DE19915644A1 - Ladungspumpe - Google Patents
LadungspumpeInfo
- Publication number
- DE19915644A1 DE19915644A1 DE19915644A DE19915644A DE19915644A1 DE 19915644 A1 DE19915644 A1 DE 19915644A1 DE 19915644 A DE19915644 A DE 19915644A DE 19915644 A DE19915644 A DE 19915644A DE 19915644 A1 DE19915644 A1 DE 19915644A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mos field
- effect transistor
- connection
- source
- supply voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
- H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Control Of The Air-Fuel Ratio Of Carburetors (AREA)
Abstract
Eine Ladungspumpe (10) mit einem Versorgungsanschluß (16) und einem Masseanschluß (18) dient der Erzeugung einer Ausgangsspannung an einem Ausgangsanschluß (34), die höher als die an ihrem Versorgungsspannungsanschluß liegende Spannung ist. Sie enthält zwei komplementäre MOS-Feldeffekttransistoren (12, 14), deren Source-Drain-Strecke in Serie zwischen dem Versorgungsspannungsanschluß und dem Masseanschluß liegen. Ferner enthält sie eine Ansteuerschaltung (26) zum Ansteuern der beiden MOS-Feldeffekttransistoren sowie einen mit einem Anschluß mit dem Verbindungspunkt der Source-Drain-Strecken der beiden MOS-Feldeffekttransistoren verbundenen Ladungsspeicherkondensator. Dieser Ladungsspeicherkondensator wird von der Gate-Kapazität eines weiteren MOS-Feldeffektransistors (20) gebildet, dessen Source-Drain-Strecke einerseits über eine erste Diode (22) mit dem Versorgungsspannungsanschluß und andererseits über eine zweite Diode (24) mit den Ausgangsanschluß verbunden ist. Der Gate-Anschluß dieses Feldeffekttransistors ist mit dem Verbindungspunkt der in Serie geschalteten Source-Drain-Strecken der beiden komplementären MOS-Feldeffekttransistoren verbunden.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Ladungspumpe mit
einem Versorgungspannungsanschluß und einem Masseanschluß
zur Erzeugung einer Ausgangsspannung an einem Ausgangsan
schluß, die höher als die an ihrem Versorgungspannungsan
schluß liegende Spannung ist, mit zwei komplementären MOS-
Feldeffekttransistoren, deren Source-Drain-Strecken in Serie
zwischen dem Versorgungspannungsanschluß und dem Massean
schluß liegen, eine Ansteuerschaltung zum Ansteuern der bei
den MOS-Feldeffekttransistoren und einem mit einem Anschluß
mit dem Verbindungspunkt der Source-Drain-Strecken der bei
den MOS-Feldeffekttransistoren verbundenen Ladungsspeicher
kondensator.
Ladungspumpen werden in elektronischen Schaltungen immer
dann eingesetzt, wenn in einer Schaltung eine Spannung benö
tigt wird, die höher als die zur Verfügung stehende Versor
gungspannung ist. Eine solche bekannte Ladungspumpe ist in
"MOS-Bauelemente in der Leistungselektronik" von Felix
Schörlin, Franzis Verlag, 1997, Seite 84 beschrieben und
dargestellt. In dieser Schaltung besteht zwischen dem Ver
sorgungspannungsanschluß und dem Ausgangsanschluß eine lei
tende Verbindung über zwei hintereinander geschaltete Dio
den, so daß über diese Verbindung stets ein Strom fließen
kann, der die Versorgungspannungsquelle belastet, auch wenn
die Ladungspumpe nicht in Betrieb ist. Um das Fließen dieses
unerwünschten Stroms zu verhindern, muß ein eigener Schalter
vorgesehen werden, der diesen Strom unterbricht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Ladungs
pumpe der eingangs angegebenen Art zu schaffen, die außer
den für die Ladungspumpe selbst erforderlichen Bauelementen
keine weiteren Bauelemente benötiqt.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß der
Ladungsspeicherkondensator von der Gate-Kapazität eines wei
teren MOS-Feldeffekttransistors gebildet ist, dessen Source-
Drain-Strecke einerseits über eine erste Diode mit dem Ver
sorgungspannungsanschluß und andererseits über eine zweite
Diode mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist, und dessen
Gate-Anschluß mit dem Verbindungspunkt der in Serie geschal
teten Source-Drain-Strecken der beiden komplementären MOS-
Feldeffekttransistoren verbunden ist.
In der erfindungsgemäßen Ladungspumpe ist zwischen die
zwei Dioden, die den Versorgungspannungsanschluß mit dem
Ausgangsanschluß verbinden, die Source-Drain-Strecke eines
weiteren MOS-Feldeffekttransistors eingefügt, der als Schal
ter wirkt und im gesperrten Zustand das Fließen eines Stroms
vom Versorgungspannungsanschluß zum Ausgangsanschluß verhin
dert. Dieser MOS-Transistor ist jedoch kein zusätzliches
Bauelement in der Ladungspumpe, da seine Gate-Kapazität
gleichzeitig die Funktion des Ladungsspeicherkondensators
einer herkömmlichen Ladungspumpe übernimmt. Auf diese Weise
wird ohne Erhöhung der Anzahl der benötigten Bauelemente
eine Belastung der Versorgungspannungsquelle bei nicht in
Betrieb befindlicher Ladungspumpe vermieden.
Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung beispiels
halber erläutert. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild der erfindungsgemäßen La
dungspumpe und
Fig. 2 ein Beispiel eines in dieser Ladungspumpe ver
wendbaren Taktgenerators.
Die Ladungspumpe 10 von Fig. 1 enthält zwei in Serie
geschaltete komplementäre MOS-Feldeffekttransistoren, näm
lich einen P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor 12 und einen N-
Kanal-MOS-Feldeffekttransistor 14. Die Source-Drain-Strecken
dieser beiden MOS-Feldeffekttransistoren liegen in Serie
zwischen dem Versorgungspannungsanschluß 16 und dem Masse
anschluß 18. Mit dem Verbindungspunkt der Source-Drain-
Strecken der beiden MOS-Feldeffekttransistoren 12, 14 ist
der Gate-Anschluß eines weiteren MOS-Feldeffekttransistors
20 angeschlossen, bei dem es sich um einen P-Kanal-MOS-
Feldeffekttransistor handelt. Zwischen dem Versorgungspan
nungsanschluß 16 und der Source-Drain-Strecke des MOS-Feld
effekttransistors 20 liegt eine Diode 22, wobei deren Anode
mit dem Versorgungspannungsanschluß 16 verbunden ist. Mit
dem anderen Ende der Source-Drain-Strecke des MOS-Feldef
fekttransistors 20 ist die Anode einer weiteren Diode 24
verbunden, deren Katode den Ausgangsanschluß der Ladungspum
pe bildet.
Die Ladungspumpe 10 enthält ferner eine Ansteuerschal
tung 26, die im einfachsten Fall, wie in Fig. 1 dargestellt
ist, ein einem Eingangsanschluß 23 zugeführtes Taktsignal
CLK über Ausgänge 30 und 32 den Gate-Anschlüssen der MOS-
Feldeffekttransistoren 12 und 14 zuführt. Das Taktsignal
CLK ist ein übliches Rechtecksignal.
Die in Fig. 1 dargestellte Ladungspumpe arbeitet wie
folgt:
Wenn die Ladungspumpe nicht im Betrieb ist, am Ausgangs anschluß 34 also keine Spannung erzeugt werden soll, die höher als die Versorgungspannung Vcc am Versorgungspannungs anschluß 16 ist, liegt am Eingang 28 der Ansteuerschaltung 26 ein Signal mit niedrigem Wert, das dem Binärwert L ent spricht. Dies hat zur Folge, daß auch an den Gate-Anschlüs sen der MOS-Feldeffekttransistoren 12 und 14 ein Signal mit dem niedrigen Wert L anliegt. Da der MOS-Feldeffekttran sistor 12 ein P-Kanal-Transistor ist, bedeutet dies, daß er sich im leitenden Zustand befindet. Der MOS-Feldeffekttran sistor 14 befindet sich als N-Kanal-Transistor infolge die ses niedrigen Signalwerts im gesperrten Zustand. Aufgrund des leitenden Zustandes des MOS-Feldeffekttransistors 12 wird an den Gate-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 20 die Versorgungspannung Vcc angelegt, was zur Folge hat, daß dieser Transistor in gesperrtem Zustand gehalten wird.
Wenn die Ladungspumpe nicht im Betrieb ist, am Ausgangs anschluß 34 also keine Spannung erzeugt werden soll, die höher als die Versorgungspannung Vcc am Versorgungspannungs anschluß 16 ist, liegt am Eingang 28 der Ansteuerschaltung 26 ein Signal mit niedrigem Wert, das dem Binärwert L ent spricht. Dies hat zur Folge, daß auch an den Gate-Anschlüs sen der MOS-Feldeffekttransistoren 12 und 14 ein Signal mit dem niedrigen Wert L anliegt. Da der MOS-Feldeffekttran sistor 12 ein P-Kanal-Transistor ist, bedeutet dies, daß er sich im leitenden Zustand befindet. Der MOS-Feldeffekttran sistor 14 befindet sich als N-Kanal-Transistor infolge die ses niedrigen Signalwerts im gesperrten Zustand. Aufgrund des leitenden Zustandes des MOS-Feldeffekttransistors 12 wird an den Gate-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 20 die Versorgungspannung Vcc angelegt, was zur Folge hat, daß dieser Transistor in gesperrtem Zustand gehalten wird.
Somit ist zu erkennen, daß im Ruhezustand der Ladungs
pumpe keine Verbindung zwischen dem Versorgungspannungsan
schluß 16 und dem Ausgangsanschluß 34 vorhanden ist, weil
der MOS-Feldeffekttransistor 20 diese Verbindung unter
bricht. Es kann also kein die Versorgungspannungsquelle be
lastender Strom fließen.
Wenn nun am Ausgangsanschluß 34 eine Spannung benötigt
wird, die höher als die Versorgungspannung Vcc am Versor
gungspannungsanschluß 16 ist, dann wird an den Eingang 28
der Ansteuerschaltung 26 das Taktsignal CLK angelegt, das
die Form eines Rechtecksignals hat. Dieses Taktsignal CLK
wechselt somit periodisch mit der Taktfrequenz zwischen den
Signalwerten L und H. Die beiden komplementären MOS-Feldef
fekttransistoren 12 und 14 werden dadurch abwechselnd je
weils zueinander entgegengesetzt in den leitenden und den
gesperrten Zustand versetzt.
Wenn von dem zuvor geschilderten Ruhezustand ausgegangen
wird, besteht der erste Zustandswechsel der beiden Feldef
fekttransistoren darin, daß der MOS-Feldeffekttransistor 12
durch das den hohen Signalwert H aufweisende Taktsignal
gesperrt wird, während der MOS-Feldeffekttransistor 14
durch dieses Signal in den leitenden Zustand versetzt wird.
Infolge des leitenden Zustandes des MOS-Transistors 14
gelangt an den Gate-Anschluß des MOS-Transistors 20 der Mas
sewert, der diesen Transistor in den leitenden Zustand ver
setzt. Gleichzeitig wird die Gate-Kapazität dieses Feldef
fekttransistors aufgeladen.
Wenn nun das Taktsignal am Eingang 28 wieder den niedri
gen Wert L annimmt, hat dies zur Folge, daß demgemäß auchdie
Zustände der beiden MOS-Feldeffekttransistoren 12 und 14 um
gekehrt werden. Der MOS-Feldeffekttransistor 12 geht also
wieder in den leitenden Zustand über, während der MOS-Tran
sistor 14 in den gesperrten Zustand übergeht. Die am Gate-
Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors 20 vorhandene Lade
spannung wird nun zur Versorgungspannung Vcc hinzuaddiert,
wobei der MOS-Feldeffekttransistor 20 solange leitend
bleibt, wie seine Gate-Source-Spannung größer als seine
Schwellenspannung ist. Sobald die Schwellenspannung unter
schritten wird, geht dieser Transistor in den gesperrten
Zustand über. Auf diese Weise entsteht an dem von der Gate-
Kapazität des MOS-Feldeffekttransistors 20 gebildeten La
dungspeicherkondensator eine maximale Spannung, die dem
zweifachen Wert der Versorgungspannung Vcc abzüglich der
Durchlaßspannung der Diode 22 ist. Am Ausgangsanschluß 34
kann diese maximale Spannung abzüglich der Durchlaßspannung
der zweiten Diode 24 abgegriffen werden.
Wie zu erkennen ist, übernimmt der MOS-Feldeffekttran
sistor 20 gleichzeitig die Funktion eines Schalter, der den
Stromweg zwischen der Versorgungspannungsquelle und dem Aus
gangsanschluß 34 unterbricht, wenn die Ladungspumpe nicht in
Betrieb ist, und die Funktion eines Ladungspeicherkondensa
tors, wie er in herkömmlichen Ladungspumpenschaltungen zur
Erzeugung der erhöhten Spannung eingesetzt wird.
Unter Bezugnahme auf Fig. 2 wird nun ein Ausführungsbei
spiel einer Ansteuerschaltung beschrieben, die als Ansteuer
schaltung 26 in der Ladungspumpe 10 von Fig. 1 eingesetzt
werden kann.
Der Taktgenerator 26 enthält einen ersten Schaltungs
zweig, in dem die Source-Drain-Strecken von zwei komplemen
tären MOS-Feldeffekttransistoren 36 und 38 in Serie geschal
tet sind. Der Feldeffekttransistor 36 ist ein P-Kanal-MOS-
Feldeffekttransistor und der Feldeffekttransistor 38 ist ein
N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor. In einem zweiten Schal
tungszweig sind die Source-Drain-Strecken von drei MOS-
Feldeffekttransistoren, nämlich einem P-Kanal-MOS-Feldef
fekttransistor 40, einem weiteren P-Kanal-MOS-Feldeffekt
transistor 42 sowie einem N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor
44 hintereinander geschaltet. Die beiden Schaltungszweige
liegen einerseits an der Versorgungspannung Vcc und anderer
seits an Masse. Wie zu erkennen ist, ist der Gate-Anschluß
des MOS-Feldeffekttransistors 36 mit dem Verbindungspunkt
der Source-Drain-Strecken der beiden MOS-Feldeffekttran
sistoren 42 und 44 verbunden, während der Gate-Anschluß des
MOS-Feldeffekttransistors 40 mit dem Verbindungspunkt zwi
schen den Source-Drain-Strecken der MOS-Feldeffekttran
sistoren 36 und 38 verbunden ist. Der Gate-Anschluß des MOS-
Feldeffekttransistors 42 liegt an Masse. Der das Ansteuer
signal für den MOS-Feldeffekttransistor 12 abgebende Ausgang
30 ist mit dem Verbindungspunkt der Source-Drain-Strecken
der MOS-Feldeffekttransistoren 40 und 42 verbunden, während
der das Ansteuersignal für den MOS-Feldeffekttransistor 14
abgebende Ausgang 32 mit dem Verbindungspunkt der Source-
Drain-Strecken der MOS-Feldeffekttransistoren 42 und 44 ver
bunden ist. Der Gate-Anschluß des MOS-Feldeffekttransistors
38 ist mit dem Eingang 28 verbunden, der das Taktsignal CLK
empfängt, während der Gate-Anschluß des MOS-Feldeffekttran
sistors 44 mit dem Ausgang eines Negators 46 verbunden ist,
der das dem Eingang 28 zugeführte Taktsignal negiert.
Wenn am Eingang 28 im Ruhezustand der Ladungspumpe ein
Signal mit dem niedrigen Binärwert L anliegt, wird der MOS-
Feldeffekttransistor 38 in den gesperrten Zustand versetzt,
während der MOS-Feldeffekttransistor 44 in den leitenden
Zustand versetzt wird, weil seinem Gate-Anschluß aufgrund
der Wirkung des Negators 46 ein Signal mit dem hohen Binär
wert H zugeführt wird. Der infolge des leitenden Zustandes
des MOS-Feldeffekttransistors 44 an den Gate-Anschluß des
MOS-Feldeffekttransistors 36 gelangende Massewert schaltet
diesen Feldeffekttransistor in den leitenden Zustand, was
wiederum zur Folge hat, daß an den Gate-Anschluß des MOS-
Feldeffekttransistors 40 ein dem Versorgungspannungswert
entsprechender hoher Signalwert gelangt, der diesen Tran
sistor sperrt. Infolge des Massewerts am Gate-Anschluß des
MOS-Feldeffekttransistors 42 ist dieser Transistor leitend.
In diesem Ruhezustand haben die Aristeuersignale an den Aus
gängen 30 und 32 den gleichen Signalwert L, der, wie oben
bereits erwähnt wurde, zur Folge hat, daß der MOS-Feldef
fekttransistor 12 im leitenden Zustand gehalten wird, wäh
rend der MOS-Feldeffekttransistor 14 gesperrt bleibt.
Zur Inbetriebnahme der Ladungspumpe 10 wird dem Eingang
28 das rechteckförmige Taktsignal CLK zugeführt. Mit dem
ersten Übergang vom niedrigen Signalwert L auf den hohen
Signalwert H werden der MOS-Feldeffekttransistor 38 in den
leitenden Zustand versetzt, und der MOS-Feldeffekttransistor
44 wird gesperrt. Dies hat zur Folge, daß auch der MOS-
Feldeffekttransistor 36 gesperrt wird und der MOS-Feldef
fekttransistor 40 in den leitenden Zustand versetzt wird.
Der MOS-Feldeffekttransistor 14 befindet sich weiterhin im
leitenden Zustand. An den Ausgängen 30 und 32 wird nun ein
Signal mit dem hohen Wert H abgegeben, das bewirkt, daß der
MOS-Feldeffekttransistor 12 gesperrt und der MOS-Feldef
fekttransistor 14 leitend wird. Der zwischen die beiden zu
den Gate-Anschlüssen der MOS-Feldeffekttransistoren 12 und
14 führenden Leitungen eingefügte MOS-Feldeffekttransistor
42 hat zur Folge, daß der Übergang des MOS-Feldeffekttran
sistors 12 mit einer gewissen Verzögerung gegenüber dem
Übergang des MOS-Feldeffekttransistors 14 in den leitenden
Zustand erfolgt. Dies erweist sich als günstig, da dadurch
verhindert wird, daß der MOS-Feldeffekttransistor 14 noch
leitet, wenn der MOS-Feldeffekttransistor 12 ebenfalls lei
tend wird, so daß kurzzeitig ein Stromweg zwischen dem Ver
sorgungspannungsanschluß 16 und dem Masseanschluß 18 vorhan
den wäre, der zu einem störenden Stromimpuls führen kann.
Aufgrund der Verzögerung des Anlegens der Ansteuersignale an
die Gate-Anschlüsse der beiden MOS-Feldeffekttransistoren 12
und 14 wird somit durch die Ansteuerschaltung 26, wie sie in
Fig. 2 dargestellt ist, verhindert, daß bei den Übergängen
vom Signalwert L zum Signalwert H und umgekehrt störende
Stromimpulse wegen eines gleichzeitig vorhandenen leitenden
Zustandes der beiden MOS-Feldeffekttransistoren 12 und 14
auftritt.
Claims (2)
1. Ladungspumpe mit einem Versorgungspannungsanschluß
und einem Masseanschluß zur Erzeugung einer Ausgangsspannung
an einem Ausgangsanschluß, die höher als die an ihrem Ver
sorgungspannungsanschluß liegende Spannung ist, mit zwei
komplementären MOS-Feldeffekttransistoren, deren Source-
Drain-Strecken in Serie zwischen dem Versorgungspannungsan
schluß und dem Masseanschluß liegen, eine Ansteuerschaltung
zum Ansteuern der beiden MOS-Feldeffekttransistoren und einem
mit einem Anschluß mit dem Verbindungspunkt der Source-
Drain-Strecken der beiden MOS-Feldeffekttransistoren verbun
denen Ladungsspeicherkondensator, dadurch gekennzeichnet,
daß der Ladungsspeicherkondensator von der Gate-Kapazität
eines weiteren MOS-Feldeffekttransistors (20) gebildet ist,
dessen Source-Drain-Strecke einerseits über eine erste Diode
(22) mit dem Versorgungspannungsanschluß (16) und anderer
seits über eine zweite Diode (24) mit dem Ausgangsanschluß
(34) verbunden ist, und dessen Gate-Anschluß mit dem Verbin
dungspunkt der in Serie geschalteten Source-Drain-Strecken
der beiden komplementären MOS-Feldeffekttransistoren (12,
14) verbunden ist.
2. Ladungspumpe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der MOS-Feldeffekttransistor (12), dessen Source-Drain-
Strecke mit dem Versorgungspannungsanschluß (16) verbunden
ist, ein P-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor ist, daß der MOS-
Feldeffekttransistor (14), dessen Source-Drain-Strecke mit
dem Masseanschluß (18) verbunden ist, ein N-Kanal-MOS-Feld
effekttransistor ist und daß der weitere MOS-Feldeffekt
transistor (20) ein N-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19915644A DE19915644C2 (de) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | Ladungspumpe |
EP00107080A EP1073186B1 (de) | 1999-04-07 | 2000-04-05 | Ladungspumpe |
AT00107080T ATE447788T1 (de) | 1999-04-07 | 2000-04-05 | Ladungspumpe |
DE60043250T DE60043250D1 (de) | 1999-04-07 | 2000-04-05 | Ladungspumpe |
JP2000104313A JP2000333443A (ja) | 1999-04-07 | 2000-04-06 | 充電ポンプ |
US09/545,552 US6320456B1 (en) | 1999-04-07 | 2000-04-07 | Charge pump |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19915644A DE19915644C2 (de) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | Ladungspumpe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19915644A1 true DE19915644A1 (de) | 2000-10-19 |
DE19915644C2 DE19915644C2 (de) | 2001-05-17 |
Family
ID=7903759
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19915644A Expired - Fee Related DE19915644C2 (de) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | Ladungspumpe |
DE60043250T Expired - Lifetime DE60043250D1 (de) | 1999-04-07 | 2000-04-05 | Ladungspumpe |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE60043250T Expired - Lifetime DE60043250D1 (de) | 1999-04-07 | 2000-04-05 | Ladungspumpe |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6320456B1 (de) |
EP (1) | EP1073186B1 (de) |
JP (1) | JP2000333443A (de) |
AT (1) | ATE447788T1 (de) |
DE (2) | DE19915644C2 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6861894B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-03-01 | Sandisk Corporation | Charge pump with Fibonacci number multiplication |
US9595871B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-14 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | High efficiency inductive capacitive DC-DC converter |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3030790C2 (de) * | 1979-02-16 | 1989-06-29 | At & T Technologies, Inc., New York, N.Y., Us |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4591738A (en) * | 1983-10-27 | 1986-05-27 | International Business Machines Corporation | Charge pumping circuit |
US5672992A (en) * | 1995-04-11 | 1997-09-30 | International Rectifier Corporation | Charge pump circuit for high side switch |
US5962887A (en) * | 1996-06-18 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Metal-oxide-semiconductor capacitor |
US5877635A (en) * | 1997-03-07 | 1999-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Full-swing buffer circuit with charge pump |
-
1999
- 1999-04-07 DE DE19915644A patent/DE19915644C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-05 AT AT00107080T patent/ATE447788T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-04-05 EP EP00107080A patent/EP1073186B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-05 DE DE60043250T patent/DE60043250D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-06 JP JP2000104313A patent/JP2000333443A/ja not_active Abandoned
- 2000-04-07 US US09/545,552 patent/US6320456B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3030790C2 (de) * | 1979-02-16 | 1989-06-29 | At & T Technologies, Inc., New York, N.Y., Us |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SCHÖRLIN, Felix, MOS-Bauelemente in der Leistungselektronik, Franzis-Verlag, 1997, S. 84 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1073186A3 (de) | 2001-04-11 |
DE19915644C2 (de) | 2001-05-17 |
EP1073186B1 (de) | 2009-11-04 |
EP1073186A2 (de) | 2001-01-31 |
US6320456B1 (en) | 2001-11-20 |
JP2000333443A (ja) | 2000-11-30 |
DE60043250D1 (de) | 2009-12-17 |
ATE447788T1 (de) | 2009-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0126788B1 (de) | MOS-Bootstrap-Gegentaktstufe | |
DE112017002655B4 (de) | Integrierte Gate-Treiberschaltung zum Ansteuern eines Anreicherungs-GaN-Feldeffekttransistors | |
DE4131783C1 (de) | ||
DE102008049677B4 (de) | Spannungsversorgung in einer Schaltungsanordnung mit einem Halbleiterschaltelement | |
DE102015102878B4 (de) | Elektronische Ansteuerschaltung | |
DE2451362B2 (de) | Schaltungsanordnung zur automatischen rueckstellung von digitalen schaltkreisen | |
DE2525057A1 (de) | Spannungsvervielfacherschaltung | |
DE19613957A1 (de) | Spannungsseitiger Schalterkreis | |
DE102011087431A1 (de) | Anordnung und Verfahren zum Treiben eines Kaskodenschalters | |
DE102014202643A1 (de) | Halbleitervorrichtungs-Ansteuerschaltung und Halbleitervorrichtungs-Ansteuereinheit | |
DE3338206C2 (de) | ||
EP0494713B1 (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer höheren Gleichspannung | |
DE4325899C2 (de) | MOS-Schaltstufe | |
DE19915644C2 (de) | Ladungspumpe | |
DE102006030821A1 (de) | Schaltungsanordnung und Verfahren zum Ansteuern eines elektrischen Verbrauchers | |
DE10147882A1 (de) | Halbbrückenschaltung und Verfahren zu deren Ansteuerung | |
DE102004022800B4 (de) | MOSFET-Gate-Treiberschaltung | |
DE4312050A1 (de) | Ausgangsschaltung mit offener Drain | |
EP0902541B1 (de) | Pegelumsetzschaltung | |
DE19950022A1 (de) | Ansteuervorrichtung für einen Schalter zum elektronischen Schalten eines Verbrauchers | |
DE19950023A1 (de) | Ansteuervorrichtung für einen Schalter zum elektronischen Schalten eines Verbrauchers | |
EP3462615A1 (de) | Optimierte kaskodenstrukturen | |
DE10146168C2 (de) | Ansteuerschaltung für einen High-Side-Schalter | |
DE19725837C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Ansteuerung eines Halbleiterschalters | |
DE2936000A1 (de) | Schaltungsanordnung zur ableitung eines normiersignals. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20121101 |