DE19942677A1 - Kompensationsbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Kompensationsbauelement und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
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Abstract
Es wird ein Kompensationsbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben, wobei Kompensationsgebiete (3) durch Implantation von Schwefel oder Selen in einer p-leitenden Halbleiterschicht (3) erzeugt werden oder als p-leitende Gebiete, die mit Indium, Thallium und/oder Palladium dotiert sind, clusterartig in einem n-leitenden Gebiet vorgesehen werden.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kompensationsbauele
ment sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Die Durchlaßverluste bei MOS-Transistoren setzen sich be
kanntlich aus Verlusten im Kanal zwischen Sourcezone und
Drainzone und aus ohmschen Verlusten im Driftbereich, der zur
Aufnahme einer Raumladungszone im Sperrfall des MOS-Transi
stors dient, zusammen. Bei Hochvolt-MOS-Transistoren ist ge
rade der durch den Driftbereich bedingte Anteil an den ohm
schen Verlusten besonders hoch und dominant.
Zur Reduzierung der ohmschen Verluste im Driftbereich bei
Hochvolt-MOS-Transistoren wurden die Kompensationsbauelemente
entwickelt: bei diesen befinden sich hoch n-leitende Gebiete
und hoch p-leitende Gebiete in vertikaler Richtung im Drift
bereich nebeneinander. Hierzu sind beispielsweise in einen
hoch n-dotierten Halbleiterkörper säulenförmige hoch p-do
tierte Gebiete eingebracht. Dabei ist die Nettodotierung ho
rizontal über dem Driftbereich gemittelt nahezu kompensiert.
Das heißt, in dem obigen Beispiel gleicht die Dotierung der
p-dotierten säulenförmigen Gebiete praktisch die Dotierung
des n-leitenden Halbleiterkörpers aus.
Wird an ein solches Kompensationsbauelement eine Sperrspan
nung angelegt, so befindet sich ein wesentlicher Teil der Ge
genladung der ionisierten Dotierstoffatome in der gleichen
horizontalen Ebene, so daß in vertikaler Richtung zwischen
den beiden Hauptoberflächen des Halbleiterkörpers die elek
trische Feldstärke noch wenig reduziert wird. Mit anderen
Worten, es liegt hier in vertikaler Richtung nur ein geringer
resultierender Gradient der elektrischen Feldstärke vor. Da
her kann in vertikaler Richtung die Sperrspannung über einer
geringeren Dicke des Driftbereiches des Kompensationsbauele
mentes abgebaut werden.
Da aber im Durchlaßfall eine höhere wirksame n-Dotierung im
Driftbereich zur Verfügung steht, zeichnen sich Kompensati
onsbauelemente im Vergleich zu herkömmlichen, flächengleichen
MOS-Transistoren durch drastisch geringere Verluste im lei
tenden Zustand aus. Kompensationsbauelemente haben so einen
erheblich reduzierten Einschaltwiderstand Ron.
Die Herstellung von Kompensationsbauelementen ist aufwendig,
was durch die alternierende Struktur der p-leitenden und n-
leitenden Gebiete im Driftbereich bedingt ist, also durch ei
ne in lateraler Richtung alternierende p/n/p/n. . .-Struktur.
Bisher gibt es zwei verschiedene Methoden zum Herstellen der
artiger alternierender p/n/p/n. . .-Strukturen von Kompensati
onsbauelementen:
Bei der bevorzugten Methode werden mehrstufige Epitaxiepro
zesse mit zwischengeschalteten Implantationen angewandt. Kon
kret werden hier n-leitende epitaktische Schichten auf ein
n+-leitendes Siliziumsubstrat aufgetragen, und nach jedem
Epitaxieprozeß wird eine Implantation von Boratomen an über
einanderliegenden Stellen vorgenommen, so daß bei einer nach
folgenden Wärmebehandlung die übereinanderliegenden Bor-
Implantationen ein säulenförmiges p-leitendes Gebiet in einem
n-leitenden Gebiet bilden.
Bei der anderen üblichen Methode werden in einen Siliziumkör
per des einen Leitungstyps tiefe Trenches eingebracht, die
anschließend mit Silizium des anderen Leitungstyps aufgefüllt
werden.
Beiden bekannten Methoden ist gemeinsam, daß sie für jede
Chipgröße in einer gewünschten Spannungsklasse einen exakt
angepaßten Unterbau im Silizium des Driftbereiches erfordern
und ihre Prozessierung äußerst aufwendig und damit teuer ist.
Trotz dieses erheblichen Nachteiles einer komplizierten Pro
zessierung und eines großen Aufwandes wurde bisher nicht dar
an gedacht, ein Kompensationsbauelement sowie ein Verfahren
zu dessen Herstellung auf andere Weise so zu gestalten, daß
diese Nachteile überwunden werden können. Der vorliegenden
Erfindung liegt daher die neue Aufgabe zugrunde, ein Kompen
sationsbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
derart anzugeben, daß auf aufwendige und teure Prozessierung
verzichtet werden kann.
Zur Lösung dieser Aufgabe sind erfindungsgemäß ein Kompensa
tionsbauelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung mit
den Merkmalen der jeweiligen unabhängigen Patentansprüche
vorgesehen. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung erge
ben sich aus den Unteransprüchen.
Wesentlich an der vorliegenden Erfindung ist der Grundgedan
ke, entweder in die üblicherweise n-leitende Grunddotierung
der Driftzone homogen verteilte p-leitende Atome mit etwa der
gleichen Dotierungskonzentration wie die n-leitende Grunddo
tierung einzubringen oder aber das Konzept einer n-leitenden
Grunddotierung zu verlassen und in einen p-leitenden Silizi
umkörper einen relativ rasch diffundierenden Dotierstoff mit
Donatoreigenschaften einzubringen, wie insbesondere Schwefel
und/oder Selen, um so mit diesem rasch diffundierenden Do
tierstoff die gewünschten n-leitenden säulenartigen Gebiete
zu erzeugen.
Im folgenden soll zunächst auf die erste Alternative, also
die homogene Verteilung von Atomen des einen Leitungstyps in
einer Grunddotierung des anderen Leitungstyps des Driftberei
ches eingegangen werden. Obwohl im folgenden dabei in Einzel
heiten erläutert wird, wie p-dotierende bzw. -leitende Atome,
nämlich insbesondere Indiumatome, Thalliumatome und Palla
diumatome in eine übliche n-leitende Dotierung einer Driftzo
ne aus beispielsweise Phosphor eingebracht werden, können die
Leitungstypen gegebenenfalls bei entsprechender Auswahl der
Atome auch umgekehrt sein. Gleiches gilt selbstverständlich
auch für die weiter unten näher erläuterte zweite Methode.
Bei der Auswahl des Dotierstoffes für die erste Methode, also
für das Einbringen von p-dotierenden Atomen in eine übliche
n-Dotierung einer Driftzone, muß darauf geachtet werden, daß
der Abstand zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und der Va
lenzbandkante von Silizium größer ist als etwa 150 meV, so
daß bei Raumtemperatur im thermischen Gleichgewicht nur ein
sehr geringer Anteil der Akzeptoratome ionisiert ist. In
Durchlaßrichtung des Kompensationsbauelementes wird die n-
leitende Dotierung des Driftbereiches damit nur zu einem ge
ringen Anteil kompensiert, so daß das Kompensationsbauele
ment, insbesondere ein Transistor, die gewünschten niedrigen
Durchlaßverluste hat.
Außerdem sollte der Abstand zwischen dem Akzeptorniveau und
der Valenzbandkante größer als der Abstand zwischen dem Dona
torniveau und der Leitungsbandkante des Siliziums sein. Im
Sperrfall wird nämlich eine Raumladungszone aufgebaut, die
dazu führt, daß die bei der Ionisation der Akzeptoren frei
werdenden Löcher sofort abfließen und nicht mit anderen Ak
zeptorrümpfen in Wechselwirkung treten können. Es werden dann
also in kurzer Zeit alle Akzeptoren ionisiert, so daß die Do
natoren im Volumen des Driftbereiches kompensiert sind. Das
heißt, es liegen ähnliche Verhältnisse wie bei üblichen Kom
pensationsbauelementen vor.
Ein wesentlicher Vorteil der ersten Methode liegt in einer
besonders einfachen und damit billigen Prozeßführung im Ver
gleich zum Stand der Technik mit Epitaxien und Implantationen
bzw. tiefen Trenches. Der p-leitende Dotierstoff, also insbe
sondere Indium, Thallium und Palladium, kann ohne weiteres
gleichzeitig mit der n-Dotierung beim Abscheiden der epitak
tischen Schicht erzeugt werden, so daß die Implantationen
entfallen können. Auch kann ein auf diese Weise behandelter
epitaktischer Wafer als Grundmaterial für alle Chipgrößen ei
ner Spannungsklasse verwendet werden, was die Logistik erheb
lich vereinfacht und eine Verkürzung der Durchlaufzeiten er
laubt. Während des Abscheideprozesses für die epitaktischen
Schichten ist es nämlich möglich, die Dotierstoffzusammenset
zung über die Dicke der epitaktischen Schichten zu verändern
und damit die Bauelement-Eigenschaften entsprechend einzu
stellen.
Alternativ zur Abscheidung einer mit Indium, Thallium oder
Palladium dotierten epitaktischen Schicht ist es möglich, die
p-Dotierung vor dem Start einer Vorderseitenbearbeitung in
üblicher Weise einzubringen oder während des Prozesses durch
Öffnungen in entsprechenden Fenstern einzudiffundieren.
Von Bedeutung ist dabei, daß der p-leitende Dotierstoff Clu
ster bildet, die ortsverschieden von der n-leitenden Dotie
rung des Driftbereiches ist. Damit soll ein direkter Übergang
von Elektronen aus dem Donatorniveau in das Akzeptorniveau
verhindert werden, während in einer Ebene über eine größere
Fläche immer noch eine Kompensation der Ladungsträger er
reicht wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Kompensationsbauelement sollte der
Randabschluß n-lastig sein, was durch eine entsprechende Do
tierung mit beispielsweise Selen erreicht werden kann. Der
Vorteil dieses Donatorstoffes liegt darin, daß er ebenfalls
mehrere tiefe Energieniveaus, wie beispielsweise ein tiefes
Energieniveau mit etwa 310 meV Abstand zur Leitungsbandkante
besitzt. Damit wird eine ähnliche Zeitverzögerung beim Aufbau
der Raumladungszone und Sperrspannung erreicht, wie in einem
homogenen Halbleitermaterial, was sich günstig auf die Ab
schalteigenschaften eines Transistors und die Stabilität von
dessen Rand auswirkt.
Bei der zweiten Methode, auf die im folgenden näher eingegan
gen werden soll, werden Schwefel und Selen durch Diffusion in
Siliziumscheiben eingebracht, da diese dort relativ schnell
diffundieren, so daß eine Dotierung in einer bestimmten
Scheibentiefe mit einer relativ geringen Temperatur-/Zeit
belastung der Scheiben realisiert werden kann.
Schwefelatome und Selenatome lassen sich beispielsweise durch
eine maskierte Implantation mit einem nachfolgenden Eintreib
schritt in die Siliziumscheiben eindiffundieren. Die Dotie
rungskonzentration von n-leitenden Bereichen läßt sich dann
ohne weiteres durch die Dosis der Schwefel- bzw. Selenimplan
tation, die Eintreibtemperatur und die Eintreibzeit steuern.
Als Maskierungsschichten für die Implantation von Schwefel
oder Selen können in üblicher Weise Siliziumdioxid oder Pho
tolackschichten mit ausreichender Dicke herangezogen werden.
Es hat sich gezeigt, daß eine Dicke von etwa 1 µm ausreichend
ist.
Durch die im Vergleich zu einer Bordiffusion wesentlich kür
zere Diffusionszeit von Schwefel und Selen läßt sich die Zahl
der notwendigen epitaktischen Schichten verringern, was eine
deutliche Kostenreduzierung mit sich bringt.
Die Dotierungskonzentration in den p-leitenden Bereichen läßt
sich besonders gut eingrenzen, da ja bevorzugt von einem p-
leitenden Grundmaterial ausgegangen wird.
In dem n-leitenden säulenartigen Bereichen kann gegebenen
falls eine vertikale Variation des Kompensationsgrades vorge
nommen werden, wenn beispielsweise zwei verschiedene n-do
tierende Implantationsebenen zur Anwendung gebracht werden
oder die Konzentration des n-leitenden Dotierstoffes während
der Abscheidung der epitaktischen Schicht verändert wird.
Eine spezielle Eigenschaft von mit Schwefel bzw. Selen do
tierten Siliziumschichten besteht darin, daß die effektive
Dotierungskonzentration solcher Siliziumschichten mit der
Temperatur ansteigt, da Schwefel und Selen als Dotierungs
stoffe Energieniveaus aufweisen, die tief in der Silizium-
Bandlücke liegen. Dadurch werden im Durchlaßzustand des Bau
elementes mit zunehmender Temperatur immer mehr freie La
dungsträger zur Verfügung gestellt. Da aber die Beweglichkeit
der freien Ladungsträger mit zunehmender Temperatur abnimmt,
ergibt sich somit eine reduzierte Abhängigkeit des Einschalt
widerstandes Ron von der Temperatur. Im Sperrzustand, in wel
chem sich die Schwefelatome bzw. Selenatome in der Raumla
dungszone befinden, sind diese dagegen vollständig aktiviert.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung zur Er
läuterung eines Ausführungsbeispiels, bei dem
Schwefel oder Selen durch Implantation in ei
nen Halbleiterkörper eingebracht werden, um
in diesem Kompensationsgebiete zur Herstel
lung eines Driftbereiches für ein Kompensati
onsbauelement zu erzeugen,
Fig. 2 eine schematische Veranschaulichung einer
durch Cluster gebildeten p-Dotierung aus bei
spielsweise Indium, Thallium oder Palladium
in einem n-leitenden Gebiet eines Driftberei
ches, und
Fig. 3 und 4 Banddarstellungen zur Erläuterung der Dotie
rung nach dem Beispiel von Fig. 2.
Fig. 1 zeigt den Driftbereich eines Kompensationsbauelemen
tes, wie beispielsweise eines MOS-Transistors mit einem p+-
leitenden Siliziumsubstrat 1, auf dem eine p-leitende Silizi
umschicht 2 beispielsweise durch eine oder mehrere Epitaxien
aufgebracht ist. In diese Schicht 2, die ein p-leitendes Ge
biet darstellt, werden durch Diffusion von Schwefel und/oder
Selen n-leitende säulenartige Gebiete 3 eingebracht, die so
hoch dotiert sind, daß die Nettodotierung horizontal, also
senkrecht zum Verlauf der Gebiete 3, gemittelt nahezu kompen
siert ist.
Dies kann beispielsweise durch eine maskierte Ionenimplanta
tion (vgl. Pfeile 5) mit Hilfe einer etwa 1 µm dicken Maske 4
aus Siliziumdioxid oder Photolack geschehen. Die Dotierungs
konzentration in den auf diese Weise entstehenden n-leitenden
Gebieten 3 läßt sich dann über die Dosis der Schwefel- bzw.
Selenimplantation, die Eintreibtemperatur bei dem nachfolgen
den Temperaturschritt und die Eintreibzeit hiervon steuern.
Da Schwefel und Selen in Silizium relativ schnell diffundie
ren, läßt sich auf diese Weise der Driftbereich eines Kompen
sationsbauelementes ohne aufwendige und zahlreiche Epitaxie-
und Implantationsschritte herstellen, was eine bedeutsame Ko
stenreduktion bedeutet.
Eine vertikale Variation des Kompensationsgrades kann er
reicht werden, indem beispielsweise eine zusätzliche Implan
tationsebene (vgl. Strichlinie 6) vorgesehen wird: in einem
ersten Epitaxieschritt wird die Schicht 2 bis zu der Höhe der
Strichlinie 6 auf dem Siliziumsubstrat 1 aufgewachsen. Es
schließt sich dann eine erste Implantation an, um so bei
spielsweise die unteren Teile der Gebiete 3 höher zu dotieren
als deren oberen Teile. Mit einem weiteren Epitaxie- und Im
plantationsschritt, verbunden mit einem Eintreibschritt am
Ende der epitaktischen Abscheidung, wird sodann die in der
Fig. 1 dargestellte Anordnung fertiggestellt.
Während bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 1 (zweite Metho
de) definierte n- und p-leitende Gebiete im Driftbereich vor
liegen, gilt dies für das Ausführungsbeispiel der Fig. 2 bis
4 (erste Methode) nicht: dort sind in ein n-leitendes Gebiet
7 (vgl. Fig. 2) clusterartige p-leitende Gebiete 8 mit Akzep
toratomen aus Indium, Thallium und/oder Palladium eingela
gert. Diese p-leitenden Gebiete 8 in dem n-leitenden Gebiet 7
mit beispielsweise Phosphor-Donatoratomen sind so hoch do
tiert, daß wie im Ausführungsbeispiel von Fig. 1 horizontal
über dem Driftbereich die Nettodotierung gemittelt nahezu
kompensiert ist.
Die p-Dotierung für die Gebiete 8 kann praktisch gleichzeitig
mit der n-Dotierung des Gebietes 7 beim Abscheiden einer ent
sprechenden epitaktischen Schicht erzeugt werden. Das heißt,
wenn auf ein Siliziumsubstrat, wie beispielsweise das Silizi
umsubstrat 1 der Fig. 1 eine epitaktische Schicht aufgetragen
wird, dann wird diese Abscheidung so vorgenommen, daß die da
durch gebildete epitaktische Schicht mit der n-leitenden
Phosphor-Grunddotierung mit den darin eingelagerten cluster
artigen Gebieten 8, die mit Indium, Thallium oder Palladium
dotiert sind, aufwächst.
Anstelle von Indium, Thallium und Palladium können gegebenen
falls auch andere Materialien gewählt werden. Wesentlich ist
aber, daß der Abstand D (vgl. Fig. 3) zwischen dem Akzeptor-
Energieniveau 9 und der Valenzbandkante 10 des Siliziums grö
ßer ist als 150 meV und auch größer ist als der Abstand d
zwischen dem Donatorniveau 11 und der Leitungsbandkante 12.
Dabei ist darauf zu achten, daß die entsprechenden Energieni
veaus örtlich versetzt voneinander sind, wie dies in Fig. 4
schematisch angedeutet ist, um einen direkten Übergang zwi
schen den Niveaus zu vermeiden. Bei örtlich gleichzeitigem
Vorkommen von n- und p-leitender Dotierung im mikroskopischen
Maßstab liegt damit eine homogene Kompensation bei entspre
chendem Fehlen von hoch n-leitenden Zonen mit erhöhter elek
trischer Leitfähigkeit vor. Mit anderen Worten, während mi
kroskopisch n- und p-leitende Gebiete getrennt sind, besteht
makroskopisch, das heißt bezogen auf den Maßstab der Durch
bruchsladung, eine homogene Ladungsverteilung mit einem even
tuell überlagerten Gradienten im Sinne eines variablen Säu
lenkonzepts.
1
Siliziumsubstrat
2
p-leitende Siliziumschicht
3
n-leitendes Gebiet
4
Maske
5
Pfeile für Ionenimplantation
6
Strichlinie für erste Epitaxieschicht
7
Driftbereich
8
clusterartige Kompensationsgebiete
9
Akzeptorniveau
10
Valenzbandkante
11
Donatorniveau
12
Leitungsbandkante
d Abstand zwischen Donatorniveau und Leitungsband
D Abstand zwischen Akzeptorniveau und Valenzband
d Abstand zwischen Donatorniveau und Leitungsband
D Abstand zwischen Akzeptorniveau und Valenzband
Claims (9)
1. Kompensationsbauelement, bei dem in einem Silizium-Halb
leiterkörper eine n-leitende Driftzone vorgesehen ist, in
die p-leitender Dotierstoff eingebracht ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
der p-leitende Dotierstoff clusterartige Gebiete (8) in
der Driftzone (7) bildet und derart gewählt ist, daß der
Abstand (D) zwischen dem Akzeptorniveau (9) und der Va
lenzbandkante (10) größer ist als der Abstand (d) zwi
schen dem Donatorniveau (11) und der Leitungsbandkante
(12).
2. Kompensationsbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Abstand (d) zwischen dem Donatorniveau (11) und der
Leitungsbandkante (12) 150 meV übersteigt.
3. Kompensationsbauelement nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die p-leitenden clusterartigen Gebiete (8) ortsverschie
den von der n-leitenden Dotierung der Driftzone sind.
4. Kompensationsbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
der p-leitende Dotierstoff aus Indium, Thallium und/oder
Palladium besteht.
5. Kompensationsbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Driftzone mit Phosphor dotiert ist.
6. Verfahren zum Herstellen eines Kompensationsbauelementes
nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
der p-leitende Dotierstoff gleichzeitig mit der n-leiten
den Dotierung beim Abscheiden einer epitaktischen Schicht
in die Driftzone (7) eingebracht wird.
7. Verfahren zum Herstellen einer Driftzone eines Kompensa
tionsbauelementes, bei dem in einem p-leitenden Halblei
terkörper (2, 3) n-leitende Kompensationsbereiche (3)
vorgesehen werden,
dadurch gekennzeichnet, daß
die n-leitenden Kompensationsbereiche mit Schwefel
und/oder Selen dotiert werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
Schwefel und/oder Selen durch Ionenimplantation mittels
einer Maske (4) in den Halbleiterkörper (2) eingebracht
werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
für die Maske eine Siliziumdioxid- oder Photolackschicht
mit einer Dicke von etwa 1 µm verwendet wird.
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