DE2262737B2 - Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstandes - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines MetallgegenstandesInfo
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 57
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 19
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 14
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 10
- 238000012886 linear function Methods 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/52—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using comparison with reference sources, e.g. disappearing-filament pyrometer
- G01J5/53—Reference sources, e.g. standard lamps; Black bodies
- G01J5/532—Reference sources, e.g. standard lamps; Black bodies using a reference heater of the emissive surface type, e.g. for selectively absorbing materials
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren, um eine Vorrichtung zum Messen der Oberflächentem
peratur eines Metallgegenstands unter Verwendunj eines Strahlungsthermometers und einer Wärmeplatt
als Strahlungsquelle, deren Emissionsvermögen nah ist und die gegenüber der Oberfläche des zi
messenden Metallgegenstands angeordnet ist. Diese
*- j, t(,mnmt,,r von m·. τ? κ ..Messen der Ober" bestrahlten Bereich reflektierte Strahlungswärme gegachentemperatur
von mit Farbe überzogenem Eisen- messen wird, die von der Wärmeplatte abgegebne
blech geeignet Lr^ emzelnen betrat der Anmeldungs- Strahlungsenergie in Beziefomg zu der reflektierten
fSe ηπ ^Χη7Ρΐ^ ?τΪΓ ^ MeSSUng Strahlungswärme gesetzt wird, um das Emissions-
der Oberflachentemperatur mit Hdfe emes Strah- 5 vermögen der Metalloberfläche zu bestimmen, die
lungsthermometers .wahrend gleichzeitig das Re- Temperatur der Metalloberfläche an einem Ponkt
flCTonsvermogen der Oberfläche des Gegenstands wesentlich höherer Temperatur als der von der
erfaßt wird um hierdurch das Emissionsvermögen Wärmeplatte unbestrahlte Bereich der Metallober-
des Gegenstands zu besten und emen Korrektur- fläche gemessen wird und diese Temperaturmessung
faktor for die Messung der Oberflachentemperatur io mit dem bestimmten Wert des Emissionsvermögen!
vorzusenen. zum Erhalten der Oberflächentemperatur der Metall-
Allgemein sind bisher bekannte Strahlungsthermo- oberfläche korrigiert wird
meter^T-teittVinfangZUrk0IltaktfreienMessuilg Eine Vorrichtung zur Durchführung des erfrnvon
Oberflachentemperaturen verwendet worden. dungsgemäßen Verfahrens umfaßt gemäß der Erfin-Eine
Schwierigkeit bei diesen bekannten Meßmetho- 15 dung ein Strahlungsthermometer Ln Messen der
den trat in der Berücksichtigung des Emissionsver- Temperatur des Metallgegenstands, in einem Bereich
mögens eines zu messenden Gegenstandes auf. Ge- hoher Temperatur des Metallgegenstands eine
bräuchhche Temperaturmeßverfahren, welche von Wärmeplatte als Strahlungsquelle mit einem Emisdem
Emissionsvermögen eines zu messenden Ge- sionsvermögen ε nahe 1, welche gegenüber der zu
genstands unabhängig sind, sind beispielsweise 20 messenden Oberfläche des Metallgegenstands andas
Becherforrn-Oberflachentemperaturthermometer- geordnet ist und Wärme zu einem Bereich der Oberverfahren,
das Zweifarbenthermometerverfahren und fläche des Metallgegenstands abstrahlt, der sich auf
dasWärmeplatten-ReflexionsvergleichsverfahreniKell- einer Temperatur beträchtlich niedriger als der durch
sall-Verfahren, Toyota-Verfahren). In der Praxis ist das Strahlungsthermometer in der Temperatur gejedoch
das Becherforrn-Oberflächentemperaturther- as messene Bereich der Oberfläche des Metallgegenmometerverfahren
nicht fur die Verwendung bei stands befindet, eine Einrichtung, mit deren Hilfe durchlaufendem Betrieb geeignet. In jüngster Zeit hat die Temperatur der Wärmeplatte im wesentlichen
sich allgemein die Meinung durchgesetzt, daß das konstant und beträchtlich wärmer als der Bereiuh der
Zweifarbenthermometer infolge der Schwierigkeiten Oberfläche, welche von der Wärmeplatte bestrahlt
beim Erreichen der grauen Farbbedingungen unwirk- 30 wird, haltbar ist. eine Einrichtung zum Messen der
sam ist. Wahrend das Wärmeplatten-Reflexionsver- durch die Oberfläche des Metallgegenstands von dem
gießverfahren bezüglich seinem Arbeitsprinzip durch die Wärmeplatte bestrahlten Bereich reflektierrecht
bemerkenswert ist, ist dort die Zeitkonstante ten Strahlungswärme, eine Korrelationseinrichtung,
für die Temperatursteuerung der Wärmeplatte groß, mit deren Hilfe die von der Wärmeplatte abgegebene
und es sind daher Schwierigkeiten bei der Übernahme 35 Strahlungsenergie in Beziehung mit der reflektierten
dieses Verfahrens zur praktischen Verwendung in der Strahlungswärme setzbar und das Emissionsverindustrie
aufgetreten. mögen f der Oberfläche als Funktion der abgegebe-Ziel
der Erfindung ist es, ein Verfahren und eine nen Strahlungsenergie und der reflektierten Strah-Vorrichtung
zum Messen der Oberflächentemperatur lungswärme bestimmbar ist, und eine auf das bezu
schaffen, bei welchen selbst dann, wenn das Emis- 40 stimmte Emissionsvermögen ε der Oberfläche und
sionsvermögen der zu messenden Gegenstände be- den Ausgang des Strahlungsthermometers zum Erträchtliche
Unterschiede aufweist, wie z. B. im Falle zeugen eines korrigierten Wertes der Temperatur
eines mit Farbe überzogenen Eisenblechs, das Emis- derart ansprechende Einrichtung, daß der korrigierte
sionsvermögen des Gegenstands automatisch gemes- Temperaturwert der Oberflächentemperatur des Mesen
und als Korrekturfaktor zum Erzielen einer bes- 45 tallgegenstands in dem Bereich hoher Temperatur
seren Temperaturmessung verwendet werden kann. entspricht.
Der hier verwendete Ausdruck »mit Farbe über- Weiterbildungen und zweckmäßige Ausführungs-
zogenes Stahl- oder Eisenblech« bezieht sich auf formen der Erfindung ergeben sich aus den weiteren
2. B. vorbeschichteten, vorbearbeiteten oder vor- Ansprüchen.
lackierten Stahl, welcher durch kontinuierliches 50 Nacn der Erfindung wird die Oberflächentempera-Lackieren
einer Stahlspule und Einbrennen bei z. B. tür eines Metallgegenstands von einer Temperatur-220
bis 2500C während 90 bis 120 see hergestellt meßeinrichtung an einem Punkt oder in einem Bew'rd·
. _ reich des Metallgegenstands gemessen, welcher eine
Das Ziel der Erfindung wird mit einem Verfahren relativ hohe Temperatur aufweist. Ein anderer Punkt
der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß da- 55 oder Bereich des Metallgegenstands, welcher sich auf
durch erreicht, daß die Wärmeplatte Wärme zu einer wesentlich geringeren 1 emperatur als der Punkt
einem Bereich der Metalloberfläche ausstrahlt, wel- befindet, an dem die direkte Temperaturmessung
eher sich auf einer beträchtlich niedrigeren Tempe- erfolgt, wird durch eine Wärmeplatte als Strahlungsratur
als der Bereich der Metalloberfläche befindet, quelle, welche ein Emissionsvermögen nahe 1 hat
dessen Temperatur gemessen werden soll, die Tem- 60 und auf einer im wesentlichen konstanten und höheperatur
der Wärmeplatte im wesentlichen konstant ren Temperatur als die von ihr bestrahlte Metall-
und beträchtlich höher als die des von der Wärme- oberfläche gehalten wird, mit Wärme bestrahlt. Die
platte bestrahlten Bereichs der Metalloberfläche ge- Wärmeplatte ist derart angeordnet, daß ein räumhalten
wird, die Wärmeplatte unter einem räum- licher Winkel Θ, gesehen von einem Strahlungspunkt
liehen Winkel Θ, gesehen von einem unbestrahlten 65 auf der Metalloberfläche, in einem Bereich von
Punkt auf der Metalloberfläche, in einem Bereich π <
Θ < 2 π liegt. Die von der Metalloberfläche π<Θ<
2 π angeordnet wird, die durch die Metall- reflektierte Strahlungswärme wird zu der von der
oberfläche von dem durch die Wärmeplatte un- Wärmeplatte abgegebenen Strahlungsenergie in Be-
ziehung gesetzt, um das Emissionsvermögen der Metalloberfläche zu bestimmen. Der bestimmte Wert
des Emissionsvermögens wird dann als Korrekturfaktor für die in dem Bereich hoher Temperatur des
Metallgegenstands gemessene Temperatur benutzt, um die tatsächliche Oberflächentemperatur des
Metallgegenstands zu bestimmen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden
näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung eines Systems entsprechend einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens,
F i g. 2 eine schematische Darstellung einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens,
welche insbesondere eine bevorzugte Lage der Wärmeplatte als Strahlungsquelle relativ zu einem
zu messenden Gegenstand zeigt, und
F i g. 3 und 4 Kurvendarstellungen, welche die Beziehung zwischen dem räumlichen Winkel Θ und
dem Reflexionsvermögen γ zeigen.
Wenn in einem Körper der Zustand thermischen Gleichgewichts herrscht, ist die Beziehung zwischen
dem Emissionsvermögen und dem Reflexionsvermögen seiner Oberfläche wie folgt gegeben:
e+y=l,0 (1)
wobei ε = das Emissionsvermögen und γ = das Reflexionsvermögen
der Oberfläche ist.
Es ist bekannt, daß die obige Gleichung selbst dann näherungsweise gilt, wenn sich der Körper
nicht in einem thermischen Gleichgewicht befindet. Ein besonderes Merkmal des verbesserten Meßverfahrens
gemäß der Erfindung besteht darin, daß das Reflexionsvermögen y der Oberfläche eines Körpers ;;
erst gemessen und dann das Emissionsvermögen ε der Oberfläche aus der obigen Gleichung (1) erhalten
wird. Das Emissionsvermögen ε der Oberfläche wird dann dazu verwendet, um die Messung eines Strahlungsthermometers
automatisch zu korrigieren. In einem solchen Fall wäre, während das Emissionsvermögen und das Reflexionsvermögen selbst dann
Funktionen der Temperatur sind, wenn sie als im wesentlichen feste Werte betrachtet werden, der
resultierende Fehler kleiner als die zulässige Grenze für die Temperaturmessung unter einigen hundert
Grad Celsius.
In F i g. 1 ist schematisch eine Anordnung eines Meßsystems gemäß der Erfindung zur Verwendung
in einer kontinuierlichen Bearbeitungsstraße gezeigt. In F i g. 1 soll die Temperatur einer Oberfläche 1 an
einem Punkt oder Bereich 8 b des Gegenstands 20 gemessen werden. Der Gegenstand 20 kann z. B. ein
mit Farbe überzogenes Eisenblech sein, bei welchem sich das Emissionsvermögen des Gegenstands 20 beträchtlich
ändert. Es sollte jedoch klar sein, daß die Erfindung auf gleiche Weise bei jedem zu messenden
Gegenstand mit einem im wesentlichen konstanten Emissionsvermögen angewendet werden kann.
Eine Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle aus einem Material mit einem stabilen Emissionsvermögen
nahe 1, um eine Mehrfachreflexion zu vermeiden, ist benachbart der Oberfläche 1 des zu messenden
Gegenstands angeordnet. Die Wärmeplatte 2 enthält ein Heizelement 3 und ein Thermoelement 4 zum
Messen der Oberflächentemperatur der Wärme-. Tereiement 5 ist mit dem
um die Temperatur T1 der Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle
im wesentlichen konstant zu halten. Bei der Durchführung der Steuerung ist es nötig, daß die
Oberflächentemperatur des zu messenden Gegenstands 20 genügend niedrig relativ zu dem Wert von
Tx ist, so daß der Betrag der Strahlung von dem Gegenstand 20 vollständig vernachlässigt werden
kann. Benachbart der Oberfläche 1 des Gegenstands ist ein Strahlungsdetektor 6 vorgesehen. Bei dem
obenerwähnten thermischen Gleichgewicht stehen das Emissionsvermögen ε und das Reflexionsvermögen
γ des Gegenstands 20 und die Strahlungsenergie V1 im Ausgang der Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle
und die von der Oberfläche 1 des Gegenstands 20 reflektierte Strahlungsenergie V in folgenden
Beziehungen zueinander:
Y=VjV1; und (2)
e=l,0-y (3)
Wenn man also das Reflexionsvermögen γ erhalten will, wird erst die Strahlungsenergie F1 im Ausgang
der Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle direkt von dem Strahlungsdetektor 6 erfaßt, und dieser erfaßte
Wert wird in einer Rechenvorrichtung 7 zum Berechnen von Reflexions- und Emissionsvermögen gespeichert.
So ist es für eine On-Line- oder Direktmessung nur nötig, daß die von der Oberfläche 1 des Gegenstands
reflektierte Strahlungsenergie F durch den Strahlungsdetektor 6 erfaßt wird. Die reflektierte
Strahlungsenergie F entlang einer Sichtlinie 6 α wird gemessen und dann der Rechenvorrichtung 7 zum
Berechnen von Reflexions- und Emissionsvermögen zugeführt, welche das Emissionsvermögen entsprechend
den Gleichungen (2) und (3) berechnet. In der Recheneinrichtung 7 war bereits der Wert F1
gespeichert worden, und es wird zunächst die Gleichung (2) zum Bestimmen von γ und dann die Gleichung
(3) zum Bestimmen von ε benutzt.
Schaltungen zum Durchführen solcher Rechenoperationen entsprechend den oben dargestellten
Gleichungen sind dem Fachmann geläufig.
Die als Ergebnis von Messungen im Zusammenhang mit verschiedenen Versuchen erhaltenen Daten
haben gezeigt, daß bei einem Winkel Θ, welcher dei erhaltene räumliche Winkel ist, wenn die Wärmeplatte
2 als Strahlungsquelle von einem Erfassungspunkt oder Bereich 1 α für das Reflexionsvermöger
auf der Oberfläche 1 des Gegenstands 2 gesehen wird die Genauigkeit der Messung des Reflexionsver
mögens γ verbessert werden kann, sofern der Wer
des Winkels Θ in dem folgenden Bereich liegt:
π<Θ<2π
Die Genauigkeit des Reflexionsvermögens γ nimm zu, wenn sich der Wert von θ 2 π nähert. Der Zu
sammenhang zwischen dem räumlichen Winkel ( und dem Reflexionsvermögen γ wird im folgende!
im Zusammenhang mit den Fig. 3 und 4 erläutei
werden.
Die Darstellungen in den Fig. 3 und 4 sind da
Ergebnis von Untersuchungen, durchgeführt mi
einem Strahlungsdetektor aus PbS und mit färb beschichteten Metallblechen als Meßobjekt mit eine
Temperatur der Wärmeplatte 7^=250° C Es hi
sich gezeigt, daß bei © = 1,5 ac (s. Fig. 3) ein
Meßgenauigkeit von ± 10° C bei T1 =250° C zu ei
warten wax, wenn das Emissionsvermögen ε von dei
V)
1
8
Reflexionsvermögen γ abgeleitet und der erforder- platte 2 als Strahlungsquelle relativ zu der Ober
liehen Korrektur unterworfen wird. Fig. 4 zeigt den fläche 1 des zu messenden Gegenstands 20 zeigt Wif
Zusammenhang zwischen ε und γ bei Θ ^ 0,1 η. in F i g. 2 gezeigt., können, wenn die Messung durcr
Die automatische Korrekturschaltung der Erfin- den Strahlungsdetektor 6 durch eine in der Wärmedung
ist einfach mit dem oben beschriebenen Meß- 5 platte 2 als Strahlungsquelle ausgebildete öffnung 2 c
system für das Reflexionsvermögen integriert. Das erfolgt, die Oberfläche des Gegenstands und die
grundlegende Meßsystem für das Reflexionsvermögen Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle im wesentlicher
umfaßt die Wärmeplatte 2 als Strahlungsquelle, das parallel zueinander angeordnet werden, wodurch die
Temperatursteuerelements, den Strahlungsdetektor6 physikalische Anordnung des gesamten Systems ver-
und die Rechenvorrichtung 7 zum Berechnen von io einfacht wird.
Reflexions- und Emissionsvermögen. Ein typisches Es ist so zu erkennen, daß die Erfindung ein verautomatisches
Korrigiersystem enthält weiter ein bessertes Verfahren zum Messen der Oberflächen-Strahlungsthermometer
8 zum Durchführen einer temperatur von Metallen durch ein Strahlungsthermo-Temperaturmessung.
Das Strahlungsthermometer 8 meter umfaßt, bei welchem eine Wärmeplatte 2 als weist einen Strahlungsdetektor derselben allgemeinen 15 Strahlungsquelle imit einer Oberfläche, deren Tem-Art
wie der Strahlungsdetektor 6 auf und mißt die peratur im wesentlichen konstant gehalten wird und
Temperatur eines Bereichs 8 b entlang einer Sicht- deren Emissionsvermögen der Oberfläche nahe 1 ist,
linie 8a, welcher eine höhere Temperatur als der gegenüber dem Bereich la eines zu messenden
Bereich la für das Reflexionsvermögen hat. Eine Gegenstands 20 angeordnet ist. Die Oberflächen-Korrekturschaltung
9 für das Emissionsvermögen ist ao temperatur der Wärmeplatte 2 wird höher gehalten
mit dem Ausgang der Rechenvorrichtung 7 und des als die des Bereichs 1 α des Gegenstands, und die
Strahlungsthermometers 8 verbunden, und ein Auf- Temperatur des Bereichs 1 α ist beträchtlich niedriger
zeichengerät 10 für die Temperaturanzeige ist mit als die Temperatur des Bereichs 8 b. Die Wärmedem
Ausgang der Korrekturschaltung 9 für das Emis- platte 2 als Strahlungsquelle ist so angeordnet, daß
sionsvermögen verbunden. Mit den Bezugszeichen as der räumliche Winkel Θ, gesehen von dem Bereich 1 a
11, 12, 13, 14, 15 und 16 sind elektrische Signal- der Reflexion, auf dem zu messenden Gegenstand in
leitungen bezeichnet. Durch das Zuführen des in der dem Bereich π ■<
Θ < 2 π liegt. Hierdurch wird zu-Rechenvorrichtung
7 zum Berechnen von Reflexions- erst die reflektierte Strahlungsenergie V im Ausgang
und Emissionsvermögen berechneten Wertes des der Wärmeplatte und dann die Strahlungsenergie V
Emissionsvermögens zu der Korrekturschaltung 9 für 30 der Wärmeplatte gemessen. Das aus den Gleichungen
das Emissionsvermögen kann der Ausgang des die (1) bis (3) erhaltene Emissionsvermögen des Gegen-Temperatur
messenden Strahlungsthermometers 8 stands wird dann einer Korrekturschaltung zugeführt,
korrigiert werden, um hierdurch automatisch die um hierdurch den Ausgang eines Strahlungsthermo-Oberflächentemperatur
des Gegenstands 20 auf der meters automatisch zu korrigieren. So kann das verkontinuierlichen
Bearbeitungsstraße aufzuzeichnen. 35 besserte Verfahren gemäß der Erfindung auf Grund
Wenn z. B. die Abstufungen des Aufzeichengeräts 10 der Korrektur des Emissionsvermögens immer sehr
für die Temperaturanzeige dem Fall des Emissions- vorteilhaft bei der Messung der Oberflächentempevermögens
gleich 1 entsprechen, wird z. B., wenn ratur von Metallprodukten wie mit Farbe überzogeein
Wert des Emissionsvermögens ε = 0,5 von der nem Eisenblech auf einer kontinuierlichen Bearbei-Rechenvorrichtung
7 über die Signalleitung 14 über- 40 tungsstraße angewendet werden, wo sich die Eigentragen
wird, die von dem Strahlungsthermometer 8 schäften des zu messenden Gegenstands und daher
erfaßte emittierte Energie mit Hilfe der Korrektur- das Emissionsvermögen beträchtlich ändern,
schaltung 9 verdoppelt. So werden hierdurch die Die Erfindung schafft ein verbessertes Verfahren
richtigen Temperaturen von dem Auf zeichengerät 10 zum Messen der Oberflächentemperatur von Gegenzur
Temperaturanzeige angezeigt. Die Korrektur- 45 ständen, wie Metallen, z. B. mit Farbe überzogenem
schaltung 9 enthält z. B. einen Verstärker wie einen Eisenblech, auf einer Fertigungsstraße mit Hilfe
Linearverstärker, dessen Verstärkungsfaktor um- eines Strahlungsthermometers, bei welchem eine
gekehrt proportional den Weiten des Emissions- Wärmeplatte als Strahlungsquelle mit einer Obervermögens
von der Rechenvorichtung 7 variiert wird, fläche, deren Temperatur im wesentlichen konstant
oder eine potentiometerartige Vorrichtung, deren 50 ist und deren Emissionsvermögen nahezu gleich 1 ist,
Übertragungseigenschaft als Funktion der Werte des gegenüber einem zu messenden Gegenstand und über
Emissionsvermögens von der Rechenvorrichtung 7 dem zu messenden Teil des Gegenstands angeordnet
variiert wird. ist. Die Temperatur des Teils des Gegenstands unter
In einem typischen Anwendungsfall ist die Tem- der Wärmeplatte ist beträchtlich niedriger als die des
peratur T1 der Oberfläche der Wärmeplatte etwa 55 Teils des Gegenstands, an welchem die direkte
250° C, die Temperatur im Bereich Sb ist etwa Temperaturmessung durch das Strahlungsthermo-250°
C, und die Temperatur im Bereich 1 α ist Um- meter erfolgt Das Emissionsvermögen der Metallgebungstemperatur.
In dieser Hinsicht ist darauf oberfläche wird erhalten aus einer Messung der rehinzuweisen,
daß die Bereiche 1 α und 8 b allgemein flektierten Strahlung der Wärmeplatte als Strahweit
voneinander entfernt sind. In bezug auf die Dar- 60 lungsquelle von der Oberfläche des Gegenstands, und
stellung der Orte für die Bereiche la und 8ft ist der Wert des Emissionsvermögens der Oberfläche
Fig. 1 nicht maßgeblich. wird dazu verwendet, um automatisch den Ausgang
Fig. 2 zeigt eine andere Ausführungsform der des Strahlungsthennometers zu korrigieren und geErfindung,
welche eine bevorzugte Lage der Wärme- nauere Temperaturmessungen zu erzielen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Verfahren zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstandes unter Ver-Wendung
eines Strahlungsthermometers und einer Wärmeplatte als Strahlungsquelle, deren Emissionsvermögen
nahe 1 ist und die gegenüber der Oberfläche des zu messenden Metallgegenstandes
angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeplatte Wärme zu einem Bereich der Metalloberfläche ausstrahlt, welcher
sich auf einer beträchtlich niedrigeren Temperatur als der Bereich der Metalloberfläche befindet,
dessen Temperatur gemessen werden soll, die Temperatur der Wärmeplatte im wesentlichen
konstant und beträchtlich höher als die des von der Wärmeplatte bestrahlten Bereichs der Metalloberfläche
gehalten wird, die Wärmeplatte, unter einem räumlichen Winkel θ gesehen, von einem ao
unbestrahlten Punkt auf der Metalloberfläche in einem Bereich π<θ<2π angeordnet wird, die
durch die Metalloberfläche von dem durch die Wärmeplatte unbestrahlten Bereich reflektierte
Strahlungswärme gemessen wird, die von der as Wärmeplatte abgegebene Strahlungsenergie in
Beziehung zu der reflektierten Strahlungswärme gesetzt wird, um das Emissionsvermögen der
Metalloberfläche zu bestimmen, die Temperatur der Metalloberfläche an einem Punkt wesentlich
höherer Temperatur als der von der Wärmeplatte unbestrahlte Bereich der Metalloberfläche gemessen
wird und diese Temperaturmessung mit dem bestimmten Wert des Emissionsvermögens zum Erhalten der Oberflächentemperatur der
Metalloberfläche korrigiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Vergleich der von der
Wärmeplatte abgegebenen Strahlungsenergie mit der reflektierten Strahlungswärme das Reflexionsvermögen
γ der Metalloberfläche an dem von der Wärmeplatte bestrahlten Bereich bestimmt und
hierauf das Emissionsvermögen ε entsprechend der Gleichung f — 1,0 — γ bestimmt wird.
3. Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstands mit einem
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch ein Strahlungsthermometer (8)
zum Messen der Temperatur des Metallgegenstands (20) in einem Bereich (8 b) hoher Temperatur
des Metallgegenstands, eine Wärmeplatte (2) als Strahlungsquelle mit einem Emissionsvermögen
ε nahe 1, welche gegenüber der zu messenden Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20)
angeordnet ist und Wärme zu einem Bereich (la) der Oberfläche des Metallgegenstands abstrahlt,
der sich auf einer Temperatur beträchtlich niedriger als der durch das Strahlungsthermometer (8)
in der Temperatur gemessene Bereich (la) der Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) befindet,
eine Einrichtung (3,4,5), mit deren HiUe die
Temperatur der Wärmeplatte (2) im wesentlichen konstant und beträchtlich wärmer als der Bereich
(la) der Oberfläche (1), welche von der Wärmeplatte (2) bestrahlt wird, haltbar ist, eine Einrichtung
(6) zum Messen der durch die Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) von dem durch die Wärmeplatte (2) bestrahlten Bereich
(la) reflektierten Strahlungswärme, eine Korrelationseinrichtung (7), mit deren Hilfe die von
der Wärmeplatte (2) abgegebene Strahlungsenergie in Beziehung mit der reflektierten Strahlungswärme
setzbar und das Emissionsvermögen ε der Oberfläche (1) als Funktion der abgegebenen
Strahlungsenergie und der reflektierten Strahlungswärme bestimmbar ist, und eine auf das
bestimmte Emissionsvermögen ε der Oberfläche (1) und den Ausgang des Strahlungsthermometers (8)
zum Erzeugen eines korrigierten Wertes der Temperatur derart ansprechende Einrichtung (9), daß
der korrigierte Temperaturwert der Oberflächentemperatur des Metallgegenstands (20) in dem
Bereich (la) hoher Temperatur entspricht.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeplatte (2) derart
relativ zu der Oberfläche (1) des Metallgegenstandes (20) angeordnet ist, daß der räumliche
Winkel Θ, gesehen von einem Strahlungspunkt auf der Oberfläche (1), in einem Bereich von
π<Θ<2π liegt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Korrelationseiurichtung
(7) eine Einrichtung zum Bestimmen des Reflexionsvermögens γ der Oberfläche (1) in
dem von der Wärmeplatte (2) bestrahlten Bereich (la) und eine Einrichtung zum Bestimmen des
Emissionsvermögens ε entsprechend der Gleichung ί = 1,0—γ enthält und daß die Einrichtung
zum Bestimmen des Reflexionsvermögens der Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) eine
Einrichtung zum Bestimmen des Verhältnisses Vj V1 enthält, wobei V die von der Oberfläche (1)
reflektierte Strahlungswärme und V1 die von der Wärmeplatte (2) abgegebene Strahlungsenergie ist
und das Reflexionsvermögen durch die Gleichung γ= V/V1 gegeben ist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung
(9) zum Erzeugen eines korrigierten Temperaturwertes eine Einrichtung zum Verändern der
Temperaturmessung kommend von dem Strahlungsthermometer (8) proportional dem von der
Korrelationseinrichtung (7) bestimmten Wert des Emissionsvermögens ε ist und daß die Temperaturkorrekturgröße
eine lineare Funktion des bestimmten Wertes des Emissionsvermögens f ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmeplatte (2) eine
Öffnung (2 a) aufweist, durch welche die von dei Oberfläche (1) des Metallgegenstands (20) reflektierte
Strahlungswärme durch die Einrichtung (6] zum Messen der reflektierten Strahlungswärme gemessen
wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP47001258A JPS5234230B2 (de) | 1971-12-27 | 1971-12-27 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2262737A1 DE2262737A1 (de) | 1973-07-12 |
DE2262737B2 true DE2262737B2 (de) | 1974-11-07 |
DE2262737C3 DE2262737C3 (de) | 1975-06-19 |
Family
ID=11496418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2262737A Expired DE2262737C3 (de) | 1971-12-27 | 1972-12-21 | Verfahren und Vorrichtung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Metallgegenstandes |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3796099A (de) |
JP (1) | JPS5234230B2 (de) |
DE (1) | DE2262737C3 (de) |
FR (1) | FR2166072B1 (de) |
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E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
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