DE19747609A1 - Dünnfilmmehrschichtsubstrat und elektronische Vorrichtung - Google Patents
Dünnfilmmehrschichtsubstrat und elektronische VorrichtungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Dünnfilmmehr
schichtsubstrat, bei dem Anschlußstifte als Eingangs-/Aus
gangsanschlüsse verwendet werden, und eine elektronische
Vorrichtung.
In den letzten Jahren sind Dünnfilmmehrschichtsubstrate
in den Vorrichtungen und Geräten verwendet worden, die klein
sind und ein reduziertes Gewicht haben und in denen kleine
LSIs mit vielen Anschlüssen zum Einsatz kommen. Ein Dünn
filmmehrschichtsubstrat hat eine Dünnfilmstruktur, die eine
isolierende Substratbasisplatte enthält, eine Vielzahl von
Leiterschichten und eine Vielzahl von Isolierschichten, die
auf der Substratbasisplatte gebildet sind, und ist zum
Ausführen einer Verdrahtung mit feiner Teilung geeignet,
indem die Leiterschichten über Durchgangsstrukturen
(Durchgangslöcher) miteinander verbunden werden.
Als Material einer Substratbasisplatte für ein Dünn
filmmehrschichtsubstrat wird ein anorganisches Material wie
Aluminiumoxid oder Mullit verwendet. Es ist auch möglich,
als Substratbasisplatte ein organisches Material wie FR4 zu
verwenden. Die Dünnfilmstruktur wird erhalten, indem eine
Leiterschicht wie z. B. Kupfer oder Aluminium und eine
Isolierschicht wie z. B. Polyimid oder Epoxyharz aufeinander
laminiert werden, wobei die Leiterschicht als Muster zum
Zuführen von elektrischer Energie und zur Signalverdrahtung
gebildet wird und die verschiedenen Leiterschichten über
Durchgangsstrukturen zusammen verbunden werden.
Auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur werden An
schlußinseln gebildet, und elektronische Teile wie z. B.
LSI-Chips, Widerstände und Kondensatoren werden mit den
Anschlußinseln verbunden. Ferner enthält das Dünnfilmmehr
schichtsubstrat Anschlußstifte, die Eingangs-/Ausgangs
anschlüsse bilden. Wie der LSI-Chip sind die Anschlußstifte
mit den Anschlußinseln auf der Oberfläche der Dünnfilmstruk
tur verbunden. Fig. 5 der bei liegenden Zeichnungen ist eine
Ansicht, die einen Stand der Technik zum Vorsehen von An
schlußstiften auf der Dünnfilmstruktur zeigt. In Fig. 5
umfaßt eine Dünnfilmstruktur 114 auf einer Substratbasis
platte 112 eines Dünnfilmmehrschichtsubstrats 110 eine
Vielzahl von Leiterschichten 118b bis 118f und eine Vielzahl
von Isolierschichten 120a bis 120e. Ein Anschlußstift 116,
der einen Eingangs-/Ausgangsanschluß bildet, ist auf einer
Anschlußinsel 124 auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur
114 montiert und mit einer der Leiterschichten über eine
Durchgangsstruktur 122 verbunden. Die Durchgangsstruktur 122
wird gebildet, indem die Isolierschicht auf der Oberfläche
der Dünnfilmstruktur 114 bis hinab auf eine Leiterschicht
entfernt wird, mit der die Verbindung herzustellen ist.
Unter der Durchgangsstruktur 122 sind Leiterschichten 118e
und 118f als Signalverdrahtung gebildet. Somit wird das
Dünnfilmmehrschichtsubstrat mit elektronischen Teilen wie
LSIs und dergleichen als elektrische Vorrichtung wie z. B.
als Mehrchipmodul oder dergleichen genutzt. Solch eine
elektronische Vorrichtung wird verwendet, indem sie unter
Einsatz von Anschlußstiften, die als Eingangs-/Ausgangs
anschlüsse dienen, auf eine gedruckte Leiterplatte oder auf
eine Grundplatine montiert wird. Die LSI-Chips und die
Eingangs-/Ausgangsanschlüsse können auf derselben Oberfläche
oder auf separaten (beiden) Oberflächen montiert sein.
Der Stand der Technik bezüglich des Dünnfilmmehr
schichtsubstrats ist in der japanischen ungeprüften Patent
veröffentlichung (Kokai) Nr. 5-283557, Nr. 6-13755, Nr.
7-79078 und Nr. 7-86737 offenbart worden. Dieser Stand der
Technik dient jedoch nicht speziell als in Betracht gezoge
nes Druckschriftmaterial für die vorliegende Erfindung.
Ein Anschlußstift, der als Eingangs-/Ausgangsanschluß
dient, ist mit einer Anschlußinsel auf der Oberfläche der
Dünnfilmstruktur verbunden und mit einer von einer Vielzahl
von Leiterschichten über eine Durchgangsstruktur verbunden,
die in der Dünnfilmstruktur vorgesehen ist. Die Anschluß
insel auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur hat einen
Bereich, der etwas größer als der Bereich des unteren Endes
des Anschlußstiftes ist, und der Anschlußstift kann auf die
Anschlußinsel gelötet sein. Andererseits ist die Durch
gangsstruktur eine feine Struktur, die gewöhnlich zum Ver
binden der Schichten verwendet wird. Wenn ein großer Bereich
mit einer Anschlußinsel auf der Oberfläche der Dünnfilm
struktur erhalten werden kann, kann eine mehrschichtige
Durchgangsstruktur gebildet werden, um eine Vielzahl von
Schichten zu verbinden. Eine Durchgangsstruktur zum Verbin
den der Oberfläche der Dünnfilmstruktur mit einer gewünsch
ten Leiterschicht ist jedoch bezüglich des Bereiches der
Anschlußinsel sehr fein konstruiert, und ein Unterschied
zwischen den Bereichen der Anschlußinsel und der Durch
gangsstruktur ist sehr groß.
Unter der Anschlußinsel ist nicht nur die Durchgangs
struktur angeordnet, sondern auch die Leiterschichten und
die Isolierschichten der Dünnfilmstruktur. Außerdem er
streckt sich die Durchgangsstruktur nur bis zu einer Leiter
schicht, mit der die Verbindung zu erfolgen hat. Unter der
Leiterschicht sind separate Leiterschichten angeordnet, d. h.,
viele Signaldrähte über Isolierschichten.
Wenn eine elektronische Vorrichtung, die ein Dünnfilm
mehrschichtsubstrat enthält, auf eine gedruckte Leiterplatte
oder eine ähnliche Leiterplatte zu montieren ist, können die
anderen Enden der Anschlußstifte mit der gedruckten Leiter
platte durch Löten verbunden werden. In diesem Fall kann die
elektronische Vorrichtung weder von der gedruckten Leiter
platte entfernt werden, noch ausgetauscht werden, es sei
denn, daß das Lot geschmolzen wird. Heutzutage verwenden
Kunden die Geräte jedoch sehr häufig, und es wird gewünscht,
daß Geräte innerhalb von Zeiträumen, die so kurz wie möglich
sind, repariert werden können oder Komponenten durch
Hochleistungskomponenten ausgetauscht werden können. Ferner
wird gewünscht, daß der Austausch ohne Erfordernis speziel
ler Werkzeuge oder einer besonderen Technik erfolgen kann.
Zu diesem Zweck wird eine Struktur gewünscht, bei der
eine elektronische Vorrichtung, die ein Dünnfilmmehr
schichtsubstrat enthält, auf eine Buchse oder auf einen
Stecker montiert wird, statt auf das Löten angewiesen zu
sein. In diesem Fall muß die Leitfähigkeit zwischen dem
Anschlußstift und der gedruckten Leiterplatte, die auf dem
Kontakt der Buchse mit dem Anschlußstift beruht, mit jener
vergleichbar sein, die durch das Löten erreicht wird. Des
halb wird auf den Anschlußstift zu allen Zeiten eine Kraft
in einer unerwünschten Richtung ausgeübt, welche Kraft
zigmal größer als jene ist, wenn die Verbindung durch Löten
erfolgt. Wenn das Dünnfilmmehrschichtsubstrat eine Last
unter der widrigen Umgebung einer hohen Temperatur und hohen
Feuchtigkeit empfängt, nimmt die Adhäsionskraft an den
Grenzflächen zwischen den Isolierschichten und den Leiter
schichten ab, da das Isoliermaterial Feuchtigkeit absor
biert, und über lange Zeiträume wird keine befriedigende
Festigkeit zuverlässig aufrechterhalten. Bei dem herkömmli
chen Dünnfilmmehrschichtsubstrat sind jedoch vorzugsweise
Anstrengungen unternommen worden, um feine Verdrahtungen mit
vielen Anschlüssen zu erhalten, aber der Festigkeit der
Anschlußstifte und der Durchgangsstruktur ist nicht viel
Aufmerksamkeit gewidmet worden.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Dünnfilmmehrschichtsubstrat vorzusehen, welches eine ausrei
chende Festigkeit der Abschnitte gewährleisten kann, an
denen die Anschlußstifte, die als Eingangs-/Ausgangs
anschlüsse verwendet werden, verbunden sind, und eine
elektronische Vorrichtung, die das Dünnfilmmehrschicht
substrat enthält.
Ein Dünnfilmmehrschichtsubstrat gemäß der vorliegenden
Erfindung umfaßt eine isolierende Substratbasisplatte, eine
Dünnfilmstruktur, die eine Vielzahl von Leiterschichten und
eine Vielzahl von Isolierschichten enthält, die auf der
Substratbasisplatte gebildet sind, eine Durchgangsstruktur,
die in der Dünnfilmstruktur gebildet ist und mit einer der
Leiterschichten der Dünnschichtstruktur verbunden ist, und
Anschlußstifte, die mit der Durchgangsstruktur verbunden
sind, bei dem der Boden der Durchgangsstruktur direkt auf
der Substratbasisplatte laminiert ist und die Anschlußstifte
auf der Durchgangsstruktur befestigt sind.
Die elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden
Erfindung enthält das oben erwähnte Dünnfilmmehrschicht
substrat und wenigstens ein elektronisches Glied, das auf
der Oberfläche der Dünnfilmstruktur angeordnet ist.
Bei der obigen Anordnung enthält die Durchgangsstruktur
eine Vielzahl von Leiterschichten, die auf der Substrat
basisplatte laminiert sind, und die Anschlußstifte werden
mit einer Festigkeit gestützt, die jener der Anschlußstifte
gleich ist, wenn sie durch die Substratbasisplatte direkt
gestützt werden. Darüber hinaus ist keine Isolierschicht in
einem Abschnitt der Durchgangsstruktur unter dem Anschluß
stift vorhanden, welcher der Eingangs-/Ausgangsanschluß ist.
Wenn die Isolierschicht ein hygroskopisches Material umfaßt,
nimmt die Adhäsionskraft an den Grenzflächen zwischen den
Isolierschichten und den Leiterschichten ab, wenn von dem
Anschlußstift eine Kraft auf solch einen Abschnitt ausgeübt
wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist jedoch der Ab
schnitt, auf den von dem Anschlußstift eine Kraft ausgeübt
werden wird, frei von einer Grenzfläche zwischen der Iso
lierschicht und der Leiterschicht. Deshalb nimmt die Adhäsi
onskraft nicht ab, und eine ausreichend hohe Festigkeit wird
über lange Zeiträume hinweg gewährleistet. So werden ein
Dünnfilmmehrschichtsubstrat und eine elektronische Vorrich
tung vorgesehen, die selbst in einer Umgebung, in der An
schlußstifte zu allen Zeiten eine Kraft empfangen, eine
ausreichende Festigkeit haben.
Die folgenden Merkmale können zu der oben erwähnten
Anordnung hinzugefügt werden.
Die Leiterschichten der Durchgangsstruktur und die
Vielzahl von Leiterschichten der Dünnfilmstruktur sind
direkt aufeinander laminiert. Mit anderen Worten, die Durch
gangsstruktur enthält keine Isolierschicht.
Die Leiterschichten der Durchgangsstruktur haben Berei
che, die gleich oder größer als die Bereiche der Enden der
Anschlußstifte sind.
Die Bereiche von der Vielzahl von Leiterschichten der
Durchgangsstruktur nehmen ab einer Leiterschicht dicht an
der Substratbasisplatte hin zu einer Leiterschicht, die von
der Substratbasisplatte entfernt ist, allmählich zu.
Von den Leiterschichten der Durchgangsstruktur ist die
Leiterschicht, die von der Substratbasisplatte am weitesten
entfernt ist, mit Nickel und Gold plattiert.
Die Leiterschichten der Dünnfilmstruktur sind auf der
äußeren Seite der hervorstehenden Ebene der Leiterschicht
angeordnet, die von der Vielzahl von Leiterschichten der
Durchgangsstruktur von der Substratbasisplatte am weitesten
entfernt ist, außer der Leiterschicht der Durchgangsstruk
tur, die am dichtesten an der Substratbasisplatte liegt und
der Leiterschicht, die mit der Durchgangsstruktur verbunden
ist.
Eine von der Vielzahl von Leiterschichten der Dünnfilm
struktur, die mit der Durchgangsstruktur verbunden ist, ist
mit der Durchgangsstruktur in derselben Schicht verbunden,
ohne in einer Richtung, die zu der Dünnfilmstruktur recht
winklig ist, auf der hervorstehenden Ebene der Leiterschicht
verschoben zu sein, die von der Vielzahl von Leiterschichten
der Durchgangsstruktur am weitesten von der Substratbasis
platte entfernt ist.
Da der Bereich von der Anschlußinsel, mit der der
Anschlußstift verbunden ist, hin zu der unteren Durchgangs
struktur allmählich abnimmt, wird in der Durchgangsstruktur
keine Spannung auf konzentrierte Weise aufgebaut, auch nicht
in einem Zustand, wenn beim Verbinden der Anschlußstifte
thermische Spannung erzeugt wird und wenn die Kraft zum
Halten des Steckverbinders ausgeübt wird. Darüber hinaus ist
unter der Anschlußinsel kein Material (Isolierschicht)
vorhanden, dessen Eigenschaften in Abhängigkeit von der
Feuchtigkeit extrem verändert werden, und daher ändert sich
die Festigkeit im Laufe der Zeit nicht sehr. Demzufolge wird
selbst in einer widrigen Umgebung, in der die Temperatur
hoch ist und die Feuchtigkeit hoch ist, die Festigkeit zum
Verbinden der Anschlußstifte selbst über lange Zeiträume
hinweg nicht verschlechtert, wodurch es ermöglicht wird, die
Anschlußstifte in Steckverbinder einzufügen oder aus ihnen
zu entfernen. Wenn gewünscht wird, eine starke Standfestig
keit beizubehalten, können die Wurzeln der Anschlußstifte
und die Oberflächen des Dünnfilms, nachdem die Anschluß
stifte verbunden sind, mit einem Material überzogen werden,
welches im wesentlichen ein Epoxyharz oder Silicium umfaßt.
Die vorliegende Erfindung geht aus der folgenden
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen unter Bezug
nahme auf die beiliegenden Zeichnungen besser hervor, in
denen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht von einem Abschnitt
eines Dünnfilmmehrschichtsubstrats gemäß der ersten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 2 eine Querschnittsansicht von einem Abschnitt
eines Dünnfilmmehrschichtsubstrats gemäß einer zweiten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 3 eine schematische Ansicht einer elektronischen
Vorrichtung ist, die das Dünnfilmmehrschichtsubstrat enthält
und auf eine Grundplatine montiert ist;
Fig. 4 eine schematische Ansicht einer anderen elektro
nischen Vorrichtung ist, die das Dünnfilmmehrschichtsubstrat
enthält und auf eine Grundplatine montiert ist; und
Fig. 5 eine Ansicht ist, die einen Stand der Technik
zeigt.
Fig. 3 ist eine Ansicht, die ein Dünnfilmmehrschicht
substrat 10 gemäß der vorliegenden Erfindung und eine elek
tronische Vorrichtung 30 zeigt, die das Dünnfilmmehrschicht
substrat 10 enthält. Das Dünnfilmmehrschichtsubstrat 10
enthält eine isolierende Substratbasisplatte 12, eine Dünn
filmstruktur 14, die auf der Substratbasisplatte 12 gebildet
ist, und Anschlußstifte 16, die als Eingangs-/Ausgangs
anschlüsse dienen. Die elektronische Vorrichtung 30 umfaßt
das Dünnfilmmehrschichtsubstrat 10, elektronische Teile 32,
wie z. B. LSIs, die auf das Dünnfilmmehrschichtsubstrat 10
montiert sind, Widerstände, Kondensatoren und dergleichen,
und bildet einen Mehrchipmodul. Die elektronischen Teile 32
sind zum Beispiel durch Lötkontakthügel 34 mit Leiterschich
ten (Anschlußinseln) auf der Oberfläche des Dünnfilmmehr
schichtsubstrats 10 verbunden.
Die elektronische Vorrichtung 30 kann auf eine Grund
platine 40 eines Computers montiert sein. In diesem Fall
sind die Anschlußstifte 16 in den Steckverbinder 42 der
Grundplatine 40 oder in die Durchgangslöcher der gedruckten
Leiterplatte eingefügt, so daß zwischen der elektronischen
Vorrichtung 30 und dem Computer durch die Anschlußstifte 16
Signale übertragen werden.
Ferner sind unter Bezugnahme auf Fig. 4 die Anschluß
stifte 16 mit den Anschlußinseln 44 der Grundplatine 40
verlötet, wodurch die Signale zwischen der elektronischen
Vorrichtung 30 und dem Computer über die Anschlußstifte 16
übertragen werden. Sowohl bei der Struktur von Fig. 3 als
auch bei der Struktur von Fig. 4 wird auf die Anschlußstifte
16 eine Last ausgeübt, und daher tendiert die Dünnfilmstruk
tur 14 des Dünnfilmmehrschichtsubstrats 10 dazu, an Festig
keit zu verlieren. Die vorliegende Erfindung löst dieses
Problem, wobei auf die unten beschriebene Struktur vertraut
wird.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 und 2 umfaßt die Dünnfilm
struktur 14 des Dünnfilmmehrschichtsubstrats 10 eine Viel
zahl von Leiterschichten 18b bis 18f und eine Vielzahl von
Isolierschichten 20a bis 20e. Die Isolierschichten 20a bis
20e trennen die zwei benachbarten Leiterschichten 18b bis
18f. Die Isolierschichten 20a bis 20e hängen an Abschnitten,
an denen keine Leiterschichten 18b bis 18f vorhanden sind,
miteinander zusammen.
Fig. 1 und 2 zeigen einen Abschnitt, an dem der
Anschlußstift 16 vorgesehen ist, zeigen aber nicht die
Abschnitte, an denen elektronische Teile 32 montiert sind,
die in Fig. 3 und 4 gezeigt sind. Auf der obersten Isolier
schicht 20 ist eine andere Leiterschicht 18a (in Fig. 1 und
2 nicht gezeigt) gebildet, die als Anschlußinsel zum Montie
ren des elektronischen Teils 32 dient. Die Leiterschichten
18a bis 18f sind als Muster zum Zuführen von elektrischer
Energie, zur Erdung und zum Bilden der Signalverdrahtung
gebildet. Um die Muster zwischen den Schichten zu verbinden,
werden die verschiedenen Leiterschichten 18a bis 18f durch
die Durchgangsstruktur zusammen verbunden, die die Isolier
schichten 20a bis 20e durchdringt.
Als Material für die Basisplatte 12 des Dünnfilmmehr
schichtsubstrats 10 kann ein anorganisches Material wie
Aluminiumoxid oder Mullit oder ein organisches Material wie
FR4 verwendet werden. Die Leiterschichten 18a bis 18f sind
aus einem Metall wie Kupfer oder Aluminium gebildet, und die
Leiterschicht 18a, die als Anschlußinsel dient, ist mit
Nickel und Gold plattiert, um die Lotbenetzbarkeit zu ver
bessern. Die Isolierschichten 20a bis 20e sind aus einem
Harz, wie z. B. Polyimid oder Epoxyharz.
Der Anschlußstift 16 ist mit einer von der Vielzahl von
Leiterschichten 18b bis 18f der Dünnfilmstruktur 14 verbun
den, wobei auf die Durchgangsstruktur 22 vertraut wird. In
Fig. 1 ist die Durchgangsstruktur 22 mit der Leiterschicht
18c der Dünnfilmstruktur 14 verbunden. In Fig. 2 ist die
Durchgangsstruktur 22 mit der Leiterschicht 18e der Dünn
filmstruktur 14 verbunden. Die Leiterschichten 18b bis 18f,
mit denen die Verbindung zu erfolgen hat, werden zu Energie
zuführanschlüssen, Erdanschlüssen und Signalanschlüssen.
Die Durchgangsstruktur 22 umfaßt eine Vielzahl von Lei
terschichten 24a bis 24f, die auf der Substratbasisplatte 12
laminiert sind. Die Leiterschichten 24a bis 24f werden
gleichzeitig mit den Leiterschichten 18a bis 18f der Dünn
filmstruktur 14 gebildet, und die Leiterschicht 24f auf dem
Boden der Dünnfilmstruktur 14 ist direkt auf die Substrat
basisplatte 12 laminiert. Die Durchgangsstruktur 22 ist
zwischen den Leiterschichten 24a bis 24f ein abgestufter
Abschnitt, und ein zentraler flacher Abschnitt der Leiter
schichten 24a bis 24f dient als Anschlußinsel zum Montieren
des Anschlußstiftes 16. Die Durchgangsstruktur 22 ist größer
als die Anschlußinsel. Die oberste Leiterschicht 24a ist mit
Nickel und Gold plattiert, um die Lotbenetzbarkeit zu ver
bessern. Die Leiterschichten 18a bis 18f der Dünnfilmstruk
tur 14 sind zum Beispiel durch einen Fotolithografieprozeß
gemustert und von den Leiterschichten 24a bis 24f der Durch
gangsstruktur 22 getrennt.
Um der Vielzahl von Leiterschichten 18a bis 18f der
Dünnfilmstruktur 14 zu entsprechen, wird deshalb die Viel
zahl von Leiterschichten 24a bis 24f der Durchgangsstruktur
22 gleichzeitig mit ihr gebildet, und sie sind direkt auf
einander laminiert. In der Durchgangsstruktur 22 ist keine
Isolierschicht zwischen der obersten Leiterschicht 24a und
der Substratbasisplatte 12 enthalten.
Der Anschlußstift 16 hat an seinem unteren Ende eine
Montagefläche 16a, die mit der oberen Leiterschicht 24a
verlötet ist, wie bei 16 gezeigt.
Bei dem obigen Aufbau ist die Durchgangsstruktur 22 aus
einer Vielzahl von Leiterschichten 24a bis 24f gebildet, die
direkt auf der Substratbasisplatte 12 laminiert sind, und
der Anschlußstift 16 wird gestützt, wobei eine Festigkeit
gewährleistet wird, die jener gleich ist, wenn der Anschluß
stift 16 direkt durch die Substratbasisplatte 12 gestützt
wird. Wenn die Isolierschicht aus einem hygroskopischen
Material besteht, nimmt die Adhäsionskraft an der Grenzflä
che zwischen der Isolierschicht und der Leiterschicht bei
Empfang einer Kraft von dem Anschlußstift 16 ab. Gemäß der
vorliegenden Erfindung ist jedoch in der Durchgangsstruktur
22 unter dem Anschlußstift 16 keine Isolierschicht vorhan
den. Deshalb nimmt die Adhäsionskraft nicht ab, wird die
Festigkeit zum Verbinden des Anschlußstiftes selbst unter
widrigen Bedingungen nicht verschlechtert, wenn die Tempera
tur hoch ist und die Feuchtigkeit hoch ist, und über lange
Zeiträume wird ein ausreichendes Maß an Festigkeit beibehal
ten.
Selbst wenn auf den Anschlußstift 16 eine Kraft wieder
holt ausgeübt wird, wird die Festigkeit des Dünnfilmmehr
schichtsubstrats 10 unter dem Anschlußstift 16 selbst im
Laufe der Zeit nicht groß verschlechtert, wodurch es möglich
wird, eine Struktur zum Einsetzen des Anschlußstiftes 16 in
den Steckverbinder 42 oder das Durchgangsloch, die in Fig. 3
gezeigt ist, oder zum Entfernen aus ihnen, zu realisieren.
Das heißt, wenn der Anschlußstift 16 in den Steckverbinder
42 oder das Durchgangsloch einzusetzen ist, oder aus ihnen
zu entfernen ist, wird auf den Anschlußstift 16 eine Kraft
in transversaler Richtung ausgeübt. Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird jedoch ein ausreichendes Maß an Standfestig
keit beibehalten, selbst wenn auf den Anschlußstift 16 eine
Kraft in transversaler Richtung wirkt. Um eine widerstands
fähige und dauerhafte Struktur zu realisieren, können des
weiteren der Wurzelabschnitt des Anschlußstiftes 16 und die
Oberfläche des Dünnfilms, nachdem der Anschlußstift 16
verlötet worden ist, mit einem Material überzogen werden,
das im wesentlichen ein Epoxyharz oder Silicium umfaßt. So
werden ein Dünnfilmmehrschichtsubstrat und eine elektroni
sche Vorrichtung vorgesehen, die selbst in einer Umgebung,
in der die Anschlußstifte zu allen Zeiten eine Kraft empfan
gen, ein ausreichendes Maß an Festigkeit haben.
In dieser Ausführungsform sind ferner die Bereiche von
der Vielzahl von Leiterschichten 24a bis 24f der Durchgangs
struktur 22 gleich oder größer als der Bereich der Montage
fläche 16a an dem unteren Ende des Anschlußstiftes 16. Wenn
der Anschlußstift 16 auf die oberste Leiterschicht 24a zu
löten ist, wird die thermische Zugspannung zu der Zeit, wenn
sich das Lot wieder verfestigt, zu einem Problem. Wenn die
Durchgangsstruktur einen kleinen Bereich hat, wirkt die
Zugspannung auf die Isolierschicht; d. h., die Spannung
konzentriert sich in der Isolierschicht, wie z. B. in dem
Polyimid, woraus Risse resultieren können. Wenn die Durch
gangsstruktur 22 einen Bereich hat, der gleich oder größer
als der Bereich der Montagefläche 16a des unteren Endes des
Anschlußstiftes 16 ist, wie in dieser Ausführungsform, kann
die Konzentration von Spannung in der Isolierschicht redu
ziert werden.
Die Leiterschichten 24a bis 24f der Durchgangsstruktur
22 haben Bereiche, die ab der Leiterschicht 24f dicht an der
Substratbasisplatte 12 hin zu der Leiterschicht, die von der
Substratbasisplatte 12 entfernt ist, allmählich zunehmen.
Deshalb konzentriert sich selbst in einem Zustand, wenn zu
der Zeit des Verbindens des Anschlußstiftes 16 die thermi
sche Spannung ausgeübt wird oder die Kraft zum Halten des
Steckverbinders ausgeübt wird, keine Spannung in der Durch
gangsstruktur 22. Zum Beispiel kann der Anschlußstift 16
einen Durchmesser D von 0,2 mm haben, kann die Montagefläche
16a des Anschlußstiftes 16 einen Durchmesser d von 0,4 mm
haben, während die oberste Leiterschicht (Anschlußinsel) 24a
einen Durchmesser E von 0,9 mm haben kann und die unterste
Literschicht 24f einen Durchmesser F von 0,7 mm haben kann.
Für jedes Dünnfilmmehrschichtsubstrat 10 sind mehrere tau
send Anschlußstifte 16 vorgesehen.
Ferner sind die Leiterschichten 18b bis 18f der Dünn
filmstruktur 14 auf der äußeren Seite der hervorstehenden
Ebene der Leiterschicht 24a angeordnet, die von den Leiter
schichten 24a bis 24f der Durchgangsstruktur 22 am weitesten
von der Substratbasisplatte 12 entfernt ist, außer der
Leiterschicht 24f der Durchgangsstruktur 22, die am dichte
sten an der Substratbasisplatte 12 angeordnet ist, und der
Leiterschicht, die mit der Durchgangsstruktur 22 verbunden
ist. Das heißt, unter der obersten Leiterschicht 24a, die
als Anschlußinsel dient, ist nur jene Verdrahtung angeord
net, mit der die Verbindung erfolgen soll, so daß zwischen
der Isolierschicht und der Leiterschicht in einem Bereich,
auf den die Kraft von dem Anschlußstift 16 ausgeübt werden
kann, keine Grenzfläche existiert, um die Konzentration von
Spannung zu minimieren.
Eine der Leiterschichten 18b bis 18f der Dünnfilmstruk
tur 14, die mit der Durchgangsstruktur 22 verbunden ist, ist
mit der Durchgangsstruktur 22 in derselben Schicht verbun
den, ohne in einer Richtung, die zu der Dünnfilmstruktur 14
rechtwinklig ist, auf einer hervorstehenden Ebene der Lei
terschicht 24a, die von der Substratbasisplatte 12 von der
Vielzahl von Leiterschichten 24a bis 24f der Durchgangs
struktur 22 am weitesten entfernt ist, verschoben zu sein.
Das heißt, die Übertragung von Signalen nahe der Durch
gangsstruktur 22 wird verhindert, um dadurch die Konzentra
tion von Spannung in dem Muster zu vermeiden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung sind, wie oben be
schrieben, ein Dünnfilmmehrschichtsubstrat und eine elektro
nische Vorrichtung vorgesehen, mit Anschlußstiften, die auf
der Dünnfilmstruktur verbunden sind, die einer Umgebung mit
einer hohen Temperatur und hoher Feuchtigkeit widerstehen
können.
Claims (8)
1. Dünnfilmmehrschichtsubstrat mit einer isolierenden
Substratbasisplatte (12), einer Dünnfilmstruktur, die eine
Vielzahl von Leiterschichten und eine Vielzahl von Isolier
schichten enthält, die auf der Substratbasisplatte gebildet
sind, einer Durchgangsstruktur (22) , die in der Dünnfilm
struktur (14) gebildet ist und mit einer der Leiterschichten
der Dünnschichtstruktur verbunden ist, und Anschlußstiften
(16), die mit der Durchgangsstruktur (22) verbunden sind,
bei dem der Boden der Durchgangsstruktur (22) direkt auf
der Substratbasisplatte laminiert ist und die Anschlußstifte
(16) auf der Durchgangsstruktur (22) befestigt sind.
2. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach Anspruch 1, bei
dem die Durchgangsstruktur (22) eine Vielzahl von Leiter
schichten hat, die den Leiterschichten der Dünnfilmstruktur
(14) entsprechen, und die Leiterschichten der Durchgangs
strukturen (22) direkt aufeinander laminiert sind.
3. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach einem der Ansprü
che 1 oder 2, bei dem jeder der Bereiche der Leiterschichten
der Durchgangsstruktur (22) einen Bereich hat, der gleich
oder größer als jener des Endes des Anschlußstiftes (16)
ist.
4. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach Anspruch 3, bei
dem die Bereiche der Leiterschichten der Durchgangsstruktur
(22) in der Reihenfolge von der Leiterschicht, die der
Substratbasisplatte (12) am nächsten ist, hin zu der Leiter
schicht, die von der Substratbasisplatte am weitesten ent
fernt ist, zunehmen.
5. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach einem der vorher
gehenden Ansprüche, bei dem die Leiterschicht in den Leiter
schichten der Durchgangsstruktur (22), die von der Sub
stratbasisplatte (12) am weitesten entfernt ist, mit Nickel
und Gold plattiert ist.
6. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach Anspruch 4 oder
5, bei dem die Leiterschichten der Dünnfilmstruktur (14) auf
der äußeren Seite der hervorstehenden Ebene der Leiter
schicht angeordnet sind, die von den Leiterschichten der
Durchgangsstruktur (22) am weitesten von der Substratbasis
platte (12) entfernt ist, außer der Leiterschicht der Durch
gangsstruktur (22) , die der Substratbasisplatte am nächsten
ist, und der Leiterschicht, die mit der Durchgangsstruktur
(22) verbunden ist.
7. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach Anspruch 4 oder
5, bei dem eine der Leiterschichten der Dünnfilmstruktur,
die mit der Durchgangsstruktur (22) verbunden ist, mit der
Durchgangsstruktur (22) in derselben Schicht verbunden ist,
ohne in einer Richtung, die zu der Dünnfilmstruktur (14)
rechtwinklig ist, auf einer hervorstehenden Ebene der Lei
terschicht verschoben zu sein, die von den Leiterschichten
der Durchgangsstruktur (22) von der Substratbasisplatte
(12) am weitesten entfernt ist.
8. Elektronische Vorrichtung mit einer isolierenden
Substratbasisplatte (12), einer Dünnfilmstruktur, die eine
Vielzahl von Leiterschichten und eine Vielzahl von Isolier
schichten enthält, die auf der Substratbasisplatte gebildet
sind, wenigstens einem elektronischen Glied, das auf der
Oberfläche der Dünnfilmstruktur (14) angeordnet ist, einer
Durchgangsstruktur (22) , die in der Dünnfilmstruktur (14)
gebildet ist und mit einer der Leiterschichten verbunden
ist, und Anschlußstiften (16), die mit der Durchgangsstruk
tur (22) verbunden sind, bei der die Durchgangsstruktur
(22) aus einer Vielzahl von Leiterschichten gebildet ist,
die auf der Substratbasisplatte laminiert sind.
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DE19907168C1 (de) * | 1999-02-19 | 2000-08-10 | Micronas Intermetall Gmbh | Schichtanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung |
US6430058B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-08-06 | Intel Corporation | Integrated circuit package |
US6413849B1 (en) | 1999-12-28 | 2002-07-02 | Intel Corporation | Integrated circuit package with surface mounted pins on an organic substrate and method of fabrication therefor |
JP3378550B2 (ja) * | 2000-02-03 | 2003-02-17 | 日本特殊陶業株式会社 | リードピン付き配線基板 |
JP3550355B2 (ja) * | 2000-04-13 | 2004-08-04 | 日本特殊陶業株式会社 | ピン立設基板 |
JP2002083904A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US6700076B2 (en) * | 2000-09-28 | 2004-03-02 | Eic Corporation | Multi-layer interconnect module and method of interconnection |
US6911726B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-06-28 | Intel Corporation | Microelectronic packaging and methods for thermally protecting package interconnects and components |
CN100352319C (zh) * | 2002-09-20 | 2007-11-28 | 日本特殊陶业株式会社 | 由树脂制成的带有插脚的电路板 |
US7088008B2 (en) * | 2003-03-20 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Electronic package with optimized circuitization pattern |
US7061096B2 (en) * | 2003-09-24 | 2006-06-13 | Silicon Pipe, Inc. | Multi-surface IC packaging structures and methods for their manufacture |
US7732904B2 (en) * | 2003-10-10 | 2010-06-08 | Interconnect Portfolio Llc | Multi-surface contact IC packaging structures and assemblies |
WO2005050708A2 (en) * | 2003-11-13 | 2005-06-02 | Silicon Pipe, Inc. | Stair step printed circuit board structures for high speed signal transmissions |
US7652381B2 (en) * | 2003-11-13 | 2010-01-26 | Interconnect Portfolio Llc | Interconnect system without through-holes |
US7278855B2 (en) * | 2004-02-09 | 2007-10-09 | Silicon Pipe, Inc | High speed, direct path, stair-step, electronic connectors with improved signal integrity characteristics and methods for their manufacture |
JP2009043844A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードピン付き配線基板およびリードピン |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5961054A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS63182814A (ja) * | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Nippon Ee S M Kk | プラズマcvd用ウエ−ハ載置ボ−トおよびこれを利用するウエ−ハ上の薄膜生成方法 |
JPH0346297A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-27 | Fujitsu Ltd | ビア形成方法 |
JP2687604B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1997-12-08 | 富士通株式会社 | プリント回路基板の製造方法 |
JPH03102895A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Hitachi Ltd | ムライト多層配線基板 |
JPH03178186A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-02 | Fujitsu Ltd | セラミック基板のビア形成方法 |
JP2692332B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1997-12-17 | 富士通株式会社 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
JP2515944B2 (ja) * | 1992-03-31 | 1996-07-10 | 日本碍子株式会社 | セラミックパッケ―ジおよびその製造方法 |
JPH0613755A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-21 | Hitachi Ltd | セラミック多層配線基板とその製造方法 |
JP3072807B2 (ja) * | 1992-07-15 | 2000-08-07 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0669281A (ja) * | 1992-08-18 | 1994-03-11 | Fujitsu Ltd | ベアチップの実装構造 |
JP3287042B2 (ja) * | 1993-01-26 | 2002-05-27 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH06219871A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 薄膜積層セラミックス基板 |
JPH0745947A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-14 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層回路基板の製造方法 |
JP3110922B2 (ja) * | 1993-08-12 | 2000-11-20 | 富士通株式会社 | マルチチップ・モジュール |
JPH0779078A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
JPH0786737A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層回路基板の製造方法 |
US5432675A (en) * | 1993-11-15 | 1995-07-11 | Fujitsu Limited | Multi-chip module having thermal contacts |
JP2783751B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1998-08-06 | 富士通株式会社 | 多層セラミック基板の製造方法 |
US5834705A (en) * | 1994-03-04 | 1998-11-10 | Silicon Graphics, Inc. | Arrangement for modifying eletrical printed circuit boards |
US5543586A (en) * | 1994-03-11 | 1996-08-06 | The Panda Project | Apparatus having inner layers supporting surface-mount components |
US5421083A (en) * | 1994-04-01 | 1995-06-06 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a circuit carrying substrate having coaxial via holes |
-
1997
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