DE1953478A1 - Integrierter logischer Kreis - Google Patents
Integrierter logischer KreisInfo
- Publication number
- DE1953478A1 DE1953478A1 DE19691953478 DE1953478A DE1953478A1 DE 1953478 A1 DE1953478 A1 DE 1953478A1 DE 19691953478 DE19691953478 DE 19691953478 DE 1953478 A DE1953478 A DE 1953478A DE 1953478 A1 DE1953478 A1 DE 1953478A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- pulse
- point
- gate
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/18—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
- G11C19/182—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
- G11C19/184—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/094—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
- H03K19/096—Synchronous circuits, i.e. using clock signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Dram (AREA)
Description
It 1405
Sony Corporation, Tokio/Japan
Integrierter logischer Kreis
Die Erfindung bezieht sich auf einen integrierten logischen Kreis, insbesondere einen integrierten logischen
Kreis des verhältnislosen Typs unter Verwendung von Zweiphas en-Takt impuls en.
In digitalen logischen Kreisen wurden in Jüngster Zeit aus den nachstehend erläuterten Gründen Metallisolator-Halbleiter
(MIS)-]?eldeffekt-Transistoren oder Metalloxyd-Halbleiter
(MOS)-Transistoren verwendet. Ein integrierter Kreis großer Abmessungen mit MOS-Transistoren erfordert
nämlich bei der Herstellung weniger Diffusionsprozesse, ist daher leicht herzustellen, besitzt einen hohen Wirkungsgrad
und weist ferner einen niedrigen Leistungsverbrauch auf.
Ein logischer Kreis mit einem üblichen MOS-Transistor des Verhältnistyps erfordert jedoch viele MIS-Transistoren
großer Abmessungen als Belastungen; dies zwingt zu einer Begrenzung der Dichte der Transistoren auf einem Halbleitersubstrat,
was den Ausnutzungskoeffizienten des Substrates verringert. Bei einem üblichen logischen Kreis des
verhältnislosen Typs können kleine MlS-Transistoren derselben
Abmessungen benutzt werden, so daß sich ein hoher Ausnutzungskoeffizient des Substrates ergibt. Dieser Kreis
009819/1692 BAD
erfordert jedoch auch eine Leitung zur Stromversorgung der MIS-Transistoren, eine Masseleitung und eine Leitung
für einen Drei- oder Vierphasen-Taktimpuls (außer den Eingangs- und Ausgangsleitungen). Die elektrischen Felder
dieser Leitungen üben demgemäß einen Einfluß auf den Substrat aus, so daß die Transistoren nicht ganz eng aneinander
angeordnet werden können und der gesamte Leistungsverbrauch nicht im erwünschten Masse verringert werden kann,
Die Erfindung bezieht sich nun auf einen integrierten Kreis des verhältnislosen Typs ("ratioless type")* der un-
W ter Zufuhr eines Taktimpulses ohne Verwendung einer Gleichspannungsquelle
arbeitet.
Die erfindungsgemäße Lösung ergibt sich im einzelnen
aus dem Hauptanspruch. Sie besitzt die folgenden Vorteile:
1. Da der Taktimpuls ein Zweiphasen-Impuls sein kann, ergibt sich eine einfache Leitungsführung.
2. Da die verwendeten MOS-Transistoren dieselbe miniaturisierte Bauweise besitzen können, sind ihre Integrationsdichte
und Schaltgeschwindigkeit hoch.
3. Da der Signalwert unabhängig von der Steilheit g der MOS-Transistoren bestimmt wird, spielt die bei der
Herstellung der MOS-Transistoren verursachte Dispersion keine Rolle, was die Herstellung des integrierten Kreises
erleichtert. Der resultierende integrierte logische«Kreis
wird ferner durch Rauschen nicht ungünstig beeinflußt.
4. In dem Kreis fließt ein Strom nur dann, wenn ein Taktimpuls zugeführt wird; der Strom ist nur ausreichend,
um die Streukapazität der MOS-Transistor-Kreise aufzuladen, so daß der Leistungsverbrauch klein bleibt.
009819/1692
5. Es werden weder eine Gleichspannungsquelle, noch Verbindungen zur Stromversorgung benötigt.
6. Auf der Oberfläche des integrierten Kreises braucht keine Masseleitung vorgesehen zu werden; stattdessen wird
der Substrat als Masseverbindung benutzt. Demgemäß kann
ein Isolator, beispielsweise aus Siliziumdioxyd oder Siliziumnitrid auf dem integrierten Kreis dünn ausgebildet
werden; der integrierte Kreis läßt sich daher leicht herstellen.
7.' Da der Strom des Taktimpulses nur fließt, wenn die
Streukapazität aufgeladen wird, kann der Taktimpulsgenerator einen einfachen Aufbau erhalten.
Durch die Erfindung wird somit ein kompakter integrierter logischer Kreis geschaffen, der keine G-leichspannungsquelle
benötigt. Bei dem erfindungsgemäßen integrierten logischen
Kreis wird der Substrat als Masseverbindung verwendet.
:irfir.dungsgemäß wird ferner ein digitaler logischer
Kreis geschaffen, der veniger MOS-Transistoren verwendet.
Diese und weitere Merkmale der Erfindung gehen aus den Ansprüchen und der folgenden "Beschreibung hervor. In der
Zeichnung zeigen:
Pig. 1,3 und 5 Schaltbilder vor. erfindungsgemäßen logischen
Kreisen (in Anwendung auf Verzögerungs-Multivibrator-Kreisen);
Fig.2,4 und 6 Diagramme zur Erläuterung der Schaltungen
der Fig.1,3 und 5;
Fig.7 Beispiele von Kreiskombinationen.
Erfindungsgemäß werden ein Kreis, bestehend aus zwei
MIS-Trar.sistoren und ohne Spannungsanschluß, und ein kom-
009819/1692
binatorischer Kreis, bestehend aus einem UND-Torkreis,
einem ODER-Torkreis, einem Brückenkreis oder einer Kombination
hiervon und ohne Spannungsanschluß, als eine Einheit auf demselben Halbleitersubstrat ausgebildet und
stellen zusammen einen integrierten logischen Kreis dar. In-Fig. 1 ist ein Verzögerungsmultivibratorkreis veranschaulicht,
der den oben erläuterten Kreis verwendet; die MIS-Transistoren sind hierbei N-Typ-Vergrößerungs-Feldeffekttransistoren
mit isoliertem Tor. Wenn die Polarität einer verwendeten Spannung umgekehrt wird, können P-Typ-Feldeffekttransistoren
mit isoliertem Tor verwendet werden.
In der Zeichnung kennzeichnet das Bezugszeichen A einen kombinatorischen Kreis, der aus einem MIS-Transistor
M1 besteht, der weder einen Stromquellenanschluß, noch einen
Eingangsanschluß für die Zufuhr eines Taktimpulses auf-.weist.
Das Tor des MIS-Transistors M1 ist ein Eingangsanschluß
T1; die Quellelektrode des MIS-TraraLstors M1 ist
mit dem Tor und der Quellelektrode eines Mls-Transistors Mp verbunden; der Verbindungspunkt von Tor und Quellelektrode
des MIS-Transistors M2 ist an einen ersten Taktimpuls-Eingangsanschluß
t1 angeschlossen. Die Ziehelektrode des MIS-Transistors M1 ist an einen Punkt X1 angeschlossen, der
die Ziehelektrode des MIS-Transistors Mp mit der Quellelektrode
eines MIS-Transistors M, verbindet; das Tor des MIS-Transistors M, ist an einen zweiten Taktimpuls-Eingangsanschluß
t2 angeschlossen. Auf diese Weise ist ein
Kreis gebildet, dessen Ausgang die Ziehelektrode des MlS-Transistors
M, bildet. Sie ist über einen Punkt X0 mit
dem Tor eines MIS-Transistors Mc eines Kombinationskreises
A! verbunden, der weder einen Spannungsanschluß, noch einen Taktimpuls-Eingangsanschluß aufweist. Die Quellelektrode
des MIS-Transistors M5 ist mit dem zweiten Taktimpuls-Eingangsanschluß
t2 und mit dem Tor und der Quellelektrode
eines MIS-Transistors M6 verbunden. Die Ziehelektrode
des MIS-Transistors M^ ist ferner an den Verbin-
009819/1692
BAD ORIGINAL
dungspunkt X~ zwischen der Ziehelektrode des MIS-Transistors
M6 und der Quel'lelektrode eines MlS-Transistors M^
angeschlossen. Ein Ausgangsanschluß T2 ist mit der Ziehelektrode
des MlS-Transistors M. verbunden. Das Tor des
MIS-Transistors M. ist ferner an den ersten Taktimpuls-Eingangsanschluß
t^ angeschlossen. In diesem Falle sind die MIS-Transistoren M1 bis Mg auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat
ausgebildet, der an Masse angeschlossen ist (wenngleich nicht dargestellt).
Ein Taktimpuls CP1 (vgl. Fig.2A) und ein weiterer Taktimpuls
CPp (Fig.2B), der dieselbe Periode wie der Taktimpuls CP1 besitzt, jedoch gegenüber diesem eine vorgegebene
Phasenverschiebung aufweist, werden zwischen den Anschlüssen t1 bzw. tp und dem Substrat (Masse) zugeführt. Die
Kreise, die aus den MIS-Transistoren M ,Mg und M. bestehen,
unterscheiden sich im zugeführten Taktimpuls von den Kreisen, die durch die MIS-Transistoren M1,M2 und M, gebildet
werden, entsprechen diesen jedoch.
Es sei angenommen, daß dem EingangsanSchluß T1 ein
Eingangsimpuls S1 (Fig.2C) zugeführt wird, der synchron
mit dem Taktimpuls CP1 ansteigt und abfällt. Bei der folgenden
Beschreibung wird eine positive Logik verwendet; ein höheres Niveau von zwei Werten wird somit als Wert "1"
und ein niedrigeres Niveau als Wert "0" bezeichnet.
Führt man den Eingangsimpuls S1 dem Toranschluß T1.
des Transistors M1 zu, so ist der Transistor M1 während
einer Periode des Wertes »1» des Eingangsimpulses S1 eingeschaltet
(leitend) und während einer Periode des Wertes "0" ausgeschaltet (nichtleitend)« Bei Zuführung des Taktimpulses
CP1 zum Tor des Transistors M2 wird dieser Transistor
M2 während der Dauer des Impulses CP1 eingeschaltet;
da der Impuls CP1 der Quellelektrode des Transistors M2
009819/1692
ORIGINAL
zugeführt wird, wird die Streukapazität zwischen dem Punkt X1 auf der Ziehelektrodenseite des Transistors M2
und dem Substrat, die Leitung für den Taktimpuls, aufgeladen, wodurch am Punkt X1 während der Dauer des Impulses
CP1 ein Ausgangssignal des Wertes "1" erzeugt wird. Klingt
der Impuls CP1 ab, so geht der Transistor M2 in seinen
nichtleitenden Zustand über; ist der Transistor M1 leitend,
so wird die am Punkt X1 gespeicherte Ladung, das heißt das
Ausgangssignal des Wertes "1" über den Transistor M1 entladen;
so daß am Punkt X1 ein Ausgangssignal des Wertes
11O" entsteht. Ist der Transistor M1 im ausgeschalteten Zustand,
so bleibt das Ausgangssignal des wertes "1" am
Punkt X1 unverändert. Am Punkt X1 wird somit auf Grund des
Eingangsimpulses S1 am Anschluß T1 ein Ausgangssignal S2
(Fig.2D) erzeugt.
Bei Zuführung des Taktimpulses CPo zum Tor des Transistors M- wird dieser Transistor während der Impulsdauer
des Impulses CP2 eingeschaltet, wobei während dieser Zeitdauer
am Punkt X1 der Wert "O" vorhanden ist. Wenn daher
der Transistor M1 eingeschaltet ist, wenn der Wert am Punkt
X2 auf der Seite der Ziehelektrode des Transistors M,
gleich "1" ist, wird demgemäß die Ladung im Punkt X2 über
die Transistoren M1 und M, entladen und bringt damit das
Niveau am Punkt X2 herunter auf "O" und hält es unverändert.
Ist das Niveau am Punkt X1 gleich "1" und demgemäß
der Transistor M1 im ausgeschalteten Zustand, so wird die
Streukapazität am Punkt X2 durch die Ladung im Punkt X1
auf den Wert "1" aufgeladen; hat sich der Taktimpuls CP2
auf den Wert "O" verringert, so daß der Transistor'M2
ausgeschaltet ist, so ist der Zustand am Punkt X2 gespeichert;
es .wird daher am Punkt X2 ein AusgangsImpuls S,
(Fig.2E) bei dem Ausgangsimpuls S2 am Punkt X1 erzeugt.
Es ergibt sich also ein Signal, das um eine halbe Periode gegenüber dem Eingangssignal S1 verzögert ist. Vorstehend
009619/1692
BAD ORIGINAL
wurde das Grundprinzip des erfindungsgemäßen logischen
Kreises erläutert.
Der am Punkt X2 erzeugte Ausgangsimpuls S, wird dem
Tor des Transistors Mc zugeführt und hält diesen Transistor
in der Periode des Wertes "1" des Impulses S, eingeschaltet und in der Periode des Wertes "0" des Impulses
ausgeschaltet. Der Taktimpuls CP2 wird dem Tor des Transistors
Mg zugeführt und schaltet ihn in der Impulsdauer des
Impulses CP2 ein; der Impuls CP2 gelangt zur Quellelektrode
des Transistors Mg und erzeugt ein Ausgangssignal des
Wertes' "1" am Punkt X, auf der Seite der Ziehelektrode des Transistors Mg während der Impulsdauer des Impulses CP2.
Nach der Dauer des Impulses CP*> wird der Transistor Mg ausgeschaltet;
ist der Transistor Mc leitend, so wird .die Ladung
am Punkt X,, das Ausgangssignal des Wertes "1" über
den Transistor M,- entladen, so daß am Punkt χ, ein Ausgangssignal
des Wertes "0" entsteht. Ist der Transistor Μς-ausgeschaltet,
so bleibt das Ausgangssignal des Wertes "1" am Punkt X, unverändert. Es ergibt sich somit am Punkt X,
ein Ausgangsimpuls S, (Pig.2F) bei einem Ausgangsimpuls
S, am Punkt X2. ·
Unter solchen Verhältnissen wird der Impuls CP1 dem
Tor des Transistors M. zugeführt und macht ihn während
der Dauer des Impulses CP1 leitend. Ist am Punkt χ, ein
Ausgangsimpuls "1" vorhanden, während der Transistor M.
leitend ist, so ergibt sich ein Ausgangsimpuls "1" auf der Seite der Ziehelektrode des Transistors M. und demgemäß am
Ausgangsanschluß T2. Ist am Tunkt X, ein Ausgangsimpuls "0"
vorhanden, so entsteht am Ausgangsanschluß T2 ein Ausgangssignal
des Wertes "0". Man erhält somit am Ausgangsanschluß
T2 einen Ausgangsimpuls S5 (Fig.2G) bei einem Ausgangsimpuls
S. am Punkt X,.
Bei Zuführung des Eingangs impulses S1 (Fig.2c) zum
Eingangsanschluß T1 wird am Aus gang sar.schluß T2 ein Aus-
009819/1692
gangsimpuls S5 (Pig.2G) erzeugt. Ein Vergleich der Impulse
S1 und S5 zeigt, daß der Ausgangsimpuls S^ gegenüber
dem Eingangsimpuls S1 um eine Periode des Taktimpulses,
das heißt um ein Zeitbit, verzögert ist.
Man erkennt somit, daß die in Fig.1 dargestellte Schaltung
als ein Verzögerungsmult!vibrator wirkt.
Wie aus der Beschreibung hervorgeht, arbeiten die MlS-Transistoren
M1 bis Mg mit dem Taktimpuls als Stromquelle;
die Transistoren werden zu keinem Zeitpunkt von außen mit Leistung versorgt; es fließt daher kein ständiger Gleichstrom
durch die Transistoren M1 bis Mg. Der Taktimpulsetrom
ist ferner ein reiner Ladestrom für die kleine Streukapazität. Der gesamte Leistungsverbrauch der Schaltung ist somit
extrem klein.
Da den .Transistoren M1 bis M6 zu keinem Zeitpunkt Leistung
zugeführt werden braucht, entfallen eine gesonderte Stromquelle sowie Stromzuleitungen, was den gesamten Aufbau
vor allem dann wesentlich vereinfacht, wenn die Transistoren M1 bis Mg, wie zuvor beschrieben, auf einem gemeinsamen
Halbleitersubstrat ausgebildet werden. In diesem Falle wird ferner der Halbleitersubstrat an Masse gelegt,
so daß gesonderte Leitungen zur Erdung des Halbleitersubstrates für die jeweiligen Transistoren entfallen;
dies vereinfacht weiterhin die gesamte Konstruktion.
Da die Transistoren M2 und Mg im nichtleitenden Zustand
sind, wenn am Punkte X2 und am Anschluß T2 die Signale
"0M herrschen, brauchen die Transistoren M2 und Mg
keine so niedrige Steilheit zu besitzen, wie dann, wenn sie als übliche Belastungen dienen, damit das Ausgangssignal
11O" einen ausreichend hohen Stufenwert gegenüber dem
Ausgangswert "1" besitzt, so daß das Ausgangsniveau am Punkt X2 und am Anschluß T2 auf "0" zurückgehen. Die
009819/1692
ßAD ORIGINAL
Transistoren M2 und Mg brauchen demgemäß keine größeren
Abmessungen als die Transistoren M1 und M, wie im Falle
eines logischen Kreises des Verhältnistyps (»ratio type") zu besitzen. Die Erfindung ermöglicht somit die Herstellung
integrierter logischer Kreise auf einem Halbleitersubstrat kleiner Abmessungen. Wenn beispielsweise die Transistoren
Mp und Mg im Einschaltzustand sind und ein Strom
den Punkten X- und X, zu der Zeit zugeführt werden kann,
in der die Ausgangswerte am Punkt Xp und am Anschluß Tp
gleich "0" sind, so kann das Ausgangssignal "0" nur dann
hinreichend unterschieden vom Ausgangsniveau "1" sein, wenn die Steilheit der Transistoren M2 und Mg ausreichend verringert
oder di£ der Transistoren M- und M, voll vergrössert
ist, so daß das Ausgangsniveau an den Punkten Xp und
am Anschluß T2 auf "0" kommt. Da die Transistoren M2 und·
Mg keine niedrige Steilheit besitzen müssen, kann man die
Anstiegszeit der Impulse S2 und S. voll verkürzen, wenn
die Transistoren M2 und Mg im Einschaltzustand sind; dadurch
steigert man die Taktimpulsfrequenz und ermöglicht eine Betriebsweise des integrierten logischen Kreises mit
hoher Arbeitsgeschwindigkeit. Selbst wenn die Impulsbreite des Taktimpulses vergrößert wird, fließt nur ein Strom,
der ausreicht, um eine kleine Streukapazität des Kreises aufzuladen und zu speichern; man braucht daher nicht einen
Taktimpuls von kleiner Impulsbreite im Hinblick auf eine Vergrößerung des Leistungsverbrauches durch Verbreiterung
der Impulsbreite.
Bei dem zuvor erläuterten Ausführungsbeispiel entspricht die Periode des Taktimpulses CP2 der des Taktimpulses CP1.
Selbst wenn jedoch ein Taktimpuls CP2* (Fig.2Bf) verwendet
wird, der mit dem Impuls CP2 (Fig.2B) synchron ist, jedoch
in Intervallen eines Vielfachen der Periode des Impulses CP2 erzeugt wird, ergeben sich die Ausgangsimpulse S2>S5
und S. an den Punkten X1, X2 und X, wie in den Fig,2D,2E'
und 2F1 gegenüber dem Eingangsimpuls S1 (Fig.2C); am Aus-
009819/1692
gangsanschluß T2 entsteht somit ein Ausgangs impuls S,-(Fig.2G').
An Hand von Fig.3 sei die Erfindung in ihrer Anwendung
auf einem anderen Verzögerungs-Multivibratorkreis erläutert;
gleiche Elemente sind hierbei mit denselben Bezugszeichen wie in Fig.1 bezeichnet. Die Ziehelektrode eines
MIS-Transistors M7 ist mit dem Tor eines Mis-Transistors
M1 verbunden, dessen Tor an die Quellelektrode des Transistors
M1 angeschlossen ist. Ein Eingangsanschluß T1 ist
mit der Quellelektrode des Transistors M verbunden. In diesem Falle bildet der MIS-Transistor M1 einen kombinatorischen
Kreis A ohne Speisespannungsanschluß und ohne Eingangsanschluß für einen Taktimpuls. Die Ziehelektroden
der MIS-Transistoren M1 und M2 sind miteinander verbunden
und an die Quellelektrode eines MIS-Transistors M, angeschlossen.
Die Quellelektrode des Transistors M1 sowie
die Quellelektrode und das Tor des Transistors M2 sind miteinander
verbunden und mit einem ersten Taktimpuls-Eingangsanschluß
t1 verbunden. Das Tor des Transistors M^,
die Quellelektrode eines MIS-Transistors Mp- sowie die
Quellelektrode und das Tor eines MIS-Transistors Mg sind
miteinander verbunden und an einen zweiten Taktimpuls-Eingangsanschluß
t2 angeschlossen. Die Ziehelektrode des Transistors
M, ist ferner mit dem Tor des Transistors Mc verbunden;
die Ziehelektroden der Transistoren M1- und M,-
0 b
sind miteinander verbunden und an einen Signalausgangsanschluß T2 angeschlossen. In diesem Falle sind die MIS-Transistoren
M1,M2,M,,Hr,Mg und M7 auf einem gemeinsamen,
an Masse angeschlossenen Halbleitersubstrat ausgebildet.
Der Anschluß t,. wird mit einem Taktimpuls CP1 (Fig.4A)
und der Anschluß t2 mit einem Taktimpuls CP2 (Fig.2B) gespeist.
Die folgende Beschreibung beruht auf der Annahme, daß der Signaleingangsanschluß T1 mit einem Eingangsimpuls
S1 1 (Fig.4C) versorgt wird, der mit dem Taktimpuls c?2 in
der an Hand von Fig.1 erläuterten weise synchronisiert ist. 009819/1692
BAD ORIGINAL·
In einem solchen Falle wird der Taktimpuls CP1 dem
Tor des Transistors M7 zugeführt und macht diesen Transistor
während der Dauer des Impulses CP1 leitend. Ist
das Niveau des dem Eingangsanschluß T1 zugeführten Signales
S1 1 gleich "0", so wird das Ausgangsniveau am Punkt
X' auf der Ziehseite des Transistors M7 gleich "0"; ist
das Niveau des Signales S1 1 gleich "1", so wird das Niveau
des Ausgangssignales am Punkt X1 1 gleich "1". Das Niveau
des Taktimpulses CP1 wird dann "0", wodurch der Transistor
M7 gesperrt wird und eine speicherung des Zustandes des
Punktes X1 1 erfolgt. Am Punkt X1 1 ergibt sich somit bei
einem Signal S1 1 ein Ausgangsimpuls S2' (Fig.4D).
Das Impulssignal S2 1 wird dem Tor des Transistors M-zugeführt,
so daß der Transistor M1 leitend wird, während der Impuls S2 1 den Wert "1" besitzt. Der Transistor wird
dagegen im nichtleitenden Zustand gehalten, wenn sich der
Impuls S2 1 auf dem Niveau "0" befindet. Der dem Tor und
der Quellelektrode des Transistors M2 zugeführte Taktimpuls
CP1 macht diesen Transistor leitend; die durch den Strom des Taktimpulses CP1 mitgeführte Ladung erzeugt am
Punkt X2 1 auf der Ziehseite des Transistors M2 ein Ausgangssignal
"1M während der Dauer des Impulses CP1. Beim
Wegfall des Impulses CP1 wird der Transistor gesperrt.
Bleibt der Transistor M1 eingeschaltet, so wird die Ladung
im Punkt X2', in welchem das Ausgangssignal sich auf dem
Niveau "1" befand, über den Transistor M1 entladen, so daß
am Punkt X2 1 ein Ausgangssignal "0" entsteht. Ist der Tran
sistor M1 nichtleitend, so bleibt das Ausgangssignal des
Wertes "1" im Punkt X2 1 unverändert. Es entsteht somit am
Punkt X2 1 ein Ausgangssignal S-*' (Fig.4E) bei dem Signal
Der Taktimpulß CPg wird ferner dem Tor des Transistors
M, zugeführt und hält ihn während der Dauer des Impulses
CP im eingeschalteten Zustand; in dieser Zeit ist das Aus
009819/1692
BAD
gangssignal am Punkt X2 1 auf dem Wert "0". Wenn daher
der Transistor M1 im leitenden Zustand ist, wenn sich das Ausgangssignal am Punkt X,1 auf der Ziehseite des
Transistors M, auf dem Wert "1" befindet, wird die Ladung des Punktes X,' über die Transistoren M1 und M2 entladen,
so daß das Signal am Punkt X,1 auf den Wert "0" absinkt;
ist das Signal im Punkt X,1 auf dem Niveau »0», so bleibt
es unverändert. Ist das Signal am Punkt X2 1 auf dem Wert
"1" und der Transistor M1 demgemäß im gesperrten Zustand,
so wird das signal im Punkt X,1 durch die Ladung im Punkt
X2 1 auf den Wert "1" gebracht; der Wert des Taktimpulses
CP2 wird auf "0" abgesenkt, so daß der Transistor M, gesperrt
und der Zustand im Punkt X,1 gespeichert wird. Ein Ausgangsimpuls S^1 (Fig.4F) wird infolgedessen am Punkte
X,1 bei einem Ausgangsimpuls S,1 erzeugt.
Der resultierende Ausgangsimpuls S.1 wird dem Tor des
Transistors M,- zugeführt, so daß dieser Transistor leitend
ist, wenn der Impuls S.1 das Niveau "1" besitzt, während
der Transistor Mc gesperrt ist, wenn sich der Impuls S.'
auf dem Niveau "0" befindet. Währenddessen wird der Taktimpuls CP2 dem Tor des Transistors Mg zugeführt, macht
diesen Transistor leitend und hält ihn während der Dauer des Impulses CP2 im eingeschalteten Zustand. Gleichzeitig
wirdder Impuls CP0 der Quellelektrode des Transistors M^
zugeführt, so daß ein Ausgangssignal des Wertes "1" während der Dauer des Impulses CP2 an einem Funkt auf der
Ziehelektrodenseite des Transistors Mg erzeugt wird, das
heißt am Ausgangsanschluß T2, durch den Strom des Taktimpulses
CP2, der durch den Transistor Mg fließt. Nach der
Dauer des Impulses CP2 wird der Transistor Mg gesperrt;
ist der Transistor Mc im eingeschalteten Zustand, so wird
die Ladung am Anschluß T2, die ein Ausgangssignal· des Wertes
"1" ist, über den Transistor M5 entladen, so daß sich
am Anschluß T2 ein Ausgangssignal des Wertes "0" ergibt.
Ist der Transistor M5 im gesperrten Zustand, so bleibt
009819/1692
BAD ORIGINAL
das Ausgangssignal des wertes "O" am Anschluß T2 unverändert.
Es wird infolgedessen ein Ausgangsimpuls S^'
(Pig.4G) am Anschluß T2 bei einem Ausgangsimpuls S^'
am Punkt X,' erzeugt.
Wenn also der Eingangsimpuls S1' (Pig.4C) dem Eingangsanschluß
T1 zugeführt wird, ergibt sich ein Ausgangsimpuls Sc' (Fig.4G) am Ausgangsanschluß T2. Der Ausgangsimpuls
Sc1 wird somit gegenüber dem Eingangsimpuls S1 1
um ein Zeitbit verzögert (wie an Hand der Pig.1 und 2 erläutert). Die Schaltung der Fig.3 wirkt somit als Verzögerungs-Multivibratorkreis.
Es versteht sich, daß die gleichen Punktionen und Vorteile
mit der Schaltung der Fig.3 wie mit der Anordnung gemäß pig.1 erzielt werden.
Die obige Beschreibung beruhte auf der Annahme, daß die Periode des Taktimpulses CP1 der des Taktimpulses CP?
entspricht. Wenn jedoch ein Taktimpuls CP^ (Pig.4A!) verwendet
wird, der mit dem Impuls GP1 (Pig.4A) synchronisiert
ist, jedoch in Intervallen eines Mehrfachen der Periode des Impulses CP1 erzeugt wird, so ergeben sich an
den Punkten X1',X2' und X-' die Ausgangs impulse S2',S,1
und S.' (vgl. Pig.4D',4E',4F') bei einem Eingangsimpuls
S1' (Fig.4C) so daß am Ausgangsanschluß T2 ein Ausgangsimpuls
S1-1 (Pig.4G>) erzeugt wird.
An Hand von Fig.5 sei die Anwendung der Erfindung auf
einen in der Einstellung vorgespannten Multivibratorkreis erläutert, bei dem die MIS-Transistoren P-Typ-Verstärkungs-Feldeffekttransistoren
mit isoliertem Tor sind und gleiche Elemente wie in Pig.1 mit denselben Bezugszeichen
gekennzeichnet sind. Ein Rückstellsignal-Eingangsanschluß R ist mit dem Tor eines MIS-Tranaistors M1 verbunden, der'
009819/1692
einen Kombinationskreis A bildet, der weder einen Stromquellenanschluß,
noch einen Taktimpuls-Eingangsanschluß aufweist; die Quellelektrode des Transistors M1 ist mit
dem Tor und der Quellelektrode eines MlS-Transistors KLp
verbunden. Das Tor und die Quellelektrode des Transistors Mp.sind miteinander verbunden; der Verbindungspunkt ist
an einen ersten Taktimpuls-Eingangsanschluß t. angeschlossen.
Die Ziehelektrode des Transistors M1 ist an den Verbindungspunkt
Y1 der Ziehelektrode des Transistors Mp mit
der Quellelektrode eines MlS-Transistors M5 angeschlossen.
. Das Tor des Transistors M^ ist mit einem zweiten Taktim-™
puls-Eingangsanschluß t2 verbunden. Die Ziehelektrode des
Transistors M, ist an das Tor eines MlS-Transistors MQ angeschlossen, dessen Quellelektrode mit der Ziehelektrode
eines MIS-Transistors Mq verbunden ist. Dessen Quellelektrode
ist ihrerseits an den zweiten Taktimpuls-Eingangsanschluß ±2 angeschlossen. Die Ziehelektrode des Transistors
Mg ist ferner an den Verbindungspunkt Y~ der Quellelektrode
eines MIS-Transistors M10 mit der Ziehelektrode
eines MIS-Transistors M11 angeschlossen; das Tor und die
Quellelektrode dieses Transistors sind mit dem zweiten Taktimpuls-Eingangsanschluß tp verbunden. Der Verbindungspunkt der Ziehelektrode des Transistors MQ mit der des
Transistors M11 ist an die Ziehelektrode eines MIS-Transistors
M12 angeschlossen, deren Quellelektrode ihrerseits
mit dem zweiten Taktimpuls-Eingangsanschluß tp verbunden ist, während das Tor dieses Transistors an einen Einstellsignal-Eingangsanschluß
S angeschlossen ist. Das Tor des Transistors M1Q ist mit dem erster. Taktimpuls-Eingangsanschluß
t1 verbunden, die Ziehelektrode des Transistors M1n
ist mit dem Tor eines Mis-Transistors M1 ~ verbunden, dessen
Ziehelektrode an den Verbindungspunkt Y5 der Ziehelektrode
'eines MIS-Transistors M14 mit der Quellelektrode
eines MIS-Transistors M11- angeschlossen ist. Die Quellelektrode
des Transistors M1, und das Tor sowie die Quell-
009819/1692 bad original
elektrode des Transistors M14 sind mit dem ersten Taktimpuls-Eingang sanschluß t1 verbunden. Das Tor des Transistors
M,c ist an den zweiten Taktimpuls-Eingangsanschluß
Ip
t« angeschlossen; seine Ziehelektrode ist mit einem Ausgangsanschluß
T2 und mit dem Tor des Transistors Mg verbunden.
Auch in diesem Falle sind die Mis-Transistoren M1
bis M, und M8 bis M-c auf einem gemeinsamen, an Masse gelegten
Halbleitersubstrat ausgebildet. Ein Kreis A", bestehend aus den miteinander verbundenen MlS-Transistoren
Mq,Mq und M12, sowie ein Kreis A"1 bestehend aus dem MIS-Transistor
M..·», sind ebenso wie der erwähnte Kreis A Kombinationskreise,
die weder einen Stromquellenanschluß, noch Taktimpuls-Eingangsanschlüsse aufweisen. Die Transistoren
M11 und M1J entsprechen dem Transistor M2 und die Transistoren
M10 und M.c dem Transistor M,.
«Ο ip 3
Ein Taktimpuls CP1 (vgl. Pig.6A) wird dem ersten Taktimpuls-Eingangsanschluß
t1 und ein Taktimpuls CP2 (Fig.6B)
dem zweiten Taktimpuls-Eingangsanschluß t2 zugeführt. Beim
Ausfilhrungebeispiel der Fig.1 wurde die Verwendung von
P-Typ-Verstärkungs-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Tor (wie MlS-Transistoren) angenommen. Wird die Polarität
der Spannung des" Taktimpulses umgekehrt, so können auch N-Typ-Feldeffekttransistoren mit isoliertem Tor benutzt
werdeji. Bei der folgenden Beschreibung wird eine negative
Logik verwendet} ein höheres Niveau von zwei werten wird somit als Wert "0" und ein niedrigeres Niveau als
Wert "1" bezeichnet.
Im Folgenden wird die Wirkungsweise des vorstehend in seinem Aufbau beschriebenen, in seiner Einstellung vorgespannten
Multivibratorkreises erläutert. Es sei angenommen,
daß dem Rückstellsignal-Eingangsanschluß R ein Rückstell-Eingangsimpula
RQ (Fig.6C) zugeführt wird, der synchron mit einem Taktimpuls CP1 ist; es sei ferner angenommen,
daß der Einstellsignal-Eingangsanschluß S mit einem
009819/1692
Einstell-Eingangsimpuls Sn (Pig.6D) versorgt wird, der
synchron mit einem Taktimpuls CPp liegt.
Der Rückstellimpuls Rn gelangt zum Tor des Transistors
M1, wodurch der Transistor M1 im Einschaltzustand gehalten
wird, während sich der Rückstellimpuls RQ auf dem Wert "1"
befindet; der Transistor wird dagegen im gesperrten Zustand gehalten, wenn der Impuls Rn den Wert 11O" besitzt.
Währenddessen wird der Taktimpuls CP1 dem Tor des Transistors
Mp zugeführt, wodurch dieser Transistor während der Dauer des Impulses CP1 im leitenden Zustand gehalten wird.
ψ Gleichzeitig gelangt der Impuls CP1 an die Quellelektrode
des Transistors Mp, so daß während der Dauer des Impulses CP1 ein Ausgangssignal des Wertes "1" am Punkt Y1 auf der
Ziehelektrodenseite des Transistors Mp durch den Strom des Taktimpulses CP1 erzeugt wird, der durch den Transistor
Mp fließt. Fällt der Impuls CP1 weg, so wird der Transistor
Mp gesperrt; wenn in diesem Falle der Transistor M1 leitend
ist, so wird die Ladung im Punkt Y1, wo das Ausgangssignal
den Wert "1" besaß, über den Transistor M1 entladen, so
daß das Ausgangssignal am Punkt Y. auf den Wert "0" zurückgeht.
Ist der Transistor M1 im ausgeschalteten Zustand, so
bleibt das Ausgangssignal im Punkt Y1 auf dem Wert "1".
Es entsteht somit ein Impuls Rn., (Fig.6E) am Punkt Y. bei
dem RUckstellimpuls Rn am Anschluß R.
Währenddessen wird der zweite Taktimpuls CP2 dera T°r
des Transistors Mp zugeführt, wodurch der Transistor M2
während der Dauer des Impulses CP1 leitend gehalten wird,
während der das Ausgangsniveau im Punkt Y2 auf dem Wert
"0" bleibt. Ist daher der Transistor M. im leitenden Zustand,
so wird die Ladung des Niveaus "1" am Punkt Y2 auf
der Ziehelektrodenseite des Transistors M, über die Transistoren
M^ und Mp entladen, so daß sich das Ausgangsniveau am Punkt Y2 auf "0" verringert. Ist das Ausgangsniveau
im Punkt Y2 gleich "0", so bleibt es unverändert.
009819/1692
BAD
Ist das Ausgangsniveau im Punkt Y1 gleich "1" und demgemäß
der Transistor M1 -Im gesperrten Zustand, so wird das
Ausgangsniveau im Punkte Y2 durch die Ladung im Punkt Y1
auf den Wert "1" gebracht; fällt der Taktimpuls CP1 weg,
so daß der Transistor M, in den Sperrzustand übergeht, so wird der Zustand im Punkt Y2 gespeichert. Es entsteht somit
ein Impuls R02 (Fig.6F) am Punkt Y2 bei einem Impuls
RQ1 am Punkt Y1.
Der Einstellimpuls SQ wird ferner dem Tor des Transistors
M12 zugeführt, so daß dieser Transistor leitend gehalten
wird, während der Einstellimpuls SQ den Wert "1" besitzt; der Transistor M12 wird dagegen gesperrt gehalten,
wenn sich der Einstellimpuls SQ auf dem Wert "0" befindet. Währenddessen wird der Taktimpuls CP2 dem Tor
des Transistors M11 zugeführt, wodurch dieser Transistor
im leitenden Zustand gehalten wird, während der Taktimpuls CP2 vorhanden ist; gleichzeitig gelangt der Taktimpuls
CP2 zur Quellelektrode des Transistors M11, so daß
ein Ausgangs signal des V/ertes "1" in der Impulsdauer des Impulses CP2 am Punkte Y, auf der Ziehelektrodenseite'des
Transistors M11 durch den hindurchfließenden Strom des
Impulses CP2 erzeugt wird. Fällt der Taktimpuls CP2 weg,
so wird der Transistor M11 gesperrt; ist der Transistor
M12 leitend, so wird die ladung im Punkte Y~ über den Transistor
M12 entladen, so daß sich am Punkt Y, ein Ausgangssignal
des Niveaus "0" einstellt. Das Ausgangssignal am Punkt Y, wird durch das am Punkt Y2 beeinflußt. Wenn nämlich
am Punkt Y2 das Ausgangesignal des Wertes "1" erzeugt
wird, so daß der Transistor MQ leitend wird, und wenn am
Ausgangsanschluß T2 ein Ausgangssignal des Wertes »1» abgenommen
wird, so daß der Transistor Mq leitend wird, so wird die Ladung am Punkt Y, über die Transistoren MQ und
Mg entladen, so daß sich am Punkt Y, ein Ausgangssignal
des v/ertes "0" einstellt. Wenn einer der beiden Transisto-
009819/1692
ren M8 oder Mq oder beide im gesperrten Zustand sind
und der Transistor M12 gleichfalls gesperrt ist, so
bleibt das Ausgangssignal des Wertes "1" im Punkt Y, unverändert. Infolgedessen ergibt sich ein Impuls Sq1
(Fig.6Gr) am Punkt Y, bei einem Einstellimpuls Sq am Anschluß
S, dem Impuls Rq2 am Punkt Y2 und dem Signal am
Ausgangsanschluß Tp.
Der erste Taktimpuls CP1 wird dem Tor des Transistors
M10 zugeführt, so daß dieser Transistor M10 leitend ist,
während der Taktimpuls CP1 vorhanden ist. Ist in einem
solchen Falle das Ausgangsniveau des Punktes Y, auf "0",
das heißt ist der Transistor M12 leitend oder sind beide
Transistoren Mg und MQ leitend und ist das Ausgangsniveau
im Punkt Y- auf der Ziehelek.trodenseite des Transistors
M10 gleich "1", so wird die Ladung im Punkt Y. über die
Transistoren M12 und M10 oder M^,Mg und M10 entladen, so
daß das Ausgangsniveau im Punkt Y. auf "0" zurückgeht.
Ist das Ausgangsniveau im Punkt Y. gleich "0", so bleibt
es unverändert. Ist das Ausgangsniveau im Punkt Y~ gleich
1M", so wird das Ausgangsniveau im Punkt Y- durch die Ladung
im Punkt Y, auf "1" angehoben; wenn das Niveau des Taktimpulses CP1 "0" wird, so daß der Transistor M10 gesperrt
wird, wird der Zustand im Punkt Y. gespeichert. Es entsteht somit ein Impuls SQ2 (Fig.6H) am Punkt Y. bei
einem Impuls S01 am Punkt Y,.
Der so im Punkt Y. erzeugte Impuls S02 wird dem Tor
des Transistors M1, zugeführt; dadurch wird der Transistor
M1, im leitenden Zustand gehalten, während der Impuls SQ2
auf dem Wert "1" bleibt; der Transistor M15 wird nichtleitend,
wenn der Impuls Sq2 den Wert "0" besitzt. Währenddessen
wird der Taktimpuls CP1 dem Tor des Transistors
M1 χ zugeführt und macht diesen Transistor während der
Dauer des Impulses CP1 leitend; gleichzeitig wird der Impuls
CP1 der Quellelektrode des Transistors M1- zugeführt,
009819/1692
BAD ORIGINAL
durch den der Strom des Impulses CP1 fließt, so daß im
Punkt ▼,- auf der Ziehelektrodenseite des Transistors M1,
ein Ausgangssignal des Wertes "i" während der Impulsdauer
des Impulses CP- entsteht. Fällt der Impuls CP1 weg, so
wird der Transistor M14 gesperrt; ist in diesem Falle der
Transistor M1, leitend, so entlädt sich die Ladung des
Punktes Y,- über den Transistor M1-, so daß am Punkt Y^
ein Ausgangesignal des Wertes "0" entsteht; ist der1 Transistor
M1, dagegen gesperrt, so bleibt das Ausgangesignal
des Wertes "1" im Punkt Yc unverändert. Es wird somit am
Punkt Y5 ein Impuls SQ, (Fig.61) bei einem Impuls $Q2 am
Punkt Ύ. erzeugt.
Unter solchen Umständen wird der Impuls CPp dem Tor des Transistors M15 zugeführt, wodurch dieser Transistor
während der Dauer des Impulses CPp leitend gehalten wird. Wenn während der Leitfähigkeit des Transistors M1 ^ das
Niveau des Ausgangs impulses im Punkt Y1- gleich "1" ist,
ergibt sich auf der Ziehelektrodenseite des Transistors M1C ein Ausgangssignal des Wertes "1" und demgemäß auch am
Ausgangsanschluß T2* Ist der Wert des Ausgangssignales am
Punkt Yc gleich 41O", so ergibt sich am Ausgangsanschluß
Tp ein Ausgangssignal des Wertes "0". Man erhält somit einen
Ausgangs impuls SQ4 (Fig.6J) am Ausgangsanschluß Tp hei
einem Ausgangsimpuls Sq, am Punkt Yc.
Wird da-s Einstellsignal Sq dem Einstells'ignal-Eingangsanschluß S früher als das Rucksteilsignal RQ zugeführt, so
beginnt der Kultivibratorkreis natürlich mit dem Einstellsignal S0 zn arbeiten; selbst wenn jedoch das Rückstellsignal
Rq dem Rückstellsignal-Eingangsanschluß R um 1/2 Zeitbit
früher als das Einstellsignal Sq zugeführt wird (vgl.
Fig,6C und 6D), ergibt sich das Signal S04 (Fig.6J) am Ausgangsanschluß
T2. Man erkennt somit, daß man mit dom in
der Einstellung vorgespannten Multivibratorkreis der Fig.5
dieselbe Betriebsweise und die gleichen Vorteile wie bei
009819/1692
Pig.1 erzielt.
Die kombinatorischen Kreise A,A1,A" und A"1, die aus
MlS-Transistoren ohne jede Speisespannungsquelle und ohne Eingangsanschluß für Taktimpulszufuhr bestehen, können
durch einen ODER-Kreis ersetzt werden, der aus einer Anzahl von MlS-Transistoren besteht, die wie in Fig.7A
veranschaulicht parallel geschaltet sind, ferner durch einen UND-Kreis·, der aus einer Anzahl von MIS-Transistoren
besteht, die gemäß Fig.7B in Reihe geschaltet sind, ode.r durch einen Brückenkreis, der aus MlS-Transistoren
gemäß Fig.7C besteht. Man kann ferner auch die Schaltungen der Fig.7A,7B und 7c in Kombination benutzen. In Fig.7
bezeichnen die Bezugszeichen I1 bis I^ die Signaleingangsanschlüsse
und die Bezugszeichen tQ und t~ ' die Signalausgangsanschlüsse.
Vorzugsweise sind Kapazitäten C,C,C" und C"! zwischen
die Tore und die Quellelektroden der MlS-Transistoren M-, M.,M..Q,M..c und M7 geschaltet (vgl. die gestrichelten Elemente
in den Fig. 1,3 und !>). Bei Verwendung dieser Kapazitäten
werden die Ouellelektrodenseiten der MlS-Transistoren
M,,M4,M10»M-|5 und ^7 kapazitiv durch den Taktimpuls
erregt; wenn die Kombinationskreise A,a',A" und A"1
im gesperrten Zustand sind oder wenn der Signalwert am Eingangsanschluß T1 der Fig.3 gleich "1" ist, wird das
Niveau "1" der Ausgänge an den Quellelektrodenseiten der MIS-Transistoren M,,M.,M10,M15 und M7 noch weiter als bei
den vorhergehenden Ausführungsbeispielen vergrößert; die Ausgangssignale werden an den Ausgangsseiten als Ladespannungen
an den Punkten auf den Ziehelektrodenseiten der Transistoren M.,,M, ,M1Q,M15 und M7 abgenommen.
Bei jeder Schaltung der Fig.1,3 und 5 können die
Quell- und Ziehelektroden jedes MIS-Transistors ausge-
009819/1692
BAD
19S3478
wechselt werden; auch dies führt zu genau den gleichen Betriebsverhältnissen wie oben angenommen.
009819/1692
Claims (5)
- PatentansprücheIntegrierter logischer Kreis, dadurch gekennzeichnet , daß ein Kombinationskreis mit einem Eingangsanschluß und zwei Ausgangsanschlüssen, "bestehend aus wenigstens einem Feldeffekttransistor, vorgesehen ist, ferner zwei Feldeffekttransistoren mit einer Torelektrode, einer Quellelektrode und einer Ziehelektrode, wobei der Quellelektroden-Ziehelektroden-Kreis des ersten Feldeffekttransistors und die Ausgangsanschlüsse des Kombinationskreises parallel geschaltet sind, wobei ferner die Torelektrode des ersten Feldeffekttransistors mit einem der Ausgangsanschlüsse des Kombinationskreises verbunden ist und einer der Quellelektroden-Ziehelektroden-Kreise des zweiten Feldeffekttransistors an den anderen Ausgangsanschluß des Kombinationskreises angeschlossen ist, wobei der andere Quellelektroden-Ziehelektroden-Kreis des zweiten Feldeffekttransistors mit einem Ausgangsanschluß verbunden ist, daß ferner eine Einrichtung zur Zuführung eines ersten Taktimpulses zum Tor des ersten Feldeffekttransistors vorhanden ist sowie eine Einrichtung zur Zuführung eines zweiten Taktimpulses zum Tor des zweiten Feldeffekttransistors.
- 2.) Integrierter logischer Kreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet» daß der erste und der zweite Taktimpuls dem ersten und dem zweiten Feldeffekttransistor so zugeführt werden, daß sie nicht gleichzeitig leitend gemacht werden.» ■
- 3.) Integrierter logischer Kreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet^ daß ein Kondensator zwischen einen der Ausgangsanschlüsse des Kombinationskreises und die Tor-009819/1692BAD ORIGiNAkelektrode des zweiten Feldeffekttransistors geschaltet ist.
- 4.) Integrierter logischer Kreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kombinationskreis und der erste sowie zweite Transistor auf demselben Halbleitersubstrat ausgebildet sind und der Substrat an Masse angeschlossen ist.
- 5.) Integrierter logischer Kreis nach Ansprucii 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kombinationskreis aus einem UND-Torkreis, einem ODER-Torkreis oder einem aus Feldeffekttransistoren aufgebauten Brückenkreis oder einer Kombination dieser Elemente besteht.003819/1692Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7692168 | 1968-10-23 | ||
JP44060884A JPS492857B1 (de) | 1969-07-31 | 1969-07-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1953478A1 true DE1953478A1 (de) | 1970-05-06 |
DE1953478B2 DE1953478B2 (de) | 1979-04-12 |
DE1953478C3 DE1953478C3 (de) | 1979-11-22 |
Family
ID=26401938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1953478A Expired DE1953478C3 (de) | 1968-10-23 | 1969-10-23 | Dynamischer Verzögerungskreis |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3622798A (de) |
DE (1) | DE1953478C3 (de) |
FR (1) | FR2021406A1 (de) |
GB (1) | GB1290149A (de) |
NL (1) | NL158981B (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3912948A (en) * | 1971-08-30 | 1975-10-14 | Nat Semiconductor Corp | Mos bootstrap inverter circuit |
US3714466A (en) * | 1971-12-22 | 1973-01-30 | North American Rockwell | Clamp circuit for bootstrap field effect transistor |
US3755689A (en) * | 1971-12-30 | 1973-08-28 | Honeywell Inf Systems | Two-phase three-clock mos logic circuits |
US4439691A (en) * | 1981-12-23 | 1984-03-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Non-inverting shift register stage in MOS technology |
US5459414A (en) * | 1993-05-28 | 1995-10-17 | At&T Corp. | Adiabatic dynamic logic |
US6069493A (en) * | 1997-11-28 | 2000-05-30 | Motorola, Inc. | Input circuit and method for protecting the input circuit |
JP4968671B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-07-04 | Nltテクノロジー株式会社 | 半導体回路、走査回路、及びそれを用いた表示装置 |
CN110648621B (zh) * | 2019-10-30 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3524077A (en) * | 1968-02-28 | 1970-08-11 | Rca Corp | Translating information with multi-phase clock signals |
-
1969
- 1969-10-23 US US868800A patent/US3622798A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-10-23 GB GB1290149D patent/GB1290149A/en not_active Expired
- 1969-10-23 DE DE1953478A patent/DE1953478C3/de not_active Expired
- 1969-10-23 FR FR6936419A patent/FR2021406A1/fr active Pending
- 1969-10-23 NL NL6915979.A patent/NL158981B/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2021406A1 (de) | 1970-07-24 |
DE1953478C3 (de) | 1979-11-22 |
NL6915979A (de) | 1970-04-27 |
US3622798A (en) | 1971-11-23 |
DE1953478B2 (de) | 1979-04-12 |
GB1290149A (de) | 1972-09-20 |
NL158981B (nl) | 1978-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68905269T2 (de) | MOS-Transistor und Anwendung bei einer Freilaufdiode. | |
DE2544974C3 (de) | Schaltkreis zur Realisierung logischer Funktionen | |
DE2222521C3 (de) | N-stufiger Ringzähler | |
DE3779789T2 (de) | Gleichspannungsvervielfacher, der in eine halbleiterschicht integriert werden kann. | |
DE3735948A1 (de) | Pegelumsetzerschaltung | |
CH620557A5 (de) | ||
DE2252371A1 (de) | Schwellwert-verknuepfungsglied | |
DE2639555A1 (de) | Elektrische integrierte schaltung in einem halbleiterchip | |
DE2415098C3 (de) | Amplitudendetektorschaltung | |
DE2825029A1 (de) | Datenverriegelungsvorrichtung | |
DE2802595C2 (de) | Schaltungsanordnung mit Feldeffekttransistoren zur Spannungspegelumsetzung | |
DE3237778A1 (de) | Dynamisches schieberegister | |
DE1953478A1 (de) | Integrierter logischer Kreis | |
DE1956485C3 (de) | Schaltungsanordnung für eine bistabile Kippschaltung mit Feldeffekttransistoren | |
DE2812378A1 (de) | Halbleiterschaltung mit mindestens zwei in einem halbleiterkristall vereinigten feldeffekttransistoren | |
DE3343700A1 (de) | Ausgangs-interface fuer eine logische schaltung mit drei zustaenden in einer integrierten schaltung mit mos-transistoren | |
DE2426447C2 (de) | Komplementäre Transistorschaltung zur Durchführung boole'scher Verknüpfungen | |
DE1947937A1 (de) | Inverter mit Isolierschicht-Feldeffekttransistoren | |
DE2539967C2 (de) | Logikgrundschaltung | |
DE1922761A1 (de) | Kondensatorspeicher | |
DE2029566C3 (de) | Schieberegisterstufenschaltung | |
DE1284521C2 (de) | Schaltungsanordnung mit einem mehremitter-transistor | |
DE2705429A1 (de) | Festkoerper-abtastschaltung | |
DE69127426T2 (de) | Halbleiter-Dekodierungsvorrichtung mit einem MOSFET zur Entladung eines Ausgangsanschlusses | |
DE2053744C3 (de) | Inverterschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |