DE10020713A1 - Anschlußstruktur - Google Patents
AnschlußstrukturInfo
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anschlußstruktur zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem Zielkontakt, welche mit Hilfe einer Mikrostruktur-Herstellungstechnik durch Herstellung eines Anschlußelements auf einer ebenen Oberfläche eines Substrats erzeugt wird. Das Anschlußelement enthält einen auf dem Substrat ausgebildeten vertikalen Bereich, einen mit einem Ende auf dem Grundbereich angeordneten horizontalen Bereich und einen auf einem anderen Ende des horizontalen Bereichs vertikal ausgebildeten Anschlußbereich. Der horizontale Bereich des Anschlußelements liefert eine Kontaktkraft, wenn das Anschlußelement gegen den Zielkontakt gepreßt wird. Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt die Anschlußstruktur eine Vertiefung, die einen Freiraum für das Anschlußelement bietet, wenn das Anschlußelement gegen den Zielkontakt gepreßt wird.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Anschlußstrukturen
zur Herstellung einer elektrischen Verbindung mit
Zielkontakten, wie etwa Anschlußflecken oder Leitungen
von elektronischen Schaltungen oder Bauteilen, und ins
besondere Anschlußstrukturen, die beispielsweise in ei
ner Nadelkarte Verwendung finden können, um Halbleiter
scheiben, Halbleiterchips, ummantelte Halbleiterbau
teile oder gedruckte Leiterplatten usw. mit vergrößer
ter Frequenzbandbreite, größerem Pinabstand und einer
erhöhten Anschlußleistung und Verläßlichkeit zu prüfen.
Zum Prüfen von sehr dicht montierten elektrischen
Hochgeschwindigkeitsbauteilen, wie etwa hochintegrier
ten und höchstintegrierten Schaltungen, werden ausge
sprochen leistungsfähige Anschlußstrukturen, wie etwa
Prükontaktelemente bzw. Testkontaktelemente, benötigt.
Der Einsatz der erfindungsgemäßen Anschlußstruktur ist
allerdings nicht auf das Prüfen und Voraltern von
Halbleiterscheiben und Chips beschränkt, sondern
schließt auch das Prüfen sowie Voraltern von ummantel
ten Halbleiterelementen, gedruckten Leiterplatten etc.
mit ein. Darüber hinaus können die Anschlußstrukturen
gemäß der vorliegenden Erfindung auch für weniger spe
zifischen Anwendungszwecke, wie etwa für Leitungen in
tegrierter Schaltungen, bei der Ummantelung integrier
ter Schaltungsbauteile und für andere elektrische Ver
bindungen eingesetzt werden. Zum besseren Verständnis
wird die vorliegende Erfindung jedoch hauptsächlich un
ter Bezugnahme auf das Prüfen von Halbleiterscheiben
erläutert.
Wenn zu prüfende Halbleiterbauteile in Form einer Halb
leiterscheibe vorliegen, wird ein Halbleiterprüfsystem,
beispielsweise ein Prüfgerät für integrierte Schaltun
gen, zum automatischen Prüfen der Halbleiterscheibe üb
licherweise mit einer Substrathaltevorrichtung, etwa
einer automatischen Scheibenprüfeinrichtung, verbunden.
Ein Beispiel hierfür ist in Fig. 1 dargestellt, wobei
ein Halbleiterprüfsystem einen Prüfkopf 100 umfaßt, der
sich herkömmlicherweise in einem gesonderten Gehäuse
befindet und über ein Bündel von Kabeln 110 elektrisch
mit dem Prüfsystem verbunden ist. Der Prüfkopf 100 und
eine Substrathaltevorrichtung 400 sind mechanisch und
elektrisch über eine Bedieneinrichtung 500 und einen
Antriebsmotor 510 miteinander verbunden.
Die zu prüfenden Halbleiterscheiben werden durch die
Substrathaltevorrichtung automatisch in eine Prüfposi
tion des Prüfkopfs bewegt.
Am Prüfkopf 100 werden der zu prüfenden Halbleiter
scheibe vom Halbleiterprüfsystem erzeugte Prüfsignale
zugeleitet. Die von der zu prüfenden Halbleiterscheibe
(bzw. den auf der Halbleiterscheibe ausgebildeten inte
grierten Schaltungen) kommenden resultierenden Aus
gangssignale werden dem Halbleiterprüfsystem zugeführt,
wo sie mit SOLL-Werten verglichen werden, um festzu
stellen, ob die auf der Halbleiterscheibe angeordneten
integrierten Schaltungen einwandfrei funktionieren.
Der Prüfkopf 1 und die Substrathaltevorrichtung 400
sind durch ein Schnittstellenelement 140 verbunden, das
aus einem Performance-Board 120 in Form einer gedruck
ten Leiterplatte besteht, welche der typischen elektri
schen Ausführung des Prüfkopfs entsprechende elektri
sche Schaltverbindungen sowie Koaxialkabel, Pogo-Pins
und Anschlußelemente aufweist, wie sich dies Fig. 1 ent
nehmen läßt. Der Prüfkopf 100 umfaßt eine große Anzahl
von gedruckten Leiterplatten 150, die der Anzahl der
Prüfkanäle (Anschlußstifte) des Halbleiterprüfsystems
entspricht, wie dies in Fig. 2 dargestellt ist. Jede ge
druckte Leiterplatte weist ein Anschlußelement 160 auf,
das einen entsprechenden Kontaktanschluß 121 des Per
formance-Boards 120 aufnimmt. Zur exakten Festlegung
der Kontaktposition gegenüber der Substrathaltevorrich
tung 400 ist am Performance-Board 120 ein "Frog"-Ring
130 angebracht. Der Frog-Ring 130 weist eine große An
zahl von Kontaktstiften 141, beispielsweise ZIF-An
schlußelemente oder Pogo-Pins auf, die über Koaxialka
bel 124 mit den Kontaktanschlüssen 121 verbunden sind.
Wie sich Fig. 2 entnehmen läßt, wird der Prüfkopf 100
über der Substrathaltevorrichtung 400 ausgerichtet und
über das Schnittstellenelement 140 mechanisch und elek
trisch mit der Substrathaltevorrichtung verbunden. In
der Substrathaltevorrichtung 400 ist eine zu prüfende
Halbleiterscheibe 300 durch eine Einspannvorrichtung
180 gehaltert. Oberhalb der zu prüfenden Halbleiter
scheibe 300 befindet sich bei diesem Beispiel eine
Nadelkarte 170. Die Nadelkarte 170 umfaßt eine große
Anzahl von Prüfanschlußelementen (beispielsweise Vor
sprünge oder Nadeln) 190, die mit Zielkontakten, wie
etwa Schaltanschlüssen oder Anschlußflecken der inte
grierten Schaltung der zu prüfenden Halbleiterscheibe
300 in Kontakt kommen.
Elektrische Anschlüsse bzw. Kontaktbuchsen der Nadel
karte 170 werden elektrisch mit den auf dem Frog-Ring
130 befindlichen Kontaktstiften 141 verbunden. Die Kon
taktstifte 141 werden zudem durch Koaxialkabel 124 mit
den Kontaktanschlüssen 121 des Performance-Board 120
verbunden, wobei jeder Kontaktanschluß 121 wiederum mit
der gedruckten Leiterplatte 150 des Prüfkopfes 100 ver
bunden ist. Außerdem sind die gedruckten Leiterplatten
150 durch das mehrere hundert Innenkabel umfassende Ka
bel 110 mit dem Halbleiterprüfsystem verbunden.
Bei dieser Anordnung kommen die Prüfanschlußelemente
190 in Kontakt mit der Oberfläche (den Zielkontakten)
der auf der Einspannvorrichtung 180 angeordneten Halb
leiterscheibe 300, wobei sie Prüfsignale an die Halb
leiterscheibe 300 weiterleiten und die resultierenden
Ausgangssignale von der zu Scheibe 300 empfangen. Die
resultierenden Ausgangssignale vom Halbleiterscheiben
prüfling 300 werden mit den vom Halbleiterpüfsystem er
zeugten SOLL-Werten verglichen, um zu bestimmen, ob die
integrierten Schaltungen auf der Halbleiterscheibe 300
einwandfrei arbeitet.
Fig. 3 zeigt eine Unteransicht der Nadelkarte 170 gemäß
Fig. 2. Bei diesem Beispiel weist die Nadelkarte 170
einen Epoxidring auf, auf dem eine Vielzahl von als Na
deln bzw. Vorsprünge bezeichneten Prüfanschlußelementen
190 gehaltert ist. Wenn die die Halbleiterscheibe 300
halternde Einspannvorrichtung 180 in der Anordnung ge
mäß Fig. 2 nach oben bewegt wird, so kommen die Spitzen
der Vorsprünge 190 in Kontakt mit den Anschlußflecken
bzw. Wölbungen (Zielkontakten) auf der Scheibe 300. Die
Enden der Vorsprünge 190 sind mit Drähten 194 verbun
den, die wiederum mit in der Nadelkarte 170 ausgebilde
ten (nicht dargestellten) Übertragungsleitungen verbun
den sind. Die Übertragungsleitungen sind an eine Viel
zahl von Elektroden 197 angeschlossen, die zudem mit
den in Fig. 2 dargestellten Pogo-Pins 141 in Kontakt
stehen.
Üblicherweise besteht die Nadelkarte 170 aus mehreren
Polyimid-Substrat-Schichten und weist in vielen Schich
ten Masseebenen, Netzebenen und Signalübertragungslei
tungen auf. Durch Herstellung eines Gleichgewichts zwi
schen den einzelnen Parametern, d. h. der dielektrischen
Konstanten und der magnetischen Permeabilität des
Polyimids sowie den Induktanzen und den Kapazitäten der
Signalpfade, ist jede Signalübertragungsleitung der Na
delkarte 170 in bereits bekannter Weise so gestaltet,
daß sie eine charakteristische Impedanz von beispiels
weise 50 Ohm aufweist. Somit handelt es sich bei den
Signalleitungen zur Erzielung einer großen
Frequenzübertragungsbandbreite zur Scheibe 300 um Lei
tungen mit angepaßter Impedanz, die sowohl im Dauerbe
trieb als auch bei aufgrund einer Veränderung der Aus
gangsleistung des Bauteils auftretenden hohen Strom
spitzen Strom leiten. Zur Geräuschunterdrückung sind
auf der Nadelkarte zwischen den Netz- und den Masseebe
nen Kondensatoren 193 und 195 vorgesehen.
Zum besseren Verständnis der beschränkten Bandbreite
bei der herkömmlichen Nadelkartentechnik ist in Fig. 4
eine Schaltung dargestellt, die derjenigen der Nadel
karte 170 entspricht. Wie sich den Fig. 4A und 4B ent
nehmen läßt, verläuft die Signalübertragungsleitung auf
der Nadelkarte 170 von der Elektrode 197 über den
Streifenleiter (in der Impedanz angepaßte Leitung) 196
zum Draht 194 und weiter zur Nadel bzw. dem Vorsprung
(Anschlußstruktur) 190. Da der Draht 194 und die Nadel
190 in ihrer Impedanz nicht angepaßt sind, wirken diese
Bereiche, wie in Fig. 4C dargestellt, als Spule L im
Hochfrequenzband. Aufgrund der Gesamtlänge des Drahtes
194 und der Nadel 190 von etwa 20 bis 30 mm, kommt es
aufgrund der Spule beim Prüfen der Hochfrequenzleistung
eines zu prüfenden Bauteils zu einer erheblichen Fre
quenzeinschränkung.
Andere Faktoren, die eine Einschränkung der Frequenz
bandbreite der Nadelkarte 170 hervorrufen, gehen auf
die in den Fig. 4D und 4E gezeigten Netz- und Massena
deln zurück. Wenn über die Netzleitung eine ausreichend
große Spannung an das zu prüfende Bauteil angelegt wer
den kann, so wird hierbei die Betriebsbandbreite beim
Prüfen des Bauteils nicht wesentlich eingeschränkt. Da
jedoch der mit der Nadel 190 in Reihe geschalteten
Draht 194 zur Stromzuführung (siehe Fig. 4D) und der mit
der Nadel 190 in Reihe geschaltete Draht 194 zur Erdung
der Spannung und der Signale (Fig. 4E) als Spulen wir
ken, kommt es zu einer erheblichen Einschränkung des
Hochgeschwindigkeits-Stromflusses.
Darüber hinaus sind die Kondensatoren 193 und 195 zwi
schen der Netzleitung und der Masseleitung angeordnet,
um durch Herausfiltern von Geräuschen bzw. Impulsstößen
in den Netzleitungen eine einwandfreie Leistung des zu
testenden Bauteils sicherzustellen. Die Kondensatoren
193 weisen einen relativ hohen Wert von beispielsweise
10 µF auf und können, falls nötig, von den Netz
leitungen durch Schalter getrennt werden. Die Kondensa
toren 195 besitzen hingegen einen relativ kleinen
Kapazitätswert von beispielsweise 0,01 µF und sind nahe
des zu prüfenden Bauteils fest angeschlossen. Diese
Kondensatoren wirken als Hochfrequenz-Entkoppler an den
Netzleitungen. Anders ausgedrückt, begrenzen die Kon
densatoren die Hochfrequenzleistung des Prüfanschluße
lements.
Dementsprechend sind die genannten, am häufigsten ver
wendeten Prüfanschlußelemente auf eine Frequenzband
breite von etwa 200 MHz beschränkt, was zum Prüfen der
heute üblichen Halbleiterbauelemente nicht ausreicht.
Es wird in Fachkreisen davon ausgegangen, daß schon
bald eine Frequenzbandbreite benötigt wird, die der
Leistungsfähigkeit des Prüfgeräts entspricht, welche
derzeit im Bereich von wenigstens 1 GHz liegt. Außerdem
besteht in der Industrie ein Bedarf nach Nadelkarten,
die in der Lage sind, eine große Anzahl - d. h. etwa 32
oder mehr - von Halbleiterbauteilen, und dabei insbe
sondere Speicherelementen, parallel zu prüfen, um so
die Prüfkapazität zu erhöhen.
Bei der herkömmlichen Technologie werden Nadelkarten
und die Prüfanschlußelemente, wie sie in Fig. 3 darge
stellt sind, von Hand hergestellt, was dazu führt, daß
ihre Qualität unterschiedlich ausfällt. Eine derartig
wechselnde Qualität schließt Abweichungen in der Größe,
der Frequenzbandbreite, der Kontaktkraft und dem Wider
stand etc. mit ein. Bei herkömmlichen Prüfanschlußele
menten besteht ein weiterer zu einer unzuverlässigen
Kontaktleistung führender Faktor darin, daß die
Prüfanschlußelemente und die zu prüfende Halbleiter
scheibe bei Temperaturänderungen ein unterschiedliches
Wärmeausdehnungsverhältnis aufweisen. Bei einer Tempe
raturänderung können sich, somit ihre gemeinsamen Kon
taktstellen verändern, was sich negativ auf die Kon
taktkraft, den Kontaktwiderstand und die Bandbreite
auswirkt.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
Anschlußstrukturen zur Herstellung einer elektrischen
Verbindung mit einem Zielkontakt zu beschreiben, die
eine große Frequenzbandbreite und Pinzahl sowie eine
hohe Anschlußleistung und Zuverlässigkeit bietet.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht
darin, eine Anschlußstruktur, etwa in Form eines Prüf
anschlußelements, vorzusehen, die beispielsweise beim
Prüfen von Halbleiterbauteilen etc. zur Herstellung ei
ner elektrischen Verbindung mit hoher Fequenzbandbreite
dient und so die in der moderenen Halbleitertechnik
auftretenden Prüfanforderungen erfüllt.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht
darin, Anschlußstrukturen zu beschreiben, die bei
spielsweise beim Prüfen von Halbleiterbauteilen zur
Herstellung elektrischer Verbindungen eingesetzt werden
können und zum gleichzeitigen parallelen Prüfen einer
großen Anzahl von Halbleiterbauteilen geeignet sind.
Darüber hinaus besteht eine Aufgabe der vorliegenden
Erfindung darin, Anschlußstrukturen zur Herstellung
elektrischer Verbindungen zum Prüfen von Halbleiterbau
teilen zu beschreiben, die in einem Halb
leiterherstellungsverfahren ohne manuelle Montage oder
Bearbeitung erzeugt werden und dadurch eine gleichblei
bende Qualität aufweisen.
Außerdem liegt der vorliegenden Erfindung auch die Auf
gabe zugrunde, Anschlußstrukturen zur Herstellung elek
trischer Verbindungen beim Prüfen von Halbleiterschei
ben zu beschreiben, die mit Hilfe eines Mikrobearbei
tungsverfahrens hergestellt werden.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht auch
darin, Anschlußstrukturen zu beschreiben, die auf einer
Nadelkarte zum Prüfen von Halbleiterscheiben montiert
werden und in der Lage sind, den Wärmeausdehnungskoef
fizienten einer zu prüfenden Halbleiterscheibe zu kom
pensieren.
Gemäß der vorliegenden Erfindung besteht eine Anschluß
struktur zur Herstellung einer elektrischen Verbindung
mit einem Zielkontakt aus einem Substrat mit einer ebe
nen Oberfläche, auf der mit Hilfe eines in der Halblei
tertechnik bereits bekannten Mikrostruktur-Herstel
lungsverfahrens ein Anschlußelement ausgebildet ist.
Beim Substrat der erfindungsgemäßen Anschlußstruktur
handelt es sich um ein Siliziumsubstrat und die An
schlußstruktur enthält zudem ein Anschlußelement, das
auf dem Substrat durch einen Mikrobearbeitungsschritt
hergestellt wurde, wobei das Anschlußelement einen ho
rizontalen Bereich und einen vertikal auf einem Ende
des horizontalen Bereichs ausgebildeten Anschlußbereich
aufweist und wobei der horizontale Bereich des An
schlußelements eine Kontaktkraft erzeugt, wenn das An
schlußelement gegen den Zielkontakt gepreßt wird.
Die Anschlußstruktur umfaßt weiterhin eine auf dem Sub
strat ausgebildete Verbindungsspur, deren eines Ende
mit dem Anschlußelement verbunden ist und deren anderes
Ende zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwi
schen dem Anschlußelement und einem externen Bauteil
dient. Das Anschlußelement besteht aus Metall und wird
durch einen Ablagerungsvorgang auf einem Ablagerungsbe
reich hergestellt, der mit Hilfe von durch ein Mikrobe
arbeitungswerkzeug gelieferter elektrothermischer Ener
gie direkt ausgebildet wurde. Das Anschlußelement ent
hält weiterhin zwischen dem Substrat und dem horizonta
len Bereich einen Grundbereich, der den horizontalen
Bereich und den Anschlußbereich des Anschlußelements
trägt.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung
weist die Anschlußstruktur eine Vertiefung auf. Die An
schlußstruktur enthält dabei ein dielektrisches Sub
strat, das an einer Oberfläche mit einer Vertiefung
(Nut) versehen ist, sowie ein Anschlußelement, das auf
dem Substrat mit Hilfe eines Mikrostruktur-Herstel
lungsvorgangs ausgebildet wurde. Das Anschlußelement
enthält einen horizontalen Bereich mit einem fest ange
brachten und einem freien Ende sowie einen An
schlußbereich, der auf dem freien Ende des horizontalen
Bereichs gehaltert ist. Das fest angebrachte Ende ist
mit dem Substrat verbunden, während das freie Ende über
der Vertiefung des Substrats positioniert ist. Der ho
rizontale Bereich des Anschlußelements erzeugt eine
Kontaktkraft, wenn das Anschlußelement so gegen den
Zielkontakt gepreßt wird, daß das freie Ende des hori
zontalen Bereichs unter Erzeugung einer Kontaktkraft in
die Vertiefung eindringt.
Die erfindungsgemäße Anschlußstruktur weist eine sehr
hohe Frequenzbandbreite auf und erfüllt so die bei der
modernen Halbleitertechnik auftretenden Erfordernisse.
Da die Anschlußstruktur außerdem durch eine in der
Halbleiterherstellung eingesetzte moderne Miniaturisie
rungstechnik erzeugt wird, läßt sich eine große Anzahl
von Anschlußstrukturen auf kleinem Raum ausrichten, was
ein gleichzeitiges Prüfen einer großen Anzahl von Halb
leiterbauteilen ermöglicht. Die erfindungsgemäße An
schlußstruktur kann außerdem auch für weniger spezifi
schen Anwendungszwecke eingesetzt werden, etwa für Lei
tungen integrierter Schaltungen, für die Ummantelung
integrierter Schaltungen und andere elektrische Verbin
dungen.
Da die große Anzahl von gleichzeitig auf dem Substrat
mit Hilfe der Mikrostruktur-Herstellungstechnik erzeug
ten Anschlußstrukturen ohne manuelle Arbeitsschritte
hergestellt wird, ist es möglich, eine gleichbleibende
Qualität und hohe Zuverlässigkeit sowie eine lange Le
bensdauer hinsichtlich der Anschlußstrukturleistung zu
erzielen. Darüber hinaus ist es auch möglich, den Wär
meausdehnungskoeffizienten des Bauteilprüflings zu kom
pensieren, da die Anschlußstrukturen auf demselben Sub
stratmaterial hergestellt werden können, das auch für
den Bauteilprüfling verwendet wird, so daß sich Posi
tionierfehler vermeiden lassen.
Im folgenden wird die vorliegende Erfindung unter Be
zugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher beschrie
ben. In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 eine Schemadarstellung der struk
turellen Beziehung zwischen einer
Substrathaltevorrichtung und einem
mit einem Prüfkopf versehenen
Halbleiterprüfsystem;
Fig. 2 eine detailliertere Schemadarstel
lung eines Beispiels einer Anord
nung zur Verbindung des Prüfkopfs
des Halbleiterprüfsystems mit der
Substrathaltevorrichtung durch ein
Schnittstellenelement;
Fig. 3 eine Unteransicht eines Beispiels
der Nadelkarte mit einem Epoxid
ring zur Halterung einer Vielzahl
von Prüfanschlußelementen (Nadeln
bzw. Vorsprüngen) gemäß dem Stand
der Technik;
Fig. 4A-4E Schaltbilder zur Darstellung von
zur Nadelkarte gemäß Fig. 3 äqui
valenten Schaltungen;
Fig. 5 eine Schemadarstellung von mit
Hilfe eines Mikrostruktur-Herstel
lungsverfahrens erzeugten erfin
dungsgemäßen Anschlußstrukturen;
Fig. 6A bis 6C Schemadiagramme von Beispielen für
den Aufbau der erfindungsgemäßen,
auf einem Substrat ausgebildeten
Anschlußstruktur;
Fig. 7A bis 7P Schemadarstellungen eines Bei
spiels für das Verfahren zur Her
stellung der erfindungsgemäßen An
schlußstruktur;
Fig. 8A und 8B Schemadiagramme zur Darstellung
weiterer Beispiele von auf einem
Substrat ausgebildeten erfindungs
gemäßen Anschlußstrukturen; und
Fig. 9A bis 9J Schemadiagramme zur Darstellung
eines Beispiels für das Herstel
lungsverfahren zur Ausbildung der
in Fig. 8A gezeigten erfindungsge
mäßen Anschlußstruktur.
In den Fig. 5 bis 7 ist ein erstes und in den Fig. 8A und
8B ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemä
ßen Anschlußstruktur gezeigt. Das Verfahren zur Her
stellung des ersten Ausführungsbeispiels einer An
schlußstruktur ist in den Fig. 7A bis 7P und das Verfah
ren zur Herstellung des zweiten Ausführungsbeispiels
einer Anschlußstruktur in den Fig. 9A bis 9J darge
stellt.
Die in Fig. 5 gezeigte Anschlußstruktur gemäß dem ersten
Ausführungsbeispiel weist eine Vielzahl von Anschluße
lementen 230 auf, die auf einem Substrat 220 ausgebil
det sind, bei dem es sich üblicherweise um ein Silizi
umsubstrat handelt; allerdings sind auch Substrate aus
anderen Materialien, wie etwa Glasfaser, Keramik, Alu
minium oder andere dielektrische Materialien denkbar.
Alle Anschlußelemente 230 werden durch dieselben Her
stellungsverfahren auf dem Siliziumsubstrat 220 er
zeugt. Zu diesen Halbleiterherstellungsverfahren gehö
ren u. a. Photolithographieverfahren, Mikrobearbeitungs
verfahren und Formverfahren (Warmprägen).
Wenn die zu prüfende Halbleiterscheiben 300 nach oben
bewegt wird, so kommen die Anschlußelemente 230 mit
entsprechenden Zielkontakten (Elektroden oder Anschluß
flecken) 320 auf der zu prüfenden Scheibe 300 in Kon
takt. Der Abstand zwischen den Anschlußflecken 320 kann
dabei 50 µm oder noch weniger betragen. Die erfindungs
gemäßen Anschlußelemente 230 lassen sich auf einfache
Weise mit demselben Abstand zueinander ausrichten, da
die Anschlußelemente durch dasselbe Halbleiterherstel
lungsverfahren erzeugt werden wie die Scheibe 300.
Die auf dem Siliziumsubstrat 220 befindlichen Anschluß
elemente 230 können direkt auf eine Nadelkarte montiert
werden, wie in Fig. 3 dargestellt, oder stattdessen an
einem ummantelten Hauteil, etwa einem herkömmlichen,
mit Leitungen versehenen ummantelten integrierten
Schaltungsbauteil vorgesehen werden, wobei dann das um
mantelte Bauteil auf einer Nadelkarte montiert wird. Da
sich Anschlußelemente 230 sehr geringer Größe herstel
len lassen, ist es möglich, die Frequenzbandbreite ei
ner die erfindungsgemäßen Anschlußelemente halternden
Nadelkarte auf einfache Weise auf 2 GHz oder mehr zu
steigern. Aufgrund ihrer geringen Größe läßt sich die
Anzahl der Anschlußelemente auf einer Nadelkarte auf
beispielsweise 2.000 erhöhen, was eine gleichzeitige
parallele Prüfung von 32 oder mehr Speicherbauteilen
ermöglicht.
Außerdem führt die Ausbildung der erfindungsgemäßen An
schlußelemente 230 auf dem Siliziumsubstrat 220 dazu,
daß sich Umgebungseinflüsse etwa im Hinblick auf das
Wärmeausdehnungsverhältnis des Siliziumsubstrats auf
die Anschlußelemente in gleicher Weise auswirken wie
auf die zu prüfende Halbleiterscheibe 300, wodurch die
Anschlußelemente 230 gegenüber den Anschlußflecken 320
während der Prüfung exakt positioniert bleiben.
Die Fig. 6A bis 6C zeigen detailliertere Ansichten der
das auf dem Siliziumsubstrat 220 vorgesehene Anschluße
lement 230 aufweisenden Anschlußstruktur. Die in den
Fig. 6A bis 6C gezeigten Beispiele stellen drei Grundty
pen von elektrischen Pfaden dar, die eine Herstellung
einer Verbindung mit der Nadelkarte oder dem umhüllten
integrierten Schaltungsbauteil in der genannten Weise
ermöglichen. Fig. 6A zeigt dabei ein Beispiel, bei dem
eine derartige elektrische Verbindung an der Oberseite
des Substrats hergestellt wird. Beim Beispiel gemäß
Fig. 6B wird eine elektrische Verbindung an der Unter
seite des Substrats erzeugt, während in Fig. 6C ein Bei
spiel dargestellt ist, bei dem eine elektrische Verbin
dung an der Kante des Substrats entsteht. Fast alle
derzeitigen Ausführungen von ummantelten integrierten
Schaltungen bzw. Nadelkarten können mit wenigstens ei
nem der in den Fig. 6A bis 6C dargestellten Verbindungs
typen zusammenwirken.
Das in Fig. 6A gezeigte Beispiel umfaßt eine auch mit a
bezeichnete Verbindungsspur 232 sowie einen auf dem
Substrat 220 angeordneten Anschlußfleck 233, wobei die
Verbindungsspur 232 einen elektrischen Pfad vom An
schlußelement 230 zum Anschlußfleck 233 bildet. Beim
Beispiel gemäß Fig. 6B sind eine Verbindungsspur 232,
ein quer durch das Substrat 220 verlaufender Anschluß
fleck 235 und ein an der Unterseite des Substrats 220
angeordneter Anschlußfleck 236 vorgesehen, während sich
die Verbindungsspur 232 beim in Fig. 6C gezeigten Bei
spiel bis zur Kante des Substrats 220 erstreckt. Bei
allen Beispielen dient die Verbindungsspur 232 auch
dazu, den geringen Abstand zwischen den Anschlußelemen
ten 230 zur Anpassung an die Nadelkarte bzw. das umman
telte integrierte Schaltungsbauteil in einen größeren
Abstand umzuwandeln.
Wie sich jeweils den Fig. 6A bis 6C entnehmen läßt,
weist das Anschlußelement 230 vertikale Bereiche b und
d und einen horizontalen balkenförmigen Bereich c sowie
einen Spitzenbereich e auf. Der Spitzenbereich e des
Anschlußelements 230 ist vorzugsweise zugeschärft, um
eine Reibwirkung zu erzielen, wenn er gegen den Ziel
kontakt 320 gedrückt wird, wobei er eine Metalloxid
schicht durchdringen muß. Wenn beispielsweise der Ziel
kontakt 320 auf der Scheibe 300 an seiner Oberfläche
Aluminiumoxid aufweist, so ist die Reibwirkung nötig,
um den elektrischen Kontakt mit geringem Kontaktwider
stand herzustellen. Aufgrund der Federkraft des balken
förmigen Bereichs c wirkt eine ausreichende Kontakt
kraft auf den Anschlußfleck 320 ein. Die durch die Fe
derkraft des horizontalen balkenförmigen Bereichs c er
zeugte Elastizität dient auch zur Kompensation von Grö
ßenunterschieden bzw. Abweichungen in der Ebenheit bei
den Anschlußelementen 230, dem Siliziumsubstrat 220,
dem Anschlußfleck 320 und der Halbleiterscheibe 300.
Das Anschlußelement 230 kann beispielsweise aus Nickel,
Aluminium oder Kupfer bestehen und der Spitzenbereich e
kann mit Nickel-Palladium, Rhodium, Nickel-Gold, Iri
dium oder einigen anderen ablagerbaren Materialien
plattiert sein. Ein zu Prüfzwecken vorgesehenes An
schlußelement kann bei einem Abstand von 50 µm zwischen
den Zielkontakten 320 beispielsweise eine Gesamthöhe
von 100 bis 400 µm, eine horizontale Länge von 50 bis
400 µm und eine Dicke von etwa 30 bis 60 µm aufweisen.
Die Fig. 7A bis 7P zeigen ein Beispiel für ein Verfahren
zur Herstellung der erfindungsgemäßen Anschlußstruktu
ren mit Hilfe einer Mikrobearbeitungstechnik. Wie
Fig. 7A zu entnehmen ist, wird dabei auf dem Silizium
substrat 220 eine beispielsweise aus Kupfer bestehende
dünne Metallschicht 237 vorgesehen. Bei der Metall
schicht 237 handelt es sich um eine Grundschicht, die
die zur Herstellung der Verbindungsspur 232 und des An
schlußelements 230 gemäß Fig. 6 durch einen Elektroplat
tiervorgang nötige elektrische Leitfähigkeit bietet.
Werden die Verbindungsspur 232 und das Anschlußelement
230 durch andere Ablagerungsvorgänge, beispielsweise
durch Zerstäubung, ausgeformt, so kann auf die Grund
schicht 237 verzichtet werden. Beim Beispiel der Fig. 7A
bis 7P werden die genannten Elektroplattiervorgänge
mehrmals wiederholt und dementsprechend auch zugehörige
leitfähige Schichten eingesetzt; aus Gründen der Über
sichtlichkeit ist jedoch keine der weiteren Metall
schichten dargestellt.
Auf der Metallschicht 237 wird eine Abtragsschicht 242
ausgebildet, über der ein Mikrobearbeitungswerkzeug po
sitioniert wird, um auf der Abtragsschicht 242 direkt
ein Plattiermuster auszubilden. Als Material für die
Abtragsschicht 242 kommt beispielsweise Epoxid oder Po
lyimid in Frage; allerdings sind auch andere Materia
lien denkbar. Als Mikrobearbeitungswerkzeuge kommen
u. a. beispielsweise Elektronenstrahl-Bearbeitungswerk
zeuge, Laserstrahl-Bearbeitungswerkzeuge bzw. Plas
mastrahl-Bearbeitungswerkzeuge zum Einsatz. Beim Bei
spiel gemäß Fig. 7B wird mit Hilfe einer Laserstrahl
quelle 280 ein Laserstrahl über einen Spiegel 285 und
eine Linse 290 auf die Abtragsschicht 242 gelenkt. Als
Laserquelle 280 dient z. B. ein Excimer-Laser, ein Koh
lendioxid-Laser (CO2-Laser) bzw. ein ND:YAG-Laser.
Auf der Abtragsschicht 242 wird durch die elektrother
male Energie des Laserstrahls ein Plattiermuster er
zeugt, wie sich dies Fig. 7C entnehmen läßt. Auf dem
durch das Laserstrahl-Mikrobearbeitungswerkzeug herge
stellten Muster wird nun ein Elektroplattiervorgang ge
mäß Fig. 7D durchgeführt, wodurch eine Verbindungsspur
232 entsteht, die den in den Fig. 6A bis 6C gezeigten
Bereich a bildet. Als leitfähiges Material für die Ver
bindungsspur 232 und das in den folgenden Plattiervor
gängen hergestellte Anschlußelement 230 kommen Nickel,
Aluminium bzw. Kupfer in Frage. Im nächsten, in Fig. 7E
dargestellten Arbeitsschritt wird nun eine weitere Ab
tragsschicht 243 auf der Schicht 242 ausgebildet und
der Laserstrahl sodann auf die Abtragsschicht 243 ge
lenkt, um einen Grundbereich des Anschlußelements 230
auszubilden. Der in Fig. 7F dargestellte Grundbereich
des Anschlußelements 230, bei dem es sich um den in den
Fig. 6A bis 6C gezeigten Bereich b handelt, wird durch
den Plattiervorgang erzeugt. Der in Fig. 7F gezeigte
überstehende Plattierungsbereich wird durch einen
Schleifschritt (Einebenung) entfernt, wie sich dies
Fig. 7G entnehmen läßt.
Es folgt nun ein weiterer Abtragungsschritt, um einen
horizontalen balkenförmigen Bereich des Anschlußele
ments 230 auszubilden. Wie sich Fig. 7H entnehmen läßt,
wird hierzu mit Hilfe des Herstellungsverfahrens eine
weitere Abtragsschicht 244 auf der Schicht 243 ausge
bildet und an dieser Abtragsschicht 244 der Lasertrimm
vorgang derart durchgeführt, daß ein in Fig. 7H gezeig
tes Muster für den horizontalen balkenförmigen Bereich
c entsteht. Nun wird an diesem Muster ein weiterer
Elektroplattiervorgang durchgeführt, um den in Fig. 7I
dargestellten horizontalen balkenförmigen Bereich aus
zubilden. Der in Fig. 7I gezeigte überstehende Plattie
rungsbereich wird in einem Verfahrensschritt gemäß
Fig. 7G entfernt.
Zur Ausbildung eines weiteren vertikalen Bereichs des
Anschlußelements 230 wird nun auf der Schicht 244 eine
Abtragsschicht 246 gemäß Fig. 7K erzeugt. Durch den Ein
satz des Laserstrahl-Bearbeitungswerkzeugs wird sodann
ein Muster für den vertikalen balkenförmigen Bereich
gemäß Fig. 7K erzeugt. Der in den Fig. 6A bis 6C gezeigte
vertikale balkenförmige Bereich d wird am Ende des ho
rizontalen balkenförmigen Bereichs ausgebildet, wie
sich dies Fig. 7L entnehmen läßt. Es folgt ein Verfah
rensschritt gemäß Fig. 7M, bei dem der in Fig. 7L ge
zeigte überstehende Plattierungsbereich entfernt wird.
Die Fig. 7N und 70 zeigen einen Verfahrensschritt zur
Ausbildung des Spitzenbereichs e des Anschlußelements
230 durch Lasertrimm- und Elektroplattierschritte, die
den beschriebenen Verfahrensschritten entsprechen. Als
Material für den Spitzenbereich e kommen Nickel-Palla
dium, Rhodium, Nickel-Gold, Iridium und einige andere
ablagerbare leitfähige Materialien in Frage.
Wie sich Fig. 7P entnehmen läßt, werden die Abtrags
schichten 242, 243, 244, 246 und 248 mit Hilfe eines
speziellen Lösungsmittels abgelöst. Zur Entfernung der
Grundschichten, wie etwa der dünnen Metallschicht 237,
kann ein Ätzvorgang eingesetzt werden. Wie sich der
obigen Beschreibung entnehmen läßt, werden das An
schlußelement 230 und die Verbindungsspur 232 auf dem
Siliziumsubstrat 220 durch Einsatz einer Mikrobearbei
tungstechnik, beispielsweise mit Hilfe eines Laser
strahl-Bearbeitungswerkzeugs, ausgebildet.
Die Fig. 8A und 8B zeigen das zweite Ausführungsbeispiel
der erfindungsgemäßen Anschlußstruktur. Bei diesem Bei
spiel weist die Anschlußstruktur ein Anschlußelement
530 auf, dessen Aufbau einfacher ist als der beim be
reits beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel. Das An
schlußelement 530 ist auf einem Substrat 520 ausgebil
det, bei dem es sich üblicherweise um ein Siliziumsub
strat oder ein dielektrisches Substrat handelt. Das An
schlußelement 530 besteht aus einem horizontalen und
einem vertikalen balkenförmigen Bereich, wobei der ho
rizontale balkenförmige Bereich eine Federkraft er
zeugt, wenn das Anschlußelement gegen einen Zielkontakt
gepreßt wird. Unter dem Substrat 520 ist eine Vertie
fung 550 vorgesehen, wobei die Vertiefung 550 derart
unter dem vertikalen balkenförmigen Bereich positio
niert ist, daß sie einen Freiraum bildet, in den die
Anschlußstruktur zur Erzeugung einer Anschlußkraft ein
dringen kann, wenn sie bei der Darstellung gemäß den
Fig. 8A und 8B nach unten gepreßt wird.
Wie sich Fig. 8B entnehmen läßt, dient bei diesem Bei
spiel ebenfalls eine mit dem Anschlußelement 530 ver
bundene Verbindungsspur 532 zur Herstellung einer Ver
bindung mit einem externen Bauteil, etwa einer (nicht
gezeigten) gedruckten Leiterplatte oder einem umhüllten
Bauteil. Eine derartige Verbindung kann beim Beispiel
gemäß Fig. 8A direkt zwischen dem externen Bauteil und
dem Anschlußelement 530 hergestellt werden. In den
Fig. 8A und 8B ist eine dünne Metallschicht 537 gezeigt,
die in einer später noch erläuterten Weise als Grund
schicht für einen Elektroplattiervorgang zur Herstel
lung des Anschlußelements 530 dient.
Bei der Anschlußstruktur gemäß dem zweiten Ausführungs
beispiel können, ähnlich wie beim Beispiel gemäß Fig. 5,
eine Vielzahl von Anschlußelementen 530 auf einem ge
meinsamen Substrat 520 ausgebildet werden, wobei alle
Anschlußelemente 530 gleichzeitig durch dasselbe Her
stellungsverfahren auf dem Siliziumsubstrat 520 erzeugt
werden. Als Herstellungsverfahren kommen dabei u. a.
beispielsweise Photolithographie-, Mikrobearbeitungs-
und Formverfahren (Warmprägen) in Frage.
Die auf dem Siliziumsubstrat 520 befindlichen Anschluß
elemente 530 können direkt auf eine Nadelkarte montiert
werden, wie in Fig. 3 dargestellt, oder stattdessen an
einem ummantelten Bauteil, etwa einem herkömmlichen,
mit Leitungen versehenen ummantelten integrierten
Schaltungsbauteil, vorgesehen werden, wobei dann das
ummantelte Bauteil auf einer Nadelkarte montiert wird.
Da sich Anschlußelemente 530 sehr geringer Größe her
stellen lassen, ist es möglich, die Frequenzbandbreite
einer die erfindungsgemäßen Anschlußelemente halternden
Nadelkarte auf einfache Weise auf 2 GHz oder mehr zu
steigern. Aufgrund ihrer geringen Größe läßt sich die
Anzahl der Anschlußelemente auf einer Nadelkarte auf
beispielsweise 2.000 erhöhen, was eine gleichzeitige
parallele Prüfung von 32 oder mehr Speicherbauteilen
ermöglicht.
Außerdem führt die Ausbildung der erfindungsgemäßen An
schlußelemente 530 auf dem Siliziumsubstrat 520 dazu,
daß sich durch Umgebungseinflüsse hervorgerufene Ände
rungen etwa im Hinblick auf das Wärmeausdehnungsver
hältnis des Siliziumsubstrats 520 bei der Anschluß
struktur in derselben Weise auswirken wie auf bei der
zu prüfenden Halbleiterscheibe 300, wodurch die An
schlußelemente 530 während der Prüfung gegenüber den
Anschlußflecken auf der Scheibe 300 exakt positioniert
bleiben.
Das Anschlußelement 230 kann beispielsweise aus Nickel,
Aluminium oder Kupfer bestehen und der Spitzenbereich
des Anschlußelements 530 kann mit Nickel-Palladium,
Rhodium, Nickel-Gold, Iridium oder einigen anderen ab
lagerbaren Materialien plattiert sein. Ein zu Prüfzwec
ken vorgesehenes Anschlußelement 530 kann bei einem Ab
stand von 50 µm zwischen den Zielkontakten beispiels
weise eine Gesamthöhe von 50 bis 200 µm, eine horizon
tale Länge von 50 bis 400 µm und eine Dicke von etwa 30
bis 60 µm aufweisen.
Die Fig. 9A bis 9J zeigen ein Beispiel für ein Verfahren
zur Herstellung der erfindungsgemäßen Anschlußstruktu
ren mit Hilfe der Mikrobearbeitungstechnik. Dieses Her
stellungsverfahren wird im folgenden unter Bezugnahme
auf ein Photolithographieverfahren erläutert, obwohl
hier auch andere Verfahren, etwa die unter Bezugnahme
auf die Fig. 7A bis 7P bereits beschriebene Mikrobear
beitung, eingesetzt werden können.
Wie sich Fig. 9A entnehmen läßt, wird hierbei auf einem
Siliziumsubstrat 520 mit Hilfe eines Photolithographie
verfahrens eine Fotolackschicht 542 ausgebildet, wobei
die Verfahrensschritte eines derartigen Photolithogra
phieverfahrens in der Beschichtung mit Fotolack, der
Maskenherstellung, der Belichtung und des Ablösens des
Fotolacks bestehen, wie dies aus dem Stand der Technik
bereits bekannt ist. Es wird nun eine Fotomaske über
der Fotolackschicht 542 so ausgerichtet, daß die
Fotolackschicht 542 entsprechend dem auf die Fotomaske
aufgedruckten Muster mit ultraviolettem Licht belichtet
wird, was allerdings in der Zeichnung nicht dargestellt
ist. Bei Verwendung eines positiv wirkenden Fotolacks
härtet der von den lichtundurchlässigen Bereichen der
Fotomaske abgedeckte Fotolack nach der Belichtung aus.
Der belichtete Teil des Fotolacks kann dann aufgelöst
und abgewaschen werden, während eine Fotomaskenschicht
542 gemäß Fig. 9A zurückbleibt, die einen Ätzbereich
begrenzt.
Durch einen Ätzvorgang wird nun der gewünschte Bereich
(Nut) 555 auf dem Substrat 520 hergestellt, wie sich
die Fig. 9B entnehmen läßt, woraufhin die Fotolack
schicht gemäß Fig. 9A mit Hilfe eines Lösungsmittels
entfernt wird. Wie sich Fig. 9C entnehmen läßt, wird nun
ein Zusatzelement 548 im vertieften Bereich auf dem
Substrat 520 ausgeformt. Dieses Zusatzelement 548 wird
dabei in einem Ablagerungsvorgang, etwa durch chemi
sches Aufdampfen (CVD), beispielsweise aus Siliziumdio
xid (SiO2) hergestellt. Auf dem Substrat wird als Plat
tiergrundschicht eine dünne Metallschicht 537 ausgebil
det.
Wie sich Fig. 9D entnehmen läßt, wird nun auf dem Sub
strat durch einen Photolithographievorgang in der ge
rade beschriebenen Weise wiederum eine Fotolackschicht
543 ausgebildet, wobei dann die Fotolackschicht 543
einen Ablagerungsbereich (A) begrenzt. Wie sich Fig. 9E
entnehmen läßt, wird der horizontale balkenförmige Be
reich des Anschlußelements 530 durch Plattieren von
leitfähigem Elektroplattiermaterial in diesem festge
legten Bereich (A) erzeugt. Als leitfähiges Material
kommen u. a. beispielsweise Kupfer, Nickel oder Alumi
nium in Frage.
Das genannte Verfahren wird nun wiederholt, um den ver
tikalen balkenförmigen Bereich des Anschlußelements 530
herzustellen. Wie sich Fig. 9F entnehmen läßt, wird da
bei auf dem Substrat durch ein Photolithographieverfah
ren in der beschriebenen Weise eine Fotolackschicht 545
ausgebildet, wobei die Fotolackschicht 545 einen Abla
gerungsbereich (B) begrenzt. Der vertikale balkenför
mige Bereich des Anschlußelements 530 wird nun, wie in
Fig. 9G dargestellt, durch Elektroplattieren des genann
ten leitfähigen Materials in diesem festgelegten Be
reich (B) ausgebildet.
Auch der Spitzenbereich des Anschlußelements 530 wird
in der beschriebenen Weise hergestellt. Wie sich Fig. 9H
entnehmen läßt, wird hierzu wiederum eine Fotolack
schicht 547 durch einen Photolithographievorgang in der
genannten Weise auf dem Substrat hergestellt, wobei die
Fotolackschicht 547 wiederum einen Ablagerungsbereich
(C) begrenzt. Der Spitzenbereich des Anschlußelements
530 wird nun durch Elektroplattieren des leitfähigen
Materials im festgelegten Bereich (C) erzeugt, wie sich
dies Fig. 9I entnehmen läßt. Als Material für den Spit
zenbereich finden vorzugsweise Nickel-Palladium, Rho
dium, Nickel-Gold und Iridium Verwendung, wobei aller
dings auch dasselbe leitfähige Material eingesetzt wer
den kann, das für die horizontalen und vertikalen bal
kenförmigen Bereiche benutzt wurde.
Wie sich Fig. 9J entnehmen läßt, werden nun die Foto
lackschichten 543, 545, 547 und das Zusatzelement 548
mit Hilfe eines speziellen Lösungsmittels abgelöst, wo
bei wiederum das einen horizontalen und einen vertika
len balkenförmigen Bereich aufweisende Anschlußelement
530 mit Hilfe der Photolithographietechnik auf dem Si
liziumsubstrat 520 ausgebildet wurde. Bei der Anschluß
struktur gemäß Fig. 9J kann das Anschlußelement 530 in
die Vertiefung 550 auf dem Substrat 520 eindringen,
wenn das Anschlußelement nach unten gepreßt wird, wo
durch es eine Kontaktkraft auf den Zielkontakt ausübt.
Die Anschlußstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung
weist eine sehr hohe Frequenzbandbreite auf und erfüllt
so die durch die moderne Halbleitertechnik gestellten
Prüfanforderungen. Da die Anschlußstruktur mit Hilfe in
der Halbleiterherstellung üblicher moderner Minia
turisierungstechniken erzeugt wird, läßt sich eine
große Anzahl von Anschlußelementen auf kleinem Raum an
ordnen, was die gleichzeitige Prüfung einer großen An
zahl von Halbleiterbauteilen ermöglicht. Die Anschluß
struktur gemäß der vorliegenden Erfindung läßt sich
auch für weniger spezifische Anwendungszwecke, etwa bei
Leitungen für integrierte Schaltungen, bei der Umhül
lung integrierter Schaltungsbauteile und für andere
elektrische Verbindungen einsetzen.
Da die große Anzahl von gleichzeitig auf dem Substrat
mit Hilfe der Mikrostruktur-Herstellungstechnik erzeug
ten Anschlußelementen ohne manuelle Arbeitsschritte
hergestellt wird, ist es möglich, eine gleichbleibende
Qualität, hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer
hinsichtlich der Anschlußleistung zu erzielen. Darüber
hinaus ist es auch möglich, den Wärmeausdeh
nungskoeffizienten des Bauteilprüflings zu kompensie
ren, da die Anschlußelemente auf demselben Sub
stratmaterial hergestellt werden können, wie es auch
für den Bauteilprüfling verwendet wird, so daß sich Po
sitionierfehler vermeiden lassen.
Claims (16)
1. Anschlußstruktur zur Herstellung einer elektrischen
Verbindung mit einem Zielkontakt, enthaltend
- - ein dielektrisches Substrat; und
- - ein auf diesem dielektrischen Substrat durch ein Mikrobearbeitungsverfahren ausgebildetes An schlußelement, wobei das Anschlußelement einen horizontalen Bereich und einen auf einem Ende des horizontalen Bereichs vertikal ausgebildeten Anschlußbereich umfaßt;
2. Anschlußstruktur nach Anspruch 1, weiterhin enthal
tend eine am Substrat vorgesehene Verbindungsspur,
deren eines Ende mit dem Anschlußelement verbunden
ist und deren anderes Ende zur Herstellung einer
elektrischen Verbindung zwischen dem Anschlußelement
und einem externen Bauteil dient.
3. Anschlußstruktur nach Anspruch 1, wobei das An
schlußelement aus Metall besteht und durch einen Ab
lagerungsvorgang auf einem Ablagerungsbereich herge
stellt wird, der mit Hilfe von durch ein Mikrobear
beitungswerkzeug gelieferter elektrothermischer En
ergie direkt ausgebildet wurde.
4. Anschlußstruktur nach Anspruch 1, wobei das An
schlußelement weiterhin zwischen dem dielektrischen
Substrat und dem horizontalen Bereich einen Grundbe
reich in Form eines vertikalen balkenförmigen Be
reichs aufweist, der den horizontalen Bereich und
den Anschlußbereich des Anschlußelements trägt.
5. Anschlußstruktur nach Anspruch 1, wobei der Mikrobe
arbeitungsvorgang mit Hilfe eines Laserstrahl-Mikro
bearbeitungswerkzeugs durchgeführt wird.
6. Anschlußstruktur nach Anspruch 1, wobei der Mikrobe
arbeitungsvorgang mit Hilfe eine Elektronenstrahl-
Mikrobearbeitungswerkzeugs durchgeführt wird.
7. Anschlußstruktur nach Anspruch 1, wobei der Mikrobe
arbeitungsvorgang mit Hilfe eines Plasmastrahl-Mi
krobearbeitungswerkzeugs durchgeführt wird.
8. Anschlußstruktur zur Herstellung einer elektrischen
Verbindung mit einem Zielkontakt, enthaltend
- - ein Siliziumsubstrat, auf dem eine Verbindungs spur zur Herstellung einer elektrischen Verbin dung mit einem externen Bauteil vorgesehen ist; und
- - ein auf dem Siliziumsubstrat durch einen Mikro bearbeitungsvorgang hergestelltes Anschlußele ment, das elektrisch mit der Verbindungsspur verbunden ist und einen horizontalen Bereich so wie einen vertikal auf einem Ende des horizonta len Bereichs ausgebildeten Anschlußbereich um faßt;
9. Anschlußstruktur nach Anspruch 8, wobei das An
schlußelement aus Metall besteht und durch einen Ab
lagerungsvorgang auf einem Ablagerungsbereich herge
stellt wird, der mit Hilfe von durch ein Mikrobear
beitungswerkzeug gelieferter elektrothermischer En
ergie direkt ausgebildet wurde.
10. Anschlußstruktur nach Anspruch 8, wobei das An
schlußelement weiterhin zwischen dem dielektrischen
Substrat und dem horizontalen Bereich einen Grundbe
reich in Form eines vertikalen balkenförmigen Berei
ches aufweist, der den horizontalen Bereich und den
Anschlußbereich des Anschlußelements trägt.
11. Anschlußstruktur nach Anspruch 8, wobei der Mikrobe
arbeitungsvorgang mit Hilfe eines Laserstrahl-Mikro
bearbeitungswerkzeugs, eines Elektronenstrahl-Mikro
bearbeitungswerkzeugs oder eines Plasmastrahl-Mikro
bearbeitungswerkzeugs durchgeführt wird.
12. Anschlußstruktur zur Herstellung einer elektrischen
Verbindung mit einem Zielkontakt, enthaltend
- - ein dielektrisches Substrat, das an einer Ober fläche mit einer Vertiefung (Nut) versehen ist; und
- - ein Anschlußelement, das auf dem Substrat mit Hilfe eines Mikrostruktur-Herstellungsvorgangs ausgebildet wurde, wobei das Anschlußelement einen horizontalen Bereich mit einem fest ange brachten und einem freien Ende sowie einen An schlußbereich umfaßt, der am freien Ende des ho rizontalen Bereichs gehaltert ist, wobei das fest angebrachte Ende mit dem Substrat verbunden und das freie Ende über der Vertiefung des Sub strats positioniert ist;
13. Anschlußstruktur nach Anspruch 12, wobei es sich
beim Mikrostruktur-Herstellungsvorgang um einen Pho
tolithographievorgang oder einen Mikrobearbeitungs
vorgang handelt.
14. Anschlußstruktur nach Anspruch 12, wobei das An
schlußelement und die Vertiefung auf dem Substrat
durch einen Photolithographievorgang ausgebildet
werden, das Anschlußelement aus Metall besteht und
durch einen Ablagerungsvorgang nach der Herstellung
einer Fotomaske auf dem Substrat ausgebildet wird
und die Vertiefung durch Entfernen eines auf dem
Substrat ausgeformten, entbehrlichen Teils erzeugt
wird.
15. Anschlußstruktur nach Anspruch 12, wobei das An
schlußelement auf dem Substrat durch Wiederholen ei
ner Vielzahl von Photolithographievorgängen herge
stellt wird, von denen jeder die Verfahrensschritte
des Beschichtens mit Fotolack, der Maskenherstel
lung, der Belichtung, des Ablösens des Fotolacks und
der Ablagerung leitfähigen Materials umfaßt.
16. Anschlußstruktur nach Anspruch 14, wobei der ent
behrliche Teil des Substrats aus Siliziumdioxid be
steht und nach der Ausbildung der Anschlußstruktur
auf dem Substrat entfernt wird, um die Vertiefung
herzustellen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/303,475 US6399900B1 (en) | 1999-04-30 | 1999-04-30 | Contact structure formed over a groove |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10020713A1 true DE10020713A1 (de) | 2001-01-11 |
Family
ID=23172282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10020713A Ceased DE10020713A1 (de) | 1999-04-30 | 2000-04-27 | Anschlußstruktur |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6399900B1 (de) |
JP (1) | JP4434426B2 (de) |
KR (1) | KR100508419B1 (de) |
DE (1) | DE10020713A1 (de) |
SG (1) | SG83789A1 (de) |
TW (1) | TW445501B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1233272A1 (de) * | 2001-02-19 | 2002-08-21 | MANIA GmbH & Co. | Verfahren zur Herstellung eines Vollmaterialadapters aus einem mit Licht aushärtbaren Photopolymer |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3650722B2 (ja) * | 2000-05-18 | 2005-05-25 | 株式会社アドバンテスト | プローブカードおよびその製造方法 |
US6784378B2 (en) * | 2001-02-28 | 2004-08-31 | Georgia Tech Research Corporation | Compliant off-chip interconnects |
KR100451627B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-10-08 | 주식회사 아이씨멤즈 | 반도체 소자 테스트용 프로브 구조물 및 그 제조방법 |
KR100823879B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2008-04-21 | 주식회사 파이컴 | 프로브 카드의 제조 방법 |
KR20030046854A (ko) * | 2001-12-06 | 2003-06-18 | 이호도 | 엘씨디 검사용 프로브 탐침 구조물 및 이의 제조방법 |
CN100590438C (zh) * | 2002-01-25 | 2010-02-17 | 株式会社爱德万测试 | 探针卡及探针卡的制造方法 |
US8584353B2 (en) | 2003-04-11 | 2013-11-19 | Neoconix, Inc. | Method for fabricating a contact grid array |
US7114961B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-10-03 | Neoconix, Inc. | Electrical connector on a flexible carrier |
US20050120553A1 (en) * | 2003-12-08 | 2005-06-09 | Brown Dirk D. | Method for forming MEMS grid array connector |
US7244125B2 (en) | 2003-12-08 | 2007-07-17 | Neoconix, Inc. | Connector for making electrical contact at semiconductor scales |
US7056131B1 (en) * | 2003-04-11 | 2006-06-06 | Neoconix, Inc. | Contact grid array system |
US7113408B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-09-26 | Neoconix, Inc. | Contact grid array formed on a printed circuit board |
US7758351B2 (en) | 2003-04-11 | 2010-07-20 | Neoconix, Inc. | Method and system for batch manufacturing of spring elements |
US20050227510A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Brown Dirk D | Small array contact with precision working range |
US7347698B2 (en) | 2004-03-19 | 2008-03-25 | Neoconix, Inc. | Deep drawn electrical contacts and method for making |
US7025601B2 (en) * | 2004-03-19 | 2006-04-11 | Neoconix, Inc. | Interposer and method for making same |
TWI309094B (en) | 2004-03-19 | 2009-04-21 | Neoconix Inc | Electrical connector in a flexible host and method for fabricating the same |
US7090503B2 (en) * | 2004-03-19 | 2006-08-15 | Neoconix, Inc. | Interposer with compliant pins |
US7251884B2 (en) * | 2004-04-26 | 2007-08-07 | Formfactor, Inc. | Method to build robust mechanical structures on substrate surfaces |
DE102004027886A1 (de) * | 2004-05-28 | 2005-12-22 | Feinmetall Gmbh | Prüfeinrichtung zur elektrischen Prüfung eines Prüflings sowie Verfahren zur Herstellung einer Prüfeinrichtung |
US20060000642A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Epic Technology Inc. | Interposer with compliant pins |
TWI268350B (en) * | 2005-02-03 | 2006-12-11 | Mjc Probe Inc | Embedded light-touching component and manufacturing method hereof embedded light-touching component made by a micro-electromechanical process |
TW200704937A (en) | 2005-03-08 | 2007-02-01 | Tokyo Electron Ltd | Method of forming connection pin, probe, connection pin, probe card, and method of producing probe card |
JP2007085831A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Jsr Corp | 金属製電気機械的機能素子の形成方法および機能性基板 |
US7357644B2 (en) | 2005-12-12 | 2008-04-15 | Neoconix, Inc. | Connector having staggered contact architecture for enhanced working range |
EP1835050A1 (de) * | 2006-03-15 | 2007-09-19 | Doniar S.A. | Verfahren zur Herstellung einer LIGA-UV metallischen Mehrschichtstruktur, deren Schichten nebeneinanderliegend und nicht völlig überlagert sind. |
US20080091146A1 (en) * | 2006-07-05 | 2008-04-17 | Aspiration Medical Technology, Llc | Shunt apparatus for treating obesity by extracting food |
TWI420607B (zh) | 2007-05-09 | 2013-12-21 | Method of manufacturing electrical contact device | |
US8206160B2 (en) * | 2007-05-25 | 2012-06-26 | Georgia Tech Research Corporation | Compliant off-chip interconnects for use in electronic packages |
KR100858649B1 (ko) | 2008-03-11 | 2008-09-16 | 주식회사 파이컴 | 전기부품의 검사를 위한 다수 개 접속소자 |
KR100858018B1 (ko) | 2008-03-11 | 2008-09-10 | 주식회사 파이컴 | 전기검사를 위한 접속소자의 제조방법 |
KR100859120B1 (ko) | 2008-03-11 | 2008-09-18 | 주식회사 파이컴 | 전기부품의 검사를 위한 접속소자 |
KR101079369B1 (ko) * | 2008-11-12 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | 프로브카드용 프로브 핀 제조방법 |
US8641428B2 (en) | 2011-12-02 | 2014-02-04 | Neoconix, Inc. | Electrical connector and method of making it |
US9680273B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-06-13 | Neoconix, Inc | Electrical connector with electrical contacts protected by a layer of compressible material and method of making it |
US10062666B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-08-28 | Advanced Research Corporation | Catch flexure systems, devices and methods |
FR3054722B1 (fr) | 2016-07-26 | 2018-08-17 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Structure de protection d'un circuit integre contre les decharges electrostatiques |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2869040A (en) * | 1954-01-11 | 1959-01-13 | Sylvania Electric Prod | Solder-dipped stamped wiring |
JP2533511B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の接続構造とその製造方法 |
US5108785A (en) * | 1989-09-15 | 1992-04-28 | Microlithics Corporation | Via formation method for multilayer interconnect board |
US5166774A (en) * | 1990-10-05 | 1992-11-24 | Motorola, Inc. | Selectively releasing conductive runner and substrate assembly having non-planar areas |
US5139427A (en) * | 1991-09-23 | 1992-08-18 | Amp Incorporated | Planar array connector and flexible contact therefor |
JPH05226833A (ja) * | 1992-02-17 | 1993-09-03 | Toshiba Corp | 配線板の製造方法 |
US5228861A (en) * | 1992-06-12 | 1993-07-20 | Amp Incorporated | High density electrical connector system |
US5329695A (en) * | 1992-09-01 | 1994-07-19 | Rogers Corporation | Method of manufacturing a multilayer circuit board |
JP3118676B2 (ja) * | 1992-09-24 | 2000-12-18 | キヤノン株式会社 | プローブユニットの製造方法 |
DE4345586B4 (de) * | 1992-12-22 | 2009-04-23 | Denso Corp., Kariya-shi | Verfahren zum Erzeugen von Vielfach-Dickschichtsubstraten |
JPH0721598A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-24 | Canon Inc | プローブユニット及びこれを用いた情報処理装置 |
JP2710544B2 (ja) * | 1993-09-30 | 1998-02-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | プローブ構造、プローブ構造の形成方法 |
JPH07209334A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-11 | Masayuki Morizaki | バネ性を具備したマイクロコンタクト |
DE4414970C2 (de) * | 1994-04-28 | 1996-02-22 | Siemens Ag | Mikromechanisches Bauteil mit einem Schaltelement als beweglicher Struktur, Mikrosystem und Herstellverfahren |
JP3502874B2 (ja) * | 1994-06-03 | 2004-03-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 接続装置およびその製造方法 |
DE4421980A1 (de) * | 1994-06-23 | 1995-04-06 | Hartmut Kaufmann | Hochstrommikroschalter |
US5513430A (en) * | 1994-08-19 | 1996-05-07 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a probe |
US5510156A (en) * | 1994-08-23 | 1996-04-23 | Analog Devices, Inc. | Micromechanical structure with textured surface and method for making same |
JPH08178960A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Tomoji Watanabe | コンタクト検査用治具の製造法 |
US5567329A (en) * | 1995-01-27 | 1996-10-22 | Martin Marietta Corporation | Method and system for fabricating a multilayer laminate for a printed wiring board, and a printed wiring board formed thereby |
EP0727925A1 (de) * | 1995-02-14 | 1996-08-21 | Lpkf Cad/Cam Systeme Gmbh | Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von Substraten |
EP0731490A3 (de) * | 1995-03-02 | 1998-03-11 | Ebara Corporation | Ultrafeines Mikroherstellungsverfahren unter Verwendung eines Energiebündel |
JPH08248042A (ja) * | 1995-03-09 | 1996-09-27 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | プローブ顕微鏡用探触子の製造方法 |
JPH0964122A (ja) * | 1995-08-21 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プローブカード、プローブカードの製造方法及びプローブカードを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2796622B2 (ja) * | 1996-03-07 | 1998-09-10 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 微細加工方法および微細加工構造物 |
JPH11504725A (ja) * | 1996-05-17 | 1999-04-27 | フォームファクター,インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクスばね接触部品 |
JPH10246736A (ja) * | 1997-03-05 | 1998-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | 検査電極を有する配線回路基板及びその形成方法 |
KR100328540B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2002-11-22 | 에이엠에스티 주식회사 | 수직형 탐침카드 |
-
1999
- 1999-04-30 US US09/303,475 patent/US6399900B1/en not_active Expired - Fee Related
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- 2000-10-14 US US09/688,026 patent/US6576301B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1233272A1 (de) * | 2001-02-19 | 2002-08-21 | MANIA GmbH & Co. | Verfahren zur Herstellung eines Vollmaterialadapters aus einem mit Licht aushärtbaren Photopolymer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US6576301B1 (en) | 2003-06-10 |
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US6399900B1 (en) | 2002-06-04 |
TW445501B (en) | 2001-07-11 |
SG83789A1 (en) | 2001-10-16 |
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