DE1920397A1 - Stabilisiertes Halbleiterbauelement - Google Patents
Stabilisiertes HalbleiterbauelementInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/404—Multiple field plate structures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
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- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description
SIEIiBNS AKTIENaESELISCHAFT München 2, den??. APR 196 9 ■
Berlin und München Y/ittelsbacherplatz 2
pa 89/2368
Stabilisiertes Halbleiterbauelement
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement
rait wenigstens einem pn-übergang, der durch eine diffundierte
Zone des einen Loitungstyps in einem Halbleiterkörper
des anderen Leitungstyps ausgebildet ist.
V/'ic aus der Siemens-Zeitschrift 1967» Heft 4» hervorgeht,
können Halbleiterbauelemente durch folgende Maßnahmen stabilisiert
v/erden:
a) Herstellung eines Schutzringes um den pn-übergang durch eine
zusätzliche Diffusion, und
b) Anbringen einer Feldelektrodo auf dem Schutzring derart, daß diese Elektrode auch Teile des Isolators bedeckt.
In vorteilhafter \7ciso ist es möglich, diese Maßnahmen sowohl
einzeln,-als auch zusammen anzuwenden.
Weiterhin ist in der Technologie der Planarbauelemente die Oberflächenpassivierung von Isolatorschichten an sich bekannt.
Eo wurde auch schon vorgeschlagen, die Eloktrodenkontakte so
auszubilden, daß das Metall über das Diffusionsfenster im Isolator hinausragt, und Teile von diesem bedeckt. Dadurch
wird der Abbau einer an Ladung angereicherten Randschicht im
Halbleiterkörper erreicht. Die Peldelektrode vexiiindert eine
Trennung der Ladungsträger auf der Oberfläche des Isolators, während der Schutzring als sperrfreic Kontaktflächen für diese
dient. Die Oberflächenpassivierung reduziert durch Gettorwirkung die Zahl der Ladungen im Isolator. Dies bewirkt eine Erhöhung
dqr Sperrspannung.
Aufgabe dor vorliegenden Erfindung ist es, durch geschickte
Kf-HbiiL'itjlon der oben gorumnfcon IJaßnohnon ο in Bauelement ^u
PA ·)//[ 0 0/1001 Kot/TS
r;"1-r/l 009846/0543
BAD ORIGINAL '
schaffen, das die -bisher bekannten Bauelemente an Stabilität
übertrifft.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein
erster Metallkontakt der Zone des einen Leitungstyps eine auf der Oberfläche des HalbleiterkörTers befindliche Isolatorschicht
teilweise überdeckt, daß die Zone des einen Leitungstyps im Abstand von einer als Schutzring wirkenden stark
dotierten Zone des anderen Leitungstyps umgeben ist, daß die als Schutzring wirkende Zone mit einem zweiten. Metallkontakt
versehen ist, wobei der zweite Metallkontakt teilweise die ' Isolatorschicht überdeckt, aber elektrisch vom ersten Metall-
W kontakt getrennt ist, und daß die Isolatorschicht eine Passivierungsschicht
enthält.
Durch die vorliegende Erfindung ist es möglich, auf einfache
Weise sehr stabile Halbleiterbauelemente herzustellen.
Yfeitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben-sich
aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Figur.
In der Figur ist ein Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement dargestellt. Im vorliegenden Fall handelt es sich um einen
k Planartransistor mit einem η-dotierten Emitter 1, einer pdotiorton
Basis 2 und einem η-dotierten Kollektor 3· Auf der
Oberfläche des Transistors befindet sich eine aus Siliciumdioxid bestehende Isolatorschicht 6, deren Randschicht gemäß
der Erfindung eine Passivierungsschicht 9 ist, die aus mit Phosphorpentoxid dotiertem Siliciumdioxid besteht, und die
eine Oberflächenpassivierung bewirkt. Die Basis 2 ist im Abstand von einer als Schutzring wirkenden n+-dotierten Zone
umgeben. Die Basis 2 und die Zone 7 sind mit Metallkontakten 4, 8 versehen, die auch teilweise die Isolatorschicht 6 be-<
decken, aber im Abstand voneinander angeordnet sind. Mit 5 iot ein Kollektorkontakt bezeichnet.
Im folgenden wiiildie Yfirkungswciac der Erfindung näher er-PA
q/!9Viooi 0098Α6/Π5Α3 - 5 -
iOiNAr
lauert:
Der über die Isolatorschicht 6 gezogene Metallkontakt 4 verhindert
die Bildung einer Randschicht von angereicherter ladung. Der Metallkontakt 8 "bewirkt, daß auf der Oberfläche
der Isolatorschicht keine Ladungsträgertrennung auftritt. Der
Schutsring 7 dient als sporrfroie Kontaktfläche für den
Iictallkontakt 8. Die Passivierungsschicht 9 verringert durch Getterv/irkung die Zahl der Ladungen in der Isolatorschicht 6.
2 Patentansprüche
1 Figur
1 Figur
-9/493/1001 QÖ984 6/05 43 ' *. 4 _
BAD
Claims (2)
1. Halbleiterbauelement mit wenigstens einem pn-übergang, der'
durch eine diffundierte Zone des einen Iieitungstyps in einem Halbleiterkörper des anderen Leitungstyps ausgebildet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß ein erster
Metallkontakt (4) der "Zone (2) des einen Leitungstypo eine
auf der Oberfläche deo Halbleiterkörpers befindliche Isolatorschicht
(6) teilweise überdeckt, daß die Zone (2) des einen Leitungstyps in Abstand von einer als Schutzring wirkenden
stark dotierten Zone (7) des anderen Iieitungstyps umgeben ist, daß die als Schutzring \7irkendo Zone (7) mit einem zweiten
P Metallkontakt (8) versehen ii±, wobei der zweite Metallkontakt
(O) teilweise die Isolatorschicht (6) überdeckt, aber elektrisch
von ersten Motallkontakt (4) getrennt ist, und daß die Isolatorschicht (6) eine Passivierungsschicht (9) enthält.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h gekennzeichnet , daß die Passivierungsschicht aus mit
Phosphorpentoxid dotiertem Siliciumdioxid besteht.
009846/054-3
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691920397 DE1920397A1 (de) | 1969-04-22 | 1969-04-22 | Stabilisiertes Halbleiterbauelement |
NL7002197A NL7002197A (de) | 1969-04-22 | 1970-02-17 | |
FR7013787A FR2039343B1 (de) | 1969-04-22 | 1970-04-16 | |
CH571170A CH501311A (de) | 1969-04-22 | 1970-04-17 | Stabilisiertes Halbleiterbauelement |
AT358070A AT316652B (de) | 1969-04-22 | 1970-04-20 | Stabilisiertes Halbleiterbauelement |
GB1892170A GB1270214A (en) | 1969-04-22 | 1970-04-21 | Improvements in or relating to stabilised semiconductor components |
SE557370A SE366871B (de) | 1969-04-22 | 1970-04-22 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691920397 DE1920397A1 (de) | 1969-04-22 | 1969-04-22 | Stabilisiertes Halbleiterbauelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1920397A1 true DE1920397A1 (de) | 1970-11-12 |
Family
ID=5731933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691920397 Pending DE1920397A1 (de) | 1969-04-22 | 1969-04-22 | Stabilisiertes Halbleiterbauelement |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT316652B (de) |
CH (1) | CH501311A (de) |
DE (1) | DE1920397A1 (de) |
FR (1) | FR2039343B1 (de) |
GB (1) | GB1270214A (de) |
NL (1) | NL7002197A (de) |
SE (1) | SE366871B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2202367A1 (de) * | 1972-10-04 | 1974-05-03 | Hitachi Ltd |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3220250A1 (de) * | 1982-05-28 | 1983-12-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbauelement mit planarstruktur |
GB2193596A (en) * | 1986-08-08 | 1988-02-10 | Philips Electronic Associated | A semiconductor diode |
DE58907758D1 (de) * | 1988-09-20 | 1994-07-07 | Siemens Ag | Planarer pn-Übergang hoher Spannungsfestigkeit. |
CN104332499B (zh) * | 2013-07-22 | 2017-08-25 | 北大方正集团有限公司 | 一种vdmos器件及其终端结构的形成方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3343049A (en) * | 1964-06-18 | 1967-09-19 | Ibm | Semiconductor devices and passivation thereof |
-
1969
- 1969-04-22 DE DE19691920397 patent/DE1920397A1/de active Pending
-
1970
- 1970-02-17 NL NL7002197A patent/NL7002197A/xx unknown
- 1970-04-16 FR FR7013787A patent/FR2039343B1/fr not_active Expired
- 1970-04-17 CH CH571170A patent/CH501311A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-04-20 AT AT358070A patent/AT316652B/de not_active IP Right Cessation
- 1970-04-21 GB GB1892170A patent/GB1270214A/en not_active Expired
- 1970-04-22 SE SE557370A patent/SE366871B/xx unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1270214A (en) | 1972-04-12 |
FR2039343A1 (de) | 1971-01-15 |
CH501311A (de) | 1970-12-31 |
NL7002197A (de) | 1970-10-26 |
SE366871B (de) | 1974-05-06 |
FR2039343B1 (de) | 1975-01-10 |
AT316652B (de) | 1974-07-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OHW | Rejection |