DE19546206A1 - Verfahren zum Prüfen von Materialien zur Verwendung bei der chemischen oder außenstromlosen Beschichtung - Google Patents
Verfahren zum Prüfen von Materialien zur Verwendung bei der chemischen oder außenstromlosen BeschichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft chemische oder außenstromlose
Beschichtungsvorgänge und im speziellen ein Verfahren zum
Feststellen der Eignung von Materialien für chemische bzw.
außenstromlose Beschichtungsvorgänge.
Die chemische Kupferbeschichtung stellt einen
wichtigen Schritt bei der Herstellung von bedruckten
Leiterplatten dar. Nachteiligerweise können jedoch einige
der Bestandteile des Bades oder andere Materialien, die in
das Bad eingebracht werden, wie beispielsweise Lötmasken
oder Photoresiste, Kontaminationen eintragen. Falls eine
derartige Kontaminationswirkung vorliegt, kann diese nicht
erfaßt werden, bis ein Beschichtungs- oder
Plattierungszyklus vervollständigt ist, welches einige
Stunden dauern und zur Zerstörung von vielen bedruckten
Leiterplatten führen kann. Es ist daher erwünscht, ein
Material zu prüfen, bevor dieses in ein chemisches bzw.
stromloses, kommerzielles Bad eingebracht wird, um im
vorhinein festlegen zu können, ob dieses für das Bad
geeignet ist.
Es wurde vorgeschlagen, das Verfahren der linearen
Sweep-Voltammetrie zu verwenden, um das Verhältnis von
anodischen und kathodischen Reaktionsgeschwindigkeiten eines
chemischen Kupferbeschichtungsbades zu messen und dabei
festzustellen, ob das durch das Bad abgeschiedene Kupfer
bestimmte mechanische Prüfungen bestehen wird (s. das US-
Patent 4 908 242). Es wurde ebenfalls vorgeschlagen, die
Prüfung bezüglich Kontaminationsstoffen in chemischen
Beschichtungsbädern durch Aufprägen einer
Wechselstromspannung auf eine Standardgleichspannung einer
voltametrischen Vorrichtung durchzuführen und danach die
Gleichspannung einen Bereich überstreichen zu lassen bzw.
einen Sweep für diese durchzuführen, um charakteristische
Wechselstromspektren für ein Bad bereit zustellen und um
diese Spektren mit den Wechselstromspektren eines bekannten
akzeptablen Bades zu vergleichen (s. US-Patent 4 631 116).
Es wurde ferner vorgeschlagen, zyklische Voltametrie zu
verwenden, um einen Pd-Sn-Kolloidpeak zu erfassen und diesen
Wert mit einer Bezugsgröße zu vergleichen, um festzustellen,
ob die Aktivität des Kolloids für nachfolgende chemische
Beschichtung geeignet ist (s. US-Patent 4 820 643).
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur chemischen
bzw. außenstromlosen Beschichtung oder Plattierung eines
Werkstücks einschließlich des Feststellens der Möglichkeiten
eines Materials zum Kontaminieren eines chemischen oder
außenstromlosen Beschichtungsbades. Das Material wird in
einem Prüfbad gelöst, welches in einer voltametrischen
Zelle, die wenigstens drei Elektroden aufweist, angeordnet
ist und eine Gleichspannung wird zwei der Elektroden mit
einer Anstiegsgeschwindigkeit zugeführt, um so einen
anodischen Strom an der Oberfläche der dritten Elektrode zu
bewirken. Der sich ergebende Anodenstrom wird als Funktion
der angelegten Spannung gemessen, um ein Stromprofil zu
erzeugen, das mit einem Profil verglichen wird, welches
unter Verwendung eines zweiten Prüfbades mit bekannter
Reinheit erhalten wurde.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen
und unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen
detaillierter beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 eine Aufsicht auf einen Abschnitt einer bedruckten
Leiterplatte, die unter Verwendung der Erfindung
chemisch plattiert werden kann,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer voltametrischen
Zelle, die gemäß einer Ausführungsform der Erfindung
verwendbar ist, und
Fig. 3 eine graphische Darstellung des Stroms als Funktion
der angelegten Spannung für verschiedene Prüfbäder
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
Es wird darauf hingewiesen, daß zum Zwecke der
Beschreibung diese Figuren nicht notwendigerweise
maßstabsgerechte Darstellungen aufweisen.
Fig. 1 zeigt einen Abschnitt einer typischen
bedruckten Leiterplatte 10, die chemisch bzw. außenstromlos
zu plattieren ist. Es wird darauf hingewiesen, daß eine
Lötmaskenschicht 11 im wesentlichen fast vollständig eine
Hauptoberfläche der Platine 10, mit der Ausnahme von
leitfähigen Flächen, beispielsweise 13, die in einem
nachfolgenden Verfahren zu löten sind, bedeckt. Diese
Lötflächen werden zunächst durch ein chemisches
Standardverfahren zur Kupferbeschichtung aufgebaut. Jedoch
kann das Lötmaskenmaterial 11 Kontaminationsstoffe umfassen,
die während des Beschichtungsverfahrens austreten können und
das Beschichtungsbad bzw. das Plattierungsbad nachteilig
beeinflussen oder vergiften. Folglich ist es erwünscht, vor
dem Beschichtungsverfahren festzustellen, ob das
Lötmaskenmaterial für ein derartiges Verfahren ohne
Kontamination des Produktionsbeschichtungsbades geeignet
ist.
Um das Lötmaskenmaterial zu prüfen, wurde eine Lösung
mit herausgelaugten Stoffen präpariert. Dies umfaßte das
Lösen des Maskenmaterials. In einer modifizierten chemischen
Kupferbeschichtungslösung wurde das Lötmaskenmaterial bei
einem speziellen Beispiel in einem Bad mit einer Quelle von
Kupferionen, welche Kupfersulfat umfaßte, einem
komplexbildenden Agens, welches Ethylendiamintetraessigsäure
(EDTA; Ethylen Diamine Tetraactic Acid) umfaßte, und mit
Natriumhydroxid. Dieses Bad umfaßt im wesentlichen ein
chemisches Standardkupferbeschichtungsbad ohne das
reduzierende Agens (Formaldehyd), so daß keine Beschichtung
eintritt. Das Lötmaskenmaterial wurde in dieses Bad für eine
Dauer von ungefähr 18 Stunden eingebracht, während welchen
das Bad auf eine Temperatur von 16°C erhitzt wurde, um die
Bedingungen eines chemischen Beschichtungsvorgangs zu
simulieren. Das Ergebnis war eine Prüflösung, die eine
bestimmte Menge von Kontaminationsstoffen umfaßte, die aus
dem Lötmaskenmaterial herausgetreten waren.
Die Prüflösung wurde dann in eine voltametrische
Zelle eingebracht, welche schematisch in Fig. 2 dargestellt
ist. Die Zelle 20 umfaßte einen Behälter 21 zum Aufnehmen
der Prüflösung 22. Wenigstens drei Elektroden 23, 24 und 25
wurden in den Behälter 21 eingeführt. Zwei der Elektroden 23
und 25 bestanden aus bzw. umfaßten Platin mit
kupferbeschichteten Oberflächen, während die dritte
Elektrode 24 eine Ag/AgCl-Prüfelektrode bildete. Eine
einstellbare Gleichstromquelle 26 wurde an den
invertierenden Eingang (+) eines Operationsverstärkers 27,
dessen Ausgangssignal an eine Elektrode 23 gekoppelt wurde,
gekoppelt. Der nichtinvertierende Eingang (-) des
Operationsverstärkers 27 wurde an die Bezugselektrode 24
gekoppelt. Die verbleibende Elektrode 25 wurde an ein
Massepotential angeschlossen.
Die einstellbare bzw. änderbare Gleichspannung wurde
an eine Elektrode 23 mit einer Spannung abgeschlossen, die
in einem Bereich lag, von welchem bekannt war, daß dieser
einen Anodenstrom im Bad 22 aufgrund von chemischer
Beschichtung an der Oberfläche der Elektrode 25 bewirkt. Bei
diesem Beispiel wurde die Spannung von -0,9 bis zu 0,2 V mit
einer Geschwindigkeit von ungefähr 5 mV/s geändert. Generell
wäre ein Ändern der Spannung bei einer Geschwindigkeit von
2 bis 10 mV/s nützlich. Der sich ergebende Anodenstrom als
Funktion des Potentials zwischen der Elektrode 25 und der
Bezugselektrode 24 wurde gemessen und als Kurve C in Fig. 3
aufgezeichnet. Diese Kurve stellt ein Worst-Case-Szenario
bzw. den schlechtesten Fall für das zu prüfende, spezielle
Lötmaskenmaterial dar.
Das gleiche Verfahren wurde mit einer chemischen
Kupferbeschichtungslösung durchgeführt, die Komponenten
(Kupfersulfat, Formaldehyd, EDTA und Natriumhydroxid) mit
einer bekannten hohen Reinheit enthielt, die als Kontrolle
diente. Der Anodenstrom als Funktion des Potentials wurde
als Kurve A in Fig. 3 aufgezeichnet. Es ist festzuhalten,
daß die Kurve A einen ausgeprägten Peak bei ungefähr 3,25 mA
aufweist, während die Kurve C der Lösung mit ausgetretenen
Stoffen sehr flach verläuft. Somit ist es möglich, den
anodischen Spitzenwert eines Prüfbades, das ein unbekanntes
Material enthält, mit demjenigen des Kontrollbades (Kurve A)
zu vergleichen, um festzustellen, ob das Material in dem zu
prüfenden Bad für ein chemisches Produktionsbeschichtungsbad
geeignet ist.
Basierend auf Daten, die durch den Vergleich von
Beschichtungsgeschwindigkeiten mit den voltametrischen
Kurven erhalten wurden, wurde festgestellt, daß ein Material
zur Verwendung in der chemischen Beschichtungslösung
ungeeignet ist, falls der Peak der Anodenkurve niedriger als
ungefähr 50% der Kontrollösung (Kurve A) ist. Somit wäre
das Lötmaskenmaterial, welches die Lösung mit ausgetretenen
Stoffen bildete, welches zur Kurve C führte, nicht
verwendbar. Was zu tun verblieb, war jedoch, die
Konzentration der Lösung mit den herausgetretenen Stoffen
einzustellen, um den Belastungsfaktor des chemischen
Produktionsbeschichtungsbades zu berücksichtigen, d. h.
festzustellen, wieviel Oberfläche des Materials dem
Beschichtungsbad ausgesetzt wird.
Bei diesem Beispiel wurde die Lösung mit den
herausgetretenen Stoffen mit einer Lötmaske, die eine
Gesamtfläche von 0,56 m² (6 Quadratfuß) bedeckte, in einer
Lösung von 0,9 l präpariert, welches einen Belastungsfaktor
von 0,62 m²/l (6,67 Quadratfuß/Liter) ergab. Eine neue, zu
prüfende Lösung mit einem Belastungsfaktor von lediglich
0,0062 m²/l (0,067 Quadratfuß/Liter) wurde durch Lösen von
10 ml der ursprünglichen Lösung mit den herausgetretenen
Stoffen mit 990 ml Kontrollösung präpariert. Als die neue
Lösung dem vorstehend beschriebenen voltametrischen Vorgang
unterzogen wurde, wurde der als Kurve B als Funktion der
Spannung dargestellte Anodenstrom erzeugt. Selbst bei diesem
Last- oder Belastungsfaktor betrug der Peak der Anodenkurve
weniger als 50% der Kontrollösung, und folglich war das
Material ungeeignet.
Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf das Prüfen
eines Lötmaskenmaterials beschrieben wurde, kann diese zur
Prüfung anderer Laminate sowie anderer Bestandteile des
chemischen Bades selbst verwendet werden. Beispielsweise
kann, falls erwünscht, um eine neue Charge von Formaldehyd
vor der Zugabe zum Produktionsbad prüfen, ein Testbad unter
Verwendung anderer Bestandteile einer bekannten Reinheit,
gemischt mit dem zu prüfenden Formaldehyd, präpariert
werden. Das Testbad kann dann dem anodischen voltametrischen
Verfahren mit linearer Spannungsänderung (Anodic Linear
Sweep Voltammetric Process) unterzogen und die sich
ergebende Kurve mit der eines Bades bekannter Reinheit
(Kurve A) verglichen werden. Es wird ebenfalls darauf
hingewiesen, daß, obwohl eine 50%-Schwelle im hier
beschriebenen, speziellen Beispiel verwendet wurde, sich
dieser Wert für spezielle chemische bzw. außenstromlose
Beschichtungs- oder Plattiervorgänge ändern kann. Dieser
Schwellenwert kann durch empirisches Vorgehen auf einfache
Weise festgelegt werden.
Es wird eine Technik zum Erfassen der Eignung zur
Verwendung eines Materials für einen chemischen bzw.
außenstromlosen Beschichtungsvorgang beschrieben. Eine
Lösung, die das Material umfaßt, wird einer voltametrischen
Messung (Anodic Linear Sweep Voltammetry) unterzogen. Der
sich ergebende anodische Peak (B) wird mit demjenigen einer
Kontrollösung (A) verglichen, um die Möglichkeiten des
Materials, ein Produktionsbad zu vergiften, zu ermitteln.
Claims (8)
1. Verfahren zur Beschichtung eines Werkstücks (10),
insbesondere zur chemischen oder außenstromlosen
Plattierung, umfassend das Bestimmen der Fähigkeit eines
Materials, ein chemisches Beschichtungsbad zu
kontaminieren,
gekennzeichnet durch die Schritte:
Lösen des Materials in einem Prüfbad mit Bestandteilen von bekannter Reinheit,
Anordnen des Prüfbades in einer voltammetrischen Zelle (20) mit wenigstens drei Elektroden (23, 24, 25), Anlegen einer Gleichspannung an zwei der Elektroden (23, 24) bei einer Anstiegsgeschwindigkeit, um so einen Anodenstrom an der Oberfläche der dritten Elektrode (25) zu bewirken,
Messen des sich ergebenden Anodenstroms als Funktion der angelegten Spannung, um ein Stromprofil (B) zu erzeugen, und
Vergleichen des Profils mit einem zweiten Profil (A), welches von einem zweiten Prüfbad mit Bestandteilen von bekannter Reinheit erhalten wurde.
Lösen des Materials in einem Prüfbad mit Bestandteilen von bekannter Reinheit,
Anordnen des Prüfbades in einer voltammetrischen Zelle (20) mit wenigstens drei Elektroden (23, 24, 25), Anlegen einer Gleichspannung an zwei der Elektroden (23, 24) bei einer Anstiegsgeschwindigkeit, um so einen Anodenstrom an der Oberfläche der dritten Elektrode (25) zu bewirken,
Messen des sich ergebenden Anodenstroms als Funktion der angelegten Spannung, um ein Stromprofil (B) zu erzeugen, und
Vergleichen des Profils mit einem zweiten Profil (A), welches von einem zweiten Prüfbad mit Bestandteilen von bekannter Reinheit erhalten wurde.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
bei welchem das erste und das zweite Profil jeweils
einen Spitzen- oder Peak-Wert haben und die Spitzen-
oder Peak-Werte verglichen werden, um festzustellen, ob
das Material das chemische Beschichtungsbad
kontaminieren wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
bei welchem das chemische Beschichtungsbad und das
Prüfbad eine Kupferquelle umfassen.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
bei welchem das Material ein Lötmaskenmaterial ist und
das Prüfbad durch Austretenlassen von Verunreinigungen
aus diesem Material gebildet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
bei welchem zusätzliche Prüfbäder gebildet werden durch
das Verdünnen des Prüfbades, wobei das zweite Prüfbad
Bestandteile von bekannter Reinheit umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 1,
bei welchem die Gleichspannung von -0,9 bis 0,2 V
verändert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
bei welchem die Spannung mit einer Geschwindigkeit im
Bereich von 2 bis 10 mV/s geändert wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1,
bei welchem das Werkstück eine bedruckte Leiterplatte
ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35908894A | 1994-12-19 | 1994-12-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19546206A1 true DE19546206A1 (de) | 1996-06-20 |
Family
ID=23412250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19546206A Withdrawn DE19546206A1 (de) | 1994-12-19 | 1995-12-11 | Verfahren zum Prüfen von Materialien zur Verwendung bei der chemischen oder außenstromlosen Beschichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5955150A (de) |
JP (1) | JPH08233803A (de) |
DE (1) | DE19546206A1 (de) |
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- 1995-12-18 JP JP7327761A patent/JPH08233803A/ja not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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Legal Events
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