DE1771182B2 - Photolack - Google Patents
PhotolackInfo
- Publication number
- DE1771182B2 DE1771182B2 DE1771182A DE1771182A DE1771182B2 DE 1771182 B2 DE1771182 B2 DE 1771182B2 DE 1771182 A DE1771182 A DE 1771182A DE 1771182 A DE1771182 A DE 1771182A DE 1771182 B2 DE1771182 B2 DE 1771182B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoresist
- light
- relief
- exposed
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/76—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
- G03C1/91—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers characterised by subbing layers or subbing means
- G03C1/93—Macromolecular substances therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/136—Coating process making radiation sensitive element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Weting (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
sator doppelfunJctionell ist, liefert er die für S Ve -"
netzung der polymeren Ketten des Photoicks ηοί
wendige Brücke. rnoioiecics not-
Die siliziumorganische Verbindung verbessert die Haftung selektiv nur da, wo der Photolack <ZLl^
ausgesetzt wird. Sie ist in der Lage mkder ObSflnrh,
des Schichtträgers zu reagierenfund Bindunln r£t
ihm einzugehen. Geeignete^siSmörgamscSe VerbTn
düngen sind z. B. AethacryloS ih"
.ihn VinyltrichlorLilan, MXÄt
Sn ^Τ
Gruppe der silizi
leicht zu einer polyfu^el&Sj;
drolysiert werden, die sich wirksam an die OberfPirhV
des Schichtträger, ',indet fkispS^ se beHnd i h
auf der Schichtträueroberfläche Si u
wird vor2Ugsweise in
0^ Sauerstoff· *' B· '" Stickstoff,
Sn ?' Vm ™<
ve™eiden· d»° der Sauerstoff den
JJotolack angreift. Ein Temperaturbereich von etwa
pi ??· ° e.r8\bt annehmbare Verdampfungs- und
*^üon^hwindigkeiten. Die Vorwärmze-'t ändert
p? TvPho}?l&ck *» «lotolack. sie ist auch von der
£"mdJcke **>*&"&■ fm allgemeinen erfordert das
^armen 5 bis 20 Minuten, wenn es im obigen
^T™?'^"* durchgefö^t wird, je nach der
Verdj'npfungsgeschwindigkeit des jeweiligen Lösungs-
S «* *» Photolack
^ durch eine Segnete Lichtmaske
t'fienlampe im Bereich von 25ÜÜ bis 5500 A
auSgeset^·. Die bel.chtete Schicht wird dann während
"' Ml"Uten in cinem Lösungsmittel für den nicht
Phololack
Oberfläche erforderlich ist. Die Rcakl „n de,
Gruppe mit der Oberfläche crfcto ",„J
ίΐ
" Ober"ä«he f"r di« Äuung berei,.
wichtsprozent der silmumoraümVlJ, ν I ι
bezogen auf die feste, Si3er PhlL· Γλ &
hervorgebrach,. Eine we ter Ve Ls«ΐΐ der Ha?
tung wird bei wachsender Kon/cntration er sil ,mm 3S
organischen Verbindung beobaciteTΪ 'hT
Haftung bei höheren KonzcmrSonen Λ"
werden kann, so ha? s"ch och i
.%^raktt,;e^tL;::iese:Sdie
s.l.z.umOrganische Verbindung ein niedriges Molekuargew.cht
aufweist und damit das polymere Mateg des Photolackes kann mit verschiedeT
^1"1"1" VCrfahren durchSeführt "«den. D»
e R rh-ltcn.e,f:ützle Material ist im wesentlichen frei von
Beem™ch^™S™ der Schärfe der geätzten Linien,
W'C "u ub'Icherwc'se durch eindrinecndes Ätzmittel
entstehen. Nach dem geschilderten Verfahren wurden
fätZte FigUren in dcr Größenabmessung von 10 » cm
^^-^DeididAt^
t2StC?;LX
Grundsätzlich hat die vorliet-pnrl F r ι ·
selektive Verbesserung de Είπ« r Γ? "
die Verhinderung Z Eindriinten« ? d"Rdlcfs
Ziel. DajedochdasProlicmdfr" ndrin I "T-bei
Ätzprozessen vvetnl Kor 'Jon r5
der als bei den -- mTlderen F-Ί^ T '
.st, wird die FrfindunL an Ihnd ν SCPr0ZeSSen
geschildert. trfmdUng an iIdnd von Atzpro^cssen
Die siliziumorganischen Verbind,,,, t
sich mit auf PolvScfnnamat und ρ'Ϊ .veJtrafn
enthaltenden PhoSS S ? PXISO f b.ut,yIen
schicht aus SiO2 S N "der Λ O «^rflachen-Auf
der Oberfläche soll wenL^fv her^leU}
Wassermenge vo'h.i In seTJ^STΐ
hinzugefügten siliziumorga^^ sch
dern. Diese wird auf die Srhihil dem Photolack zus^m η^, mSSS In jedem Fall werden dfe Materia Ten ,.! ,^f auf den Schichtträger aufSrieht ml Λ™ können z. B. durch Schleudern nd ς J Γ
dern. Diese wird auf die Srhihil dem Photolack zus^m η^, mSSS In jedem Fall werden dfe Materia Ten ,.! ,^f auf den Schichtträger aufSrieht ml Λ™ können z. B. durch Schleudern nd ς J Γ
werden.) Schleudern oder Sprühen gebildet
Dann wird vorgewärmt um d,v V1 r λ
Lösungsmittels defEUTt1. f" H PiUng ^
Hydrof.se und dS Zti^^ZX Zdf*
lysierbarcn Gruppe mit der SchirhHra 1 Ύ,-Τ
ppe mit oer Schichttrageroberfiache
ς h e ^ ein- Einkri.sta.l-Germanium-
Schichtträger wurde mit einem Überzug aus SiO2 mit
4S ^61" Dick^'on 2000 A versehen. Eine Wassermenge,
dle "^" normalen Bedingungen auf dem Oxydüberzug
Vorhanden ist- ™"de d(^t belassen. Die Photolack
Zusammenset^ng enthielt 20 Gewichtsprozent (be-Z°ge"
auf das Po|ymer) ymethactyloxypropyltri-,„
™lho^™ als Zusatz in einem Polyvinylcinnamat-Photolack.
Die Photolack-Zusammensetzung wurde durctl on 1-Mikromc(er-Fi!ter direkt auf die mit Oxyd
deckte Unterlagenoberfläche gefiltert, woraufhin
Schleudern mit 15000 Umdrehungen pro Minute folgte, wodurch ein gleichmäßiger Film von 2800 A
" entstand. Das Material wurde bei 800C IO Minuten
'^8 in StickSt°ff Unter verri"e-tem Druck vorge-
"T' ™ ί" ^ί'"1 ZU tr°ckne" U"d die Hydroly«-
reaktion zu beschleunigen.
«° ?" mk dem Ph°tolack bedeckte MateriaI wurde
^m ultravioietten Licht einer Hochdruck-Quecksilberb°genIamPe v°"
200 Watt 2 Minuten lang ausgesetzt. DaS Licht Sin« durch ein Kollimatorobjektiv, ein neutrales
Dichtefilter und ein fotographisches Negativ.
6, Das belichtete Muster wurde bei 23°C 5 Minuten
'a"g in Xy!o1 ein.^taucht, um das Bild zu entwickeln,
η \™ ^ nichtbelichtete" fotolack wegzulösen!
Das Muster wurde dann in Methylalkohol und Azeton
gespült, um das Xylol zu entfernen, danach wurde
durch 30 Minuten langes Anwärmen bei 150" C in
einer Stickstoff-Atmosphäre getrocknet und gehärtet.
Die SiOg-Schicht wurde mit einer gepufferten Ätzlösung,
die Flußsäure enthielt (113 g NH1F, 170 ecm
H8O und 20 ecm 48 % H F), geätzt, wobei etwa 500 A
je Minute abgetragen wurden.
Nach dem Ätzen wurde der Photolack von der Oberfläche entfernt, indem die Oberfläche mit heißem
Chloroform (800C) unter einem Druck von 7 kg/cm2
besprüht wurde.
Die geätzten Muster bestanden aus Kontaktpröflöchern
von etwa 0,00064 · 0,0025 cm. Die Qualität der erzeugten Löcher war gut, sie zeigten keine der
Unregelmäßigkeiten, die durch eindringendes Ätzmittel entstehen. Eine Wiederholung des Verfahrens
ohne den Zustand der siliziumorganischen Verbindung ergab Löcher, die unregelmäßig geformt waren.
Weitere Versuche mit Polyisobutylen-Photolack ergaben die gleichen verbesserten Muster bei Hinzufügung
der siliziumorganischen Verbindung.
Claims (4)
1. Photolack, der ein Polymer enthält, das an ist, z. B. mit Phosphor oder Bor, ist die Haftung des
sich lichtempfindlich ist oder mit einem im Photo- 5 Reliefs im allgemeinen bei allen Abmessungen merklack vorhandenen zusätzlichen Sensibilisator licht- Hch schlechter.
empfindlich gemacht wurde, dadurch ge- Eine mögliche Lösung des Problems ist die Verwen-
kennzeichnet, daß im Photolack zusätzlich dung einer Haftschicht, welche die Haftung zwischen
eine siliziumorganische Verbindung enthalten ist, dem Photolack und der Unterlage verbessert. Jedoch
die am Siliziumatom mindestens einen äthylenisch io weisen die meisten Haftschichten den Nachteil auf,
ungesättigten Substituenten und mindestens ein daß die bildfreien unbelichteten Stellen beim Ent-
durch Einwirken von Wasser abspaltbares Halogen- wickeln nicht vollständig ausgewaschen werden,
atom, eine Alkyloxy-oder Acetoxygruppe aufweist. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen
2. Photolack nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Photolack auszubilden, der auf einem Schichtträger
zeichnet, daß das Polymer ein Polyisobutylen oder 15 nach dem bildweisen Belichten und Fntwickeln ein
ein Polyzimtsäureester des Polyvinylalkohole bzw. Relief bildet, das selbst bei geringeren Abmessungen
der Zellulose ist. als 10 ~° cm auch bei der weiteren Verarbeitung de-,
3. Photolack nach Anspruch I oder 2, dadurch Materials eine hervorragende Schärfe des projizieren
gekennzeichnet, daß die Menge der siliziumorgani- Musters gewährleistet.
sehen Verbindung 5 bis 40 Gewichtsprozent, be- 20 Die gestellte Aufgabe wird gemäß dem Anspruch i
zogen auf das Polymer, beträgt. gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung erfol-
4. Photolack nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gen entsprechend den Unteransprüchen.
gekennzeichnet, daß die siliziumorganische Ver- Der neue Photolack enthält bestimmte siliziumbindung aus mindestens einem der folgenden Be- organische Verbindungen die in der Lage sind, sich standteile besteht: y-methacryloxypropyltrimeth- 25 mit dem eigentlichen Photolack zu verbinden, wenn oxysilan, Viniltrichlorosilen, Methylvinyldichloro- dieser dem Licht ausgesetzt wird. Diese Verbindungen silan und/oder Vinyltriacetoxysilan. verbessern bei dem Photolack die Haftung mit der
gekennzeichnet, daß die siliziumorganische Ver- Der neue Photolack enthält bestimmte siliziumbindung aus mindestens einem der folgenden Be- organische Verbindungen die in der Lage sind, sich standteile besteht: y-methacryloxypropyltrimeth- 25 mit dem eigentlichen Photolack zu verbinden, wenn oxysilan, Viniltrichlorosilen, Methylvinyldichloro- dieser dem Licht ausgesetzt wird. Diese Verbindungen silan und/oder Vinyltriacetoxysilan. verbessern bei dem Photolack die Haftung mit der
Oberfläche des Schichtträgers selektiv nur an den belichteten
Stellen, während die Haftung an den nicht-30 belichteten Teilen unbeeinflußt bleibt. Wenigstens eins
der Subsituten der siliziumorganischen Verbindung
kann leicht zu einer Hydroxygruppe hydrolysiert werden,
die dann mit der Unterlage reagiert, und der äthylenisch ungesättigte Substituent ist in der Lage.
Die Erfindung betrifft einen Photolack, der ein 35 sich während der Belichtung an den polymeren BePolymer
enthält, das an sich lichtempfindlich ist oder standteil des Photolacks zu binden. Als Beispiel von
mit einem im Photolack vorhandenen zusätzlichen Verbindungen, die sich an den polymeren Photolack
Sensibilisator lichtempfindlich gemacht wurde. binden lassen, sind die Vinylsilane zu nennen. Die
Bei der Herstellung von Elektronikseilen ist es oft- hydrolysierbnre Gruppe kann durch -Si(R)3 dargemals
notwendig, nur einen ausgewählten Teil der 4° stellt werden. R kann unter anderem Halogen eine
Oberfläche einer Unterlage zu bearbeiten, z. B. bei Alkyloxy- oder Acetoxy-Gruppen umfassen,
gedruckten Schaltungen oder bei ebenen Halbleiter- Wenn die siliziumorganischen Verbindungen erfin-
gedruckten Schaltungen oder bei ebenen Halbleiter- Wenn die siliziumorganischen Verbindungen erfin-
bauteilen. Hierbei wird üblicherweise ein Photolack dungsgemäß angewendet werden, entsteht eine wcsentverwendet,
um nach dessen Belichtung und teilweiser liehe Verbesserung der Schärfe der elektrolytisch aufEntfernung
nur die ausgewählten Oberflächengebiete *5 gebrachten oder geätzten Linien, weil vermieden wird.
dem anzuwendenden Prozeß auszusetzen, z. B. der daß zwischen dem Relief und der Oberfläche des
elektrolytischen Abscheidung oder der Ätzung. Grund- Schichtträgers Lösung eindringt,
sätzlich erleiden Photolacke bei der Belichtung ehe- Bekanntlich ist ein wesentlicher Bestandteil aller
sätzlich erleiden Photolacke bei der Belichtung ehe- Bekanntlich ist ein wesentlicher Bestandteil aller
mische Änderungen derart, daß sie im wesentlichen Photolacke ein polymeres lichtempfindliches Material,
unlöslich in einem bestimmten Lösungsmittel werden, 5° dessen Lösbarkeit sich als Ergebnis einer durch Licht
das für nichtbelichtete Lichtabdeckungsmaterialien aktivierten Vernetzungsreaktion ändert. Für diesen
ein gutes Lösungsmittel ist. Indem eine mit einem Zweck sind die polymeren Zimtsäureestcr und PoIy-Photolack
bedecktes Material durch eine Lichtmaske isobutylene hervorragende Materialien. Ein vielbeselektiv
dem Licht ausgesetzt wird und indem der nutzter Zimtsäureester ist Polyvinylcinnamat, da dies
Photolack mitdem geeigneten Lösungsmittel entwickelt 55 ein gutes Bindemittel für den lichtempfindlichen Aktiwird,
bleibt nur der bildweise belichtete Teil des Photo- vator ist und da es selbst lichtempfindlich ist. Es wird
lackes als Relief auf dem Material und schützt es. gewöhnlich mit einem polynuclearen Chinon-Sensibili-Nachdem
weitere Bearbeitungsstufen durchgeführt sator kombiniert, wenn auch andere bekannte Sensibisind,
wird auch das Relief entfernt. lisatoren verwendet werden können. Nach der Belich-
Das Relief muß während der Photolackentwicklung 6o tung durch UV-Licht vernetzt sich das lichtempfind-
und der elektrolytischcn Abscheidung oder des Ätzens liehe Polyvinylcinnamat. Im vernetzten Zustand ist
fest an der Oberfläche des Materials haften. Andern- das Polymer nicht mehr in dem Lösungsmittel löslich,
falls werden vor allem die Ränder des abgedeckten das zum Entwickeln verwendet wird.
Musters unscharf. Bei anderen Materialien, wie Polyisobutylen, ist
Musters unscharf. Bei anderen Materialien, wie Polyisobutylen, ist
Es ist schwierig, die erforderliche Schärfe bei Ab- 6s zur Lichtvernetzung das Vorhandensein von Sensibilimessungen
in der Größenoidnung von \0~* cm oder satoren notwendig. In den Sensibilisatoren, die typiweniger
zu erzielen. Bei diesen Abmessungen unter- scherweise in derartigen Photolacken zu finden sind,
wandern die Lösungen das Relief fast vollständig. Bei gehören aromatische Diazide, die nach der Belichtung
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US63960167A | 1967-05-19 | 1967-05-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1771182A1 DE1771182A1 (de) | 1971-11-11 |
DE1771182B2 true DE1771182B2 (de) | 1974-09-26 |
Family
ID=24564796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1771182A Pending DE1771182B2 (de) | 1967-05-19 | 1968-04-18 | Photolack |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3520683A (de) |
DE (1) | DE1771182B2 (de) |
GB (1) | GB1231644A (de) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3787239A (en) * | 1970-09-25 | 1974-01-22 | Allied Chem | Chemical strippers and method of using |
US3711287A (en) * | 1971-05-19 | 1973-01-16 | Eastman Kodak Co | Photoresist compositions |
US3779768A (en) * | 1971-08-26 | 1973-12-18 | Xidex Corp | Fluorocarbon surfactants for vesicular films |
US3779774A (en) * | 1972-05-09 | 1973-12-18 | Xidex Corp | Silicone surfactants for vesicular films |
JPS5525418B2 (de) * | 1972-12-20 | 1980-07-05 | ||
JPS5218098B2 (de) * | 1973-05-04 | 1977-05-19 | ||
US3905816A (en) * | 1974-06-27 | 1975-09-16 | Hercules Inc | Preparing lithographic plates utilizing hydrolyzable azoand azido-silane compounds |
US4042387A (en) * | 1976-05-05 | 1977-08-16 | Rockwell International Corp | Photolithographic method of making microcircuits using glycerine in photoresist stripping solution |
US4332881A (en) * | 1980-07-28 | 1982-06-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Resist adhesion in integrated circuit processing |
US4431685A (en) * | 1982-07-02 | 1984-02-14 | International Business Machines Corporation | Decreasing plated metal defects |
US4587203A (en) * | 1983-05-05 | 1986-05-06 | Hughes Aircraft Company | Wet process for developing styrene polymer resists for submicron lithography |
DE3334095A1 (de) * | 1983-09-21 | 1985-04-11 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zum aetzen tiefer graeben in siliziumscheiben mit glatter oberflaeche |
GB8403698D0 (en) * | 1984-02-13 | 1984-03-14 | British Telecomm | Semiconductor device fabrication |
JPS61117746A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-05 | Hitachi Ltd | 光デイスク基板 |
JPS61248035A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Nippon Zeon Co Ltd | 密着性の改良されたホトレジスト組成物 |
US4692398A (en) * | 1985-10-28 | 1987-09-08 | American Hoechst Corporation | Process of using photoresist treating composition containing a mixture of a hexa-alkyl disilazane, propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate |
US4806458A (en) * | 1985-10-28 | 1989-02-21 | Hoechst Celanese Corporation | Composition containing a mixture of hexa-alkyl disilazane and propylene glycol alkyl ether and/or propylene glycol alkyl ether acetate |
EP0252233B1 (de) * | 1986-06-06 | 1991-06-26 | International Business Machines Corporation | Haftungsverbesserungsverfahren für nicht polare Photolacke auf polaren Trägern |
DE3627757A1 (de) * | 1986-08-16 | 1988-02-18 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von flachdruckplatten |
EP0258719A3 (de) * | 1986-08-30 | 1989-07-05 | Ciba-Geigy Ag | Zweischichtensystem |
US5081005A (en) * | 1989-03-24 | 1992-01-14 | The Boeing Company | Method for reducing chemical interaction between copper features and photosensitive dielectric compositions |
US5114757A (en) * | 1990-10-26 | 1992-05-19 | Linde Harold G | Enhancement of polyimide adhesion on reactive metals |
EP0551105A3 (en) * | 1992-01-07 | 1993-09-15 | Fujitsu Limited | Negative type composition for chemically amplified resist and process and apparatus of chemically amplified resist pattern |
JP2008227354A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 半導体層間絶縁膜形成用塗布液保存法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2991204A (en) * | 1957-06-19 | 1961-07-04 | Harris Intertype Corp | Hydrophilic surface |
US3398210A (en) * | 1963-06-17 | 1968-08-20 | Dow Corning | Compositions comprising acryloxyalkylsilanes and unsaturated polyester resins |
US3405017A (en) * | 1965-02-26 | 1968-10-08 | Hughes Aircraft Co | Use of organosilicon subbing layer in photoresist method for obtaining fine patterns for microcircuitry |
-
1967
- 1967-05-19 US US639601A patent/US3520683A/en not_active Expired - Lifetime
-
1968
- 1968-04-18 DE DE1771182A patent/DE1771182B2/de active Pending
- 1968-05-16 GB GB1231644D patent/GB1231644A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1771182A1 (de) | 1971-11-11 |
GB1231644A (de) | 1971-05-12 |
US3520683A (en) | 1970-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1771182B2 (de) | Photolack | |
DE2529054C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes | |
EP0000702B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial | |
DE69830141T2 (de) | Grabenätzen mittels Borosilikatglas-Maske | |
DE2312499A1 (de) | Diazochinon-siloxane und verwendung derselben fuer photolacke und lichtempfindliche gegenstaende | |
EP0057738A2 (de) | Verfahren zum Herstellen und Füllen von Löchern in einer auf einem Substrat aufliegenden Schicht | |
DE3108080A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer gedruckten schaltung | |
EP0146834A2 (de) | Entwickler für Positiv-Fotoresists | |
DE2733267C2 (de) | Photolack | |
US4200463A (en) | Semiconductor device manufacture using photoresist protective coating | |
DE1771568A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von verbesserten AEtzreliefs | |
DE1597756A1 (de) | Maske zum Herstellen einer Maskierung durch Belichten und Herstellungsverfahren | |
DE1772680A1 (de) | Verfahren zur photographischen Herstellung von Masken | |
DE1765509B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer leiterplatte | |
DE1622333A1 (de) | Herstellungsverfahren fuer eine Maske zum Herstellen einer Maskierung | |
DE4203557C2 (de) | Verfahren zur Bildung eines Photoresistmusters und Verwendung einer organischen Silanverbindung | |
EP0220645B1 (de) | Strahlungsempfindliches, positiv-arbeitendes Gemisch und hieraus hergestelltes Photoresistmaterial | |
DE3337315C2 (de) | ||
DE1571088A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer chemisch bestaendigen Beschichtung auf der Oberflaeche eines Koerpers | |
DE69020023T2 (de) | Feinmusterherstellungsverfahren. | |
DE1920932C3 (de) | Photolack fur die Halbleitermaskierung | |
DE2214924A1 (de) | Diffusionsübertragungsbildempfangsmaterialien | |
EP0226741A2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists | |
DE68912664T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Feinstrukturen. | |
DE2855723C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Negativmusters einer Vorlage aus einem Positivlack |