DE19639176A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Bilden von Elektroden elektronischer Komponenten - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bilden einer Elektrode einer elektronischen Komponente und eine Vorrichtung zur Verwendung bei dem Verfahren. Insbeson­ dere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Vor­ richtung und ein Verfahren zum Bilden einer Elektrode einer elektronischen Komponente, beispielsweise eines Keramikos­ zillators, eines Keramikfilters oder einer anderen geeigne­ ten Komponente.

Ein bekanntes Verfahren zum Bilden eines Elektrodenmusters auf einem Substrat einer elektronischen Komponente weist den Schritt des Bildens eines gewünschten Elektrodenmusters auf der Oberfläche des Substrats durch Sputtern oder das Durch­ führen einer Dampfabscheidung unter Verwendung beispielswei­ se einer Maskenplatte aus Metall auf. Entsprechend dieses Verfahrenstyps zum Bilden eines Elektrodenmusters wird eine Maskenplatte, die Durchgangslöcher aufweist, die dem Elek­ trodenmuster entsprechen, an einer der Hauptflächen des Sub­ strats angebracht, woraufhin ein Sputtern von der Oberseite derselben auf die Maskenplatte durchgeführt wird, so daß das Elektrodenmaterial durch die Durchgangslöcher gelangt und an der Oberfläche des Substrats anhaftet, um eine Filmelektrode zu bilden. Folglich wird auf diese Art und Weise ein ge­ wünschtes Elektrodenmuster auf einer der Hauptflächen des Substrats gebildet.

Ein weiteres bekanntes Verfahren zum Bilden eines Elektro­ denmusters weist den Schritt des Bildens einer Filmelektrode auf einer gesamten Oberfläche einer der Hauptflächen des Substrats durch Sputtern oder das Durchführen einer Dampfab­ scheidung und das nachfolgende Entfernen der unnötigen Elek­ trodenabschnitte durch Drucken oder Ätzen von dem Substrat auf, um dadurch das gewünschte Elektrodenmuster zu bilden.

Unter Verwendung des oben beschriebenen, erstgenannten Ver­ fahrens zum Bilden eines Elektrodenmusters unter Verwendung einer Maskenplatte ist es jedoch schwierig, beispielsweise ein ringartiges Elektrodenmuster zu bilden, d. h. ein Elek­ trodenmuster, das einen elektrodenfreien Abschnitt aufweist, der von einem Elektrodenabschnitt umgeben ist.

Das letztgenannte, oben beschriebene Verfahren zum Bilden eines Elektrodenmusters, das den Schritt des Bildens einer Filmelektrode auf der gesamten Oberfläche des Substrats und das Drucken oder Ätzen der ungewollten Elektrodenabschnitte aufweist, kann nur eine geringe Produktivität ergeben, da dieses Verfahren die zusätzlichen Schritte des Druckens oder Ätzens der ungewollten Elektrodenabschnitte erfordert. Fer­ ner existiert die Gefahr, die Oberfläche des Substrats wäh­ rend des Ätzens, Druckens oder anderer Schritte zum Entfer­ nen der ungewollten Abschnitte der Filmelektrode zu beschä­ digen, und die elektrischen Charakteristika des resultieren­ den Produkts zu beschädigen. Überdies existiert die Gefahr, daß die Ätzbehandlung eine verschlechterte Elektrodenschicht auf der Oberfläche des Substrats erzeugt.

Ferner wurde bei beiden Verfahren zum Bilden eines Elektro­ denmusters, die oben beschrieben sind, festgestellt, daß die Verfahren das zweimalige oder häufigere Durchführen des Filmabscheidungsschritts nötig machen, um die Dicke der Filmelektrode, die auf der Oberfläche des Substrats abge­ schieden wird, zu ändern. Das heißt, daß die Verfahren aufgrund des Bedarfs, viele zusätzliche Schritte durchzuführen, ver­ kompliziert sind. Folglich ist es bei den oben beschriebenen Verfahren schwierig, Elektroden, die unterschiedliche Film­ dicken aufweisen, auf der gleichen Oberfläche eines Sub­ strats einfach und genau zu bilden.

Ausgehend von dem genannten Stand der Technik liegt der vor­ liegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, arbeitssparende Herstellungs-Verfahren und -Vorrichtungen zum Bilden einer Elektrode einer elektronischen Komponente zu schaffen, die es ferner ermöglichen, Elektroden unterschiedlicher Film­ dicken zu bilden.

Diese Aufgabe wird durch Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 und 6, sowie Vorrichtungen gemäß den Ansprüchen 7 und 12 gelöst.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung schaffen ein einfaches und arbeitssparendes Verfahren zum Bilden einer Elektrode einer elektronischen Komponente, um Elektroden mit unterschiedlichen Filmdicken genau und ein­ fach zu bilden, und schaffen eine Vorrichtung zur Verwendung bei den Verfahren.

Gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode einer elektronischen Komponente, daß folgen­ de Schritte aufweist: Vorbereiten eines Werkstückes; Plazie­ ren einer Maske auf einer Hauptfläche des Werkstückes; und Aufbringen eines Elektrodenmaterials über der Maske auf die Hauptfläche des Werkstücks, um zumindest eine Elektrode zu bilden, wobei die Maske zumindest ein Durchgangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, zumindest einen Maskie­ rungsabschnitt, der in Kontakt mit einem vorbestimmten Ab­ schnitt des Werkstücks gebracht wird, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks abzuschirmen, und einen Pseudomas­ kierungsabschnitt aufweist, der derart gebildet ist, daß ei­ ne untere Oberfläche desselben um einen Abstand von einer unteren Oberfläche des zumindest einen Maskierungsabschnitts angeordnet ist, um dadurch den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks scheinbar zu maskieren.

Gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Bilden zumin­ dest einer Elektrode einer elektronischen Komponente durch das haftende Anbringen eines Elektrodenmaterials, um unter Verwendung einer Maske zumindest eine Elektrode auf dem Werkstück zu schaffen, wobei die Maske zumindest ein Durch­ gangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, zumindest einen Maskierungsabschnitt, der in Kontakt mit einem vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks gebracht wird, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks abzuschirmen, und zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der gebildet ist, um eine untere Oberfläche aufzuweisen, die in einem Abstand von dem zumindest einen Maskierungsabschnitt angeordnet ist, um dadurch den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks scheinbar zu maskieren.

Bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß die Maske derart gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a kleiner als 3 ist, wobei a einen Abstand zwischen einer unteren Oberfläche des zumindest ei­ nen Pseudomaskierungsabschnitts und einer oberen Oberfläche oder oberen Hauptfläche des Werkstücks darstellt, und b die Breite des zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitts dar­ stellt.

Die Maske gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann eine Mehrzahl von Pseudomaskie­ rungsabschnitten aufweisen. In einem solchen Fall kann die Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnitten in einer Arrayan­ ordnung oder in einer gitterartigen Anordnung vorliegen.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode einer elektronischen Komponente, das folgen­ de Schritte aufweist: Vorbereiten eines Werkstückes; Plazie­ ren einer Maske auf einer oberen Oberfläche des Werkstückes; und Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske auf eine obere Oberfläche des Werkstücks, um zumindest eine Elektrode zu bilden, wobei die Maske zumindest ein Durch­ gangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, und zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der gebildet ist, um eine untere Oberfläche aufzuweisen, die in einem Abstand von einer unteren Oberfläche der Maske in einer Dickenrich­ tung der Maske gebildet ist, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks dadurch scheinbar zu maskieren; wobei die Maske auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a gleich oder größer als drei ist, wobei a ei­ nen Abstand zwischen der unteren Oberfläche des zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitts und der oberen Oberfläche des Werkstücks darstellt, und b die Breite des zumindest ei­ nen Pseudomaskierungsabschnitts darstellt.

Gemäß noch einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Bil­ den zumindest einer Elektrode einer elektronischen Komponen­ te durch das Aufbringen eines Elektrodenmaterials unter Ver­ wendung einer Maske, um zumindest eine Elektrode auf dem Werkstück zu schaffen, wobei die Maske zumindest ein Durch­ gangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, und zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der eine untere Oberfläche aufweist, die in einem Abstand von einer unteren Oberfläche der Maske in der Dickenrichtung der Maske gebil­ det ist, um dadurch den vorbestimmten Abschnitt des Werk­ stücks scheinbar zu maskieren, wobei die Maske auf eine sol­ che Art und Weise gebildet ist, daß das Verhältnis b/a gleich oder größer als drei ist, wobei a den Abstand zwi­ schen der unteren Oberfläche des zumindest einen Pseudomas­ kierungsabschnitts und einer oberen Oberfläche des Werk­ stücks darstellt, und b die Breite des zumindest einen Pseu­ domaskierungsabschnitts darstellt.

Gemäß noch einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode einer elektronischen Komponente mit folgenden Schritten: Vorbereiten eines Werkstückes; Pla­ zieren einer Maske auf einer Hauptfläche des Werkstückes; und Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske auf die Hauptfläche des Werkstücks, um zumindest eine Elektrode zu bilden, wobei die Maske zumindest ein Durchgangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, und zumindest einen Pseudo­ maskierungsabschnitt aufweist, der derart gebildet ist, daß eine untere Oberfläche desselben in einem Abstand von einer unteren Oberfläche der Maske in einer Dickenrichtung der Maske angeordnet ist, um dadurch den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks scheinbar zu maskieren, wobei der zumindest eine Pseudomaskierungsabschnitt einen ersten Pseudomaskie­ rungsabschnitt, der auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß das Verhältnis b/a kleiner als drei ist, und einen zweiten Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß das Verhältnis b/a gleich oder größer drei ist, wobei a einen Abstand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts und einer oberen Ober­ fläche des Werkstücks darstellt, und b die Breite des jewei­ ligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts darstellt.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel schafft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zum Bilden zumin­ dest einer Elektrode einer elektronischen Komponente durch das haftende Aufbringen eines Elektrodenmaterials unter Ver­ wendung einer Maske, um zumindest eine Elektrode auf einem Werkstück zu bilden, wobei die Maske zumindest ein Durch­ gangsloch, das sich von einer der Hauptflächen der Maske zu der anderen Hauptfläche der Maske erstreckt, und zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der gebildet ist, um eine untere Oberfläche aufzuweisen, die in einer Dicken­ richtung der Maske in einem Abstand von einer unteren Ober­ fläche der Maske angeordnet ist, um dadurch den vorbestimm­ ten Abschnitt des Werkstücks scheinbar zu maskieren; wobei der zumindest eine Pseudomaskierungsabschnitt einen ersten Pseudomaskierungsabschnitt, der auf eine solche Art und Wei­ se gebildet ist, daß das Verhältnis b/a kleiner als drei ist, und einen zweiten Pseudomaskierungsabschnitt aufweist, der auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß das Ver­ hältnis b/a gleich oder größer als drei ist, wobei a den Ab­ stand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts und einer oberen Oberfläche des Werkstücks darstellt, und b die Breite des jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungs­ abschnitts darstellt.

Bei dem Verfahren gemäß dem zumindest einen bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gelangt das Elektrodenmaterial durch das zumindest eine Durchgangsloch und haftet an der Hauptfläche des Werkstücks, die durch das zumindest eine Durchgangsloch freigelegt ist. Der Maskie­ rungsabschnitt ist mit einem vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks in Kontakt gebracht und schirmt den vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks ab, derart, daß das Elektrodenmaterial an demselben nicht haftet. Der zumindest eine Pseudomaskierungsabschnitt trägt und verstärkt den Maskierungsabschnitt. Wenn das Elektroden­ material durch das Durchgangsloch gelangt, gelangt das Elek­ trodenmaterial zwischen den zumindest einen Pseudomaskie­ rungsabschnitt und die Hauptfläche des Werkstücks, wobei das Elektrodenmaterial an dem Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks anhaftet, der gegenüber dem zumindest einen Pseu­ domaskierungsabschnitt angeordnet ist.

Folglich haftet das Elektrodenmaterial auf der Hauptfläche des Werkstücks entsprechend dem gewünschten Elektrodenmu­ ster, um die zumindest eine Filmelektrode einfach und genau zu liefern. Hierbei ist der Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks, der gegenüberliegend dem zumindest einen Pseudo­ maskierungsabschnitt angeordnet ist, partiell durch den zu­ mindest Pseudomaskierungsabschnitt, der in einem Abstand von der oberen Oberfläche des Werkstücks vorgesehen ist, abge­ schirmt. Folglich haftet verglichen mit dem Elektrodenmate­ rial, das an der Hauptfläche des Werkstücks haftet, die durch das Durchgangsloch freigelegt ist, weniger Elektroden­ material an dem Abschnitt des Werkstücks, der dem zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt gegenüberliegt. Daher wird die Filmdicke des Elektrodenmaterials, das an dem Abschnitt des Werkstücks haftet, der dem Pseudomaskierungsabschnitt gegenüberliegt, dünner als die Filmdicke des Elektrodenmate­ rials, das an der Hauptfläche des Werkstücks, die durch das Durchgangsloch freigelegt ist, haftet.

Wenn die Maske auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß ein Verhältnis der Breite b des zumindest einen Pseudo­ maskierungsabschnitts zu dem Abstand a zwischen dem zumin­ dest einen Pseudomaskierungsabschnitt und dem Werkstück, b/a, vorzugsweise kleiner als drei ist, gelangt das Elektro­ denmaterial derart zwischen den zumindest einen Pseudomas­ kierungsabschnitt und die Hauptfläche des Werkstücks, daß sichergestellt ist, daß eine gewünschte Dicke der Filmelek­ trode durch das Elektrodenmaterial gebildet wird und an dem vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks, die dem zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt gegenüber­ liegt, anhaftet.

Wenn eine Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnitten in einer Arrayanordnung oder in einer gitterartigen Anordnung vorge­ sehen sind, haftet das Elektrodenmaterial, das zwischen die Pseudomaskierungsabschnitte und die Hauptfläche des Werk­ stücks gelangt, überdies flach an dem vorbestimmten Ab­ schnitt der Hauptebene des Werkstücks. In diesem Fall kann verglichen mit dem Fall, in dem ein einzelner Pseudomaskie­ rungsabschnitt verwendet ist, ein größerer Teil der Haupt­ fläche des Werkstücks gegenüber dem Pseudomaskierungsab­ schnitt angeordnet sein. Folglich nimmt die Haftfläche des Elektrodenmaterials zu, wobei als eine Folge dessen das Elektrodenmaterial flacher an der Hauptfläche des Werkstücks haftet.

Falls die Maske auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß dieselbe einen zweiten Maskierungsabschnitt aufweist, bei dem ein Verhältnis der Breite b des zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitts zu dem Abstand a zwischen dem zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitt und dem Werk­ stück, b/a, gleich oder größer drei ist, kann sich das Elek­ trodenmaterial nicht zu dem vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks, der gegenüber dem zweiten Pseu­ domaskierungsabschnitt angeordnet ist, ausdehnen. Das heißt, daß das Elektrodenmaterial nicht an diesem vorbestimmten Ab­ schnitt der Hauptfläche des Werkstücks haftet. Folglich kann der zweite Pseudomaskierungsabschnitt, der auf eine solche Art und Weise gebildet ist, daß b/a gleich oder größer drei ist, den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks selektiv ab­ schirmen.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts, der ein Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts, der ein Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 3 einen Querschnitt entlang der Linie III-III von Fig. 2.

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht eines Beispiels eines Elektrodenmusters, das gemäß einem Verfahren eines bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gebildet ist;

Fig. 5 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts, der ein weiteres Beispiel ge­ mäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 6 eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts, der ein weiteres Beispiel gemäß einem weiteren be­ vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung zeigt;

Fig. 7 einen Querschnitt entlang der Linie VII-VII von Fig. 6;

Fig. 8 eine perspektivische Ansicht noch eines weiteren Beispiels eines Elektrodenmusters, das gemäß einem Verfahren eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung gebildet ist;

Fig. 9 eine vergrößerte, erklärende Ansicht des Hauptab­ schnitts, der einen Zustand während eines Sputterns zeigt, in dem sich die Elektrodenpartikel in einen Abschnitt erstrecken, der dem Schatten des Pseudo­ maskierungsabschnitts entspricht, und an demselben haften; und

Fig. 10 eine vergrößerte, erklärende Ansicht des Hauptab­ schnitts, der einen Zustand von haftenden Elektro­ denpartikeln in dem Fall darstellt, in dem ein Sputtern unter Verwendung eines Maskierungsbau­ glieds, das in den Fig. 1, 2 oder 3 dargestellt ist, durchgeführt wird.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend detaillierter be­ zugnehmend auf bevorzugte Ausführungsbeispiele gemäß der vorliegenden Erfindung und auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es sollte jedoch offensichtlich sein, daß die vorliegende Erfindung nicht als darauf begrenzt betrachtet werden sollte.

Fig. 1 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts, die ein Beispiel gemäß einem bevorzug­ ten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt; Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts, der ein Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt; und Fig. 3 ist ein Quer­ schnitt entlang der Linie III-III von Fig. 2. In der folgen­ den Beschreibung wird zuerst die Vorrichtung zur Verwendung bei dem Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode einer elektronischen Komponente gemäß den bevorzugten Ausführungs­ beispielen der vorliegenden Erfindung beschrieben.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, weist eine Vorrichtung 10 ein Maskierungsbauglied 12 zur Verwendung als eine Maske auf. Das Maskierungsbauglied 12 weist vorzugsweise einen ersten Maskierungsabschnitt 14, der in der Form beispielsweise ei­ ner im wesentlichen rechteckigen Schleife vorgesehen ist, auf. Das Maskierungsbauglied 12 weist ferner vorzugsweise einen zweiten Maskierungsabschnitt 16 auf, der beispielswei­ se vorzugsweise als ein im wesentlichen rechteckiger Ab­ schnitt vorgesehen ist, der näherungsweise in dem mittleren Abschnitt des ersten Maskierungsabschnitts 14 angeordnet ist. Der zweite Maskierungsabschnitt 16 ist durch den ersten Maskierungsabschnitt 14 gehalten, beispielsweise durch vier Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d. Das heißt, daß die Kante der inneren peripheren Seite des ersten Maskie­ rungsabschnitts 14 und die Kante auf der äußeren peripheren Seite des zweiten Maskierungsabschnitts 16 durch die vier Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d in einem Abstand zueinander verbunden sind.

Die vier Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d sind jeweils gebildet, um vorzugsweise ein im wesentlichen rechteckige Form aufzuweisen. Ein Pseudomaskierungsabschnitt 18a ist vorzugsweise zwischen einem Hauptseitenabschnitt 14a des ersten Maskierungsabschnitts 14 und einem Hauptseitenab­ schnitt 16a des zweiten Maskierungsabschnitts 16, der dem größeren Seitenabschnitt 14a gegenüberliegt, angeordnet. Ein Ende des Pseudomaskierungsabschnitts 18a ist an dem oberen Abschnitt der inneren peripheren Kante des ersten Maskie­ rungsabschnitts 14, näherungsweise an dem mittleren Ab­ schnitt des Hauptseitenabschnitts 14a desselben, befestigt, während das andere Ende des Pseudomaskierungsabschnitts 18a an dem oberen Abschnitt der inneren peripheren Kante des zweiten Maskierungsabschnitts 16, näherungsweise an dem mittleren Abschnitt des Hauptseitenabschnitts 16a desselben, befestigt ist.

Das heißt, daß die vier Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d jeweils vorzugsweise gebildet sind, um sich um einen vorbestimmten Abstand zwischen einer inneren Kante des er­ sten Maskierungsabschnitts 14 und von einer inneren Kante des zweiten Maskierungsabschnitts 16 zu erstrecken.

Die obere planare Oberfläche des Pseudomaskierungsabschnitts 18a und die oberen planaren Oberflächen des ersten Maskie­ rungsabschnitts 14 und des zweiten Maskierungsabschnitts 16 sind derart gebildet, daß dieselben in einer gemeinsamen Ebene angeordnet sind. Jedoch sind die unteren planaren Oberflächen des Pseudomaskierungsabschnitts 18a und die un­ teren planaren Oberflächen des ersten und des zweiten Mas­ kierungsabschnitts 16 und 18, wie nachfolgend beschrieben wird, nicht in einer Ebene angeordnet.

Ähnlich dem Pseudomaskierungsabschnitt 18a ist der Pseudo­ maskierungsabschnitt 18b vorzugsweise zwischen dem zweiten Hauptseitenabschnitt 14b des ersten Maskierungsabschnitts 14 und dem zweiten Hauptseitenabschnitt 16b des zweiten Maskie­ rungsabschnitts 16, der gegenüber dem Hauptseitenabschnitt 14b angeordnet ist, angeordnet. Ein Ende des Pseudomaskie­ rungsabschnitts 18b ist an dem oberen Abschnitt der inneren peripheren Kante des ersten Maskierungsabschnitts 14, nähe­ rungsweise in dem mittleren Abschnitt des Hauptseitenab­ schnitts 14b desselben, befestigt, während das andere Ende des Pseudomaskierungsabschnitts 18b an dem oberen Abschnitt der inneren peripheren Kante des zweiten Maskierungsab­ schnitts 16, näherungsweise in dem mittleren Abschnitt des Hauptseitenabschnitts 16b desselben, befestigt ist.

Der Pseudomaskierungsabschnitt 18c ist vorzugsweise zwischen einem Nebenseitenabschnitt 14c des ersten Maskierungsab­ schnitts 14 und einem Nebenseitenabschnitt 16c des zweiten Maskierungsabschnitts 16, der dem Nebenseitenabschnitt 14c gegenüberliegt, angeordnet. Ein Ende des Pseudomaskierungs­ abschnitts 18c ist an dem oberen Abschnitt der inneren peri­ pheren Kante des ersten Maskierungsabschnitts 14, näherungs­ weise in dem mittleren Abschnitt des Nebenseitenabschnitts 14c desselben, befestigt, während das andere Ende des Pseu­ domaskierungsabschnitts 18c an dem oberen Abschnitt der in­ neren peripheren Kante des zweiten Maskierungsabschnitts 16, näherungsweise an dem mittleren Abschnitt des Nebenseitenab­ schnitts 16c desselben, befestigt ist.

Der Pseudomaskierungsabschnitt 18d ist vorzugsweise zwischen dem zweiten Nebenseitenabschnitt 14d des ersten Maskierungs­ abschnitts 14 und dem zweiten Nebenseitenabschnitt 16d des zweiten Maskierungsabschnitts 16, der dem Nebenseitenab­ schnitt 14d gegenüberliegt, angeordnet. Ein Ende des Pseu­ domaskierungsabschnitts 18d ist an dem oberen Abschnitt der inneren peripheren Kante des ersten Maskierungsabschnitts 14, näherungsweise an einem mittleren Abschnitt des Neben­ seitenabschnitts 14d desselben, befestigt, während das an­ dere Ende des Pseudomaskierungsabschnitts 18d an dem oberen Abschnitt der inneren peripheren Kante des zweiten Maskie­ rungsabschnitts 16, näherungsweise an dem mittleren Ab­ schnitt des Nebenseitenabschnitts 16d desselben, befestigt ist.

Wie deutlich aus Fig. 3 zu sehen ist, ist eine untere Ober­ fläche von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d (auch wenn 18c in Fig. 3 nicht zu sehen ist) in einem Abstand a von einer unteren Oberfläche der Maskie­ rungsabschnitte 14 und 16 und einer oberen Oberfläche des Substrats 22 angeordnet.

Falls ein Maskierungsbauglied 12 an einem Substrat 22 ange­ bracht ist, was hierin nachfolgend beschrieben wird, wie in Fig. 3 gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung gezeigt ist, ist speziell das Maskie­ rungsbauglied 12 auf eine solche Art und Weise aufgebaut, daß ein Verhältnis b/a vorzugsweise kleiner als drei ist, wobei a den Abstand zwischen einer oberen Oberfläche des Substrats 22 und einer unteren planaren Oberfläche von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d in ei­ ner Dickenrichtung darstellt, und b die Breite von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d darstellt.

Bei dem Maskierungsbauglied 12 wirken der erste Maskierungs­ abschnitt 14, der zweite Maskierungsabschnitt 16 und die vier Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d zu­ sammen, um beispielsweise vier planare Durchgangslöcher 20a, 20b, 20c und 20d, die jeweils näherungsweise eine L-Form aufweisen, zu bilden. Der erste Maskierungsabschnitt 14, der zweite Maskierungsabschnitt 16 und die vier Pseudomaskie­ rungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d sind vorzugsweise un­ ter Verwendung eines metallischen Materials, beispielsweise rostfreiem Stahl, monolithisch gebildet.

Ferner können die Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d gebildet sein, um dünner zu sein als eine Dicke des ersten Maskierungsabschnitts 14 und des zweiten Maskierungs­ abschnitts 16, indem diese Abschnitte während des Formge­ bungsprozesses des Maskierungsbauglieds 12 beispielsweise halb-geätzt werden.

Im allgemeinen wird die Maske vorzugsweise gebildet, indem zuerst beide Flächen der Maskenplatte mit einem Harz, das dem gewünschten Maskenmuster entspricht, beschichtet werden, und danach das Ätzverfahren von beiden Seiten durchgeführt wird. Der Ausdruck "Halb-Ätzen", wie er hierin verwendet wird, bedeutet das Beschichten jeder der Flächen mit Harzen, die unterschiedliche Formen aufweisen, und das Durchführen des Ätzverfahrens partiell von nur einer Ebene.

Bei dem Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sind der Abstand a in der Dicken­ richtung des ersten Maskierungsabschnitts 14 oder des zwei­ ten Maskierungsabschnitts 16 zwischen einer oberen Oberflä­ che des Substrats 22 und einer unteren Oberfläche von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d und die Breite b von jedem der Maskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d vorzugsweise derart eingestellt, daß das Verhäl­ tnis b/a kleiner als drei ist.

Ein Verfahren zum Bilden einer Elektrode einer elektroni­ schen Komponente unter Verwendung der Vorrichtung 10, die mit dem vorher genannten Maskenbauglied 12 ausgerüstet ist, wird nachfolgend bezugnehmend auf die Fig. 1 bis 3 beschrie­ ben. Bei dem Beispiel gemäß einem bevorzugten Ausführungs­ beispiel der vorliegenden Erfindung wird beispielsweise eine bekannte Glühentladungs-Sputtervorrichtung, die mit einem Maskierungsbauglied 12 ausgestattet ist, verwendet.

Zuerst wird beispielsweise ein im wesentlichen rechteckiges planares Substrat 22 als das Werkstück vorbereitet. Das Sub­ strat 22 kann beispielsweise aus piezoelektrischer Keramik oder einem anderen geeigneten Material bestehen.

Ein Maskierungsbauglied 12 wird an einer der Hauptflächen des Substrats 22 befestigt. Das heißt, daß der erste Maskierungs­ abschnitt 14 und der zweite Maskierungsabschnitt 16 des Mas­ kierungsbauglieds 12 in Kontakt mit einer der Hauptflächen des Substrats 22 gebracht werden, derart, daß die Maskie­ rungsabschnitte 14 und 16 die vorbestimmten Abschnitte der Hauptfläche des Substrats 22 bedecken. Ein Abstand von a ist zwischen einer unteren Oberfläche von jedem der Pseudomas­ kierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d, die jeweils eine Breite von b aufweisen, und einer der Hauptflächen des Sub­ strats 22 definiert.

Das Substrat 22, an dem das Maskierungsbauglied 12 ange­ bracht ist, wird dann an dem Anodenabschnitt der Glühentladungs-Sputtervorrichtung angeordnet.

Die Glühentladungs-Sputtervorrichtung wird danach betrieben, um das Kathodenabschnittsziel, das aus dem Elektrodenmate­ rial besteht, mit den positiven Ionen, die durch die Glüh­ entladung erzeugt werden, zu bestrahlen. Folglich wird das Elektrodenmaterial durch die kollidierenden positiven Ionen verdampft, so daß die Partikel der Elektrode (die hierin nachfolgend der Einfachheit halber als "Elektrodenpartikel" bezeichnet werden) an dem Substrat 22, an dem das Maskie­ rungsbauglied 12 befestigt ist, anhaften.

In dem vorliegenden Fall gelangen die Elektrodenpartikel durch die Durchgangslöcher 20a, 20b, 20c und 20d des Maskie­ rungsbauglieds 12 und haften an dem vorbestimmten Abschnitt, der den Durchgangslöchern 20a, 20b, 20c und 20d entspricht, auf einer der Hauptflächen des Substrats 22, um zumindest eine Filmelektrode zu bilden. Ferner breiten sich die Elek­ trodenpartikel in die Zwischenräume zwischen jedem der Pseu­ domaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d und die obere Oberfläche des Substrats 22 aus, um zumindest eine Filmelek­ trode zu bilden. Folglich wird beispielsweise, wie in Fig. 4 gezeigt ist, ein Elektrodenmuster 24 einer im wesentlichen rechteckigen Schleife mit einem elektrodenfreien Abschnitt 24a in der Mitte desselben entsprechend dem gewünschten Elektrodenmuster gebildet.

Gemäß dem obigen Verfahren zum Bilden zumindest einer Elek­ trode einer elektronischen Komponente unter Verwendung einer Vorrichtung 10, die mit einem Maskierungsbauglied 12 ausge­ stattet ist, kann ohne weiteres ein Schleifenelektrodenmu­ ster mit einem elektrodenfreien Abschnitt gleichzeitig zu einer Filmabscheidung hergestellt werden. Da es bei dem Ver­ fahren gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vor­ liegenden Erfindung ferner nicht notwendig ist, den unnöti­ gen Elektrodenabschnitt durch Drucken, Ätzen, oder andere Elektrodenbeseitigungsschritte zu beseitigen, können diese Druck- und Ätz-Schritte aus dem Verfahren beseitigt sein. Folglich kann die Produktivität verglichen mit der der be­ kannten Verfahren, die die Druck- und Ätz-Schritte erfor­ dern, erhöht sein. Außerdem können die elektrischen Charak­ teristika der elektronischen Komponenten unbeschädigt und unbeeinflußt bleiben, da verhindert werden kann, daß eine Beschädigung des Substrats 22, die durch ein Ätzen oder eine Elektrodenmaterialbeseitigung bewirkt wird, stattfindet.

Bei dem obigen Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektro­ de einer elektronischen Komponente, wurde ein Maskierungs­ bauglied 12 gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung für das sogenannte Sputtern unter Verwendung einer Glühentladungs-Sputtervorrichtung verwen­ det. Dasselbe kann jedoch auch für andere Prozesse, bei­ spielsweise eine Dampfabscheidung oder anderer Elektroden­ bildungsverfahren, verwendet werden.

Fig. 5 ist eine auseinandergezogene, perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts, die ein weiteres Beispiel gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt; Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts, die ein weiteres Beispiel gemäß einem wei­ teren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung zeigt; Fig. 7 ist ein Querschnitt entlang der Linie VII-VII von Fig. 6. Verglichen mit dem bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das in den Fig. 1 bis 3 gezeigt ist, weist das weitere bevorzugte Ausführungs­ beispiel der vorliegenden Erfindung keinen zweiten Maskie­ rungsabschnitt 16 auf, sondern eine Mehrzahl von Pseudomas­ kierungsabschnitten, die vorzugsweise vertikal und horizon­ tal in einer gitterartigen Anordnung angeordnet sind.

Bei dem Verfahren zum Bilden einer Elektrode einer elektro­ nischen Komponente unter Verwendung eines Maskierungsbau­ glieds 12, wie es in den Fig. 5 bis 7 gezeigt ist, wird zu­ erst ein Substrat 22 als ein Werkstück vorbereitet. Danach wird das Maskierungsbauglied 12, wie es in den Fig. 5 bis 7 gezeigt ist, an dem Substrat 22 angebracht. Ähnlich dem be­ vorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das in den Fig. 1 bis 3 gezeigt ist, wird das Substrat 22, das mit dem Maskierungsbauglied 12 versehen ist, beispiels­ weise an den Anodenabschnitt einer Glühentladungs-Sputtervorrichtung angeordnet und wird einem Sputterverfahren un­ terworfen.

Die Elektrodenpartikel gelangen durch ein erstes Durchgangs­ loch 26 und eine Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern 28, die in dem Maskierungsbauglied 12 vorgesehen sind, und haf­ ten an den vorbestimmten Abschnitten einer der Hauptflächen des Substrats, die dem ersten Durchgangsloch 26 und den zweiten Durchgangslöchern 28 entsprechen. Ferner gelangen die Elektrodenpartikel zwischen eine der Hauptflächen des Substrats 22 und die Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnit­ ten 30, 30, . . ., 30 und haften an der Oberfläche des Sub­ strats 22, die gegenüber den Pseudomaskierungsabschnitten 30 angeordnet ist, um zumindest eine Filmelektrode zu bilden. Folglich wird beispielsweise ein im wesentlichen recht­ eckiges Elektrodenmuster 32, wie es in Fig. 8 gezeigt ist, auf einer der Hauptflächen des Substrats 22 gebildet.

Das heißt, daß eine erste Filmelektrode 32a nach dem Durchdringen des ersten Durchgangslochs 26 auf dem Substrat 22 gebildet wird, da dasselbe entsprechend dem ersten Durchgangsloch 26 freigelegt ist. Nachdem eine Mehrzahl der zweiten Durch­ gangslöcher 28 durchdrungen ist, wird eine zweite Filmelek­ trode 32b auf dem Substrat 22 gebildet, da dasselbe entspre­ chend den zweiten Durchgangslöchern 28 freiliegend ist, und ist zwischen dem gitterartigen Pseudomaskierungsabschnitt 30 und dem Substrat 22 angeordnet, um eine zweite Filmelektrode 32b auf dem vorbestimmten Abschnitt des Substrats 22, der gegenüber dem gitterartigen Pseudomaskierungsabschnitt 30 angeordnet ist, zu bilden.

In diesem Fall ist die Mehrzahl von Pseudomaskierungsab­ schnitten 30 derart aufgebaut, daß ein Verhältnis b/a klei­ ner als drei ist, wobei a den Abstand zwischen einer unteren Oberfläche von jedem der Mehrzahl von Pseudomaskierungsab­ schnitten 30 und der oberen Oberfläche des Substrats 22 dar­ stellt, und b die Breite von jedem der Pseudomaskierungsab­ schnitte darstellt. Da die Mehrzahl von Pseudomaskierungsab­ schnitten 30 ferner in einer gitterartigen Anordnung vorge­ sehen ist, ist die zweite Filmelektrode 32b ferner dünner als die erste Filmelektrode 32a. Da die Mehrzahl der Pseudo­ maskierungsabschnitte 30 horizontal und vertikal angeordnet sind, um eine gitterartige Anordnung zu bilden, gelangt das Elektrodenmaterial ferner zwischen den Pseudomaskierungsab­ schnitt 30 und das Substrat 22 und haftet derart an dem Sub­ strat 22, daß die zweite Filmelektrode 32b dünner ist und eine gleichmäßige Dicke aufweist. In diesem Fall ist die Mehrzahl der Pseudomaskierungsabschnitte 30 derart gebildet, daß das Filmdickenverhältnis der ersten Filmelektrode 32a zu der zweiten Filmelektrode 32b, die auf dem Substrat 22 ge­ bildet sind, innerhalb eines gewünschten Verhältnisses ist.

Gemäß dem Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode ei­ ner elektronischen Komponente unter Verwendung einer Vor­ richtung, die mit einem Maskierungsbauglied, wie es in den Fig. 5 bis 7 gezeigt ist, ausgestattet ist, können Elektro­ denmuster, die unterschiedliche Filmdicken aufweisen, ein­ fach und genau gleichzeitig während der Filmabscheidung ge­ bildet werden. Folglich kann in dem Fall, in dem beispiels­ weise eine weitere elektronische Komponente auf das Substrat gelötet wird, der Unterschied der Filmdicke positiv verwen­ det werden. Das heißt, daß die Filmdicke des gelöteten Abschnitts allein erhöht sein kann, um den Widerstand des Abschnitts gegenüber einem Lotauslaugen zu verbessern, während eine ge­ wünschte Dünnheit des Films der anderen Abschnitte beibehal­ ten wird, um den thermischen Einfluß während der Filmab­ scheidung zu unterdrücken. Falls die bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiele der Erfindung auf einen keramischen Oszilla­ tor angewendet wird, kann ferner eine teilweise Hinzufügung einer Masse zu dem Vibrationselektrodenabschnitt erreicht werden. Folglich können spezielle elektrische Charakteristi­ ka ohne weiteres erhalten werden.

Gemäß dem Verfahren der bevorzugten Ausführungsbeispiele, die in den Fig. 5 bis 7 gezeigt sind, kann ferner ein Elek­ trodenmuster mit unterschiedlichen Filmdicken durch ein ein­ zelnes Filmabscheidungsverfahren auf dem ersten Substrat 22 gebildet werden. Außerdem können ähnlich wie bei dem Verfah­ ren zum Bilden zumindest einer Elektrode einer elektroni­ schen Komponente, das in den Fig. 1 bis 3 gezeigt ist, Druck- und Ätz-Verfahrensschritte aus dem vorliegenden Ver­ fahren gemäß den bevorzugten Ausführungsbeispielen der vor­ liegenden Erfindung beseitigt sein, da es nicht notwendig ist, ungewollte Elektrodenabschnitte zu beseitigen. Folglich kann die Produktivität des Verfahrens der bevorzugten Aus­ führungsbeispiele der vorliegenden Erfindung verglichen mit einem herkömmlichen Verfahren, das die Verwendung derartiger zusätzlicher Verfahrensschritte erfordert, stark verbessert sein. Außerdem kann verhindert werden, daß das Substrat 22 selbst durch das Ätzen beschädigt wird. Folglich kann eine elektronische Komponente ohne Beeinträchtigung der elektri­ schen Charakteristika derselben erhalten werden.

Falls eine Maske gebildet ist, die einen zweiten Pseudomas­ kierungsabschnitt mit einem b/a-Verhältnis gleich oder größer drei aufweist, wobei a den Abstand zwischen dem Pseu­ domaskierungsabschnitt und dem Werkstück darstellt und b die Breite des Pseudomaskierungsabschnitts darstellt, ist ein vorbestimmter Abschnitt des Werkstücks selektiv durch den zweiten Pseudomaskierungsabschnitt, der das b/a-Verhältnis, das gleich oder größer drei ist, aufweist, abgeschirmt. Folglich breitet sich das Elektrodenmaterial nicht in den vorbestimmten Abschnitt der Hauptfläche des Werkstücks aus, der gegenüber dem zweiten Pseudomaskierungsabschnitt ange­ ordnet ist. Folglich haftet das Elektrodenmaterial nicht an, oder bildet es eine Filmelektrode auf dem vorbestimmten Ab­ schnitt, der gegenüber dem zweiten Pseudomaskierungsab­ schnitt angeordnet ist.

Die Bildung einer Filmelektrode durch das Einbringen eines Elektrodenmaterials während des Sputterns wird nachfolgend beschrieben. Fig. 9 ist eine vergrößerte, erläuternde An­ sicht, die einen Zustand während des Ätzens zeigt, bei dem eine Filmelektrode durch die Ausdehnung eines Elektroden­ materials in den schattierten Bereich des Abschirmungsab­ schnitts gebildet wird.

Falls das Sputtern durch die Verwendung eines Maskierungs­ bauglieds, das einen Abschirmungsabschnitt, beispielsweise einen Pseudomaskierungsabschnitt, aufweist, durchgeführt wird, breitet sich das Elektrodenmaterial, das durch die Glühentladung entladen wird, und das bezüglich des Raums zwischen dem Abschirmungsabschnitt 34 und der Oberfläche des Werkstücks W einen kleinen Einfügungswinkel aufweist, haupt­ sächlich in den Abschnitt aus, der der schattierte Bereich des Abschirmungsabschnitts 34 wird, d. h. in den Oberflächen­ abschnitt des Werkstücks W, der gegenüber dem Abschirmungs­ abschnitt 34 angeordnet ist. Ein bestimmter Teil des Elek­ trodenmaterials ändert den Einfügungswinkel aufgrund der Kollision mit Gasionen während der Entladung und haftet an der hinteren Fläche des Abschirmungsabschnitts 34, nachdem sich derselbe in den Raum zwischen dem Abschirmungsabschnitt 34 und der Oberfläche des Werkstücks W ausgebreitet hat.

Folglich wurden Versuche durchgeführt, um die Beziehung zwi­ schen der Öffnung a zwischen dem Abschirmungsabschnitt 34 und der Oberfläche des Werkstücks W, den Abstand L von der Kante der Abschirmung des Abschirmungsabschnitts 34 zu dem Abschnitt, in den sich das Elektrodenmaterial ausbreitet (der hierin nachfolgend einfach als ein "erweiterter Ab­ stand" bezeichnet wird), und das Dickenverhältnis t/t₀ (das hierin nachfolgend der Einfachheit halber als "Filmdicken­ verhältnis" bezeichnet wird) zu bestimmen, wobei t die Dicke der Filmelektrode 36 darstellt, die an einem Abschnitt, der sich in einem verlängerten Abstand von L von der Abschir­ mungskante des Abschirmungsabschnitts 34 befindet, gebildet ist, und t₀ die Dicke der Filmelektrode 36, die an einem Ab­ schnitt, der keinen Abschirmungsabschnitt 34 aufweist, ge­ bildet ist, darstellt. Die Ergebnisse sind nachfolgend in Tabelle I angegeben.

Tabelle I

Aus den oben angegebenen experimentellen Daten ist ohne wei­ teres zu sehen, daß die Dicke der Filmelektrode 36, die durch das haftende Aufbringen des Elektrodenmaterials auf den Oberflächenabschnitt des Werkstücks W, der gegenüber dem abgeschirmten Abschnitt 34 angeordnet ist, gebildet ist, mit abnehmendem Abstand L zunimmt, wenn die Öffnung a die glei­ che ist. In einem solchen Fall kann eine gewünschte Film­ dicke nicht erreicht werden, da das Filmdickenverhältnis ab­ nimmt, wenn L/a größer als 1,5 ist. Im Gegensatz dazu kann eine gewünschte Filmdicke erreicht werden, da das Film­ dickenverhältnis zunimmt, wenn L/a kleiner als 1,5 ist. Das heißt, daß die Filmdicke der Filmelektrode 36, die durch das haftende Aufbringen eines Elektrodenmaterials auf den Ober­ flächenabschnitt des Werkstücks W, der gegenüber dem Ab­ schirmungsabschnitt 34 angeordnet ist, gebildet ist, nähe­ rungsweise durch das Verhältnis L/a spezifiziert ist.

Wenn wir den Abschirmungsabschnitt 34 betrachten, beispiels­ weise den Abschirmungsabschnitt, der in Fig. 10 gezeigt ist, breitet sich entsprechend jedem der Pseudomaskierungsab­ schnitte 18a, 18b, 18c und 18d, der eine Breite b aufweist, wie in den Fig. 1 bis 3 gezeigt ist, das Elektrodenmaterial von beiden Seiten von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte 18a bis 18d aus. Folglich ist die Breite b von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte 18a, 18b, 18c und 18d durch 2L ersetzt. In diesem Fall wird die Dicke der Filmelektrode, die in dem mittleren Abschnitt in der Breitenrichtung von jedem der Pseudomaskierungsabschnitte gebildet wird, gleich zweimal dem Wert von L/a, der aus Tabelle I erhalten wird.

Danach wurden Experimente durchgeführt, um die Beziehung zwischen der Öffnung a zwischen jedem der Pseudomaskierungs­ abschnitte 18a, 18b, 18c und 18d und der Oberfläche des Sub­ strats 22, der Breite b jedes Pseudomaskierungsabschnitts 18a, 18b, 18c und 18d und des Filmdickenverhältnisses t/t₀ zu erhalten. Die Ergebnisse sind nachfolgend in Tabelle II angegeben.

Tabelle II

Aus den obigen experimentellen Daten ist zu sehen, daß das Dickenverhältnis näherungsweise 0 wird, wenn b/a größer als drei ist. Folglich ist die obige Annahme verifiziert.

Aus dem vorhergehenden ist zu sehen, daß die bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Verfah­ ren zum Bilden zumindest einer Elektrode von elektronischen Komponenten und eine Vorrichtung zur Verwendung bei dem Ver­ fahren liefert, wobei das Verfahren ein arbeitssparendes Herstellungsverfahren liefert, das in der Lage ist, Elektro­ den mit unterschiedlichen Filmdicken zu bilden.

Claims (12)

1. Verfahren zum Bilden zumindest einer Elektrode (24; 32) einer elektronischen Komponente mit folgenden Schrit­ ten:
Vorbereiten eines Werkstücks (22);
Vorbereiten einer Maske (12), die zwei Hauptflächen, zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer der Hauptebenen der Maske zu der anderen Hauptebene erstreckt, zumindest einen Maskierungsab­ schnitt (14, 16), der angepaßt ist, um in Kontakt mit einem vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) ge­ bracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) abzuschirmen, und zumindest einen Pseu­ domarkierungsabschnitt (18a bis 18d; 30) aufweist, der gebildet ist, um eine untere Oberfläche aufzuweisen, die beabstandet von der unteren Oberfläche des zumin­ dest einen Maskierungsabschnitts (14, 16) in einer Dickenrichtung der Maske (12) angeordnet ist, um das Werkstück (22) scheinbar zu maskieren, wenn die Maske in Kontakt mit dem Werkstück (22) angeordnet ist;
Plazieren der Maske (12) auf einer oberen Oberfläche des Werkstücks (22); und
Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske (12) auf die obere Oberfläche des Werkstücks (22), um eine Elektrode (24; 32) auf dem Werkstück (22) zu bil­ den.

2. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer elektronischen Komponente gemäß Anspruch 1, bei dem die Maske (12) derart gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a kleiner als 3 ist, wobei a einen Abstand zwischen der unteren Oberfläche des zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitts (18a bis 18d; 30) und der oberen Oberfläche des Werkstücks (22) darstellt, und b eine Breite des zumindest einen Pseudomaskierungsab­ schnitts (18a bis 18d; 30) darstellt.

3. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer elektronischen Komponente gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem der Schritt des Vorbereitens der Maske (12) den Schritt des Vorbereitens einer Mehrzahl von Pseudomas­ kierungsabschnitten (18a bis 18d; 30) auf der Maske (12) aufweist.

4. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (32) einer elek­ tronischen Komponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Schritt des Vorbereitens der Maske (12) den Schritt des Bildens einer Mehrzahl von Pseudomaskie­ rungsabschnitten (30) in einer Arrayanordnung aufweist.

5. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (32) einer elek­ tronischen Komponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Schritt des Vorbereitens der Maske (12) den Schritt des Bildens einer Mehrzahl von Pseudomaskie­ rungsabschnitten (30) in einer Gitteranordnung auf­ weist.

6. Verfahren zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer elektronischen Komponente mit folgenden Schritten:
Vorbereiten eines Werkstücks (22);
Vorbereiten einer Maske (12), die zwei Hauptebenen und zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer der Hauptebenen der Maske (12) zu der anderen Hauptebene erstreckt, zumindest einen Maskie­ rungsabschnitt (14, 16), der angepaßt ist, um mit einem vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) in Kontakt gebracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt des Werkstücks (22) abzuschirmen, einen ersten Pseudomas­ kierungsabschnitt, der derart gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a für den ersten Pseudomaskierungsab­ schnitt kleiner als drei ist, und einen zweiten Pseudo­ maskierungsabschnitt aufweist, der derart gebildet ist, daß ein Verhältnis b/a des zweiten Pseudomaskierungsab­ schnitts gleich oder größer drei ist, wobei a einen Ab­ stand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweili­ gen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsab­ schnitts und einer oberen Oberfläche des Werkstücks (22) darstellt, und b eine Breite des jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts dar­ stellt;
Plazieren der Maske (12) auf der oberen Oberfläche des Werkstücks (22); und
Aufbringen eines Elektrodenmaterials über die Maske (12) auf die obere Oberfläche des Werkstücks (22), um eine Elektrode (24; 32) zu bilden.

7. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer elektronischen Komponente mit folgenden Merkmalen:
einer Maske (12), die zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28), das sich von einer von zwei Hauptoberflä­ chen der Maske (12) zu der anderen Hauptoberfläche er­ streckt, aufweist;
zumindest einem Maskierungsabschnitt (14, 16), der auf der Maske (12) angeordnet ist und angepaßt ist, um in einen Kontakt mit einem vorbestimmten Abschnitt einer oberen Oberfläche der elektronischen Komponente ge­ bracht zu werden, um den vorbestimmten Abschnitt der elektronischen Komponente abzuschirmen; und
zumindest einem Pseudomaskierungsabschnitt (18a bis 18d; 30), der auf der Maske (12) angeordnet ist und eine untere Oberfläche aufweist, die in einem Abstand von einer unteren Oberfläche der Maske (12) in einer Dickenrichtung der Maske (12) angeordnet ist, um den vorbestimmten Abschnitt der oberen Oberfläche der elek­ tronischen Komponente scheinbar zu maskieren, wenn der Maskierungsabschnitt (14, 16) in Kontakt mit der elek­ tronischen Komponente angeordnet ist.

8. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer elektronischen Komponente gemäß Anspruch 7, bei der die Maske (12) eine solche Struktur aufweist, daß ein Verhältnis b/a kleiner als drei ist, wobei a einen Abstand zwischen der unteren Oberfläche des zu­ mindest einen Pseudomaskierungsabschnitts (18a bis 18d; 30) und der oberen Oberfläche der elektronischen Kompo­ nente darstellt, und b eine Breite des zumindest einen Pseudomaskierungsabschnitts (18a bis 18d; 30) dar­ stellt.

9. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer elektronischen Komponente gemäß Anspruch 7 oder 8, bei der die Maske (12) eine Mehrzahl von Pseudomaskie­ rungsabschnitten (18a bis 18d; 30) aufweist.

10. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (32) einer elek­ tronischen Komponente gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, bei der eine Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnitten (30) in einer Arrayanordnung vorgesehen sind.

11. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (32) einer elek­ tronischen Komponente gemäß einem der Ansprüche 7 bis 10, bei der eine Mehrzahl von Pseudomaskierungsabschnitten (30) in einer Gitteranordnung vorgesehen sind.

12. Vorrichtung zum Bilden einer Elektrode (24; 32) einer elektronischen Komponente mit folgenden Merkmalen:
einer Maske (12), die zumindest ein Durchgangsloch (20a bis 20d; 28) aufweist, das sich von einer von zwei Hauptflächen der Maske (12) zu der anderen Hauptfläche erstreckt; und
einem ersten Maskierungsabschnitt, der eine solche Struktur aufweist, daß ein Verhältnis b/a des ersten Pseudomaskierungsabschnitts kleiner als drei ist, und einem zweiten Pseudomaskierungsabschnitt, der eine sol­ che Struktur aufweist, daß ein Verhältnis b/a des zwei­ ten Pseudomaskierungsabschnitts gleich oder größer als drei ist,
wobei a einen Abstand zwischen einer unteren Oberfläche eines jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomas­ kierungsabschnitts und einer unteren Oberfläche der Maske (12) darstellt, und b eine Breite des jeweiligen des ersten und des zweiten Pseudomaskierungsabschnitts darstellt.