JPH1168417A - マイクロ波回路パッケージの埋め込み式導波管 - Google Patents

マイクロ波回路パッケージの埋め込み式導波管

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JPH1168417A
JPH1168417A JP10179177A JP17917798A JPH1168417A JP H1168417 A JPH1168417 A JP H1168417A JP 10179177 A JP10179177 A JP 10179177A JP 17917798 A JP17917798 A JP 17917798A JP H1168417 A JPH1168417 A JP H1168417A
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JP
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waveguide
metal
circuit package
microwave circuit
waveguide structure
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JP10179177A
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Ronald J Barnett
ロナルド・ジェイ・バーネット
Anthony R Blume
アンソニー・アール・ブルーム
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Hewlett Packard Co
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49016—Antenna or wave energy "plumbing" making

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  • Waveguides (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロ波回路パッケージに精密な寸法の埋
め込み式導波管構造を形成するための低コストの方法を
提供する。 【解決手段】 マイクロ波回路パッケージであって、金
属上部平面を備えたベースプレート（16）と、前記ベー
スプレート（16）の前記金属上部平面に融着された金属
積層（14）が含まれており、前記金属積層が、１つ以上
の金属積層板からなり、該金属積層板が上部平面に下部
平面が重なるように他の上面の１つに互いに融着され、
前記金属積層板（14）と前記ベースプレート（16）が互
いに融着されると、１つ以上の埋め込み式導波管構造
（20）が形成されるように、少なくとも１つの前記金属
板（14）が、前記それぞれの金属積層板の上部平面と下
部平面との間に通路を形成する１つ以上の窓（15）によ
る窓パターンを含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般にマイクロ波
回路の分野に関するものであり、特にマイクロ波回路パ
ッケージに埋め込み式導波管構造を製作する方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】高速通信システムの場合、マイクロ波電
磁エネルギー又は単純にマイクロ波（すなわち、ミリメ
ートルから30センチメートルの範囲にわたるごく短い波
長の電磁エネルギー波）は、一般にある場所から別の場
所に情報を送るための搬送波信号として用いられる。マ
イクロ波によって搬送される情報は、マイクロ波回路に
よって送受信され、処理される。
【０００３】マイクロ波回路は、回路コンポーネント間
及び回路とマイクロ波回路の外界との間において、高周
波の電気的分離を必要とする。従来この分離は、シム
（詰め木：shim）に回路を組み立てて、この回路を金属
空洞内に納め、次に金属プレートで空洞をカバーするこ
とによって得られた。金属空洞自体は、一般に、金属プ
レートの機械加工もしくは鋳造を行い、ボルト留め、溶
接あるいはハンダもしくはエポキシを用いてシールを施
すことによって形成される。この取り組み方には、いく
つかの制限がある。第１に、機械加工は高コストであ
る。鋳造は、より低コストではあるが、精度が低く、従
って鋳造法を用いて造られる金属空洞は、寸法が大きく
なりがちである。この結果、空洞の寸法が、コンポーネ
ントの動作周波数付近で電磁エネルギーの伝搬を可能に
するような寸法であれば、マイクロ波回路コンポーネン
トまわりに並列漏洩経路が生じることとなる。
【０００４】金属空洞を形成する従来の方法におけるも
う１つの制限は、空洞に対する金属カバーのシール方法
において伝導性エポキシが用いられてきたということで
ある。該エポキシによって、良好なシールが施される
が、抵抗が大きく、共振空洞の損失が増大し、シールド
された空洞からの漏洩が増す。結果として、シールドさ
れた空洞を用いる従来の分離方法では、期待したほどの
シールド分離の成功率が得られなかった。最後に、マイ
クロ波回路コンポーネントをシールドするための従来の
方法は、かなりの組み立て時間を必要とする。従って追
加部品又は組み立てを伴わずに、マイクロ波回路パッケ
ージに精密な寸法の低損失シールド空洞を埋め込むため
の低コストな方法を得ることが望ましい。
【０００５】信号は、一般にどちらも当該技術において
周知である伝送ライン及び導波管を用いて、マイクロ波
回路全体に伝搬され、導かれる。伝送ラインは、制限す
るわけではないが、同軸、共面（coplanar）及びマイク
ロストリップ（microstrip）伝送ラインを含む、さまざ
まな形態をとることが可能である。導波管は、一般に中
空であって、内部導体又は関連支持体を必要としない、
より単純な中空パイプ構造であり、またその低損失及び
低熱放散特性を含めて、他の形態の伝送ラインと比べて
多くの利点をもたらす。
【０００６】当業者には既知のように、電磁信号は、導
波管内全体にわたって進行し、信号の自由空間波長λに
応じてその内側表面で反射される。信号が導波管内を伝
搬するため、導波管の断面幅は、主モードのλ／２より
大きくなければならない。導波管の断面幅がλc／２で
あることによって、カットオフ周波数ｆcがどれほどに
なるかが決まる。ここでλcはカットオフ周波数ｆcに関
連した波長である。自由空間波長λが長い場合、周波数
は低くなり、導波管の寸法λc／２に近くなる。導波管
の断面幅λc／２が、λ／２未満になると、信号は導波
管に沿って伝搬しなくなり、また導波管は、臨界すなわ
ちカットオフ周波数を超える全ての周波数を通すので、
高域フィルタの働きをする。
【０００７】共振空洞は、マイクロ波フィルタを作製す
るために利用することが可能である。共振空洞は、伝導
性壁面によって完全に包囲された誘電体領域である。共
振空洞は、エネルギーを蓄積することが可能であり、低
周波ＬＣ共振回路に類似している。共振空洞は、大部分
のマイクロ波回路及びシステムの必須部分である。高い
伝導性の境界を有する全ての囲まれた空洞は、共振モー
ドの無限列（infinitesequence）で励起させることが可
能である。共振の生じる周波数は、囲まれた空洞の形状
及び寸法によって決まる。共振空洞が伝送ラインに沿っ
て配置されると、エネルギーは共振周波数において空洞
に結合され、他の周波数では反射される。共振空洞と伝
送ラインの入力及び出力カプラを直列に組み合わせるこ
とによって、ほぼ任意の種類の所望のフィルタ又は応答
を得ることが可能になる。
【０００８】前述のシールド空洞の場合と同様、導波管
構造及び共振空洞は、従来金属部品を機械加工又は鋳造
することによって形成し、さらにボルト留め、溶接、ハ
ンダ付け又はエポキシの利用によって、互いに固定され
る。この工程は、各部品を形成する時間及び費用の両方
に関して並びにそれらを組み立てるのに必要な組み立て
時間に関しても浪費することになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、コストのかかる多数の部品の製作及び組み立てを必
要としない、マイクロ波回路パッケージに精密な寸法の
埋め込み式導波管構造を形成するための低コストな方法
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、多数の
コンポーネント部品を製作し、組み立てることを必要と
せずに、マイクロ波回路パッケージに低損失の埋め込み
式導波管構造を製作する新規の低コストの技法を用い
た、先行技術における上述の制限に対する簡にして要を
得た解決策が得られる。本発明の技法を用いて、精密な
寸法の伝搬導波管と非伝搬導波管の両方を製作すること
が可能である。実施態様の１つでは、くぼんだ空洞が金
属カバープレートの下部平面に形成される。次にカバー
プレートの下部平面が、好ましくは拡散接合のような直
接融着技法を用いて、あるいは代替案としては、ハンダ
付け又は伝導性の高い接着剤を用いて、金属ベースプレ
ートに対して融着される。カバープレートとベースプレ
ートを合わせると、すなわちプレートが積層されると、
埋め込み式シールド空洞が形成される。融着技法は、高
温、高圧の直接ボンディング技法である、拡散接合のよ
うな直接融着の形態であることが望ましい。融着材料
は、接地面に対するカバーの融着によって形成される空
洞が低損失であることを保証するため、伝導性の高い材
料でなければならない。
【００１１】本発明の方法を用いて形成される埋め込み
式導波管構造を利用して、マイクロ回路コンポーネント
−導波管ランチ（発射装置：launch）を形成することが
できる。これは、マイクロ波回路パッケージ内のマイク
ロ回路コンポーネントから取り付けられたワイヤボンド
ループを埋め込み式導波管構造の壁面まで延ばすことに
よって実施される。こうして形成されるワイヤボンドル
ープは、マイクロ回路コンポーネントから埋め込み式導
波管構造に、及びその逆に埋め込み式導波管構造からマ
イクロ回路コンポーネントに、エネルギーを結合する。
このワイヤボンドランチは、他の通常の組み立て接合が
行われるのと同時に接合することが可能であり、従って
追加の工程ステップは行われない。さらに本発明を利用
して、内部導波管−外部マイクロ波コンポーネントラン
チを形成することも可能である。これは、埋め込み式導
波管構造の天板（roof）、床（floor）又は壁面に、外
部導波管コンポーネントの受け開口部の寸法を備え、埋
め込み式導波管構造の内側からマイクロ波回路パッケー
ジの外側に延びる窓（window）を形成することによって
実施される。窓は、外部導波管コンポーネントのための
開口の働きをする。外部導波管コンポーネントは、外部
導波管コンポーネントの受け開口部と窓のアライメント
がとれる位置において、マイクロ波回路パッケージに対
してボルト留めするか、又は高伝導性材料を用いて融着
することが可能である。
【００１２】もう１つの実施態様の場合、押し抜き加工
（punching）法又は打ち抜き加工（stamping）法を用い
て、１つ以上の金属積層板に１つ以上の窓が形成され
る。各金属積層板は、同様の又は異なる窓パターンが得
られるように形成することが可能である。金属積層板の
それぞれは、金属積層板が２つ以上存在する場合、好ま
しくは拡散接合のような直接融着技法を用いて重ね合わ
せて、伝導性の高い材料で互いに融着される。連続した
金属積層板の窓は、個々の連続した金属積層板のそれぞ
れに押し抜かれたパターンによって決まる所望の導波管
構造経路に応じて、重なる場合もあれば、重ならない場
合もあり得る。複雑な導波管構造は、経路が所定の金属
積層板の平面に対して平行であるか、あるいは１つ以上
の金属積層板を貫通するかに関係なく、連続した金属積
層板のそれぞれにおける押し抜きパターンの形状及びア
ライメント位置を慎重に設計することによって、任意の
方向又は形状に延びるように設計することが可能であ
る。さらに融着金属積層板内に納められているマイクロ
回路コンポーネントに結合されたワイヤボンドループを
埋め込み式導波管構造内に延ばすことによって、マイク
ロ回路−導波管ランチを形成することが可能である。ま
た外部導波管コンポーネントの受け開口部の寸法に一致
する１つ以上の窓を、埋め込み式導波管構造の内側から
融着金属積層板の外側に延びるように形成することによ
って、内部導波管−外部導波管コンポーネントランチを
形成することが可能である。次に外部導波管コンポーネ
ントの受け開口部と窓のアライメントがとれる位置にお
いて、外部導波管コンポーネントを融着金属積層板にボ
ルト留めするか、又は高伝導性材料を用いて融着するこ
とが可能である。
【００１３】本発明の技法によれば、セラミック基板と
金属積層を合わせると、埋め込み式導波管構造の形成が
可能になる。個々の導波管構造部品を製作し、さらに組
み立てる必要がない。代わりに、セラミック基板を金属
積層にろう付けすると、埋め込み式導波管構造が自然に
形成される。
【００１４】本発明の技法は、いくつかの重要な目的に
利用することが可能である。第１に、導波管構造は、伝
送ラインとして機能するように、従って信号を伝搬する
ように、融着金属積層内に形成することが可能である。
第２に、導波管構造は、カットオフ周波数が極めて高く
なるように設計し、擬共面（quasi-coplanar）マイクロ
ストリップ伝送ラインを含むマイクロ回路コンポーネン
トまわりに形成することによって、カットオフ周波数未
満の電磁エネルギーの伝搬を禁止し、それによってマイ
クロ回路コンポーネントまわりにおける並列経路漏洩を
大幅に低減することが可能になる。さらに本発明の技法
を利用して、低コストで、コンパクトな、効率の良いマ
イクロ回路コンポーネント−導波管ワイヤボンドランチ
を実施することができる。また本発明を利用して、マイ
クロ回路パッケージにおいて潜望鏡（periscope）型の
導波管を実施することもできる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるマイクロ波
回路パッケージの埋め込み式導波管構造10の実施態様の
１つに関する断面図である。金、銀又は銅のような高伝
導性材料によるメッキを施したシールドカバー２は、そ
の下部平面にくぼんだ空洞４が形成されている。くぼん
だ空洞４は、機械加工、鋳造、印圧加工（coining）又
は任意の同様の手段によって形成することが可能であ
る。くぼんだ空洞は、幅寸法がλc／２を超えるように
構成されている。ここでλcは、導波管によって伝搬す
る最低周波数の波長である。λc／２の寸法は、カット
オフ周波数ｆc未満の周波数を備えた電磁エネルギーが
伝搬しないので、重要である。シールドカバー２の下部
平面は、好ましくは金又は銀からなるもしくは金又は銀
をメッキした高伝導性金属ベースプレート６の上部平面
に融着もしくは積層される。シールドカバー２及びベー
スプレート６は、後述する拡散接合のような直接融着技
法を用いて融着するのが望ましい。ベースプレート６の
下部平面は、伝導性エポキシのような接着剤を用いてセ
ラミック又は有機積層（例えば、プリント回路基板）基
板８に接着される。図２は、内蔵導波管構造のアセンブ
リを示す、くぼんだ空洞４、ベースプレート６及び基板
８を備えたシールド・カバー２の透視図である。
【００１６】今後用いられる限りにおいて、「融着」と
いう用語は、拡散接合のような形式の直接融着を利用し
て好ましく実施されるものである。拡散接合は、高温、
高圧の直接接合工程である。拡散接合は、ある時間期間
にわたって、２つの金属を、その金属の（摂氏で測定し
た）溶融温度の約３／４の温度で、高圧を用いて互いに
押しつけることによって実施される。その時間期間にわ
たって、金属分子が、界面で互いに拡散し、２つの金属
が１つになる。例えば２つの銅板は、約850℃（銅は108
3.4℃で溶融する）のホットプレス内で重ね合わせ、１
時間にわたり、84.4kg／cm2（1200ポンド／平方イン
チ）の加圧を施すことによって拡散接合することが可能
である。拡散接合の場合、金属板は溶融せずに、金属が
軟化して、界面における分子が、しっかりした分子結合
を形成するのに十分なエネルギーで互いに密着する。望
ましい実施態様の場合、拡散接合は、金属板に対して、
全ての金属中で最も電気伝導性の高い2.54〜3.81mm（10
0〜150マイクロインチ）の銀によるコーティングを施
し、さらに互いに接合することになる表面の１つに0.89
〜1.27mm（35〜50マイクロインチ）のスズを付着させる
ことによって実施される。銀とスズを組み合わせると、
共晶が形成され、通常銀は961.93℃で溶融するが、銀と
スズの組み合わせの場合、銀はスズと共に約220℃で溶
融することになる。この結果、金属板を約300℃の低温
で接合することが可能になり、従って加熱エネルギーが
少なくて済み、諸部分の冷却に要する時間が短縮される
ことにより、製造処理量が上昇し、製造コストが低下し
て、製造上の利点が得られる。さらに拡散接合工程中、
表面におけるほんのわずかな割合のスズだけしか銀と混
合しないようにスズが銀層内へ拡散するので、銀の高伝
導性がほぼ得られる。
【００１７】上述の拡散接合技法は、本発明において金
属板を互いに融着するための望ましい融着工程である
が、融着は、代替案としてハンダ付け、高伝導性エポキ
シの利用又は他の任意のこうした有効な手段によって実
施することが可能である。
【００１８】図３は、本発明のマイクロ波回路パッケー
ジのための埋め込み式導波管構造20の第２の実施態様に
関する断面図である。金又は銅のような高伝導性材料で
造られた、あるいは該材料によるメッキを施されたシー
ルドカバー12が、金属積層板14の上部平面に融着又は積
層される。金属積層板14には、開放窓15が設けられ、金
属積層板14の上部平面と下部平面の間に通路（thruwa
y）を形成している。窓15は、成形、押し抜き、打ち抜
き又は他の任意の手段といった技法を利用して形成でき
る。窓15は、それに形成される導波管構造の断面幅寸法
がλc／２を超えるように造られている。ここでλcは所
望のカットオフ周波数ｆcの波長である。断面幅寸法
は、窓の長さ又は幅とすることもできるし、あるいは埋
め込み式導波管構造の壁面を形成する金属積層板の厚み
とすることもできる。金属積層板14の下部平面は、好ま
しくは前述の拡散接合技法を利用して、金属ベースプレ
ート16の上部に融着又は積層される。さらにベースプレ
ート16の下部平面が、基板18に接着される。金属とセラ
ミック間の熱膨張率（ＣＴＥ）の相違のため、金属ベー
スプレート16は、エポキシのような接着剤を利用してセ
ラミック基板18に接着するのが望ましい。図４は、内蔵
導波管構造のアセンブリを示す、シールドカバー12、金
属積層板14、ベースプレート16及び基板18の透視図であ
る。
【００１９】図１〜４に示す実施態様の全てにおいて、
ベースプレート、シールドカバー、金属積層板及び接着
剤が利用される場合には、接着剤（すなわちハンダ、エ
ポキシ等）は、高伝導性材料から構成されなければなら
ない。選択される材料は、伝搬又は分離が所望される電
磁エネルギーの周波数において伝導性でなければなら
ず、さもなければ漏洩が生じることになる。
【００２０】本発明の埋め込み式導波管構造の用途は、
多種多様である。これらの埋め込み式導波管構造は、導
波管伝送ライン、マイクロ回路コンポーネントのシール
ド空洞及びマイクロストリップ伝送ラインとして利用可
能な、マイクロ波回路パッケージ内に形成される高伝導
性空洞であり、通過帯域及び阻止帯域フィルタリングに
用いられる共振空洞である。本発明の埋め込み式導波管
構造を利用すれば、ある角度に曲げたタイプすなわち
「潜望鏡」型の導波管だけでなく、新規のマイクロ回路
−導波管ランチを形成することも可能である。異なる目
的に合わせて形成された異なる埋め込み式導波管構造を
組み合わせたものを形成することもできる。さらに金属
カバー及び／又は金属積層板及び／又は金属ベースプレ
ートの相互融着時に、マイクロ波回路パッケージ内にお
いて、複雑な構造を形成することができるのも明らかで
ある。
【００２１】その極めて基本的な用途の場合、本発明の
埋め込み式導波管構造は、導波管として、すなわちマイ
クロ波回路パッケージに納められたマイクロ波システム
に電磁エネルギーを伝搬させるために、利用することが
可能である。埋め込み式導波管構造が導波管フィルタと
して用いられることになる場合、共振空洞が正しい周波
数になることを保証するには、より高い精度が要求され
る。従って成形より精密で、機械加工より低コストの押
し抜き及び積層法が望ましい構成方法である。
【００２２】さらに、押し抜き及び積層法によって、導
波管構造は、２つ以上の中間金属平面層を利用する場
合、非平面構造の形態をとることが可能になる。図５
は、本発明の技法を利用して、非平面「潜望鏡」型の埋
め込み式導波管構造のような複雑な導波管構造を任意の
方向に製作することが可能な方法を示す、多層積層マイ
クロ波回路パッケージ34の組み立て図である。図５に示
すように、多層積層マイクロ波回路パッケージ34は、複
数の金属積層板26、28を備えている。各金属積層板26、
28には、それぞれの金属積層板の上部平面と下部平面と
の間に通路を形成する１つ以上の窓を含むことができ
る。非平面「潜望鏡」型の導波管を製作するため、１つ
の金属積層板は、融着時に連続した金属積層板の窓の少
なくとも一部とアライメントのとれる窓を備えるように
形成される。従って図５の場合、ベースプレート24を金
属積層板26の下部平面に融着することによって、潜望鏡
型の導波管の第１層のフロアが形成される。金属積層板
26には、開放窓36が形成される。窓36は、図示のように
直角に曲がった形状にすることもできるし、あるいは設
計された特定のマイクロ波システムにとって望ましい、
他の適合する任意の形状に形成することも可能である。
例えば窓36の形状は、１つの積層板層からもう１つの積
層板層に直接結合するために用いられる矩形又は直角に
曲がった形状とすることもできるし、あるいは上方の層
の１つの空洞から下方の層のもう１つの空洞に又はその
逆に信号を結合するための開口部を形成する、円形、楕
円形、三角形又は他の任意の形状とすることも可能であ
る。図５にも示されるように、連続した金属積層板28に
は、いつでも使えるようにやはりその用途に適合する所
望の任意の形状をなす開放窓38が形成されており、金属
積層板28の下部平面と金属積層板26の上部平面の位置決
めし、融着すると窓36の一部が窓38の一部に重なるよう
になっている。位置決めは、一般に積層板に位置決め孔
を開けて、積層プレスを介して位置決め孔にガイドピン
を挿入することによって実施される。連続した金属積層
板28の窓38に重なる金属積層板26の窓でない部分は、金
属積層板26及び28を互いに融着すると、導波管の第２層
の床を形成する。同様に金属積層板26の窓36に重なる金
属積層板28の窓でない部分は、金属積層板26及び28の適
正な位置決めをして、互いに融着すると潜望鏡型導波管
の第１層の天板を形成する。シールドカバー30を金属積
層板28の上部平面に融着すると、埋め込み式潜望鏡型導
波管の第２層の天板が形成される。金属積層板28の窓38
と位置決めされるシールドカバー30の位置に、外部導波
管コンポーネント35の受け端部33の寸法を備えた窓31を
形成することによって、シールドカバー30の上部平面に
外部導波管コンポーネント35をボルト留め又は融着する
ことが可能になり、それによって高価で、かさばるマイ
クロ波パッケージ−外部導波管コンポーネントのアダプ
タが不要になる。外部導波管コンポーネント35は、導波
管、アンテナ、ホーン又は他の任意の導波管システムコ
ンポーネントとすることができる。やはり、エポキシ又
はハンダを含む、互いに融着すると埋め込み式導波管の
全ての内部表面の伝導性が高くなるような材料から各層
は形成しなければならない。図６は、本発明の技法を利
用して形成される非平面埋め込み式潜望鏡型導波管構造
32を示す、図５のマイクロ波回路パッケージ34の断面図
である。図７は、互いに融着される基板22、金属ベース
プレート24、金属積層板26、28及びシールドカバー30を
示す、図５及び６のマイクロ波回路パッケージ34の上面
透視図である。図７には、シールドカバー30に形成され
た、外部導波管コンポーネント35の受け端部33の寸法に
一致する寸法を備える窓31も示されている。外部導波管
コンポーネント35は、標準的な外部導波管コンポーネン
トの開口部とシールドカバー30の窓31とのアライメント
がとれる位置において、ボルト留め、ハンダ付け又は直
接融着によって、マイクロ波回路パッケージ34に直接取
り付けることが可能である。
【００２３】云うまでもなく、利用される金属積層板の
数及び本発明の技法を用いて形成することが可能な異な
る導波管構造の数は多く存在し、マイクロ波回路パッケ
ージの用途及び設計によってさまざまである。導波管構
造の形状及び形態は、各金属積層、金属ベースプレート
及びシールドカバーにおける窓パターンを構成する、窓
の形状、方向及び寸法のみによって決まる。図８及び９
には、さまざまな導波管経路及びより多くの金属積層板
を例示した代替例の構造が示されている。本発明の技法
を拡張して、任意の複雑な導波管経路を構成することが
可能であり、本明細書に示す実施態様は、制限を意図し
たものではない。
【００２４】本発明を利用することによって、新規のマ
イクロ回路コンポーネント−導波管ランチを形成するこ
とも可能である。図10は、マイクロ回路コンポーネント
−導波管ランチが形成されるマイクロ波回路パッケージ
40の一部の透視図であり、ここで、マイクロ回路コンポ
ーネントは、擬共面マイクロストリップ伝送ラインであ
る。今後はこの擬共面マイクロストリップ伝送ラインを
マイクロストリップと呼ぶことにする。図10に示すよう
に、マイクロ波回路パッケージ40は、マイクロストリッ
プ42を含んでいる。マイクロストリップ42は、次のよう
に形成される：基板に接地面をプリント又は融着するこ
とによって、ベースプレート43を製作する；次にベース
プレート43の上に、（厚み及び誘電率が）十分に制御さ
れた誘電体層45をつける；最後に誘電体層45の上に導体
44をつけ、マイクロストリップが形成される。図10に示
すように、ワイヤボンドループ46は、ハンダ又は他の適
合する手段によって、マイクロストリップ42の導体44に
取り付けられる。導波管構造48は、ワイヤボンドループ
46が導波管構造48の一方の端部に入り込むように、マイ
クロ波回路パッケージ40に形成され、配置される。ワイ
ヤボンドループ46を包囲する磁束結合が、マイクロスト
リップ42によって送られる伝送信号を導波管48の伝送ラ
インに結合する。
【００２５】図11には、本発明のマイクロストリップ−
導波管ランチの側面図が示されている。図12には、マイ
クロストリップ−導波管ランチの平面図が示されてい
る。前述のように、導波管構造48は、外部開口部47を備
えるように形成することが可能である。図12の場合、外
部開口部47は、マイクロ波回路パッケージカバーに形成
され、それに対して、直接、外部導波管コンポーネント
に位置決めし、取り付けることが可能である。
【００２６】当業者には明らかなように、同じ原理を適
用して、任意の他のタイプのマイクロ回路コンポーネン
トから導波管構造にマイクロ波信号を結合することも同
様に可能である。従って本発明の技法を利用することに
より、低コストで、コンパクトな、直接マイクロ回路コ
ンポーネント−導波管ランチを製作することが可能であ
る。やはり当業者には明らかなように、マイクロ回路コ
ンポーネント−導波管ランチを用いることによって、ア
ンテナ又は外部導波管のような外部マイクロ波コンポー
ネントから埋め込み式導波管構造に、さらにマイクロ波
回路パッケージ内に納められたマイクロ回路コンポーネ
ントにマイクロ波信号を結合することが可能になる。
【００２７】前述のように、本発明の技法を適用して、
非伝搬導波管構造を製作し、マイクロ波回路コンポーネ
ント間、マイクロ波信号経路間及びマイクロ波回路コン
ポーネント／信号経路とマイクロ波回路パッケージの外
界との間に高い分離を施すことができる。これらの非伝
搬導波管構造によれば、マイクロ回路又はマイクロスト
リップ伝送ラインのようなマイクロ波回路コンポーネン
トを収容し、カットオフ周波数ｆcを極めて高く設計し
て、ｆc未満の周波数では、電磁エネルギーが導波管構
造を伝搬しないようにすることが可能である。この技法
を用いて、埋め込み式導波管構造内の全ての電磁エネル
ギーがマイクロ波回路コンポーネントを伝搬することを
保証することにより、マイクロ回路コンポーネントまわ
りにおける並列経路漏洩を大幅に減少させることが可能
になる。従って、異なるマイクロストリップ伝送ライン
又はマイクロ回路要素を異なる非伝搬導波管構造内に配
置することによって、ラインと回路間並びにライン及び
回路とマイクロ波回路パッケージの外界との間におい
て、優れた高周波分離が実現される。
【００２８】図13には、マイクロ波回路パッケージ50に
形成された非伝搬導波管構造52の一例に関する断面図が
示されている。図13に示すように、非伝搬導波管構造52
を利用して、マイクロストリップ54とマイクロ波回路パ
ッケージ50内部及び外部の他のコンポーネントとの間に
高周波分離が施される。マイクロストリップは、均一に
制御された誘電体60の上に付着されており、誘電体は、
基板56の上にプリント又は付着された金属接地面58の上
に付着されている。図13の場合、非伝搬導波管構造52
は、シールドカバー64のくぼんだ空洞を利用して形成さ
れる。しかし非伝搬導波管構造は、前述の押し抜き及び
積層法を用いて形成することも可能である。図13の場
合、各層は、前述の拡散接合技法を用いて、互いに融着
するのが望ましい。非伝搬導波管構造52の幅及び高さ
は、極めて高いカットオフ周波数を保証するため（例え
ば、ａ＝３mmの導波管の断面幅の場合、カットオフはｆ
c＝ｃ／２ａ＝（３×1011(m/s)）／（２ａ(m)）＝50GHz
になる（ここでｃは光速））、ごくわずかである（例え
ば、ほぼ１〜２mm程度）。
【００２９】この非伝搬導波管構造によれば、先行技術
による分離技法に対してもう１つの利点が得られる。従
来、高周波分離が所望される場合、マイクロ回路は伝導
性の高い空洞内に密閉された。しかし該空洞は、金属板
を互いにボルトで留めてボックス状の構造にし、抵抗の
大きいエポキシを用いて、カバーを密封することによっ
て形成されたので、この技法はあまり有効ではなかっ
た。接合部に抵抗の大きいエポキシを用いると、空洞の
漏洩が増大する。本発明の望ましい実施態様に用いられ
る拡散接合技法の場合、空洞は、抵抗性エポキシを利用
せずに形成することができるので、高い分離係数が保た
れる。また共振空洞の寸法の短い側をボルトで留めるの
は困難であるため、大部分のパッケージは、所望の寸法
よりも大きい空洞寸法を備えており、結果として、マイ
クロ回路の動作周波数に近いGHz周波数で電磁エネルギ
ーが伝搬する場合が多くなる。この結果、マイクロ回路
又はコンポーネントまわりに並列漏洩経路が生じること
になる。本発明の場合、非伝搬導波管構造は、極めて小
さく、狭くなるように、従ってカットオフ周波数が極め
て高くなるように（すなわち、マイクロ回路の動作周波
数よりもかなり高くなるように）形成することが可能で
あり、この結果マイクロ回路コンポーネントまわりにお
ける並列経路漏洩が大幅に減少する。従って本発明によ
れば、製作コストが高く、かさばるシールド空洞が不要
になる。
【００３０】非伝搬導波管構造を利用して、並列漏洩経
路を阻止する技法を拡張すれば、マイクロ波回路パッケ
ージ全体に非伝搬導波管構造を設けて、各マイクロ回路
コンポーネント及び各マイクロストリップ伝送ラインを
シールドすることが可能になるのは明白である。従っ
て、金属ベースプレートに接着することが可能なセラミ
ック基板に、さまざまなマイクロ回路及びマイクロスト
リップ伝送ラインを埋め込むことが可能であり、さまざ
まなコンポーネントのそれぞれを納めて、分離するため
の、独立したくぼんだ空洞すなわちポケットを備えるシ
ールドカバーを金属ベースプレートに融着し、同じパッ
ケージ内の各マイクロ回路コンポーネント及び伝送ライ
ンの全てについて、独立したシールド空洞を形成するこ
とが可能である。こうした拡張によって、電磁エネルギ
ーは、その伝搬が所望されるマイクロ波回路パッケージ
内のマイクロ波システム全体に、あまり漏洩を生じるこ
となく行き渡ることが保証され、回路素子間、伝送ライ
ン間及び外界との間の分離も施される。
【００３１】マイクロ回路コンポーネントが、埋め込み
コンポーネントである必要はないのも明らかである。そ
れどころか、任意の埋め込み式導波管構造を利用して、
セラミック内に埋め込まれるか否かに関係なく、任意の
回路コンポーネントのシールドによる分離を施すことが
可能である。また分離空洞を形成する方法は、個々の回
路コンポーネントの上にくぼんだポケットを備えるシー
ルドカバーを融着するか、あるいは前述の押し抜き及び
積層法を利用して実施することが可能である。
【００３２】本発明の導波管構造をさらに拡張して、一
般に同調及び他の目的のための帯域フィルタとして機能
するように用いられる、共振空洞を形成することも可能
である。共振空洞は、当技術分野では公知であり、多く
の用途を有する。本発明の技法を用いて、任意の用途に
合わせた所望の寸法の共振空洞を形成することが可能で
ある。
【００３３】図14及び15には、本発明の技法によって得
られる特徴のそれぞれを利用するマイクロ波回路パッケ
ージ100において実施されるマイクロ波システムが示さ
れている。図14は、全ての層を示す、マイクロ波回路パ
ッケージ100の平面図である。マイクロ波回路パッケー
ジ100は、コンパクトな受信／送信システムである。図1
5は、マイクロ波回路パッケージ100の組み立て図であ
る。図15に示すように、マイクロ波回路パッケージ100
は、前述の押し抜き及び積層法を利用して実施される。
マイクロ波回路パッケージ100は、積層102、積層104及
び積層106を重ね合わせて積層とすることによって形成
される。積層102は、シールドカバーの働きをし、厚み
0.51mm（0.020インチ）の銅から構成される。積層104
は、直角に曲がった窓108及び110を備え、伝送ラインと
して用いられる伝搬導波管構造を形成するために利用さ
れる。この実施態様の場合、積層104は、厚み2.38mm
（0.0937インチ）の銅から構成される。積層106には、
非伝搬導波管構造の形成に用いられる窓112及び114と、
層が互いに融着されると、窓108及び110と重なり合い、
潜望鏡型の非平面導波管を形成する窓116及び118とが含
まれている。この実施態様の場合、積層106は、厚み0.5
1mm（0.020インチ）の銅から構成される。受信回路120
は、窓114の寸法及び形状に一致する窓126を備えた伝導
性ガスケット124に結合する、金属取り付け表面122に取
り付けられる。伝導性ガスケット124は、伝導性ガスケ
ット124の窓126と積層106の窓114のアライメントがとれ
る位置において、積層106に融着される。さらに金属取
り付け表面122は、受信回路120が伝導性ガスケット124
の窓126にぴったりとはまる位置で、伝導性ガスケット1
24に融着される。窓126及び114によって受信回路120の
まわりに形成される非伝搬導波管構造が、マイクロ波回
路パッケージの外側と内側の両方において、マイクロ波
システムの残りの部分から受信回路120を分離する。さ
らにもう１つの伝導性ガスケット128が、金属取り付け
表面122のもう一方の側に融着され、次にセラミック基
板130が、伝導性ガスケット128に接着される。受信回路
120は、受信回路120から伝導性ガスケット124の窓126内
に延びる遷移ループ132を備えている。アンテナ134は、
積層106の窓118とアライメントがとられる開口部136を
備えており、適正位置にボルト留めされる。窓118は、
アンテナ134の開口部136と同じ寸法を備えている。
【００３４】送信回路140は、窓112の寸法及び形状に一
致する窓146を備えた伝導性ガスケット144に結合する、
金属取り付け表面142に取り付けられる。伝導性ガスケ
ット144は、伝導性ガスケット144の窓146と積層106の窓
112のアライメントがとれる位置において、積層106に融
着される。さらに金属取り付け表面142は、送信回路140
が伝導性ガスケット144の窓146にぴったりとはまる位置
で、伝導性ガスケット144に融着される。さらにもう１
つの伝導性ガスケット148が、金属取り付け表面142のも
う一方の側に融着され、次にセラミック基板150が、伝
導性ガスケット148に接着される。送信回路140は、送信
回路140から伝導性ガスケット144の窓146内に延びる遷
移ループ152を備えている。アンテナ154は、積層106の
窓116とアライメントがとられる開口部156を備えてお
り、適正位置にボルト留めされる。窓116は、アンテナ1
54の開口部156と同じ寸法を備えている。
【００３５】全ての層が伝導性の高い材料と融着される
と、一対の伝搬導波管構造が、積層104の窓108及び110
によって形成され、一対の非伝搬導波管構造が、積層10
6の窓112及び114によって形成され、一対のマイクロ回
路−導波管ランチが、ワイヤボンドループ132、152を介
して形成され、マイクロ回路層122、142から、それぞれ
の窓126、146を介してガスケット124、144を通り、それ
ぞれの窓112、114を介して積層106を通り、積層106の窓
116、118を介して積層104に形成された導波管構造に入
り込む、アンテナ134、154までの／からの一対の潜望鏡
型導波管が形成される。
【００３６】明らかに、マイクロ波回路パッケージ100
には、回路コンポーネント間に極めて高い分離を施し、
さらに外部導波管コンポーネント（すなわち、ここでは
アンテナ）に対する直接マイクロ回路−導波管ランチを
設けるため、伝搬導波管構造と非伝搬導波管構造の両方
が組み込まれている。さらにマイクロ波回路パッケージ
100は、非平面「潜望鏡」型導波管構造を利用して、よ
りコンパクトにすることも可能である。
【００３７】本明細書において、本発明の例証となる現
在のところ望ましい実施態様について詳述したが、云う
までもなく、本発明の概念は、別様にさまざまに実施
し、用いることが可能であり、付属の請求項は、先行技
術による制限のある場合を除き、こうした変更を含むも
のと解釈されるように意図されている。
【００３８】以下においては、本発明の種々の構成要件
の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
【００３９】１. マイクロ波回路パッケージであっ
て、金属上部平面を備えたベースプレート（16）と、前
記ベースプレート（16）の前記金属上部平面に融着され
た金属積層（14）が含まれており、前記金属積層が、１
つ以上の金属積層板からなり、該金属積層板が上部平面
に下部平面が重なるように他の上面の１つに互いに融着
され、前記金属積層板（14）と前記ベースプレート（1
6）が互いに融着されると、１つ以上の埋め込み式導波
管構造（20）が形成されるように、少なくとも１つの前
記金属板（14）が、前記それぞれの金属積層板の上部平
面と下部平面との間に通路を形成する１つ以上の窓（1
5）による窓パターンを含むことを特徴とする、マイク
ロ波回路パッケージ。
【００４０】２. 前記金属積層板（14）及び前記ベー
スプレート（16）が、拡散接合を利用して互いに融着さ
れることを特徴とする、１項に記載のマイクロ波回路パ
ッケージ。
【００４１】３. 少なくとも１つの前記金属積層板（3
1）が、外部導波管コンポーネントの受け開口部（33）
の寸法を備え、前記金属積層板（26〜30）と前記ベース
プレートを互いに融着すると、前記埋め込み式導波管構
造（32）の内側とマイクロ波回路パッケージの外側との
間に通路を形成する１つ以上の窓（31）から構成される
窓パターンが設けられており、前記外部導波管コンポー
ネント（35）の前記受け開口部（33）と前記窓（31）を
位置決めして、前記マイクロ波回路パッケージに取り付
けることによって、内部導波管−外部導波管コンポーネ
ントランチを形成することが可能になることを特徴とす
る、１項に記載のマイクロ波回路パッケージ。
【００４２】４. さらにワイヤボンドループ（46）に
結合されたマイクロ回路コンポーネント（42）が含まれ
ていることと、前記金属積層板と前記ベースプレートを
互いに融着すると、前記ワイヤボンドループ（46）が、
前記埋め込み式導波管構造（48）内に入り込むように配
置されており、この結果マイクロ回路コンポーネント−
導波管ランチが形成されるようになっていることを特徴
とする、１項に記載のマイクロ波回路パッケージ。
【００４３】５. 前記金属積層板（26〜30）を互いに
融着すると、連続した金属積層板（30、28、26）におけ
る１つ以上の窓（31、36、38）の少なくとも一部のアラ
イメントがとれ、この結果金属積層の内側に複雑な導波
管構造を形成することが可能になるということを特徴と
する、１項に記載のマイクロ波回路パッケージ。
【００４４】６. 動作周波数で動作する１つ以上のマ
イクロ回路コンポーネント（120、140）が、前記金属積
層（104、106、122、124、128、130、142、144、148、1
50）を前記ベースプレート（102）に対して融着する
と、前記埋め込み式導波管構造内に納まるように配置さ
れていることと、前記埋め込み式導波管構造（114、11
2）が、導波管カットオフ周波数より高い周波数の電磁
波だけを伝搬するように構成されていることと、埋め込
み式導波管構造内における電磁波の伝搬を禁止し、前記
マイクロ回路コンポーネント（120、140）まわりにおけ
る並列経路漏洩を低減するため、前記導波管カットオフ
周波数が、前記動作周波数より高いことを特徴とする、
１項に記載のマイクロ波回路パッケージ。
【００４５】７. マイクロ波回路パッケージであっ
て、金属上部平面を備えたベースプレート（６、８）
と、下部平面に配置されたくぼんだ空洞（４）を備える
金属カバープレート（２）が含まれており、前記金属カ
バープレート（２）の前記下部平面を前記ベースプレー
ト（６、８）の前記金属上部平面に融着すると、埋め込
み式導波管構造（10）が形成されることを特徴とする、
マイクロ波回路パッケージ。
【００４６】８. 前記くぼんだ空洞（４）に、前記金
属カバープレート（２）と前記ベースプレート（６）を
互いに融着すると、前記埋め込み式導波管構造（10）の
内側とマイクロ波回路パッケージの外側との間に通路を
形成する窓が含まれており、外部導波管コンポーネント
の受け開口部と前記窓の位置決めをして、前記マイクロ
波回路パッケージに取り付けることによって、内部導波
管−外部導波管コンポーネントランチを形成することが
可能になることを特徴とする、７項に記載のマイクロ波
回路パッケージ。
【００４７】９. さらにワイヤボンドループ（46）に
結合されたマイクロ回路コンポーネント（42）が含まれ
ていることと、前記金属カバープレートと前記ベースプ
レートを互いに融着すると、前記ワイヤボンドループ
（46）が、前記埋め込み式導波管構造（48）内に入り込
むように配置されており、この結果マイクロ回路コンポ
ーネント−導波管ランチが形成されるようになっている
ことを特徴とする、７項又は８項に記載のマイクロ波回
路パッケージ。
【００４８】１０. 動作周波数で動作する１つ以上の
マイクロ回路（54）が、前記金属カバープレート（64）
を前記ベースプレート（58）に対して融着すると、前記
埋め込み式導波管構造（52）内に納まるように配置され
ていることと、前記埋め込み式導波管構造（52）が、導
波管カットオフ周波数より高い周波数の電磁波だけを伝
搬するように構成されていることと、埋め込み式導波管
構造（52）内における電磁波の伝搬を禁止し、前記マイ
クロ回路コンポーネント（54）まわりにおける並列経路
漏洩を低減するため、前記導波管カットオフ周波数が、
前記動作周波数より高いことを特徴とする、７項〜９項
のいずれか１項に記載のマイクロ波回路パッケージ。
【００４９】
【発明の効果】マイクロ波回路パッケージにおける埋め
込み式導波管構造形成するための技法を提供する。１つ
の方法においては、窓（15；36、38；108、110、112、1
14、116、118）は金属積層板（14；26〜30；104、106）
に押し抜かれ、打ち抜かれもしくは成形される。金属積
層は、金属積層板の各々が他の上面の１つに融着される
ことにより形成され、好ましくは拡散接合技術が利用さ
れる。この金属積層は、セラミック基板（８、18）に接
着される金属ベースプレート（６、16、102）の上面に
融着される。埋め込み式導波管構造（20）は、金属積層
板（14；26〜30；104、106）と金属ベースプレート
（６、16、102）が互いに融着されて形成される。他の
方法においては、くぼんだ空洞（４）がシールドカバー
（２、64）内に形成される。このシールドカバー（２、
64）は、好ましくは拡散接合技術を利用して、セラミッ
ク基板（８、56）に接着される金属ベースプレート
（６、58）にさらにまた融着される。本発明の技法は、
伝送ラインもしくは共鳴空洞のように作用する導波管構
造を形成するのに利用できる。本発明の技法は、極端に
高いカットオフ周波数を有する非導波管構造を形成する
のにも利用され、またマイクロストリップ伝送ラインも
しくはマイクロ回路まわりにカットオフ周波数未満のエ
ネルギーが伝搬するのを禁止するように形成される非導
波管構造を形成するのにも利用され、それによりマイク
ロ回路まわりの並列経路漏洩が減少する。加えて本発明
の技法は、低コストで、コンパクトな、効率の良いマイ
クロ回路コンポーネント−導波管ワイヤボンドランチを
実施するのに利用することができる。本発明は、マイク
ロ回路パッケージにおいて潜望鏡型導波管を実施するの
にも利用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】くぼんだ空洞を備える金属カバーを金属ベース
プレートに融着することによって形成された、本発明の
マイクロ波回路パッケージのための埋め込み式導波管構
造の実施態様の１つに関する断面図である。
【図２】図１の埋め込み式導波管構造の組み立て図であ
る。
【図３】打ち抜き法及び積層法を利用して形成された、
本発明のマイクロ波回路パッケージのための埋め込み式
導波管構造のもう１つの実施態様に関する断面図であ
る。
【図４】図３の埋め込み式導波管構造の組み立て図であ
る。
【図５】本発明の技法を利用して、非平面「潜望鏡」型
埋め込み式導波管構造の製作を可能にする方法を示す、
複数積層マイクロ波回路パッケージの組み立て図であ
る。
【図６】図５のマイクロ波回路パッケージの断面図であ
る。
【図７】図５及び６のマイクロ波回路パッケージの平面
図である。
【図８】異なる導波管経路及びより多くの金属積層板を
例示するために用いられる、代替例構造の組み立て図で
ある。
【図９】異なる導波管経路及びより多くの金属積層板を
例示するために用いられる、代替例構造の組み立て図で
ある。
【図１０】マイクロストリップ−導波管ランチの透視図
である。
【図１１】図１０のマイクロストリップ−導波管ランチ
の透視図である。
【図１２】図１０及び１１のマイクロストリップ−導波
管ランチの平面図である。
【図１３】マイクロ−ストリップ伝送ラインのシールド
に用いられるマイクロ波回路パッケージに形成された、
非伝搬導波管構造例の断面図である。
【図１４】本発明の技法によって得られる特徴のそれぞ
れを利用する、マイクロ波回路パッケージにおいて実施
されるマイクロ波システムを例示した、全ての層を示す
マイクロ波回路パッケージの平面図である。
【図１５】図１４のマイクロ波回路パッケージの組み立
て図である。
【符号の説明】
２ シールドカバー ４ 空洞 ６ 金属ベースプレート ８ 基板 １０ 埋め込み式導波管構造 １２ シールドカバー １４ 金属積層板 １５ 開放窓 １６ 金属ベースプレート １８ 基板 ２０ 埋め込み式導波管構造 ２２ 基板 ２４ 金属ベースプレート ２６ 金属積層板 ２８ 金属積層板 ３０ シールドカバー ３１ 窓 ３２ 潜望鏡型導波管構造 ３３ 受け端部 ３４ マイクロ波回路パッケージ ３５ 外部導波管コンポーネント ３６ 開放窓 ３８ 開放窓 ４０ マイクロ波回路パッケージ ４２ マイクロストリップ ４３ ベースプレート ４４ 導体 ４５ 誘電体層 ４６ ワイヤボンドループ ４７ 外部開口部 ４８ 導波管 ５０ マイクロ波回路パッケージ ５２ 非伝搬導波管構造 １００ マイクロ波回路パッケージ １０２ 積層 １０４ 積層 １０６ 積層 １０８ 窓 １１０ 窓 １１４ 窓 １１６ 窓 １１８ 窓 １２０ 受信回路 １２２ 金属取り付け表面 １２４ 伝導性ガスケット １２６ 窓 １２８ 伝導性ガスケット １３０ セラミック基板 １３２ 遷移ループ １３４ アンテナ １３６ 開口部 １４０ 送信回路 １４２ 金属取り付け表面 １４４ 伝導性ガスケット １４６ 窓 １４８ 伝導性ガスケット １５０ セラミック基板 １５２ 遷移ループ １５４ アンテナ １５６ 開口部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属上部平面を備えたベースプレート
    （16）と、 前記ベースプレート（16）の前記金属上部平面に融着さ
    れた金属積層（14）と、前記金属積層が１つ以上の金属
    積層板からなり、該金属積層板が上部平面に下部平面が
    重なるように他の上面の１つに互いに融着され、前記金
    属積層板（14）と前記ベースプレート（16）が互いに融
    着されると、１つ以上の埋め込み式導波管構造（20）が
    形成されるように、少なくとも１つの前記金属板（14）
    が、前記それぞれの金属積層板の上部平面と下部平面と
    の間に通路を形成する１つ以上の窓（15）による窓パタ
    ーンとを含むことを特徴とする、 マイクロ波回路パッケージ。
JP10179177A 1997-06-25 1998-06-25 マイクロ波回路パッケージの埋め込み式導波管 Pending JPH1168417A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/882,460 US5929728A (en) 1997-06-25 1997-06-25 Imbedded waveguide structures for a microwave circuit package
US882460 2001-06-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1168417A true JPH1168417A (ja) 1999-03-09

Family

ID=25380621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10179177A Pending JPH1168417A (ja) 1997-06-25 1998-06-25 マイクロ波回路パッケージの埋め込み式導波管

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US (1) US5929728A (ja)
JP (1) JPH1168417A (ja)
DE (1) DE19818019B4 (ja)
FR (1) FR2765403B1 (ja)
GB (1) GB2328326B (ja)

Cited By (4)

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