DE1667444B1 - Verfahren zur abtrennung von sicl tief und sihcl tief3 aus einem gasgemisch dieser halogensilane mit wasserstoff - Google Patents

Verfahren zur abtrennung von sicl tief und sihcl tief3 aus einem gasgemisch dieser halogensilane mit wasserstoff

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Description

1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abtrennung Desorption der Chlorsilane, durch welches sich die
von SiCl4 und SiHCl3 aus einem Gasgemisch dieser Nachteile der vorbenannten Verfahren weitgehend
Halogensilane mit Wasserstoff durch Absorption der vermindern lassen.
Chlorsilane in flüssigen organischen oder anorganischen Das Kennzeichnende der Erfindung ist darin zu
Absorptionsmitteln und anschließender Desorption 5 sehen, daß man das Kondensationsverfahren und das
der Chlorsilane. Absorptionsverfahren in der Weise miteinander kombi-
Die Abtrennung der Siliciumchloride aus einem niert, daß das Gemisch in der ersten Stufe auf eine
z. B. bei der Chlorierung von Ferrosilicium an- Temperatur abgekühlt wird, bei welcher ein Teil des
fallendem, von Aluminiumchlorid und Titantetra- Chlorsilangehaltes kondensiert und flüssig abgezogen
chlorid zuvor gereinigten Gasgemisch, welches aus io wird, und anschließend in der zweiten Stufe das über-
diesen Chlorsilanen und Wasserstoff besteht, ist von gehende Restgasgemisch mit dem Absorptionsmittel
großer technischer und wirtschaftlicher Bedeutung bei behandelt wird, wobei der Restgehalt an Chlorsilanen
der Herstellung von hochdispersem Siliciumdioxyd absorbiert und nach erfolgter anschließender Desorp-
durch pyrogene Zersetzung. Da bei der synthetischen tion in flüssiger Form wiedergewonnen wird.
Herstellung des hochdispersen Siliciumdioxyds be- 15 Überraschenderweise wird durch die Kopplung der
sondere Qualitäten des Endproduktes verlangt werden, beiden Verfahren der wirtschaftliche Vorteil bedeutend
ist eine Trennung des besagten Gasgemisches in seine verbessert.
Bestandteile, nämlich gasförmigen Wasserstoff und Zur Durchführung der kombinierten Verfahrensflüssige Siliciumchloride, unumgänglich. Die Trennung weise wird zunächst das WaSSCrStOfT-SiCl4-SiHCl3-der Siliciumchloride erfolgt anschließend nach be- 20 Gemisch auf Temperaturen von +15 bis —25° C, kannten Verfahren. vorzugsweise O bis —15°C, bei Normaldruck oder
Für die Abtrennung der Chlorsilane vom Gasgemisch leicht überhöhtem Druck abgekühlt, wobei der größere sind verschiedene Verfahren möglich, die sich in zwei Teil der kondensierbaren Bestandteile aus dem Gas-Gruppen einteilen lassen: 1. Tieftemperaturkonden- gemisch entfernt wird, und anschließend der Restsation, 2. Absorptionsverfahren. Beide Verfahrens- 25 gehalt an Chlorsilanen bei ebenfalls erniedrigter Tempegruppen sind vom wirtschaftlichen Standpunkt gesehen ratur von 40 bis —30° C, vorzugsweise von 10 bis aus folgenden Gründen unrentabel: —20°C, durch Absorption und folgende Desorption
abgetrennt. In diesem Temperaturbereich kann in
, , . beiden Verfahrensstufen die Kühlung mit einfachen
1. Beim Tieftemperaturverfahren sind Temperaturen 30 technischen Mitteln, im allgemeinen mit einstufigen von -70 bis -80 C notwendig, um den Wasser- Kompressionskälteanlagen, erreicht werden. Das abstoff genügend frei von Sihciumchloriden zu er- zukühlende Gas kann im Kühler sowohl im Gleichhalten. Diese Temperaturen lassen sich nur mit strom mit dem abiaufenden Kondensat wie im Gegenmehrstufigen Kälteanlagen erreichen. strom gefünrt werden. Vorzugsweise wird das Gas
2. Die bekannten Absorptionsverfahren, nach wel- 35 im Gleichstrom mit dem ablaufenden Kondensat gechen die Absorption an aliphatischen und eye- führt und dabei ein höherer Anteil des leichterflüchtilischen Kohlenwasserstoffen, aus denen Doppel- Sen SiHCl3 mit auskondensiert.
bindungen durch Behandlung mit Oleum entfernt Das Kondensationsverfahren als erste Stufe erworden sind, erfolgt, sind dann ungeeignet, wenn möglicht, die nachfolgende Absorption adiabatisch große Anteile von Siliciumchloriden aus dem 4° durchzuführen und doch die im Kreislauf zu führende Wasserstoff zu entfernen sind. Absorptionsmittelmenge klein zu halten. Der Aufwand
wird ebenfalls in der anschließenden destillativen Trennung (Desorption) von Absorptionsmittel und
Bei Absorptionsverfahren, mittels welchen große Siliciumchloriden wesentlich geringer.
Mengen umgesetzt werden sollen, bewirkt die frei 45 Das im erfindungsgemäßen Verfahren zu verwerdende Absorptionswärme bei adiabatischem Be- wendende Absorptionsmittel muß indifferent gegentrieb der Absorption eine beträchtliche Temperatur- über SiCl4 und SiHCl3 sein und für diese ein gutes erhöhung der ablaufenden Absorptionsflüssigkeit und Lösevermögen besitzen. Der Dampfdruck des Abdamit eine starke Absenkung der spezifischen Be- Sorptionsmittels muß bei der Absorptionstemperatur ladungsfähigkeit. Entsprechend werden die im Kreis- 50 am Gasausgang so gering sein, daß nur geringe Verlauf zu führenden Absorptionsmittelmengen groß. luste entstehen. Als Absorptionsflüssigkeit können Dies hat weiter zur Folge, daß die nachfolgende aliphatische, cyclische und aromatische Kohlenwasserdestillative Trennung von Absorptionsmittel und stoffe sowie Halogenkohlenwasserstoffe, deren Siede-Siliciumchloriden einen ebenfalls höheren Aufwand punkt bei Normaldruck oder leicht überhöhtem Druck erfordert. Bei einer isothermen Fahrweise müßten 55 in einem Temperaturbereich von 110 bis 250° C, vorwährend der Absorption sehr große Wärmemengen zugsweise von 130 bis 180° C, liegt, verwendet werden. abgeführt werden. In besonders vorteilhafter Weise lassen sich als
Eine Kühlung des Absorbers ist jedoch schlecht Absorptionsmittel auch Aromatenbenzine verwenden,
durchführbar, da an der kalten Kühlfläche der ab- die einen hohen Gehalt an Xylol, Trimethylbenzol
laufende Film zähflüssig ist und isolierend den Wärme- 60 und Tetramethylbenzol aufweisen,
austausch stark vermimdert. Auch anorganische, gegenüber SiCl4 und SiHCl3
Der Erfindung lag nun die Aufgabenstellung zu- indifferente und die zuvor geschilderten Eigenschaften
gründe, ein Verfahren anzugeben zur Abtrennung von aufweisende Absorptionsflüssigkeiten, wie z. B. Chlor-
SiCl4 und SiHCl3 aus einem Gasgemisch aus diesen siloxane, wie Si2OCl6, Si3O2Cl8, oder Gemische der-
Chlorsilanen und Wasserstoff durch Absorption in 65 selben, können verwendet werden.
flüssigen organischen oder anorganischen, gegenüber Vorteilhafte Ausführungsformen des erfindungs-
den Chlorsilanen indifferenten, jedoch diese zu lösen gemäßen Verfahrens werden durch folgende Beispiele
vermögenden Absorptionsmitteln und anschließender wiedergegeben.
Beispiel 1
Ein Gasgemisch bestehend aus
26.8 Nm3/h H2
79,4 kg/h (= 10,4 Nm3/h) SiCl4
16.9 kg/h (= 2,8 Nm3/h) SiHCl3
wird bei einem Absolutdruck von 900 mm Hg in einem senkrecht stehenden Kühler von 1500 mm Länge und 150 mm Durchmesser (Kühlfläche 1,6 m2) mit einer —5° C kalten Kühlsole von 300C und 00C abgekühlt. Das Gas durchströmt den Kühler im Gleichstrom mit dem ablaufenden Kondensat. Dabei werden 62,8 kg/h SiCl4 und 9,4 kg/h SiHCl3 in flüssiger Form abgeschieden.
Das auf 0° C gekühlte Restgas, bestehend aus
26,8 Nm3/h H2
16,6 kg/h (= 2,18 Nm3/h) SiCl4
7.4 kg/h (= 1,22 Nm3/h) SiHCl3
20
durchströmt eine Absorptionskolonne von 3 m Länge und 120 mm Durchmesser von unten nach oben. Die Kolonne ist mit 15 mm Raschigringen gefüllt. Am Kopf der Kolonne werden 94 kg/h Trimethylbenzol zugegeben, die noch 1,8 kg/h SiCl4 und 0,2 kg/h SiHCl3 enthalten. Die Temperatur der Absorptionsflüssigkeit muß am Kolonnenkopf 0°C betragen. Die Absorption wird adiabatisch durchgeführt.
Das den Kopf der Kolonne verlassende Gas besteht aus:
26.8 Nm3/h H2
0,4 kg/h SiCl4
0,1 kg/h SiHCl3
0,1 kg/h Trimethylbenzol
Dieser Gehalt an Siliciumchloriden entsprechend einem Taupunkt von —700C, ist für die weitere Verwendung des Gasgemisches tragbar.
Das unten die Füllkörperkolonne verlassende Flüssigkeitsgemisch, bestehend aus
93.9 kg/h Trimethylbenzol
18,0 kg/h SiCl4
7.5 kg/h SiHCl3
wird anschließend einer Rektifikation unterworfen und bis auf einen Restgehalt von 1,8 kg SiCl4 und 0,2 kg SiHCl3 von Siliciumchloriden befreit, dann auf 0°C rückgekühlt und wieder der Absorptionskolonne zugeführt.
B e i s ρ i e 1 2
In der im Beispiel 1 beschriebenen Apparatur wird ein Gasgemisch, bestehend aus
26.8 Nm3/h H2
79,4 kg/h SiCl4
16.9 kg/h SiHCl3
bei einem Absolutdruck von 900 mm Hg von 300C auf — 15°C abgekühlt. Dabei werden 73 kg/h SiCl4 und 13 kg/h SiHCl3 in flüssiger Form abgeschieden. Das Restgas, bestehend aus
26,8 Nm3/h H2
6,4 kg/h SiCl4
3,9 kg/h SiHCl3
wird in der im Beispiel 1 beschriebenen Füllkörperkolonne mit auf —15° C vorgekühltem und SiCl4- und SiHCl3-freiem Xylol im Gegenstrom adiabatisch in
35
40
55 Stoffaustausch gebracht. Die am Kolonnenkopf auf" gegebene Xylolmenge beträgt 43 kg/h. Das den Kop* der Kolonne verlassende Gasgemisch hat einen SiCl4 SiHCl3-Restgehalt, entsprechend einem Taupunkt un terhalb — 70° C. Das unten die Füllkörperkolonne ver lassende Flüssigkeitsgemisch besteht aus 42,9 kg/h Xylol, 6,4 kg/h SiCl4 und 3,9 kg/h SiHCl3. Dieses Gemisch wird anschließend einer Rektifikation unterworfen. Das SiCl4- und SiHCl3-freie Xylol wird auf — 15°C rückgekühlt und wieder der Absorptionskolonne zugeführt.
Beispiel 3
An Stelle von Xylol wie im Beispiel 2 wird Hexachlordisiloxan Si2OCl6 als Absorptionsflüssigkeit verwendet. Die Betriebsbedingungen und die Reinheit des Restgases sind die gleichen wie im Beispiel 2. Die im Kreis zu führende Hexachlordisiloxanmenge ist kg/h.

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Abtrennung von SiCI4 und SiHCl3 aus einem Gasgemisch aus diesen Chlorsilanen und Wasserstoff durch Absorption der Chlorsilane in flüssigen organischen oder anorganischen, gegenüber den Chlorsilanen indifferenten, jedoch diese zu lösen vermögenden Absorptionsmitteln und anschließender Desorption der Chlorsilane, dadurch gekennzeichnet, daß das Gasgemisch vor dem Absorptionsvorgang auf Temperaturen abgekühlt wird, bei welchen ein Teil des Chlorsilan-Gehaltes kondensiert und flüssig abgezogen wird, und daß anschliessend das übergehende Restgasgemisch mit dem Absorptionsmittel behandelt wird, wobei der Restgehalt an Chlorsilanen absorbiert und nach erfolgter Desorption in flüssiger Form wieder gewonnen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsgasgemisch vor der Absorption bei Normaldruck oder leicht erhöhtem Druck unter den Taupunkt der Chlorsilane auf Temperaturen im Bereich von 15 bis -250C, vorzugsweise von 0 bis —15° C, abgekühlt wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsgasgemisch im Kühler im Gleichstrom mit dem ablaufenden Kondensat geführt und gegebenenfalls in Abschneidern oder Zyklonen von Flüssigkeitströpfchen oder Nebeln befreit wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorption mit gegenüber den Chlorsilanen indifferenten, jedoch diese zu lösen vermögenden anorganischen und organischen Flüssigkeiten, deren Siedepunkte bei Normaldruck oder leicht erhöhtem Druck im Temperaturbereich von 110 bis 250° C, vorzugsweise von 130 bis 180° C, liegen, vorgenommen wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Absorptionsmittel Aromatenbenzine verwendet werden, welche einen hohen Gehalt an Xylol, Trimethylbenzol und Tetramethylbenzol aufweisen.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Absorptionsmittel Chlorsiloxane, insbesondere Hexachlor-
5 6
disiloxan oder Octachlortrisiloxan sowie tech- 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekenn-
nische Gemische derselben verwendet werden. zeichnet, daß die Absorption bei einer Temperatur
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 4 bis 6, des Absorptionsmittels am Gasaustritt im Bereich
dadurch gekennzeichnet, daß die Absorption von 40 bis —30° C, vorzugsweise von 10 bis —20° C,
adiabatisch im Gegenstrom durchgeführt wird. 5 durchgeführt wird.
DE1667444A 1967-01-18 1967-01-18 Verfahren zur Abtrennung von SiCI tief 4 und SiHCI tief 3 aus einem Gasgemisch dieser Halogensilane mit Wasserstoff Expired DE1667444C2 (de)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3139705C2 (de) * 1981-10-06 1983-11-10 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Aufarbeitung der bei der Siliciumabscheidung und der Siliciumtetrachlorid-Konvertierung anfallenden Restgase
US4941893B1 (en) * 1989-09-19 1996-07-30 Advanced Silicon Materials Inc Gas separation by semi-permeable membranes
CN104016352B (zh) * 2014-06-12 2016-05-18 国电内蒙古晶阳能源有限公司 处理多晶硅尾气的方法和***
CN104555925A (zh) * 2014-11-05 2015-04-29 华文蔚 一种三氯氢硅生产过程中尾气的回收利用方法
CN115744915B (zh) * 2022-12-01 2024-01-23 华陆工程科技有限责任公司 一种氯硅烷液体的处理方法及处理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2843458A (en) * 1955-10-20 1958-07-15 Cabot Godfrey L Inc Process for producing silicon tetrachloride
GB866002A (en) * 1956-05-18 1961-04-26 Laporte Titanium Ltd Process for treating the residual gases in the manufacture of titanium tetrachloride
US3021922A (en) * 1958-07-29 1962-02-20 Dow Chemical Co Recovery and purification of boron trichloride

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

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Publication number Publication date
NO122302B (de) 1971-06-14
US3490203A (en) 1970-01-20
FR1573903A (de) 1969-07-11
GB1181202A (en) 1970-02-11
DE1667444C2 (de) 1975-03-13
JPS5030032B1 (de) 1975-09-27

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Date Code Title Description
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