DE2305019C3 - Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiterschichten mittels Flüssigphasen-Epitaxie - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiterschichten mittels Flüssigphasen-EpitaxieInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 31
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 58
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000004018 waxing Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/10—Controlling or regulating
- C30B19/106—Controlling or regulating adding crystallising material or reactants forming it in situ to the liquid
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S252/00—Compositions
- Y10S252/95—Doping agent source material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Aufwachsen einkristalliner, gegebenenfalls die elektrische Leitfähigkeit beeinflussende
Dotierungsstoffe enthaltender Halbleiterschichten auf ein Substrat mittels Flüssigphasen-Epitaxie, wobei das
Substrat erhitzt und mit einer Lösung in Berührung gebracht wird, die das in einem geschmolzenen
Lösungsmittel gelöste Halbleitermaterial und gegebenenfalls die Dotierungsstoffe enthält, und die Lösung
danach abgekühlt wird.
Eine Technik, die im Zusammenhang mit der
Herstellung gewisser Halbleiterbauteile, insbesondere
solcher, die aus Halbleitermaterialien der Gruppe III-V und ihrer Legierungen bestehen, wie lichtaussendend
und Elektronen fibertragende Bauteile, entwickelt wurde, ist unter des Bezeichnung »Flüssigphasen-Epitaxie« bekannt geworden. Darunter versteht man ein
Verfahren zum Abscheiden einer aus einkristallinem Halbleitermaterial bestehenden Epitaxialschicht auf
einem Substrat, wobei eine Oberfläche des Substrats mit einer Lösung des Halbleitermaterials in einem geschmolzenem Lösungsmetall in Berührung gebracht, die
Lösung sodann abgekühlt wird, um einen Teil des Halbleitermaterials in der Lösung auszufällen und auf
dem Substrat als Epitaxialschicht abzuscheiden, und der Rest der Lösung schließlich vom Substrat entfernt wird.
Die Lösung kann auch einen Leitfähigkeitsmodifizierer enthalten, der zusammen mit dem Halbleitermaterial
abgeschieden wird, um eine Epitaxialschicht gewünschter Leitfähigkeit zu erhalten. Außerdem können zwei
oder mehrere Epitaxialschichten aufeinander niedergeschlagen werden, so daß ein Halbleiterbauteil eines
gewünschten Aufbaus entsteht, das beispielsweise zwischen benachbarten Epitaxialschichten entgegengesetzter Leitfähigkeit einen PN-Übergang aufweist ·
In der US-PS 35 65 702 ist eine Verfahren und eine
Vorrichtung zum Abscheiden einer oder mehrere*«· Epitaxialschichten aus der flüssigen Phase beschrieben,
das besonders bei der Herstellung aufeinanderliegender Epitaxialschichten Verwendung findet Die dazu bevorzugt verwendete Vorrichtung weist ein Ofenschiffchen
aus hitzebeständigem Material auf, in dessen Oberseite mehrere mit Abstand voneinander angeordnete Ausnehmungen vorgesehen sind, sowie einen in einer
entlang der Böden der Ausnehmungen vorgesehenen Führung bewegbaren Schieber aus hitzebeständigem
Material. Bei Betrieb dieser Vorrichtung wird in einer Ausnehmung eine Lösung untergebracht, während ein
Substrat in eine Vertiefung des Schieben gelegt wird Der Schieber wird sodann bewegt, um das Substrat in
den Bereich des Bodens der Ausnehmung zu bringen, so daß die Oberfläche des Substrats mit der Lösung in
Kontakt kommt Sobald die Epitaxialschicht auf dem Substrat abgeschieden ist wird der Schieber weiterbewegt um das Substrat aus der Ausnehmung zu
entfernen. Um mehrere Epitaxialschichten auf dem
Substrat abzuscheiden, werden in getrennten Ausnehmungen verschiedene Lösungen vorgesehen und das
Substrat mittels des Schiebers nacheinander in den Bereich jeder Ausnehmung gebracht, um die Epitaxtalsehichten auf dem Substrat abzuscheiden.
Bei Anwendung der Flüssigphasen-Epitaxie ist es wünschenswert, daß die zum Abscheiden verwendeten
Lösungen bei der Temperatur, bei der das Abscheiden stattfindet, an Halbleitermaterial exakt gesättigt sind.
Sofern die Lösung mit Halbleitermaterial fibersättigt ist,
enthält sie feste Halbleiterpartikel, was oft zu schlechter Kristallqualität der niedergeschlagenen Epitaxialschicht
führt Sofern die Lösung an Halbleitermaterial ungesättigt ist, wird das Substrat in unkontrollierbarer Weise
vom Lösungsmetall gelöst, sobald es mit letzterem in Berührung kommt Dadurch entsteht eine schlechte,
unebene Epitaxialschicht Das Erreichen der gewünscht genauen Sättigung der Lösung bei Niederschlagstemperatur durch Kontrollieren des Verhältnisses der
ursprünglich zur Herstellung der Lösung benutzten Ingredienzen ist deshalb schwierig, weil bereits
geringfügige Temperaturschwankungen die Lösimgsfähigkeit des Lösungsmetalls ändern. Dieses Problem
wird dann noch gravierender, wenn mehrere Epitaxialschichten nacheinander aus mehreren Lösungen herge-
stellt werden, wie es in dem genannten Patent
beschrieben ist, da jede Schicht bei einer anderen Temperatur abgeschieden wird.
Ein Verfahren der eingangs genannten Art ist aus der FR-PS 20 57 009 bekannt Dabei erfolgt die dem Zweck
der Reinigung' insbesondere von unerwünschten Oxyden dienende Behandlung in einer Position, bei der das
Halbleitermaterial zumindest zum Teil gegen die reduzierende Wasserstoff atmosphäre abgedeckt ist und
auch durch das Lösungsmittel, welches seinerseits ebenfalls abgedeckt ist Damit ist der erhebliche
Nachteil verbunden, daß das mit der beschriebenen Behandlung beabsichtigte Entfernen unerwünschter
Verunreinigungen, insbesondere Oxyde, nicht umfassend gelingt
Der Erfinuung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, daß sich eine außerordentlich
einfache Kontrolle des gewünschten Sättigungspunktes ergibt und gleichzeitig qualitativ und herstellungsmäßig
verbesserte Epitaxialschichten erzieh werden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
man vor dem Inberührungbringen das im Lösungsmittel zu lösende Halbleitermaterial, sowie gegebenen-
falls die Dotierungsstotf«! getrennt vom Lösungsmittel in einer Wasserstoff-Atmosphäre erhitzt und
die zu lösenden Stoffe dem Lösungsmittel erst dann in das Lösungsmittel fallen läßt, wenn das Lösungsmittel sich in schmelzflüssigem Zustand befindet und
die gewünschte Aufwachstemperatur aufweist, wobei gegebenenfalls die Dotierungsstoffe bereits von Anfang an dem Lösungsmittel zugegeben sein können.
Mit diesen Maßnahmen wird erreicht, daß sowohl das
Substrat als auch das Halbleitermaterial und das Lösungsmittel sowie gegebenenfalls später zuzugeben'
de Dotierungsstoffe sämtlich getrennt der Reinigung unterworfen werden, was dazu führt, daß Verunreinigungen, wie Oxyde auf alle Fälle von sämtlichen
Oberflächen entfernt werden. Dieser Vorteil ergibt sich zusätzlich zu dem, daß beim Zusammenfügen der zu
lösenden Stoffe mit dem Lösungsmittel erst im Zeitpunkt des Erreichen' der gewünschten Aufwachstemperatur eine leichtere Kontrolle des Sättigungspunktes möglich ist, als wenn das Erhitzen in
gegenseitigem Kontakt zwischen zu lösendem Halbleitermaterial und Lösungsmittel erfolgt
Zum Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens eignet sich eine aus einem mit mindestens einer
oberseitigen Ausnehmung versehenen Ofenschiffchen bestehende Vorrichtung, die ein sich im Bereich des
Bodens der Ausnehmung erstreckendes Fördermittel für das mit mindestens einer Epitaxialschicht zu
versehende Substrat aufweist, wobei erfindungsgemäß oberhalb des Fördermittels eine Abdeckung angeordnet
ist, auf der Material abgelegt werden kann, das durch
Bewegen der Abdeckung im geeigneten Moment in die jeweils darunter liegende Ausnehmung gelangt
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten, bevorzugten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung
nachfolgend näher erläutert Es zeigt
Fig. 1 eine mögliche Ausführunfr-sorm der erfindungsgemäßen Vorrichtung, im Längsschnitt;
Fig.2 die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung, in
Draufsicht; und
Eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist in den Fig. 1 und 2 als Ganzes mit 10
bezeichnet Sie besteht aus einem hitzebeständigen Ofenschiffchen 12 aus inertem Material, wie Graphit
Das Schiffchen 12 ist mit drei mit Abstand voneinander angeordneten oberseitigen Ausnehmungen 14, 16 und
18 versehen. Längs durch das Schiffchen 12 erstreckt sich vom einen zum anderen Ende im Bereich der Böden
der Ausnehmungen 14,16 und 18 eine erste Führung 20, in der ein erster Schieber 22 aus hitzebeständigem
Material, wie Graphit, derart bewegbar ist, daß seine
Oberseite die Bodenflächen der Ausnehmungen 14,16 und 18 bildet Der Schieber 22 besitzt zur Aufnahme
eines Substrats 26 eine oberseitige Vertiehuig 24„ die
groß genug ist, um das Substrat in flacher Lage aufzunehmen. Vorzugsweise ist die Vertiefung etwas
tiefer als das Substrat 26 dick ist, so daß die obere Fläche des Substrats sich unterhalb der Oberkante der
Vertiefung befindet Weiterhin erstreckt sieb ebenfalls längs durch das Schiffchen 12 vom einen zum anderen
Ende mit Abstand zur ersten Führung 20 eine zweite Führung 28, die etwas unterhalb der Oberkante des
Schiffchens 12 quer durch die Ausnehmungen 14,16 und 18 angeordnet ist tn dieser Führung 28 ist ein zweiter
Schieber 30 aus hitzebeständigem Material, wie Graphit, bewegbar gelagert, der sich durch die
Ausnehmungen 14, lfciund 18 erstreckt
Um mit der beschriebenen Vorrichtung das erfindungsffemäße Verfahren durchzuführen, werden der
zweite Schieber aus dem Schiffchen entfernt und getrennte Grundchargen in den Ausnehmungen 14 und
16 untergebracht Jede dieser Chargen besteht aus einem Logungsmetall für das niederzuschlagende
Halbleitermaterial. Um beispielsweise epitaktische Schichten aus Ga."iumarsenid herzustellen, wird als
Halbleitermaterial Galliumarsenid und als Lösungsmetall Gallium verwendet Sofern die herzustellende
epitaktische Schicht eine besondere Leitfähigkeit aufweisen soll, enthält die Charge auch einen gewünschten Leitfähigkeitsmodifizierer. Wie noch erklärt werden
wird, ist es bei Verwendung bestimmter Leitfähigkeitsmodifierer jedoch angebracht diese erst später
während des Aufwachsprozesses zuzufügen.
Danach wird der zweite Schieber 30 wieder in die /.weite Führung 28 eingelegt, so daß er sich quer durch
die Ausnehmungen 14, 16 und 18 erstreckt. Zusätzliche Chargen, die das niederzuschlagende Halbleitermaterial
enthalten, werden in die Ausnehmungen 14 und 16 auf die Oberseite des zweiten Schiebers 30 gelegt. Die
zusätzliche Charge kann entweder ein fester Halbleiterkörper 32 sein, wie in Fig. 1 in der Ausnehmung 14
dargestellt, oder in granulierter, fester Form vorliegen, wie die in der Ausnehmung 16 dargestellte zusätzliche
Charge 34. Sofern der Leitfähigkeitsmodifizierer der Grundcharge während des Aufwachsprozesses zugefügt
werden soll, wird er ebenfalls in die entsprechende Ausnehmung auf die Oberseite des zweiten Schiebers 30
gegeben. Schließlich wird das aus für das epitaktische 1 ~,
Aufwachsen geeignetem Material bestehende Substrat 26 in die Vertiefung 24 des ersten Schiebers 22 gelegt.
Das beladene Ofenschiffchen wird sodann in einen geeigneten, nicht dargestellten Ofen gegeben, in dem es
umspuii wiru. L»ie
Ofenheizung wird danach in Betrieb genommen, um den Inhalt des Ofenschiffchens auf eine Temperatur zu
erhitzen, bei welcher das Lösungsmittel schmilzt, wie das in F i g. 1 durch die geschmolzenen Chargen 36 und
38 angedeutet ist. und bei der ein gewünschter Betrag des Halbleitermaterials sich im geschmolzenen Lösungsmetall
auflöst. Für GaAlAs oder GaAs beträgt diese Temperatur beispielsweise zwischen 800 und
9500C. Sofern eine oder beide Grundchargen zusätzlich einen Leitfähigkeitsmodifizierer enthalten, wird dieser
in den geschmolzenen Chargen 36 und 38 gelöst. Gewisse Leitfähigkeitsmodifizierer enthalten jedoch
Oxide, die die geschmolzenen Chargen verunreinigen würden. Dadurch, daß solche Leitfähigkeitsmodifizierer
auf dem zweiten Schieber 30 untergebracht werden, wird beim Erhitzen in Wasserstoffatmosphäre ein
Reduzieren der Oxide erreicht und damit die Verunreinigungen entfernt. Wenn daher Leitfähigkeitsmodifizierer
verwandt werden, die ein Oxid oder irgendwelche andere durch Erhitzen in Wasserstoffatmosphäre zu
entfernende Verunreinigungen enthalten, wird der Modifizierer vorzugsweise auf den zweiten Schieber 30
gegeben, anstatt ihn zu Anfang den Grundchargen beizufügen.
Nunmehr wird der zweite Schieber 30 in Richtung des in Fig. 1 angegebenen Pfeils 40 bewegt, bis er sich
vollständig außerhalb der Ausnehmung 14 befindet. Dadurch kann sowohl der Halbleiterkörper 32 als auch
gegebenenfalls in der Ausnehmung 14 auf dem zweiten Schieber 30 befindlicher Leitfähigkeitsmodifizierer in
das geschmolzene Lösungsmetail 36 fallen. Das Halbleitermaterir'. wird sodann im geschmolzenen
Lösungsmetall 36 aufgelöst, bis letzteres exakt mit Halbleitermaterial bei der dann herrschenden Temperatur
gesättigt ist Jegliches nicht im Lösungsmetall gelöstes Halbleitermaterial wird auf dem Lösungsmetail
schwimmen und das spätere epitaktische Aufwachsen nicht nachteilig beeinflussen. Gegebenenfalls in das
Lösungsmetall 36 gelangter Leitfähigkeitsmodifizierer löst sich ebenfalls auf. Somit wird eine Niederschlagslösung
aus Halbleitermaterial und Leitfähigkeitsmodifizierer in geschmolzenem Lösungsmetall geschaffen, die
an Halbleitermaterial bei der dann herrschenden Lösungstemperatur exakt gesättigt ist
Jetzt wird der erste Schieber 22 in Richtung des in F i g. 1 angegebenen Pfeiles 42 bewegt, bis das Substrat
sich in der Ausnehmung 14 befindet Dadurch kommt die Oberfläche des Substrats mit der exkat gesättigten,
55
65 in der Ausnehmung 14 befindlichen Lösung in Berührung. Die Temperatur des Ofens wird sodann
erniedrigt, um das Ofenschiffchen und seinen Inhalt auf eine erste, vorgewählte Temperatur abzukühlen. Das
Abkühlen der in der Ausnehmung 14 befindlichen, exakt gesättigten Lösung führt dazu, daß ein Teil des in
Lösung befindlichen Halbleitermaterials ausfällt und sich auf der Oberfläche des Substrats niederschlägt,
wodurch eine erste Epitaxialschicht gebildet wird. Ein Teil des ebenfalls in Lösung befindlichen Leitfähigkeitsmodifizierers
wird in das Gitter der ersten Epitaxialschicht eingebaut, wodurch letztere die gewünschte
Leitfähigkeit erhä
Das Ausmaß der Abkühlung der Lösung bestimmt die Menge des gefällten Halbleitermaterials und somit die
Dicke der ersten, auf dem Substrat 26 niedergeschlagenen Epitaxialschicht. Danach wird der zweite Schieber
30 nochmals in Richtung des Pfeiles 40 bewegt, bis er völlig aus der Ausnehmung 16 herausgezogen ist.
Dadurch kann das Halbleitermaterial 54 sowie gegebenenfalls in der Ausnehmung 16 auf dem zweiten
Schieber befindlicher Leitfähigkeitsmodifizierer in das geschmolzene Lösungsmittel 38 fallen. Das Halbleitermaterial
wird sich in der Lösung 38 auflösen, bis diese bei der dann herrschenden Temperatur des Lösungsmittels
an Halbleitermaterial exakt gesättigt ist. In gleicher Weise wird sich der in das Lösungsmittel 38 gefallene
Leitfphigkeitsmodifizierer auflösen, so daß eine Niederschlagi.isung
aus Halbleitermaterial und Leitfähigkeitsmodnizierer
in geschmolzenem Lösungsmetall entsteht, die bei der dann herrschenden Lösungstemperatur an
Halbleitermaterial exakt gesättigt ist.
Nun wird der erste Schieber 2/ nochmals in Richtung des Pfeils 42 bewegt, um das Substrat 26 mit der darauf
befindlichen ersten Epitaxialschicht aus der Ausnehmung 14 in die Ausnehmung 16 zu bringen. Dadurch
gerät die Oberfläche der ersten Epitaxialschicht mit der gesättigten Lösung in der Ausnehmung 16 in Berührung.
Die Ofentemperatur wird sodann weiter erniedrigt, um das Ofenschiffchen 12 und seinen Inhalt auf eine zweite,
vorbestimmte Temperatur zu Dringen, die unterhalb der ersten, vorbestimmten Temperatur liegt. Das Abkühlen
der Lösung bewirkt ein Ausfällen eines Teils des Halbleitermaterials, das sich auf der Oberfläche der
ersten Epitaxialschicht in Form einer zweiten Eptaxialschicht niederschlägt. Dabei gelangt ein Teil der
Leitfähigkeitsmodifizierer in das Gitter der zweiten Epitaxialschicht, wodurch diese die gewünschte Leitfähigkeit
erhält. Der erste Schieber 22 wird nun nochmals in Richtung des Pfeils 42 bewegt, um das Substrat 26 mit
den beiden Epitaxialschichten aus der Ausnehmung 16 in die leere Ausnehmung 18 zu bringen, durch die es vom
Schieber 22 entfernt werden kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren, bei dem sämtliches oder zumindest der größte Teil des Halbleitermaterials
dem geschmolzenen Lösungsmetall vor der Berührung des Substrats mit der Niederschlagslösung zugegeben
wird, hat erhebliche Vorteile gegenüber den bisher angewandten Verfahren, bei denen sämtliches oder
zumindest der größte Teil des HalbieitermateriaJs mit der Lösungsmetall-Charge gemischt wird, bevor letztere
geschmolzen wird. Ein Vorteil liegt darin, daß mit dem erfindungsgemäßen Verfahren Lösungen geschaffen
werden, die bei der Temperatur, bei der das Aufwachsen der Epitaxialschicht stattfindet, exakt mit
Halbleitermaterial gesättigt sind, so daß die aus einer derartigen Lösung hergestellte Epitaxialschicht ausgezeichnete
Kristalleigenschaften und beste Planparalleli-
tat besitzt. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß
während des zum Zwecke des Aufwachsens der ersten Epitaxialschicht stattfindenden Abkühlens der in der
Ausnehmung 14 befindlichen Lösung das in der Ausnehmung 16 befindliche, geschmolzene Lösungsme- i
tall, das dann ebenfalls abgekühlt wird, wenn überhaupt dann nur wenig Halbleitermaterial enthält. Würde
nämlk* das geschmolzene Lösungsmetall in der
Ausnennung 16 zu diesem Zeitpunkt eine größere Menge Halbleitermaterial enthalten, so würde das
Abkühlen der in der Ausnehmung 16 befindlichen Lösung während des Aufwachsens der ersten Epitaxialschicht
zum Ausfällen eines Teils des Halbleitermaterials in dieser Lösung führen, was entweder zu einem
Niederschlag auf dem ersten Schieber 22 oder zur η Bildung von Halbleiterpartikeln in der Lösung führen
würde. Auf diese Weise ausgefälltes Halbleitermaterial hat negative Einflüsse auf die physikalischen Eigenschaften
der zweiten Epitaxialschicht, die später aus der in der Ausnehmung 16 befindlichen Schmelze aufgewachsen
wird. Da jedoch erfindungsgemäß während des Aufwachsens der ersten Epitaxialschicht das in der
Ausnehmung 16 befindliche Lösungsmetall allenfalls geringe Mengen Halbleitermaterial enthält, wird die
Bildung unerwünschter Ausfällungen an Halbleitermaterial in der zweiten Ausnehmung 16 verhindert.
Obwohl das erfindungsgemäße Verfahren im Zusammenhang mit der Herstellung zweier aufeinander
liegender Epitaxialschichten beschrieben wurde, kann es selbstverständlich in gleicher Weise dazu verwandt
werden, entweder eine oder mehr als zwei Epitaxialschichten herzustellen. Um nur eine Epitaxialschicht
niederzuschlagen, wird nur eine Lösung in einer der Ausnehmungen des Ofenschiffchens benötigt. Sofern
mehr als zwei Epitaxialschichten auf dem Substrat aufgebracht werden sollen, wird das Ofenschiffchen 12
mit einer der Anzahl der herzustellenden Schichten entsprechenden Anzahl von Ausnehmungen für je eine
Lösung versehen. Selbstverständlich können darüber hinaus im Rahmen der Erfindung dem Lösungsmetall *o
außer dem beschriebenen Halbleitermaterial und den Leitfähigkeitsniodifizierern zusätzlich andere Ingredienzen
zum Bilden der Niederschlagslösung während des Aufwachsprozesses zugefügt werden.
Darüber hinaus kann das Ofenschiffchen mit weite- ->5
ren, sich oberhalb oder unterhalb des zweiten Schiebers 30 erstreckenden Schiebern versehen sein, um den
Lösungen verschiedene zusätzliche Materialien zu verschiedenen Zeitpunkten des Herstellungsprozesses
beigeben zu können. Wenn es beispielsweise gewünscht ist. die Konzentration oder die Art des Leitfähigkeitsmodifizierers
in einer Epitaxialschicht während ihres Aufwachsens zu ändern, kann der zusätzliche Leitfähigkeitsmodifizierer
auf einen zusätzlichen, oberhalb des Schiebers 30 angeordneten Schieber gegeben werden.
Wenn dann das auf dem zweiten Schieber 30 befindliche Material in das geschmolzene Lösungsmetall gefallen ist
und die sich dann ergebende Lösung zum Zwecke des Aufwachsens der Epitaxialschicht abgekühlt wird, kann
der zusätzliche Schieber so weit bewegt werden, daß der zusätzliche Leitfähigkeitsmodifizierer in die Lösung
fällt und dadurch die Konzentration oder die Art des Leitfähigkeitsmodifizierers in dem anschließend sich
bildenden Teil der Epitaxialschicht geändert wird. In ähnlicher Weise kann die Zusammensetzung des
Halbleitermaterials der Epitaxialschicht während ihres Entstehens geändert werden. Wenn die anfänglich aus
einer Schmelze aufzuwachsende Epitaxialschicht bei-
H spielsweise aus Galliumarsenid oder einer Legierung
der III-V-Verbindungen, wie Gallium-Aluminium-Arsenid
besteht, und es erwünscht ist, die anfängliche Gallium-Arsenid-Schicht in Gallium-Aluminium-Arsenid
zu ändern oder die Konzentration des Aluminiums in der anfänglichen Gallium-Aluminium-Arsenid-Schicht
zu ändern^kann Aluminium auf den zusätzlichen Schieber gegeben und während des Aufwachsprozesses
der zunächst gebildeten Lösung zugefügt werden.
Anstatt das Halbleitermaterial auf den zweiten Schieber und den Leitfähigkeitsmodifizierer oder
andere die Zusammensetzung ändernde Zuschläge auf dem zusätzlichen Schieber unterzubringen, können
Leitfähigkeitsmodifizierer oder Zuschläge auf dem zweiten Schieber und das Halbleitermaterial auf dem
zusätzlichen Schieber untergebracht werden. Dadurch wird ermöglicht, daß Leitfähigkeitsmodifizierer oder
Zuschläge in die geschmolzenen Lösungsmetalle in den verschiedenen Ausnehmungen entweder nacheinander
oder gleichzeitig vor der Zugabe des Halbleitermate-Hals
zu dem jeweils zugeordneten Lösungsmetall fallengelassen werden können.
Das erfindungsgemäße Verfahren sowie die zu seiner Durchführung vorgeschlagene Vorrichtung ermöglichen
somit die Herstellung einer oder mehrerer Halbleiterschichten auf einem Substrat, wobei das
Halbleitermaterial dem geschmolzenen Lösungsmetall erst dann zugegeben wird, wenn das Lösungsmittel sich
in einer Wasserstoff-Atmosphäre befindet — so daß der Vorgang in kontrollierter Atmosphäre und bei kontrollierter
Temperatur stattfindet — und zwar bevor das Substrat mit der Lösung in Berührung gebracht wird,
wodurch eine Niederschlagslösung geschaffen wird, die bei der Temperatur, bei welcher das Aufwachsen
stattfinden soll, exakt mit Halbleitermaterial gesättigt ist. Außerdem ermöglicht die Erfindung die zusätzliche
Beigabe verschiedener Materialien während des HersteMungsprozesses,
so daß die Zusammensetzung der herzustellenden Schicht kontrolliert oder variiert
werden kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zum Aufwachsen einkristalliner, gegebenenfalls die elektrische Leitfähigkeit beeinflussende Dotierungsstoffe enthaltender Halbleiterschichten auf ein Substrat mittels Flüssigphasen-Epitaxie, wobei das Substrat erhitzt und mit einer
Lösung in Berührung gebracht wird, die das in einem geschmolzenen Lösungsmittel gelöste Halbleiterma- ic
terial und gegebenenfalls die Dotierungsstoffe enthält, und die Lösung danach abgekühlt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß man vor dem Inberührungbringen das im Lösungsmittel zu
lösende Halbleitermaterial, sowie gegebenenfalls is
die Dotierungsstoffe getrennt vom Lösungsmittel
in einer Wasserstoff-Atmosphäre erhitzt und die
im Lösungsmittel zu lösenden Stoffe erst dann in das
Lösungsmittel fallen läßt, wenn das Lösungsmittel sich in schmelzflüssigem Zustand befindet «nd die
gewünschte Aufwachstemperatur aufweist, wobei gegebenenfalls die Dotierungsstoffe bereits von
Anfang an dem Lösungsmittel zugegeben sein können.
2.
Verfahren nach Anspruch 1 zum Herstellen
mehrerer Halbleiter-Epitaxialschichten übereinander, wobei getrennte, jeweils für das aufzuwachsende Halbleitermaterial geeignete Lösungsmittelchargen vorgesehen und auf eine Temperatur
erhitzt werden, bei der sämtliche Lösungsmittel geschmolzen sind und in ihnen das Halbleitermaterial lösbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die
übrigen Herstellungsschritte zunächst mit einem Lösungsmittel zum Aafwact&in der ersten Epitaxialschicht durchgeführt end sodann für jede weitere
Epitaxieschicht mit jeweils eii un anderen Lösungsmittel wiederholt werden, wobei die im Lösungsmittel zu lösenden Stoffe diesem jeweils dann zugegeben werden, wenn es sich auf der gewünschten Lösungstemperatur befindet
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dotierungsstoffe dem
Lösungsmittel während seines dem Aufwachsen der Epitaxialschicht dienenden Abkühlens zugegeben wird.
4. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3,
bestehend aus einem mit mindestens einer oberseitigen Ausnehmung versehenen Ofenschiffchen, das
ein sich im Bereich des Bodens der Ausnehmung erstreckendes Fördermittel für das mit mindestens
einer Epitaxialschicht zu versehende Substrat aufweist, gekennzeichnet durch eine oberhalb des
Fördermittels angeordnete Abdeckung, auf der Material abgelegt werden kann, das durch Bewegen
der Abdeckung im geeigneten Moment in die jeweils darunterliegende Ausnehmung gelangt
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Fördermittel aus einem ersten
Schieber (22) besteht, der sich längs durch das Ofenschiffchen (12) erstreckt, so daß seine Oberseite
den Boden der Ausnehmung bildet, und mit einer Vertiefung zur Aufnahme des Substrats versehen ist,
und daß die Abdeckung aus einem zweiten Schieber (30) besteht, der sich mit Abstand oberhalb des es
ersten Schiebers (22) ebenfalls längs durch das Ofenschiffchen (12) erstreckt
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Ofenschiffchen mehrere mit
Abstand voneinander angeordnete Ausnehmungen (14, 16, 18) besitzt, die bodenseitig vom ersten
Schieber (22) abgedeckt werden, und daß der zweite Schieber (30) sich ebenfalls durch sämtliche Vertiefungen (14,18,16) erstreckt
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US224758A US3897281A (en) | 1972-02-09 | 1972-02-09 | Method for epitaxially growing a semiconductor material on a substrate from the liquid phase |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2305019A1 DE2305019A1 (de) | 1973-08-23 |
DE2305019B2 DE2305019B2 (de) | 1978-10-19 |
DE2305019C3 true DE2305019C3 (de) | 1983-02-17 |
Family
ID=22842062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2305019A Expired DE2305019C3 (de) | 1972-02-09 | 1973-02-02 | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiterschichten mittels Flüssigphasen-Epitaxie |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3897281A (de) |
JP (1) | JPS5225294B2 (de) |
BE (1) | BE795005A (de) |
CA (1) | CA986393A (de) |
DE (1) | DE2305019C3 (de) |
FR (1) | FR2171129B1 (de) |
GB (1) | GB1414254A (de) |
IT (1) | IT978597B (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5318151B2 (de) * | 1971-12-14 | 1978-06-13 | ||
JPS5346594B2 (de) * | 1974-02-18 | 1978-12-14 | ||
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-
0
- BE BE795005D patent/BE795005A/xx unknown
-
1972
- 1972-02-09 US US224758A patent/US3897281A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-01-15 CA CA161,309A patent/CA986393A/en not_active Expired
- 1973-01-29 IT IT19767/73A patent/IT978597B/it active
- 1973-02-02 FR FR7303814A patent/FR2171129B1/fr not_active Expired
- 1973-02-02 DE DE2305019A patent/DE2305019C3/de not_active Expired
- 1973-02-08 GB GB613673A patent/GB1414254A/en not_active Expired
- 1973-02-09 JP JP48017023A patent/JPS5225294B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT978597B (it) | 1974-09-20 |
JPS5225294B2 (de) | 1977-07-06 |
FR2171129B1 (de) | 1976-04-30 |
GB1414254A (en) | 1975-11-19 |
CA986393A (en) | 1976-03-30 |
DE2305019B2 (de) | 1978-10-19 |
JPS4890190A (de) | 1973-11-24 |
DE2305019A1 (de) | 1973-08-23 |
FR2171129A1 (de) | 1973-09-21 |
BE795005A (fr) | 1973-05-29 |
US3897281A (en) | 1975-07-29 |
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---|---|---|---|
BI | Miscellaneous see part 2 | ||
8381 | Inventor (new situation) |
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|
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |