 1970-03-02 NL NL7002929A patent/NL7002929A/xx not_active Application Discontinuation
- 1970-03-02 FR FR7007436A patent/FR2039567A5/fr not_active Expired
- 1970-03-02 GB GB9875/70A patent/GB1298271A/en not_active Expired
- 1970-03-02 SE SE02688/70A patent/SE364421B/xx unknown
- 1970-03-03 DE DE2009912A patent/DE2009912C3/de not_active Expired
- 1970-03-03 AT AT199070A patent/AT311415B/de not_active IP Right Cessation
- 1970-03-03 BE BE746806D patent/BE746806A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1298271A (en) | 1972-11-29 |
FR2039567A5 (de) | 1971-01-15 |
SE364421B (de) | 1974-02-18 |
BE746806A (fr) | 1970-08-17 |
AT311415B (de) | 1973-11-12 |
NL7002929A (de) | 1970-09-07 |
DE2009912B2 (de) | 1972-06-22 |
US3564438A (en) | 1971-02-16 |
DE2009912C3 (de) | 1973-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1901804C3 (de) | Stabilisierter Differentialverstärker | |
DE2938994A1 (de) | Filterschaltung | |
DE2551068B2 (de) | Verfahren zum Verringern der beim Übersteuern eines Differenzverstärkers auftretenden Verzerrungen und Operationsverstärkeranordnung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2819775C3 (de) | Schaltungsanordnung zur automatischen Strahlstrombegrenzung einer Bildröhre | |
DE3126341A1 (de) | Nichtlineare anhebungsschaltung | |
DE2720374A1 (de) | Verstaerker mit automatischer verstaerkungsregelung | |
DE2844737A1 (de) | Anordnung zum vergleichen von signalen | |
EP0296683B1 (de) | Verfahren und Schaltungsanordnung zum Vermindern von Störungen | |
DE3034940C2 (de) | ||
DE2009912A1 (de) | Differenzverstärker | |
DE2347652B2 (de) | Torschaltung | |
DE2409340A1 (de) | Logarithmische verstaerkerschaltungsanordnung | |
DE3034939C2 (de) | ||
DE2221133A1 (de) | Rauschunterdrueckungsschaltungsanordnung | |
DE3339194A1 (de) | Signalabtastschaltung mit verrringertem offsetfehler und pegelverschiebungsschaltung fuer ein automatisches bildroehrenvorspannungs-abtastsystem | |
DE69127408T2 (de) | Nichtlineare Deemphasisschaltung | |
DE2703561B2 (de) | Schaltungsanordnung zum Trennen und Verstärken der Farbsynchron-Signalkomponente und der Farbart-Signalkomponente eines periodischen Farbfernsehsignals | |
DE2142817A1 (de) | Verstarker mit veränderlichem Ver starkungsfaktor | |
DE2312086A1 (de) | Rauschunterdrueckungssystem | |
DE2910246A1 (de) | Fm-detektor | |
DE3339195A1 (de) | Schaltnetzwerk mit unterdrueckten schaltschwingungen | |
DE2022291A1 (de) | Verstaerkerschaltung,insbesondere fuer einen Farbfernsehempfaenger | |
DE1815203B2 (de) | Spannungsverstärker mit einer aus mehreren Transistoren bestehenden Transistorkombination | |
DE2009920C (de) | Amplitudendemodulator für Fernsehsignale | |
DE3407083C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |