DE69018178T2 - Verfahren zur Herstellung von Disilan. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Disilan.Info
- Publication number
- DE69018178T2 DE69018178T2 DE69018178T DE69018178T DE69018178T2 DE 69018178 T2 DE69018178 T2 DE 69018178T2 DE 69018178 T DE69018178 T DE 69018178T DE 69018178 T DE69018178 T DE 69018178T DE 69018178 T2 DE69018178 T2 DE 69018178T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- disilane
- phosphine
- arsine
- remove
- hydrogen sulphide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims description 4
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 3
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WLZRMCYVCSSEQC-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) Chemical compound [Cd+2] WLZRMCYVCSSEQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N trisiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH3] ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/046—Purification
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Gewinnung von Disilan.
- Im allgemeinen führt man eine Reaktion der Legierung SiCaAl mit einer Lösung verdünnter Salzsäure durch, wodurch ein Gemisch aus Monosilan, Disilan und Trisilan mit Verunreinigungen, wie z.B. Phosphin, Schwefelwasserstoff, Arsin, Disiloxan und höheren Siloxanen, erzeugt wird, woraufhin man das Disilan dem Gemisch durch Destillation entzieht.
- Dennoch gestattet der Destillationsprozess keine Trennung des Disiloxans von dem Disilan, weil die Dampfdruckkurven der beiden Verbindungen praktisch aufeinander liegen. Andererseits weist das destillierte Disilan noch Spuren von Phosphin, Schwefelwasserstoff sowie Arsin mit Gehalten von etwa 10 ppm auf. Es ist somit notwendig, ein ergänzendes Reinigungsverfahren derart annuwenden, daß man Disilan mit zufriedenstellender Reinheit für elektronische Anwendungen erhält.
- Hierfür hat man schon erwogen, eine Endtrennung durch Adsorption an Molekularfiltern einzusetzen, doch haben von der Anmelderin durchgeführte erste Versuche gezeigt, daß die Trennung an Molekularfiltern zu einer Zersetzung des Disilans beim Kontakt mit dem Filter führen kann, was einen Verlust von etwa 20 % mit sich bringen kann, ohne daß man jedoch dabei zu einer quasi vollständigen Entfernung der Verunreinigungen gelangt, so daß die Endqualität des Produktes dem von der Elektronikindustrie geforderten Standard nicht gerecht wird.
- Aus dem US-Patent 3.982.912 ist es auch bekannt, Phosphin aus einem Gemisch aus Phosphin und Monosilan mittels eines modifizierten A-Zeolithen abzutrennen.
- Es ist auch bekannt, daß man Phosphin aus einem Gemisch von Phosphin und Disilan mittels eines 3A- und 4A-Zeolithen abtrennen kann, wie in Patent Abstracts of Japan, Band 12, Nr. 230 [JP-A-63 25210] und Nr. 410 [JP-A-63 147 815] beschrieben.
- Disiloxan : 5810 ppm
- Trisiloxan : 3,5 ppm
- Disilan : Q.S.
- Die Reinigung wird an Säulen mit einem Querschnitt von 7,3 cm2 durchgeführt.
- Das 3A-Siebbett (Korngröße 1,6 bis 2,5 mm) hat eine Höhe von 110 cm.
- Das mit Kadmium ausgetauschte 4A-Siebbett (Korngröße 1 bis 1,6 mm) hat eine Höhe von 43 cm.
- Die 3A-Siebfüllung beträgt 620 g. Die des 4A-Kadmiumsiebs beträgt 260 g.
- Diese Siebe werden zunächst durch Erwärmung auf 370ºC unter gleichzeitiger Spülung mit 150 l/h Stickstoff während 3 Stunden und danach mit 150 l/h Helium während 1 Stunde aktiviert. Das Helium wird daraufhin durch Pumpen entfernt. Die Reinigung wird bei einer Temperatur von 16ºC bei einem absoluten Druck von 1,3 bar durchgeführt. Der mittlere Durchfluß ist 76 l/h (= 200 g/h).
- Die Analyse des gewonnenen Produktes ergab die folgenden Ergebnisse (mittlere Zusammensetzung der an der gasfbrmigen Phase und der flüssigen Phase der Auffangflasche durchgeführten Analysen):
- Monosilan : 1,7 %
- Trisilan : 470 ppm
- Disiloxan : < 1 ppm
- Trisiloxan : < 1 ppm
- Phosphin : < 10 ppb
- Schwefelwasserstoff : < 20 ppb
- Arsin : < 5 ppb
- Disilan : Q.S.
- Die Analyse der Verunreinigungen Phosphin, Schwefelwasserstoff und Arsin wird chromatographisch mittels eines Photoionisationsdetektors (P.I.D.) durchgeführt.
- Der Disilanverlust durch Adsorption an den Molekularsieben beträgt 30 g, d.h. 3 % der Anfangsmenge.
- Des weiteren verursachen die Vorgänge der partiellen Zerlegung des Disilans an den Sieben die Bildung von 1,7 % Monosilan, d.h. 8,5 g.
- Der gesamte Disilanverlust ist etwa 4 %.
Claims (3)
1. Verfahren zur Trennung von Disilan von einem Rohgas, das Monosilan, Disilan und
Trisilan und Verunreinigungen, wie z.B. Phosphin, Schwefelwasserstoff, Arsin,
Disiloxan und höhere Siloxane, enthält, bei dem das Rohgas einem Schrift zur Trennung durch
Destillation zur überwiegenden Entfernung der anderen Verbindungen des Siliziums mit
Ausnahme des Disiloxans und zur überwiegenden Entfernung der Verunreinigungen
Phosphin, Schwefelwasserstoff und Arsin ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß
man eine Endreinigung des Disilans durch selektive Adsorption an Molekularsieben
durchführt, von denen eines ein 3A-Sieb zur Entfernung der Siloxane und des
Schwefelwasserstoffs und das andere ein 4A-Sieb zur Entfernung des Phosphins und des
Arsins ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das 4A-Molekularsieb zur
Entfernung des Phosphins und des Arsins durch Substitution der Natriumionen durch
Kadmiumionen modifiziert worden ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man zuerst die
Siloxane und den Schwefelwasserstoff an einem 3A-Molekularsieb und daraufhin das
Phosphin und das Arsin an dem 4A-Molekularsieb entfernt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8912478A FR2652346B1 (fr) | 1989-09-22 | 1989-09-22 | Procede de preparation de disilane. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69018178D1 DE69018178D1 (de) | 1995-05-04 |
DE69018178T2 true DE69018178T2 (de) | 1995-09-14 |
Family
ID=9385767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69018178T Expired - Fee Related DE69018178T2 (de) | 1989-09-22 | 1990-09-20 | Verfahren zur Herstellung von Disilan. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5089244A (de) |
EP (1) | EP0419358B1 (de) |
JP (1) | JPH03112804A (de) |
KR (1) | KR910006144A (de) |
CA (1) | CA2025823A1 (de) |
DE (1) | DE69018178T2 (de) |
FR (1) | FR2652346B1 (de) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5211931A (en) * | 1992-03-27 | 1993-05-18 | Ethyl Corporation | Removal of ethylene from silane using a distillation step after separation using a zeolite molecular sieve |
FR2710044B1 (fr) * | 1993-09-17 | 1995-10-13 | Air Liquide | Procédé de séparation d'un hydrure gazeux ou d'un mélange d'hydrures gazeux à l'aide d'une membrane. |
US6083298A (en) * | 1994-10-13 | 2000-07-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Process for fabricating a sorbent-based gas storage and dispensing system, utilizing sorbent material pretreatment |
US6204180B1 (en) | 1997-05-16 | 2001-03-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for manufacturing semiconductor devices, products and precursor structures utilizing sorbent-based fluid storage and dispensing system for reagent delivery |
US5518528A (en) * | 1994-10-13 | 1996-05-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Storage and delivery system for gaseous hydride, halide, and organometallic group V compounds |
US5707424A (en) * | 1994-10-13 | 1998-01-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Process system with integrated gas storage and delivery unit |
US5704967A (en) * | 1995-10-13 | 1998-01-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and delivery system comprising high work capacity physical sorbent |
US6132492A (en) * | 1994-10-13 | 2000-10-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sorbent-based gas storage and delivery system for dispensing of high-purity gas, and apparatus and process for manufacturing semiconductor devices, products and precursor structures utilizing same |
US5916245A (en) * | 1996-05-20 | 1999-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | High capacity gas storage and dispensing system |
US5676735A (en) * | 1996-10-31 | 1997-10-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Reclaiming system for gas recovery from decommissioned gas storage and dispensing vessels and recycle of recovered gas |
US6019823A (en) * | 1997-05-16 | 2000-02-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sorbent-based fluid storage and dispensing vessel with replaceable sorbent cartridge members |
US6027547A (en) * | 1997-05-16 | 2000-02-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and dispensing vessel with modified high surface area solid as fluid storage medium |
US5851270A (en) * | 1997-05-20 | 1998-12-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low pressure gas source and dispensing apparatus with enhanced diffusive/extractive means |
US5985008A (en) * | 1997-05-20 | 1999-11-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Sorbent-based fluid storage and dispensing system with high efficiency sorbent medium |
US6099619A (en) * | 1997-10-09 | 2000-08-08 | Uop Llc | Purification of carbon dioxide |
US5858068A (en) * | 1997-10-09 | 1999-01-12 | Uop Llc | Purification of carbon dioxide |
US5980608A (en) * | 1998-01-07 | 1999-11-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Throughflow gas storage and dispensing system |
US6027705A (en) * | 1998-01-08 | 2000-02-22 | Showa Denko K.K. | Method for producing a higher silane |
US6406519B1 (en) * | 1998-03-27 | 2002-06-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas cabinet assembly comprising sorbent-based gas storage and delivery system |
US6660063B2 (en) | 1998-03-27 | 2003-12-09 | Advanced Technology Materials, Inc | Sorbent-based gas storage and delivery system |
US6070576A (en) * | 1998-06-02 | 2000-06-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Adsorbent-based storage and dispensing system |
US6511528B1 (en) | 1999-03-26 | 2003-01-28 | Uop Llc | Purification of carbon dioxide |
AU2002258956A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-11-05 | University Of Southern California | Ship-in-a-bottle catalysts |
US7105037B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-09-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Semiconductor manufacturing facility utilizing exhaust recirculation |
US6991671B2 (en) * | 2002-12-09 | 2006-01-31 | Advanced Technology Materials, Inc. | Rectangular parallelepiped fluid storage and dispensing vessel |
US8002880B2 (en) | 2002-12-10 | 2011-08-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas storage and dispensing system with monolithic carbon adsorbent |
US7494530B2 (en) * | 2002-12-10 | 2009-02-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas storage and dispensing system with monolithic carbon adsorbent |
US6743278B1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Gas storage and dispensing system with monolithic carbon adsorbent |
US6843830B2 (en) * | 2003-04-15 | 2005-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Abatement system targeting a by-pass effluent stream of a semiconductor process tool |
US7306652B2 (en) * | 2005-03-30 | 2007-12-11 | Parker-Hannifin Corporation | Siloxane removal process |
US8268046B2 (en) * | 2008-05-16 | 2012-09-18 | Matheson Tri-Gas | Removal of impurities from hydrogen-containing materials |
US8679231B2 (en) | 2011-01-19 | 2014-03-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | PVDF pyrolyzate adsorbent and gas storage and dispensing system utilizing same |
US9126139B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-08 | Entegris, Inc. | Carbon adsorbent for hydrogen sulfide removal from gases containing same, and regeneration of adsorbent |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE150599C (de) * | ||||
US3982912A (en) * | 1971-03-31 | 1976-09-28 | Yoshifumi Yatsurugi | Method for preparation of an improved K-A type zeolite and for separation by adsorption polar and non-polar molecules |
JPS5869715A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-26 | Mitsui Toatsu Chem Inc | モノシランの精製方法 |
JPS5930711A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-18 | Showa Denko Kk | モノシランの精製法 |
US4554141A (en) * | 1984-05-14 | 1985-11-19 | Ethyl Corporation | Gas stream purification |
JPS6153106A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-17 | Showa Denko Kk | シランの精製方法 |
JPH0692246B2 (ja) * | 1986-03-11 | 1994-11-16 | 三井東圧化学株式会社 | ジシランの精製方法 |
JPH0753571B2 (ja) * | 1986-12-11 | 1995-06-07 | 三井東圧化学株式会社 | ジシランの精製方法 |
JP2576875B2 (ja) * | 1987-10-14 | 1997-01-29 | 株式会社ソキア | 水準儀のマイクロ装置 |
FR2622564B1 (fr) * | 1987-10-28 | 1990-02-02 | Rhone Poulenc Chimie | Procede de purification de silane |
JPH0336835A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 論理番号付与型マルチアクセス制御方式 |
JPH0636774B2 (ja) * | 1989-10-30 | 1994-05-18 | トーイン株式会社 | 商品陳列ケース |
-
1989
- 1989-09-22 FR FR8912478A patent/FR2652346B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-17 JP JP2244115A patent/JPH03112804A/ja active Pending
- 1990-09-20 CA CA002025823A patent/CA2025823A1/fr not_active Abandoned
- 1990-09-20 DE DE69018178T patent/DE69018178T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-20 EP EP90402593A patent/EP0419358B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-21 KR KR1019900014976A patent/KR910006144A/ko active IP Right Grant
- 1990-09-24 US US07/587,125 patent/US5089244A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69018178D1 (de) | 1995-05-04 |
US5089244A (en) | 1992-02-18 |
CA2025823A1 (fr) | 1991-03-23 |
EP0419358A1 (de) | 1991-03-27 |
EP0419358B1 (de) | 1995-03-29 |
FR2652346A1 (fr) | 1991-03-29 |
JPH03112804A (ja) | 1991-05-14 |
KR910006144A (ko) | 1991-04-27 |
FR2652346B1 (fr) | 1991-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69018178T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Disilan. | |
EP0078966B1 (de) | Molekularsieb-Zeolith für die Gewinnung von Wasserstoff mit der Druckwechsel-Adsorptions-Technik | |
DE60221619T2 (de) | Verfahren zur Reinigung von Synthesegas | |
DE112016003922B4 (de) | Wasserstoffgas-Rückgewinnungssystem und Verfahren zur Wasserstoffgasabtrennung und -Rückgewinnung | |
DE68907968T2 (de) | Rückgewinnung niedrig siedender Silane in einem CVD-Verfahren. | |
DE3843313A1 (de) | Verfahren zur entfernung von gasfoermigen kontaminierenden, insbesondere dotierstoffverbindungen aus halogensilanverbindungen enthaltenden traegergasen | |
DE1095796B (de) | Verfahren zur Reinigung von Silan | |
WO2016055549A2 (de) | Reinigung von chlorsilanen mittels destillation und adsorption | |
DE2755824C3 (de) | Verfahren zum Reinigen von Silan | |
DE69923369T2 (de) | Verfahren zur Adsorption von Kohlendioxid aus einer Kohlendioxid enthaltenden Gasmischung | |
DE102018001359A1 (de) | Reinigungssystem für Trichlorsilan und Silicumkristall | |
DE69104586T2 (de) | Verfahren zur Reinigung von Ammoniak. | |
JPH0219824B2 (de) | ||
DE69202014T2 (de) | Verfahren zur Reinigung von gasförmigen organometallischen Verbindungen. | |
EP1337464B1 (de) | Verfahren zur entfernung von aluminium aus chlorsilanen | |
EP0799633A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Entfernung von Kohlenmonoxid und/oder Wasserstoff aus einem Luftstrom | |
DE3922785C2 (de) | Verfahren zum Regenerieren einer hochsiedenden, CO¶2¶ und H¶2¶S enthaltenden Waschlösung | |
DE102017009059A1 (de) | System zur Reinigung von Trichlorsilan und Verfahren zum Herstellen von polykristallinem Silicium | |
DE3401197A1 (de) | Verfahren zur katalytischen feinreinigung von inertgasen | |
DE3207065C2 (de) | Verfahren zur Regenerierung von nichtumgesetzten Chlorsilanen und nichtumgesetztem Wasserstoff bei der Herstellung von polykristallinem Halbleitersilizium | |
DE3735801A1 (de) | Verfahren zur reinigung von thionylchlorid | |
EP0203408B1 (de) | Verfahren zum Reinigen eines Sauerstoff und Schwefelverbindungen enthaltenden Gasstroms | |
US4908460A (en) | Process for purification of 2,2,3,3-tetrafluorooxetane | |
DE1667444B1 (de) | Verfahren zur abtrennung von sicl tief und sihcl tief3 aus einem gasgemisch dieser halogensilane mit wasserstoff | |
EP1406833B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer salzfreien, wässrigen hydroxylaminlösung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |