DE19747609A1

DE19747609A1 - Dünnfilmmehrschichtsubstrat und elektronische Vorrichtung

Info

Publication number: DE19747609A1
Application number: DE19747609A
Authority: DE
Inventors: Kiyokazu Moriizumi; Shunichi Kikuchi; Kazuhiro Nitta; Naomi Fukunaga; Mitsuo Suehiro
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1997-04-18
Filing date: 1997-10-29
Publication date: 1998-10-22
Anticipated expiration: 2017-10-30
Also published as: GB2324415A; US6054652A; JPH10294396A; GB9721707D0; JP3340350B2; GB2324415B; DE19747609B4

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Dünnfilmmehr schichtsubstrat, bei dem Anschlußstifte als Eingangs-/Aus gangsanschlüsse verwendet werden, und eine elektronische Vorrichtung.

2. Beschreibung der verwandten Technik

In den letzten Jahren sind Dünnfilmmehrschichtsubstrate in den Vorrichtungen und Geräten verwendet worden, die klein sind und ein reduziertes Gewicht haben und in denen kleine LSIs mit vielen Anschlüssen zum Einsatz kommen. Ein Dünn filmmehrschichtsubstrat hat eine Dünnfilmstruktur, die eine isolierende Substratbasisplatte enthält, eine Vielzahl von Leiterschichten und eine Vielzahl von Isolierschichten, die auf der Substratbasisplatte gebildet sind, und ist zum Ausführen einer Verdrahtung mit feiner Teilung geeignet, indem die Leiterschichten über Durchgangsstrukturen (Durchgangslöcher) miteinander verbunden werden.

Als Material einer Substratbasisplatte für ein Dünn filmmehrschichtsubstrat wird ein anorganisches Material wie Aluminiumoxid oder Mullit verwendet. Es ist auch möglich, als Substratbasisplatte ein organisches Material wie FR4 zu verwenden. Die Dünnfilmstruktur wird erhalten, indem eine Leiterschicht wie z. B. Kupfer oder Aluminium und eine Isolierschicht wie z. B. Polyimid oder Epoxyharz aufeinander laminiert werden, wobei die Leiterschicht als Muster zum Zuführen von elektrischer Energie und zur Signalverdrahtung gebildet wird und die verschiedenen Leiterschichten über Durchgangsstrukturen zusammen verbunden werden.

Auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur werden An schlußinseln gebildet, und elektronische Teile wie z. B. LSI-Chips, Widerstände und Kondensatoren werden mit den Anschlußinseln verbunden. Ferner enthält das Dünnfilmmehr schichtsubstrat Anschlußstifte, die Eingangs-/Ausgangs anschlüsse bilden. Wie der LSI-Chip sind die Anschlußstifte mit den Anschlußinseln auf der Oberfläche der Dünnfilmstruk tur verbunden. Fig. 5 der bei liegenden Zeichnungen ist eine Ansicht, die einen Stand der Technik zum Vorsehen von An schlußstiften auf der Dünnfilmstruktur zeigt. In Fig. 5 umfaßt eine Dünnfilmstruktur 114 auf einer Substratbasis platte 112 eines Dünnfilmmehrschichtsubstrats 110 eine Vielzahl von Leiterschichten 118b bis 118f und eine Vielzahl von Isolierschichten 120a bis 120e. Ein Anschlußstift 116, der einen Eingangs-/Ausgangsanschluß bildet, ist auf einer Anschlußinsel 124 auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur 114 montiert und mit einer der Leiterschichten über eine Durchgangsstruktur 122 verbunden. Die Durchgangsstruktur 122 wird gebildet, indem die Isolierschicht auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur 114 bis hinab auf eine Leiterschicht entfernt wird, mit der die Verbindung herzustellen ist. Unter der Durchgangsstruktur 122 sind Leiterschichten 118e und 118f als Signalverdrahtung gebildet. Somit wird das Dünnfilmmehrschichtsubstrat mit elektronischen Teilen wie LSIs und dergleichen als elektrische Vorrichtung wie z. B. als Mehrchipmodul oder dergleichen genutzt. Solch eine elektronische Vorrichtung wird verwendet, indem sie unter Einsatz von Anschlußstiften, die als Eingangs-/Ausgangs anschlüsse dienen, auf eine gedruckte Leiterplatte oder auf eine Grundplatine montiert wird. Die LSI-Chips und die Eingangs-/Ausgangsanschlüsse können auf derselben Oberfläche oder auf separaten (beiden) Oberflächen montiert sein.

Der Stand der Technik bezüglich des Dünnfilmmehr schichtsubstrats ist in der japanischen ungeprüften Patent veröffentlichung (Kokai) Nr. 5-283557, Nr. 6-13755, Nr. 7-79078 und Nr. 7-86737 offenbart worden. Dieser Stand der Technik dient jedoch nicht speziell als in Betracht gezoge nes Druckschriftmaterial für die vorliegende Erfindung.

Ein Anschlußstift, der als Eingangs-/Ausgangsanschluß dient, ist mit einer Anschlußinsel auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur verbunden und mit einer von einer Vielzahl von Leiterschichten über eine Durchgangsstruktur verbunden, die in der Dünnfilmstruktur vorgesehen ist. Die Anschluß insel auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur hat einen Bereich, der etwas größer als der Bereich des unteren Endes des Anschlußstiftes ist, und der Anschlußstift kann auf die Anschlußinsel gelötet sein. Andererseits ist die Durch gangsstruktur eine feine Struktur, die gewöhnlich zum Ver binden der Schichten verwendet wird. Wenn ein großer Bereich mit einer Anschlußinsel auf der Oberfläche der Dünnfilm struktur erhalten werden kann, kann eine mehrschichtige Durchgangsstruktur gebildet werden, um eine Vielzahl von Schichten zu verbinden. Eine Durchgangsstruktur zum Verbin den der Oberfläche der Dünnfilmstruktur mit einer gewünsch ten Leiterschicht ist jedoch bezüglich des Bereiches der Anschlußinsel sehr fein konstruiert, und ein Unterschied zwischen den Bereichen der Anschlußinsel und der Durch gangsstruktur ist sehr groß.

Unter der Anschlußinsel ist nicht nur die Durchgangs struktur angeordnet, sondern auch die Leiterschichten und die Isolierschichten der Dünnfilmstruktur. Außerdem er streckt sich die Durchgangsstruktur nur bis zu einer Leiter schicht, mit der die Verbindung zu erfolgen hat. Unter der Leiterschicht sind separate Leiterschichten angeordnet, d. h., viele Signaldrähte über Isolierschichten.

Wenn eine elektronische Vorrichtung, die ein Dünnfilm mehrschichtsubstrat enthält, auf eine gedruckte Leiterplatte oder eine ähnliche Leiterplatte zu montieren ist, können die anderen Enden der Anschlußstifte mit der gedruckten Leiter platte durch Löten verbunden werden. In diesem Fall kann die elektronische Vorrichtung weder von der gedruckten Leiter platte entfernt werden, noch ausgetauscht werden, es sei denn, daß das Lot geschmolzen wird. Heutzutage verwenden Kunden die Geräte jedoch sehr häufig, und es wird gewünscht, daß Geräte innerhalb von Zeiträumen, die so kurz wie möglich sind, repariert werden können oder Komponenten durch Hochleistungskomponenten ausgetauscht werden können. Ferner wird gewünscht, daß der Austausch ohne Erfordernis speziel ler Werkzeuge oder einer besonderen Technik erfolgen kann.

Zu diesem Zweck wird eine Struktur gewünscht, bei der eine elektronische Vorrichtung, die ein Dünnfilmmehr schichtsubstrat enthält, auf eine Buchse oder auf einen Stecker montiert wird, statt auf das Löten angewiesen zu sein. In diesem Fall muß die Leitfähigkeit zwischen dem Anschlußstift und der gedruckten Leiterplatte, die auf dem Kontakt der Buchse mit dem Anschlußstift beruht, mit jener vergleichbar sein, die durch das Löten erreicht wird. Des halb wird auf den Anschlußstift zu allen Zeiten eine Kraft in einer unerwünschten Richtung ausgeübt, welche Kraft zigmal größer als jene ist, wenn die Verbindung durch Löten erfolgt. Wenn das Dünnfilmmehrschichtsubstrat eine Last unter der widrigen Umgebung einer hohen Temperatur und hohen Feuchtigkeit empfängt, nimmt die Adhäsionskraft an den Grenzflächen zwischen den Isolierschichten und den Leiter schichten ab, da das Isoliermaterial Feuchtigkeit absor biert, und über lange Zeiträume wird keine befriedigende Festigkeit zuverlässig aufrechterhalten. Bei dem herkömmli chen Dünnfilmmehrschichtsubstrat sind jedoch vorzugsweise Anstrengungen unternommen worden, um feine Verdrahtungen mit vielen Anschlüssen zu erhalten, aber der Festigkeit der Anschlußstifte und der Durchgangsstruktur ist nicht viel Aufmerksamkeit gewidmet worden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Dünnfilmmehrschichtsubstrat vorzusehen, welches eine ausrei chende Festigkeit der Abschnitte gewährleisten kann, an denen die Anschlußstifte, die als Eingangs-/Ausgangs anschlüsse verwendet werden, verbunden sind, und eine elektronische Vorrichtung, die das Dünnfilmmehrschicht substrat enthält.

Ein Dünnfilmmehrschichtsubstrat gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt eine isolierende Substratbasisplatte, eine Dünnfilmstruktur, die eine Vielzahl von Leiterschichten und eine Vielzahl von Isolierschichten enthält, die auf der Substratbasisplatte gebildet sind, eine Durchgangsstruktur, die in der Dünnfilmstruktur gebildet ist und mit einer der Leiterschichten der Dünnschichtstruktur verbunden ist, und Anschlußstifte, die mit der Durchgangsstruktur verbunden sind, bei dem der Boden der Durchgangsstruktur direkt auf der Substratbasisplatte laminiert ist und die Anschlußstifte auf der Durchgangsstruktur befestigt sind.

Die elektronische Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält das oben erwähnte Dünnfilmmehrschicht substrat und wenigstens ein elektronisches Glied, das auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur angeordnet ist.

Bei der obigen Anordnung enthält die Durchgangsstruktur eine Vielzahl von Leiterschichten, die auf der Substrat basisplatte laminiert sind, und die Anschlußstifte werden mit einer Festigkeit gestützt, die jener der Anschlußstifte gleich ist, wenn sie durch die Substratbasisplatte direkt gestützt werden. Darüber hinaus ist keine Isolierschicht in einem Abschnitt der Durchgangsstruktur unter dem Anschluß stift vorhanden, welcher der Eingangs-/Ausgangsanschluß ist. Wenn die Isolierschicht ein hygroskopisches Material umfaßt, nimmt die Adhäsionskraft an den Grenzflächen zwischen den Isolierschichten und den Leiterschichten ab, wenn von dem Anschlußstift eine Kraft auf solch einen Abschnitt ausgeübt wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist jedoch der Ab schnitt, auf den von dem Anschlußstift eine Kraft ausgeübt werden wird, frei von einer Grenzfläche zwischen der Iso lierschicht und der Leiterschicht. Deshalb nimmt die Adhäsi onskraft nicht ab, und eine ausreichend hohe Festigkeit wird über lange Zeiträume hinweg gewährleistet. So werden ein Dünnfilmmehrschichtsubstrat und eine elektronische Vorrich tung vorgesehen, die selbst in einer Umgebung, in der An schlußstifte zu allen Zeiten eine Kraft empfangen, eine ausreichende Festigkeit haben.

Die folgenden Merkmale können zu der oben erwähnten Anordnung hinzugefügt werden.

Die Leiterschichten der Durchgangsstruktur und die Vielzahl von Leiterschichten der Dünnfilmstruktur sind direkt aufeinander laminiert. Mit anderen Worten, die Durch gangsstruktur enthält keine Isolierschicht.

Die Leiterschichten der Durchgangsstruktur haben Berei che, die gleich oder größer als die Bereiche der Enden der Anschlußstifte sind.

Die Bereiche von der Vielzahl von Leiterschichten der Durchgangsstruktur nehmen ab einer Leiterschicht dicht an der Substratbasisplatte hin zu einer Leiterschicht, die von der Substratbasisplatte entfernt ist, allmählich zu.

Von den Leiterschichten der Durchgangsstruktur ist die Leiterschicht, die von der Substratbasisplatte am weitesten entfernt ist, mit Nickel und Gold plattiert.

Die Leiterschichten der Dünnfilmstruktur sind auf der äußeren Seite der hervorstehenden Ebene der Leiterschicht angeordnet, die von der Vielzahl von Leiterschichten der Durchgangsstruktur von der Substratbasisplatte am weitesten entfernt ist, außer der Leiterschicht der Durchgangsstruk tur, die am dichtesten an der Substratbasisplatte liegt und der Leiterschicht, die mit der Durchgangsstruktur verbunden ist.

Eine von der Vielzahl von Leiterschichten der Dünnfilm struktur, die mit der Durchgangsstruktur verbunden ist, ist mit der Durchgangsstruktur in derselben Schicht verbunden, ohne in einer Richtung, die zu der Dünnfilmstruktur recht winklig ist, auf der hervorstehenden Ebene der Leiterschicht verschoben zu sein, die von der Vielzahl von Leiterschichten der Durchgangsstruktur am weitesten von der Substratbasis platte entfernt ist.

Da der Bereich von der Anschlußinsel, mit der der Anschlußstift verbunden ist, hin zu der unteren Durchgangs struktur allmählich abnimmt, wird in der Durchgangsstruktur keine Spannung auf konzentrierte Weise aufgebaut, auch nicht in einem Zustand, wenn beim Verbinden der Anschlußstifte thermische Spannung erzeugt wird und wenn die Kraft zum Halten des Steckverbinders ausgeübt wird. Darüber hinaus ist unter der Anschlußinsel kein Material (Isolierschicht) vorhanden, dessen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Feuchtigkeit extrem verändert werden, und daher ändert sich die Festigkeit im Laufe der Zeit nicht sehr. Demzufolge wird selbst in einer widrigen Umgebung, in der die Temperatur hoch ist und die Feuchtigkeit hoch ist, die Festigkeit zum Verbinden der Anschlußstifte selbst über lange Zeiträume hinweg nicht verschlechtert, wodurch es ermöglicht wird, die Anschlußstifte in Steckverbinder einzufügen oder aus ihnen zu entfernen. Wenn gewünscht wird, eine starke Standfestig keit beizubehalten, können die Wurzeln der Anschlußstifte und die Oberflächen des Dünnfilms, nachdem die Anschluß stifte verbunden sind, mit einem Material überzogen werden, welches im wesentlichen ein Epoxyharz oder Silicium umfaßt.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die vorliegende Erfindung geht aus der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen unter Bezug nahme auf die beiliegenden Zeichnungen besser hervor, in denen:

Fig. 1 eine Querschnittsansicht von einem Abschnitt eines Dünnfilmmehrschichtsubstrats gemäß der ersten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 2 eine Querschnittsansicht von einem Abschnitt eines Dünnfilmmehrschichtsubstrats gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 3 eine schematische Ansicht einer elektronischen Vorrichtung ist, die das Dünnfilmmehrschichtsubstrat enthält und auf eine Grundplatine montiert ist;

Fig. 4 eine schematische Ansicht einer anderen elektro nischen Vorrichtung ist, die das Dünnfilmmehrschichtsubstrat enthält und auf eine Grundplatine montiert ist; und

Fig. 5 eine Ansicht ist, die einen Stand der Technik zeigt.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Fig. 3 ist eine Ansicht, die ein Dünnfilmmehrschicht substrat 10 gemäß der vorliegenden Erfindung und eine elek tronische Vorrichtung 30 zeigt, die das Dünnfilmmehrschicht substrat 10 enthält. Das Dünnfilmmehrschichtsubstrat 10 enthält eine isolierende Substratbasisplatte 12, eine Dünn filmstruktur 14, die auf der Substratbasisplatte 12 gebildet ist, und Anschlußstifte 16, die als Eingangs-/Ausgangs anschlüsse dienen. Die elektronische Vorrichtung 30 umfaßt das Dünnfilmmehrschichtsubstrat 10, elektronische Teile 32, wie z. B. LSIs, die auf das Dünnfilmmehrschichtsubstrat 10 montiert sind, Widerstände, Kondensatoren und dergleichen, und bildet einen Mehrchipmodul. Die elektronischen Teile 32 sind zum Beispiel durch Lötkontakthügel 34 mit Leiterschich ten (Anschlußinseln) auf der Oberfläche des Dünnfilmmehr schichtsubstrats 10 verbunden.

Die elektronische Vorrichtung 30 kann auf eine Grund platine 40 eines Computers montiert sein. In diesem Fall sind die Anschlußstifte 16 in den Steckverbinder 42 der Grundplatine 40 oder in die Durchgangslöcher der gedruckten Leiterplatte eingefügt, so daß zwischen der elektronischen Vorrichtung 30 und dem Computer durch die Anschlußstifte 16 Signale übertragen werden.

Ferner sind unter Bezugnahme auf Fig. 4 die Anschluß stifte 16 mit den Anschlußinseln 44 der Grundplatine 40 verlötet, wodurch die Signale zwischen der elektronischen Vorrichtung 30 und dem Computer über die Anschlußstifte 16 übertragen werden. Sowohl bei der Struktur von Fig. 3 als auch bei der Struktur von Fig. 4 wird auf die Anschlußstifte 16 eine Last ausgeübt, und daher tendiert die Dünnfilmstruk tur 14 des Dünnfilmmehrschichtsubstrats 10 dazu, an Festig keit zu verlieren. Die vorliegende Erfindung löst dieses Problem, wobei auf die unten beschriebene Struktur vertraut wird.

Unter Bezugnahme auf Fig. 1 und 2 umfaßt die Dünnfilm struktur 14 des Dünnfilmmehrschichtsubstrats 10 eine Viel zahl von Leiterschichten 18b bis 18f und eine Vielzahl von Isolierschichten 20a bis 20e. Die Isolierschichten 20a bis 20e trennen die zwei benachbarten Leiterschichten 18b bis 18f. Die Isolierschichten 20a bis 20e hängen an Abschnitten, an denen keine Leiterschichten 18b bis 18f vorhanden sind, miteinander zusammen.

Fig. 1 und 2 zeigen einen Abschnitt, an dem der Anschlußstift 16 vorgesehen ist, zeigen aber nicht die Abschnitte, an denen elektronische Teile 32 montiert sind, die in Fig. 3 und 4 gezeigt sind. Auf der obersten Isolier schicht 20 ist eine andere Leiterschicht 18a (in Fig. 1 und 2 nicht gezeigt) gebildet, die als Anschlußinsel zum Montie ren des elektronischen Teils 32 dient. Die Leiterschichten 18a bis 18f sind als Muster zum Zuführen von elektrischer Energie, zur Erdung und zum Bilden der Signalverdrahtung gebildet. Um die Muster zwischen den Schichten zu verbinden, werden die verschiedenen Leiterschichten 18a bis 18f durch die Durchgangsstruktur zusammen verbunden, die die Isolier schichten 20a bis 20e durchdringt.

Als Material für die Basisplatte 12 des Dünnfilmmehr schichtsubstrats 10 kann ein anorganisches Material wie Aluminiumoxid oder Mullit oder ein organisches Material wie FR4 verwendet werden. Die Leiterschichten 18a bis 18f sind aus einem Metall wie Kupfer oder Aluminium gebildet, und die Leiterschicht 18a, die als Anschlußinsel dient, ist mit Nickel und Gold plattiert, um die Lotbenetzbarkeit zu ver bessern. Die Isolierschichten 20a bis 20e sind aus einem Harz, wie z. B. Polyimid oder Epoxyharz.

Der Anschlußstift 16 ist mit einer von der Vielzahl von Leiterschichten 18b bis 18f der Dünnfilmstruktur 14 verbun den, wobei auf die Durchgangsstruktur 22 vertraut wird. In Fig. 1 ist die Durchgangsstruktur 22 mit der Leiterschicht 18c der Dünnfilmstruktur 14 verbunden. In Fig. 2 ist die Durchgangsstruktur 22 mit der Leiterschicht 18e der Dünn filmstruktur 14 verbunden. Die Leiterschichten 18b bis 18f, mit denen die Verbindung zu erfolgen hat, werden zu Energie zuführanschlüssen, Erdanschlüssen und Signalanschlüssen.

Die Durchgangsstruktur 22 umfaßt eine Vielzahl von Lei terschichten 24a bis 24f, die auf der Substratbasisplatte 12 laminiert sind. Die Leiterschichten 24a bis 24f werden gleichzeitig mit den Leiterschichten 18a bis 18f der Dünn filmstruktur 14 gebildet, und die Leiterschicht 24f auf dem Boden der Dünnfilmstruktur 14 ist direkt auf die Substrat basisplatte 12 laminiert. Die Durchgangsstruktur 22 ist zwischen den Leiterschichten 24a bis 24f ein abgestufter Abschnitt, und ein zentraler flacher Abschnitt der Leiter schichten 24a bis 24f dient als Anschlußinsel zum Montieren des Anschlußstiftes 16. Die Durchgangsstruktur 22 ist größer als die Anschlußinsel. Die oberste Leiterschicht 24a ist mit Nickel und Gold plattiert, um die Lotbenetzbarkeit zu ver bessern. Die Leiterschichten 18a bis 18f der Dünnfilmstruk tur 14 sind zum Beispiel durch einen Fotolithografieprozeß gemustert und von den Leiterschichten 24a bis 24f der Durch gangsstruktur 22 getrennt.

Um der Vielzahl von Leiterschichten 18a bis 18f der Dünnfilmstruktur 14 zu entsprechen, wird deshalb die Viel zahl von Leiterschichten 24a bis 24f der Durchgangsstruktur 22 gleichzeitig mit ihr gebildet, und sie sind direkt auf einander laminiert. In der Durchgangsstruktur 22 ist keine Isolierschicht zwischen der obersten Leiterschicht 24a und der Substratbasisplatte 12 enthalten.

Der Anschlußstift 16 hat an seinem unteren Ende eine Montagefläche 16a, die mit der oberen Leiterschicht 24a verlötet ist, wie bei 16 gezeigt.

Bei dem obigen Aufbau ist die Durchgangsstruktur 22 aus einer Vielzahl von Leiterschichten 24a bis 24f gebildet, die direkt auf der Substratbasisplatte 12 laminiert sind, und der Anschlußstift 16 wird gestützt, wobei eine Festigkeit gewährleistet wird, die jener gleich ist, wenn der Anschluß stift 16 direkt durch die Substratbasisplatte 12 gestützt wird. Wenn die Isolierschicht aus einem hygroskopischen Material besteht, nimmt die Adhäsionskraft an der Grenzflä che zwischen der Isolierschicht und der Leiterschicht bei Empfang einer Kraft von dem Anschlußstift 16 ab. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist jedoch in der Durchgangsstruktur 22 unter dem Anschlußstift 16 keine Isolierschicht vorhan den. Deshalb nimmt die Adhäsionskraft nicht ab, wird die Festigkeit zum Verbinden des Anschlußstiftes selbst unter widrigen Bedingungen nicht verschlechtert, wenn die Tempera tur hoch ist und die Feuchtigkeit hoch ist, und über lange Zeiträume wird ein ausreichendes Maß an Festigkeit beibehal ten.

Selbst wenn auf den Anschlußstift 16 eine Kraft wieder holt ausgeübt wird, wird die Festigkeit des Dünnfilmmehr schichtsubstrats 10 unter dem Anschlußstift 16 selbst im Laufe der Zeit nicht groß verschlechtert, wodurch es möglich wird, eine Struktur zum Einsetzen des Anschlußstiftes 16 in den Steckverbinder 42 oder das Durchgangsloch, die in Fig. 3 gezeigt ist, oder zum Entfernen aus ihnen, zu realisieren. Das heißt, wenn der Anschlußstift 16 in den Steckverbinder 42 oder das Durchgangsloch einzusetzen ist, oder aus ihnen zu entfernen ist, wird auf den Anschlußstift 16 eine Kraft in transversaler Richtung ausgeübt. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird jedoch ein ausreichendes Maß an Standfestig keit beibehalten, selbst wenn auf den Anschlußstift 16 eine Kraft in transversaler Richtung wirkt. Um eine widerstands fähige und dauerhafte Struktur zu realisieren, können des weiteren der Wurzelabschnitt des Anschlußstiftes 16 und die Oberfläche des Dünnfilms, nachdem der Anschlußstift 16 verlötet worden ist, mit einem Material überzogen werden, das im wesentlichen ein Epoxyharz oder Silicium umfaßt. So werden ein Dünnfilmmehrschichtsubstrat und eine elektroni sche Vorrichtung vorgesehen, die selbst in einer Umgebung, in der die Anschlußstifte zu allen Zeiten eine Kraft empfan gen, ein ausreichendes Maß an Festigkeit haben.

In dieser Ausführungsform sind ferner die Bereiche von der Vielzahl von Leiterschichten 24a bis 24f der Durchgangs struktur 22 gleich oder größer als der Bereich der Montage fläche 16a an dem unteren Ende des Anschlußstiftes 16. Wenn der Anschlußstift 16 auf die oberste Leiterschicht 24a zu löten ist, wird die thermische Zugspannung zu der Zeit, wenn sich das Lot wieder verfestigt, zu einem Problem. Wenn die Durchgangsstruktur einen kleinen Bereich hat, wirkt die Zugspannung auf die Isolierschicht; d. h., die Spannung konzentriert sich in der Isolierschicht, wie z. B. in dem Polyimid, woraus Risse resultieren können. Wenn die Durch gangsstruktur 22 einen Bereich hat, der gleich oder größer als der Bereich der Montagefläche 16a des unteren Endes des Anschlußstiftes 16 ist, wie in dieser Ausführungsform, kann die Konzentration von Spannung in der Isolierschicht redu ziert werden.

Die Leiterschichten 24a bis 24f der Durchgangsstruktur 22 haben Bereiche, die ab der Leiterschicht 24f dicht an der Substratbasisplatte 12 hin zu der Leiterschicht, die von der Substratbasisplatte 12 entfernt ist, allmählich zunehmen. Deshalb konzentriert sich selbst in einem Zustand, wenn zu der Zeit des Verbindens des Anschlußstiftes 16 die thermi sche Spannung ausgeübt wird oder die Kraft zum Halten des Steckverbinders ausgeübt wird, keine Spannung in der Durch gangsstruktur 22. Zum Beispiel kann der Anschlußstift 16 einen Durchmesser D von 0,2 mm haben, kann die Montagefläche 16a des Anschlußstiftes 16 einen Durchmesser d von 0,4 mm haben, während die oberste Leiterschicht (Anschlußinsel) 24a einen Durchmesser E von 0,9 mm haben kann und die unterste Literschicht 24f einen Durchmesser F von 0,7 mm haben kann. Für jedes Dünnfilmmehrschichtsubstrat 10 sind mehrere tau send Anschlußstifte 16 vorgesehen.

Ferner sind die Leiterschichten 18b bis 18f der Dünn filmstruktur 14 auf der äußeren Seite der hervorstehenden Ebene der Leiterschicht 24a angeordnet, die von den Leiter schichten 24a bis 24f der Durchgangsstruktur 22 am weitesten von der Substratbasisplatte 12 entfernt ist, außer der Leiterschicht 24f der Durchgangsstruktur 22, die am dichte sten an der Substratbasisplatte 12 angeordnet ist, und der Leiterschicht, die mit der Durchgangsstruktur 22 verbunden ist. Das heißt, unter der obersten Leiterschicht 24a, die als Anschlußinsel dient, ist nur jene Verdrahtung angeord net, mit der die Verbindung erfolgen soll, so daß zwischen der Isolierschicht und der Leiterschicht in einem Bereich, auf den die Kraft von dem Anschlußstift 16 ausgeübt werden kann, keine Grenzfläche existiert, um die Konzentration von Spannung zu minimieren.

Eine der Leiterschichten 18b bis 18f der Dünnfilmstruk tur 14, die mit der Durchgangsstruktur 22 verbunden ist, ist mit der Durchgangsstruktur 22 in derselben Schicht verbun den, ohne in einer Richtung, die zu der Dünnfilmstruktur 14 rechtwinklig ist, auf einer hervorstehenden Ebene der Lei terschicht 24a, die von der Substratbasisplatte 12 von der Vielzahl von Leiterschichten 24a bis 24f der Durchgangs struktur 22 am weitesten entfernt ist, verschoben zu sein. Das heißt, die Übertragung von Signalen nahe der Durch gangsstruktur 22 wird verhindert, um dadurch die Konzentra tion von Spannung in dem Muster zu vermeiden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung sind, wie oben be schrieben, ein Dünnfilmmehrschichtsubstrat und eine elektro nische Vorrichtung vorgesehen, mit Anschlußstiften, die auf der Dünnfilmstruktur verbunden sind, die einer Umgebung mit einer hohen Temperatur und hoher Feuchtigkeit widerstehen können.

Claims

1. Dünnfilmmehrschichtsubstrat mit einer isolierenden Substratbasisplatte (12), einer Dünnfilmstruktur, die eine Vielzahl von Leiterschichten und eine Vielzahl von Isolier schichten enthält, die auf der Substratbasisplatte gebildet sind, einer Durchgangsstruktur (22) , die in der Dünnfilm struktur (14) gebildet ist und mit einer der Leiterschichten der Dünnschichtstruktur verbunden ist, und Anschlußstiften (16), die mit der Durchgangsstruktur (22) verbunden sind, bei dem der Boden der Durchgangsstruktur (22) direkt auf der Substratbasisplatte laminiert ist und die Anschlußstifte (16) auf der Durchgangsstruktur (22) befestigt sind.

2. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach Anspruch 1, bei dem die Durchgangsstruktur (22) eine Vielzahl von Leiter schichten hat, die den Leiterschichten der Dünnfilmstruktur (14) entsprechen, und die Leiterschichten der Durchgangs strukturen (22) direkt aufeinander laminiert sind.

3. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach einem der Ansprü che 1 oder 2, bei dem jeder der Bereiche der Leiterschichten der Durchgangsstruktur (22) einen Bereich hat, der gleich oder größer als jener des Endes des Anschlußstiftes (16) ist.

4. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach Anspruch 3, bei dem die Bereiche der Leiterschichten der Durchgangsstruktur (22) in der Reihenfolge von der Leiterschicht, die der Substratbasisplatte (12) am nächsten ist, hin zu der Leiter schicht, die von der Substratbasisplatte am weitesten ent fernt ist, zunehmen.

5. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach einem der vorher gehenden Ansprüche, bei dem die Leiterschicht in den Leiter schichten der Durchgangsstruktur (22), die von der Sub stratbasisplatte (12) am weitesten entfernt ist, mit Nickel und Gold plattiert ist.

6. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach Anspruch 4 oder 5, bei dem die Leiterschichten der Dünnfilmstruktur (14) auf der äußeren Seite der hervorstehenden Ebene der Leiter schicht angeordnet sind, die von den Leiterschichten der Durchgangsstruktur (22) am weitesten von der Substratbasis platte (12) entfernt ist, außer der Leiterschicht der Durch gangsstruktur (22) , die der Substratbasisplatte am nächsten ist, und der Leiterschicht, die mit der Durchgangsstruktur (22) verbunden ist.

7. Dünnfilmmehrschichtsubstrat nach Anspruch 4 oder 5, bei dem eine der Leiterschichten der Dünnfilmstruktur, die mit der Durchgangsstruktur (22) verbunden ist, mit der Durchgangsstruktur (22) in derselben Schicht verbunden ist, ohne in einer Richtung, die zu der Dünnfilmstruktur (14) rechtwinklig ist, auf einer hervorstehenden Ebene der Lei terschicht verschoben zu sein, die von den Leiterschichten der Durchgangsstruktur (22) von der Substratbasisplatte (12) am weitesten entfernt ist.

8. Elektronische Vorrichtung mit einer isolierenden Substratbasisplatte (12), einer Dünnfilmstruktur, die eine Vielzahl von Leiterschichten und eine Vielzahl von Isolier schichten enthält, die auf der Substratbasisplatte gebildet sind, wenigstens einem elektronischen Glied, das auf der Oberfläche der Dünnfilmstruktur (14) angeordnet ist, einer Durchgangsstruktur (22) , die in der Dünnfilmstruktur (14) gebildet ist und mit einer der Leiterschichten verbunden ist, und Anschlußstiften (16), die mit der Durchgangsstruk tur (22) verbunden sind, bei der die Durchgangsstruktur (22) aus einer Vielzahl von Leiterschichten gebildet ist, die auf der Substratbasisplatte laminiert sind.