DE3889477T2 - Strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung. - Google Patents

Strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung.

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Description

  • Die Erfindung betrifft eine strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper in der Form einer Scheibe mit einem dickeren Randabschnitt und einem dünneren mittleren Abschnitt, versehen mit einer praktisch ebenen ersten Fläche und einer gegenüberliegenden, nahezu parallel zu der ersten Fläche verlaufenden zweiten Fläche, wobei diese Anordnung ein an die erste Fläche grenzendes hochohmiges erstes Gebiet eines ersten Leitungstyps, ein an die erste Fläche grenzendes zweites Gebiet des zweiten entgegengesetzten Leitungstyps, das mit dem ersten Gebiet eine einen strahlungsempfindlichen pn-Übergang umfassende Photodiode bildet und innerhalb des Halbleiterkörpers vollständig von dem ersten Gebiet umgeben ist, sowie eine an die zweite Fläche und das erste Gebiet grenzende, hochdotierte Kontaktschicht des ersten Leitungstyps umfaßt, wobei eine Metallschicht auf wenigstens einem Teil der zweiten Fläche vorhanden ist und die Metallschicht und das zweite Gebiet mit Anschlußleitern versehen sind, wobei der mittlere Abschnitt des Halbleiterkörpers so dünn ist, daß er bis zur Kontaktschicht verarmt ist, wenn eine Spannung von weniger als 10 V in Sperrichtung an dem genannten pn-Übergang liegt, und wobei die Metallschicht für die zu detektierende Strahlung reflektierend ist.
  • Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung.
  • Eine Halbleiteranordnung der beschriebenen Art ist aus der unter der Nummer 2284989 veröffentlichten französischen Patentanmeldung bekannt.
  • Halbleiteranordnungen mit Photodioden sind bekannt und werden in strahlungsempfindlichen Schaltungsanordnungen und Einrichtungen verschiedener Art verwendet, beispielsweise für die optische Kommunikation, optische-u Aufzeichnen und Auslesen von Information und für verschiedene Computeranwendungen. In den meisten Fällen ist es sehr wichtig, daß die Photodiode schnell ist, d. h. sehr hochfrequenten Änderungen der Strahlungsstärke (> 500 MHz) folgen kann.
  • Eine andere wichtige Tatsache ist, daß es in vielen Fällen wünschenswert und sogar notwendig ist, daß die Photodiode bei niedrigen Spannungen von beispielsweise weniger als 5 V arbeiten kann.
  • Um eine schnelle Photodiode zu erhalten, sollte die Diodenkapazität niedrig sein, was dadurch erreicht werden kann, daß die Diode auf Halbleitermaterial mit sehr hohem spezifischen Widerstand gebildet wird. Es hat sich jedoch gezeigt, daß in den meisten Fällen auch eine langsame Komponente auftritt, die auf Diffusion erzeugter Ladungsträger aus dem Substrat heraus zurückzuführen ist. Insbesondere bei hochohmigem Material, in dem die Lebensdauer von Minoritätsträgern im allgemeinen lang ist, kann diese Diffusion aus in relativ sehr tief gelegenen Teilen erfolgen. In der Halbleiteranordnung nach der vorstehend erwähnten französischen Patentanmeldung 2284989 ist der mittlere Abschnitt dünn geätzt, so daß dieser Abschnitt bereits bei niedriger Spannung an der Photodiode vollständig verarmt ist. Somit wird eine bei niedriger Spannung arbeitende Photodiode erhalten, bei der in dem dünnen, mittleren Abschnitt nur die an die zweite Fläche grenzende, dünne Kontaktschicht zu der vorstehend erwähnten langsamen Signalkomponente beitragen kann. Parasitäre Ladungsträger können jedoch auch aus dem dickeren, nicht verarmten Randabschnitt der Scheibe in die Umgebung der Photodiode diffundieren und so trotzdem eine nicht unbedeutende langsame Komponente bewirken.
  • Der Erfindung liegt unter anderem die Aufgabe zugrunde, eine strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung mit einer schnellen Photodiode hoher Empfindlichkeit zu verschaffen, die bei niedriger Spannung arbeitet und mechanisch robust ist.
  • Erfindungsgemäß ist eine strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung der eingangs erwähnten Art dadurch gekennzeichnet, daß eine Abschirmdiode vorhanden ist, die an die erste Fläche grenzt, das zweite Gebiet innerhalb des mittleren Abschnitts vollständig umgibt, sich in den dickeren Randabschnitt erstreckt und innerhalb des Halbleiterkörpers vollständig von dem ersten Gebiet umgeben ist, wobei diese Abschirmdiode mit dem ersten Gebiet einen gleichrichtenden Übergang bildet und sie mit einem Anschlußleiter versehen ist, um an die Abschirmdiode eine solche Spannung in Sperrichtung zu legen, daß die so gebildete Verarmungszone sich in den mittleren Abschnitt mindestens bis zur Kontaktschicht erstreckt.
  • Infolge der Tatsache, daß die von der Abschirmdiode ausgehende Verarmungszone den Rand des mittleren Abschnitts der Halbleiterscheibe bis zur hochdotierten Kontaktschicht vollständig verarmt, ist dieser mittlere Abschnitt praktisch vom Randabschnitt elektrisch isoliert. Demzufolge werden die in dem mittleren Abschnitt durch nicht auf die Photodiode treffende Strahlung erzeugten Ladungsträger und auch diejenigen Ladungsträger, die in dem hochohmigen Randabschnitt der Scheibe (optisch oder thermisch) erzeugt worden sind und zur Photodiode diffundieren, über die Abschirmdiode abgeführt, außer einem sehr Meinen Teil, der über die Kontaktschicht diffundieren kann. Die genannte langsame Signalkomponente wird dann also praktisch beseitigt. Wegen des verwendeten, hochohmigen Materials ist die Kapazität der Photodiode klein, was zu einer größeren Geschwindigkeit führt. Außerdem wird die Verarmung des mittleren Abschnitts bei sehr niedriger Spannung erhalten (bei Verwendung von n-Silicium von 1000 Ω·cm und einer Dicke von 10 um für den mittleren Abschnitt bei beispielsweise 2 V). Die Metallschicht auf der zweiten Fläche sorgt für eine hohe Empfindlichkeit durch Reflexion der einfallenden Strahlung.
  • Die Abschirmdiode kann eine Metallschicht umfassen, die mit dem ersten Gebiet einen gleichrichtenden Übergang bildet. Nach einer bevorzugten Ausführungsform bildet die Abschirmdiode mit dem ersten Gebiet einen pn-Übergang, der vorteilhafterweise gleichzeitig mit dem strahlungsempfindlichen pn-Übergang der Photodiode gebildet werden kann.
  • Vorzugsweise bedeckt die Abschirmdiode nahezu den gesamten Randabschnitt und den größeren Teil des mittleren Abschnitts des Halbleiterkörpers. Außerdem ist der Abstand zwischen dem strahlungsempfindlichen pn-Übergang und der Abschirmdiode vorzugsweise so klein, daß die zu der Abschirmdiode und der Photodiode gehörenden Verarmungszonen einander im Betriebszustand unter dem Einfluß der dann vorherrschenden Betriebsspannungen berühren oder sogar überlappen. Unter diesen Bedingungen wird einer Diffusion parasitärer Ladungsträger so effektiv wie möglich entgegengewirkt.
  • Die Strahlung kann auf die erste oder die zweite Fläche einfallen. Im letzteren Fall wird die reflektierende Metallschicht mit einer als Fenster für einfallende Strahlung dienenden Öffnung versehen.
  • Der Halbleiterkörper kann aus einem Halbleiterelement bestehen, wie Silicium oder Germanium oder einer Halbleiterverbindung, beispielsweise einer III-V- Verbindung wie Galliumarsenid. Der Halbleiterkörper besteht jedoch vorzugsweise aus Silicium, und das erste Gebiet hat eine Dotierungskonzentration von mindestens 10¹¹ und höchstens 10¹³ Atome pro cm³. Vorzugsweise besteht das erste Gebiet aus n-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von mindestens 1000 Ω·cm.
  • Die Dicke des mittleren Abschnitts beträgt höchstens 20 um, um die Betriebsspannung niedrig zu halten. Vorzugsweise ist die Dicke des mittleren Abschnitts nicht größer als etwa 10 um.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • Fig. 1 schematisch als Querschnitt eine erfindungsgemäße Halbleiteranordnung entlang der Linie I-I von Fig. 2,
  • Fig. 2 schematisch als Draufsicht die Halbleiteranordnung von Fig. 1 und
  • Fig. 3 schematisch als Querschnitt eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung.
  • Die Zeichnung ist rein schematisch und nicht maßstabsgetreu. Halbleiterbereiche des gleichen Leitungstyps sind in der gleichen Richtung schraffiert. In der Draufsicht von Fig. 2 ist die Metallisierung durch Schraffur angegeben.
  • Fig. 1 zeigt schematisch als Querschnitt und
  • Fig. 2 schematisch als Draufsicht eine strahlungsempfindliche erfindungsgemäße Halbleiteranordnung. Die Anordnung umfaßt einen Halbleiterkörper 1 aus Silicium in Form einer Scheibe mit einem dickeren Randabschnitt 1A und einem dünneren mittleren Abschnitt 1B. Die Scheibe hat eine praktisch ebene erste Fläche 2 und eine gegenüberliegende zweite Fläche 3, die nahezu parallel zu der ersten Fläche 2 verläuft. In der Draufsicht von Fig. 2 wird die Grenze zwischen den Teilen 1A und 1B durch eine gestrichelte Linie 15 angedeutet.
  • Die Anordnung umfaßt ein hochohmiges erstes Gebiet 4 eines ersten Leitungstyps, in diesem Ausführungsbeispiel ein an die erste Fläche 2 grenzendes nleitendes Gebiet mit einem spezifischen Widerstand von 1000 Ω·cm. Außerdem umfaßt die Anordnung ein innerhalb des mittleren Abschnitts 1B liegendes und an die erste Fläche 2 grenzendes zweites Gebiet 5 des zweiten, entgegengesetzten Leitungstyps, in diesem Ausführungsbeispiel also des p-Leitungstyps. Das Gebiet 5 bildet mit dem ersten Gebiet 4 eine einen strahlungsempfindlichen pn-Übergang enthaltende Photodiode; das Gebiet 5 ist innerhalb des Halbleiterkörpers vollständig von dem ersten Gebiet 4 umgeben. Die Anordnung umfaßt außerdem eine an die zweite Fläche 3 und das erste Gebiet 4 grenzende hochdotierte Kontaktschicht 7 des ersten, hier also n-Leitungstyps. Eine Metallschicht 8 ist mindestens auf einem Teil der zweiten Fläche 3, hier der gesamten Fläche, vorhanden. Die Metallschicht 8 und das zweite Gebiet 5 sind mit Anschlußleitern 9 und 10 versehen. Der mittlere Abschnitt 1B des Halbleiterkörpers ist so dünn, daß er mindestens bis zur Kontaktschicht 7 hin verarmt ist, wenn eine Sperrspannung V&sub1; von weniger als 10 V an dem pn-Übergang 6 anliegt. Das Signal wird an einer Impedanz R gemessen.
  • Eine strahlungsempfindliche Anordnung, wie sie bisher beschrieben wurde, ist aus der oben erwähnten, unter der Nummer 2284989 veröffentlichten französischen Patentanmeldung bekannt.
  • Erfindungsgemäß ist die Metallschicht 8 für die zu detektierende Strahlung reflektierend und die Anordnung mit einer Abschirmdiode 11 versehen, die an die erste Fläche 2 grenzt, das zweite Gebiet 5 innerhalb des mittleren Abschnitts 1B vollständig umgibt, sich in den dickeren Randabschnitt 1A erstreckt und innerhalb des Halbleiterkörpers vollständig von dem ersten Gebiet 4 umgeben ist. In diesem Ausführungsbeispiel wird die Abschirmdiode von einer p-leitenden Zone 11 gebildet, die mit dem ersten Gebiet 4 einen pn-Übergang 12 bildet. Die Abschirmdiode bedeckt nahezu die gesamte Fläche des Randabschnitts 1A der Scheibe. Die Abschirmdiode 11 ist weiterhin mit einem Anschlußleiter 13 versehen, um an die Abschirmdiode eine solche Spannung V&sub2; in Sperrichtung zu legen, daß die so gebildete Verarmungszone sich in den mittleren Abschnitt IB mindestens bis zur Kontaktschicht 7 erstreckt.
  • Bei der Halbleiteranordnung nach diesem Ausführungsbeispiel fällt die Strahlung auf die Fläche 2 in Richtung der Pfeile 14 ein.
  • Im Betriebszustand ist die Situation wie in Fig. 1 angegeben. Die Verarmungszonen der Abschirmdiode 11 und der Photodiode 5 werden durch den von einer gestrichelten Linie 16 begrenzten, nicht schraffierten Teil des Gebiets 4 angegeben. Die Verarmungszone isoliert den mittleren Abschnitt 1B elektrisch von dem nicht verarmten Teil des dickeren Randabschnitts 1A, von dem aus Ladungsträger nur über die dünne Kontaktschicht 7 zum mittleren Abschnitt 1B diffundieren können. Daher wird die vorstehend genannte langsame Signalkomponente in der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung praktisch vermieden, umso mehr, als die Diffusionslänge von Ladungsträgern in der sehr hoch dotierten Kontaktschicht 7 (> 10²&sup0; cm&supmin;³) Mein ist.
  • Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist, daß außerhalb des mittleren Abschnitts einfallende Strahlung den Betrieb der Diode nicht beeinflußt; Streulicht und anderes unerwünschtes Licht erzeugen nur einen Strom in der V&sub2; enthaltenden Schaltung. Detektion dieses Stroms über eine Impedanz R' kann beispielsweise verwendet werden, um eine Faser, aus der das Licht 14 austritt, zum mittleren Abschnitt hin auszurichten. Das über die mittlere Diode an der Impedanz R gemessene Signal ist dann maximal und gleichzeitig ist das an R' gemessene Signal minimal. Im allgemeinen ist R' daher eine vorübergehend vorhandene Impedanz zur Justierung der Anordnung.
  • In diesem Ausführungsbeispiel besteht das erste Gebiet 4 aus n-Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 1000 Ω·cm, d. h. einer Dotierungskonzentration von ungefahr 4,6.·10¹² Atome pro cm³. Der Randabschnitt 1A hat eine Dicke von 385 um; der mittlere Abschnitt 1B hat eine Dicke von 10 um. Das die Photodiode bildende zweite Gebiet 5 hat eine Dicke von 0,2 um, und in dieser Ausführungsform einen 0,8 um dicken Rand im Bereich des ringförmigen Kontakts 10. Die die Abschirmdiode bildende Zone 11 hat eine Dicke von 0,8 um. Zur besseren Definition des Potentialverlaufs am äußeren Rand des Gebiets 12 ist entlang dieses Randes eine n&spplus;-leitende Zone angebracht. Die n-Kontaktschicht 7 hat eine Dicke von ungefähr 1 um.
  • Unter diesen Bedingungen ist der mittlere Abschnitt 1B bei Spannungen von mindestens 2 V an sowohl der Photodiode als auch der Abschirmdiode vollständig verarmt.
  • Die Halbleiteranordnung der beschriebenen Ausführungsform kann in folgender Weise hergestellt werden. Das Ausgangsmaterial ist eine (100)-orientierte n- Siliciumscheibe mit einem spezifischen Widerstand von 1000 Ω · cm und eine Dicke von ungefähr 400 um. Diese Scheibe wird wärmeoxidiert, und dann werden in das Oxid 18 mit Hilfe bekannter photolithographischer Technik an einer Fläche zwischen den einzelnen auf der Siliciumscheibe zu bildenden Anordnungen Gräben geätzt. Die Dicke des Oxids 18 wird so gewählt, daß bei jeder weiteren anzubringenden Siliciumnitrid- Schicht oder einer anderen Beschichtung mindestens beim mittleren Abschnitt der Anordnung die Durchlässigkeit für das verwendete Licht optimal ist. Zur Bildung der genannten Zonen 17 ist in diesen Gräben eine starke Phosphordiffusion vorhanden. Dies ist jedoch nicht notwendig.
  • Anschließend werden in der gleichen Fläche die Gebiete 5 und 11 in bekannter Weise durch Ionenimplantation gebildet. Falls erwünscht, können diese Gebiete in einem einzigen Schritt gebildet werden, aber im Zusammenhang mit der geringeren Tiefe des aktiven Teils der Photodiode werden bei diesem Ausführungsbeispiel zwei Implantationsschritte verwendet. Der Durchmesser der Photodiode beträgt in diesem Fall 100 um; der Abstand zwischen den Zonen 5 und 11 beträgt 10 um. Nach Implantation und einem Diffusionsschritt wird eine Siliciumnitrid-Schicht mit einer Dicke von 1 um auf der Siliciumscheibe als Maske abgeschieden. Anschließend wird ein quadratisches Gebiet von 800·800 um² an der Rückseite der Scheibe freigelegt und das Silicium etwa 10 Stunden lang in einer Lösung aus KOH und Propanol in Wasser selektiv geätzt, um die gewünschte Dicke des mittleren Abschnitts 1B zu erhalten. Der mittlere Abschnitt wird dabei von (111)-Flächen unter einem Winkel von etwa 57º begrenzt.
  • Anschließend wird das Siliciumnitrid entfernt und die Siliciumscheibe wird einer Phosphordiffusion ausgesetzt, wobei dann die Kontaktschicht 7 gebildet wird. Diese Phosphorabscheidung dient gleichzeitig als Getterschritt.
  • Dann werden die benötigten Kontaktfenster geätzt und wird die Metallisierung in üblicher Weise angebracht. Hierzu wird bei diesem Ausführungsbeispiel eine Aluminiumsilicium-Schicht mit ungefähr 1% Silicium verwendet. Das Ganze wird dann in einem geeigneten Gehäuse untergebracht.
  • In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Abschirmdiode von einer p-Zone 11 gebildet. Statt dessen könnte auch eine Schottky-Diode verwendet werden, die aus einem geeigneten Metall gebildet werden kann, das mit dem schwach nleitenden Gebiet 4 einen gleichrichtenden Übergang bildet.
  • Statt auf die Fläche 2, wo sich die Photodiode befindet, kann die Strahlung 14 auch auf die gegenüberliegende Fläche 3 einfallen. Die darauf aufgebrachte Metallschicht 8 muß dann eine als Eintrittsfenster dienende Öffnung haben, und falls gewünscht kann eine Anti-Reflexionsbeschichtung aus beispielsweise Siliciummonoxid darin vorgesehen sein (hier nicht abgebildet). Man erhält dann den in Fig. 3 dargestellten Fall, wobei in der n-Kontaktschicht ebenfalls am Ort dieses Fensters eine Öffnung vorgesehen sein kann, um unnötige Rekombination zu vermeiden. Die andere Fläche 2 wird dann über einen möglichst großen Teil mit reflektierendem Metall (10, 13) bedeckt, damit eine maximale Anzahl Photonen in Ladungsträger umgewandelt werden können. Falls von beiden Seiten einfallende Strahlung detektiert werden soll, kann ein Eintrittsfenster sowohl in der Metallschicht 8 als auch in der Metallschicht 10 vorgesehen sein.
  • Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen. Beispielsweise können die Abmessungen der verschiedenen Halbleiterzonen und -gebiete innerhalb breiter Grenzen verändert werden, vorausgesetzt, daß die Verarmungszone der Abschirmdiode sich sowohl über den dünneren mittleren Abschnitt als auch den dickeren Randabschnitt erstreckt. Andere Halbleitermaterialien und andere reflektierende Metalle können auch verwendet werden, während auch die Dicke der verschiedenen Gebiete und Schichten unterschiedlich gewählt werden kann.

Claims (9)

1. Strahlungsempfindliche Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper (1) in der Form einer Scheibe mit einem dickeren Randabschnitt (1A) und einem dünneren mittleren Abschnitt (1B), versehen mit einer praktisch ebenen ersten Fläche (2) und einer gegenüberliegenden, nahezu parallel zu der ersten Fläche (2) verlaufenden zweiten Fläche (3), wobei diese Anordnung ein an die erste Fläche (2) grenzendes hochohmiges erstes Gebiet (4) eines ersten Leitungstyps, ein an die erste Fläche (2) grenzendes zweites Gebiet (5) des zweiten entgegengesetzten Leitungstyps, das mit dem ersten Gebiet (4) eine einen strahlungsempfindlichen pn-Übergang (6) umfassende Photodiode bildet und innerhalb des Halbleiterkörpers (1) vollständig von dem ersten Gebiet (4) umgeben ist, sowie eine an die zweite Fläche (3) und das erste Gebiet (4) grenzende, hochdotierte Kontaktschicht (7) des ersten Leitungstyps umfaßt, wobei eine Metallschicht (8) auf wenigstens einem Teil der zweiten Fläche (3) vorhanden ist und die Metallschicht (8) und das zweite Gebiet (5) mit Anschlußleitern (9, 10) versehen sind, wobei der mittlere Abschnitt (1B) des Halbleiterkörpers (1) so dünn ist, daß er bis zur Kontaktschicht (7) verarmt ist, wenn eine Spannung von weniger als 10 V in Sperrichtung an dem genannten pn-Übergang liegt, und wobei die Metallschicht (8) für die zu detektierende Strahlung reflektierend ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abschirmdiode (11) vorhanden ist, die an die erste Fläche (2) grenzt, das zweite Gebiet (5) innerhalb des mittleren Abschnitts (1B) vollständig umgibt, sich in den dickeren Randabschnitt (1A) erstreckt und innerhalb des Halbleiterkörpers (1) vollständig von dem ersten Gebiet (4) umgeben ist, wobei diese Abschirmdiode (11) mit dem ersten Gebiet (4) einen gleichrichtenden Übergang (12) bildet und sie mit einem Anschlußleiter (13) versehen ist, um an die Abschirmdiode (11) eine solche Spannung in Sperrichtung zu legen, daß die so gebildete Verarmungszone (16) sich in den mittleren Abschnitt (1B) mindestens bis zur Kontaktschicht (7) erstreckt.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmdiode (11) nahezu den gesamten Randabschnitt (1A) und den größeren Teil des mittleren Abschnitts (1B) bedeckt.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen dem strahlungsempfindlichen pn-Übergang (6) und der Abschirmdiode (11) so klein ist, daß die zugehörigen Verarmungszonen (16) einander im Betriebszustand berühren.
4. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmdiode (11) mit dem ersten Gebiet (4) einen pn-Übergang (12) bildet.
5. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (8) gegenüber dem strahlungsempfindlichen pn- Übergang (6) mit einer als Fenster für einfallende Strahlung (14) dienenden Öffnung versehen ist und die Anschlußleiter (10) des zweiten Gebiets (5) und der Anschlußleiter (13) der Abschirmdiode (11) Metallschichten (10, 13) umfassen, die für einfallende Strahlung reflektierend sind und einen größeren Teil der ersten Fläche (2) bedecken.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Gebiet (4) aus Silicium besteht und eine Dotierungskonzentration von mindestens 1011 und höchstens 1013 Atome pro cm³ hat.
7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Gebiet (4) n-leitend ist und einen spezifischen Widerstand von mindestens 1000 Ω·cm hat.
8. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des mittleren Abschnitts (1B) höchstens 20 um beträgt.
9. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des mittleren Abschnitts (1B) höchstens 10 um beträgt.
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