DE19647383C2 - Spannungsgesteuerte, veränderliche Abstimmschaltung - Google Patents

Spannungsgesteuerte, veränderliche Abstimmschaltung

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DE19647383C2 DE19647383A DE19647383A DE19647383C2 DE 19647383 C2 DE19647383 C2 DE 19647383C2 DE 19647383 A DE19647383 A DE 19647383A DE 19647383 A DE19647383 A DE 19647383A DE 19647383 C2 DE19647383 C2 DE 19647383C2
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Description

Die Erfindung betrifft eine spannungsgesteuerte, veränderliche Abstimm­ schaltung gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1. Es geht insbesondere um eine solche veränderliche Abstimmschaltung, die für eine Reihe von Frequenzbändern verwendet wird, um durch den Umschaltvorgang mit Hilfe einer Schaltvorrichtung umzuschalten von einem Frequenzband zum anderen, wobei die Differenz der Abstimmfrequenzen einer Reihe von Frequenzbändern konstant ist, wenn die Abstimmsteuerspannung innerhalb eines konstanten veränderlichen Bereichs geändert wird.
Wenn das gerade aktuelle Frequenzband in einer spannungsgesteuerten, veränderlichen Abstimmschaltung, die mindestens eine Induktivität und eine Kapazität beinhaltet, geändert werden soll, wird im allgemeinen der Wert der Induktivität L der Spule stufenweise mit Hilfe einer Schalt­ einrichtung geändert, und wenn die Abstimm-(Resonanz-)Frequenz in den jeweiligen Frequenzbändern ausgewählt wird, wird ein Kapazitäts­ wert C der spannungsgesteuerten veränderlichen Kapazität mit Hilfe einer Abstimmsteuerspannung geändert.
Fig. 4 zeigt eine Schaltungsskizze einer bereits konzipierten span­ nungssgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung, die an einen Schwingkreis angeschlossen ist, um einen Oszillator zu bilden. Wie in Fig. 4 zu sehen ist, besitzt die spannungsgesteuerte veränderliche Ab­ stimmschaltung 31 einen Verbindungspunkt A, einen Verbindungspunkt B, einen Verbindungspunkt C und einen Verbindungspunkt D. Von diesen Verbindungspunkten ist der Punkt A über einen ersten Pufferwi­ derstand 32 mit einem Abstimmsteuerspannungs-Zuführanschluss 33 verbunden, der Punkt B ist mit dem Schwingkreis 34 verbunden, und der Verbindungspunkt C ist über einen zweiten Puffwiderstand 35 an einen Anschluss zum Anlegen einer Frequenzbandumschaltspannung angeschlossen. Die spannungsgesteuerte veränderliche Abstimmschaltung 31 enthält eine Kapazitätsdiode 32 zwischen dem Punkt A und dem Referenzspannungspunkt (Masse), einen Serienkondensator 38 zwischen den Punkten A und B, eine erste Kapazität 39 zwischen dem Verbindun­ gspunkt B und dem Referenzspannungspunkt, eine erste Induktivität, die bspw. als eine erste Mikrostreifenleitung 40 ausgebildet ist und zwischen dem Verbindungspunkt B und dem Punkt D liegt, eine zweite Induk­ tivität, die bspw. als zweite Mikrostreifenleitung 41 ausgebildet ist und zwischen dem Punkt D und dem Referenzspannungspunkt liegt, einen zweiten Kondensator 42 zum Sperren des Gleichstromanteils zwischen dem Punkt C und dem Punkt D, und eine Schaltdiode 43 zur Bandum­ schaltung zwischen dem Verbindungspunkt C und dem Referenzspan­ nungspunkt. Darüber hinaus ist der Schwingkreis 34 mit einem Schwing­ transistor 44 ausgestattet und liegt zwischen einem Schwingungssignal- Ausgangsanschluss 45 und einem Versorgungsspannungsanschluss 46.
Fig. 5A bis 5C zeigen Schaltungsskizzen von lediglich einem Teilbe­ reich des Aufbaus der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimm­ schaltung 31. Dabei zeigt Fig. 5A ein Gesamtschaltungsdiagramm, Fig. 5B ein Ersatzschaltbild für den Fall, dass das Frequenzband auf ein niedrigeres Frequenzband umgeschaltet wird, und Fig. 5C das Ersatzschaltbild für den Fall, dass das Frequenzband auf ein höheres Frequenzband umgeschaltet wird.
In Verbindung mit den Fig. 5A bis 5C sollen hier die Abläufe in der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung 31 mit dem oben beschriebenen Aufbau erläutert werden.
Wenn eine negative Gleichspannung an den Frequenzband-Umschalt­ spannungsanschluss 36 gelegt wird, sperrt die Schaltdiode 43, und die Abstimmschaltung 31 wird auf das untere Frequenzband umgeschaltet. Dabei ändert sich der Zustand der Abstimmschaltung 31 von dem in Fig. 5A dargestellten in den in Fig. 5B gezeigten Zustand. Parallel zwischen dem Verbindungspunkt B und dem Referenzspannungspunkt liegen eine äquivalente veränderliche Kapazität 47, bestehend aus einer Serienschaltung der veränderlichen Kapazitätsdiode 37 und dem Serien­ kondensator 38, ein Serienkreis aus der ersten und der zweiten Induk­ tivität 40 und 41, und der erste Kondensator 39.
Die Kapazitätsdiode 37 ändert ihren Kapazitätswert bei Änderung einer Abstimmsteuerspannung, die an Abstimmsteuerspannungs-Zuführan­ schluss 33 gelegt wird. Dadurch ändert sich die äquivalente Kapazität der äquivalenten veränderlichen Kapazität 47 mit der Folge, dass die Resonanzfrequenz der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimm­ schaltung 31 eingestellt wird. Ein veränderliches Kapazitätsverhältnis, d. h. ein veränderliches Frequenzverhältnis der veränderlichen Abstimm­ schaltung 31 bei Änderung der Abstimmsteuerspannung bestimmt sich durch die äquivalente Kapazität der äquivalenten veränderlichen Kapa­ zitätsschaltung 47 und der Kapazität des ersten Kondensators 39.
Wenn dann eine positive Gleichspannung an den Frequenzband-Um­ schaltspannungsanschluss 46 gelegt wird, leitet die Schaltdiode 43, und die veränderliche Abstimmspannung 31 wird auf das höhere Frequenz­ band geschaltet. Dabei ändert sich die Abstimmschaltung 31 aus dem in Fig. 5B in den in Fig. 5C gezeigten Zustand, weil der Punkt D und der Referenzspannungspunkt für höhere Frequenzen durch den zweiten Kondensator 42 und die Schaltdiode 43 kurzgeschlossen sind. Deshalb liegen zwischen dem Punkt B und dem Referenzspannungspunkt parallel die äquivalente veränderliche Kapazitätsschaltung 47, bestehend aus der Serienschaltung der Kapazitätsdiode 37 und dem Serienkondensator 38, die erste Induktivität 40 und der erste Kondensator 39.
Die veränderliche Kapazitätsdiode 37 ändert ihren Kapazitätswert, wenn die an den Abstimmsteuerspannungsanschluss 33 angelegte Abstimm­ spannung sich ändert. Daher ändert sich der äquivalente Kapazitätswert der äquivalenten veränderlichen Kapazitätsschaltung 47, wodurch die Abstimmfrequenz der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimm­ schaltung 31 eingestellt wird. In diesem Fall verändert sich das verän­ derliche Kapazitätsverhältnis, d. h. das veränderliche Frequenzverhältnis der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung 31 bei Ände­ rung der Abstimmsteuerspannung nach Maßgabe des äquivalenten Kapa­ zitätswerts der äquivalenten veränderlichen Kapazitätsschaltung 47 und des Kapazitätswerts des ersten Kondensators 39.
Im Fall eines schnurlosen Telefons wird in einigen Fällen ein Oszillator gemeinsam als Überlagerungsoszillator für den Empfangsbetrieb und als Trägeroszillator für den Sendebetrieb genutzt. Bei einem schnurlosen Telefon des DECT-Systems bspw. wird der gemeinsame Oszillator für den Sendebetrieb als Trägeroszillator betrieben, um einen Kommuni­ kationskanal dadurch einzustellen, dass eine Trägerfrequenz im Bereich von 1881,8 MHz (FTmin) bis 1897,3 MHz (FTmax) geändert wird. Andererseits wird beim Empfang der gemeinsame Oszillator als lokaler oder Überlagerungsoszillator benutzt zur Umwandlung der Empfangs­ signalfrequenz, indem eine Überlagerungsschwingungsfrequenz in dem Bereich von 1769,5 MHz (FRmin), die gegenüber der Trägerfrequenz um 112,3 MHz niedriger liegt, bis 1785,0 MHz (FTmax) erzeugt wird. Ein derartiger gemeinsamer Oszillator macht Gebrauch von der oben erläuterten spannungsgesteuerten Abstimmschaltung 31 und ändert das Schwingungsfrequenzband auf das höhere oder niedrigere Frequenzband entsprechend dem Umschalten zwischen Sendebetrieb und Empfangs­ betrieb, um den Kanal auszuwählen, welcher der gewünschten Schwingungsfrequenz in den jeweiligen Frequenzbändern entspricht.
Der in dem schnurlosen Telefon des DECT-Systems verwendete, oben beschriebene gemeinsame Oszillator liefert, wenn der Induktivitätswert L der Induktivität in der Abstimmschaltung schrittweise geändert wird, um das Schwingungsfrequenzband zu wechseln, eine andere Breite für die veränderliche Frequenz (FRmax - FRmin oder FTmax - FTmin) in dem Schwingungsfrequenzband, die sich proportional zu der Frequenz in dem Frequenzband ändert, weil die Frequenzänderungsverhältnisse in den jeweiligen Frequenzbändern konstant sind (FRmax/FRmin = FTmax/FTmin).
Wenn also das Schwingungsfrequenzband des gemeinsamen Oszillators von dem höheren Band (entsprechend dem Sendebetrieb) auf das niedri­ gere Band (entsprechend dem Empfangsbetrieb) gewechselt wird, und das Schwingungsfrequenzband in dem Kanal entsprechend der niedrig­ sten Frequenz geändert wird, um die Frequenz 1967,5 MHz (FRmin) für den Empfang einzustellen, was um 112,3 MHz gegenüber der Frequenz 1881, 8 MHz (FTmin) für den Sendebetrieb niedriger ist, so muß oder müßte die Frequenz 1897,3 MHz (FTmax) für den Sendebetrieb von sich aus auf die Frequenz 1785,0 MHz (FRmax) für den Empfangsbe­ trieb in dem der maximalen Frequenz entsprechenden Kanal geändert werden. In diesem Fall allerdings ändert sich die Frequenz für den Empfang auf 1784,1 MHz [1769,5 MHz (FRmin) × {1897,3 MHz (FTmax)/1881,8 MHz (FTmin)}]. Deshalb ist der Frequenzunterschied zwischen Sendebetrieb und Empfangsbetrieb dann nicht 112,3 MHz, sondern ist auf 113,2 MHz (1897,3 MHz - 1874,1 MHz) erhöht.
Wenn gemäß obiger Beschreibung das Schwingungsfrequenzband des gemeinsamen Oszillators von dem oberen Band (zum Senden) auf das untere Band (zum Empfangen) umgeschaltet werden soll und die variab­ len Bereiche der Abstimmsteuerspannungen in beiden Schwingungsfre­ quenzbändern angepaßt sind, ändern sich die Frequenzdifferenzen für den Sendebetrieb einerseits und den Empfangsbetrieb andererseits ab­ hängig von der Frequenz entsprechend dem ausgewählten Kanal.
Wenn allerdings das Schwingungsfrequenzband des gemeinsamen Oszil­ lators von dem höheren Frequenzband (für den Sendebetrieb) umgeschal­ tet werden soll auf das untere Frequenzband (für den Empfangsbetrieb), läßt sich der Frequenzunterschied zwischen Sende- und Empfangsbetrieb dadurch ohne Relation zu der Frequenz des entsprechenden ausgewählten Kanals beseitigen, daß man die Abstimmsteuerspannung zur Zeit des Umschaltens zwischen Sendebetrieb und Empfangsbetrieb ändert.
Es sei hier angemerkt, dass sich bei der den oben erläuterten Aufbau aufweisenden spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung das Problem ergibt, daß eine Kompensationsschaltung und ein Um­ schaltkreis mit kompliziertem Aufbau für die Schaltung zum Generieren der Abstimmsteuerschaltung erforderlich sind.
Insbesondere wird bei einem schnurlosen Telefon des Zeitduplex- (TDD-)Kommunikationssystems sowie bei dem DECT-System, welches oben erläutert wurde, ein Wechsel zwischen Sendebetrieb und Em­ pfangsbetrieb alle paar Millisekunden vorgenommen. Wenn also die bereits konzipierte spannungsgesteuerte veränderliche Abstimmschaltung mit dem oben erläuterten Aufbau für ein derartiges, oben erläutertes schnurloses Telefon verwendet wird, muß die Abstimmsteuerspannung ebenfalls in so kurzen Intervallen von einigen Millisekunden geändert werden. Wenn aber die oben erläuterte bekannte Abstimmschaltung eine Kompensationsschaltung mit einem komplizierten Aufbau enthalten muß, so ist es aus technischer Sicht sehr schwierig, die Änderung der Abstimmsteuerschaltung innerhalb einer so kurzen Zeitspanne jeweils vorzunehmen.
Die DE 25 58 121 C2 zeigt eine spannungsgesteuerte veränderliche Abstimmschaltung mit zwei in Reihe geschalteten Induktivitäten, zu denen eine spannungsgesteuerte, veränderliche Kapazität parallel geschal­ tet ist. In weiterer Übereinstimmung mit dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ist eine Bandumschalteinrichtung parallel zu der zweiten Induktivität geschaltet. Die Bandumschalteinrichtung enthält eine Schaltdiode mit einer dazu in Reihe geschalteten Kapazität.
Eine ähnliche Schaltung ist aus der DE-OS 16 16 297 bekannt.
Aus der DE 43 43 719 A1 ist ein Hochfrequenzschalter zur Verwendung in einem schnurlosen Telefon bekannt, wobei der Schalter zum Umschal­ ten zwischen Empfangsbetrieb und Sendebetrieb dient. Das Umschalten erfolgt durch Anlegen einer Spannung an einen Steueranschluß. Beim Umschalten zwischen Sendebetrieb und Empfangsbetrieb wird die Ver­ bindung zwischen Sendeteil und Antenne bzw. zwischen Empfangsteil und Antenne geschaffen. Hierzu wird eine Schaltung mit einer Mikro­ streifenleitung zu einer Verbindung zwischen Antenne und Sendeteil parallel geschaltet, eine weitere Schaltung mit einer Mikrostreifenleitung liegt in Serie zwischen der Antenne und dem Empfangsteil.
Aufgabe der Erfindung ist es, die oben erläuterten Probleme zu überwin­ den und eine spannungsgesteuerte veränderliche Abstimmschaltung zu schaffen, die ohne eine komplizierte Kompensationsschaltung zum Er­ zeugen einer Abstimmsteuerspannung dennoch den Frequenzunterschied ohne Relation zu dem ausgewählten Frequenzband zur Zeit des Um­ schaltens des Schwingungsfrequenzbandes nahezu ausgleicht.
Zur Lösung dieser Aufgabe schafft die vorliegende Erfindung eine Ab­ stimmschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Eine vorteilhafte Weiterbildung ist im Anspruch 2 angegeben.
Wenn bei der oben erwähnten Einrichtung die Schalteinrichtung für die Bandumschaltung ausgeschaltet wird, um die spannungsgesteuerte, ver­ änderliche Abstimmschaltung auf das andere Frequenzband einzustellen, gleicht das veränderliche Kapazitätsverhältnis der Abstimmschaltung dem veränderlichen Kapazitätsverhältnis (CVmax/CVmin) der spannungs­ gesteuerten veränderlichen Kapazitätseinrichtung, weil die erste Kapa­ zitätseinrichtung nur die äquivalente Induktivität der ersten Induktivität ändert, jedoch keinen Beitrag als Kapazität der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung leistet. CVmax und CVmin bedeuten hier die Kapazitätswerte der spannungsgesteuerten veränderlichen Kapa­ zitätseinrichtung bei Anlegen der maximalen bzw. der minimalen Ab­ stimmsteuerspannung.
Wenn hingegen die Schalteinrichtung zur Bandumschaltung so eingestellt ist, daß die Abstimmschaltung auf das höhere Frequenzband eingestellt ist, addiert sich der Kapazitätswert C der ersten Kapazitätseinrichtung auf die Kapazität der spannungsgesteuerten veränderlichen Kapazitäts­ einrichtung, und das veränderliche Kapazitätsverhältnis der spannungs­ gesteuerten Abstimmschaltung erhält den Wert {(CVmax + C)/(CVmin + C)}, was kleiner ist als das veränderliche Verhältnis (CVmax/CVmin) bei nicht angeschlossener erster Kapazitätseinrichtung, weil letztere parallel zu der spannungsgesteuerten veränderlichen Kapazitätsein­ richtung liegt.
Da gemäß obiger Beschreibung die der Änderung der gleichen Abstimm­ steuerspannung entsprechende Frequenzänderung dann, wenn die erste Kapazitätseinrichtung parallel zu der spannungsgesteuerten veränder­ lichen Kapazitätseinrichtung geschaltet ist, anders ist, als wenn sie nicht dazu parallel geschaltet ist, läßt sich, wenn der Kapazitätswert C der ersten Kapazitätseinrichtung geeignet gewählt ist, der Frequenzunter­ schied bei Einstellung der Abstimmschaltung auf unteres oder oberes Frequenzband ungeachtet der ausgewählten Frequenz praktisch gleich groß machen.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schaltungsskizze einer bevorzugten Ausführungsform einer spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung gemäss der Erfindung;
Fig. 2A bis 2C eine Schaltungsskizze und ein Ersatzschaltbild, wobei lediglich der Aufbau der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung nach Fig. 1 herausgezogen ist;
Fig. 3 ein Kennwertdiagramm, welches verschiedene Betriebskenn­ werte für den Fall zeigt, dass die Abstimmschaltung für einen gemein­ samen Oszillator eines schnurlosen Telefons verwendet wird;
Fig. 4 ein Schaltungsdiagramm eines Beispiels einer bereits konzipier­ ten spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung; und
Fig. 5A bis 5C eine Schaltungsskizze bzw. ein Ersatzschaltbild, die einen Teilaufbau der in Fig. 4 gezeigten Abstimmschaltung darstel­ len.
Fig. 1 ist eine Schaltungsskizze einer bevorzugten Ausführungsform einer spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung gemäss der Erfindung. Sie zeigt ein Beispiel für die Ausbildung eines Oszillators in Verbindung mit einem Schwingkreis.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, besitzt die spannungsgesteuerte veränderliche Abstimmschaltung 1 einen Verbindungspunkt A, einen Verbindungspunkt B, einen Verbindungspunkt C und einen Verbindungspunkt D. Von diesen Verbindungspunkten ist der Verbindungspunkt A über einen ersten Pufferwiderstand 2 mit einem Abstimmsteuerspannungs-Zuführ­ anschluss 3 verbunden, der Verbindungspunkt B ist mit dem als Colpitts- Oszillator ausgebildeten Schwingkreis 4 verbunden, und der Verbin­ dungspunkt C ist über einen zweiten Pufferwiderstand 5 mit einem Fre­ quenzbandumschaltspannungs-Zuführanschluss 6 verbunden. Ferner beinhaltet die spannungsgesteuerte veränderliche Abstimmschaltung 1 eine veränderliche Kapazitätsdiode (dies ist die spannungsgesteuerte Kapazitätseinrichtung) 7, die zwischen dem Verbindungspunkt A und dem Referenzspannungspunkt (Massepunkt) liegt, einen Serienkondensa­ tor 8 zwischen dem Verbindungspunkt A und dem Verbindungspunkt B, einen ersten Kondensator (eine erste Kapazitätseinrichtung) 9 und eine erste Mikrostreifenleitung (erste Induktivität) 10, die parallel zu dem ersten Kondensator zwischen den Verbindungspunkten B und D liegt, eine zweite Mikrostreifenleitung (eine zweite Induktivität) 11 zwischen dem Verbindungspunkt D und dem Referenzspannungspunkt, einen zweiten Kondensator 12 zum Sperren von Gleichstromanteilen zwischen dem Verbindungspunkt C und dem Verbindungspunkt D, und eine Schaltdiode (eine Schalteinrichtung zum Wechseln des Frequenzbandes) 13 zwischen dem Verbindungspunkt C und dem Referenzspannungs­ punkt. Der Schwinkreis 4 besitzt einen Transistor 14, der an einen Oszillatorsignal-Ausgangsanschluss 15 und einen Spannungsversorgungs­ anschluss 16 angeschlossen ist. Die Parallelschaltung aus dem ersten Kondensator 9 und der ersten Mikrostreifenleitung 10 auf der Seite der Abstimmschaltung 1 besitzt den Kapazitätswert des ersten Kondensators 9 und den Induktivitätswert der ersten Mikrostreifenleitung 10, so daß die Resonanzfrequenz höher wird als die Resonanzfrequenz der span­ nungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung 1.
Fig. 2A bis 2C zeigen eine Schaltungsskizze eines Teils der Abstimm­ schaltung 1, wobei Fig. 2A die gesamte Schaltung darstellt, Fig. 2B ein Ersatzschaltbild für den Fall ist, daß das untere Frequenzband einge­ stellt ist, und Fig. 2C ein Ersatzschaltbild für den Fall, daß die Fre­ quenz dem oberen Frequenzband entspricht.
Anhand der Fig. 2A bis 2C soll im folgenden die Arbeitsweise der Abstimmschaltung 1 erläutert werden.
Wenn an einen Frequenzbandumschalt-Spannungszuführanschluss 6 eine negative Gleichspannung angelegt wird, sperrt die Schaltdiode 13, und die Abstimmschaltung 1 ist damit auf das untere Frequenzband eingestellt. Da in diesem Fall die Parallelschaltung insgesamt aus dem ersten Kondensator 9 und der ersten Mikrostreifenleitung 10 als äquiva­ lente Induktivität 17 fungiert, ist die Resonanzfrequenz in der oben erläuterten Weise eingestellt. Die Abstimmschaltung 1 wird von dem in Fig. 2A dargestellten Zustand in den in Fig. 2B dargestellten Zustand umgeschaltet, wonach eine äquivalente veränderliche Kapazitätsschaltung 18, bestehend aus der Serienschaltung der veränderlichen Kapazitäts­ diode 7 und dem Serienkondensator 8, parallel geschaltet ist zu der Serienschaltung aus der äquivalenten Induktivität 17 und der zweiten Mikrostreifenschaltung 11 zwischen dem Verbindungspunkt B und dem Referenzspannungspunkt. Die Kapazität der veränderlichen Kapazitäts­ diode 7 wird geändert durch die angelegte Abstimmsteuerspannung an dem Anschluß 3, und damit ändert sich auch die äquivalente Kapazität der äquivalenten, veränderlichen Kapazitätsschaltung 18, so daß die Abstimmfrequenz der Abstimmspannung 1 entsprechend eingestellt wird. In diesem Fall wird das veränderliche Kapazitätsverhältnis, das heißt, das veränderliche Frequenzverhältnis der spannungsgesteuerten veränder­ lichen Abstimmschaltung 1 bei Änderung der Abstimmsteuerspannung nur bestimmt durch die äquivalente Kapazität der Kapazitätsschaltung 18.
Wenn nun an den Frequenzbandumschaltspannungs-Zuführanschluss 6 eine positive Gleichspannung gelegt wird, leitet die Schaltdiode 13, wodurch die veränderliche Abstimmschaltung 1 auf das obere Frequenz­ band eingestellt wird. In diesem Fall ist die veränderliche Abstimmschal­ tung 1 für hochfrequente Anteile zwischen dem Verbindungspunkt D und dem Referenzspannungspunkt mit dem zweiten Kondensator und der Schaltdiode 13 kurzgeschlossen, so daß ein Übergang von dem in Fig. 2B dargestellten Zustand in den in Fig. 2C gezeigten Zustand erfolgt, wonach die äquivalente veränderliche Kapazitätsschaltung 18 sowohl zu der ersten Mikrostreifenleitung 10 als auch zu dem ersten Kondensator 9 zwischen dem Verbindungspunkt B und dem Referenzspannungspunkt parallel geschaltet ist. Ausserdem ändert sich der Kapazitätswert der veränderlichen Kapazitätsdiode 7 durch Ändern der an den Anschluss 3 angelegten Abstimmsteuerspannung, und damit ändert sich der äquiva­ lente Kapazitätswert der Kapazitätschaltung 18 ebenfalls, was die Ab­ stimmfrequenz der Abstimmschaltung 1 einstellt. In diesem Fall be­ stimmt sich das veränderliche Frequenzverhältnis der Abstimmschaltung 1 bei Änderung der Abstimmsteuerspannung durch die äquivalente Kapa­ zität der äquivalenten, veränderlichen Kapazitätsschaltung 18 und die Kapazität des ersten Kondensators 9.
Wie oben beschrieben, wird bei der erfindungsgemässen Abstimmschal­ tung 1 deren veränderliches Frequenzverhältnis groß, wenn die Fre­ quenz im unteren Frequenzbereich liegt, während es klein wird, wenn die Frequenz im oberen Frequenzband liegt. Aus diesem Grund läßt sich der veränderliche Frequenzbereich im unteren Frequenzband praktisch genau so gross einstellen wie der veränderliche Frequenzbereich im oberen Frequenzband, weil der Kapazitätswert des ersten Kondensators 9 entsprechend ausgewählt ist. Demzufolge läßt sich die gemeinsame Abstimmsteuerspannung sowohl im unteren als auch im oberen Fre­ quenzband verwenden; eine einen komplizierten Aufbau aufweisende Kompensationsschaltung, die bislang bei derartigen Abstimmschaltungen eingesetzt wurde, ist nicht mehr erforderlich, um die richtige Abstimm­ steuerspannung zu erzeugen.
Bei dem oben erläuterten Ausführungsbeispiel dienen die Mikrostreifen­ leitungen 10 und 11 als erste bzw. zweite Induktivität, allerdings ist die erfindungsgemäße spannungsgesteuerte Abstimmschaltung 1 nicht auf die Verwendung von Mikrostreifenleitungen beschränkt, die Induktivitäten können auch durch z. B. übliche Hochfequenzspulen gebildet werden.
Fig. 3 ist ein Kennwertediagramm, welches verschiedene Betriebskenn­ werte für den Fall zeigt, daß die dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung entsprechende Abstimmschaltung 1 als gemeinsamer Oszillator für ein schnurloses Telefon verwendet wird. Die Darstellung dient dem Vergleich mit entsprechenden Betriebskennwerten der Ab­ stimmschaltung 31 gemäss Fig. 4, wenn diese als gemeinsamer Oszilla­ tor für ein ähnliches schnurloses Telefon eingesetzt wird.
In der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung 1 hat die Kapazität des Serienkondensators 8 einen Wert von 3 pF, die Kapazität des ersten Kondensators 9 hat einen Wert von 2 pF, der veränderliche Kapazitätsbereich der Kapazitätsdiode 7 beträgt 15 bis 9,9 pF, die In­ duktivität der ersten Mikrostreifenleitung 10 beträgt 1,61 nH, und die Induktivität der zweiten Mikrostreifenleitung 10 beträgt 0,21 nH. Ferner hat in der spannungsgesteuerten veränderlichen Abstimmschaltung 31 die Kapazität des Serienkondensators 38 einen Wert von 3 pF, die Kapazität des ersten Kondensators 39 hat einen Wert von 2 pF, der veränderliche Kapazitätsbereich der Kapazitätsdiode 37 liegt zwischen 15 und 9,9 pF, die Induktivität der ersten Mikrostreifenleitung 40 beträgt 1,61 nH, und die Induktivität der zweiten Mikrostreifenleitung 41 beträgt 0,28 nH. Der veränderliche Bereich der Abstimmsteuerspannung, die sowohl an die veränderliche Abstimmschaltung 1 als auch die veränderliche Ab­ stimmschaltung 31 gelegt wird, ist auf 0,5 V (kleinste Schwingungsfre­ quenz) bis 2,5 V (maximale Schwingungsfrequenz) festgelegt.
Wenn die bekannte spannungsgesteuerte Abstimmschaltung 31 verwendet wird, so läßt sich aus Fig. 3 ersehen, dass der veränderliche Frequenz­ bereich eine Differenz von etwa 2,5 MHz aufweist, nämlich 40,43 MHz für das untere Schwingungsfrequenzband und 42,99 MHz für das obere Frequenzband beträgt, während andererseits bei der bevorzugten Ausfüh­ rungsform der erfindungsgemässen veränderlichen Abstimmschaltung 1 der veränderliche Frequenzbereich praktisch unverändert ist, da er beim unteren Frequenzband bei 42,90 MHz und beim oberen Frequenzband bei 42,99 MHz liegt.
Wie oben im einzelnen ausgeführt wurde, hat die erfindungsgemässe Abstimmschaltung 1 die Wirkung, daß, weil das veränderlich Frequenz­ verhältnis im unteren Frequenzband groß und im oberen Frequenzband klein wird, der veränderliche Frequenzbereich im unteren Frequenzband praktisch genauso groß ist wie im oberen Frequenzband, wenn der Kapazitätswert des ersten Kondensators 9 richtig ausgewählt ist.
Darüber hinaus schafft die erfindungsgemässe spannungsgesteuerte Ab­ stimmschaltung 1 auch die Möglichkeit, eine gemeinsame Abstimmsteu­ erschaltung für das untere und für das oberen Frequenzband zu verwenden, so daß eine teuere, weil komplizierte Kompensationsschal­ tung, wie sie bei bekannten Abstimmschaltungen dieser Art verwendet wird, entfallen und dennoch eine richtige Abstimmsteuerspannung er­ zeugt werden kann.

Claims (2)

1. Spannungsgesteuerte veränderliche Abstimmschaltung (1) mit einer ersten und einer zweiten in Reihe geschalteten Induktivität (10, 11), einer parallel zu der ersten und der zweiten Induktivität (10, 11) geschalteten spannungsgesteuerten veränderlichen Kapazität (7), einer Bandumschalteinrichtung (5, 6, 12, 13), die parallel zu der zweiten Induktivität (11) geschaltet ist, und einer ersten Kapazität (9), dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kapazität (9) parallel zu der ersten Induktivität (10) geschaltet ist, wobei die Abstimmschaltung (1) ein induktives Element eines Colpitts-Oszillators (4) ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Induktivität jeweils als Mikrostreifenleitung (10, 11) ausgebildet sind, dass die spannungsgesteuerte veränderliche Kapa­ zität durch eine Kapazitätsdiode (7) gebildet wird, und dass die Bandumschalteinrichtung eine Schaltdiode (13) aufweist.
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