DE2000667A1 - Verfahren zur photographischen Herstellung von Mustern auf einer Unterlage - Google Patents

Description

Verfahren zur photographischen Herstellung von Mustern auf einer Unterlage

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur photographischen Herstellung von Mustern auf einer Unterlage. Insbesondere betrifft sie ein Verfahren zur Herstellung von Masken, die bei der Belichtung von photosensiblen polymeren überzügen oder Photolackschichten bei der Herstellung von'mikroelektronischen Halbleitereinrichtungen, wie integrierten Schaltungen, gedruckten Schaltungen und dergleichen, verwendet werden können.

Die vorliegende Erfindung stellt eine Verbesserung der Verfahron der Art, wie sie in der deutschen PatenfcanrnelJung P 17 72 680.6 beschrieben sind, dar. Wie in dieser Patentanmeldung erörtert ist, sind sowohl die Erfordernisse bezüglich der 3ildauflösungstoleranz als auch das Erfordernis der Ver^ meidung von Fehlern in den transparenten Bereichen der Masken,

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die bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen verwendet werden, sehr kritisch. Das in dieser Patentanmeldung beschriebene Verfahren stellt einen eindeutigen Portschritt gegenüber den früheren üblichen photographischen Verfahren zur Herstellung von Masken dar. Dieses Verfahren führt zu einer Maske mit hohem Auflösungsvermögen, in der die Gelatine aus den transparenten dereichen der Maske entfernt wurde« wodurch das Problem von Gelatinefehlern in dsn transparenten Bereichen ausgeschaltet wird, während eine Maskenauflösung der hohen Qualität aufrechterhalten wird, die erforderlich ist, um die strikten Bedingungen bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen zu erfüllen.

Bsi diesen Verfahren wird ein entwickeltes Silberbild in einem Gelatineüberzug auf einer Glasplatte gebildet. Der überzug wird dann auf eine Temperatur von zumindest 25O°C erhitzt. Eine Flüssigkeit, die Gelatine entfernt, wie beispielsweise ein Hypohalogenit-Bleichmittel, wird dann verwendet, um selek tiv die Nichtbildbereiche oder transparenten Bereiche des GelatineUberzugs zu entfernen. Die Erhitzungsstufe macht die Bildbereiche der Gelatineschicht gegen die Wirkung der gelatineentfernenden Flüssigkeit widerstandsfähiger als die Nichtbildbereiche.

Öle Verwendung einer gelatineentfernenden Flüssigkeit, die auf einem selektiven chemischen Angriff oder einem selektiven Ätzen beruht, führt zu einer gewissen Entfernung des widerstandsfähigeren Materials, das nicht durch chemischen Angriff oder Atzen entfernt werden soll. Wenn zuviel des widerstandsfähigeren Materials entfernt wird, besteht die Möglichkeit, dass eine anderweitig brauchbare Maske die Erfordernisse bezüglich der Abmessungen zur Herstellung von Mikrominiaturhalblelterelnrichtungen infolge dieser Änderung in den Bild abmessungen, die gegen Ende des Maskenherstellungeverfährens

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entsteht» nicht mehr erfüllt. Durch sorgfältigen Gebrauch der gelatineentfernenden Flüssigkeit kann verhindert werden* dass die Masken durch einen überm&ssigen Angriff der das Bild enthaltenden Gelatine unbrauchbar werden, Es bleibt Jedoch die Möglichkeit, ein noch genaueres Bild bei einem Verfahren dieser Art zu erhalten, wenn die Notwendigkeit der Verwendung einer gelatineentfernenden Flüssigkeit nach der Erhitzungsstufe ausgeschaltet werden kann.

Ein Ziel der vorliegenden Erfindung 1st daher die Herstellung präziserer Bilder in Verfahren zur Erzeugung von Mustern auf einer Unterlage, bei denen eine bildenthaltende Gelatineschicht zur Härtung des 3ilds erhitzt wird,

Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens, bei welchem kein chemischer Angriff oder Ktzen erforderlich ist, wenn einmal ein gewünschtes Bild gebildet ist, um selektiv die Nichtbildbereiche einer Gelatineschicht auf einer Unterlage zu entfernen, während die Bild« be reiche der Gelatine auf der Unterlage intakt bleiben

Ferner ist es Ziel der Erfindung, die Notwendigkeit einer weiteren chemischen Behandlung zur Entfernung der Nichtbildbereiche der Oelatineschicht nach dem Erhitzen der Schicht bei Verfahren zur Herstellung photographischer Masken auszuschalten, in denen die das Bild enthaltende Gelatine zur Härtung des Bilds erhitzt wird,

Diese und andere Ziele können durch Anwendung der erfindungsgemässen chemischen Umkehr und des erfindungsgemässen Erhitzungsverfahrens zur Herstellung you photographischen Mustarn auf einer Unterlage erreicht werden. Dieses Verfahren beginnt mit der Stufe der Bildung eines entwickelten Silberbilds in einer Gelatinesohicht auf einer Unterlage. Ein sil-

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berentfernendee Reagens wird dann auf die Sohicht angewendet, um das Bild aus den belichteten Bereichen der Sohicht zu entfernen. Durch ein solches'Reagens wir-ä aas Silberhalogenid nicht entfernt, das aus den unbeliohvGita Bereichen des Überzugs ein Bild bilden kann. Ein Bild kann dann in den verbleibenden unbelichteten Bereichen der Oelatineschioht durch Belichtung oder Inkontaktbrlngen mit einem geeigneten Reagens gebildet werden« Diese Stufe kann jedoch auch weggelassen werden. Das Verfahren wird durch Erhitzen der Schicht bei einer Temperatur von zumindest 230⁰C zur Härtung der 3ildbereiche der Schicht und zur Entfernung der bildfreien oder transparenten Bereiche der Schicht von der Unterlage beendet. Wenn die Stufe der Bilderzeugung in den unbelichteten Bereichen der Schicht nicht vorgenommen wird, dunkeln die unbelichteten Bereiche der Schicht durch die Erhitzungsstufe selbst auereichend nach, um ein für die meisten Zwecke geeignetes Bild zu erzeugen. Der Ausdruck "bildenthaltende Bereiche oder Bildbereiche der Schicht" umfasst Bereiche, in denen das Bild bis zu der Erhiczungsstufe nicht sichtbar gemacht 1st.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung photographischer Muster auf einer Unterlage, wie beispielsweise einer photcgraphischen Olasmaeke, bei welchem eine Erhitzungsstufe angewendet wird, u?o die kein Bild enthaltenden Bereiche einer Gelatineecicht auf der Unterlage zu entfernen. Nach Bildung eine« entwickelten Silberbiids in der Oelatineechicht wirö ein eiloerentfernendes Reagens auf die Schicht ange wendet, urc das Bild sue 6en belichteten Erreichen der Schicht zu entfernen. Durch Erhitzen der Schicht nach der Bildentfernung bei einer Temperatur von zumindest 250^eC wird der Rest der Schicht gehärtet und die bilciireien Bereiche der Schicht von der Unterlage entfernt.,

Es soll zwar keine Festlegung auf eine besondere Theorie erfolgen, doch sei bemerkt, dass angenommen wird, dass das sil»

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berentfernende Reagens j das zu dem chemischen Umkehrten des Verfahrene verwendet wird« die Oelatineschicht in einer Weise beeinflusst, dass es möglich ist, die Nichtbildbereiche durch Erhitzen zu entfernen. Es wird angenommen« dass das silberentfernende Reagens die Dicke von sowohl den bildhaltigen Bereichen als auch den bildfreien Bereichen herabsetzt« jedoch die Schichtdicke in den bildfreien Bereichen in einem grösseren Ausmass vermindert. So kann bei dem anschliessenden Erhitzen der Gelatineschicht die vollständige Entfernung der Gelatine in den bildfreien oder transparen· ten Bereichen durchgeführt werden, während die bildhaltige Schicht auf der Unterlage verbleibt. Das Erhitzen bewirkt eine Härtung der bildhaltigen Bereiche der Schicht und macht diese schwerer von der Unterlage entfernbar» Das Ergebnis ist, dass keine gelatineentfernende Flüssigkeit auf die Schicht nach dem Erhitzen zur Entfernung der Gelatine aus den bildfreien Bereichen verwendet werden muss. Im Gegensatz hierzu ist bei dem in der genannten Patentanmeldung beschriebenen Verfahren die Verwendung einer gelatineentfernenden Flüssigkeit erforderlich. Wenn bei dem dort beschriebenen Verfahren die Erhitzungstemperatür erhöht wird, um zu versuchen« die gesamte Gelatine aus den bildfreien Bereichen zu entfernen, so führt dies auch zu einem Wegbrennen der Bildbereiche der Schicht. Öle Verwendung einer chemischen Umkehr oder eines silberentfernenden Reagens in Kombination mit der Erhitzungsstufe ermöglicht, die Gelatineschicht aus den bildfreien Bereichen selektiv zu entfernen, während das Bild in den bildhaltigen Bereichen der Schicht intakt bleibt.

Das erflndungsgemässe Verfahren eignet sich besonders gut zur Herstellung von Glasmasken, die bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen verwendet werden. Die Leichtigkeit der Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens und die

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erhaltene sehr hohe Auflösung der gebildeten Muster macht dp Verfahren jedoch auch zur Herstellung von Jeglichen photogreT}>iischen Mustern auf praktisch Jeder Unterlage geeignet, die den fUr die Erhitzung erforderlichen hohen Temperaturen widerstehen kann. Durch iie Ausschaltung des Erfordernisses, Reagentien zu verwenden, die die Oelatineechicht nach dem Erhitzen chemisch angreifen ede? ätzen, ist es durch das Verfahren möglich, eine erhebliche Verbesserung bezüglich der Genauigkeit der gebildeten Mustek- zu erzielen. Das Verfahren gewährIelistet, dass das durch das anfängliche Belichten und Entwickeln gebildete Bild keine Dimensionsänderungen infolge des späteren chemischen Angriffs oder des Ätzens erfährt.

Die Erfindung soll im folgenden anhand bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung näher erläutert werden.

Es zeigen:

Fig. 1-4 Querschnittsansichten eines Teils einer Olaamaske während der erfindungsgemässen Herstellung und

Fig, 5-7 weitere HerstellungS3tufen, die zur Herstellung einer anderen Art von Masks erfindungsgemäss angewendet werden können.

In Fig. 1 wird im Querschnitt eine Gelatineschicht 10 auf einer Glasplatte 12 zum Zeitpunkt der Beendigung der ersten Stufe bei dem Fabrikationsye;;*fahren gezeigt. Die Bereiche 14 der Oelatineschicht 10, die eine lichtempfindliche Silberhalogenidemulsion enthält, wurden belichtet und entwickelt, um das Silberhalogenid in den Bereichen »4 in metallisches Silber überzuführen und so ein dunkles Bild

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zu erzeugen. Die Bereiche 16 der Gelatineschicht wurden nicht belichtet und enthalten noch die Silberhalogenidemulsion. Diese Bereiche der Oelatine erscheinen in der Schicht transparent. Das Silberhalogenid ist zweckmäseigerweise Silberchlorid, -bromid oder -Jodid, wobei Silberbromid bevorzugt 1st.

ig. 2 zeigt die gleiche Emulsionsschicht 10 auf der Glasi-.atte 12 nach Einwirkung eines Reagens zur chemischen Umkehr oder Silberentfernung. Wie dargestellt ist, wurden die belichteten Bereiche 14 der Schicht 10 durch die Entfernung des metallischen Silbers, das in diesen Bereichen in Flg. 1 gezeigt ist, transparent gemacht.· Es ist auch gezeigt, dass durch die Wirkung des silberentfernenden Reagens die Dicke der Schicht 10 in den Bereichen 14 herabgesetzt ist. Das unbelichtete Silberhalogenid in den Bereichen 16 der Schicht wird durch die chemische Umkehr oder das silbjsrentfernsnde Reagens nicht angegriffen, obgleich die Dicke dieser Bereich·; in der Schicht 10 ebenfalls etwas herabgasetst ist« Zu geeigneten Beispielen für solche Reagentien zur chemischen Umkehr oder Silberentfermmg gehören wässrige IJsi!ig?s siner Säure, wie beispielsweise Schwefeisäure oder Citronensäure, und eine8 oxydierenden Mittels, wie beispielsweise Kalium dlchromat oder Wasserstoffperoxid wässrige Lösungen % d?.e Kupiersalz, eine organische Säure und ein Oxydationsmittel enthalten, wie beispielsweise wässrige Lösungen von Cuprichlorid, Citronensäure und Wasserstoffperoxyd, Kupfersulfat, Citronensäure, Kaliumbromid und Wasserstoffperoxyd, Cuprichlorid, Citronensäure, Harnstoff und V/asserstoffperoxyd und dergleichen. Eingehende Informationen bezüglich der Reagentien zur chemischen Umkehr und ihrer Verwendung ktfnnen den "Techniques of Microphotoeraphy", Kodak Publication No, Ρ·=52 (Eastman Kodak Company, Rochester, New York. 1964) und "Kodak Formulas for the Oraphic Arts", Kodak Pamphlet No. Q-11 (Eastman

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Kodak Company, Rochester, New York« 1956) entnommen werden.

Flg. 3 zeigt die Oelatineechicht 10 auf der Olaeplatte 12, nachdem zumindest die Bereiche 16 belichtet und entwickelt wurden. Diese Belichtung und Entwicklung führt das Silberhalogenid in den ursprünglich unbelichteten Bereichen 16 der Schicht 10 In freies Silber über, wodurch ein dunkles Bild der gleichen Art gebildet wird, wie es in den ursprünglich belichteten Bereichen 14 der Schicht 10 zuvor vorhanden war. Das dunkle Bild kann auch durch Behandlung der unbelichteten Bereiche 16 der Schicht 10.mit einem chemischen Reduktionsmittel gebildet werden, das Silberionen zu metallischem Silber zu reduzieren vermag, wie beispieleweise Hydrochinon, Metol, Natriumhydrosulfit, Stannochlorid und dergleichen.

In Fig. 4 ist die fertiggestellte Maske gezeigt, die durch Erhitzen der Schicht 10 auf eine Temperatur über 250°C gebildet ist. Die transparenten Bereiche 14 der Schicht, wie sie in Fig. J5 gezeigt sind, sind vollständig durch das Erhitzen entfernt. Die bildhaltigen Bereiche 16 der Sohicht wurden gehärtet und sind daher schwieriger von der Oberfläche der Olasplatte 12 zu entfernen. Da zur Entfernung der Nichtbildbereiche 14 aus der Maske nur das Erhitzen erforderlich 1st, findet kein Angriff auf die Bildbereiche 16 statt. Für beste Ergebnisse sind Temperaturen über JK)O⁰C bei der Erhitzungsstufe zweckciäaeig, wobei der Temperaturbereich von etwa 375 bis etwa 425*C bevorzugt ist. Höhere Temperaturen ermöglichen eine kürzere Erhitzungszeit. Das Erhitzen kann in einem Ofen mit inerter Atmosphäre,, wie beispielsweise Stickstoff oder in einem Luftumwälzofen vorgenommen werden.

Weitere Stufen können an der in Fig. 4 gezeigten Maske vorgenommen werden, um eine sogenannte zusätzliche Chrommaske zu erzeugen. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, kann eine Schicht aus Chrom mit einer Dicke von etwa 1000 Ä durch Vakuumauf-

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sprühen oder Vakuumaufdampfen auf die in Fig. A gezeigte Maske aufgebracht werden. Die Maske kann dann in eine chromentfernende Flüssigkeit, wie beispielsweise eine wässrige Natriumhypochloritlösung, für eine Zeltspanne eingetaucht werden> die ausreicht, um die Chromschicht 18 nur von den Bildbereichen 16 der Maske zu entfernen» wie es in Fig. 6 gezeigt 1st. Das Chrom besitzt eine viel grössere Adhäsion an der Glasplatte 12 als an der Qelatineschicht 16 in den Bildbereichen. Das Chrom wird daher in viel grösserem Ausmasa von der Gelatine als von dem Glas entfernt. Die Entfernung des Chroms aus den Biidbereiohen 16 kann durch Wiederauftreten der dunklen Bildbereiche 16, wie in Fig. 6 gezeigt, beobachtet werden. Die Maske kann dann in eine wässrige 10 Oew.-^ige Salpetersäurelösung eingetaucht werden, wodurch das Gelatinebild aus den Bildbereichen 16 entfernt wird, um die in Fig. 7 gezeigte Struktur zu ergeben, die eine vollständige Chrommaske mit Chrombereichen 13, die sich auf der Glasplatte 12 befinden, ist.

Die folgenden Seispiele erläutern die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsformen, ohne die Erfindung zu beschränken.

Beispiel,!

Eine handelsübliche Platte mit hohem Auflösungsvermögen (Kodak High Resolution Plate der Eastman Kodak Company, Rochester, New York) mit einer etwa 5 μ dicken Schicht aus einer negativen Gelatinaemulsion von hauptsächlich Silberbromld und einer Spur Silberohlorid mit einer KorngrÖS8e in der Grössenordnung von 0,01 bis 0,1 μ Durchmesser , die auf einer Glasplatte von 6 Mikron Dicke

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aufgebracht ist, wird bildmässig in einem Muster belichtet, da,j zur Herstellung einer Anordnung von mikroelektronischen Halbleiwareinrichtungen verwendet wird. Das Bild wird dann nach dem in "Techniques of Microphotography", Kodak Publication No. P-52 (Eaatman Kodak Company, Rochester, New York, 1964), Seiten 43*47 beschriebenen Verfahren unter Verwendung eines Entwicklers entwickelt, der aus 90 g entwässertem Natriumsulfat, 45 g Hydrochinon, 57,5 g Natriumhydroxyd (kaustische Soda), 30 g Kaliumbromid in 1750 ml Wasser besteht. Die Lösung zur chemischen Umkehr, die aus 9*5 g Kaliumdichromat und 12 ml Schwefelsäure in 1000 ml Wasser besteht, wird dann zur Entfernung des Silberbilds aus den belichteten Bereichen ohne Beeinflussung des nichtbellchteten S Über halogenide verwendet. Die Platte wird dann erneut belichtet und entwickelt, wobei der obige Entwickler verwendet wird, um das Silberhalogenid in den zuvor unbelichteten Bereichen der Platte in metallisches Silber Überzuführen. Nach Beendigung des Verfahrens, wie es in der obigen Kodak-Veröffentlichung beschrieben ist, ist die Platte zum Erhitzen fertig.

Die Platte wird in einem Luftumwälzofen bei 400°C 15 Minuten lang erhitzt. Die mikroskopische Prüfung der Platte zeigt, dass die gesamte Gelatine aus den Nichtbildbereichen entfernt ist und keine Entfernung der Gelatine aus den Bildbereichen stattgefunden hat. Die bildhaltige Gelatine wurde gehärtet und enthält ein Bild hoher Auflösung, das zur Verwendung bei der Herstellung einer Anordnung von mikroelektronischen Halbleitereinrichtungen geeignet ist.

Beispiel 2

Die Arbeitsweise von Beispiel 1 wird mit der Ausnahme wiederholt, dass die Platte nach der Anwendung der Kaliumdlchroraat-

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Schwefelsäure-Lttsung zur chemiechen Umkehr ohne erneute Belichtung und zweite Entwicklung erhitzt wird. Die mikroskopisohe Prüfung der Platte zeigt, dass die gesamte Gelatine aus den Nichtbildbereichen entfernt wurde und die Bereiche der Schicht, die unbellchtetea Silberhalogenid enthalten, intakt sind. Die Bereiche der Schicht, die unbellchtetea Silberhalogenid enthalten, aind gehärtet und haben eine tiefste Farbe unter Erzeugung eines Bildes hoher Auflösung ailt den Halbleitermustern angenommen.

Beispiel 3

Die Arbeitsweise von Beispiel 1 wird wiederholt, wobei jedoch eine Kodalith-Platte Typ III verwendet wird, die eine vorwiegend Silberchloriö enthaltende Emulsion in der Qelatineschicht aufweist. Es wird die gleiche selektive Entfernung der Gelatineschicht aus den Nichtbildbereichen wie in Beispiel 1 beobachtet.

Beispiel 4

Die Arbeitsweise von Beispiel 1 wird wiederholt, wobei jedoch andere Temperaturen und Zeltspannen für die Erhitzungsstufe angewendet werden. Die vollständige Entfernung der Gelatine aus den Nichtbildbereichen und ein scharfes Bild mit hoher Auflösung werden erhalten, wenn die Platten bei 3OO*C während 25 Minuten, bei 35O^eC während 20 Minuten und bei 45O°C während 7 Minuten erhitzt werden. Wenn die Platten bei einer Temperatur unterhalb 25O⁰C erhitzt werden, so tritt eine unvollständige Entfernung der Gelatine aus den Nichtbildbereichen auf.

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Zu Vergleichezwecken wird eine Platte mit hohem Auflösungsvermögen (Kodak High Resolution Plate) gemüse dem Verfahren der oben genannten Patentanmeldung (bei welchem keine Lösung zur chemischen Umkehr verwendet wird) belichtet und ent· wickelt und erhitzt, um die vollständige Entfernung der Oelatinesohlcht aus den Nichtbildbereichen zu bewirken, statt eine gelatineentfernende Flüssigkeit anzuwenden. Sn 1st erforderlich, die Platte bei 400^cC während 25 bis 30 Minuten zu erhitzen, um die vollständige Entfernung der Gelatin· aus den Nlohtbildbereichen zu bewirken. Dies fUhrt gleichzeitig zu einer Entfernung des grössten Teils des Bilds. Bei niedrigeren Temperaturen oder kürzeren Erhitzungszelten bleibt das Bild intakt, doch 1st eine vollständige Entfernung der Gelatine aus den Niohtbildbereichen dann nicht möglich.

Beispiel 5

Eine Schicht aus Chrom mit einer Dicke von etwa 1000 Ä wird auf eine nach der Aroeltsweise von Beispiel 1 hergestellte Platte aufgesprüht. Die Platte wird dann in eine wässrige Natriumhypochloritlösung für eine Zeitspanne eingetaucht, die ausreicht, um das Chrom nur aus den Bildbereichen zu entfernen. Das Chrom zeigt eine viel grössere Adhäsion an der Olasplatte in den Nichtbildbereichen als an der Oelatineschicht In den Bildbereichen. Das Chrom wird daher von der Gelatine mit viel gröseerer Geschwindigkeit als von dem Glas entfernt. Nach vollständiger Entfernung des Chroms aus den Bildbereiohen wird die Platte in eine 10 Oew.-£ige Salpetersäurelösung eingetaucht, um das Oelatineblld aus den Bildbereichen zu ent· fernen, wobei das Chrom an den zuvor bildfreien Bereichen der Maske haften bleibt. Die SalpetersMurelösung wird statt des Natriumhypochlorits zur Entfernung des Oelatinebllds ver-

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wendet, da das Natriumhypochlorit auch das Chrom aus den zuvor bildfreien Bereichen entfernen würde. Die erhaltene Chrommaske- kann bei der Halbleiterherstellung als Maske mit hoher Auflösung verwendet werden.

Glas 1st zwar.das bevorzugte Material fUr die Unterlage, wenn eine photog?aphlach9 Maske hergestellt wird, doch können auch andere transparente Materialien verwendet werden, die Erweichungspunkte über 250⁰C besitzen, wie beispielsweise Kunststoffe, die bei den in der Erhitzungestufe angewendeten Temperaturen nicht angegriffen werden, FUr andere Zwecke können auch nichttransparente Unterlagen verwendet werden.

Bezüglich der Bildung der Chrommaske sei bemerkt« dass auch andere Metalle anstelle des Chroms nach dem gleichen Verfahren abgeschieden werden können. Zw solchen Metallen gehören Nickel, Zinn, Aluminium und Gold. Diese Metalle besitzen eine grösse Adhäsion an Glas als an den Gealtinebildbereichen und können leicht von den Gelatinebildbereichen ohne Entfernung von den Glasbereichen entfernt werden₉

Es ist ersichtlich, dass erfindungsgemäss ein verbessertes Verfahren zur Herstellung von photographischen Mustern auf einer Unterlage geschaffen wird. Da kein chemisches Reagens oder Ätzmittel bei dem erfindungsgemässen Verfahren nach dem Erhitzen der Gelatineschicht erforderlich ist, ist der Angriff auf die Blldbereiohe der Schicht durch solche Reagentien ausgeschaltet, was zu einer besseren Einstellung der Bildabmessung en führt. Aus diesem Grund ist das erflndungsge« müsse Verfahren zur Herstellung von Masken, die bei der Fabrikation von Halbleitereinrichtungen verwendet werden, von besonderem Wert.

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Claims (10)

1. Patentansprüche

   Verfahren zur Herstellung von photographischen Mustern auf einer Unterlage, dadurch gekennzeichnet, dass

   a) ein entwickeltes Silberbild in einer Oelatineschicht auf der Unterlage gebildet wird,

   b) ein silberentfernendes Reagens auf die Schicht zur Entfernung des entwickelten Silberbilds angewendet wird und

   c) die Schicht auf «sine Temperatur von zumindest

   zur selektiven Entfernung der bildfreien Bereiche der Schicht von dar Unterlage erhitzt wird.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterlage aus Glas besteht.
3. J5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht bei einer Temperatur von etwa 575 bis etwa 425°C erhitzt wird.
4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Silberentfernende Mittel eine wässrige Lösung einer Säure und eines Oxydationsmittels umfasst.
5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das siIberentfernende Reagens eine wässrige Lösung von Schwefelsäure und Kaliumdichromat umfasst.

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6. 6. Verfahren zur Herstellung einer photographischen Maske, dadurch gekennzeichnet, daes

   a) ein entwickeltes Silberblid in einer Gelatinesehicht auf einer transparenten Unterlage mit einem Erweichungs punkt über 250°C gebildet wird,

   b) ein εilberentfernendes Reagens auf die Schicht zur J?ntfernung des entwickelten Silberbilds angewendet wird,

   c) die Platte zur Bildung eines SllberMlds üt d»n unbelichteten Bereichen der Schicht wieder exponiert wird und

   d) die Schicht bei eine*¹ Temperatur von zumindest J?50*C zur Härtung der 8ilb#rhaXtJ.?$n Bereich» der Schicht und zur Entfernung der Äj.lberfreien Bereiche der Schicht erhitzt wird,
7. 7. Verfahre»» nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterlage aus Glas besteht.
8. 8. Verfahren nach Anspruch 7$ dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht bei einer Temperatur von etwa 375 bis etwa 425⁰C erhitzt wird.
9. 9. Verfahren nach Anspruch I₁ dadurch gekennzeichnet, dass das ε Über ent lernende Reagens eine wässrige Lösung von Schwe feisäure und Kaliumdichromat umfasst.
10. 10. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das silber en ti'eriiende Reagens eine wässrige Lüsung einer Säure und eines Oxydationsmittels umfasst.

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    11c Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dan;;

    q) KjUiö .-ilfctne Ketal läcnjLeht auf der Glasunterlage aufge bracht wird ..

    f) ale Metallschicht der Einwirkung ein«** verdünnten, das Metall entfernenden lösung für eine 3olciie Zeitspanne aufgesetzt wii^d, dass die Metallschicht von den Gelatin ^· biidbareichen entfernt wird, jedaoh dio Metallschicht auf Φ-iv Olrtsuntorlnßo in den vyyblichen Bereichen nicht beeinträchtigt wird, lu-.-i

    nie Platte üitiet¹ gelatineentfernenden F3.Uiä«igkeit ssin·- nung ά«« restlichen Silh?^geltitinebild8
    v:ob?i fii.e Flüssigkeit mit dem Metall nicht
    i; ί um ein Metallbild auf der Glasplatte zxi
    den vorh«i7ieh<3nden NiohtbildUsTaichen entspricht.

    · Verfahren ηMh An^pimeh 11, dadurch gekennzeichnet, ϋ ⁱ; HatίίII 'Jhi: om "verwendet wir.i ,

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