DE19648475A1 - Mikrokontaktstiftstruktur, diese verwendende Prüfkarte und Herstellungsverfahren - Google Patents
Mikrokontaktstiftstruktur, diese verwendende Prüfkarte und HerstellungsverfahrenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Strukturen einer
Prüfkarte und eines Klein- oder Mikrokontaktstifts, der auf
der Prüfkarte angeordnet ist, wobei diese zum Prüfen der
Funktion oder des Leistungsvermögens eines auf einem Halb
leiterwafer oder einer Halbleiterscheibe ausgebildeten Halb
leiter-IC-Bausteins verwendet werden, und ein Verfahren zum
Herstellen der Prüfkarte und der Kontaktstifte. Die Erfin
dung betrifft insbesondere eine Struktur eines Mikrokontakt
stifts und einer Prüfkarte mit einer großen Anzahl von Mi
krokontaktstiften, um auf einer Halbleiterscheibe angeordne
te hochdichte Halbleiter-IC-Bausteine zu prüfen. Unter Prüf
karte wird erfindungsgemäß insbesondere eine Nadelkarte ver
standen, z. B. eine Nadelkarte zum Testen von Wafern auf ei
nem Sondenmeßplatz.
Beim Prüfen einer auf einer Halbleiterscheibe (Wafer),
wie beispielsweise einer Siliziumscheibe, angeordneten inte
grierten Halbleiterschaltung wird eine besondere Vorrich
tung, wie beispielsweise eine Wafer-Prüfvorrichtung verwen
det, die eine Prüfkarte mit mehreren Kontaktstiften auf
weist. Durch die Kontaktstifte werden elektrische Verbindun
gen mit Elektroden auf der Oberfläche der Scheibe herge
stellt, um Signale zwischen den Kontaktstiften und den Elek
troden zu übertragen. Die Fig. 4 und 5 zeigen ein Bei
spiel einer Struktur einer herkömmlichen Prüfkarte zum Prü
fen einer solchen auf einer Halbleiterscheibe angeordneten
integrierten Halbleiterschaltung.
In Fig. 4 weist die Prüfkarte Kontaktstifte 19, eine
Isolierplatte 17 und Koaxialkabel 18 zum Prüfen eines auf
einer Siliziumscheibe (Wafer) 1 ausgebildeten Halbleiterbau
steins 7 auf. Der zu prüfende Halbleiterbaustein 7 weist
mehrere Elektroden 2, wie beispielsweise Anschlußflächen,
auf seiner Oberfläche auf.
Die Kontaktstifte 19 werden in diesem Fall als Pogo-
Stifte bezeichnet, die elastisch sind und eine Teleskop
struktur aufweisen. Jeder der Kontaktstifte 19 ist so ange
ordnet, daß er der entsprechenden Elektrode 2 des zu prüfen
den Bausteins 7 zugewandt ist bzw. gegenüberliegt. Die elek
trische Verbindung wird hergestellt, wenn die Enden der Kon
taktstifte 19 auf die Elektroden 2 gedrückt werden. Die Iso
lierplatte 7 dient dazu, die Kontaktstifte 19 auf eine vor
gegebene Position einzustellen und die Kontaktstifte in die
ser Position zu fixieren. Die Koaxialkabel 18 sind mit den
oberen Abschnitten der Kontaktstifte 19 verbunden, um eine
elektrische Verbindung zwischen dem zu prüfenden Baustein 7
und einem in einem Blockdiagramm von Fig. 7 dargestellten
Prüfsystem 28 herzustellen.
Fig. 5 zeigt ein anderes Beispiel einer herkömmlichen
Prüfkarte. Die Prüfkarte von Fig. 5 weist mehrere Elektro
denanschlüsse 21, eine Membran 20, einen Prüfrahmen 22,
Schrauben 23 und Koaxialkabel 18 auf. Die höckerförmigen
Elektrodenanschlüsse 21 sind auf der Oberfläche der Membran
20 so ausgebildet, daß sie mit den Elektroden des zu prüfen
den Bausteins auf der Siliziumscheibe 1 in Kontakt zu kom
men. Außer den Elektrodenanschlüssen 21 weist die Membran 20
außerdem mit den Anschlüssen 21 verbundene Schaltungsmuster
zum Übertragen elektrischer Signale auf. D.h., die Elektro
denanschlüsse 21 sind mit den entsprechenden Koaxialkabeln
18 durch die Schaltungsmuster verbunden.
Ein Plunger bzw. Kolben 24, Schrauben 23, eine Feder 25
und ein Drucksensor 26 sind vorgesehen, um Auf- und Abwärts
bewegungen der Elektrodenanschlüsse 21 und der Membran 20 zu
veranlassen. Dadurch werden die Elektrodenanschlüsse 21 auf
die Elektroden gedrückt, um elektrische Verbindungen dazwi
schen herzustellen. Ein Prüfrahmen 22 hält die verschiedenen
vorstehend erwähnten Komponenten und ermöglicht die Auf- und
Abwärtsbewegungen der Elektrodenanschlüsse 21.
Die Position der Elektrodenanschlüsse 21 bezüglich der
Elektroden 2 auf dem zu prüfenden Baustein 7 wird durch Po
sitionieren des Plungers 24 durch die Schrauben 23 in verti
kaler und horizontaler Richtung eingestellt. Dadurch können
die elektrischen Signale zwischen dem gerade geprüften Halb
leiterbaustein 7 und dem Halbleiterprüfsystem 28 (Fig. 7)
über die Koaxialkabel 18 übertragen werden.
Aufgrund der zunehmenden Dichte und der zunehmenden Be
triebs- oder Arbeitsgeschwindigkeit integrierter Halbleiter
schaltungen, müssen Prüfkarten zum Prüfen der auf der Halb
leiterscheibe angeordneten integrierten Schaltungen in einer
höheren Dichte angeordnete Kontaktstifte mit einer besseren
Impedanzanpassung an den Verbindungspunkten aufweisen. Au
ßerdem muß durch die Kontaktstifte auf der Prüfkarte auf
grund der zunehmenden Dichte und des zunehmenden Integrati
onsgrades der integrierten Schaltungen auch dann ein ausrei
chender elektrischer Kontakt mit den Elektroden auf der
Scheibe aufrechterhalten werden, wenn die Flachheit oder
Ebenheit der Scheibe schwankt oder vermindert wird.
Wenn die Elektroden 2 des zu prüfenden Bausteins 7 Alu
miniumelektroden sind, muß außerdem, um den elektrischen
Kontakt zwischen den Elektroden 2 und den Kontaktstiften auf
der Prüfkarte zu gewährleisten, eine Schrubb- oder Abreib
funktion zum Entfernen eines Oxidfilms auf der Oberfläche
der Elektrode 2 bereitgestellt werden. Durch diese Schrubb-
oder Abreibfunktion kann ein ausreichender zuverlässiger
elektrischer Kontakt aufrechterhalten werden.
Bei einer herkömmlichen Prüfkarte unter Verwendung der
in Fig. 4 dargestellten Kontaktstifte 19 kann die Spitze
des Kontaktstiftes 19 klein genug ausgebildet werden, so daß
sie der Größe der Elektrode 2 auf der Scheibe angepaßt ist.
Weil der Kontaktstift 10 jedoch eine ausreichende Größe auf
weisen muß, um eine ausreichende mechanische Steifigkeit
oder Stabilität zu erhalten, und Zwischenräume oder Abstände
für die Verbindung mit den Koaxialkabeln 18 bereitgestellt
werden müssen, ist der minimale Abstand zwischen den Kon
taktstiften 19 auf etwa 1 mm begrenzt.
Bei einer herkömmlichen Prüfkarte unter Verwendung der
in Fig. 5 dargestellten Elektrodenanschlüsse 21 auf der
Membran 20 kann die Dichte der Elektrodenanschlüsse höher
sein als die bei der Prüfkarte unter Verwendung der in Fig.
4 dargestellten Kontaktstifte 19 erhaltene Dichte. Die Dich
te der in Fig. 5 dargestellten Struktur ist jedoch noch im
mer auf etwa 0.5 mm begrenzt. Außerdem ist das in Fig. 5
dargestellte Beispiel nicht dazu geeignet, die Verminderung
der Flachheit oder Ebenheit der Scheibenoberfläche geeignet
auszugleichen, weil die Elektrodenanschlüsse 21 nicht von
einander unabhängig sind. Aus dem gleichen Grund ist die
Schrubb- oder Abreibfunktion zum Entfernen des Oxidfilms der
Elektroden des zu prüfenden Bausteins nicht verfügbar.
Daher ist die herkömmliche Prüfkarte unter Verwendung
oder Pogo-Kontaktstifte oder der Membran mit den Anschlüssen
nicht dazu geeignet, die Anforderungen zu erfüllen, die
durch neue integrierte Halbleiterbausteine mit einem sehr
kleinen Abstand zwischen den Elektroden an die Karte ge
stellt werden. Daher ist es erforderlich, eine Prüfkarte und
eine Kontaktstiftstruktur bereitzustellen, bei denen ein
neues Verfahren verwendet wird, um die Dimensionierungsgren
zen zu überwinden und die durch den hochdichten Halbleiter
baustein vorgegebenen, an die Kontaktstruktur gestellten An
forderungen zu erfüllen.
Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
eine Kontaktstruktur zum elektrischen Verbinden eines Kon
taktstiftes mit einer Elektrode eines auf einer Halbleiter
scheibe (Wafer) ausgebildeten zu prüfenden Bausteins bereit
zustellen, bei der der Abstand zwischen benachbarten Kon
taktstiften vermindert ist, um einen hochdichten Halbleiter
baustein zu prüfen.
Ferner wird eine Kontaktstruktur zum stabilen und zu
verlässigen elektrischen Verbinden eines Kontaktstifts mit
einer Elektrode eines zu prüfenden Bausteins bereitgestellt,
indem die Schwankungen der Flachheit oder Ebenheit der Elek
troden des zu prüfenden Bausteins ausgeglichen werden.
Außerdem wird eine Kontaktstruktur zum stabilen und zu
verlässigen elektrischen Verbinden eines Kontaktstiftes mit
einer Elektrode eines zu prüfenden Bausteins durch Schrubben
oder Abreiben einer Oberfläche der Elektrode durch den Kon
taktstift bereitgestellt.
Ferner werden eine Prüfkarte mit einer erfindungsgemä
ßen Kontaktstruktur und ein Verfahren zum Herstellen der er
findungsgemäßen Kontaktstruktur bereitgestellt.
Die erfindungsgemäße Kontaktstruktur weist einen an ei
nem Ende eines in vertikaler Richtung beweglichen Streifens
ausgebildeten Mikrokontaktstift mit elektrischer Leitfähig
keit und ein auf dem Streifen ausgebildetes Piezoelement
oder piezoelektisches Element auf, durch das der Streifen in
vertikaler Richtung bewegt wird. Der Streifen besteht vor
zugsweise aus Silizium, auf dessen Oberfläche eine leitfähi
ge dünne Schicht ausgebildet ist, und der Mikrokontaktstift
ist vorzugsweise pyramidenförmig. Das piezoelektrische Ele
ment ist vorzugsweise eine auf einer oberen Fläche des
Streifens oder auf der oberen und der unteren Fläche des
Streifens angeordnete Zweielement- oder Doppelkristallplat
te.
Ferner wird eine Prüfkarte zum Herstellen elektrischer
Verbindungen zwischen Elektroden mehrerer auf einer Scheibe
angeordneter Halbleiterschaltungen und einem Halbleiter
prüfsystem bereitgestellt. Die Prüfkarte wird gebildet aus:
mehreren Mikrokontaktstiften, die auf entsprechenden Strei
fen ausgebildet sind und relativ zu den Elektroden aller
Halbleiterschaltungen auf der Scheibe angeordnet sind, wobei
jeder der Mikrokontaktstifte elektrisch leitfähig ist und an
einem Ende jedes der Streifen ausgebildet ist und jeder
Streifen in vertikaler Richtung beweglich ist, und wobei
mehrere piezoelektrische Elemente auf den Streifen ausgebil
det sind, um die entsprechenden Streifen in vertikaler Rich
tung zu bewegen; und einer Multiplexschaltung zum Auswählen
einer Gruppe von Mikrokontaktstiften, um Signale zwischen
ausgewählten der Halbleiterbausteine und dem Halbleiter
prüfsystem zu übertragen.
Ferner wird ein Verfahren zum Herstellen der Kontakt
struktur durch ein Halbleiterherstellungsverfahren bereitge
stellt.
Erfindungsgemäß ist jeder der erfindungsgemäßen Mikro
kontaktstifte aufgrund seiner Struktur unabhängig von den
anderen elastisch. Daher können durch die Kontaktstifte
Schwankungen der Oberflächenflachheit des auf der Scheibe
angeordneten zu prüfenden Halbleiterbausteins ausgeglichen
werden. Weil die Kontaktstifte voneinander unabhängig sind
und getrennt aufwärts und abwärts beweglich sind, kann die
Abreib- oder Schrubbfunktion bezüglich den Elektrodenober
flächen bereitgestellt werden. Daher wird durch den erfin
dungsgemäßen Kontaktstift ein sehr stabiler und zuverlässi
ger elektrischer Kontakt erreicht.
Außerdem kann die Prüfkarte so hergestellt werden, daß
alle auf einer Scheibe ausgebildeten Halbleiterschaltungen
abgedeckt werden. Die Prüfkarte weist eine Multiplexschal
tung auf, um elektrische Verbindungen zwischen der gerade
geprüften Halbleiterschaltung und dem Halbleiterprüfsystem
zu schalten. Bei dieser Anordnung können ohne Verwendung ei
nes X-Y-Tischs durch Auswählen der zu prüfenden Halbleiter
schaltung alle Halbleiterschaltungen geprüft werden. Daher
ist während des Prüfvorgangs keine mechanische Positionie
rung erforderlich, wodurch die Positionierungsgenauigkeit
zwischen den Kontaktstiften und dem gerade geprüften Bau
stein verbessert und dadurch die Gesamtzeit für den Prüfvor
gang vermindert wird.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen
näher erläutert,
Fig. 1 zeigt eine Teilquerschnittansicht zum Darstel
len einer erfindungsgemäßen Prüfkarte, wobei die Prüfkarte
aus drei Siliziumsubstratschichten für zwei Elektrodenreihen
gebildet wird, die sich auf dem zu prüfenden Halbleiterbau
stein parallel erstrecken.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittansicht zum Darstellen
eines Beispiels einer Anordnung, bei der eine Prüfkarte ein
stückig derart ausgebildet ist, daß sie eine große Anzahl
von erfindungsgemäßen Mikrokontaktstiften aufweist, die al
len auf der Scheibe ausgebildeten zu prüfenden Halbleiter
bausteinen zugeordnet sind;
Fig. 3 zeigt eine perspektivische Ansicht der Prüfkar
te von Fig. 2, bei der die Mikrokontaktstifte allen auf der
Scheibe ausgebildeten zu prüfenden Bausteinen zugeordnet
sind;
Fig. 4 zeigt eine Querschnittansicht zum Darstellen
einer Kontaktstruktur einer herkömmlichen Prüfkarte;
Fig. 5 zeigt eine Querschnittansicht zum Darstellen
einer Kontaktstruktur einer anderen herkömmlichen Prüfkarte;
Fig. 6 zeigt ein Diagramm zum Darstellen eines Bei
spiels eines Verfahrens zum Herstellen eines erfindungsgemä
ßen Mikrokontaktstiftes;
Fig. 7 zeigt ein schematisches Blockdiagramm zum Dar
stellen einer elektrischen Verbindung, wobei mehrere zu prü
fende Halbleiterbausteine gemäß einer anderen Ausführungs
form der Erfindung, bei der Mikrokontaktstifte und ein Mul
tiplexer vorgesehen sind, nacheinander geprüft werden; und
Fig. 8 zeigt ein Ablaufdiagramm zum Darstellen eines
Verfahrens zum Herstellen des erfindungsgemäßen Mikrokon
taktstifts.
Nachstehend wird unter Bezug auf Fig. 1 die bevorzugte
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine Teilquerschnittansicht zum Darstellen einer
erfindungsgemäßen Prüfkarte, wobei die Prüfkarte aus drei
Siliziumsubstratschichten gebildet wird, um einen elektri
schen Kontakt mit zwei auf dem zu prüfenden Halbleiterbau
stein ausgebildeten, sich parallel erstreckenden Elektroden
reihen herzustellen.
In der Querschnittansicht von Fig. 1 weist eine Prüf
karte 3 eine dreischichtige Struktur aus drei Silizium
substraten auf, einem ersten Substrat 8, einem zweiten
Substrat 10 und einem dritten Substrat 15. Ein Streifen oder
Träger bzw. Ausleger 4 ist durch ein geeignetes Verfahren,
wie beispielsweise maschinelle Fein- oder Mikrobearbeitung,
auf dem ersten Siliziumsubstrat ausgebildet. Der Streifen 4
ist in einer Aufwärts- und Abwärtsrichtung elastisch.
Wie in Fig. 2 dargestellt, weist der zu prüfende Bau
stein 7 auf der Halbleiterscheibe 1 Elektroden 2 auf. Ein
Mikrokontaktstift 5 ist an einem Ende jedes der Streifen 4
so ausgebildet, daß er der entsprechenden Elektrode 2 auf
dem zu prüfenden Baustein 7 gegenüberliegt. Auf der Oberflä
che des Mikrokontaktstifts 5 ist eine leitfähige Schicht
ausgebildet, um zu gewährleisten, daß der Mikrokontaktstift
elektrisch leitfähig ist. Der Mikrokontaktstift 5 und das
dritte Siliziumsubstrat 15 sind über eine Öffnung 9₁ elek
trisch verbunden.
Ein piezoelektrisches Element oder Piezoelement 6 ist
in Sandwichweise auf dem Streifen 4 angeordnet. Das piezo
elektrische Element 6 weist eine Dünnschichtform auf und ist
vom Streifen 4 isoliert. Eine Treiberschaltung 11 für das
piezoelektrische Element ist auf dem dritten Silizium
substrat 15 ausgebildet. Eingangsanschlüsse des piezoelek
trischen Elements 6 sind mit der Treiberschaltung 11 für das
piezoelektrische Element über eine Öffnung 9₂ verbunden.
Wenn die Treiberschaltung 11 dem piezoelektrischen Element 6
ein elektrisches Signal zuführt, wird durch das piezoelek
trische Element 6 eine Aufwärts- bzw. Abwärtsbewegung des
Streifens 4 erzeugt.
Um die Aufwärts- bzw. Abwärtsbewegung des Streifens 4
und dadurch des Mikrokontaktstifts 5 zu gewährleisten, ist
das zweite Siliziumsubstrat 10 ausgeschnitten, um eine Ver
tiefung für den Mikrokontaktstift 5 zu bilden. Das zweite
Siliziumsubstrat 10 wird außerdem dazu verwendet, eine inne
re Schaltung 30 zum Übertragen verschiedener Signale an zu
ordnen, wie beispielsweise Multiplexsignale zum Schalten der
Signale in der Prüfkarte. Wie vorstehend beschrieben, wird
das dritte Siliziumsubstrat 15 zum Anordnen der Treiber
schaltung 11 für das piezoelektrische Element verwendet. Das
dritte Siliziumsubstrat 15 wird außerdem zusammen mit dem
zweiten Siliziumsubstrat 10 zum Anordnen eines Schaltungsmu
sters 34 verwendet, das eine Multiplexschaltung 34 aufweist.
Die Treiberschaltung 11 für das piezoelektrische Ele
ment ist für jeden zu prüfenden Baustein vorgesehen. Typi
scherweise wird durch einen Hochspannungsgenerator in der
Treiberschaltung 11 ein Treibersignal von mehreren zehn Volt
erzeugt. Das Treibersignal wird mehreren der piezoelektri
schen Elemente 6 zugeführt, so daß die Kontaktstifte 5, die
so angeordnet sind, daß sie auf die Elektroden 2 auf dem zu
prüfenden Baustein 7 treffen, bewegt werden und mit den
Elektroden in Kontakt kommen. Dadurch wird der aktivierte
bzw. der nichtaktivierte Zustand aller Kontaktstifte 5 für
den zu prüfenden Baustein 7 gesteuert, d. h. die Kontaktstif
te werden gleichzeitig mit allen Elektroden verbunden oder
die Verbindungen der Kontaktstifte mit den Elektroden wird
gleichzeitig unterbrochen.
Aufgrund der Struktur des erfindungsgemäßen Mikrokon
taktstifts ist jeder der Kontaktstifte unabhängig von den
anderen elastisch. Daher kann durch die Kontaktstifte die
Verminderung der Flachheit der Oberfläche der Elektroden,
d. h. der Halbleiterscheibe, ausgeglichen werden. Weil die
Kontaktstifte voneinander unabhängig sind und sich getrennt
in die Aufwärts- bzw. Abwärtsrichtung bewegen, kann bezüg
lich den Kontaktflächen der Elektroden eine Schrubb- oder
Abreibfunktion bereitgestellt werden.
Das piezoelektrische Element 6 wird durch Sputtern oder
ein Aufdampfverfahren auf der Ober- und/oder der Unterseite
des Streifens 4 ausgebildet. Durch dieses Beschichtungsver
fahren wird beispielsweise eine Zweielementkristallstruktur
mit Schichten aus Siliziumoxid (SiO₂)-Gold-PLZT-Gold-PLZT-
Gold ausgebildet. PLZT ist ein piezoelektrisches Material
aus beispielsweise Blei, Lanthan, Zink und Titanoxid. Durch
diese Struktur biegt sich das piezoelektrische Element 6
proportional zur angelegten Spannung, wodurch die vertikale
Bewegung des Mikrokontaktstiftes 5 erzeugt wird.
Die elektrische Isolierung zwischen dem Streifen 4 und
dem piezoelektrischen Element 6 wird durch die Siliziumoxid
schicht auf dem piezoelektrischen Element 6 erhalten. Weil
die Durchbruch- oder Durchschlagspannung der Siliziumoxid
schicht 10 V/µm beträgt, ist eine Schichtdicke von 3-5 µm
für eine Steuerspannung von 20-30 V ausreichend. Wie in
den Fig. 1-3 dargestellt, sind die piezoelektrischen
Elemente 6 über Durchgangsöffnungen 9 mit den Treiberschal
tungen 11 und der inneren Schaltung 30 verbunden.
Wie vorstehend beschrieben, wird die Vertiefung für die
Bewegung der Kontaktstifte 5 zwischen dem ersten Silizium
substrat 1 und dem dritten Siliziumsubstrat 15 ausgebildet,
indem der entsprechende Abschnitt des zweiten Silizium
substrats 10 entfernt wird. Dadurch sind bei diesem Beispiel
die Mikrokontaktstifte 5 über etwa 10 µm in vertikaler Rich
tung beweglich. Diese Bewegungsstrecke ist ausreichend, um
Unregelmäßigkeiten der Oberflächen der Elektroden 2 oder ei
ne Krümmung der zu prüfenden Scheibe 1 auszugleichen.
Obwohl nicht dargestellt, kann die Verbindung zwischen
mehreren der Kontaktstifte 5 und einer externen Schaltung
hergestellt werden, indem beispielsweise ein Keramiksubstrat
in unmittelbarer Nähe der erfindungsgemäßen Prüfkarte ange
ordnet wird und dazwischen geeignete Komponenten oder Teile
angeordnet und angeschlossen werden.
Nachstehend wird unter Bezug auf die Fig. 6 bis 8
ein Verfahren zum Herstellen der erfindungsgemäßen Mikrokon
taktstruktur beschrieben. Fig. 6 zeigt ein Diagramm zum
Darstellen eines Beispiels eines Verfahrens zum Herstellen
eines erfindungsgemäßen Mikrokontaktstifts, und Fig. 8
zeigt ein Ablaufdiagramm zum Darstellen eines Verfahrens zum
Herstellen des erfindungsgemäßen Mikrokontaktstifts.
In diesem Beispiel wird ein Siliziummaterial mit einer
(100)-Kristallebene als Siliziumsubstrat verwendet. Das Si
liziumsubstrat von Fig. 6A wird einem Lithographie- und ei
nem Trockenätzschritt zugeführt, wie in Fig. 6B dargestellt.
Durch Photolithographie wird eine Maske hergestellt, um Mu
ster der Maske mit geografischen Formen auf eine dünne
Schicht aus strahlungsempfindlichem Material, d. h. einen Ab
decklack oder ein Resist, zu übertragen. Das Silizium
substrat mit dem durch das Lithographieverfahren gebildeten
Mustern wird dann dem Trockenätzprozeß zugeführt. Beispiels
weise kann Kohlenstoffhexafluorid- (C₂F₆-) Gas für dieses
Ätzverfahren verwendet werden. Es wird ein Streifen 4 mit
einer Dicke von 200 µm und einer Länge von 500 µm gebildet.
Der Streifen 4 weist an seinem Ende einen rechteckigen Vor
sprung mit den Maßen 100 × 100 × 100 µm auf.
Aus diesem rechteckigen Abschnitt des Streifens 4 wird
durch einen anisotropen Naß- oder Laugenätzprozeß ein Mikro
kontaktstift 5 gebildet, wie in Fig. 6C dargestellt. Der
Mikrokontaktstift 5 weist eine etwa 50 µm hohe Pyramidenform
auf, die von (111)-Kristallebenen umgeben ist. Für dieses
anisotrope Naß- oder Laugenätzverfahren kann eine 3N-Lösung
aus Isopropylalkohol und Kaliumhydroxid oder Kalilauge (KOH)
verwendet werden. Um zu erreichen, daß der Streifen elek
trisch leitfähig wird, wird auf der Oberfläche des Streifens
durch ein Sputterverfahren ein leitfähiges Material, wie
beispielsweise eine Goldschicht, aufgebracht.
Der Streifen 4 wird in ein Isoliermaterial 31, wie bei
spielsweise Poiyimid, gepreßt, wie in Fig. 6D dargestellt,
und einem Verfahren zum Vermindern der Scheibendicke oder
einem Scheibenlösungsverfahren ("lost wafer-Verfahren") un
terzogen, bei dem die Dicke an der Rückseite von 200 µm auf
50 µm reduziert wird, wie in Fig. 6E dargestellt. Für die
ses Verfahren kann eine Salpetersäurelösung verwendet wer
den.
Durch ein Sputter- oder ein Aufdampfverfahren wird auf
dem Streifen 4 ein piezoelektrisches Element 6 ausgebildet,
wie in Fig. 6F dargestellt. Durch dieses Schichtbildungs
verfahren wird eine Zweielementkristallstruktur mit zwei La
gen piezoelektrischer Schichten gebildet. Beispielsweise be
steht die Zweielementkristallstruktur aus Siliziumoxid
(SiO₂)-Gold-PLZT-Gold-PLZT-Gold. PLZT ist ein piezoelektri
sches Material, das Blei, Lanthan, Zink und Titanoxid auf
weist.
Durch ein herkömmliches Halbleiterherstellungsverfahren
werden Durchgangsöffnungen 9 und Mikrostreifen- oder Mi
krostripleitungen auf dem Streifen 4 ausgebildet, wie in
Fig. 6G dargestellt. Außerdem wird auf dem Streifen 4 ein
zweites Siliziumsubstrat 10 mit einer Opferelektroden- oder
Opferschicht 32 aus Siliziumoxid (SiO₂) aufgebracht. Die Op
ferschicht 32 sollte auf der oberen Fläche des Streifens 4
angeordnet sein und das piezoelektrische Element 6 und die
Rückseite des Mikrokontaktstiftes 5 umgeben.
Ein drittes Siliziumsubstrat 15 wird auf dem zweiten
Siliziumsubstrat 10 aufgebracht, wie in Fig. 6H darge
stellt. Auf dem dritten Siliziumsubstrat 15 werden durch ein
herkömmliches Verfahren zum Herstellen einer integrierten
Schaltung eine Treiberschaltung 11 für ein piezoelektrisches
Element und eine Multiplexschaltung 34 ausgebildet. Elektri
sche Verbindungen werden durch die Durchgangsöffnungen 9 von
der Treiberschaltung 11 zum piezoelektrischen Element 6
durch Verfüllen der Öffnungen 9 mit elektrisch leitfähigem
Material hergestellt.
Die Opferschicht 32 und das Isoliermaterial 31 werden,
wie in Fig. 6I dargestellt, entfernt, um eine Aufwärts- und
Abwärtsbewegung des Streifens 4 zu ermöglichen. Das piezo
elektrische Element 6 kann beim letzten Verarbeitungsschritt
auch auf der anderen Seite des Streifens 4 ausgebildet wer
den, um eine in Fig. 1 dargestellte Sandwichstruktur zu er
halten. Diese Verarbeitung ist mit der in Verbindung mit
Fig. 6F beschriebenen Verarbeitung identisch.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann eine Prüfkar
te 3 mit in einem Abstand von 100 µm ausgerichteten Streifen
leicht hergestellt werden. Beim vorstehend beschriebenen
Herstellungsverfahren ist das dritte Siliziumsubstrat 15 zum
Herstellen der Prüfkarte nicht unbedingt erforderlich. In
diesem Fall kann, wenn das dritte Substrat 15 nicht vorgese
hen ist, eine Treiberschaltung für ein piezoelektrisches
Element auf dem zweiten Substrat 10 ausgebildet werden. Al
ternativ können Anschlußflächen auf dem zweiten Substrat 10
ausgebildet werden, um ein Treiber- oder Steuersignal von
einer externen Schaltungsanordnung (nicht dargestellt), wie
beispielsweise einer auf einem Keramiksubstrat ausgebildeten
Schaltung, durch eine Drahtverbindung, zu empfangen.
Das Ablaufdiagramm von Fig. 8 zeigt das gleiche Her
stellungsverfahren wie unter Bezug auf Fig. 6 beschrieben.
D.h., bei Schritt 201 wird die Maske auf dem Silizium
substrat ausgebildet, und bei Schritt 202 wird der Streifen
4 mit dem rechteckigen Vorsprung an seinem Ende durch ein
Trockenätzverfahren ausgebildet. Aus dem rechteckigen Ab
schnitt des Streifens 4 wird bei Schritt 203 durch einen
anisotropen Naß- oder Laugenätzprozeß der pyramidenförmige
Mikrokontaktstift 5 gebildet.
Der Streifen 4 wird bei Schritt 204 in das Isoliermate
rial 31, wie beispielsweise Polyimid, gepreßt. Die Dicke des
Streifens 204 wird bei Schritt 205 durch ein Verfahren zum
Vermindern der Scheibendicke oder ein Scheibenlösungsverfah
ren ("lost wafer-Verfahren") an der Rückseite des Streifens
reduziert. Durch einen Sputterprozeß wird bei Schritt 206
das piezoelektrische Element 6 auf dem Streifen 4 ausgebil
det. Bei Schritt 207 wird das zweite Siliziumsubstrat 10 mit
der Opferschicht 32 und den Durchgangsöffnungen 9 auf dem
Streifen 4 aufgebracht. Bei Schritt 208 wird das dritte Si
liziumsubstrat 15 mit der Multiplexschaltung 34 und den
Durchgangsöffnungen 9 auf dem zweiten Siliziumsubstrat 10
aufgebracht. Die Opferschicht 32 und das Polyimid-
Isoliermaterial werden bei Schritt 209 entfernt.
Die erfindungsgemäße Prüfkarte kann so aufgebaut sein,
daß sie zum Prüfen einer oder mehrerer auf der Halbleiter
scheibe 1 angeordneter Halbleiterschaltungen 7 geeignet bzw.
angepaßt ist. Daher kann die Prüfkarte so aufgebaut sein,
daß sie nur einen Teil der zu prüfenden Scheibe 1 abdeckt.
In diesem Fall muß entweder die erfindungsgemäße Prüfkarte
oder die zu prüfende Scheibe 1 auf einem X-Y-Tisch angeord
net sein, um die relative Position zu verstellen und andere
Schaltungen auf der Scheibe 1 zu prüfen.
Alternativ kann die Prüfkarte so aufgebaut sein, daß
sie alle Halbleiterschaltungen 7 auf der zu prüfenden Schei
be 1 abdeckt. Die Fig. 2 und 3 zeigen eine solche Ausfüh
rungsform, bei der alle auf der Scheibe 1 ausgebildeten
Halbleiterschaltungen 7 abgedeckt werden. Bei dieser Anord
nung ist kein X-Y-Tisch erforderlich, weil die Anzahl der
Mikrokontaktstifte 5 der Anzahl aller Elektroden auf der
Scheibe 1 entspricht.
Im Beispiel von Fig. 2 und 3 werden eine der gerade
geprüften Halbleiterschaltung 7 zugeordnete Gruppe von Mi
krokontaktstiften 5 gleichzeitig durch ein Steuersignal von
der Treiberschaltung 11 für das piezoelektrische Element an
gesteuert. Nach dem Prüfen einer Halbleiterschaltung 7 wer
den eine andere Gruppe von Mikrokontaktstiften 5 angesteu
ert, um die nächste Halbleiterschaltung 7 auf der Scheibe zu
prüfen. Daher sind die Kontaktstifte über der gerade geprüf
ten Halbleiterschaltung 7 aktiviert, während die Kontakt
stifte für die nicht geprüften Halbleiterschaltungen nicht
aktiviert sind.
Der gerade geprüften Halbleiterschaltung 7 werden über
die Mikrokontaktstifte 5 Prüfsignale von einem Halbleiter
prüfsystem zugeführt, und die erhaltenen Ausgangssignale
werden durch das Prüfsystem empfangen. Wie in Fig. 7 darge
stellt, werden diese Prüfsignale und die erhaltenen Signale
für die entsprechende Halbleiterschaltung durch eine Multi
plexschaltung 34 und einen Multiplexertreiber 29 ausgewählt,
die auf dem dritten Siliziumsubstrat 15 der Prüfkarte 3 aus
gebildet sind. Beispielsweise führt der Multiplexertreiber
29 der Multiplexschaltung 34 ein Steuersignal zu, um eine
dem gerade geprüften Halbleiterbaustein 7 zugeordnete Gruppe
von Mikrokontaktstiften 5 auszuwählen. Durch die Multiplex
schaltung 34 werden die ausgewählte Halbleiterschaltung 7
und das Halbleiterprüfsystem 28 über die Mikrokontaktstifte
miteinander verbunden.
Erfindungsgemäß ist aufgrund der Struktur des erfin
dungsgemäßen Mikrokontaktstifts jeder der Mikrokontaktstifte
unabhängig von den anderen elastisch. Daher können durch die
Kontaktstifte die Schwankungen der Oberflächenflachheit der
zu prüfenden Halbleiterbausteine auf der Scheibe ausgegli
chen werden. Weil die Kontaktstifte sich unabhängig vonein
ander und getrennt auf- und abwärts bewegen, kann eine
Schrubb- oder Abreibwirkung bezüglich den Kontaktflächen der
Elektroden erhalten werden. Daher wird durch den erfindungs
gemäßen Kontaktstift ein sehr stabiler und zuverlässiger
elektrischer Kontakt erhalten.
Außerdem kann die Prüfkarte derart hergestellt werden,
daß sie alle auf der Scheibe ausgebildeten Halbleiterschal
tungen abdeckt. Die Prüfkarte weist die Multiplexschaltung
auf, um die elektrischen Verbindungen zwischen der gerade
geprüften Halbleiterschaltung und dem Halbleiterprüfsystem
zu schalten. Bei dieser Anordnung können alle Halbleiter
schaltungen ohne Verwendung eines X-Y-Tischs geprüft werden,
indem die zu prüfende Halbleiterschaltung ausgewählt wird.
Dadurch ist während des Prüfvorgangs kein mechanisches Posi
tionieren erforderlich, wodurch die Positionierungsgenauig
keit zwischen den Kontaktstiften und dem gerade geprüften
Baustein verbessert und die Gesamtzeitdauer für den Prüfvor
gang reduziert wird.
Claims (24)
1. Kontaktstruktur zum elektrischen Verbinden eines Kon
taktstiftes mit einer Elektrode eines Bausteins mit:
einem an einem Ende eines in vertikaler Richtung beweglichen Streifens ausgebildeten elektrisch leitfä higen Mikrokontaktstift; und
einem auf dem Streifen ausgebildeten piezoelektri schen Element zum Bewegen des Streifens in der vertika len Richtung.
einem an einem Ende eines in vertikaler Richtung beweglichen Streifens ausgebildeten elektrisch leitfä higen Mikrokontaktstift; und
einem auf dem Streifen ausgebildeten piezoelektri schen Element zum Bewegen des Streifens in der vertika len Richtung.
2. Kontaktstruktur nach Anspruch 1, wobei der Streifen aus
Silizium besteht, auf dessen Oberfläche eine leitfähige
dünne Schicht ausgebildet ist, und der Mikrokontakt
stift pyramidenförmig ist.
3. Kontaktstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei das pie
zoelektrische Element eine auf einer oberen Fläche des
Streifens angeordnete Zweielementkristallplatte ist.
4. Kontaktstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei das pie
zoelektrische Element aus zwei Zweielementkristallplat
ten gebildet wird, die auf einer oberen bzw. einer un
teren Fläche des Streifens angeordnet sind.
5. Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei
das piezoelektrische Element aus einer Zweielementkri
stallplatte mit Siliziumoxid (SiO₂)-Gold-PLZT-Gold-
PLZT-Gold-Schichten gebildet ist.
6. Prüfkarte zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwi
schen einer Elektrode einer auf einem Wafer angeordne
ten Halbleiterschaltung und einem Halbleiterprüfsystem,
mit:
einem der Elektrode zugeordneten elektrisch leit fähigen Mikrokontaktstift, der an einem Ende eines in einer vertikalen Richtung beweglichen Streifens ausge bildet ist; und
einem auf dem Streifen angeordneten piezoelektri schen Element zum Bewegen des Streifens in der vertika len Richtung.
einem der Elektrode zugeordneten elektrisch leit fähigen Mikrokontaktstift, der an einem Ende eines in einer vertikalen Richtung beweglichen Streifens ausge bildet ist; und
einem auf dem Streifen angeordneten piezoelektri schen Element zum Bewegen des Streifens in der vertika len Richtung.
7. Prüfkarte nach Anspruch 6, ferner mit einem ersten Si
liziumsubstrat und einem zweiten Siliziumsubstrat, die
übereinander angeordnet sind, wobei der Streifen auf
dem ersten Siliziumsubstrat ausgebildet ist und das
zweite Siliziumsubstrat eine Durchgangsöffnung auf
weist, um einen Signalweg zwischen dem Mikrokontakt
stift und einer externen Schaltung zu bilden.
8. Prüfkarte nach Anspruch 6, ferner mit einem ersten Si
liziumsubstrat, einem zweiten Siliziumsubstrat und ei
nem dritten Siliziumsubstrat, die übereinander angeord
net sind, wobei der Streifen auf dem ersten Silizium
subtrat ausgebildet ist und das zweite und das dritte
Siliziumsübstrat eine Durchgangsöffnung aufweisen, um
einen Signalweg zwischen dem Mikrokontaktstift und ei
ner externen Schaltung zu bilden.
9. Prüfkarte nach Anspruch 8, wobei das zweite Silizium
substrat ein Schaltungsmuster zum Übertragen von Prüf
signalen durch das Substrat und das dritte Silizium
substrat ein Schaltungsmuster zum Ansteuern des piezo
elektrischen Elements aufweist.
10. Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei der
Streifen aus Silizium besteht, auf dessen Oberfläche
eine leitfähige dünne Schicht ausgebildet ist, und der
Mikrokontaktstift pyramidenförmig ist.
11. Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6 bis 10, wobei das
piezoelektrische Element eine auf einer oberen Fläche
des Streifens angeordnete Zweielementkristallplatte
ist.
12. Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6 bis 10, wobei das
piezoelektrische Element aus zwei Zweielementkristall
platten gebildet wird, die auf einer oberen bzw. einer
unteren Fläche des Streifens angeordnet sind.
13. Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6 bis 12, wobei das
piezoelektrische Element aus einer Zweielementkristall
platte mit Siliziumoxid (SiO₂)-Gold-PLZT-Gold-PLZT
Gold-Schichten gebildet ist.
14. Prüfkarte zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwi
schen Elektroden mehrerer auf einem Wafer angeordneter
Halbleiterbausteine und einem Halbleiterprüfsystem,
mit:
mehreren auf entsprechenden Streifen ausgebildeten und bezüglich der Elektroden aller Halbleiterbausteine auf dem Wafer angeordneten Mikrokontaktstiften, wobei jeder der Mikrokontaktstifte elektrisch leitfähig ist und an einem Ende jedes Streifens ausgebildet ist, der in vertikaler Richtung beweglich ist;
mehreren auf den Streifen ausgebildeten piezoelek trischen Elementen zum Bewegen der entsprechenden Streifen in die vertikale Richtung; und
einer Multiplexschaltung zum Auswählen einer Grup pe der Mikrokontaktstifte, um Signale zwischen einem ausgewählten der Halbleiterbausteine und dem Halblei terprüfsystem zu übertragen.
mehreren auf entsprechenden Streifen ausgebildeten und bezüglich der Elektroden aller Halbleiterbausteine auf dem Wafer angeordneten Mikrokontaktstiften, wobei jeder der Mikrokontaktstifte elektrisch leitfähig ist und an einem Ende jedes Streifens ausgebildet ist, der in vertikaler Richtung beweglich ist;
mehreren auf den Streifen ausgebildeten piezoelek trischen Elementen zum Bewegen der entsprechenden Streifen in die vertikale Richtung; und
einer Multiplexschaltung zum Auswählen einer Grup pe der Mikrokontaktstifte, um Signale zwischen einem ausgewählten der Halbleiterbausteine und dem Halblei terprüfsystem zu übertragen.
15. Prüfkarte nach Anspruch 14, ferner mit einem ersten Si
liziumsubstrat und einem zweiten Siliziumsubstrat, die
übereinander angeordnet sind, wobei die Streifen auf
dem ersten Siliziumsubstrat ausgebildet sind und das
zweite Siliziumsubstrat Durchgangsöffnungen aufweist,
um Signalwege zwischen den Mikrokontaktstiften und dem
Halbleiterprüfsystem zu bilden.
16. Prüfkarte nach Anspruch 14, ferner mit einem ersten Si
liziumsubstrat, einem zweiten Siliziumsubstrat und ei
nem dritten Siliziumsubstrat, die übereinander angeord
net sind, wobei die Streifen auf dem ersten Silizium
substrat ausgebildet sind und das zweite und das dritte
Siliziumsubstrat Durchgangsöffnungen aufweisen, um
Signalwege zwischen den Mikrokontaktstiften und dem
Halbleiterprüfsystem zu bilden.
17. Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14 bis 16, ferner
mit einer Treiberschaltung zum Ansteuern der piezoelek
trischen Elemente, wobei die Treiberschaltung und die
Multiplexschaltung auf dem dritten Siliziumsubstrat
ausgebildet sind.
18. Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei je
der der Streifen aus Silizium besteht, auf dessen Ober
fläche eine leitfähige dünne Schicht ausgebildet ist,
und jeder der Mikrokontaktstifte pyramidenförmig ist.
19. Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei je
des der piezoelektrischen Elemente eine auf einer obe
ren Fläche des Streifens angeordnete Zweielementkri
stallplatte ist.
20. Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei je
des der piezoelektrischen Elemente aus zwei Zweiele
mentkristallplatten gebildet wird, die auf einer oberen
Fläche bzw. einer unteren Fläche des Streifens angeord
net sind.
21. Verfahren zum Herstellen einer Kontaktstruktur mit den
Schritten:
Ausbilden einer Maske auf einem Siliziumsubstrat;
Ausbilden eines Streifens auf dem Siliziumsubstrat durch einen Trockenätzprozeß, wobei der Streifen einen rechteckigen Vorsprung an seinem Ende aufweist;
Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht auf einer Oberfläche des Streifens durch ein Sputterverfah ren;
Bearbeiten des rechteckigen Vorsprungs durch ein anisotropes Naßätzverfahren, um einen pyramidenförmigen Kontaktstift herzustellen;
Pressen des Streifens in ein Isoliermaterial;
Vermindern der Dicke des Streifens durch ein Ver fahren zum Vermindern der Scheibendicke;
Ausbilden eines piezoelektrischen Elements auf dem Streifen durch ein Sputterverfahren;
Anordnen eines zweiten Siliziumsubstrats mit einer Opferschicht aus einem Siliziummaterial auf einer Rück seite des Streifens;
Entfernen der Opferschicht, um eine Vertiefung zu bilden, um eine Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Streifens zu ermöglichen.
Ausbilden einer Maske auf einem Siliziumsubstrat;
Ausbilden eines Streifens auf dem Siliziumsubstrat durch einen Trockenätzprozeß, wobei der Streifen einen rechteckigen Vorsprung an seinem Ende aufweist;
Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht auf einer Oberfläche des Streifens durch ein Sputterverfah ren;
Bearbeiten des rechteckigen Vorsprungs durch ein anisotropes Naßätzverfahren, um einen pyramidenförmigen Kontaktstift herzustellen;
Pressen des Streifens in ein Isoliermaterial;
Vermindern der Dicke des Streifens durch ein Ver fahren zum Vermindern der Scheibendicke;
Ausbilden eines piezoelektrischen Elements auf dem Streifen durch ein Sputterverfahren;
Anordnen eines zweiten Siliziumsubstrats mit einer Opferschicht aus einem Siliziummaterial auf einer Rück seite des Streifens;
Entfernen der Opferschicht, um eine Vertiefung zu bilden, um eine Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Streifens zu ermöglichen.
22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei im zweiten Silizium
substrat Durchgangsöffnungen ausgebildet werden, um
Signalwege zwischen dem Kontaktstift und einem Halblei
terprüfsystem zu bilden.
23. Verfahren zum Herstellen einer Kontaktstruktur mit den
Schritten:
Ausbilden einer Maske auf einem Siliziumsubstrat;
Ausbilden eines Streifens auf dem Siliziumsubstrat durch ein Trockenätzverfahren, wobei der Streifen einen rechteckigen Vorsprung an seinem Ende aufweist;
Bearbeiten des rechteckigen Vorsprungs durch ein anisotropes Naßätzverfahren, um einen pyramidenförmigen Kontaktstift herzustellen;
Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht auf einer Oberfläche des Streifens durch ein Sputterverfah ren;
Pressen des Streifens in ein Isoliermaterial;
Vermindern der Dicke des Streifens durch ein Ver fahren zum Vermindern der Scheibendicke;
Ausbilden eines piezoelektrischen Elements auf dem Streifen durch ein Sputterverfahren;
Anordnen eines zweiten Siliziumsubstrats mit einer Opferschicht aus einem Siliziummaterial auf einer Rück seite des Streifens;
Anordnen eines dritten Siliziumsubstrats mit einer Multiplexschaltung auf dem zweiten Siliziumsubstrat; und
Entfernen der Opferschicht, um eine Vertiefung zu bilden, um eine Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Streifens zu ermöglichen.
Ausbilden einer Maske auf einem Siliziumsubstrat;
Ausbilden eines Streifens auf dem Siliziumsubstrat durch ein Trockenätzverfahren, wobei der Streifen einen rechteckigen Vorsprung an seinem Ende aufweist;
Bearbeiten des rechteckigen Vorsprungs durch ein anisotropes Naßätzverfahren, um einen pyramidenförmigen Kontaktstift herzustellen;
Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht auf einer Oberfläche des Streifens durch ein Sputterverfah ren;
Pressen des Streifens in ein Isoliermaterial;
Vermindern der Dicke des Streifens durch ein Ver fahren zum Vermindern der Scheibendicke;
Ausbilden eines piezoelektrischen Elements auf dem Streifen durch ein Sputterverfahren;
Anordnen eines zweiten Siliziumsubstrats mit einer Opferschicht aus einem Siliziummaterial auf einer Rück seite des Streifens;
Anordnen eines dritten Siliziumsubstrats mit einer Multiplexschaltung auf dem zweiten Siliziumsubstrat; und
Entfernen der Opferschicht, um eine Vertiefung zu bilden, um eine Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Streifens zu ermöglichen.
24. Verfahren nach Anspruch 23, wobei Durchgangsöffnungen
im zweiten Siliziumsubstrat und im dritten Silizium
substrat ausgebildet werden, um Signalwege zwischen dem
Kontaktstift und einem Halbleiterprüfsystem zu bilden.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-328307 | 1995-11-22 | ||
JP32830795A JP3838381B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | プローブカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19648475A1 true DE19648475A1 (de) | 1997-06-05 |
DE19648475B4 DE19648475B4 (de) | 2007-02-01 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19648475A Expired - Fee Related DE19648475B4 (de) | 1995-11-22 | 1996-11-22 | Kontaktstruktur, Prüfkarten und Herstellungsverfahren |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6072190A (de) |
JP (1) | JP3838381B2 (de) |
KR (1) | KR970030587A (de) |
DE (1) | DE19648475B4 (de) |
TW (1) | TW310369B (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000003252A2 (en) * | 1998-07-08 | 2000-01-20 | Capres Aps | Multi-point probe |
EP0974845A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-26 | Christian Leth Petersen | Vorrichtung zum Testen elektrischer Eigenschaften mittels eines Mehrspitzenfühlers |
WO2000045182A1 (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Kinetic Probe, Llc | Deflection device |
EP1098200A2 (de) * | 1999-11-03 | 2001-05-09 | Infineon Technologies AG | Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte |
DE10043731A1 (de) * | 2000-09-05 | 2002-03-21 | Infineon Technologies Ag | Meßsonde zum Erfassen von elektrischen Signalen in einer integrierten Halbleiterschaltung |
US7304486B2 (en) | 1998-07-08 | 2007-12-04 | Capres A/S | Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe |
Families Citing this family (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6482013B2 (en) | 1993-11-16 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements |
US7073254B2 (en) * | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
US6741085B1 (en) * | 1993-11-16 | 2004-05-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US6525555B1 (en) | 1993-11-16 | 2003-02-25 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US7064566B2 (en) * | 1993-11-16 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit |
US20020053734A1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
US6232789B1 (en) * | 1997-05-28 | 2001-05-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probe holder for low current measurements |
US20100065963A1 (en) | 1995-05-26 | 2010-03-18 | Formfactor, Inc. | Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out |
US5729150A (en) * | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
US8033838B2 (en) * | 1996-02-21 | 2011-10-11 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
US5914613A (en) * | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
US6690185B1 (en) | 1997-01-15 | 2004-02-10 | Formfactor, Inc. | Large contactor with multiple, aligned contactor units |
US7063541B2 (en) | 1997-03-17 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Composite microelectronic spring structure and method for making same |
JPH1123615A (ja) * | 1997-05-09 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | 接続装置および検査システム |
US6034533A (en) * | 1997-06-10 | 2000-03-07 | Tervo; Paul A. | Low-current pogo probe card |
JP4006081B2 (ja) | 1998-03-19 | 2007-11-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
US6256882B1 (en) * | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
USRE41515E1 (en) | 1998-08-12 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Contactor and production method for contactor |
WO2000016107A1 (fr) * | 1998-09-16 | 2000-03-23 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un substrat d'inspection d'un dispositif a semi-conducteurs |
US6414501B2 (en) | 1998-10-01 | 2002-07-02 | Amst Co., Ltd. | Micro cantilever style contact pin structure for wafer probing |
US6504223B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-01-07 | Advantest Corp. | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
US6491968B1 (en) | 1998-12-02 | 2002-12-10 | Formfactor, Inc. | Methods for making spring interconnect structures |
US6255126B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-07-03 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
KR100841127B1 (ko) * | 1998-12-02 | 2008-06-24 | 폼팩터, 인크. | 리소그래피 접촉 소자 |
US6672875B1 (en) | 1998-12-02 | 2004-01-06 | Formfactor, Inc. | Spring interconnect structures |
US6268015B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-07-31 | Formfactor | Method of making and using lithographic contact springs |
US6255124B1 (en) * | 1999-02-08 | 2001-07-03 | Advanced Micro Devices | Test arrangement and method for thinned flip chip IC |
US6578264B1 (en) * | 1999-06-04 | 2003-06-17 | Cascade Microtech, Inc. | Method for constructing a membrane probe using a depression |
US7215131B1 (en) | 1999-06-07 | 2007-05-08 | Formfactor, Inc. | Segmented contactor |
US7189077B1 (en) | 1999-07-30 | 2007-03-13 | Formfactor, Inc. | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours |
US6888362B2 (en) * | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts |
US6713374B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-03-30 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods |
US6939474B2 (en) * | 1999-07-30 | 2005-09-06 | Formfactor, Inc. | Method for forming microelectronic spring structures on a substrate |
US7435108B1 (en) * | 1999-07-30 | 2008-10-14 | Formfactor, Inc. | Variable width resilient conductive contact structures |
US6780001B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
US6468098B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
US6361327B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-03-26 | Fci Americas Technology, Inc. | Micromachined silicon beam interconnect |
US6838890B2 (en) * | 2000-02-25 | 2005-01-04 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7262611B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
JP2001356136A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Advantest Corp | 集積化マイクロコンタクトピン及びその製造方法 |
US6343940B1 (en) * | 2000-06-19 | 2002-02-05 | Advantest Corp | Contact structure and assembly mechanism thereof |
US6455352B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-09-24 | The University Of Chicago | Pin array assembly and method of manufacture |
JP2002110751A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の検査装置および製造方法 |
US6828810B2 (en) | 2000-10-03 | 2004-12-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device testing apparatus and method for manufacturing the same |
JP4527267B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクタの製造方法 |
DE10143173A1 (de) * | 2000-12-04 | 2002-06-06 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
US7396236B2 (en) | 2001-03-16 | 2008-07-08 | Formfactor, Inc. | Wafer level interposer |
US6910268B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-06-28 | Formfactor, Inc. | Method for fabricating an IC interconnect system including an in-street integrated circuit wafer via |
US6811406B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-11-02 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring with additional protruding member |
JP2004534957A (ja) * | 2001-07-11 | 2004-11-18 | フォームファクター,インコーポレイテッド | プローブ・カードの製造方法 |
US6729019B2 (en) * | 2001-07-11 | 2004-05-04 | Formfactor, Inc. | Method of manufacturing a probe card |
AU2002327490A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-30 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US6759311B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-07-06 | Formfactor, Inc. | Fan out of interconnect elements attached to semiconductor wafer |
US6930497B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-08-16 | Chung Shan Institute Of Science And Technology Armaments Bureau, M.N.D. | Flexible multi-layered probe for measuring a signal from an object |
JP2003215161A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-30 | Tokyo Electron Ltd | プローブ、プローブの製造方法、プローブの取付方法、プローブの取付装置及びプローブカード |
TW565529B (en) * | 2002-01-24 | 2003-12-11 | Scs Hightech Inc | Probe card and method for testing the proceed function or speed of electronic devices |
KR100475468B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2005-03-11 | 주식회사 파이컴 | 전자소자 검사용 전기적 접촉체 |
US6632691B1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-14 | Solid State Measurements, Inc. | Apparatus and method for determining doping concentration of a semiconductor wafer |
US6842029B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-01-11 | Solid State Measurements, Inc. | Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers |
US6815963B2 (en) * | 2002-05-23 | 2004-11-09 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for testing a device under test |
US6724205B1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-04-20 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for combined signals |
US6835589B2 (en) * | 2002-11-14 | 2004-12-28 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional integrated CMOS-MEMS device and process for making the same |
US7122760B2 (en) * | 2002-11-25 | 2006-10-17 | Formfactor, Inc. | Using electric discharge machining to manufacture probes |
KR100595373B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2006-07-03 | 주식회사 유니테스트 | 브릿지 형태의 프로브 카드 및 그 제조 방법 |
US6945827B2 (en) * | 2002-12-23 | 2005-09-20 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
KR100523745B1 (ko) * | 2003-03-24 | 2005-10-25 | 주식회사 유니테스트 | 전자소자 검사용 마이크로 프로브 및 그 제조 방법 |
US7057404B2 (en) * | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
DE10334935B3 (de) * | 2003-07-31 | 2004-12-23 | Harting Electric Gmbh & Co. Kg | Anschlusseinrichtung für ein Solarstrommodul |
US6924655B2 (en) * | 2003-09-03 | 2005-08-02 | Micron Technology, Inc. | Probe card for use with microelectronic components, and methods for making same |
US7619429B2 (en) * | 2003-10-20 | 2009-11-17 | Industrial Technology Research Institute | Integrated probe module for LCD panel light inspection |
JP2005156365A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電気特性測定用プローブ及びその製造方法 |
US7276787B2 (en) * | 2003-12-05 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | Silicon chip carrier with conductive through-vias and method for fabricating same |
KR20060126700A (ko) * | 2003-12-24 | 2006-12-08 | 캐스케이드 마이크로테크 인코포레이티드 | 능동 웨이퍼 프로브 |
TWI266057B (en) * | 2004-02-05 | 2006-11-11 | Ind Tech Res Inst | Integrated probe card and the packaging method |
JP4980903B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2012-07-18 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 膜懸垂プローブを具えるプローブヘッド |
US7420381B2 (en) * | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
EP1807724A2 (de) * | 2004-11-02 | 2007-07-18 | Umech Technologies Co. | Optisch erweitertes digitales bildgebungssystem |
US7279919B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-10-09 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Systems and methods of allocating device testing resources to sites of a probe card |
US7656172B2 (en) * | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7535247B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
CN100446355C (zh) * | 2005-02-03 | 2008-12-24 | 旺矽科技股份有限公司 | 微接触元件 |
CN1821788B (zh) * | 2005-02-16 | 2010-05-26 | 旺矽科技股份有限公司 | 嵌入式微接触元件及其制造方法 |
US7449899B2 (en) * | 2005-06-08 | 2008-11-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for high frequency signals |
JP5080459B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2012-11-21 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 広帯域能動/受動差動信号プローブ |
JPWO2007017956A1 (ja) * | 2005-08-09 | 2009-02-19 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブ組立体 |
US7355422B2 (en) * | 2005-09-17 | 2008-04-08 | Touchdown Technologies, Inc. | Optically enhanced probe alignment |
JP4800007B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法およびプローブカード |
US7723999B2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7443186B2 (en) * | 2006-06-12 | 2008-10-28 | Cascade Microtech, Inc. | On-wafer test structures for differential signals |
US7764072B2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
KR100748023B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-08-09 | 주식회사 유니테스트 | 프로브 카드의 프로브 구조물 제조 방법 |
KR100697785B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-03-20 | 주식회사 유니테스트 | 웨이퍼 접합 기술을 이용한 프로브 구조물 제조 방법 |
JP5147227B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2013-02-20 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置の使用方法 |
US7876114B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7888955B2 (en) | 2007-09-25 | 2011-02-15 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled resources |
US7977959B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-07-12 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches |
JP5069542B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2012-11-07 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブカード |
US20090224793A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Formfactor, Inc. | Method And Apparatus For Designing A Custom Test System |
US8122309B2 (en) * | 2008-03-11 | 2012-02-21 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for processing failures during semiconductor device testing |
US8095841B2 (en) | 2008-08-19 | 2012-01-10 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing semiconductor devices with autonomous expected value generation |
US7944225B2 (en) * | 2008-09-26 | 2011-05-17 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for providing a tester integrated circuit for testing a semiconductor device under test |
US7888957B2 (en) * | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
WO2010059247A2 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
JP5530191B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2014-06-25 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的試験用プローブ及びその製造方法、並びに電気的接続装置及びその製造方法 |
US8343327B2 (en) * | 2010-05-25 | 2013-01-01 | Reel Solar, Inc. | Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells |
US9960312B2 (en) | 2010-05-25 | 2018-05-01 | Kurt H. Weiner | Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells |
US9038269B2 (en) * | 2013-04-02 | 2015-05-26 | Xerox Corporation | Printhead with nanotips for nanoscale printing and manufacturing |
TWI805621B (zh) * | 2017-09-25 | 2023-06-21 | 美商瓊斯科技國際公司 | 用於積體電路測試之具有測試接腳及殼體的高隔離接觸器 |
US11137418B2 (en) | 2019-03-04 | 2021-10-05 | International Business Machines Corporation | Device test pad probe card structure with individual probe manipulation capability |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4811246A (en) * | 1986-03-10 | 1989-03-07 | Fitzgerald Jr William M | Micropositionable piezoelectric contactor |
US4994735A (en) * | 1988-05-16 | 1991-02-19 | Leedy Glenn J | Flexible tester surface for testing integrated circuits |
US5034645A (en) * | 1989-01-13 | 1991-07-23 | Digital Equipment Corporation | Micro-beam tactile sensor for the measurement of vertical position displacement |
JP3140223B2 (ja) * | 1992-11-11 | 2001-03-05 | キヤノン株式会社 | マイクロアクチュエータおよびその作製方法 |
JP2895694B2 (ja) * | 1992-12-08 | 1999-05-24 | シャープ株式会社 | 情報記録・再生用スライダー、情報記録・再生用スライダーの製造方法および情報記録・再生装置 |
US5475318A (en) * | 1993-10-29 | 1995-12-12 | Robert B. Marcus | Microprobe |
US5536963A (en) * | 1994-05-11 | 1996-07-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Microdevice with ferroelectric for sensing or applying a force |
JP3611637B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2005-01-19 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 回路部材の電気接続構造 |
US5994152A (en) * | 1996-02-21 | 1999-11-30 | Formfactor, Inc. | Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP32830795A patent/JP3838381B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-18 US US08/751,851 patent/US6072190A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-19 TW TW085114193A patent/TW310369B/zh active
- 1996-11-19 KR KR1019960055251A patent/KR970030587A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-11-22 DE DE19648475A patent/DE19648475B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-29 US US09/538,117 patent/US6174744B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000003252A2 (en) * | 1998-07-08 | 2000-01-20 | Capres Aps | Multi-point probe |
EP0974845A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-26 | Christian Leth Petersen | Vorrichtung zum Testen elektrischer Eigenschaften mittels eines Mehrspitzenfühlers |
WO2000003252A3 (en) * | 1998-07-08 | 2000-04-13 | Capres Aps | Multi-point probe |
US7304486B2 (en) | 1998-07-08 | 2007-12-04 | Capres A/S | Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe |
US7323890B2 (en) | 1998-07-08 | 2008-01-29 | Capres Aps | Multi-point probe |
WO2000045182A1 (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-03 | Kinetic Probe, Llc | Deflection device |
EP1098200A2 (de) * | 1999-11-03 | 2001-05-09 | Infineon Technologies AG | Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte |
EP1098200A3 (de) * | 1999-11-03 | 2003-08-13 | Infineon Technologies AG | Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte |
DE10043731A1 (de) * | 2000-09-05 | 2002-03-21 | Infineon Technologies Ag | Meßsonde zum Erfassen von elektrischen Signalen in einer integrierten Halbleiterschaltung |
DE10043731C2 (de) * | 2000-09-05 | 2003-06-26 | Infineon Technologies Ag | Meßsonde, deren Verwendung und Herstellung und Meßsystem zum Erfassen von elektrischen Signalen in einer integrierten Halbleiterschaltung |
US6614243B2 (en) | 2000-09-05 | 2003-09-02 | Infineon Technologies Ag | Measurement probe for detecting electrical signals in an integrated semiconductor circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19648475B4 (de) | 2007-02-01 |
KR970030587A (ko) | 1997-06-26 |
TW310369B (de) | 1997-07-11 |
JPH09148389A (ja) | 1997-06-06 |
JP3838381B2 (ja) | 2006-10-25 |
US6072190A (en) | 2000-06-06 |
US6174744B1 (en) | 2001-01-16 |
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