DE19818019B4 - Mikrowellenschaltungsgehäuse - Google Patents

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Abstract

Mikrowellenschaltungsgehäuse mit folgenden Merkmalen:
einer Basisplatte (6, 8; 16, 18; 24; 58, 56; 102) mit einer metallischen oberen Ebene (6; 16; 24; 58; 102); und
einer Metallabdeckungsplatte (2; 14; 26 – 30; 64; 104, 106, 124, 122, 128, 130, 144, 142, 148, 150) mit einem in einer unteren Ebene derselben angeordneten Hohlraum (4; 15; 36, 38; 108, 110, 112, 114, 116, 118), wobei die untere Ebene der Metallabdeckungsplatte mit der metallischen oberen Ebene der Basisplatte durch eine Diffusionsverbindung verbunden ist, um eine eingebettete Wellenleiterstruktur (10; 20; 48; 32; 52) zu bilden.

Description

  • In Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen wird elektromagnetische Mikrowellenenergie oder einfacher ausgedrückt Mikrowellen, d. h. elektromagnetische Energiewellen mit sehr kurzen Wellenlängen im Bereich von 1 mm bis zu 30 cm, als Trägersignale zum Senden von Informationen von einem Ort zu einem anderen verwendet. Informationen, die durch Mikrowellen getragen werden, werden von Mikrowellenschaltungen übertragen, empfangen und verarbeitet.
  • Mikrowellenschaltungen erfordern eine hochfrequente elektrische Trennung zwischen Schaltungskomponenten und zwischen der Schaltung und der Welt außerhalb der Mikrowellenschaltung. Traditionell wurde diese Trennung erreicht, indem die Schaltung auf einer Unterlage aufgebaut wurde, woraufhin die Schaltung innerhalb eines Metallhohlraums plaziert wurde, welcher dann mit einer Metallplatte abgedeckt wurde. Der Metallhohlraum selbst wird typischerweise durch Fräsen oder ähnliches oder durch Gießen von Metallplatten und Verschrauben, Verschweißen oder Abdichten derselben unter Verwendung von Lötmittel oder Harz gebildet. Dieser Lösungsansatz leidet an mehreren Begrenzungen. Zuerst sind das Fräsen und ähnliche spanabhebende Bearbeitungsverfahren teuer. Das Gießen ist weniger teuer, dasselbe ist jedoch weniger genau, weshalb bei Metallhohlräumen, welche unter Verwendung des Gußverfahrens aufgebaut worden sind, die Tendenz besteht,, daß sie größere Abmessungen haben. Dies kann in parallelen Leckwegen um die Mikrowellenschaltungskomponente herum re sultieren, wenn die Abmessungen des Hohlraums derart sind, daß eine Ausbreitung von elektromagnetischer Energie in der Nähe der Betriebsfrequenz der Komponente möglich ist. Eine weitere Begrenzung bei den traditionellen Verfahren zum Bilden von Metallhohlräumen besteht darin, daß das Verfahren zum Abdichten der Metallabdeckung an dem Hohlraum in der Verwendung von leitfähigem Epoxidharz bestand. Das Epoxidharz liefert eine gute Abdichtung, dasselbe hat jedoch einen hohen Widerstand, wodurch der Verlust von Resonanzhohlräumen und ein Lecken von abgeschirmten Hohlräumen erhöht wird. Als Ergebnis erreichten die traditionellen Trennverfahren unter Verwendung eines abgeschirmten Hohlraums nicht die erwarteten Abschirmungstrennungserfolgsraten. Schließlich erfordern die traditionellen Verfahren zum Abschirmen von Mikrowellenschaltungskomponenten eine wesentliche Aufbauzeit. Demgemäß würde es wünschenswert sein, ein weniger aufwendiges Verfahren zum Einbetten von genau dimensionierten abgeschirmten Hohlräumen mit niedrigem Verlust in einem Mikrowellenschaltungsgehäuse zu haben, ohne daß zusätzliche Teile vorhanden sind, oder daß ein Zusammenbau erforderlich ist.
  • Signale breiten sich im allgemeinen über eine Mikrowellenschaltung unter Verwendung von Übertragungsleitungen und Wellenleitern aus, und dieselben werden durch Übertragungsleitungen und Wellenleiter geführt, wobei beide in der Technik bekannt sind. Übertragungsleitungen können viele Formen annehmen, beispielsweise Koaxialleitungen, Koplanarleitungen und Mikrostreifenübertragungsleitungen. Wellenleiter sind im allgemeinen hohl und liefern gegenüber anderen Formen von Übertragungsleitungen viele Vorteile, einschließlich eines einfacheren Hohlrohraufbaus, der keinen Innenleiter oder zugeordnete Träger erfordert, und dieselben zeigen üblicherweise einen geringen Verlust und eine geringe Wärmedissipationscharakteristik.
  • Wie es Fachleuten bekannt ist, breiten sich elektromagnetische Signale vollständig innerhalb eines Wellenleiters aus, wobei sie gemäß der Freiraumwellenlänge λ des Signals an der inneren Oberfläche reflektiert werden. Damit sich ein Signal innerhalb eines Wellenleiters ausbreiten kann, muß die Querschnittsbreite des Wellenleiters größer als λ/2 des dominanten Modus sein. Die Querschnittsbreite λc/2 des Wellenleiters bestimmt, welchen Wert die Grenzfrequenz oder Cutoff-Frequenz fc annimmt, wobei λc die Wellenlänge ist, die der Grenzfrequenz fc zugeordnet ist. Wenn die Freiraumwellenlänge λ lang ist, entspricht dies einer geringen Frequenz, welche in der Nähe der λc/2-Abmessung des Wellenleiters kommt. Wenn die Querschnittsbreite des Wellenleiters λc/2 kleiner als λ/2 ist, kann sich das Signal nicht im Wellenleiter ausbreiten, wodurch der Wellenleiter als Hochpaßfilter wirkt, derart, daß er alle Frequenzen über der kritischen oder Cutoff-Frequenz fc leitet.
  • Resonanzhohlräume können verwendet werden, um Mikrowellenfilter zu bauen. Ein Resonanzhohlraum ist eine dielektrische Region, die vollständig durch leitende Wände umgeben ist. Dieselbe ist in der Lage, Energie zu speichern, und sie ist analog zu einer Niederfrequenz-LC-Resonanzschaltung betrachtbar. Der Resonanzhohlraum ist ein wesentlicher Teil der meisten Mikrowellenschaltungen und Systeme. Jeder umschlossene Hohlraum mit einer stark leitenden Grenze kann in einer unbegrenzten Frequenz von Resonanzmoden erregt werden. Die Frequenzen, bei denen die Resonanz auftritt, hängen von der Form und Größe des umschlossenen Hohlraums ab. Wenn ein Resonanzhohlraum entlang einer Übertragungsleitung plaziert ist, wird Energie in den Hohlraum bei Resonanz gekoppelt, und dieselbe wird bei anderen Frequenzen reflektiert. Eine Kombination von Resonanzhohlräumen in Serie mit Übertragungsleitungs-Eingangs- und -Ausgangs-Kopplern kann hergestellt werden, um fast jede erwünschte Filterart oder jedes erwünschte Ansprechen zu schaffen.
  • Wie bei den vorher beschriebenen Abschirmungshohlräumen werden Wellenleiterstrukturen und Resonanzhohlräume traditionell durch Fräsen oder Gießen von Metallteilen und dann durch Verschrauben, Schweißen, Löten oder unter Verwendung von Epoxidharz, um dieselben aneinander zu befestigen, hergestellt. Dieses Verfahren ist sowohl bezüglich der Zeit als auch des Aufwands zum Bilden jedes Teils und ebenfalls bezüglich der Zusammenbauzeit, die erforderlich ist, um die einzelnen Teile zusammenzusetzen, teuer.
  • Aus der US 5,381,596 ist ein Wellenleiter für Mikrowellen bekannt, der aus mehreren Schichten besteht, die miteinander verbunden sind. Die Schichten bestehen aus dielektrischem Material, welches mit einem leitenden Material beschichtet ist. Zur Herstellung dieser Wellenleiterstruktur wird ein Hohlraum in einer dielektrischen Schicht gebildet. Schichten von dielektrischem Material und Schichten von elektrisch leitfähigem Material werden aufeinander aufgebracht. Die Wände des Hohlraums werden mit einem elektrisch leitfähigem Material platiert. Dies erfolgt durch eine stromlos wirkende Kupferplatierungslösung, so daß eine Öffnung erforderlich ist, durch die diese Lösung eingebracht werden kann. Somit ist eine Anwendung dieser Technik auf interne Wellenleiter und Resonanzhohlräume, d.h. auf Strukturen mit einer Signalübertragung innerhalb der eingebetteten Wellenleiterstruktur ohne externe Übertragung hier nicht möglich.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Mikrowellenschaltungsgehäuse der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß ein unerwünschter Austritt elektromagnetischer Energie verhindert wird und dennoch eine einfache Herstellbarkeit des Mikrowellenschaltungsgehäuses erreicht wird. Diese Aufgabe wird durch ein Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß Anspruch 1 gelöst.
  • Die vorliegende Erfindung liefert eine elegante Lösung für die oben erwähnten Begrenzungen im Stand der Technik mit einer neuartigen preisgünstigen Technik zum Herstellen von eingebetteten Wellenleiterstrukturen mit niedrigem Verlust in Mikrowellenschaltungsgehäusen, ohne daß die Herstellung und der Zusammenbau einer Vielzahl von Komponententeilen nötig sind. Die Technik der Erfindung kann verwendet werden, um sowohl Ausbreitungs- als auch Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiter mit genauen Abmessungen zu bauen. Bei einem Ausführungsbeispiel wird ein gekerbter Hohlraum in der Bodenebene einer Metallabdeckungsplatte gebildet. Die Bodenebene der Abdeckungsplatte wird dann mit einer Metallbasisplatte fusioniert, vorzugsweise unter Verwendung einer Direktfusionstechnik, wie z. B. Diffusionsverbinden, oder alternativ durch Löten oder unter Verwendung eines stark leitfähigen Klebstoffs. Ein eingebetteter abgeschirmter Hohlraum wird gebildet, wenn die Abdeckungsplatte und die Basisplatte zusammenkommen, d. h. zu dem Zeitpunkt, zu dem die Platten laminiert werden. Die Fusionstechnik ist vorzugsweise eine Form einer Direktfusion, wie z. B. Diffusionsverbinden, welches eine Direktverbindungstechnik bei hoher Temperatur und hohem Druck ist. Das Fusionsmaterial muß ein stark leitfähiges Material sein, damit sichergestellt ist, daß der Hohlraum, der durch Fusionieren der Abdeckung mit der Masse ebene gebildet wird, einen niedrigen Verlust hat. Die eingebettete Wellenleiterstruktur, die unter Verwendung des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung gebildet wird, kann verwendet werden, um einen Mikroschaltungskomponente-zu-Wellenleiter-Übergang zu bilden. Dies wird erreicht, indem eine Drahtverbindungsschleife oder Bonddrahtschleife, die an einer Mikroschaltungskomponente innerhalb des Mikrowellenschaltungsgehäuses angebracht ist, zu einer Wand der eingebetteten Wellenleiterstruktur erweitert wird. Die Drahtverbindungsschleife, die auf diese Art und Weise gebildet ist, koppelt die Energie von der Mikroschaltungskomponente in die eingebettete Wellenleiterstruktur und umgekehrt. Dieser Drahtverbindungsübergang kann gleichzeitig mit dem normalen Zusammenbauverbinden durchgeführt werden, und es ist kein zusätzlicher Herstellungsschritt erforderlich. Zusätzlich kann die vorliegende Erfindung verwendet werden, um eine Interner-Wellenleiter-Zu-Externer-Wellenleiter-Komponentenverbindung herzustellen. Dies wird erreicht, indem ein Fenster gebildet wird, das die Abmessungen einer Aufnahmeöffnung einer externen Wellenleiterkomponente in dem Dach, dem Boden oder einer Wand der eingebetteten Wellenleiterstruktur hat, und das sich von dem Inneren der eingebetteten Wellenleiterstruktur durch dieselbe zu dem Äußeren des Mikrowellenschaltungsgehäuses erstreckt. Das Fenster wirkt als Tor für eine externe Wellenleiterkomponente. Externe Wellenleiterkomponenten können an dem Mikrowellenschaltungsgehäuse an einer Position verschraubt oder unter Verwendung von stark leitfähigem Material fusioniert werden, wo die Aufnahmeöffnung der externen Wellenleiterkomponente und das Fenster ausgerichtet sind.
  • Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel sind eines oder mehrere Fenster in einer oder mehreren Metallaminatplatten unter Verwendung eines Stanz- oder Stempel-Verfahrens gebildet. Jede Metallaminatplatte kann aus ähnlichen oder unterschiedlichen Fensterstrukturen gebildet sein. Jede Metallaminatplatte, wenn mehr als eine existiert, wird dann mit einer anderen mit stark leitfähigem Material fusioniert, und zwar eine auf der anderen, und vorzugsweise unter Verwendung einer Direktfusionstechnik, wie z. B. Diffusionsverbinden, d. h. Diffusionsbonden. Fenster in aufeinanderfolgenden Metallaminatplatten können sich überlappen oder nicht, je nach dem erwünschten Wellenleiterstrukturweg, wie er durch die gestanzten Strukturen in jeder der verschiedenen aufeinanderfolgenden Metallaminatplatten bestimmt ist. Komplexe Wellenleiterstrukturen können entwickelt werden, um jede Richtung oder Form zu haben, unabhängig davon, ob der Weg parallel zu der Ebene einer gegebenen Metallaminatplatte oder durch eine oder mehrere Metallaminatplatten läuft, indem die Form und Ausrichtungsposition der gestanzten Strukturen in jeder der aufeinanderfolgenden Metallaminatplatten sorgfältig entworfen werden. Zusätzlich kann eine Drahtbondschleife, die mit einer Mikroschaltungskomponente gekoppelt ist, die sich innerhalb der fusionierten Metallaminatplatten befindet, zu einer eingebetteten Wellenleiterstruktur hin erweitert werden, um einen Mikroschaltungs-zu-Wellenleiter-Übergang zu bilden. Ebenfalls können eines oder mehrere Fenster, die an die Abmessungen einer Aufnahmeöffnung von externen Wellenleiterkomponenten angepaßt sind, gebildet werden, um sich von innerhalb einer eingebetteten Wellenleiterstruktur nach außen bezüglich der fusionierten Metalllaminatplatten zu erstrecken, um eine Interner-Wellenleiter-zu-externer-Wellenleiter-Komponentenverbindung zu bilden. Eine externe Wellenleiterkomponente kann dann unter Verwendung von stark leitfähigem Material mit der fusionierten Metallaminatplatte an einer Position verschraubt oder fusioniert werden, wo die Aufnahmeöffnung der externen Wellenleiterkomponente und das Fenster ausgerichtet sind.
  • Die Technik der vorliegenden Erfindung erlaubt, daß eine eingebettete Wellenleiterstruktur gebildet wird, da das Keramiksubstrat zusammen mit dem Metallaminat kommt. Keine einzelnen Wellenleiterstrukturteile müssen hergestellt und dann zusammengebaut werden. Statt dessen werden die eingebetteten Wellenleiterstrukturen gebildet, während das Keramiksubstrat an das Metallaminat hartgelötet wird.
  • Die Technik der vorliegenden Erfindung kann für mehrere wichtige Zwecke verwendet werden. Zuerst können Wellenleiterstrukturen innerhalb der fusionierten Metallaminatschichten gebildet werden, um als Übertragungsleitungen zu arbeiten, damit sich Signale ausbreiten können. Zweitens können Wellenleiterstrukturen entwickelt werden, die eine außerordentlich hohe Grenzfrequenz haben, und die um Mikroschaltungskomponenten herum, welche quasi-koplanare Mikrostreifenübertragungsleitungen umfassen, gebildet werden, um eine Ausbreitung von elektromagnetischer Energie unterhalb der Grenzfrequenz zu unterbinden, und um dadurch ein Parallelwegleck um die Mikroschaltungskomponenten herum wesentlich zu reduzieren. Zusätzlich können die Techniken der vorliegenden Erfindung verwendet werden, um einen preisgünstigen, kompakten, effizienten Mikroschaltungskomponenten-zu-Wellenleiter-Drahtverbindungsübergang zu implementieren. Die vorliegende Erfindung kann ebenfalls verwendet werden, um einen periskopartigen Wellenleiter in einem Mikroschaltungsgehäuse zu implementieren.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen detailliert erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer eingebetteten Wellenleiterstruktur, die durch Fusionieren einer Metallabdeckung mit einem eingekerbten Hohlraum in sich mit einer Metallbasisplatte gebildet ist, für ein Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine Zusammenbauansicht der eingebetteten Wellenleiterstruktur von 1;
  • 3 eine Querschnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels einer eingebetteten Wellenleiterstruk tur, die unter Verwendung eines Stempel-und-Schicht-Verfahrens gebildet wurde, für ein Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 4 eine Zusammenbauansicht der eingebetteten Wellenleiterstruktur von 3;
  • 5 eine Zusammenbauansicht eines Mehrschichtlaminat-Mikrowellenschaltungsgehäuses, welche darstellt, wie die Technik der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, um nicht-planare, "periskop"-artige eingebettete Wellenleiterstrukturen aufzubauen;
  • 6 eine Querschnittsansicht des Mikrowellenschaltungsgehäuses von 5;
  • 7 eine Ansicht von oben des Mikrowellenschaltungsgehäuses der 5 und 6;
  • 8 eine Zusammenbauansicht einer alternativen Beispielkonfiguration, die verwendet wird, um einen anderen Wellenleiterweg und mehr Metallaminatplatten darzustellen;
  • 9 eine Zusammenbauansicht einer alternativen Beispielkonfiguration, die verwendet wird, um einen anderen Wellenleiterweg und mehr Metallaminatplatten darzustellen;
  • 10 eine perspektivische Ansicht eines Mikrostreifenzu-Wellenleiter-Übergangs;
  • 11 eine Seitenansicht des Mikrostreifen-zu-Wellenleiter-Übergangs von 10;
  • 12 eine Ansicht von oben des Mikrostreifen-zu-Wellen leiter-Übergangs der 10 und 11;
  • 13 eine Querschnittansicht einer beispielhaften Nicht-Ausbreitungs-Wellenleitungsstruktur, die in einem Mikrowellenschaltungsgehäuse gebildet ist, welches verwendet wird, um eine Mikrostreifenübertragungsleitung abzuschirmen;
  • 14 eine Ansicht von oben eines Mikrowellenschaltungsgehäuses, wobei alle Schichten gezeigt sind, und wobei ein Mikrowellensystem dargestellt ist, in dem das Mikrowellenschaltungsgehäuse implementiert ist, welches jedes der Merkmale verwendet, die durch die Techniken der vorliegenden Erfindung geliefert werden; und
  • 15 eine Zusammenbauansicht des Mikrowellenschaltungsgehäuses von 14.
  • 1 ist eine Querschnittansicht eines Ausführungsbeispiels einer eingebetteten Wellenleiterstruktur 10 für ein Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung. Eine abgeschirmte Abdeckung 2, die mit einem sehr stark leitenden Material plattiert ist, wie z. B. Gold, Silber oder Kupfer, hat einen gekerbten Hohlraum 4, der in ihrer Bodenplatte gebildet ist. Der eingekerbte Hohlraum 4 kann durch Fräsen, Gießen, Prägen oder eine andere Einrichtung erreicht werden. Der eingekerbte Hohlraum ist aufgebaut, um eine Breitenabmessung größer als λc/2 zu haben, wobei λc die Wellenlänge der niedrigsten Frequenz ist, die durch den Wellenleiter übertragen werden soll. Die λc/2-Abmessung ist wichtig, da jede elektromagnetische Energie mit einer Frequenz unter der Grenzfrequenz fc nicht ausgebreitet wird. Die untere Ebene der abgeschirmten Abdeckung 2 ist mit der Oberseite einer stark leitfähigen Metallbasisplatte 6 fusioniert oder laminiert, und dieselbe besteht vorzugsweise aus Gold oder Silber oder ist mit den genannten Materialien plattiert. Die Abschirmungsabdeckung 2 und die Basisplatte 6 werden vorzugsweise unter Verwendung einer Direktfusionstechnik, wie z. B. Diffusionsverbinden, das nachfolgend beschrieben wird, fusioniert. Die untere Ebene der Basisplatte 6 haftet über einen Klebstoff, wie z. B. leitfähiges Epoxidharz, an einem keramischen oder organischen Laminatsubstrat 8 (z. B. einer gedruckten Schaltungsplatine). 2 ist eine perspektivische Ansicht der Abschirmungsabdeckung 2 mit dem gekerbten Hohlraum 4, der Basisplatte 6 und des Substrats 8, wobei der Zusammenbau der integrierten Wellenleiterstruktur dargestellt ist.
  • Bezüglich seiner Verwendung in dieser Anmeldung soll der Ausdruck "fusioniert" vorzugsweise eine Form einer Direktfusionierung, wie z. B. Diffusionsverbinden oder Diffusionsbonden, ansprechen. Das Diffusionsverbinden ist ein Direktverbindungsverfahren bei hoher Temperatur und hohem Druck. Das Diffusionsverbinden kann erreicht werden, indem zwei Metalloberflächen unter Verwendung von hohem Druck bei einer Temperatur von etwa 3/4 der Schmelztemperatur des Metalls für eine gewisse Zeitdauer lang aneinander gepresst werden. In dieser Zeitdauer diffundieren die Metallmoleküle an der Grenzflächenoberfläche zusammen, derart, daß die zwei Metallstücke eines werden. Zwei Kupferplatten können beispielsweise durch Plazieren derselben aufeinander in einer Heißpresse bei ungefähr 850°C (Kupfer schmilzt bei 1.083,4°C) und unter Anlegen eines Drucks von 8,274·106 N/m2 (1.200 lbs pro Quadratzoll) etwa eine Stunde lang diffusionsverbunden werden. Beim Diffusionsverbinden schmelzen die Metallplatten nicht richtig. Statt dessen wird das Metall weich und die Moleküle an der Grenzfläche werden nahe genug aneinandergebracht, und zwar mit genug Energie, um eine feste Molekularverbindung zu bilden. Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Diffusionsverbinden erreicht, indem die Metallplatten mit einer Schicht Silber in einer Dicke von 2,54 mm bis 3,81 mm (100 bis 150 Mikrozoll) beschichtet werden, was die höchste elektrische Leitfähigkeit aller Metalle hat, woraufhin etwa eine Schicht in einer Dicke von 0,889 mm bis 1,27 mm (35 bis 50 Mikrozoll) aus Zinn auf einer der Oberflächen aufgebracht wird, die miteinander verbunden werden sollen. Die Silber-Zinn-Kombination bildet ein Eutektikum, derart, daß trotz eines normalen Schmelzpunkts von Silber bei 961,93°C, dasselbe in der Silber-Zinn-Kombination zusammen mit dem Zinn bei etwa 220°C schmilzt. Dies stellt einen Herstellungsvorteil darin dar, daß die Metallplatten bei einer relativ niedrigen Temperatur von etwa 300°C verbunden werden können, wodurch Herstellungskosten reduziert werden, da weniger Energie erforderlich ist, um die Aufheizung zu erreichen, wodurch ferner der Herstellungsdurchsatz aufgrund der reduzierten Zeit erhöht werden kann, welche erforderlich ist, damit die Teile abkühlen. Ferner wird die hohe Leitfähigkeit von Silber nahezu erreicht, da während des Diffusionsverbindungsverfahrens das Zinn in die Silberschicht diffundiert, derart, daß nur ein kleiner Prozentsatz an Zinn an der Oberfläche mit dem Silber gemischt wird.
  • 3 ist eine Querschnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispiels einer eingebetteten Wellenleiterstruktur 20 für ein Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß der vorliegenden. Erfindung. Eine abgeschirmte Abdeckung 12, die aus einem stark leitfähigen Material, wie z. B. Gold oder Kupfer, hergestellt ist, oder mit einem solchen Material plattiert ist, wird auf eine obere Ebene einer Metallaminatplatte 14 fusioniert oder laminiert. Ein offenes Fenster 15 ist in der Metallaminatplatte 14 angeordnet, um einen Durchgang zwischen der oberen und unteren Ebene der Metallaminatplatte 14 zu erzeugen. Das Fenster 15 kann unter Verwendung von Techniken, wie z. B. Formen, Stanzen, Gravieren oder durch andere Mittel gebildet werden. Das Fenster 15 ist derart aufgebaut, daß die Querschnittsbreitenabmessung der Wellenleiterstruktur, die darin gebildet ist, größer als λc/2 ist, wobei λc die Wellenlänge einer erwünschten Grenzfrequenz fc ist. Die Querschnittsbreitenabmessung kann die Länge oder Breite des Fensters sein, oder dieselbe kann die Dicke der Metallaminatplatte sein, die die Wände der eingebetteten Wellenleiterstruktur bildet. Die untere Ebene der Metallaminatplatte 14 ist oben auf eine Metallbasisplatte 16 fusioniert oder laminiert, und zwar vorzugsweise unter Verwendung der vorher beschriebenen Diffusionsverbindungstechnik. Die untere Ebene der Basisplatte 16 wird dann mit einem Substrat 18 in Verbindung gebracht. Aufgrund der Differenzen der thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Metall und Keramik wird die Metallbasisplatte 16 vorzugsweise unter Verwendung eines Klebstoffs, wie z. B. eines Epoxidharzes, mit dem Keramiksubstrat 18 in Verbindung gebracht. 4 ist eine perspektivische Ansicht der abgeschirmten Abdeckung 12, der Metalllaminatplatte 14, der Basisplatte 16 und des Substrats 18, wobei der Zusammenbau der integrierten Wellenleiterstruktur schematisch veranschaulicht ist.
  • Bei beiden in den 1 bis 4 gezeigten Ausführungsbeispielen müssen die Basisplatten, die abgeschirmten Abdeckungen, die Metallaminatplatten und, wenn verwendet, das Klebstoffmaterial (d. h. Lötmittel, Epoxidharz, usw.) ein stark leitfähiges Material aufweisen. Das ausgewählte Material muß bei den Frequenzen der elektromagnetischen Energie leitfähig sein, die sich ausbreiten soll, oder bei der eine Trennung herbeigeführt werden soll, oder es wird ein Leck auftreten.
  • Die Verwendungsmöglichkeiten der eingebetteten Wellenleiterstruktur der vorliegenden Erfindung sind vielfältig. Diese eingebetteten Wellenleiterstrukturen sind stark leitfähige Hohlräume, die innerhalb eines Mikrowellenschaltungsgehäuses gebildet sind, wobei dieselben als Wellenleiterübertragungsleitungen, Abschirmungshohlräume für Mikroschaltungskomponenten und Mikrostreifenübertragungsleitungen und als Reso nanzhohlräume zur Verwendung beim Paßband- und Stoppband-Filtern verwendet werden können. Ein neuartiger Mikroschaltungs-zu-Wellenleiter-Übergang kann ebenfalls unter Verwendung der eingebetteten Wellenleiterstruktur der vorliegenden Erfindung gebildet werden, wobei ferner auch ein gewinkelter Wellenleiter oder ein Wellenleiter vom "Periskop"-Typ hergestellt werden können. Eine Kombination unterschiedlicher eingebetteter Wellenleiterstrukturen, die für unterschiedliche Zwecke gebildet sind, kann ebenfalls hergestellt werden. Es ist ferner offensichtlich, daß jede komplexe Struktur innerhalb eines Mikrowellenschaltungsgehäuses zu dem Zeitpunkt gebildet werden kann, zu dem die Metallabdeckung und/oder die Metallaminatplatten und/oder die Metallbasisplatte zusammenfusioniert werden.
  • In seiner grundsätzlichen Verwendung kann die eingebettete Wellenleiterstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung als Wellenleiter verwendet werden, d. h. um elektromagnetische Energie über das Mikrowellensystem, das in dem Mikrowellenschaltungsgehäuse enthalten ist, zu führen bzw. ausbreiten zu lassen. Wenn die eingebettete Wellenleiterstruktur als Wellenleiterfilter verwendet werden soll, wird eine höhere Präzision benötigt um sicherzustellen, daß die Resonanzhohlräume bei der korrekten Frequenz sind. Demgemäß ist das Stanzen-und-Schichtungsverfahren, das genauer als das Formen bzw. Gießen ist und das preisgünstiger als eine spanabhebende Bearbeitung ist, das bevorzugte Verfahren zum Aufbauen einer solchen Struktur.
  • Zusätzlich erlaubt das Stanzen-und-Schichten-Verfahren, daß die Wellenleiterstruktur die Form einer nicht-planaren Struktur annimmt, wenn mehr als eine Zwischenmetallplanarschicht verwendet wird. 5 ist eine Zusammenbauansicht eines Vielschichtlaminatmikrowellenschaltungsgehäuses 34, das darstellt, wie die Technik der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, um komplexe Wellenleiterstrukturen in jeder Richtung aufzubauen, wie z. B. eine nicht-planare eingebettete Wellenleiterstruktur vom "Periskop"-Typ. Wie es in
  • 5 gezeigt ist, umfaßt das Vielschichtlaminatmikrowehlenschaltungsgehäuse 34 eine Mehrzahl von Metallaminatplatten 26, 28. Jede Metallaminatplatte 26, 28 kann eines oder mehrere Fenster umfassen, welche einen Durchgang zwischen der oberen und der unteren Ebene der jeweiligen Metallaminatplatte bilden. Um einen nicht-planarn Wellenleiter vom "Periskop"-Typ aufzubauen, wird eine Metallaminatplatte gebildet, um ein Fenster zu haben, das zum Zeitpunkt der Fusion mit zumindest einem Abschnitt eines Fensters einer folgenden Metallaminatplatte ausgerichtet ist. Somit wird in 5 eine Basisplatte 24 mit der unteren Ebene einer Metallaminatplatte 26 fusioniert, um die erste Schicht bzw. den Boden des periskopartigen Wellenleiters zu bilden. Die Metallaminatplatte 26 ist mit einem offenen Fenster 36 gebildet. Das Fenster 36 kann wie gezeigt in einer rechtwinkligen Biegung geformt sein, oder dasselbe kann in irgendeiner anderen geeigneten Form gebildet sein, wie es für das spezielle entworfene Mikrowellensystem erwünscht ist. Die Gestalt des Fensters 36 kann beispielsweise ein Rechteck oder eine rechtwinklige Biegung sein, die zum direkten Durchkoppeln von einer Laminatplattenschicht zu einer anderen verwendet wird, oder dieselbe kann kreisförmig, oval, dreieckig oder irgendeine andere Form annehmen, um eine Öffnung zum Koppeln von Signalen von einem Hohlraum in einer oberen Schicht zu einem Hohlraum in einer darunterliegenden Schicht oder umgekehrt zu bilden. Wie es ebenfalls in 5 gezeigt ist, ist die aufeinanderfolgende Metallaminatplatte 28 mit einem offenen Fenster 38 gebildet, das wieder eine beliebige erwünschte Form aufweist, die für die vorliegende Anwendung geeignet ist, und zwar an einer Position, derart, daß, wenn die untere Ebene der Metallaminatplatte 28 mit der oberen Ebene der Metallaminatplatte 26 ausgerichtet und fusioniert ist, ein Abschnitt des Fensters 36 einen Abschnitt des Fensters 38 überlappt. Die Ausrichtung wird üblicherweise erreicht, indem Herstellungslöcher durch die Laminatplatten gebildet werden, und indem Führungsstifte durch die Herstellungslöcher über die Laminierungspresse eingeführt werden. Der Nicht-Fenster-Abschnitt der Metallaminatplatte 26, der das Fenster 38 der aufeinanderfolgenden Metallaminatplatte 28 überlappt, bildet die zweite Schicht bzw. das zweite "Stockwerk" des Wellenleiters, wenn die Metallaminatplatten 26 und 28 zusammenfusioniert werden. Auf ähnliche Art und Weise bildet der Nicht-Fenster-Abschnitt der Metalllaminatplatte 28, der das Fenster 36 der aufeinanderfolgenden Metallaminatplatte 26 überlappt, die erste Schicht des Dachs des periskopartigen Wellenleiters, wenn die Metallaminatplatten 26 und 28 korrekt ausgerichtet und zusammenfusioniert werden. Eine abgeschirmte Abdeckung 30 wird auf die obere Ebene der Metallaminatplatte 28 fusioniert, um die zweite Schicht des Dachs des eingebetteten periskopartigen Wellenleiters zu bilden. Ein Fenster 31 mit den Abmessungen eines Aufnahmeendes 33 einer externen Wellenleiterkomponente 35 kann in der abgeschirmten Abdeckung 30 an einer Ausrichtungsposition zu dem Fenster 38 in der Metallaminatplatte 28 gebildet werden, um es zu ermöglichen, daß eine externe Wellenleiterkomponente 35 mit der oberen Ebene der abgeschirmten Abdeckung 30 verschraubt oder fusioniert werden kann, um dadurch den Bedarf nach einem teuren und sperrigen Mikrowellengehäuse-zu-externe-Wellenleiterkomponente-Adapter überflüssig zu machen. Die externe Wellenleiterkomponente 35 kann ein Wellenleiter, eine Antenne, ein Horn oder irgendeine andere Wellenleitersystemkomponente sein. Wieder muß jede Schicht aus einem Material gebildet sein, derart, daß, wenn sie zusammenfusioniert sind, jede interne Oberfläche des eingebetteten Wellenleiters, einschließlich des Epoxidharzes oder des Lötmittels, stark leitfähig ist. 6 ist eine Querschnittansicht des Mikrowellenschaltungsgehäuses 34 von 5, wobei die nicht-planare eingebettete Wellenleiterstruktur vom Periskoptyp 32 unter Verwendung der Technik der vorliegenden Erfindung gebildet ist. 7 ist eine perspektivische Ansicht von oben des Mikrowellenschaltungsgehäuses 34 der 5 und 6, welches das Substrat 22, die Metallbasisplatte 24, die Metallaminatplatten 26, 28 und die abgeschirmte Abdeckung 30 in einem zusammenfusionierten Zustand darstellt. 7 stellt ebenfalls das Fenster 31 dar, das in der abgeschirmten Abdeckung 30 gebildet ist, welche Abmessungen hat, die an das Aufnahmeende 33 einer externen Wellenleiterkomponente 35 angepaßt ist. Die externe Wellenleiterkomponente 35 kann direkt an dem Mikrowellenschaltungsgehäuse 34 durch Schrauben, Löten oder eine Direktfusion angebracht werden, wobei die Öffnung der externen Standardwellenleiterkomponente mit dem Fenster 31 in der abgeschirmten Abdeckung 30 ausgerichtet ist.
  • Es sei darauf hingewiesen, daß die Anzahl von Metallaminatplatten, die verwendet werden, um die Anzahl von unterschiedlichen Wellenleiterstrukturen, die unter Verwendung der Technik der vorliegenden Erfindung gebildet werden, groß sind und von einer Mikrowellenschaltungsgehäuseanwendung und von einem Mikrowellenschaltungsentwurf zu einem anderen variieren werden. Die Gestalt und Form der Wellenleiterstruktur hängt nur von den Formen, Richtungen und Größen der Fenster ab, die die Fensterstruktur in jeder Metallaminatschicht, in der Metallbasisplatte und der abgeschirmten Abdeckung bilden. Die 8 und 9 zeigen alternative Beispielkonfigurationen, um unterschiedliche Wellenleiterwege und Mehrmetallaminatplatten darzustellen. Die Technik der vorliegenden Erfindung kann erweitert werden, um einen beliebigen komplexen Wellenleiterweg zu bauen, wobei die hierin gezeigten Ausführungsbeispiele nicht als Begrenzung aufgefaßt werden sollen.
  • Die vorliegende Erfindung kann ebenfalls verwendet werden, um einen neuartigen Mikroschaltungskomponenten-zu-Wellenleiter-Übergang zu bauen. 10 ist eine perspektivische Ansicht des Abschnitts eines Mikrowellenschaltungsgehäuses 40, in dem ein Übergang von einer Mikroschaltungskomponente zu einem Wellenleiter aufgebaut ist, wobei die Mikroschaltungskomponente eine quasi-koplanare Mikrostreifenübertragungsleitung ist, die hierin als Mikrostreifen bezeichnet wird. Wie es in 10 gezeigt ist, umfaßt ein Mikrowellenschaltungsgehäuse 40 einen Mikrostreifen 42. Der Mikrostreifen 42 wird folgendermaßen gebildet. Eine Masseebene wird auf ein Substrat gedruckt oder fusioniert, um eine Basisplatte 43 zu bauen. Eine genau gesteuerte (bezüglich der Dicke und der dielektrischen Konstante) dielektrische Schicht 45 wird dann oben auf die Basisplatte 43 aufgebracht. Schließlich wird ein Leiter 44 auf die Oberseite des Dielektrikums 45 aufgebracht, um den Mikrostreifen zu bilden. Wie es in 10 gezeigt ist, ist eine Drahtverbindungsschleife bzw. Bondschleife 46 über ein Lötmittel oder andere geeignete Mittel an dem Leiter 44 des Mikrostreifens 42 angebracht. Eine Wellenleiterstruktur 48 ist in dem Mikrowellenschaltungsgehäuse 40 gebildet und derart positioniert, daß die Drahtverbindungsschleife 46 sich in ein Ende der Wellenleiterstruktur 48 erstreckt. Flußverbindungen, die die Drahtverbindungsschleife 46 umgeben, koppeln das Übertragungssignal, das von dem Mikrostreifen 42 übertragen wird, zu der Wellenleiterübertragungsleitung 48. 11 zeigt eine Seitenansicht des Übergangs von dem Mikrostreifen zu dem Wellenleiter gemäß der vorliegenden Erfindung. 12 zeigt eine Ansicht von oben des Mikrostreifen-zu-Wellenleiter-Übergangs. Wie es vorher erwähnt wurde, kann die Wellenleiterstruktur 48 gebildet werden, um eine externe Öffnung 47 zu haben. In 12 ist die externe Öffnung 47 in der Mikrowellenschaltungsgehäuseabdeckung gebildet, mit der eine externe Wellenleiterkomponente direkt ausgerichtet und verbunden werden soll. Für Fachleute ist es offensichtlich, daß die gleichen Prinzipien verwendet werden können, um ein Mikrowellensignal von irgendeiner anderen Mikroschaltungskomponente in eine Wellenleiterstruktur zu koppeln. Somit kann ein preisgünstiger, kompakter und direkter Übergang von einer Mikroschaltungskomponente zu einem Wellenleiter unter Verwendung der erfindungsgemäßen Techniken gebaut werden. Für Fachleute ist es ebenfalls offensichtlich, daß der Übergang von der Mikroschaltungskomponente zu dem Wellenleiter verwendet werden kann, um ein Mikrowellensignal von einer externen Mikrowellenkomponente, wie z. B. einer Antenne oder einem externen Wellenleiter, in eine eingebettete Wellenleiterstruktur und dann in eine Mikroschaltungskomponente zu koppeln, die innerhalb des Mikrowellenschaltungsgehäuses sitzt.
  • Es wurde früher erwähnt, daß die Technik gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, um eine Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstruktur zu bilden, um eine hohe Trennung zwischen Mikrowellenschaltungskomponenten, Mikrowellensignalwegen und Mikrowellenschaltungskomponenten/Signalwegen und der Welt außerhalb des Mikrowellenschaltungsgehäuses zu schaffen. Diese Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstrukturen können eine Mikrowellenschaltungskomponente häusen, wie z. B. eine Mikroschaltung oder eine Mikrostreifenübertragungsleitung, und dieselben können mit einer außerordentlich hohen Grenzfrequenz fc entworfen sein, derart, daß bei Frequenzen unter fc keine elektromagnetische Energie in der Wellenleiterstruktur ausbreitungsfähig ist. Diese Technik kann verwendet werden, um Parallellecks um eine Mikroschaltungskomponente wesentlich zu reduzieren, indem sichergestellt wird, daß die gesamte elektromagnetische Energie innerhalb der eingebetteten Wellenleiterstruktur durch die Mikrowellenschaltungskomponente läuft. Somit wird durch Plazieren unterschiedlicher Mikrostreifenübertragungsleitungen oder irgendwelcher Mikroschaltungen in unterschiedlichen Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstrukturen eine herausragende Hochfrequenztrennung zwischen den Leitungen und den Schaltungen sowie zwischen den Leitungen und Schaltungen und der bezüglich des Mikrowellenschaltungsgehäuses äußeren Welt erreicht.
  • 13 zeigt eine Querschnittansicht eines Beispiels für eine Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstruktur 52, die in einem Mikrowellenschaltungsgehäuse 50 gebildet ist. Wie es in 13 gezeigt ist, wird die Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstruktur 52 verwendet, um eine Hochfrequenztrennung zwischen einem Mikrostreifen 54 und anderen Komponenten innerhalb und außerhalb des Mikrowellenschaltungsgehäuses 50 zu schaffen. Der Mikrostreifen umfaßt einen leitfähigen Metallstreifen 62, der oben auf einem gleichmäßig gesteuerten Dielektrikum 60 aufgebracht ist, das wiederum auf einer Metallmasseebene 58 aufgebracht ist, welche oben auf einem Substrat 56 gedruckt oder abgeschieden ist. In 13 ist die Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstruktur 52 unter Verwendung eines eingekerbten Hohlraums in der abgeschirmten Abdeckung 64 gebildet. Die Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstruktur kann jedoch auch unter Verwendung des Stanzen-und-Schichten-Verfahrens, das bereits beschrieben wurde, gebildet werden. In 13 wird jede Schicht vorzugsweise unter Verwendung des vorher beschriebenen Diffusionsverbindungsverfahrens zusammenfusioniert. Die Breite und Höhe der Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstruktur 52 ist sehr klein (z. B. in der Größenordnung von 1 bis 2 mm), um eine außerordentlich hohe Grenzfrequenz sicherzustellen (z. B. eine Wellenleiterquerschnittsbreite von a = 3 mm hat eine Grenzfrequenz fc = c/2a = (3 × 1011 m/s) / (2a m) = 50 GHz, wobei c die Lichtgeschwindigkeit ist).
  • Die Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstruktur schafft ferner einen weiteren Vorteil gegenüber bekannten Trennungs- bzw. Isolationstechniken. Wenn üblicherweise eine Hochfrequenztrennung erwünscht ist, ist die Mikroschaltung in einem stark leitfähigen Hohlraum untergebracht. Diese Technik war jedoch nicht besonders effektiv, da die Hohlräume durch Verschrauben von Metallblättern in einer kastenartigen Struktur und unter Verwendung eines stark resistiven Epoxidharzes, um die Abdeckung abzudichten, gebildet wurden. Die Verwendung eines stark resistiven Epoxidharzes an den Verbindungen erhöht das Lecken des Hohlraums. Mit der Diffusionsverbindungstechnik, die bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann der Hohlraum ohne Verwendung des resistiven Epoxidharzes gebildet werden, wodurch ein hoher Trennfaktor beibehalten wird. Ferner haben aufgrund der Schwierigkeit beim Zusammenschrauben klein dimensionierter Seiten des Resonanzhohlraums die meisten Gehäuse größere Hohlraumabmessungen als erwünscht, was oft in einer Ausbreitung elektromagnetischer Energie bei GHz-Frequenzen resultiert, die in der Nähe der Betriebsfrequenzen der Mikroschaltung sind. Dies resultiert in Parallelleckwegen um die Mikroschaltung oder die Komponente herum. Bei der vorliegenden Erfindung können die Nicht-Aus breitungs-Wellenleiterstrukturen derart gebildet werden, daß sie sehr klein und eng sind, weshalb sie außerordentlich hohe Grenzfrequenzen haben (d. h. viel höher als die Betriebsfrequenz der Mikroschaltung), wodurch Parallellecks um die Mikroschaltungskomponente wesentlich reduziert werden. Die vorliegende Erfindung eliminiert somit den Bedarf nach sperrigen Abschirmungshohlräumen, die im Aufbau zusätzlich teuer sind.
  • Es sei darauf hingewiesen, daß die Technik des Verwendens von Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstrukturen, um Parallelleckwege zu vermeiden, erweitert werden kann, um Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstrukturen in dem gesamten Mikrowellenschaltungsgehäuse zu schaffen, um jede Mikroschaltungskomponente und jede Mikrostreifenübertragungsleitung abzuschirmen. Dementsprechend können verschiedene Mikroschaltungen und Mikrostreifenübertragungsleitungen in ein Keramiksubstrat eingebettet werden, das an einer Metallbasisplatte angebracht werden kann, und eine abgeschirmte Abdeckung mit getrennten gekerbten Hohlräumen oder Taschen zum Häusen und Trennen jeder der verschiedenen Komponenten kann mit der Metallbasisplatte fusioniert werden, um getrennte abgeschirmte Abdeckungen für jede Mikroschaltungskomponente und Übertragungsleitung zu bilden, und zwar in einem einzigen und gleichen Gehäuse. Diese Erweiterung stellt sicher, daß die elektromagnetische Energie in dem Mikrowellensystem innerhalb des Mikrowellenschaltungsgehäuses läuft, wo es erwünscht ist, daß sich dieselbe ausbreitet, ohne daß ein wesentliches Leck auftritt, und wobei zusätzlich eine Trennung zwischen Schaltungselementen, Übertragungsleitungen und der äußeren Welt geschaffen wird.
  • Es sei ferner darauf hingewiesen, daß die Mikroschaltungskomponente keine eingebettete Komponente sein braucht. Statt dessen kann jede eingebettete Wellenleiterstruktur verwendet werden, um eine Abschirmungstrennung jeder Schaltungskomponente zu schaffen, ob dieselbe in Keramik eingebettet ist oder nicht. Ferner kann das Verfahren zum Erzeugen der Trennhohlräume durchgeführt werden, indem eine abgeschirmte Abdeckung mit gekerbten Taschen über verschiedenen Schaltungskomponenten fusioniert wird, oder indem das vorher beschriebene Stanzen-Schichten-Verfahren eingesetzt wird.
  • Die Wellenleiterstrukturtechnik gemäß der vorliegenden Erfindung kann ferner erweitert werden, um Resonanzhohlräume zu bilden, welche üblicherweise verwendet werden, um als Bandpaßfilter zu wirken, und zwar zum Abstimmen oder für andere Zwecke. Resonanzhohlräume sind in der Technik bekannt und haben viele Verwendungsmöglichkeiten. Die Technik der vorliegenden Erfindung kann eingesetzt werden, um Resonanzhohlräume mit erwünschten Abmessungen für jede beliebige Verwendung zu bilden.
  • Die 14 und 15 stellen ein Mikrowellensystem dar, das in einem Mikrowellenschaltungsgehäuse 100 implementiert ist, das jedes der Merkmale verwendet, welche durch die Techniken der vorliegenden Erfindung geschaffen werden. 14 ist eine Draufsicht des Mikrowellenschaltungsgehäuses 100, wobei alle Schichten gezeigt sind. Das Mikrowellenschaltungsgehäuse 100 ist ein kompaktes Empfänger/Sender-System. 15 ist eine Zusammenbauansicht des Mikrowellenschaltungsgehäuses 100. Wie es in 15 gezeigt ist, ist das Mikrowellenschaltungsgehäuse 100 unter Verwendung des Stanzen-und-Schichten-Verfahrens, das vorher beschrieben wurde, implementiert. Das Mikrowellenschaltungsgehäuse 100 wird gebildet, indem eine Laminatschicht 102, eine Laminatschicht 104 und eine Laminatschicht 106 aufeinandergeschichtet werden. Die Laminatschicht 102 wirkt als die abgeschirmte Abdeckung und besteht aus Kupfer in einer Dicke von 0,502 mm (0,020 Zoll). Die Laminatschicht 104 hat rechtwinklig gebogene Fenster 108 und 110, die verwendet werden, um Ausbreitungswellenleiterstrukturen zur Verwendung als Übertragungsleitungen zu bilden. Bei diesem Ausführungsbeispiel besteht die Laminatschicht 104 aus Kupfer in einer Dicke von 2,38 mm (0,0937 Zoll). Die Laminatschicht 106 umfaßt Fenster 112 und 114, die verwendet werden, um Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiter strukturen zu bilden, wobei sich die Fenster 116 und 118 mit den Fenstern 108 und 110 überlappen, um einen nicht-planaren Wellenleiter vom Periskoptyp zu bilden, wenn die Schichten zusammenfusioniert werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel besteht die Laminatschicht 106 aus Kupfer in einer Dicke von 0,502 mm (0,020 Zoll). Eine Empfängerschaltung 120 ist auf einer Metallbefestigungsoberfläche 122 angebracht, welche mit einer leitfähigen Dichtung 124 zusammenpaßt, die ein Fenster 126 hat, das der Größe und Gestalt des Fensters 114 entspricht. Die leitfähige Dichtung 124 wird an die Laminatschicht 126 an einer Position fusioniert, wo das Fenster 126 der leitfähigen Dichtung 124 und das Fenster 114 der Laminatschicht 106 ausgerichtet sind. Die Metallbefestigungsoberfläche 122 wird dann mit der leitfähigen Dichtung 124 an einer Position fusioniert, an der die Empfängerschaltung 120 innerhalb des Fensters 126 der leitfähigen Dichtung 124 paßt. Die Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstruktur, die um die Empfängerschaltung 120 durch die Fenster 126 und 114 gebildet ist, trennt die Empfängerschaltung 120 von dem Rest des Mikrowellensystems sowohl außerhalb als auch innerhalb des Mikrowellenschaltungsgehäuses. Eine weitere leitfähige Dichtung 128 wird dann mit der anderen Seite der Metallbefestigungsoberfläche 122 fusioniert, wobei ein Keramiksubstrat 130 dann an die leitfähige Dichtung 128 angebracht wird. Die Empfängerschaltung 120 hat eine Übergangsschleife 132, die sich von der Empfängerschaltung 120 in das Fenster 126 der leitfähigen Dichtung 124 erstreckt. Eine Antenne 134 hat eine Öffnung 136, die mit dem Fenster 118 der Laminatschicht 106 ausgerichtet ist und in der korrekten Position verschraubt ist. Ein Fenster 118 hat die gleichen Abmessungen wie die Öffnung 126 der Antenne 134. Eine Senderschaltung 140 ist an einer Metallbefestigungsoberfläche 142 befestigt, welche mit einer leitfähigen Dichtung 144 zusammenpaßt, die ein Fenster 146 hat, das mit der Größe und Gestalt des Fensters 112 übereinstimmt. Die leitfähige Dichtung 144 ist an einer Position mit der Laminatschicht 106 fusioniert, wo das Fenster 146 der leitfähigen Dichtung 144 und das Fenster 112 der Laminatschicht 106 ausgerichtet sind. Die Metallbefesti gungsoberfläche 142 wird dann mit der leitfähigen Dichtung 144 an einer Position fusioniert, wo die Senderschaltung 140 innerhalb des Fensters 146 der leitfähigen Dichtung 144 paßt. Eine weitere leitfähige Dichtung 148 wird dann an der anderen Seite der Metallbefestigungsoberfläche 142 fusioniert, wobei ein Keramiksubstrat 150 anschließend an die leitfähige Dichtung 148 angebracht wird. Die Senderschaltung 140 hat eine Übergangsschleife 152, die sich von der Empfängerschaltung 140 in das Fenster 146 der leitfähigen Dichtung 144 erstreckt. Eine Antenne 154 hat eine Öffnung 156, die mit dem Fenster 116 der Laminatschicht 106 ausgerichtet ist und an der korrekten Position verschraubt ist. Das Fenster 116 hat die gleichen Abmessungen wie die Öffnung 156 der Antenne 154.
  • Wenn alle Schichten mit einem stark leitfähigen Material zusammenfusioniert sind, wird ein Paar von Ausbreitungs-Wellenleiterstrukturen durch die Fenster 108 und 110 in der Laminatschicht 104 gebildet. Ferner wird ein Paar von Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstrukturen durch die Fenster 112 und 114 in der Laminatschicht 106 gebildet. Weiterhin ist ein Paar von Übergängen von der Mikroschaltung zu dem Wellenleiter über die Drahtverbindungsschleifen 132, 152 gebildet. Außerdem ist ein Paar von periskopartigen Wellenleitern gebildet, die von den Mikroschaltungsschichten 122, 142 durch die leitfähigen Dichtungen 124, 144 über jeweilige Fenster 126, 146 durch die Laminatschicht 106 über jeweilige Fenster 114, 112 in die Wellenleiterstrukturen, die in der Laminatschicht 104 gebildet sind, über Fenster 116, 118 in der Laminatschicht 106 und zu/von den Antennen 134, 154 verlaufen.
  • Es sei darauf hingewiesen, daß das Mikrowellenschaltungsgehäuse 100 sowohl Ausbreitungs- als auch Nicht-Ausbreitungs-Wellenleiterstrukturen umfaßt, um eine außerordentlich hohe Trennung zwischen Schaltungskomponenten zu schaffen, und daß das Mikrowellenschaltungsgehäuse 100 ferner einen direkten Mikroschaltungs-zu-Wellenleiter-Übergang zu externen Wellen leiterkomponenten schafft (d. h. welche in diesem Fall die Antennen sind). Zusätzlich verwendet das Mikrowellenschaltungsgehäuse 100 ferner eine nicht-planare Wellenleiterstruktur vom "Periskop"-Typ, um es zu ermöglichen, daß das Mikrowellenschaltungsgehäuse 100 kompakter ist.

Claims (9)

  1. Mikrowellenschaltungsgehäuse mit folgenden Merkmalen: einer Basisplatte (6, 8; 16, 18; 24; 58, 56; 102) mit einer metallischen oberen Ebene (6; 16; 24; 58; 102); und einer Metallabdeckungsplatte (2; 14; 2630; 64; 104, 106, 124, 122, 128, 130, 144, 142, 148, 150) mit einem in einer unteren Ebene derselben angeordneten Hohlraum (4; 15; 36, 38; 108, 110, 112, 114, 116, 118), wobei die untere Ebene der Metallabdeckungsplatte mit der metallischen oberen Ebene der Basisplatte durch eine Diffusionsverbindung verbunden ist, um eine eingebettete Wellenleiterstruktur (10; 20; 48; 32; 52) zu bilden.
  2. Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß Anspruch 1, bei dem der gekerbte Hohlraum (4) ein Fenster aufweist, das einen Durchgang (47) aus dem Inneren der eingebetteten Wellenleiterstruktur (10) nach außen bezüglich des Mikrowellenschaltungsgehäuses bildet, wenn die Metallabdeckungsplatte (2, 64) und die Basisplatte (6, 58) verbunden sind, derart, daß die Aufnahmeöffnung einer außeren Wellenleiterkomponente mit dem Fenster ausgerichtet sein kann und an dem Mikrowellenschaltungsgehäuse angebracht sein kann, um einen Übergang von einem internen Wellenleiter zu der externen Wellenleiterkomponente zu bilden.
  3. Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner eine Mikroschaltungskomponente (42) aufweist, die mit einer Drahtverbindungsschleife (46) gekoppelt ist, wobei die Drahtverbindungsschleife (46) positioniert ist, um sich in die eingebettete Wellenleiterstruktur (48) zu erstrecken, wenn die Metallabdeckungsplatte und die Basisplatte verbunden sind, um dadurch einen Übergang von einer Mikroschaltungskomponente zu einem Wellenleiter zu bilden.
  4. Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem eine oder mehrerer Mikroschaltungskomponenten (44), die bei einer Betriebsfrequenz arbeiten, positioniert sind, um innerhalb der eingebetteten Wellenleiterstruktur (52) zu sein, wenn die Metallabdeckungsplatte (64) mit der Basisplatte (58) verbunden ist, und bei dem die eingebettete Wellenleiterstruktur (52) aufgebaut ist, um elektromagnetische Wellen nur bei einer Frequenz zu übertragen, die größer als eine Wellenleitergrenzfrequenz ist, wobei die Wellenleitergrenzfrequenz größer als die Betriebsfrequenz ist, um eine Ausbreitung elektromagnetischer Wellen bei der Betriebsfrequenz innerhalb der eingebetteten Wellenleiterstruktur (52) zu unterbinden, und um Parallelweglecks um die Mikroschaltungskomponenten (54) herum zu reduzieren.
  5. Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß Anspruch 1, bei dem die Metallabdeckungsplatte eine Metallaminatschicht (14; 2630; 104, 106, 124, 122, 128, 130, 144, 142, 148, 150) aufweist, die mit der metallischen oberen Ebene der Basisplatte (16, 18; 24) mittels einer Diffusionsverbindung verbunden ist, wobei die Metalllaminatschicht eine oder mehrere Laminatplatten (14; 2630; 104, 106) aufweist, die derart mittels einer Diffusionsverbindung miteinander verbunden sind, daß die obere Ebene einer Schicht mit der unteren Ebene einer weiteren Schicht verbunden ist, wobei zumindest eine der Metallaminatplatten (14; 2630; 104, 106) eine Fensterstruktur aus einem oder mehreren Fenstern (15; 36, 38; 108, 110, 112, 114, 116, 118) aufweist, welche Durchgänge zwischen einer oberen Ebene und einer unteren Ebene der jeweiligen Metallaminatplatte bilden, derart, daß eine oder mehrere eingebettete Wellenleiterstrukturen (20; 32) gebildet sind, wenn die Metalllaminatplatten (14; 2630; 104, 106) und die Basisplatte (16, 18; 24; 102) miteinander verbunden sind.
  6. Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß Anspruch 5, bei dem zumindest eine der Metallaminatplatten (30; 106) eine Fensterstruktur aufweist, die eines oder mehrere Fenster mit Abmessungen einer Aufnahmeöffnung (33; 156, 136) einer externen Wellenleiterkomponente (35; 154, 134) umfassen, und die einen Durchgang von einem inneren Teil der eingebetteten Wellenleiterstruktur (32) nach außen bezüglich des Mikrowellenschaltungsgehäuses bildet, wenn die Metallaminatplatten (14; 2630; 104, 106) und die Basisplatte (16, 18; 24; 102) miteinander verbunden sind, derart, daß die Aufnahmeöffnung (33; 156, 136) der externen Wellenleiterkomponente (35; 154, 134) mit dem Fenster (31; 116, 118) ausgerichtet ist und an dem Mikrowellenschaltungsgehäuse angebracht ist, um einen Übergang von einem internen Wellenleiter zu einer externen Wellenleiterkomponente zu bilden.
  7. Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß Anspruch 5 oder 6, das ferner eine Mikroschaltungskomponente (42), die mit einer Drahtverbindungsschleife (46) gekoppelt ist, aufweist, wobei die Drahtverbindungsschleife (46) positioniert ist, um sich in die eingebettete Wellenleiterstruktur (48) zu erstrecken, wenn die Metallaminatplatten (14, 2630) und die Basisplatte (16, 18; 24) miteinander verbunden sind, um dadurch eine Verbindung von einer Mikroschaltungskomponente zu einem Wellenleiter zu bilden.
  8. Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, bei dem zumindest ein Abschnitt eines oder mehrerer Fenster (31, 36, 38; 108, 110, 112, 114, 116, 118) in aufeinanderfolgenden Metallaminatplatten (30, 28, 26; 104, 106) ausgerichtet sind, wenn die Metallaminatplatten (2630; 104 106) miteinander ver bunden sind, wodurch es ermöglicht wird, daß komplexe Wellenleiterstrukturen innerhalb der Metallaminatschicht gebildet werden.
  9. Mikrowellenschaltungsgehäuse gemäß einem der Ansprüche 5 bis 8, bei dem eine oder mehrere Mikroschaltungskomponenten (120, 140), die bei einer Betriebsfrequenz arbeiten, positioniert sind, um innerhalb der eingebetteten Wellenleiterstruktur zu sein, wenn die Metallaminatschicht (104, 106, 124, 122, 128, 130, 144, 142, 148, 150) mit der Basisplatte (102) verbunden ist, und wobei die eingebettete Wellenleiterstruktur (114, 112) aufgebaut ist, um elektromagnetische Wellen nur bei einer Frequenz zu Übertragen, die größer als eine Wellenleitergrenzfrequenz ist, wobei die Wellenleitergrenzfrequenz größer als die Betriebsfrequenz ist, um eine Ausbreitung elektromagnetischer Wellen bei der Betriebsfrequenz innerhalb der eingebetteten Wellenleiterstruktur zu unterbinden, und um Parallelweglecks um die Mikroschaltungskomponenten (120, 140) herum zu reduzieren.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE512166C2 (sv) * 1997-11-21 2000-02-07 Ericsson Telefon Ab L M Mikrostripanordning
EP0951068A1 (de) * 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Herstellungsverfahren für eine Mikrostruktur mit Innenraum
US6127984A (en) * 1999-04-16 2000-10-03 Raytheon Company Flared notch radiator assembly and antenna
SE514630C2 (sv) * 1999-07-09 2001-03-26 Ericsson Telefon Ab L M Metod för framställning av mikrovågsfilter, samt mikrovågsfilter framställt enligt denna metod
US6590477B1 (en) * 1999-10-29 2003-07-08 Fci Americas Technology, Inc. Waveguides and backplane systems with at least one mode suppression gap
JP3346752B2 (ja) * 1999-11-15 2002-11-18 日本電気株式会社 高周波パッケージ
JP3617633B2 (ja) * 2000-10-06 2005-02-09 三菱電機株式会社 導波管接続部
DE10132794A1 (de) * 2001-07-06 2003-01-30 Siemens Ag Kopplung an in Leiterplatten eingebettete Lichtleiter
JP2003087009A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Toshiba Corp 導波管ダイプレクサ及び導波管
US6882762B2 (en) * 2001-09-27 2005-04-19 Intel Corporation Waveguide in a printed circuit board and method of forming the same
US20040239376A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 Haeffele Jeffrey John Continuously retraining sampler and method of use thereof
US6894590B2 (en) 2003-05-30 2005-05-17 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method to introduce signals into a shielded RF circuit
KR20050055204A (ko) 2003-12-05 2005-06-13 한국전자통신연구원 도파관 연결 장치
US7280080B2 (en) * 2005-02-11 2007-10-09 Andrew Corporation Multiple beam feed assembly
US20060273907A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Morad Heiman RFID-based system and toy
FI20055511A (fi) * 2005-09-27 2007-03-28 Filtronic Comtek Oy Siirtojohtorakenne
FR2900770B1 (fr) * 2006-05-05 2008-07-04 Thales Sa Dispositifs de guidage pour ondes electromagnetiques et procede de fabrication de ces dispositifs de guidage
JP4827825B2 (ja) * 2007-12-03 2011-11-30 日立オートモティブシステムズ株式会社 高周波モジュール
US20110048796A1 (en) * 2008-01-30 2011-03-03 Kyocera Corporation Connector, Package Using the Same and Electronic Device
WO2010114078A1 (ja) * 2009-03-31 2010-10-07 京セラ株式会社 導波構造体、ならびに、導波構造体を含む高周波モジュールおよびレーダ装置
JP2010252092A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Tyco Electronics Japan Kk 導波管
US8917151B2 (en) * 2009-09-08 2014-12-23 Siklu Communication ltd. Transition between a laminated PCB and a waveguide through a cavity in the laminated PCB
US8912860B2 (en) * 2009-09-08 2014-12-16 Siklu Communication ltd. Millimeter-wave bare IC mounted within a laminated PCB and usable in a waveguide transition
US8912859B2 (en) * 2009-09-08 2014-12-16 Siklu Communication ltd. Transition between a laminated PCB and a waveguide including a lamina with a printed conductive surface functioning as a waveguide-backshort
US8912862B2 (en) * 2009-09-08 2014-12-16 Siklu Communication ltd. Impedance matching between a bare-die integrated circuit and a transmission line on a laminated PCB
US8914968B2 (en) * 2009-09-08 2014-12-23 Siklu Communication ltd. Methods for constructing a transition between a laminated PCB and a waveguide including forming a cavity within the laminated PCB for receiving a bare die
US9728926B2 (en) * 2010-11-22 2017-08-08 Commscope Technologies Llc Method and apparatus for radial ultrasonic welding interconnected coaxial connector
US8826525B2 (en) 2010-11-22 2014-09-09 Andrew Llc Laser weld coaxial connector and interconnection method
US8365404B2 (en) 2010-11-22 2013-02-05 Andrew Llc Method for ultrasonic welding a coaxial cable to a coaxial connector
US8887388B2 (en) 2010-11-22 2014-11-18 Andrew Llc Method for interconnecting a coaxial connector with a solid outer conductor coaxial cable
US9472853B1 (en) 2014-03-28 2016-10-18 Google Inc. Dual open-ended waveguide antenna for automotive radar
US9876282B1 (en) 2015-04-02 2018-01-23 Waymo Llc Integrated lens for power and phase setting of DOEWG antenna arrays
US10068181B1 (en) 2015-04-27 2018-09-04 Rigetti & Co, Inc. Microwave integrated quantum circuits with cap wafer and methods for making the same
US11121301B1 (en) 2017-06-19 2021-09-14 Rigetti & Co, Inc. Microwave integrated quantum circuits with cap wafers and their methods of manufacture
US11276727B1 (en) 2017-06-19 2022-03-15 Rigetti & Co, Llc Superconducting vias for routing electrical signals through substrates and their methods of manufacture
US11404758B2 (en) * 2018-05-04 2022-08-02 Whirlpool Corporation In line e-probe waveguide transition
DE102019204680A1 (de) * 2019-04-02 2020-10-08 Vega Grieshaber Kg Radarmodul mit Mikrowellen-Chip
US11095014B2 (en) * 2020-01-07 2021-08-17 Aptiv Technologies Limited Waveguide antenna with integrated temperature management
US11757166B2 (en) 2020-11-10 2023-09-12 Aptiv Technologies Limited Surface-mount waveguide for vertical transitions of a printed circuit board
GB202100255D0 (en) * 2021-01-08 2021-02-24 Res & Innovation Uk Radio frequency module
US11616306B2 (en) 2021-03-22 2023-03-28 Aptiv Technologies Limited Apparatus, method and system comprising an air waveguide antenna having a single layer material with air channels therein which is interfaced with a circuit board

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3157847A (en) * 1961-07-11 1964-11-17 Robert M Williams Multilayered waveguide circuitry formed by stacking plates having surface grooves
US3502996A (en) * 1964-02-12 1970-03-24 Howard S Martin Amplifying system embodying a two-terminal power amplifier
US5381596A (en) * 1993-02-23 1995-01-17 E-Systems, Inc. Apparatus and method of manufacturing a 3-dimensional waveguide
US5414394A (en) * 1992-12-29 1995-05-09 U.S. Philips Corporation Microwave frequency device comprising at least a transition between a transmission line integrated on a substrate and a waveguide

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3501706A (en) * 1967-02-20 1970-03-17 North American Rockwell Broadband microwave parametric amplifier
US3938244A (en) * 1972-12-14 1976-02-17 Andrew Corporation Continuous corrugated waveguide and method of producing the same
US3982215A (en) * 1973-03-08 1976-09-21 Rca Corporation Metal plated body composed of graphite fibre epoxy composite
US4025881A (en) * 1976-04-09 1977-05-24 Cutler-Hammer, Inc. Microwave harmonic power conversion apparatus
GB2109640B (en) * 1981-10-02 1985-06-19 Marconi Co Ltd Waveguide construction
US4439748A (en) * 1982-06-28 1984-03-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Corrugated waveguide or feedhorn assembled from grooved pieces
JPS62141801A (ja) * 1985-12-16 1987-06-25 Nec Corp 導波管回路
US4797995A (en) * 1986-12-08 1989-01-17 Hughes Aircraft Company Method of fabricating a hollow squarax inner conductor
US4918049A (en) * 1987-11-18 1990-04-17 Massachusetts Institute Of Technology Microwave/far infrared cavities and waveguides using high temperature superconductors
JPH06252683A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
US5420554A (en) * 1994-03-30 1995-05-30 Motorola, Inc. Method and apparatus for adjusting a resonant frequency of a transmission line resonator assembly
US5600286A (en) * 1994-09-29 1997-02-04 Hughes Electronics End-on transmission line-to-waveguide transition
JPH08125412A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Mitsubishi Electric Corp 伝送線路,及びその製造方法
US5583468A (en) * 1995-04-03 1996-12-10 Motorola, Inc. High frequency transition from a microstrip transmission line to an MMIC coplanar waveguide

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3157847A (en) * 1961-07-11 1964-11-17 Robert M Williams Multilayered waveguide circuitry formed by stacking plates having surface grooves
US3502996A (en) * 1964-02-12 1970-03-24 Howard S Martin Amplifying system embodying a two-terminal power amplifier
US5414394A (en) * 1992-12-29 1995-05-09 U.S. Philips Corporation Microwave frequency device comprising at least a transition between a transmission line integrated on a substrate and a waveguide
US5381596A (en) * 1993-02-23 1995-01-17 E-Systems, Inc. Apparatus and method of manufacturing a 3-dimensional waveguide

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Pat. Abstr. of JP, 07263914 (A), "Dielectric filter and ist production" *
Pat. Abstr. of JP, 08222910 (A), "Dielectric filter" *
Pat. Abstr. of JP, 5-327310 (A), "Surface installation dielectric filter" *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2765403A1 (fr) 1998-12-31
DE19818019A1 (de) 1999-02-04
GB2328326A (en) 1999-02-17
US5929728A (en) 1999-07-27
JPH1168417A (ja) 1999-03-09
FR2765403B1 (fr) 2004-04-02
GB9813656D0 (en) 1998-08-26
GB2328326B (en) 2002-02-13

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