DE2025476A1 - Photodiode - Google Patents
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Description
7035-70/Dr.v.B/Elf
,RCA 61,984
,RCA 61,984
CD-PA 63,303
filed: September 26, I969
RCA LIMITED,
2001 North Service Road, Trans-Canada Highway Ste. Anne De Bellevue, 810, Quebec (Canada)
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Photodiode, insbesondere
j eine pin-Quadranten-Photodiode zum Verfolgen der Lage eines
iLichtbündels, das über die Diode wandert, mit einem Substrat,
das aus einem HL-Material hohen spezifischen Widerstandes eines vorgegebenen Leitungstyps besteht und zwei entgegengesetzte
im wesentlichen ebene Seiten hat, einer an die eine Seite angren-
i ·
zenden und sich im wesentlichen ganz über diese Seite erstreckenden
Zone aus einem HL-Material, und zwei auf der anderen Seite j des Substrats angeordneten Zonen des entgegengesetzten Leitungstyps, die nahe benachbarte, durch einen schmalen Zwischenraum
getrennte Ränder haben.
Die bekannten pin-QuadraKfcen-Photodioden, die zum Verfolgen eines
fokussierten Lichtbündels dienen, das über die Oberfläche der
Diode wandert, enthalten im allgemeinen ein ebenes Substrat aus p-Silicium hohen spezifischen Widerstandes (über 10 kOHm cm) mit
einer p-leitenden Anodenzone, die über die eine Seite reicht und vier quadrantenförmigen n-leitenden Elektroden auf der anderen
Sexce des Substrats. Wenn ein fokussierter Lichtfleck über die
Anode wandert, geht das Signal von einer der quadrantenförmigen Elektroden auf die nächste über. Die Steilheit dieses Überganges
bestimmt das Positionsauflösungsvermögen der Diode. Bisher hing
dieses vom Abstand zwischen den benachbarten Quadrantenelektroden
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jund dem optischen übersprechen sxtischen ihnen ab„
Der Einfluss des Abstandes der benachbarten Quadrantenelektroden Jaus das PositionsaufISsungsveraögen kann durch Verkleinerung des
Abstandes sswisehen den benachbarten Quadranten verringert werden.
!Es ist möglich, den Abstand zwischen den benachbarten Quadranten
auf.einen Effekfcivuert von unter 100 ,im. herabzusetzen 9 was op-
!tisch durch Verwendung von Licht mit einer Wellenlänge von"0,9/um bestimmt
wird«. Für Lieht grösserer Wellenlänges goB„ ls06 «um 9
iwird das Positionsauflösungsvermögen jedoch dmrcls das optische
übersprechen zwischen den Quadranten begrenzt B da der Absorptions-
koeffizient von Silicium bei solchen langen Wellenlängen verhält1= -
nisraässig klein ist uhö ©in erheblicher Teil der einfallenden ;
I . " i
!Strahlung dl© die Qu&draotenelektroden toag©K©l© Seite der Diode
erreicht und von dieser reflektiert wirdο"Da Photodiode^ dieser
,Art normalerweise mit optischen Systemen verhältnismässig grossser[
relativer öffnung (niedriger Blendensahl) verwendet x-jerdens diver- ;
giert der auf di@ Anodenoberflä©he fokussiert© Strahlungskegel ;
innerhalb der Diode wieder o Es lässt sieh abschätzens daß das '·
Positionsauflösungsvermögen b©i einem optischen System mit der Lichtstärke fsl durch das übersprechen auf etwa, 250 λμγ begrenzt
.wird.. . :
■Der vorliegenden Erfindung liagt dement sprechend, öl© Aufgabe zu- \
grund©5, das optisch® übersprechen suischen den HäÄen oder Quadrant
ten einer Photodiode aussugchalten ©der zumindest; breitest gehend !
su beseitigen , um das PositionsauflösungsveraOgen der Diode zu j
.verbessern«
Gemäss der Erfindung wird dies bei einer Photodiode mit einem |
Substrat, das aus einem Halbleitermaterial hohen spezifischen < Widerstandes eines vorgegebenen Leitungstyps und zwei entgegen- ;
gesetzte ebene Seiten hat» eine an die eine Seite angrenzenden ,und sich im wesentlichen gang? über diese Seit© erstreckenden
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Zone aus einem Halbleitermaterial des vorgegebenen Leitungstyps und zwei auf der anderen Seite des Substrats angeordneten Zonen
des entgegengesetzten Leitungd>typs, die nahe benachbarte, durch
einen schmalen Zwischenraum getrennte Ränder haben, dadurch gelöst, daß die an die Zone des vorgegebenen Leitungstyps angrenzende
Seite des Substrats eine V-förmige Nut aufweist, die dem Zwischenraum zwischen den Rändern der beiden Zonen entgegengesetzten Leitungstyps direkt gegenüber liegt und in Längsrichtung
dieses Zwischenraumes läuft.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert, es zeigen:
Figur 1 eine Draufsicht auf die eine Seite einer Photodiode gemäss
einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Figur 2 einen Querschnitt in einer Ebene 2-2 der Figur i;
Figur 3 eine perspektivische Ansicht der Photodiode gemäss Figur
;mit deren anderer Seite;
Figur H einen Querschnitt durch einen Teil der Photodiode in
!vergrössertem Haßstab;
Figur 5 eine graphische Darstellung der längs der Ordinate in willkürlichen Einheiten aufgetragenen Ausgangssignale der Photodiode
als Funktion des von einem Bezugspunkt gerechneten, längs der Abszisse aufgetragenen Abstand eines Lichtfleckes für eine
typische Photodiode gemäss der Erfindung, und
Figur 6 eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform diner
Photodiode gemäss der Erfindung.
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I Die in den Figuren 1
'Erfindung dargestellte Photodiode 10 enthält ©in j
,Substrat 12j das aus einem Halbleitermaterial hoben speafischen j
Widerstandes besteht und zwei entgegengesetzt© ebene Saiten hat/
' Typischerweise besteht das Substrat 12 aus p^Silieiufas dessen spe
l'zifischer Widerstand grosser als 10 000 0hm am ist 0 Wie aus den
i
Figuren 2 und 3 ersichtlich iats igelst die eine ebene Seite des Substrats 12 swei Nuten 14 mit V-förmigem Querschnitt auf« Sie Nuten erstrecken sich diametral über te® Substrat 12 und kreusen j sich unter einem rechten Winkel»
Figuren 2 und 3 ersichtlich iats igelst die eine ebene Seite des Substrats 12 swei Nuten 14 mit V-förmigem Querschnitt auf« Sie Nuten erstrecken sich diametral über te® Substrat 12 und kreusen j sich unter einem rechten Winkel»
An der die Nut aufweisenden Seite aes Substrates 12 befindet sich
eine dünne p-leitend© Zone 16 r die sich gang über dies© Seite und
über die Oberflächen der Muten 14 erstreckt» Di© p-Zone 16 bildet
die Anode der Diode 10o An der"anderen Seit© das Substrats 12
befinden sich Tier quadrantenföriaige P umleitende Zonen 18» Die
quadrantenförmigen Zonen 18 sind in einem Kreis so angeordnet 9
daß die geraden Ränder jedes Quadranten in nahes Abstand won den
geraden Rändern"" der b©nashbart@n Quadranten verlaufen» Itfie ins=
besondere Figur 2 seigts sind di© quadrantenförmigen'Zonen 18
so angeordnet s daß die Zuiüels©m»äiÄ© süii©h©o ite©n geraden Rän°
der« den Nuten 14 im Swbstrst direkt g©genöb©r liegen und in deren
Längsrichtung verlaufen= Di© %wi&©h®n%>äV!m® EW±BQh®n. ä©n Rändern
der QuadFantera gehen also radial von ©ineaa einzigen"" Punkt 9 der
Mitte der grossen Seitenfläela® des Substrats 12 aüs's der dem Kreu·=»
zungspunkt der Muten 14 direkt ©ntg©geng©setst isto Auf der glei·=
chen Seit© des Substrats 12 wie di© Q«adrantenZoii@n 18 befindet
SiGh noch ©in® schmalea ringförmige9 rleitend© Sohutsringsone 2O0
Die Setotaringsone 20 umgibt" di© Quad^anteEBion^ia 18 mit ©insu ge=
wissen Abstände Die OberfMoh© der Quadrantenaonen 18 und des ' "
jSchutSFxnges 20 sind mit @in©r Schicht 22 aus einem liehtreflek-'
'tierenäen Materials uie- Aluminiuiip öbergog©no Di© p-Zone 16
ist mit einer Antireflexionsschicht 2H3 ^B. einer dünnen Schicht
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aus Siliziumdioxid, Überzogen. Die optische Dicke der Siliciumdioxidschicht
24 beträgt vorzugsweise eine Viertelwellenlänge der wahrzunehmenden Lichtstrahlung.
Bei der Herstellung der Photodiode 10 geht man von einem ebenen
Substrat aus p-leitendera Halbleitermaterial, wie Silicium, hohen spezifischen Widerstandes, aus. In der einen Seite des Substrats
werden dann die im Querschnitt V-förmigen Nuten Ik gebildet, was
durch Läppen, Schleifen, Ätzen oder Ultraschallschneiden mit einem keilförmigen Werkzeug geschehen kann. In die mit den Nuten
versehene Seite des Substrats wird dann ein Akzeptor, z.B. Bor, eindiffundiert , um die p-leitende Anodenzone 16 zu erzeugen.
In die andere Seite des Substrats wird ein Donator , wie Phosphor, eindiffundiert, um die η-leitenden Quadrantenzonen 18
und die Schutzringzone 20 zu bilden. Die Eindiffusion der Dotierungsstoffe
kann in bekannter Weise durchgeführt werden, beispielsweise kann das Substrat auf den jeweiligen Oberflächen mit
einem den gewünschten Dotierungsstoff enthaltenden Material überzogen
und dann zum Eindiffundieren der Dotierungsstoffe erhitzt
werden, oder die Dotierungsstoffe können in das Substrat aus einem die Dotierungsstoffe enthaltenden Gas eindiffundiert werden.
Je nach dem verwendeten Diffusionsverfahren können die beiden verschiedenen Dotierungsstoffe gleichzeitig oder nacheinander
!in das Substrat eindiffundiert werden. Nach der Diffusion werden
'die Quadrantenzonen'18 und die Schutzringzone 20 in der durch
'-, die Diffusion erzeugten η-Zone gebildet. Hierzu kann die Oberflä-I
ehe der diffundierten η-Zone mit einer Maskenschicht aus Siliciumj
dioxid überzogen werden und in der Maskenschicht können öffnun-
!gen entsprechend den Zwischenräumen zwischen den Quadrantenzonen
j und dem Zwischenraum zwischen letzteren und der Schutzringzone I mittels üblicher photolithographischer Verfahren gebildet werden.
Die freigelegte Fläche der η-Zone wird dann zur Bildung der Quadrantenzonen und der Schutzringzone weggeätzt. Anschlieseend
werden die lichtreflektierende Schicht 22 und die Antireflexionsschicht
24 im Vakuum auf die Quadrantenzonen 18 und die
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Schutzringzone 20 bzw. die p-Zone 16 aufgedampft.
Bei der Benutzung der Photodiode Ip wird ein Lichtfleck auf die
p-leitende Anodenzone 16 fokussiert und über diese abgelenkt.
Dabei entstehen Elektronen-Löeherpaare, von denen die Löcher von
der gemeinsamen Anode 16 und die Elektroden durch die Quadrantenelektroden
18 gesammelt werden« Durch Messung des Ausgangsstromes der Quadrantenelektroden 18 kann die Lage des Lichtbündels
bestimmt werden. Solange das Lichttoündel über einen Teil der
p-leitenden Anodenzone 16 wandert, der sich zwischen den Nuten Ik
befindet, werden die Elektronen der durch die einfallende Licht- j
strahlung erzeugten Elektroae!a-Locii-Paai?e durch diejenige Quadrant
tenelektrode 18a (Figur 4) gesammelt, die sich direkt gegenüber
dem Auftreffpunkt des doreh die Linie 26 in Figur'4 dargestellten
Lichtbündels befindet. W©im das Lietatbitadel dann zur Nut 14 ;
wandert und auf die schräge Seitenwand dieser Mut auffällt, wird ;
es zu der Quadrantenelektrode 18a hin gebrochen, wie die Linie
in Figur 4 zeigt. Wandert das Lichtbündel dann weiter zur anderen Seitenfläche der Nut 14, so wird das auf diese andere schräge
Seitenfläche auftreffende tichtbündlel zur benachbarten Quadrantenelektrode
18b hin gebrochen, wie die Linie 30 in Figur 4 zeigt.
Das auf eine Seite der NUt auftreffende Licht erzeugt also Elektronen,
die alle durch die dieser Seite zugeordnete Quadrantenelektrode
gesammelt werden, so daß kein tibersprechen zur benachbarten
Quadrantenelektrode eintreten kam* Die Breite und Länge
der Nuten 14 sind nicht wesentlich, solange die Seitenwände der ; Nuten so geneigt sind, daß das auffallende Licht zur richtigen
Quadrantenelektrode hin gebrochen wird.
Das Diagramm in Figur 5 zeigt die Ausgangssignale zweier benachj barter Quadrantenelektroden einer Photodiode IO beim Abtasten
der p-leitenden Anode durch ein Lichtbündel. Das Lichtbündel hatte
eine Wellenlänge von 1,06 ,um , einem Durchmesser von 100^um j
und wurde auf die Photodiode durch ein optisches System mit
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der öffnung f:2 fokussiert. Die Ausgangssignale von zwei benachbarten
Quadrantenelektroden wurden getrennt gemessen, während
das Lichtbündel über die Photodiode wanderte. Das Ergebnis ist in Figur 5 graphisch dargestellt. Das Ausgangssignal jeder Quadran- ,
tenelektrode umfasst drei Bereiche:
Von links nach rechts betrachtet ist das Ausgangssignal im er- ,
sten Bereich konstant, hier fällt das Lieht ganz auf eine ebene Oberfläche der p-leitenden·Anode. Im nächsten Bereich steigt das \
Ausgangssignal an, dies tritt ein, wenn der Lichtfleck über die j schräge Seitenfläche einer Nut wandert. Das Ansteigen des Aus- j
gangssignals beruht auf einer Erhöhung des Quantenwirkungsgrades, j die dadurch eintritt, daß das auf die Seitenfläche der Nut auffallende
Licht im Inneren der Diode totalreflektiert und eingefangen
wird. Im dritten Bereich, der dem übergang des Lichtfleckes!
von der einen Seite der iJut zur anderen entspricht, fällt das
Ausgangssignal stark ab. Beim übergang des Lichtflecks von der
. einen Seite der Nut zur anderen nimmt gleichzeitig das Ausgange™
\ signal der benachbarten QuadrantenelektiOde au. Die gestrichelt©
I Linie - in Figur 5 zeigt den Verlauf der Summe der Ausgangssignale
der beiden benachbarten Quadrantenelektroden, während der Lichtfleck über den Grund der Nut wandert. Das Summensignal am Grund
der Nut entspricht etwa dem Signal für die ebene Fläche der
p-leitenden Anode. Aus Figur 5 kann entnommen werden, daß das effektive Auflösungsvermögen der Photodiode etwa 100 ,um beträgt,
was im wesentlichen durch den Durchmesser des Lichtbündels bestimmt wird, der links im Diagramm eingezeichnet ist. Ein Skalenteil
der Abszisse entspricht bei dem Diagramm gemäss Figur 5 einer Strecke von 25 »um. Das Auflösungsvermögen der Photodiode
ist also ebensogut wie das der bekannten Photodioden bei Verwendung von Licht kürzerer Wellenlänge.
Figur 6 zeigt als weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung
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2Ö2H47B
-8-
eine Photodiode 10' , bei deren Herstellung man von einem ebenen
Substrat 12· aus einem p-leitenden Halbleitermaterial, z.B. Silicium
hohen spezifischen Widerstandes ausgeht. In der einen Seite des Substrats 12' werden zwei V-förmige Nuten 14' gebildet, wie
es oben beim Beispiel 1 erläutert worden ist. In die genutete Oberfläche des Substrats wird ein Akzeptor, wie Bor,, eindiffundiert,
um eine dünne, p-leitende Anodenzone 16' zu erzeugen. Die
andere Seite des Substrats wird mit einer Maskenschicht 32 aus Siliciumdioxid überzogen. In der Maskenschicht 32 werden photolithographisch
öffnungen gebildet, deren Grosse, Form und Lage den zu bildenden Quadrantenzonen und der Schutzringzone entsprechen.
In die freigelegten Bereiche der maskierten Oberfläche des Substrats wird dann ein Donator, wie Phosphor, eindiffundiert,
um die Quadrantenzonen 18' uM die Schutzringzone 20' zu bilden.
Auf die Quadrantenzonen 18' wird dann ein lichtreflektierender Film 22' aufgebracht und die p-leitende Anodenzone 16· wird mit
einer Antireflexionsschicht 24' überzogen. Die Photodiode 10' arbeitet
in der gleichen Weise wie die oben beschriebene Photodiode 10.
Die beschriebene Photodiode 10 hat ein p-leitendes Substrat, eine |
p-leitende Anodenzone und η-leitende Quadranten- und Schutzring- !
zonen, selbstverständlich können die vorliegenden Photodioden i auch ein η-leitendes Substrat hohen spezifischen Widerstandes,
eine η-leitende Anodenzone und p-leitende Quadranten- und Schutz-, ring-Zonen enthalten.Eine solche Photodiode kann in der gleichen
Weise hergestellt werden, wie es oben beschrieben wurde, mit der Ausnahme, daß man von einem Substratscheibchen aus einem
η-leitenden Halbleitermaterial hohen spezifischen Widerstandes ausgeht, in die genutete Sei.te des Substrats einen Dotierungsstoff vom n-Typ , wie Phosphor, eindiffundiert, um die Anodenzone
zu bilden und einen Dotierungsstoff vom p-Typ, wie Bor, in die andere Seite des Substrats eindiffundiert, um die Quadrantenzonen
und die Schutzringzone zu bilden.
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Claims (10)
1.)/ Photodiode mit einem Substrat, das aus einem Halbleiter-
material hohen spezifischen Widerstandes eines vorgegebenen Leitungstyps besteht und zwei entgegengesetzte , im wesentlichen
ebene Seiten hat, einer an die eine Seite angrenzenden an sich im wesentlichen ganz über diese Seite erstreckenden Zone aus
einem Halbleitermaterial des vorgegebenen Leitungstyps, un d zwei auf der anderen Seite des Substrats angeordneten Zonen des entgegengesetzten
Leitungstyps, die nahe benachbarte , durch einen schmalen Zwischenraum getrennte Ränder haben, dadurch
gekennzeichnet , daß die an die Zone (16) des
vorgegebenen Leitungstyps angrenzende Seite des Substrats (12) mindestens eine V-förmige Nut (I1O, aufweist, die dem Zwischenraum
zwischen den Rändern der beiden Zonen (18; 18a, 18b) entgegengesetzten
Leitungstyps direkt entgegengesetzt ist und längs dieses Zwischenraumes verläuft.
2.) Photodiode nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet , daß sich die Zone (16) des vorgegebenen Leitungstyps
sowohl über die ebene Fläche der Seite des Substrats
j (12) als auch Über die Oberfläche der Nut (14) erstreckt.
3.) Photodiode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die beiden Zonen (18) entgegengesetzten
Leitungstyps mit einer Schicht (22,22') aus einem lichtreflektierenden
Material überzogen sind.
4.) Photodiode nach Anspruch 1, 2 oder 3»dadurch g e !
kennzeichnet, daß die Zone des vorgegebenen Leitungs-
: typs p-leitend und die beiden Zonen des entgegengesetzten Leitungstyps
η-leitend sind.
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5.)Photodiode nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet
, daß die Zone des vorgegebenen Leitungstyps η-leitend ist und daß die beiden Zonen entgegengesetzten
Leitungstyps p-leitend sind.
6.) Photodiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an der anderen
Seite des Substrats vier Zonen aus Halbleitermaterial des entgegengesetzten Leitungstyps angeordnet sind, die jeweils zwei
durch einen engen Zwischenraum getrennte benachbarte Ränder aufweisen und daß die eine Seite des Substrats eine Anzahl von
V-förmigen Nuten aufweist, die den Zwischenräumen zwischen den Rändern der vier Zonen direkt entgegengesetzt sind, und längs diesen
verlaufen.
7.) Photodiode nach Anspruch 6,dadurch gekennzeichnet
, daß die Zwischenräume zwischen den Rändern der vier Zonen (18) von einem gemeinsamen Punkt auf der anderen Seite
des Substrats ausgehen.
8.) Photodiode nach Anspruch 7, d a du r c h gekennzeichnet
, daß die eine Seite des Substrats zwei sich unter einem rechten Winkel kreuzende , im Querschnitt V-förmige Nuten
(11) aufweist.
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US3887810A (en) * | 1973-01-02 | 1975-06-03 | Texas Instruments Inc | Photon-multiplier imaging system |
NL8003906A (nl) * | 1980-07-07 | 1982-02-01 | Philips Nv | Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting. |
GB2115980B (en) * | 1982-01-22 | 1985-09-25 | Sanyo Electric Co | Color sensor |
US4536650A (en) * | 1983-01-26 | 1985-08-20 | Ing. C. Olivetti & C., S.P.A. | Optical transducer with a transparent shutter disk |
US4745451A (en) * | 1983-07-01 | 1988-05-17 | Rca Corporation | Photodetector array and a method of making same |
DE3429812C1 (de) * | 1984-08-14 | 1986-04-10 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn | Monolithischer Bildaufnehmer |
GB2178529B (en) * | 1985-06-28 | 1989-12-28 | Canon Kk | Optical encoder |
US4654678A (en) * | 1985-08-30 | 1987-03-31 | Rca, Inc. | Avalanche photodiode |
US5798532A (en) * | 1997-06-09 | 1998-08-25 | Integrated Device Technology, Inc. | Apparatus for determining warp in semiconductor wafer cassettes |
US20070080285A1 (en) * | 2005-09-08 | 2007-04-12 | Rafael-Armament Development Authority Ltd. | Arrangement for increasing the fill factor in a four-quadrant-type detector |
EP2012170B1 (de) * | 2007-07-06 | 2017-02-15 | Harman Becker Automotive Systems GmbH | Kopfverfolgungssystem und Betriebsverfahren dafür |
US7723206B2 (en) * | 2007-12-05 | 2010-05-25 | Fujifilm Corporation | Photodiode |
US8598673B2 (en) * | 2010-08-23 | 2013-12-03 | Discovery Semiconductors, Inc. | Low-noise large-area photoreceivers with low capacitance photodiodes |
US11598609B1 (en) * | 2014-03-19 | 2023-03-07 | Applied Science Innovations, Inc. | Wide-angle seeker |
CN112054075B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-01-06 | 重庆鹰谷光电股份有限公司 | 一种超高精度的硅象限光电探测器 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2716203A (en) * | 1947-06-23 | 1955-08-23 | William J Sen | Electronic image storage tube and system |
FR1063317A (fr) * | 1952-07-31 | 1954-05-03 | Perfectionnements aux cellules photo-électriques et aux ?llages utilisant lesdites cellules | |
US2986591A (en) * | 1955-10-17 | 1961-05-30 | Ibm | Photovoltaic cell |
US3210548A (en) * | 1962-11-15 | 1965-10-05 | Honeywell Inc | Semiconductor light position indicators and scanners |
US3293440A (en) * | 1963-11-21 | 1966-12-20 | Litton Systems Inc | Grain boundary photo-orienter with integral shields |
US3514648A (en) * | 1966-09-12 | 1970-05-26 | Victor Company Of Japan | Outer rotor type motor |
US3535525A (en) * | 1967-01-31 | 1970-10-20 | Perkin Elmer Corp | Apparatus for sensing the centroid of an impinging laser light beam |
US3539883A (en) * | 1967-03-15 | 1970-11-10 | Ion Physics Corp | Antireflection coatings for semiconductor devices |
US3496363A (en) * | 1967-05-16 | 1970-02-17 | Electro Mechanical Research In | Electronic device for searching for and tracking a radiant object having a selectively controllable imaging system |
US3444381A (en) * | 1967-05-22 | 1969-05-13 | Hughes Aircraft Co | Silicon photodiode having folded electrode to increase light path length in body of diode |
US3593067A (en) * | 1967-08-07 | 1971-07-13 | Honeywell Inc | Semiconductor radiation sensor |
US3523208A (en) * | 1968-05-27 | 1970-08-04 | Bell Telephone Labor Inc | Image converter |
-
1969
- 1969-09-26 CA CA879979A patent/CA879979A/en not_active Expired
-
1970
- 1970-04-13 US US00027618A patent/US3714491A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPS5023793B1 (de) | 1975-08-11 |
GB1265926A (de) | 1972-03-08 |
US3714491A (en) | 1973-01-30 |
CA879979A (en) | 1971-08-31 |
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