DE2233734C3 - Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen einer Einkristallschicht auf einem einkristallinen Substrat durch Flüssigphasen-Epitaxie - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen einer Einkristallschicht auf einem einkristallinen Substrat durch Flüssigphasen-EpitaxieInfo
- Publication number
- DE2233734C3 DE2233734C3 DE19722233734 DE2233734A DE2233734C3 DE 2233734 C3 DE2233734 C3 DE 2233734C3 DE 19722233734 DE19722233734 DE 19722233734 DE 2233734 A DE2233734 A DE 2233734A DE 2233734 C3 DE2233734 C3 DE 2233734C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- liquid phase
- slide
- wall
- single crystal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum epitaktischen
Aufwachsen einer Einkristallschicht auf einem einkrislallinen Substrat durch Flüssigphasen-Epitaxie,
bei dem die das abzuscheidende Material enthaltende Flüssigphase, durch einen Schieber von dem darunter
befindlichen Substrat gelrennt, in einem Tiegel erschmolzen, und dann durch Herausziehen des Schiebers
die Schmelze mit dem Substrat in Kontakt gebracht wird.
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf einen Tiegel zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Nach einem in der NL-OS 69 19 464 beschriebenen Verfahren wird eine Vorrichtung für Flüssigphasen-Epitaxie
mit verschiebbarer Wand verwendet, wobei in einer bestimmten Lage der verschiebbaren Wand die
das abzuscheidende Material enthaltende flüssige Phase außer Berührung mit dem Substrat gehalten wird,
wonach bei einer geeigneten Temperatur durch Verschiebung dieser Wand der Kontakt zwischen der
flüssigen Phase und der Substratoberfläche hergestellt wird. Durch gleichmäßige Abkühlung wird dann auf der
Substratoberfläche die epitaktische Schicht aus der flüssigen Phase abgelagert, wonach dadurch, daß die
verschiebbare Wand aufs neue verschoben wird, die das abzuscheidende Material enthaltende flüssige Phase von
dem Substrat getrennt wird. Die verschiebbare Wand ist an einem Ende mit einem Ziehmechanis.mus verbunden,
so daß die Verschiebung der Wand außerhalb des verwendeten Ofens vor sich gehen kann.
Die Abscheidung epitaktischer Schichten auf einem einkristallincn Substrat ist insbesondere in der Technik
der Herstellung von Halbleiteranordnungen, und zwar insbesondere zur Abscheidung epitaktischer Schichten
vom AMIBV-Typ, z. B. zur Abscheidung von Galliumarsenid
aus einer Lösung von Galliumarsenid in geschmolzenem Gallium, entwickelt worden. Die
Anwendung epitaktischer, aus der Flüssigkeitsphase abgeschiedener Schichten beschränkt sich aber nicht auf
Halbleitermaterialien. Im allgemeinen ist die Anwendung von Flüssigphasenepitaxie grundsätzlich in denjenigen
Fällen möglich, in denen die Abscheidung dünner einkristalliner Schichten auf einem einkristallen
Substrat erwünscht ist und das Material für eine solche Schicht aus einem flüssigen Material abgeschieden
ίο werden kann.
So ist es z. B. bekannt, dünne Schichten aus einem Material, in dem zylindrische magnetische Domänen
erzeugt werden können, in einkristalliner Form durch epitaktische Ablagerung auf einem einkristallinen
Substrat aus nichtmagnetisierbarem Material, z.B. aus
einem geeigneten Oxid, herzustellen. Die das abzuscheidende Material enthaltende flüssige Phase kann z. B. aus
einer Lösung spezieller Oxide in einem niedrigschmelzenden Lösungsmittel, wie Bleiboratglas, bestehen.
Erwünschtenfalls kann ein Material aus einer einfachen oder komplexen Verbindung fester Zusammensetzung
abgelagert werden, aber grundsätzlich ist es auch möglich, auf diese Weise einkristalline Schichten
aus Mischkristallen zu bilden, wie dies z. B. bei den genannten Materialien, in denen zylindrische magnetische
Domänen erzeugt werden können, und auch bei Halbleitermaterialien, ζ. B. vom AmBv-Typ, wie GaIIium-Aluminiumarsenid,
üblich ist.
Durch den Ablagerungsvorgang zur Bildung der epitaktischen Schicht wird sich die Zusammensetzung
des Materials in geschmolzenem Zustand im allgemeinen ändern. Dies kann zur Folge haben, daß die
zugesetzten Dotierungen inhomogen über die Schichtdicke verteilt werden. Insbesondere im dem Falle, in
dem das abgeschiedene Material aus einem Mischkristall besteht, kann durch einen' Unterschied in der
Segregation der Bestandteile des Ni:schkristalls eine
erhebliche Änderung der Zusammensetzung des Mischkristalls in der Dickenrichtung der epitaktisch abgelagerten
Schicht auftreten. Dies kann zur Folge haben, daß die angestrebten Eigenschaften der epitaktischen
Schicht nicht nach Wunsch erhalten werden, oder daß die Reproduzierbarkeit erschwert wird. So wurde z. B.
bei der Herstellung epitaktischer Schichten aus einem Mischkristall von Galliumarsenid und Aluminiumarsenid
aus einer Lösung in Gallium gefunden, daß bei der Ablagerung das Aluminiumarsenid so viel besser
segregiert, daß der Aluminiumgehalt in dem flüssigen Material schnell abnimmt. In der erhaltenen epitaktisehen
Schicht nimmt der Aluminiumgehalt von dem Substrat her allmählich ab.
Der Erfindung liegt u. a. die Aufgabe zugrunde, bei der Ablagerung der epitaktischen Schicht die Zusammensetzung
des Materials in flüssigem Zustand, aus dem diese Schicht abgelagert wird, zu beeinflussen. Insbesondere
hat die Erfindung die Aufgabe, die oben beschriebene Abnahme des Gehalts an einem besser
segregierenden Bestandteil des abgelagerten Materials von der Substratoberfläche her wenigstens in erheblichem
Maße auszugleichen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß während des Aufwachsens durch Zugabe einer
abgemessenen Menge einer mittels eines Schiebers von der Schmelze getrennten zweiten Schmelze die
<>5 Schmelze ergänzt und/oder in ihrer Zusammensetzung
geändert wird.
Auf diese Weise kann in der epitaktischen Schicht ein Übergang, wie ein PN-Übergang bei der Bildung einer
epitaktischen Halbleiterschicht, dadurch erhalten werden, daß eine Dotierung zugesetzt wird. Auch kann die
Erschöpfung eines bestimmten, besser segregierenden Bestandteils durch einen dotierten Zusatz eines solchen
Bestandteils gehemmt werden. Das letztere Verfahren eignet sich besonders gut zur Ablagerung einer Schicht
aus einem Mischkristall, wobei die größere Abnahme des besser segregierenden Bestandteils oder der besser
segregierenden Bestandteile dieses Mischkristalls in der flüssigen Phase durch den Zusatz einer genau
abgemessenen Menge oder genau abgemessener Mengen eines weiteren flüssigen Materials ausgeglichen
werden kann, so daß über die ganze epitaxiaie Schicht die Zusammensetzung des Mischkristalls innerhalb
angemessener Toleranzen konstant gehalten werden kann.
Die Erfindung bezieht sich weiter auf einen Tiegel mit einem über dem zur Aufnahme des Substrats bestimmten
Tiegelboden angeordneten Schieber, wobei im
Abstand über dem Schieber ein zweiter Schieber aus zwei aufeinanderliegender verschiebbaren Wänden
angeordnet ist, deren jede mindestens eine mit der anderen fluchtende Öffnung aufweist und wobei der
zweite Schieber eine dritte, verschiebbare Wand mit mindestens einer, mit den öffnungen der beiden
anderen verschiebbaren Wände fluchtenden Öffnung aufweist.
Wenn nur einmal eine genau abgemessene Menge an weiterem flüssigem Material der flüssigen Phase
während des epitaktischen Anwachsens zugesetzt zu werden braucht, ist es genügend, diese genau abgemessene
Menge ohne weiteres auf der, der flüssigen Phase benachbarten verschiebbaren Wand anzubringen und
durch Verschiebung der Wand eine Vereinigung dieser Menge mit der das abzuscheidende Material enthaltenden
flüssigen Phase zu ermöglichen. Dabei können zwei aufeinander liegende, in bezug aufeinander verschiebbare
Wände ven. endet werden, wobei die auf der unteren Wand liegende Wand mindestens eine öffnung
aufweist, in der die genau abgemessene Menge angebracht wird, und wobei die untere Wand die
Öffnung(en) auf der Unterseite verschließt und durch die gegenseitige Verschiebung der Wände der Verschluß
auf der Unterseite mindestens einer der Öffnungen entfernt wird. Dabei ist es nicht erforderlich,
daß die Wände beide verschiebbar sind. Es ist genügend, wenn nur eine der Wände, entweder die untere oder die
obere Wand, in bezug auf ck'n Gefäßraum verschiebbar
ist. Dadurch, daß die untere Wand völlig unterhalb einer solchen öffnung in der daraufliegenden Wand entfernt
wird, kann die in einer solchen öffnung angebrachte Menge an die das abzuscheidende Material enthaltende
flüssige Phase abgeführt werden. Die untere Wand weist mindestens eine öffnung auf und der Verschluß einer
öffnung in der daraufliegenden Wand wird dadurch entfernt, daß durch gegenseitige Verschiebung der
Wände eine öffnung in der unteren Wand unter eine öffnung in der daraufliegenden Wand gebracht wird.
Zum Beispiel sind auf diese Weise verhältnismäßig geringe Verschiebungen genügend. Ferner können auf
diese Weise verschiedene genau abgemessene Mengen zugleich an die das abzuscheidene Material enthaltende
flüssige Phase abgeführt werden. Insbesondere, wenn die flüssige Phase in Form einer Flüssigkeitsschicht
angebracht wird, deren sei .'sehe Abmessungen verhältnismäßig
groß in bezug auf die von der flüssigen Phase beanspruchte Höhe sind, können durch eine Anzahl
öffnungen in der unteren ' '. nd einige genau abgemessene
Mengen zugleich und in gleichmäßiger Verteilung über die Oberfläche der das abzuscheidende Material
enthaltenden flüssigen Phase hinzugefügt werden, wodurch eine schnellere Vermischung zu einer homogenen
Zusammensetzung der flüssigen Phase enthalten wird.
Eine solche genau abgemessene Menge kann vor dem Erhitzungsvorgang in einer solchen unterhalb der
unteren Wand verschließbaren öffnung angebracht werden. Auch kann auf der Wand mit den auf der
Unterseite verschließbaren öffnungen eine dritte Wand
angebracht werden, wobei die beiden letzteren Wände gegeneinander verschiebbar sind und die dritte Wand
die Oberseite der öffnungen) zur Aufnahme der genau abgemessenen Menge(n) verschließt und ein Gefäßraum
oberhalb der Wände vorhanden ist, in dem eine Schmelze mi< der Zusammensetzung der zuzusetzenden
Mengen angebracht wird, wobei durd" -.-.ie gegenseitige
Verschiebung der beiden oberen Wände ό-ι VerschiuB
auf der Oberseite mindestens einer öffnung für die genau abgemessene Menge entfernt und die öffnung
mit der abgemessenen Menge gefüllt wird, wonach durch eir<e weitere gegenseitige Verschiebung der
beiden oberen Wände eine abgemessene Menge von der darüber liegenden Schmelze getrennt wird. Die
Anbringung der abgemessenen Menge kann über mindestens eine Öffnung in der oberen Wand
stattfinden. Beim Ausfüllen der in der dazwischenliegenden Wand vorgesehenen öffnungen zur Aufnahme der
abgemessenen Mengen können diese öffnungen auf der Unterseite von der unteren Wand verschlossen werden.
Die genau abgemessenen Mengen werden durch den Inhalt der öffnungen in der zwischenliegenden Wand
bestimmt. Die Oberseiten der öffnungen in der zwischenliegenden Wand werden dabei von der oberen
Wand verschlossen, bevor diese abgemessenen Mengen der das abzuscheidende Material enthallenden flüssigen
Phase zugesetzt werden. Es ist nicht erforderlich, daß die Vände alle drei gegen den Gefäßraum verschiebbar
sind. Z. B. können die obere und die untere Wand verschiebbar ausgebildet sein, während die zwischenliegende
Wand im Gefäßraum fixiert ist. Auch ist es möglich, daß die obere und die untere Wand fixiert sind,
und zwar derart, daß die öffnungen in diesen Wänden nicht übereinander liegen. Die zwischenliegende Wand
mit den öffnungen zur Aufnahme der genau abgemessenen Mengen kann dann verschiebbar ausgebildet
werden, so daß diese öffnungen in einer Lage ausgefüllt und in einer anderen Lage entleert werden. Jede im
Gefäßraurn der Vorrichtung verschiebbare Wand ist mit einer Ziehvorrichtung verbunden, mit deren Hilfe die
Verschiebungen durchgeführt werden. Dies hat den Vorteil, daß die Vorrichtung mit dem Gefäßraum
zentral in einem rohrförmigen Ofen angebracht werden kann, in dem sich eine gleichmäßige Temperatur besser
einstellen läßt. Eine derartige zentrale Positionierung läßt sich mit einer ai. sich bekannten Lehre für flüssige
Epitaxie, die durch Kippen betätigt werden muß. viel weniger leicht erzielen.
Die Erfindung läßt sich zur epitaktischen /ablagerung
aus einer flüssigen Phase, z. B. von Halbleiterverbindun
gen, insbesondere zum Niederschlagen ternärer Verbindungen, anwenden, die die Elemente der Gruppen III
und V des Periodischen Systems der Elemente enthalten. Die Erfindung eignet sich insbesondere zur
Anwendung bei der Ablagerung einer epitaktischen Schicht aus einem Mischkristal! von Galliumarsenid und
Aluminiumarsenid aus einer Lösune in Gallium, zur
Herstellung elektroluminesziercndcr Vorrichtungen Sie läßt sich jedoch auch bei der Ablagerung anderer
Halbleitermaterialien und von Materialien andern AiI
verwenden, z. B Materialien, in denen zylindrische
magnetische Domänen erzeugt und verschoben werden s können.
Line Ausführungsform der Lrfindung isi in der
Zeichnung dargestellt und wird im folgenden naher beschrieben. Ks zeigt
L ig. I schematisch einen Längsschnitt durch eine ,n
Ausführungsform der Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens und
Γ i g. 2 schemalisch einen Querschnitt dieser Vorrichtung.
Diese Vorrichtung besteht aus einem schaehtelförmi- ,,
gen Tiegel I in l-'orm eines nahezu rechteckigen
Material, das erhebliche Temperaturänderungen oder Temperaturerhöhungen ohne Strukturänderung und
ernsthafte Verunreinigung ihres Inhalts aushalten kann. z. B. Bornitrid. Lter Tiegel I enthält eine verschiebbare.
/u dem Boden des Gefäßraumes parallele Wand 2. die
durch einen Spalt 3 entsprechenden Querschnitts geführt ist und im Inneren des Gefäßraumes über zwei
Rippen 4 gleiten kann. Auf den Boden des Tiegels ^ können ein oder mehrere Substrate 5 gesetzt werden,
die mit einer epitaktischen Schicht versehen werden müssen.
Der Schieber 2 ist z. B. derart angeordnet, daß seine
untere [-"lache weniger als 1 mm von den Substraten entfernt ist. An dem aus dem Tiegel hervorragenden
KmIe des Schiebers 2 ist ein (nicht dargestelltes) Teil zu
dessen Verschiebung angebracht, das ζ. Β aus einem
Haken besteht und in einem in der Nähe dieses Lndes durch Bohren erhaltenen Loch angeordnet werden _15
kann. Die das abzuscheidende Material enthaltende flüssige Phase 6. aus der die epitaktische Ablagerung
staufinden soll, wird auf der verschiebbaren Wand 2 angeordnet.
Oberhalb der flüssigen Phase 6 befinden sich zwei auf entsprechende Weise verschiebbare Wände 7 und 8 mit
Offnungen 14 bzw. 15, wobei diese Wände durch Spalte Il bzw. 12 entsprechenden Querschnittes in den
Gefäßraum t eingeführt sind. Die beiden verschiebbaren
Wände können über einen außerhalb des schachtelförmigen
Tiegels 1 liegenden Angriffspunkt mit einer Ziehvorrichtung verbunden sein, wobei die Ziehvorrichtung
ζ. B. der Vorrichtung zur Bewegung des Schiebers 2 entspricht. Die verschiebbare Wand 8 kann im Inneren
des Gefäßraumes auf den Rippen 9 und 10 gleiten. Die beiden verschiebbaren Wände 7 und 8 sind zu beiden
Seiten und parallel zu einer Wand 13 mit Öffnungen 16 angebracht, wobei diese Öffnungen mit den Öffnungen
14 und 15 der verschiebbaren Wände 7 bzw. 8 in einer
bestimmten Lage jeder dieser verschiebbaren Wände ZUi Deckung gebracht werden können. Auf der
verschiebbaren Wand 7 wird ein weiteres flüssiges Material 17 angebracht, das das der flüssigen Phase 6
zuzusetzende Klcmenl in einer höheren Konzentration als in der flüssigen Phase 6 vorhandenen Konzentration
enthält, wobei die verschiebbare Wand eine derartige
Lage einnimmt, daß die öffnungen 14 um! 16 nicht
miteinander in Verbindung stehen. Der Gefäßraum wird in einer nicht dargestellten Behandlungszimmer mit
kontrollierter Atmosphäre in einem Ofen eingeordnet, innerhalb dessen die Temperatur geregelt werden kann.
Nachdem die Substrate in ihren Lagerungen angebracht und die Bestandteile der flüssigen Phasen 6 und
17 in den Tiegel eingeführt worden sind, wobei die
verschiebbaren Wände die ::; L i ». ! dargestellte Lage
einnehmen, wird die Temperatur des (ian/.cn auf wenigstens die für die Epitaxie erforderliche Anfangstemperatur erhöht. Zu dem fur die Ablagerung
gewählten Zeilpunkt und bei der entsprechend gewähl ten Temperatur *ird der Schieber 2 verschoben, so daß
die flüssige l'hase 6 auf die Substrate gelangt. Die
flüssige Phase 6 wird dann abgekühlt, wobei eine
epitaktisehe Schicht auf jedem der Substrate 5 gebildet wird. W?;1.-end der Ablagerung kann die flüssige Phase
ärmer an einem der Bestandteile werden; / B wird bei
Anwendung aluminiumhaltigen Galliums die Gallium
schmelze ärmer an Aluminium un-.1 die Konzentration
des letzteren Klements nimmt in der Nähe des Übergangs zu der sich bildenden epilaktisehen Schicht
ab. Während der Behandlung werden die Öffnungen 16 in der festen Wand 13 mit Schmelze 17 dadurch
ausgefüllt, daß zeitweilig die Öffnungen 14 in der
verschiebbaren Wand 7 oberhalb der Öffnungen 16 gebracht und nach dem Ausfüllen durch Verschiebung
der Wand 7 die Öffnungen 16 auf der Oberseite wieder verschlossen werden. Nach der ersten Ablagerungsphase,
wenn die flüssige Phase 6 ziemlich arm an dem besser segrcgierendcn Bestandteil geworden ist. wird die
verschiebbare Wand 8 verschoben, so daß ihre Öffnungen 15 unterhalb der Öffnungen 16 der festen
Wand 13 kommen, wodurch der Inhalt dieser Öffnungen in die flüssige Phase 6 gelangt, wodurch die Konzentra
tion des schneller segregierenden Bestandteils erhöht wird.
Der Vorgang zum Ausfüllen der Öffnungen 16 und zum Kntleeren ihres !nhalts in die flüssige Phase 6 kann
so viele Male wiederholt werden, wie es erfordcrlu.; ist.
Lin Zyklus kann eingehalten werden und die Betätigung der verschiebbaren Wände 7 und 8 kann !eicht
automatisiert werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Verfahren zum epitaktischen Aufwachst: ι einer
Einkristallschicht auf einem einkristallinen Sibstrat durch Flüssigphasen-Epitaxie, bei dem die das
abzuscheidende Material enthaltende Flüssigphase, durch einen Schieber von dem darunter befindlichen
Substrat getrennt, in einem Tiegel erschmolzen, und dann durch Herausziehen des Schiebers die Schmelze
mit dem Substrat in Kontakt gebrach; wird, dadurch gekennzeichnet, daß während des
Aufwachsens durch Zugabe einer abgemessenen Menge einer mittels eines Schiebers von der
Schmelze getrennten zweiten Schmelze die Schmelze ergänzt und/oder in ihrer Zusammensetzung
geändert wird.
2. Tiegel zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 c«'.; einem über dem zur Aufnahme des
Substrats bestimmten Tiegelboden angeordneten Schieber, dadurch gekennzeichnet, daß im Abstand
über dem Schieber (2) ein zweiter Schieber aus zwei aufeinanderliegenden, verschiebbaren Wänden (8)
(13) angeordnet ist, deren jede mindestens eine mit der anderen fluchtende Öffnung (15,16) aufweist.
3. Tiegel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Schieber eine dritte, verschiebbare
Wand (7) mit mindestens einer, mit den Öffnungen der beiden anderen verschiebbaren Wände fluchtenden
Öffnung (14) aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7125739A FR2145831A6 (de) | 1971-07-13 | 1971-07-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2233734A1 DE2233734A1 (de) | 1973-01-18 |
DE2233734B2 DE2233734B2 (de) | 1977-08-25 |
DE2233734C3 true DE2233734C3 (de) | 1978-04-27 |
Family
ID=9080335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722233734 Expired DE2233734C3 (de) | 1971-07-13 | 1972-07-08 | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen einer Einkristallschicht auf einem einkristallinen Substrat durch Flüssigphasen-Epitaxie |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5219191B1 (de) |
BE (1) | BE786137A (de) |
CA (1) | CA978663A (de) |
DE (1) | DE2233734C3 (de) |
FR (1) | FR2145831A6 (de) |
GB (1) | GB1399918A (de) |
IT (1) | IT964629B (de) |
NL (1) | NL7209537A (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5120081A (en) * | 1974-08-12 | 1976-02-17 | Hitachi Ltd | Ketsushoseichohoho oyobi sochi |
-
0
- BE BE786137D patent/BE786137A/nl not_active IP Right Cessation
-
1971
- 1971-07-13 FR FR7125739A patent/FR2145831A6/fr not_active Expired
-
1972
- 1972-07-08 NL NL7209537A patent/NL7209537A/xx unknown
- 1972-07-08 DE DE19722233734 patent/DE2233734C3/de not_active Expired
- 1972-07-10 IT IT6922172A patent/IT964629B/it active
- 1972-07-10 GB GB3213272A patent/GB1399918A/en not_active Expired
- 1972-07-12 CA CA146,902A patent/CA978663A/en not_active Expired
- 1972-07-13 JP JP6958872A patent/JPS5219191B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1399918A (en) | 1975-07-02 |
JPS5219191B1 (de) | 1977-05-26 |
IT964629B (it) | 1974-01-31 |
DE2233734B2 (de) | 1977-08-25 |
NL7209537A (de) | 1973-01-16 |
DE2233734A1 (de) | 1973-01-18 |
FR2145831A6 (de) | 1973-02-23 |
CA978663A (en) | 1975-11-25 |
BE786137A (nl) | 1973-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2243181C3 (de) | Verfahren zum Herstellen epitaktischer Halbleiterschichten aus der flüssigen Phase | |
DE944209C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern | |
DE2305019C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiterschichten mittels Flüssigphasen-Epitaxie | |
DE2616700C2 (de) | Verfahren zum Ausbilden einer dünnen Schicht aus einem Halbleitermaterial der Gruppen III-V durch epitaxiales Aufwachsen, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2215355B2 (de) | Verfahren zum Abscheiden einkristalliner Halbleiterepitaxialschichten | |
DE69411942T2 (de) | Mehrschichtenmaterial und eine dieses material enthaltende anordnung | |
DE2418830C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer Halbleiterschicht aus einer Schmelzlosung | |
DE2233734C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen einer Einkristallschicht auf einem einkristallinen Substrat durch Flüssigphasen-Epitaxie | |
DE2730358C3 (de) | Verfahren zum aufeinanderfolgenden Abscheiden einkristalliner Schichten auf einem Substrat nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie | |
DE2425747A1 (de) | Verfahren zum abscheiden epitaktischer schichten auf einem substrat aus der fluessigen phase | |
CH651964A5 (de) | Vorrichtung zur epitaxialen ablagerung einer halbleitermaterialschicht. | |
DE2452197C3 (de) | Verfahren zum Abscheiden von unterschiedlich dotierten Halbleiterschichten auf einem Halbleitersubstrat | |
DE2000096C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden einer Schicht aus einem Halbleitermaterial auf einer ebenen Fläche eines einkristallinen Substrats | |
DE2163075C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen | |
DE2249144C3 (de) | 11.09.72 Japan 47-91536 Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen einer Halbleiterschicht auf ein Substrat | |
DE2111946C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsenlassen eines Kristalls auf einer Unterlage | |
DE2135539C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen einer Substanz | |
DE1233833B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls, insbesondere Halbleitereinkristalls | |
DE2942203A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
DE69131611T2 (de) | Verfahren zur Herstellung dünner Schichten aus Oxyd-Supraleiter | |
DE1946049C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Flüssigphasenepitaxie | |
DE3115389A1 (de) | Schiffchen zum epitaktischen anwachsen mehrerer schichten aus der fluessigkeitsphase und verfahren zum anwachsen mit hilfe des schiffchens | |
DE2264967A1 (de) | Magnetdomaenen-fortbewegungssystem | |
DE2111945C3 (de) | Vorrichtung zur epitaktischen Kristallzüchtung aus flüssiger Phase | |
DE2213313B2 (de) | Verfahren zum Abscheiden einer einkristallinen Halbleiterepitaxialschicht auf einem Substrat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |