DE2260405A1

DE2260405A1 - Bezugsspannungsgeneratorschaltung

Info

Publication number: DE2260405A1
Application number: DE2260405A
Authority: DE
Inventors: Jerald Roy Bernacchi
Original assignee: Advanced Memory Systems Inc
Current assignee: Advanced Memory Systems Inc
Priority date: 1972-01-28
Filing date: 1972-12-09
Publication date: 1973-08-02
Also published as: DE2260405B2; US3794861A

Description

ADVANCED MEMORY SYSTEMS₇INCo

Sunnyvale, Bezirk Santa Clara, Kalifornien

Bezugsspannungsgeneratorsehaltung

Die Erfindung bezieht sich auf eine Bezugsspannungsgeneratorschaltung mit einem Versorgungsspannungseingangsanschluß, einem BezugsspannungsausgangsanschluiJ und einem gemeinsamen Eingangs—Ausgangsanschluß$ die mit mehreren Transistoren eines Leitungstyps und Widerständen aufgebaut ist. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf Bezugsspannungsschaltungen für bipolare integrierte Schaltungen

Elektronische Spannungskonstantregler sind in verschiedenen Ausführungen bekannte Die meisten"dieser Spannungskonstantregler bzw» -halter sind jedoeh für die Herstellung als integrierte Schaltung ungeeignet„ zumindest in einer vollständig integrierten Form» Es besteht jedoeh ein Bedarf an derartigen Spannungskonstantreglern bsw_s -haltern, die praktisch unempfindlich gegenüber der Versorgungsspannung bzt-Jo Versorgungs-

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Spannungsänderungen sind und einen solchen Aufbau haben, daß sie eine vorgegebene Temperaturempfindlichkeit aufweisen» In den letzten Jahren wurden beispielsweise Prinzipien für den Aufbau einer eine Stromquelle bildenden Emitter-gekoppelten Logik (ECL) für die Herstellung von bipolaren integrierten Schaltungen bekannte Die Anwendung dieser-Techniken gibt dem Schaltungskonstrukteur beträchtlich größere Konstruktionsfreiheit, da sie ihm die Möglichkeit bietet, einen größeren Prozentsatz der Versorgungsvor— spannung zu Schaltzwecken auszunutzen« Der Ausdruck '''Stromquelle" wird hier in allgemeinstem Sinne verwendet und soll sowohl Stromquellen als auch Stromsenken, d.h. Stromaufnahmeeinrichtungen umfassen» So kann eine typische Stromsenke beispielsweise einen npn-Transistor aufweisen,, dessen Kollektor den Stromsenkenanschluß bildet, dessen Emitter mit der negativen Stromversorgungsleitung über einen festen Widerstand verbunden ist und dessen Basis an eine Bezugsspannung₉ 2<,Β_Λ eine gegenüber dem negativen Anschluß festen Spannung angelegt isto Daher ist der Stromwert der Stromsenke gleich der Bezugsspannung minus der Basis—Emitter—Spannung, beide Werte geteilt durch den Wert des festen Widerstandes α Wenn also eine von der Versorgungsspannung und der Temperatur unabhängige Stromsenke angestrebt wird, so reiuß die Bezugsspannung i.m wesentlichen unabhängig von der Versorgungsspannung sein und sich angenähert entsprechend der Temperaturänderung der Basis-Emitter-Spannung ändern»

Eine bekannte Bezugsspannungsschaltung, welche nur eine relativ geringe Temperaturempfindlichkeit besitzt» ist aus zwei Transistoren und zwei Widerständen aufgebaut * Der Kollektor des ersten Transistors ist mit einem Anschluß der Versorgungsspannungsquelle über einen der beiden Widerstände verbunden, wobei der Emitter desselben Transistors über den zweiten Widerstand an den anderen Anschluß der Versorgungsspannungsquelle ange— ■ koppelt ist. Wenn diesem TransJ stör daher ein geeigneter Basis-

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strom zugeführt wird, so wird die Kollektorspannung des Transistors in erster Linie von den Werten der beiden Widerstände bestimmte Der zweite Transistor ist mit seinem Kollektor an einen Versorgungsspannungsanschluß angelegt_s über seine Basis mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden und mit seinem Emitter an die Basis des ersten. Transistors sowie den BezugsSpannungsanschluß angeschlossen und liefert die Ausgangs spannung und den Aus gangs strom·, Diese Schaltung ist relativ temperatur"-unempfindlich, da die ¹ die Ausgangsbezugsspannung hervorrufenden Spannungsabfälle an der Basis-Emitter-Diode im 'Vergleich zur Versorgungsspannung generell klein sind_o Wie jedoch zuvor erwähnt, ist die Bezugsspannung .grundsätzlich von der Kollektorspannung des ersten Transistors abhängig, die ihrerseits grundsatzlich proportional zur Versorgungsspannung isto Demgemäß ist die von solchen Schaltungen entwickelte Bezugsspanmang in hohem Maße versorgungsspannungsabhängig und kann daher nur dann verwendet werden, wenn die Versorgungs- bzw« Speisespannung innerhalb enger Schwankungsgrenzen gehalten wirdo

Eine andere bekannte Bezugsgeneratorschaltung benutzt die Basis-Emitter-Spannung eines ersten Transistors als Bezugsspannung, welche proportional verstärkt wird,um den gewünschten festen Bezug zu schaffen_o Die Basis-Emitter-Spannung eines Transistors ist relativ unabhängig von der Versorgungsbzw ο Speisespannung, so daß derartige Schaltungen über einen weiten Schwankungsbereich der Eingangsspannung betrieben werden können» Dagegen ist die Basis-Endtter-Spannung in hohem Maße temperaturabhängig, so daß bei diesen bekannten Schaltungen eine Unempfindlichkeit gegenüber Versorgungsspannungsschwankungen zu Lasten einer hohen Temperaturempfindlichkeit erreicht wirdo

Es ist außerdem zu beachten, daß Schaltungen, welche die BezugsSpannungen der angestrebten eingangsspannungs- und temperatur unempfindlichen Bezugsspannungsquelle benutzen«, selbst häufig temperaturabhängige Eigenschaften haben und daher

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zweckmäßigerweise mit einer in vorgegebener Weise temperatur«- abhängigen Bezugsspannung arbeiten. So kann es beispielsweise erwünscht sein, eine Bezugsspannung zur Verfügung zu stellen, welche sich mit der Temperatur in einer vorgegebenen und steuerbaren Weise so ändert, daß sie den Schaltungseigenschaften, z.B. temperaturabhängigen Änderungen der Widerstandswerte, der Dioden-Spannungsabfälle usw., in geeigneter Weise angepaßt ist» Es ist daher Ziel der vorliegenden Erfindung« einen von der Versorgungsspannung im wesentlichen unabhängigen Bezugsspannungsgenerator anzugeben, der im wesentlichen temperaturunempfindlich ist und vorzugsweise auf eine verge-» gebene Temperaturabhängigkeit einstellbar ist, welche an die Erfordernisse der an den Generator anzuschließenden Schaltung angepaßt ist.

Ausgehend von einer Bezugsspannungsgeneratorschaltung der eingangs angegebenen Art, schlägt die Erfindung zu diesem Zweck vor, daß ein erster Transistor mit seinem Emitter an den gemeinsamen Eingangs-Ausgangsanschluß angeschaltet, mit setiem Kollektor über ein erstes Stromzufuhrglied mit dem Versorgungsspannungseingangsanschluß gekoppelt und mit seiner Basis über einen ersten Widerstand mit seinem Emitter verbunden ist, daß ein von der Kollektorspannung des ersten Transistors abhängiges zweites Stromzufuhrglied über einen zweiten Widerstand mit der Basis des ersten Transistors gekoppelt ist, daß ferner ein Diodenglied zwischen ein drittes Stromzufuhrglied und dem gemeinsamen Eingangs-Ausgangsanschluß eingeschaltet ist, daß ein zweiter Transistor mit seinem Emitter über einen dritten Widerstand an den gemeinsamen Eingangs-Ausgangsanschluß angekoppelt, mit seiner Basis an das dritte Stromzufuhrglied angeschaltet und mit seinem Kollektor mit dem Verbindungspunkt zwischen dem und dem zwei ten Widerstand verbunden ist,und daß zwischen dejn zweiten Stromzufuhrglied und dem Ausgangsanschluß eine Ausgangseinheit angeordnet ist, die eine von der Spannung am zweiten Widerstand abhängige Ausgangsspannung entwickelt» Die erfindungsgemäße Generatorschaltung weist also eine Bezugsspannungsschaltung mit niedriger Eingangsspannungsabhängigkeit und relativ hoher Temperaturempfindlichkeit auf, wobei eine zusätzlich·

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Rückkopplungsschaltung vorgesehen ist, welche ein temperaturabhängiges !Compensationssignal zurückführt, um eine extrem niedrige Gesamtempfindlichkeit herbeizuführen» Die Temperaturempfindlichkeit des Bezugsgenerators geht in erster Linie auf die Temperaturabhängigkeit des Spannungsabfalls an einer Basis-Emitter-Diode zurück, wobei diese Temperaturabhängigkeit selektiv gesteuert oder im wesentlichen beseitigt werden kann, indem die Widerstände in der Rückkopplungsschaltung geeignet gewählt werden, um eine vorgegebene, temperaturabhängige Komponente zurückzuführen» Der für die Bezugsspannung am Ausgang der Schaltung in erster Linie bestimmenden Faktor ist der Spannungsabfall über die Basis~Emitter~Diode eines besonderen Transistprso Dieser Spannungsabfall wird multipliziert durch das Verhältnis von Widerständen., die so gewählt sind,- daß die gewünschte Bezugsspannung erzielbar isto Das Rüekkopplungssignal hängt von der Differenz des Basis»Emitter«Spannungsabfall s in den beiden, unterschiedliche Ströme führenden Transistoren ab und wird proportional zu einem zweiten Verhältnis von Widerständen so verstärkt, daß eine Steuerung oder Besei™ tigung der Abhängigkeit der vom Generator gelieferten Bezmgs-= spannung entsprechend der .Wahl der .in der Schalteng verwendeten verschiedenen Widerstände möglich ist«. Wenn daher ein vorgegebenes Verhältnis der Widerstände aufrecht-erhalten wird_s was bei der Herstellung integrierter Schaltungen ohne i-jeiteres möglich ist, kann die gewünschte TemperaturabhUngigkeit der Bezugsspannung erreicht werden_β Die erfindungsgemäße Schaltung zeigt keine Abhängigkeit von der primären Versorgungsspannung, wobei die Versorgungsspannung die erzeugte Bez-ugsspanmmg nur indirekt als Ergebnis der Änderung der Basis-Emitter«Spannungsabfall e beeinflußt, welche durch eine Stromlnderung über die verschiedenen Transistoren in Abhängigkeit von der Versorgmngs-Spannungsschwankung hervorgerufen werden _o

In der Zeichnung zeigts

Fig„ 1 ein Schaltbild einer typischen-Stromquelle für bipolare Schaltungen? und

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Fig. 2 ein Schaltbild eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Bezugsspannungsgenerator s.

In Fig.. 1 ist ein schematisches Schaltbild typischer Stromquellen für stromgesteuerte bipolare Schaltungen gezeigt» (Das Wort "Quelle" wird im folgenden im allgemeinen Sinne gebraucht und bedeutet sowohl Quellen als auch Senken? die in Fig» 1 gezeigte Schaltung stellt vielleicht typischere Stromsenken dar.) Jede Stromquelle besteht aus einem Transistor mit einem Widerstand in dem Emitterkreis. Eine Bezugsspannung liegt zwischen den Anschlüssen 20 und 22, wobei der Anschluß 22 mit dem Basiselektroden der Transistoren» z«B<, Q6 und Q7 jeder Stromquelle verbunden ist. Jeder der Transistoren Q6 und Q7 weist Widerstände R6 bzw. R7 auf, welche zwischen den zugehörigen Emittern und dem Anschluß 20 liegeru Der Kollektor jedes Transistors bildet den Stromquellenanschluß für die übrige Schaltung, in der die Stromquellen verwendet werden (nicht dargestellt)„ Es ist zu sehen, daß die Spannung an jedem Widerstand gleich der Spannung am Anschluß 22 (VREF) minus der Basis-Emitter-Spannung im zugehörigen Transistor (VBE) ist« Der Strom in jedem Widerstand ist gleich (VREF-VBE)/R, wobei R der Wert des zugehörigen Widerstands istο Der Basisstrom jedes Transistors ist generell relativ gering, so daß der Kollektorstrom angenähert gleich dem Emitterstrom ist« Demgemäß ist, als Beispiel, der Kollektorstrom der ersten Stromquelle 16 gleich (VREF-VBE6)/R6.

Es wird daher deutlich, daß der aufgrund der an Anschluß anstehenden Bezugsspannung erzeugte Strom eine Funktion des Einitterwiderstandes einer speziellen Stromquelle und außerdem stark von der an der Schaltung anstehenden Bezugsspannung abhängig ist» In Bezug auf Änderungen bei Temperaturschwankungen ist klar, daß der Strom beträchtliche Änderungen bei Änderungen der Widerstände mit der Temperatur und bei Änderungen des Spannungsabfalls über die Basis-Emitterstrecke des Transistors erfährt. ■

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Die Schaltung gemäß Fig_o 2 stellt ein bevorsugtes beispiel der Erfindung dar_o Die dargestellte Schaltung 1st grundsätzlich eine dreipolige bst-jo Dreianschluß-Schalttasagr, wobei der Anschluß 20 mit der Miederspannungs-Versorgangs— klemme ¥EE verbunden ist_s t-jelche beispielsweise an Erde liegen kann« Dieser Anschluß bildet auch eine Yesrbindung ssu den Stromquellen und ist daher mit demselben Bezugszeichen wie der entsprechende Anschluß in -Pig_o 1 bezeichnet« lsi ähnlicher Weise ist der Anschluß 22 der AusgangsansetslpB des Bez-ugsgenerators und ist entsprechend dem VREF Anschluß der Schaltung nach Fig. 1"bezeichnetο Der Anschluß 24 liegt" as der positiven Ver sor gungs spannung slel emme und wird auf einer mit VCC bezeichneten Spannung gehalten»

Bei der nachfolgenden Erläuterung und Analyse der Schaltunq sei angenommenj daß der Basisstrora jedes der Transistoren im Vergleich zu den Emitter- und Kollektorströmen klein ist, und daher werden die Basisstr6me vernachlässigt und die Kollektor— und Emitterströme jedes Transistors als gleich angenommenο Ferner wird bei der folgenden Analyse der Einfluß der Transistoren Q4 und Q5 sunächst außeracht gelassen und danach ihr Einfluß auf VREF als Korrektur hierzu hinzugefügt.,

Ein Widerstand R2 liegt zwischen der Basis und dem Emitter" des Transistors Ql, so daß die Spannung a® Widerstand R2 gleich der Spannung der Basis-Emitter»Diode des Transsistors Ql ist. Der Strom 12 im Widerstand R2 ist daher VBEQ1/R2_O Vernachlässigt man zunächst den Strom. 14«, so ist der Strcea Il im Widerstand Rl zwischen dem Emitter des Transistors Q2 und der Basis des Transistors Ql gleich 12„ Daher ist die Spannung am Emitter des Transistors Q2 gleich 12 (Rl * Η2)₉ was gleich (Rl + R2) VBEQ1/R2 istβ

Über einen Widerstand R3 tvird der Basisstrom au dan Tran— sistoren Q2 und Q3 und außerdem der Kollektor strom für den

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Transistor Ql zugeführt. Die Transistoren Q2 und Q3 sind daher leitend, und der Bezugsspannungsausgang am Anschluß 22 ist gleich der Spannung am Emitter des Transistors Q2 plus dem Basis-Emitter-Abfall des Transistors Q2 minus dem Basis-Emitter-Abfall des Transistors Q3. Daher ist VREF gleich (Rl + R2) VBEQ1/R2 + VBEQ2 - VBEQ3. Obwohl die Basis-Emitter-Spannungsempfindlichkelt des Transistors Q2 im wesentlichen durch die äquivalente Empfindlichkeit des Transistors Q3 in der obigen Gleichung aufgehoben wird, ist zu sehen, daß die Bezugsspannung im wesentlichen direkt proportional zur Spannung an der Basis-Emitter-Diode des Transistors Ql ist, und daß daher ohne eine Beeinflussung durch die Transistoren Q4 und Q5 im wesentlichen die gesamte Temperaturabhängigkeit dieser Basis-Emitter-Spannung in die Bezugsspannung eingeht.

Im folgenden sei auf die Einflüsse der Transistoren Q4 und Q5 in der Schaltung gemäß Fig. 2 eingegangen. Es ist zu sehen, daß Q5 eine mit seinem Kollektor gekoppelte Basis hat und, ausgehend von der Basis-Kollektor-Verbindung über einen Widerstand R5 an dem Emitter des Transistors Q3 angeschaltet ist* Der Emitter von Q5 liegt an Erde. Daher wirkt Q5 als Diode, deren Spannungsabfall in Durchlaßrichtung gleich dem Basis-Emitter-Spannungsabfall des Transistors ist. Auch die Basis des Transistors Q4 ist mit der Basis des Transistors Q5 verbunden. Der Emitter des Transistors Q5 ist über einen Widerstand R4 mit dem Erdanschluß gekoppelt. Der Widerstand R4 hat einen relativ niedrigen Wert und ist insbesondere so gewählt, daß er die Kollektor- und Emitterströme des Transistors Q4 begrenzt. Wie zu sehen ist, ist die Basis-Emitter-Spannung des Transistors Q5 gleich der Basis-Emitter-Spannung des Transistors Q4 plus dem Spannungsabfall über dem Widerstand R4, oder, anders ausgedrückt, die Spannung am Widerstand R4 ist gleich der Basis-Emitter-Spannung des Transistors Q5 minus der Basis-Emitter-Spannung des Transistors Q4. Es gilt also: 14 « (VBEQ5 ,—'-- VBEQ4)/R4.

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Der Strom 14 fließt durch den Transistor Q2 und den Widerstand Rl, so daß die Emitterspannung des Transistors Q2 aufgrund der die Transistoren Q4 und Q5 enthaltenden Schaltung um einen Betrag von angenähert 14 mal Rl vergrößert wirdο Dies erhöht die Emitterspannung des Transistors Q3 um einen ähnlichen Betrag (wobei zunächst die Änderung von VBEQ2 als Ergebnis des zunehmenden Stromes durch den Transistor Q2 vernachlässigt wird)_o Daher ist die Endgleichung für die Bezugsspannung am Anschluß 22 durch die folgende Naherungsgleichung gegebens
VREF ^ (Rl + R2) YBEQ1/R2 + VBEQ2 - VBEQ3 ψ (VBEQ5 ~ VBBQ4)R1/R4<

Es ist zu beachten, daß der Wert des Teroperaturkoeffizienten einer in Durchlaßrichtung betriebenen Flächendiode, Z₀B₀ einer Silizium- oder Germaniumdiode stromabhängig ist» (Integrierte Schaltungen bestehen aus Siliziumtransistoren, so daß die Basis-Emitter-Spannung derartiger Transistoren den charakteristischen Siliziumdioden-Temperaturkoeffizienten zeigt») Da der Dioden-Durchlaßstrom größer wird, wird der absolute Betrag dieses Koeffizienten kleiner_o (Das Torzeichen des Koeffizienten von VBE - ist tatsächlich negativ.,) Da der Emitterstrom in Q4 kleiner als derjenige von Q5 ist, nimmt die Spannung am Widerstand R4 daher rasch mit steigender Temperatur zu„ Daher hat der Stroia 14 einen positiven Temperaturkoeffizienten bei einem von den Widerstandswerten der Widerstände R4 und R5 abhängigen Wert« Aufgrund der zuvor angegebenen Gleichung für die Bezugsspannung bestimmt die Wahl der Widerstände R4 und R5 die Differenz zwischen VBEQ4 und VBEQ5* In ähnlicher Weise bestimmt die Bemessung von R4 relativ zu Rl und R2 den Multiplifeationsfaktor für diese Differenz im Emitter-Basis-Spannungs-Temperaturkoeffizienten und ruft eine Temperaturempfindlichkeit in einem der aufgrund von VBEQl vorherrschenden Temperaturempfindlichkeit bzw« -abhängigkeit entgegengesetzten Sinne hervorο Obwohl der die Bezugsspannung bestimmende primäre Term von VBEQl abhängig ist, sollte beachtet werden, daß der die Kozasktur der Temperaturempfindlichkeit ermöglichende Term proportional zur Differenz der beiden Basis-Emitter-Spannungen ist? obwohl die

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Temperaturempfindlichkeit der Basis-Emitter-Spannungen in hohem Maße stromabhängig ist, ist der Absolut-Betrag der Basis-Emitter-Spannung charakteristisch nur leicht stromabhängig. Das heißt, VBEQ4 - VBEQ5 ist in der Regel ein sehr kleiner Wert im Vergleich zu VBEQl, obwohl er die sehr erwünschte Temperaturempfindlichkeit zeigt. Demgemäß macht die Einbeziehung der den Transistor Q4_y den Transistor Q5 und dieWiderstände R4 und R5 umfassenden Schaltung nur eine mittlere Änderung der Widerstände Rl und/oder R2 erforderlich, um die gewünschte Bezugsspannung zu erzielen; jedoch ermöglicht die geeignete Bemessung der Widerstände R4 und R5 im richtigen gegenseitigen Verhältnis und in Bezug auf den Widerstand Rl je nach gewünschtem Verhalten die Verringerung, Beseitigung oder sogar die Umkehr der Temperatürabhängigkeit der Bezugsspannung. Mit anderen Worten, während die Bezugsspannung normaler Weise eine Temperaturabhängigkeit bzw. -empfindlichkeit besitzt, die angenähert gleich der Temperaturabhängigkeit des Spannungsabfalls an der Basis-Emitter-Diode, multipliziert mit dem Wert von (Rl + R2)/R2 ist, kann diese Temperatürempfindlichkeit bzw. -abhängigkeit auf angenähert diejenige des Spannungsabfalls an nur einer Basis-Emitter-Diode reduziert werden, so daß der Spannungsabfall der Basis-Emitter strecke in den Stromquellen gemäß Fig. 1 kompensiert wird| es kann auch eine solche einstellbare und vorgegebene Temperatürabhängigkeit der Bezugsspannung geschaffen werden, wie sie zur Verbesserung der Funktionsweise der an den Bezugsspannungsgenerator angeschlossenen Schaltung erforderlich ist, oder es kann ein breiterer Temperaturbereich eingestellt werden. Es sollte außerdem beachtet werden, daß die von der neuen Schaltung gelieferte Bezugsspannung von der primären Versorgungsspannung unabhängig arbeitet. Daher ist di· Bezugsspannung im wesentlichen versorgungsspannungsunabhängig und ändert sich nur geringfügig als Ergebnis einer Schwankung In erster Linie der Basis-Emitter-Spannungen der verschiedenen Tranaistoren infolge einer durch die Änderung der Versorgungs-

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spannung hervorgerufenen Schwankung des Stroms.

Aufgrund der Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform des neuen Bezugsspannungsgenerators sowie dessen Betriebsweise ist leicht einzusehen, daß verschiedene Abwandlungen im Rahmen der Erfindung möglich sind. So ist die neue Schaltung beispielsweise ideal zur Herstellung als integrierte Schaltung geeignet,kann in Form von Einzelkomponenten und/oder Halbleiterbauelementen hergestellt werden, die ohne weiteres auch den entgegengesetzten Leitungstyp (z.B. pnp-Transistoren) haben können, und kann mit anderen Kopplungsschaltungen aufgebaut werden.

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Claims

PATENTANWÄLTE ZENZ & HELBER ■ ESSEN 1, ALFREDSTRASSE 383 · TEL.: (02141) 472087 Seite Ansprüche

1. IBezugsspannungsgeneratorschaltung mit einem Versorgungs-

spannungseingangsanschluß, einem Bezugsspannungsausgangsanschluß und einem Eingangs-Ausgangsanschluß, die mit mehreren Transistoren eines ersten Leitungstyps und Widerständen aufgebaut ist, dadurch gekennzeichnet} daß ein erster Transistor (Ql) mit seinem Emitter an den gemeinsamen Eingangs-Ausgangsanschluß angeschaltet, mit seinem Kollektor über ein erstes Stromzufuhrglied (R3) mit dem Versorgungsspannungseingangsanschluß (24)geicoppelt und mit seiner Basis über einen ersten Widerstand (R2) mit seinem Emitter verbunden ist, daß ein von der Kollektorspannung des ersten Transistors abhängig gesteuertes zweites Stromzufuhrglied (Q2) über einen zweiten Widerstand (Rl) mit der Basis des ersten Transistors (Ql) gekoppelt ist, daß ferner ein Diodenglied (Q5) zwischen ein drittes Stromzufuhrglied (R5) und den gemeinsamen Eingangs-Ausgangsanschluß eingeschaltet ist, daß ein zweiter Transistor (Q4) mit seinem Emitter über einen dritten Widerstand (R4) an dem gemeinsamen Eingangs-Ausgangsanschluß angekoppelt, mit seiner Basis an das dritte Stromzufuhrglied (R5) angeschaltet und mit seinem Kollektor mit dem Verbindungspunkt zwischen dem ersten (R2) und dem zweiten (Rl) Widerstand verbunden ist, und daß zwischen dem zweiten Stromzufuhrglied (Q2) und dem Ausgangsanschluß (22) eine Ausgangseinheit (Q3) angeordnet ist, die eine von der Spannung am zweiten Widerstand (Rl) abhängige Ausgangsspannung entwickelt.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

das Diodenglied durch einen dritten Transistor (Q5) des ersten Leitungstyps gebildet ist, dessen Emitter an dem gemeinsamen Eingangs-Ausgangsanschluß (20) angeschaltet, dessen Kollektor mit dem dritten Stromzufuhrglied (R5) und dessen Basis mit dem Kollektor gekoppelt ist.

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3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Stromzufuhrglied einen vierten Widerstand (R5) aufweist, der zwischen dem Bezugsspannungsausgangsanschluß (22) und dem Kollektor des dritten Transistors (Q5) eingeschaltet jsb.

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Stromzufuhrglied einen zwischen dem Versorgungsspannungseingangsanschluß (.24) und dem Kollektor des ersten Transistors (Ql) eingeschalteten Widerstand (R3) aufweist»

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Stromzufuhrglied einen vierten Transistor (Q2) des ersten Leitungstyps aufweist, dessen Emitter an den zweiten Widerstand (Rl) angeschaltet, dessen Kollektor mit dem Versorgungsspannungseingangsanschluß (24) gekoppelt und dessen Basis mit dem Kollektor des ersten Transistors (Ql) verbunden ist.

6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangseinheit: einen fünften Transistor (Q3) des ersten Leitungstyps enthält, dessen Basis mit der Basis des vierten Transistors.(Q2) gekoppelt, dessen Kollektor mit dem Versorgungsspannungseinganganschluß (24) verbunden und dessen Emitter an den Bezugsspannungsausgangsanschluß angelegt ist.

7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß alle Transistoren (Ql bis Q5) efsten Leitungstyps npn—Transistoren sind-und daß der Versorgungsspannungseingangsanschluß (24) der positive Anschluß ist.

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