DE19712551B4 - Zuleitungsrahmen und darauf angewendetes Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße - Google Patents
Zuleitungsrahmen und darauf angewendetes Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße Download PDFInfo
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Abstract
Herstellungsverfahren
für Halbleitergehäuse in Chipgröße mit den
Schritten:
Bereitstellen eines Wafers (20), wobei der Wafer (20) eine Vielzahl von Chips (21) für mittige Kontaktierung (21a) enthält, die darin jeweils unterteilt sind, um dadurch voneinander abgetrennt zu werden;
Bereitstellen eines Zuleitungsrahmens (30), wobei der Zuleitungsrahmen (30) eine Vielzahl von Zuleitungshaltestäben (31) beinhaltet, die jeweils mit einer entsprechenden Chip-Unterteilungslinie auf dem Wafer (20) übereinstimmen, und wobei von jedem dieser Stäbe (31) aus eine Vielzahl von gestuften und gebogenen Zuleitungen (32) bis zu einer bestimmten Entfernung verläuft;
abschließendes Ausrichten des Zuleitungsrahmens (30) auf dem Wafer (20);
Durchführen eines Draht-Bondens zum elektrischen Verbinden jeder der Zuleitungen (32) mit einem entsprechenden aus der Vielzahl von mittigen Kontaktierungsfeldern (21a) auf dem Wafer (20) durch Verwendung von metallischem Draht (50);
Durchführen eines Vergießens, um einen Bereich (60), der die metallischen Drähte (50) und die Zuleitungen (32) enthält, zu formen, aber eine oberste...
Bereitstellen eines Wafers (20), wobei der Wafer (20) eine Vielzahl von Chips (21) für mittige Kontaktierung (21a) enthält, die darin jeweils unterteilt sind, um dadurch voneinander abgetrennt zu werden;
Bereitstellen eines Zuleitungsrahmens (30), wobei der Zuleitungsrahmen (30) eine Vielzahl von Zuleitungshaltestäben (31) beinhaltet, die jeweils mit einer entsprechenden Chip-Unterteilungslinie auf dem Wafer (20) übereinstimmen, und wobei von jedem dieser Stäbe (31) aus eine Vielzahl von gestuften und gebogenen Zuleitungen (32) bis zu einer bestimmten Entfernung verläuft;
abschließendes Ausrichten des Zuleitungsrahmens (30) auf dem Wafer (20);
Durchführen eines Draht-Bondens zum elektrischen Verbinden jeder der Zuleitungen (32) mit einem entsprechenden aus der Vielzahl von mittigen Kontaktierungsfeldern (21a) auf dem Wafer (20) durch Verwendung von metallischem Draht (50);
Durchführen eines Vergießens, um einen Bereich (60), der die metallischen Drähte (50) und die Zuleitungen (32) enthält, zu formen, aber eine oberste...
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- 1. Bereich der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse und besonders einen Zuleitungsrahmen und ein darauf angewendetes Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße zur Vereinfachung von Herstellungsschritten und um dadurch eine Massenproduktion zu erleichtern.
- 2. Beschreibung des Stands der Technik
- Da die Größe von Halbleiterbauelementen in den letzten Jahren zunehmend minimiert wird, müssen Halbleitergehäuse in der Größe minimiert und dünner gemacht werden, so daß ein LOC-Halbleitergehäuse (lead on chip bzw. Zuleitung auf dem Chip) entwickelt wurde und bei deren Massenproduktion eingesetzt wird.
- Wie in
1 , die ein herkömmliches LOC-Halbleitergehäuse darstellt, gezeigt, wird auf einem Paddel (1 ) ein Halbleiterchip (2 ) angebracht, auf dem außer in dessen Mitte eine Klebstoff-Abdeckschicht (4 ) geformt wird, über der ausgehend von einem Zuleitungsrahmen (9 ) eine Vielzahl von Zuleitungen (3 ), die jeweils mehrfache Biegungen aufweisen, bereitgestellt wird. Auf der Mitte der Oberfläche des Chips (2 ) wird eine Vielzahl von Chip-Kontaktierungsfeldern (5 ) geformt, von denen jedes über einen metallischen Draht (6 ) elektrisch mit einer entsprechenden Zuleitung (3 ) verbunden ist. Eine Epoxid-Vergußmasse (7 ) wird auf dem Chip (2 ) einschließlich der Zuleitungen (3 ), der Klebstoffschicht (4 ), der Chip-Kontaktierungsfelder (5 ) und der metallischen Drähte (6 ) geformt, wobei die obere Oberfläche eines an den Zuleitungsrahmen (9 ) angrenzenden Teils jeder Zuleitung (3 ) nach außen freigelegt wird. - Mit Bezug auf
2A bis2E wird jetzt das Herstellungsverfahren für das so aufgebaute herkömmliche Halbleitergehäuse in Chipgröße beschrieben. - Zunächst wird wie in
2A gezeigt ein Die-Bondprozeß zum Anbringen des Halbleiterchips (2 ) auf dem von einem Die-Flächenrahmen (8 ) ausgehenden Paddel (1 ) durchgeführt. Auf dem Die-Flächenrahmen (8 ) mit dem darauf befindlichen Chip (2 ) wird der Zuleitungsrahmen (9 ) ausgerichtet, der für eine mittige Kontaktierung geeignet ist und von dem aus die Vielzahl von Zuleitungen (3 ) mit jeweils mehrfachen Biegungen darin verläuft. Dann wird ein Schweißprozeß durchgeführt, um den Die-Flächenrahmen (8 ) mit dem Zuleitungsrahmen (9 ) zu verbinden. - Wie in
2B gezeigt, wird mit den metallischen Drähten (6 ) ein Draht-Bondprozeß durchgeführt, um jedes der auf der Mitte der Oberfläche des Chips (2 ) geformten Chip-Kontaktierungsfelder (5 ) elektrisch mit einer entsprechenden Zuleitung (3 ) zu verbinden. - Dann wird wie in
2C gezeigt der durch Schweißen mit jedem der Rahmen (8 ), (9 ) verbundene Chip (2 ) in einem in der Oberfläche einer unteren Form (12 ) geformten Hohlraum (13 ) ausgerichtet. Als nächstes wird eine obere Form (11 ) an der unteren Form (12 ) befestigt und eine Vergußmasse (7 ) wird in eine Entlüftungsöffnung (12a ) injiziert. - Wie in
2D gezeigt werden die Formen (11 ), (12 ) nach Abschluß des Vergießprozesses von den Rahmen (8 ), (9 ) abgetrennt. Es folgt ein Abschneideprozeß, um die nach außen abstehenden Teile vom geformten Gehäusekörper (7 ) abzuschneiden und dadurch das Halbleitergehäuse in Chipgröße fertigzustellen, das die Zuleitungen (3 ) an der unteren Oberfläche des Gehäusekörpers (7 ) nach außen freilegt. - Zur Herstellung des herkömmlichen Halbleitergehäuses in Chipgröße wird der Halbleiterchip (
2 ) vor der Durchführung des Die-Bondens einzeln vom Wafer (20 ) abgetrennt. Der abgetrennte Chip (2 ) wird auf dem Paddel (1 ) des Die-Flächenrahmens (8 ) abschließend ausgerichtet, um so mit dem Draht-Bonden fortzufahren. - Die einzelne Befestigung des Chips am Paddel erfordert jedoch verursacht durch die überflüssig komplizierten Herstellungsschritte viel Zeit. Die komplizierten Schritte können auch eine äußere Beschädigung des Chips verursachen und dadurch dessen Produktivitätsverbesserung behindern.
- Aus der US-5,148,266 ist ein Herstellungsverfahren für Halbleiterchipanordnungen bekannt, bei dem folgende Schritte durchgeführt werden:
- – Ausrichten einer Schicht mit einer als Vielzahl von Interposern bezeichneten Zuleitungsanordnung auf einem Wafer, der in eine Vielzahl von abtrennbaren Chips unterteilt ist, wobei jeder Interposer eine Vielzahl von Zuleitungen einer vorgegebenen Länge aufweist elektrisches Verbinden der Zuleitungen mit entsprechenden Anschlussbereichen des Wafers durch Draht-Bonden mit metallischen Drähten,
- – Vergießen der Zuleitungen und der metallischen Drähte so, dass Anschlussenden der Zuleitungen frei bleiben,
- – Anordnen elektrisch leitenden Materials auf den freien Anschlussenden der Zuleitungen, und
- – Vereinzeln der Chips von dem Wafer durch Schneiden desselben.
- Die
DE 38 14 257 A1 offenbart eine Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen, die einen Anschlussrahmen verwendet. Der Anschlussrahmen weist eine Mehrzahl von jeweils in Längs- und Querrichtung angeordneten Zuleitungen für die Halbleitereinrichtung auf. Die Halbleitereinrichtungen, beispielsweise Chips, werden mit Hilfe von Metalldrähten an den Zuleitungen des Anschlussrahmens drahtbondiert. Der so mit den Chips verbundene Anschlussrahmen wird in eine Gussform eingebacht und dort mittels eines Kunstharzes vergossen. - Die US-5,363,279 offenbart einen Leitungsrahmen für Halbleiterchips, der parallel angeordnete, im Wesentlichen gleich lange und sich zu einer vertikalen Mittellinie erstreckende Leiter mit Stufen aufweist.
- Die US-5,286,679 offenbart einen Leitungsrahmen für Halbleiterchips mit gestuften und/oder gebogenen Zuleitungen zur Verbindung mit einem Chip. Die Zuleitungen erstrecken sich von Seitenstäben rechtwinklig zu einer parallel zu den Seitenstäben liegenden Mittellinie.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße bereitzustellen, das geeignet ist, durch Vereinfachung der Herstellungsschritte die Produktivität zu verbessern.
- Es ist ein weiteres Ziel, einen Zuleitungsrahmen zur Herstellung des Halbleitergehäuses in Chipgröße gemäß der vorliegenden Erfindung bereitzustellen.
- Um die oben beschriebenen Ziele zu erreichen, beinhaltet das Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße gemäß der vorliegenden Erfindung folgende Schritte: Bereitstellen eines Wafers, wobei der Wafer eine Vielzahl von Chips für mittige Kontaktierung enthält, die jeweils unterteilt sind, um dadurch voneinander abgetrennt zu werden; Bereitstellen eines Zuleitungsrahmens, wobei der Zuleitungsrahmen eine Vielzahl von Zuleitungshaltestäben enthält, die jeweils mit entsprechenden Chip-Unterteilungslinien auf dem Wafer übereinstimmen, und wobei von jedem dieser Stäbe aus eine Vielzahl von gestuften Zuleitungen bis zu einer bestimmten Entfernung verläuft; abschließendes Ausrichten des Zuleitungsrahmens auf dem Wafer; Durchführen eines Draht-Bondens zum elektrischen Verbinden jeder der Zuleitungen mit einem entsprechenden aus der Vielzahl von mittigen Kontaktierungsfeldern auf dem Wafer durch Verwendung metallischer Drähte; Durchführen eines Vergießvorgangs zum Formen eines die metallischen Drähte und die Zuleitungen einschließenden Bereichs, während eine oberste Oberfläche jeder der gestuften Zuleitungen nach außen freigelegt wird; Plattieren eines leitenden metallischen Materials auf einen nach außen freigelegten Teil jeder der Zuleitungen; und Sägen des Wafers, um daraus einzelne Halbleiterchips zu formen, wobei die Vielzahl von Zuleitungsstäben entfernt wird.
- Ferner stellt die vorliegend Erfindung einen Zuleitungsrahmen für einen Wafer bereit, der in eine Vielzahl abtrennbarer Chips unterteilt ist.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine Schnittansicht eines herkömmlichen Halbleitergehäuses in Chipgröße; -
2A ist eine perspektivische Explosionsansicht des Gehäuses von1 zur Beschreibung von dessen Die-Bonden und Rahmenschweißen; -
2B ist eine perspektivische Ansicht des zusammengesetzten Gehäuses von2 zur Darstellung eines Draht-Bondschritts; -
2C ist eine perspektivische Ansicht des herkömmlichen Prozesses zur Herstellung eines Halbleitergehäuses in Chipgröße zur Darstellung eines Vergießschritts; -
2D ist eine perspektivische Ansicht des fertiggestellten herkömmlichen Halbleitergehäuses; -
2E ist eine Ansicht des fertiggestellten herkömmlichen Halbleitergehäuses von unten; -
3 ist eine Aufsicht auf einen Halbleiterwafer mit einer Vielzahl von mittigen Kontaktierungsfeldern auf jedem von dessen Chipbereichen; -
4 ist eine Aufsicht auf einen Zuleitungsrahmen gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5A ist eine Aufsicht auf einen auf einem Halbleiterwafer angebrachten Zuleitungsrahmen der vorliegenden Erfindung; -
5B ist eine Aufsicht, die einen Draht-Bondprozeß gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; -
5C ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A in5B ; -
5D ist eine Schnittansicht eines Chipgehäuses gemäß der vorliegenden Erfindung zur Darstellung eines Vergießprozesses; und -
5E ist eine Schnittansicht eines Chipgehäuses gemäß der vorliegenden Erfindung zur Darstellung eines Plattierprozesses. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen wird jetzt das Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
- Wie in
3 gezeigt ist ein Wafer (20 ) in ein Gitter aus einer Vielzahl von Dies oder Chips (21 ) unterteilt, von denen jeder später davon abgetrennt werden kann. Auf der Mitte jedes der Chips (21 ) ist eine Vielzahl von mittigen Kontaktierungsfeldern (21a ) in einer Linie geformt. - Mit Bezug auf
4 verläuft eine Vielzahl von Zuleitungshaltestäben (31 ) zum Halten mehrerer Zuleitungen (32 ) entlang den Zeilen- und Spaltenlinien eines Zuleitungsrahmens (30 ). Die Zuleitungshaltestäbe (31 ) sind jeweils so eingerichtet, daß sie mit entsprechenden Chip-Unterteilungslinien des Wafers (20 ) in3 übereinstimmen. - Innerhalb jedes der von den Zuleitungshaltestäben (
31 ) umgebenen Gitter verlaufen die Zuleitungen (32 ) jeweils von jedem Spalten-Zuleitungshaltestab (31 ) bis zu einer bestimmten Entfernung in Richtung der vertikalen Mittellinie jedes der Gitter, um dadurch das Verpacken eines Halbleiterchips mit mittigen Kontaktierungsfeldern zu erleichtern. Jede Zuleitung (32 ) weist auch mehr als eine Biegung oder Stufe auf und es ist wünschenswert, daß die Breite jedes Zuleitungshaltestabs (31 ) kleiner als die Dicke des Wafers (21 ) ist. - Nun wird das Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
- Zunächst wird wie in
5A gezeigt der Zuleitungsrahmen (30 ) von4 auf dem Wafer (20 ) von3 angebracht, um die Zuleitungshaltestäbe (31 ) so auszurichten, daß sie jeweils mit den entsprechenden Chip-Unterteilungslinien in3 übereinstimmen und dann werden der Rahmen (30 ) und der Wafer (20 ) durch eine Klebstoff-Abdeckschicht (40 ) abschließend aneinander befestigt, wodurch die Vielzahl von über jeden der Chips (21 ) verlaufenden Zuleitungen (32 ) auf jeder Seite der mittigen Kontaktierungsfelder (21a ), die auf der Mitte jedes Chips (21 ) aufgereiht sind, ausgerichtet wird. - Dann wird wie in
5B und5C gezeigt ein Draht-Bondprozeß unter Verwendung metallischer Drähte (50 ) durchgeführt, um jede Zuleitung (32 ) elektrisch mit einem entsprechenden mittigen Kontaktierungsfeld (21a ) zu verbinden. - Danach wird wie in
5D gezeigt ein Formprozeß unter Verwendung einer Epoxid-Vergußmasse (60 ) durchgeführt, um jedes Halbleitergehäuse einschließlich der metallischen Drähte (50 ), der mittigen Kontaktierungsfelder (21a ) und der Zuleitungen (32 ) abzudichten, jedoch die oberste Oberfläche jeder der Zuleitungen (32 ), die Stufen oder Biegungen aufweisen, nach außen freizulegen. - Wie in
5E gezeigt, wird auf jeder der nach außen freigelegten Zuleitungen (32 ) ein Plattierprozeß unter Verwendung eines leitenden metallischen Materials (70 ) durchgeführt, bei dem es wünschenswert ist, daß das leitende metallische Material (70 ) ein Lot ist, um darauf eine Elektroplattierung anzuwenden. - Schließlich wird entlang jedem Zuleitungshaltestab (
31 ) des Zuleitungsrahmens (30 ) ein Sägeprozeß durchgeführt, um so einzelne Halbleiterchips zu formen und dadurch die Halbleitergehäuse in Chipgröße gemäß der vorliegenden Erfindung fertigzustellen. Da die Breite jedes Zuleitungshaltestabs (31 ) kleiner als die Dicke des zerschnittenen Wafers (20 ) geformt ist, wird zu diesem Zeitpunkt jeder Zuleitungshaltestab während des Sägeprozesses vollständig entfernt. - Wie oben beschrieben wird beim Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße gemäß der vorliegenden Erfindung der Zuleitungsrahmen abschließend am Wafer angebracht, begleitet von den Schritten Draht-Bonden und Vergießen sowie schließlich Trennen der einzelnen Chips voneinander, wodurch die nötigen Herstellungsschritte reduziert werden und folglich die Massenproduktion erleichtert wird.
Claims (9)
- Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße mit den Schritten: Bereitstellen eines Wafers (
20 ), wobei der Wafer (20 ) eine Vielzahl von Chips (21 ) für mittige Kontaktierung (21a ) enthält, die darin jeweils unterteilt sind, um dadurch voneinander abgetrennt zu werden; Bereitstellen eines Zuleitungsrahmens (30 ), wobei der Zuleitungsrahmen (30 ) eine Vielzahl von Zuleitungshaltestäben (31 ) beinhaltet, die jeweils mit einer entsprechenden Chip-Unterteilungslinie auf dem Wafer (20 ) übereinstimmen, und wobei von jedem dieser Stäbe (31 ) aus eine Vielzahl von gestuften und gebogenen Zuleitungen (32 ) bis zu einer bestimmten Entfernung verläuft; abschließendes Ausrichten des Zuleitungsrahmens (30 ) auf dem Wafer (20 ); Durchführen eines Draht-Bondens zum elektrischen Verbinden jeder der Zuleitungen (32 ) mit einem entsprechenden aus der Vielzahl von mittigen Kontaktierungsfeldern (21a ) auf dem Wafer (20 ) durch Verwendung von metallischem Draht (50 ); Durchführen eines Vergießens, um einen Bereich (60 ), der die metallischen Drähte (50 ) und die Zuleitungen (32 ) enthält, zu formen, aber eine oberste Oberfläche jeder der Zuleitungen (32 ) nach außen freizulegen; Plattieren eines leitenden metallischen Materials (70 ) auf dem nach außen freigelegten Teil jeder der Zuleitungen (32 ); und Sägen des Wafers (20 ), um daraus einzelne Halbleiterchips zu formen, so dass die Vielzahl von Zuleitungshaltestäben (31 ) entfernt werden. - Verfahren nach Anspruch 1, bei dem für den Plattierschritt ein Elektroplattierverfahren eingesetzt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine Klebstoff-Abdeckschicht (
40 ) aufgebracht wird, um den Zuleitungsrahmen (30 ) mit dem Wafer (20 ) zu verbinden. - Verfahren nach Anspruch 1, bei dem für den Formschritt eine Epoxid-Vergußmasse verwendet wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das leitende metallische Material (
70 ) ein Lot ist. - Zuleitungsrahmen (
30 ) für einen Chip-Unterteilungslinien aufweisenden Wafer (20 ) mit einer Dicke, der umfaßt: eine Vielzahl von Zuleitungshaltestäben (31 ), die so angeordnet sind, dass sie jeweils mit einer entsprechenden der Chip-Unterteilungslinie auf dem Wafer (20 ) übereinstimmen; und eine Vielzahl von Zuleitungen (32 ), die von Spalten-Zuleitungshaltestäben (31 ) aus verlaufen und sich einer vertikalen Mittellinie zwischen diesen nähern, wobei die Zuleitungshaltestäbe (31 ) so geformt sind, dass die Breite jedes der Zuleitungshaltestäbe (31 ) kleiner als die Dicke des Wafers (20 ) ist. - Zuleitungsrahmen nach Anspruch 6, bei dem die Vielzahl von Zuleitungshaltestäben (
31 ) ein rechtwinkliges Gitter bildet. - Zuleitungsrahmen nach Anspruch 6, bei dem jede der Zuleitungen (
32 ) mehr als eine darin geformte Stufe aufweist. - Zuleitungsrahmen nach Anspruch 6, bei dem jede der Zuleitungen (
32 ) mehr als eine darin geformte Biegung aufweist.
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