DE1813130A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode und durch dieses Verfahren hergestellte HalbleitervorrichtungInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 41
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 34
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- NXLOLUFNDSBYTP-UHFFFAOYSA-N retene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(C(C)C)C=C3C=CC2=C1C NXLOLUFNDSBYTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001233242 Lontra Species 0.000 description 1
- 239000004783 Serene Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N serine Chemical compound OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035943 smell Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8222—Bipolar technology
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
- H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description
Anmslder: N. V. FlJuS' GLOBLA^PENFABRiEKEtI
Aktäl PHN- 3206 Va
Anmeldung vom.: 5. Dezember 19«8
Anmeldung vom.: 5. Dezember 19«8
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer
Zenerdiode und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung.
Zenerdiode und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung.
Die Erfindung bezieht sioh auf ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode, hei der
in einen Halbleiterkörper von derselben Oberfläche her zur Bildung der beiden aneinander angrenzenden Biffusionezonen von entgegengesetzten Leitfähigkeitatypen der Zenerdiode zwei Verunreinigungen
eindiffundiert werden*
eindiffundiert werden*
Es ist bereits bekannt, Spannungsbegrenzerdioden herzustellen, die den Zenereffekt und/oder den Lawineneffekt aufweisen
und die nachstehend als Zenerdioden bezeichnet werden. In linearen
und logischen integrierten Schaltungen wird im allgemeinen eine
Emitter-iiaBie-Diode angewandt, die in der Vorwärtsrichtung vorgespannt
Emitter-iiaBie-Diode angewandt, die in der Vorwärtsrichtung vorgespannt
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wird und auf dem Pegel des Betriebestromes dieser Schaltungen in bezug
auf den Strompegel eine nahezu konstante Spannung hat, die in der Gröasanordnung von 0,6 bis 0,7 V liegt. Da die in linearen oder logischen Schaltungen zu begrenzenden Spannungen im allgemeinen einige
Volt betragen, sollen eine Anzahl Dioden in der Durchlassrichtung in Reihe geschaltet werden. Ea ist aber nicht erwünscht, mehr als drei
oder vier Dioden zu verwenden, einerseits weil eine grosser· Anzahl
Dioden mehr Baum beanspruchen und andererseits weil «ine Vergxosserung der Anzahl Schaltelemente mit Huckeicht auf die Betriebssicher«
heit vermieden werden soll. Daher werden in diesem Fall in der Hegel nur Zenerdioden für den Spannungsbereich zwischen 0,6 und 2,5 V
angewandt·
Für Spannungen über 6 V werden diese Dioden in der Sperrichtung geschaltet.
Venn die Dioden in einer monolitischen Sohaltung integriert sind, werden die beiden Zonen der Diode duroh zwei auffolgende
Diffusionsvorgänge von derselben Oberfläche eines Halbleiterkörpers
her erhalten, welche Diffueionsvorga'nge zugleich mit den Diffusionen
der Jiasen und Emitter der in derselben Schaltung integrierten Transistoren durchgefflhrt werden können«.
Ia Spannungsbereich wischen 2,5 und 6 V können durch
dies« Techniken keine Zenerdioden erhalten werden. Dieser Spannungabereich ist von besonderer Bedeutung für bestimmte Anwendungen in linearen Schaltungen, die eine Speisespannung von z.B. 6, 12 oder 24 V
empfangen. ' . ■ .
Di· vorliegend· Erfindung bezweckt u.a., ein· Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode herzustellen, die im Spannungs-
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bereich svisehen 2,5 und 6 Y und inibesonder· zwischen 4 und 6 V
wirksam ist«
Bi ist bekannt, dass die Durchsolagspannung eines Übergangs von dir Struktur desselben abhängig ist. Bin Übergang zwisohen
sw«i Zonen Bit eine* hohen Verunreinigungsgehalt hat c.B. eine niedrig· Durchschlagspannung, aber wenn eine der beiden Zonen einen niedrigen Terunreinigungsgehalt hat, ist die Durchschlagspannung hooh,
sogar wenn die «weite Zone stark dotiert ist. Di··· Eigenschaft wird
in »in·» Verfahren nach der britischen Patentschrift 1.046.152 benutit, bei den in eine« «it einer epitaktisohen Sohioht versehenen
Haibleiterkfirper «in· Zeairdiode alt hoher Durchschlagspannung (eind«st*ns Über 15 V) «^.gebracht wird. Sine der Zonen dieser Diode besteht
au· einem Teil der eohwaoh dotierten epitaktisohen Sohicht und di·
ander· Zone ist «ine stark dotierte eitia.ifflmd.iert· Zone. Sie beabsichtigte hohe Durchschlagspannung wird duroh die eohwaoh dotierte
Zone, die einen Teil der epitaktisohen Sohioht bildet, herbeigeführt.
Weiter ist es bekannt, dass ein Übergang «riechen ewei
Zonen, deren Verunreinigungsgehart allmShlioh in Richtung von der
Oberfläche her abnimmt (gleichmffssiger Übergang)9 «in· verhlltniskSseig hohe Durchsohlagspannung hat, wfihrend ein übergang swisohen
swei Zonen, deren Verunreinigungsgehalt sich in der direkten Umgebung
des Übergang stark findert (scharfer Übergang) eine niedrigere Durchschlagspannung aufweist. Die obenerwähnten Zen«rdiod«a# di· duroh
awe! auffolgende Diffusionen von derselben Oberfläche «in·· Halbleiterkörpers her erhalten sind, haben gl«iohna*ssig# Überginge.
Die Erfindung hat ferner den Zweck, «in· Zenerdiode tu
schaffenf die im Spannungsbereich zwischen 2,5 und 6 V wirksam ist
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und die durch einen scharfen Übergang gebildet wird, der in der Sperrrichtung betrieben werden kann.
Der Erfindung liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass
ein diffundierter Übergang mit der gewünschten Durchschlagspannung erhalten werden kann, der nahezu ein scharfer Übergang ist, indem Ausdiffusion, d.h. eine an sioh bekannte Bearbeitung, durchgeführt wird,
bei der ein Halbleiterkörper z.B. naoh Diffusion einer Oberflächenzone einer Wärmebehandlung unterworfen wird, bei der die im Halbleiterkörper vorhandene Verunreinigung aus dem Halbleiterkörper ausdiffundiert,
Wodurch die Concentration dieser Verunreinigung, insbesondere In der
V£he der Oberfläche, geändert wird.
ffaäh der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleitervorrichtung «it einer Zenerdiode, bei dem in einen
Halbleiterkörper von derselben Oberfläche her zur Bildung der beiden .
aneinander angrenzenden DiffusionsZonen von entgegengesetzten LeitfähifiMitetypen der Zenerdlode svei Verunreinigungen eindiffundiert
werden, dadurch gekear*-"»leimet» daer. »<aoh dem Eindiffundieren der
ersten Verunreinigung mit einer hohen Oberfl&'ohenkonzentration das
Yoreeiohen des Konzentrationegradienten der Verunreinigung in einem
an der OberflÄohe angrenzenden Teil der ersten Zone durch Ausdiffusion
umgekehrt wird, wonach In diesen Teil der ersten Zone die zweite Verunreinigung mit einer hohen Oberfla'chenkonzentration und einem gros-βen Konsentratlonsgradlenten zur Bildung der zweiten Zone eindiffundiert wird* welche zweite Zone sich höchstens über eine gleiche Tiefe
wie der !Teil a.«e ersten Zone mit umgekehrter Konzentrationsgradienten
1« Halbleiterkörper erstreckt.
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der beiden Verunreinigungen in der Nähe des Übergangs einander ent-. gegengesetzt sind, so dass ein soharfer Übergang erhalten wird.
Der Konaentrationsgradient der ersten Verunreinigung in
der unmittelbaren Nähe des Übergangs ist von den Bedingungen abhängig, unter denen die Ausdiffusion durchgeführt wird. Durch passend· Wahl
z.B. der Zeitdauer der Auediffusion, der Temperatur des Halbleiterkörpers und der Atmosphäre, in der die Ausdiffusion durchgeführt wird,
kann ein grosser Orädient mit umgekehrtem Vorzeichen erhalten werden«
Weiterhin kann auoh der Konzentrationsgradient der zweiten Verunreinigung gross sein, insbesondere wenn eine Diffusionsbehandlung kurzer
Zeitdauer durchgeführt wird.
Bein Verfahren nach der Erfindung kann durch Anwendung
▼on Ausdiffusion die Oberflfohenkonzentration der ersten Verunreinigung
die einer der die Durchschlagspannung bestimmenden Faktoren ist, genau geregelt werden. '
Die Erfindung ist besonders wichtig für die Herstellung integrierter Halbleitervorrichtungen und sohafft auf einfaohe Weise
die Möglichkeit, eine Zenerdiode kit der gewünsohten Durchschlagspannung in einer integrierten «onolitisohen Halbleitervorrichtung anzubringen, ohne dass eine grosse Anzahl zusätzlicher Bearbeitungen
durchgeführt iu werden brauchen.
Eine «ehr günstige Ausführungsform des Verfahrens naoh der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in einer Oberflächenschicht von einem LeitfShigkeitstyp des Halbleiterkörper zugleioh
durch Diffusion derselben ersten Verunreinigung die erste Zone und die
Isolierungssonen voe anderen LeitfShigkeitstyp zur gegenseitigen Isolierung verschiedener Teile der Oberflächenschicht angebracht werden·
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Vorzugsweise wird die Ausdiffusion während der Diffusionsbehandlung(en), bei der (bei denen) Zonen einee/oder mehrerer wei-
terer Schaltelement© der Halbleitervorrichtung angebracht werden» durchgeführt. Dabei können, die Zonen dieser Schaltelemente von einem vorher angebrachten vordiffundierten Gebiet her eindiffundiert werden·
Die einzig· zusätzliche zum Anbringen der Diode erforderliche Behändlung ist die Diffusion der zweiten Verunreinigung, welche' Behandlung
sehr kurz sein kann, wodurch die zuvor ie Halbleiterkörper angebrachten Gebiete praktisch nicht beeinträchtigt werden.
Die Ausdiffusion wird vorzugsweise bei einer Temperatur von mindestens 1000 C durchgeführt, während ausserdem vorzügliche
Ergebnisse erzielt werden, wenn die Ausdiffusion in einer trocknen Sauerstoff atmosphäre erfolgt.
Vorzugsweise wird als erste Verunreinigung das Element Borium angewandt.
Es empfiehlt sich, Ausdiffusion in einem Oberflächenteil der ersten Zone zu verhindern, damit die erste Zone auf einfache
Weise mit einem Kontakt versehen verden kann. Dieser Oberfläohenteil
kann dann als Kbntaktsone verwendet werden·
Die Erfindung besieht «ich weiterhin auf Halbleitervorrichtungen mit einer Zenerdiode, die duroh das Verfahren gepf·· der
Erfindung hergestellt ist.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der beiliegenden Zeichnung näher erläutert. Eb zeigern
Fig. 1 den Konzentrationaverlauf der eindiffundierten Verunreinigungen ala Funktion der Tiefe bei einer duroh ein bekanntes Verfahren hergestellten Diode|
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Fig* 2 den entsprechenden Konzentrationsverlauf für
eine durch das Verfahren genä'ss der Erfindung hergestellte Diodef
Figuren 3a - 3j schematische Querschnitte durch eine
erste Aueführung«for« einer Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode und einem npn-Transistor in verschiedenen Herstellungsstufen
des Verfahrene gemftss der Erfindungi
Fig. 4 einen schematischen Querschnitt durch eine zweite Aueführungsfore einer Halbleiterrorriohtung nach der Erfindung
alt einer Zenirdiode und eine* Traneietor|
Fig, 5 einen schematisohen Querschnitt durch eine dritte Ausführung·for« einer Halbleitervorrichtung mit einem Transistor
und einer Zenerdio ι gema'ss der Erfindung.
Die Kurve A der Fig. 1 zeigt den Verunreinigungskonzentrationsverlauf 0 in Atomen/om axe ■■■ Ation der Tiefe in μκ, wie er
durch eine erste Diffusion von einer Oberfläche eines Halbleiterkörpers her erhalten wird. Dl· Kurv« B zeigt einen entsprechenden Verlauf der Konzentration einer Verunreinigung, die einen de« der bei der
ersten Diffusion verwendeten VerWreinigung entgegengesetzten LeItffihigkeitetyp herbeiführt, welcher Verlauf durch eine zweite Diffusion von derselben Oberfläche her erhalten ist. Diese beiden Diffusionsvorgfinge sind naoh der zum Erhalten einer integrierten Zenerdiode in einer eonolltischen Schaltung üblichen Technik durchgeführt.
Die beiden Diffusion·fronten verschieben sich in der gleichen Richtung mit verschiedenen Geschwindigkeiten, wodurch bei S^ sich «in
Übergang bildet, der als ein gleiohmfssigor übergang bezeichnet wird,
weil der Gradient der Konzentrationen der beiden Verunreinigungen in
der Kühe dieses Überganges gering ist und weil die Konzentrationen in
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. 320β«
der gleichen Sichtung abnehs&n»
Die mit einer gtstiiofaolten Linie angegebene Kurve D,
in Fig. 2 aeigt den Kbnztniraiioneverlauf C (at/oB ) ale Funktion
der Tief· P (μ&)9 der durch eias ©rate-Diffusion wn der Oberfläche
her erhalten wird. Die Tolle Linie Dg seig^ &en Konzentrationswrlauf,
naohdem ein« AusdiffttsionsfcehaBdlung durchgeführt worden ist» Bar
Terlauf als Funktion der Timtm hat sich in bessug auf die Kurre- IK .
geändert und inshesondsre iat la der Iahe der Oberfläehe dass ¥oneioken
d«e Gradienten umgekehrt» Biq ISarve S aeigt dea IConaentrat-ioae»
verlauf einer Verunreinigimg tom «atgegengeaeisten Leitfähi^ceitst^j,
der duroh «ine kurszsitig© BlffUsioa τοη derselben Ob'erfläche her erhalten
wird. Im Schnittpunkt der l&trven D„ und S bildet ©ich. ein Übergang
J«f der als ein scharfer übergang bezeichnet wird, weil der Gradient
der TerunreinigungskoBsentrafionen In der läli© des Übergangs
ist.
Figar«a 3» - 3J aeig®» versohi-edene Stufe» ia fier H©r-
aH>l*it«woxxiohtuegf die a.&. eiae Zea®rdiod© aaoh
Brfladuiig «nih<. Biea® Ilgurtia s©igea sä» eiae Diode «ad beieiia#a
feaniieterg alea? ee ifefte einlewishtenj, dass ia einer
ohaltimg-aucii aüä«re O0wohl paseiTe als auch a&t:|"vro
Hit ©iaer Sea®»älöie ^koatiniert. werd©a konn@B.o Ei
«ei "bemerkt? aase i.io Äbmeesxmgen in den Figur©ώ d@r
balfeer nicht .Ie ffiohtigsa Vesheltais dargestellt siad0
©ind di· Baekierüadeia O3^is©hioht®a niofet dsrgesteilt 9 wäfe-
bei d®r B#8©!ir«iljii3lg Aiss® Oz^deehi.ohten au oh niaht stets er·=
i9 weil dia Aütelagäing di@s©i· Sefeioiitea «ad die- AnteiafOÄ
.Feaetern in diese© Sslielitea &,n gewunBchteja. Stellen völlig
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auf in der Halblei terteolinik übliche Heise erfolgen kann.
In der Ausführungsform nach den Figuren 3a - 3j ist die
Otierfläohenzone vo« gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Oberflächenschicht de· Ealbleiterkörpers, in dem sie angebracht ist*
Die erwähnte Oberflächenschicht ist z.B. eine epitaktische Schicht, die auf einem Substrat vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp angebracht ist. Im vorliegenden Beispiel sind der Transistor, die Diode und die etwaigen übrigen (nicht dargestellten)
Schaltelemente gegeneinander und gegen ein duroh die erwähnte Unterlage gebildetes Substrat durch IsolierungBzonen isoliert, die dadurch erhalten werden, dass von der Oberfläche her eine Verunreinigung von einem dem der Oberflächenschicht entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp eindiffundiert wird, wobei die auf diese Weise erhaltenen
Isolierungaaonen, die sich bis in das Substrat erstrecken, zusammen
mit diesem Substrat gegeneinander isolierte Teile der Oberflächenschicht umgeben. Dabei ist in diesem Beispiel die Oberflächenschicht
vom n-LeitfiQiigkeitstyp und das Substrat vom p-Leitfähigkeitstyp.
Auf einer Oberfläche 2 eines mono-kristallinen Halbleiterkörpers 1 vom p-Leitfähigkeitstyp (Fig. 3a) wird ein vordiffundiertes p-leitendes Gebiet 3 an Stellen angebracht, die den benötigten Isolierungeionen entsprechen. Dann wird ein zweites vordiffundiertes Gebiet 4 (71g· 3b) vom n-Leitfähigkeitstyp angebracht und
von diesen Gebiet her kann duroh Diffusion eine begrabene Sohioht für den Kollektor des Transistors gebildet werden.
Dann wird auf der Oberfläche 2 eine epitaktische Sohicht 5 (Fig· 3o) vom n-L#itfIhigkeitstyp angebracht.
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Oberflächenschicht de« Halbleiterkorpers bildet, werden ein vordiffundiertes Gebiet 7 (Fig· 3d) an den den Gebieten 3 entsprechenden
Stellen und ein vordiffundiertes Gebiet 3 angebracht, von welch letsterem Oebiet her eine der Zonen der Diode eindiffundiert werden kann.
Dabei ist es wichtig) dass nach der Diffusion die Konzentration an
der Oberfläche sehr ho oh ist»
Bei der folgenden Behandlung werden von den vordiffundierten Gebieten her Zonen eindiffundiert, die in Fig. 3« schematisch
dargestellt sind.
Die Zone 9 der Diode weiat einen durch d,ie Kurve D^ der
Pig. 2 dargestellten Verunreinigungskonzentrationsverlauf auf, wobei
die Oberfla'ohenkonzentration genügend ho oh gewählt ist, damit auoh
nach der Ausdiffusion eine hohe Oberfläohenkonaentration erzielt wird.
Durch die Diffusion von den vordif fundieritn Oebieten
und 7 her werden kontinuierliche Zonen 10 gebildet, wodurch versohi®-·
den· von diesen Zonen umgebenen Elemente isoliert werden. Durch die
Diffusion vom vordiffundierten Gebiet 4 her wird di® begrabene Schicht
11 des Transistors gebildet,
Anschliesaend wird ein vordiffundiertee Oebiet 12 angebracht und von diesem Gebiet her wird di« Basis des npn-Transistors
gebildet (Pig. 3f).
Während des Diffusions vor ganges, l>ei dem das Gebiet 13
gebildet wird (Fig. 3g), wird die Oberfla'ohe des Gebietes 9 unmasklert
gelassen, damit in der Mit· dieser Oberfläche eine «rste Ausdiffusion
d«r Verunreinigungen bewirkt wird.
Dann werden vordiffundierte Gebiet· 14 und 17 vom n+-
Leitfähigkeit·typ angebracht und von diesen Gebietern h«r wesdtn
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PM. 3206.
bitter 15 de* Transistors und die Köntaktsone 18 fär den Kollektor
des Sr&neietor· eindiffundiert (Fig. 3h), wobei während dieser Diffueion eine «weite Ausdiffusion in Gebiet 9 erfolgt, wenn die Oberfläche die··* Qebiete« 9 unaaekiert gelassen wird. flach diesen Ba*
Handlungen weist da« Gebiet 9 einen durch die Surre B2 der Fig. 2
geeeigten Yerunreinigungskonzentrationsverlauf auf*
Bi* niohate Stufe in dem Verfahren nach der Erfindung
besteht in der Diffusion stur Bildung der «weiten Zone 16 der Diode
(fig· 33). Sub Erhalten einer untiefen nt-Zone Bit einer hohen OberflaOhenkonaentration und ein·· grossen Gradienten wird die·· Diffu-•ion bei ^eThIltnis«£saig hoher Temperatur und während kurter Zeit
durchgeführt*
Die Torriohtung kann sit Eontakten auf &«n unterschiedlichen Gebieten der Schalteleaente komplettiert werden) welche Kontakte s.B. durch Aufdampfen ie Yakut» angebracht werden kännen.
FIg* 4 »«igt ein· Halbleitervorrichtung mit einer Diode
der an Band, der Flg. 3 b**oharleb«nen Art und «inen fcransietor, der
au dee de» Fig. 3 kcmpleeentfr int.
Das Substrat, tsh 4«· aaegegangen wird, enthllt eine
OberflaOhensohioht 21, *.B. ro* n-Leitfaaigkeitstyp, Xn dieser Schicht
wird ein Tordiffundiert·· Gebiet an einer Stell· angebracht, dl«
der Zone 2$ des Kollektor· d·· Transistors entspricht. Sann wird auf
der Schicht 21 «in« epitaktisoiie Sehioht 22 το· gleichen Leitfihifkeitstyp angebraoht. Anschlieseend werde« »ugleioh dl« Σοβ· 25, dl·
•in· ringforaige und wenigstens ununterbrochene O«o*etri· aufweist
und die susasnen alt der Zone 29 den Kollektor bildet, U&d die *nod«
23 einer Zenerdlode unter den für die Anode 9 an Sand der Fig. 3t
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PHN. 3206.
beschriebenen Bedingungen eindiffundiert. Die Zone 28, die von den
Zonen 25 und 29 umgeben wird, kann die Basis des Transistors bilden,
aber es ist oft erwünscht, eine Zone 27 -vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Schicht 22 anzubringen» Auf diese Weise "wird ©ine Basis
mit einem Konzentrationsgradienten erhalten, der die Charakteristiken de· Transistors verbessert. Während der Diffusion der Zone 27 wird
nach der Erfindung eine erste Ausdiffusion aus der Zone 23 durchgeführt,
wobei die Ausdiffusion während der Diffusion dea Emitters 26 •rgfinet wird. Die zweite Zone der Diode wird auf gleiche Heise wie ,
im vorhergehenden Beispiel eind.iffundiert.
Die Ausfuhrungsform nach Pig. 5 zeigt ©in Substrat 31
TOB n-Leitfähigkeitstyp, auf dem ©in© epitaktische Schicht 32 vom
p-Ltitfthiglceitstyp angebracht ist« Das Herstellungsverfahren kann
To'llig analog dem in dem an Hand d@r figuren 3a -.3j beschriebenen
Beispiel angewandten Verfahren sein* Die Isolierungssonen sind mit
36 btBeiohn«t| der Kollektor &®e Transistors hat ©in® begrabene
Schicht 30 und ©ine Kontaktzone 37, während die Basis und der Emitter
dta Transistors mit 39 bzw. 36 bezeichnet sind» Die Diode weist eine
Soft« 33 aufj bei der nach der Erfindung Ausdiffusion angewandt wird,
und eine Zoa· 34, die durch ein© kursseitige Diffusion erhalten.wird.
Toriugsifsis® visu, inslb® sonder® waim der Halbleiterkörper aus Siliai-
VM fc·«tehi WBd die erste Zone der Zenerdiode vom n-»Leit£a'higkeitstyp
ist, für «Inen Teil der Zone 33 Ausdiffusion verhindert, so dass
•In· Iontakt«on« 35 gebilä@t wird, la der die maximal® ferunreini»
gungskonaentraiion aufrechterhalten. wird9 damit ein befriedigender
Kontakt angebracht werden kann.
Beispielweise werden nachstehend die wichtigsten Stufen
@i Π Q A 1 ^ / 1 % /, Q
3 U 3 W Q O S ι ύ f 3
PHN, 3206.
in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Diode und
' einen npn-Tntneistor, wie sie an Hand der Figuren 3a - 3j beschrieben
wurde, auseinander gesetzt.
Auf der Oberfläche eines monokristallinen p-leitenden
Siliziumkörpera 1 mit einer Stärke von etwa I50 μ und einem spezifischen Wideretand in der Grossenordnung von einigen jCl.om, der als
Verunreinigung Bor Bit einer Konzentration von z.B. 3 . 10 J at/cm
enthält, werden zwei vordiffundierte Gebiete angebracht. Eine dieser
20 Gebiete enthält Arsen mit einer Oberflächenkonzentration von 10
at/om und dient zur Bildung der begrabenen Schioht des Kollektors
des Transistors, Das andere Gebiet enthält Bor mit einer Oberflächenkonaentration von 10 " at/on und dient zur Bildung der Isolierungszonen* Die dann auf dem Körper angebrachte epitaktisohe Sohioht enthält als Verunreinigung Phosphor mit einer Konzentration von 10
at/cm , welche Sohioht η-leitend iet, einen Widerstand in der Grossenordnung von 0,5 Λ «om aufweist und eine Stärke von etwa 10 μ hat.
Die Ieolierungezonen werden durch Diffusion von Bor von
der Oberflä'ohe der epitaktisohen Schicht her ergänzt, wobei zugleich
die Anode der Zenerdiode angebracht wird. Die Oberflächenkonzentration
beträgt etwa 10 * at/cm und die Zeitdauer der Diffusion ist etwa eine
Stunde.
Anaohliesaend wird ein vordiffundiertee Gebiet zur Bildung der Basis des Transistors angebracht, wobei gleichfalls Bor, nun
nit einer OberflaOhenkonaentration von 10 at/om , angewandt wird.
Während der ansohliessenden Diffusion, die z.B. während 80 Minuten bei
einer Temperatur von 1200° C und in einer trocknen Sauerstoffatmospha're durchgeführt wird, ist die Oberfläohe der Anode der Diode unbe-
909833/1349
ΡΗΝβ 3206.
d«oktj so dass Ausdiffusion stattfindet«
Dann werden Tordiffunäierte Gebiete sur Bildung des
Emitters und des Kollektorkontakte das Transistors angebrachtt wobei
die Verunreinigung aus Phosphor mit einer Oberfla'ohenkonaentration
▼on 10 at/cir besteht. Während der änaohliessenden Diffusion bei
einer Temperatur von etwa 1000° C in einer trocknen Saueretoffatisosphire
mit einer Seitdauer τοη etwa einer halben Stunde wird die Ausdiffusion
für die Anode der Diode fortgesetzt.
Dann wird die Kathode der Diode mit Phosphor mit einer
Oberfla'ohenkonzentration von 10 afyW eindiffundiert, welche Diffusion
eine maximale Zeitdauer von 5 tie 10 Minuten hat»
Schliesslich können auf übliche Weise, s.B. durcih Aufdampfen
einer Metallschicht im Vakuum, die benötigten Kontakte angebracht werden·
Selbstverständlich können die obsnbssotoiebenen Äusfuhrungsformen
durch Anwendung äquivalenter technisches* Mittel im Hahmen
der vorliegenden Erfindung geändert werden» Z0B. können andere Halb»
TTT γ
leitermaterialien, vie Germanium oder A B -Verbindungen Anwendung
finden. Weiterhin können mehr als eine Zenerdiod® und mehr als ®in
Transistor in einer integrierten Schaltung angebracht werden, während
auch andere Schaltelemente, wie Feldeffekttransistoren, Widerstände
und Kapazitäten, verwendet vexden können.
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Claims (6)
1. Verfahren zur Heratellung einer Haltleiter-/orrichtung
mit einer Zenerdiode, bei dem in einen Halbleiterkörper von derselben Oberfläche her zwei Verunreinigungen zur Mldung der beiden aneinander angrenzenden Diffusionezonen von entgegengesetzten Leitfähigkeit a typen der Zenerdiode eindiffundiert werden, dadurch gekennzeichnet t dass nach dem Eindiffundieren der ersten Verunreinigung
mit einer hohen ¥ideretandekonzentration das Vorzeichen das Konzentrationsgradienten der Verunreinigung in einem an der überfläche angrenzenden Teil der ersten Zone durch Ausdiffusion umgekehrt wird,
wonach in diesen Teil der ersten Zone die zweite Verunreinigung mit
einer hohen Oberfläohenkonzentration und einem grossen Konzentrationsgradienten zur Bildung der zweiten Zone eindiffundiert wirir welche zweite Zone sich höchstens über eine gleiche Tiefe wie der Teil
der «reten Zone mit umgekehrtem Konzentrationsgradienten in dem Halbleiterkörper erstreckt,
2· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet; dass
in einer Oberflfohenschicht von eines Leitfähigkeit«typ des Halbleiterkörper« zugleich durch Diffusion derselben ersten Verunreinigung
die erste Zone und Isolierungßzonen vom anderen Leitfähigkeit·typ
zur gegenseitigen Isolierung verschiedener Teile der Oberflächenschicht angebracht werden*
3, Verfahren nach Anspruoh 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass die Ausdiffusion während der Diffusion von Zonen «inte weiteren
Schaltelemente der Halbleitervorrichtung stattfindet«
4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur Bildung eintr Kontmktsont
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PHlI. 3206.
fur die erste Zone Ausdiffusion für ©inen Ofcerfla'chenteil der ersten
Zone, verhindert wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Ausdiffusion hei einer Temperatur
von mindestens 1000 C stattfindet.
6. Verfahren nach einen oder mehreren der vorstehenden Anspruch·! dadurch gekennzeichnet, dass die Ausdiffusion in einer trocknen
Saueretoffatttosphfir· dttrohgef£thr.t wird.
7* Verfahren nach einem oder mehreren der irorstehendsn Anspruch»,
dadurch gekennzeichnet f dass als erste Verunreinigung Bor
angewandt wird.
8# Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdlode, di.e durch
dft· Verfahren nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche
hirgeattilt ist. *■; .
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR132205 | 1967-12-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1813130A1 true DE1813130A1 (de) | 1969-08-14 |
DE1813130B2 DE1813130B2 (de) | 1980-02-28 |
DE1813130C3 DE1813130C3 (de) | 1980-10-23 |
Family
ID=8643206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1813130A Expired DE1813130C3 (de) | 1967-12-14 | 1968-12-06 | Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3635773A (de) |
DE (1) | DE1813130C3 (de) |
FR (1) | FR1557080A (de) |
GB (1) | GB1244508A (de) |
NL (1) | NL6817588A (de) |
SE (1) | SE339726B (de) |
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- 1967-12-14 FR FR132205A patent/FR1557080A/fr not_active Expired
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1968
- 1968-12-06 NL NL6817588A patent/NL6817588A/xx unknown
- 1968-12-06 DE DE1813130A patent/DE1813130C3/de not_active Expired
- 1968-12-11 GB GB58827/68A patent/GB1244508A/en not_active Expired
- 1968-12-11 SE SE16932/68A patent/SE339726B/xx unknown
- 1968-12-13 US US783620A patent/US3635773A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1557080A (de) | 1969-02-14 |
US3635773A (en) | 1972-01-18 |
SE339726B (de) | 1971-10-18 |
NL6817588A (de) | 1969-06-17 |
GB1244508A (en) | 1971-09-02 |
DE1813130B2 (de) | 1980-02-28 |
DE1813130C3 (de) | 1980-10-23 |
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