DE1564472C3 - Elektronenstrahlerzeugungssystem für eine Elektronenstrahlröhre - Google Patents
Elektronenstrahlerzeugungssystem für eine ElektronenstrahlröhreInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Elektronenstrahlerzeugungssystem
für eine Elektronenstrahlröhre, das mindestens aus einer Kathode mit verhältnismäßig kleiner
emittierender Oberfläche, einer gelochten Steuerelektrode, einer gelochten ersten Anode, einer ersten Beschleunigungselektrode,
einer Fokussierelektrode und einer zweiten Beschleuniguhgselektrode besteht, bei
dem die emittierende Oberfläche der Kathode kleiner als die Fläche der Öffnung in der Steuerelektrode ist
und das sich zur Anwendung bei einem Elektronenstrahlstrom eignet, dessen Höchstwert mindestens
2 mA beträgt.
Es ist bekannt, zur Erzeugung eines sehr kleinen Lichtfleckes auf dem Leuchtschirm einer Elektronenstrahlröhre
eine spitzenartige Kathode anzuwenden.
Es hat sich jedoch herausgestellt, daß die Abmessungen dieses Lichtfleckes ganz wesentlich von dem Elektronenstrahlstrom
abhängig sind. Da die Elektroden der den Elektronenstrahl auf dem Schirm fokussierenden
Elektronenlinse an feste Potentiale gelegt werden, werden diese derart gewählt, daß durchschnittlich die
günstigsten Ergebnisse erzielt werden.
Es zeigte sich jedoch, daß, wenn bei großem Elektronenstrahlstrom ein möglichst kleiner Lichtfleck eingestellt
wurde, dieser Lichtfleck von einem Halo bzw. Lichthof umgeben war. Dieser Lichthof kann nun dadurch
vermieden werden, indem die Fokussierelektrode des Elektronenstrahlerzeugungssystems weniger
stark negativ oder schwach positiv gemacht wird. Dadurch werden aber die Abmessungen des Lichtfleckes
größer. In der Praxis wird bei einem Kathodendurchmesser von etwa 2 mm die Fokussierkathode an ein
Potential zwischen 0 und +100V gelegt. Dann wird zwar nicht der Mindestfleckdurchmesser bei großem
Elektronenstrahlstrom erhalten, so daß die Auflösung des Bildes in den klaren Bildteilen weniger gut wird,
aber das störende Auftreten eines die Grenze zwischen hellen und dunkleren Bildteilen verwischenden Licht
hofes wird vermieden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Elektronenstrahlerzeugersystem der eingangs beschriebenen
Art den Lichtfleck möglichst klein zu halten, ohne einen Lichthof zu erzeugen.
Aus vielen Untersuchungen hat sich ergeben, daß bei einem Elektronenstrahlerzeugungssystem der eingangs
genannten Art diese Aufgabe dadurch gelöst werden kann, daß die emittierende Oberfläche der Kathode
kleiner als 0,35 mm2 und die Fläche der Öffnung der Steuerelektrode das 1,4- bis 2,6fache der emittierenden
Oberfläche der Kathode sind und der Abstand der Ka-
■■ thodenoberfläche von der Steuerelektrode etwa 100 μ
beträgt. Die übrigen Elektrodenabstände können die üblichen Werte aufweisen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 schematisch ein Ausführungsbeispiel eines Elektronenstrahlerzeugungssystems nach der Erfindung,
F i g. 2 'eine graphische Darstellung der Abhängigkeit
des Lichtfleckdurchmessers als Funktion des Potentials der Fokussierelektrode bei konstantem Strahlstrom,
und
F i g. 3 eine graphische Darstellung des Lichtfleckdurchmessers
als Funktion der Potentiale der Fokussierelektrode bei verschiedenen Strahlstromstärken,
bei denen gerade noch kein Lichthof auftritt.
In F i g. 1 bezeichnet 1 den Kathodenträger für die emittierende Schicht 2. Die emittierende Oberfläche
der Schicht 2 hat einen Durchmesser von 0,35 mm (Flächeninhalt 0,1 mm2). Da der Höchstwert des Strahlstromes
2 mA oder höher sein muß, muß die Kathode von einem Typ sein, der eine große Strombelastung aushalten
kann.
Vor. der Kathode 1 ist eine Steuerelektrode 3 mit einer Öffnung 8 angeordnet, deren kreisrunde Fläche
das 1,2- bis 2,6fache der emittierenden Kathodenoberfläche 2 beträgt.
Der Abstand der Steuerelektrode 3 von der Kathodenträgeroberfläche
1 ist etwa 100 μ. Die Stärke des Materials dieser Steuerelektrode 3 ist 200 μ.
Hinter der Steuerelektrode 3 ist eine erste Anode 4 angeordnet, hinter der sich eine aus einer ersten Beschleunigungselektrode
5, einer Fokussierelektrode 6 und einer zweiten Beschleunigungselektrode 7 bestehende
Fokussiervorrichtung befindet.
Der Abstand der Oberfläche des Kathodenträgers 1 von der ersten Anode 4 ist z. B. 600 μ.
Die erste Anode ist an ein Potential von 650 V gelegt, während die Elektroden 5 und 7 an ein Potential
von z. B. 18 kV gelegt sind. Die Fokussierelektrode 6 wird an ein festes Potential zwischen z. B. +100 und
-100 V gelegt.
In Fi g. 2 ist der Durchmesser des auf dem Leuchtschirm gebildeten Lichtfleckes als Funktion des Potentials
der Fokussierelektrode bei einem bestimmten Strahlstrom dargestellt. Es zeigt sich, daß bei einem negativeren
Potential der Fokussierelektrode 6 der Lichtfleckdurchmesser allmählich kleiner wird (Linie 1), aber
bei der bekannten Anordnung wird der Lichtfleck bei einem unter —70V liegenden Potential von einem
Lichthof umgeben (Linie II, Punkt P).
In F i g. 3 ist der geometrische Ort des Punktes P für verschiedene Elektronenstrahlströme und Fokussierelektrodenspannungen
dargestellt.
Die Linie III trifft für einen Durchmesser der emittierenden Oberfläche von 1 mm und einem Durchmesser
der Öffnung 8 der Steuerelektrode und der Öffnung 9 der ersten Anode 4 von je 0,6 mm zu. Daraus ergibt
sich, daß bei einer festen Einstellung des Potentials der Fokussierelektrode von z. B. 0 V zwar kein Lichthof
auftritt, aber daß der Lichtfleckdurchmesser bei 5 2000 μΑ auf mehr als 3 mm zunimmt. Wird der Durchmesser
der emittierenden Schicht 2 auf 0,35 mm herabgesetzt, so wird die Kurve IV erhalten. Für die günstigste
Anordnung beim Höchststrom müßte das Potential der Fokussierelektrode somit auf -700 V herabgesetzt
werden, so daß das Ergebnis bei einer festen Einstellung dieses Potentials durchaus nicht optimal ist, trotz
der Tatsache, daß der Lichtfleckdurchmesser kleiner als 3 mm bleibt. Wenn der Durchmesser der Öffnung 8 jedoch
auf 0,5 mm herabgesetzt wird, wird die viel günstigere Kurve V erhalten (Oberfläche der Öffnung 8 ist
das 2,0fache der emittierenden Oberfläche 2). Wenn der Durchmesser der Öffnung 8 nur das l,2fache des
Durchmessers der emittierenden Schicht ist, wird die Kurve VI erhalten, die noch etwas günstiger ist. Der
Lichtfleckdurchmesser wird bei den Ausführungsformen nach der Erfindung höchstens nur 2,6 mm, ohne
daß ein Lichthof auftritt. Außerdem ist bei großem Elektronenstrahlstrom der Elektronenstrahlquerschnitt
im Ablenkpunkt geringer als bei einem üblichen Elektronenstrahlerzeugungssystem,
wodurch die Ablenkfehler in der Nähe der Ränder des Bildes kleiner bleiben.
Obgleich auch die Verhältnisse der anderen Abmessungen des Elektronenstrahlerzeugungssystems die
günstige Wirkung beeinflussen, ist dieser Einfluß und somit auch die Anpassung dieser Abmessung an die
Abmessungen der emittierenden Oberfläche und der Öffnung der Steuerelektrode an sich bekannt, wenn
diese gemäß der Erfindung gewählt sind. Die emittierende Oberfläche braucht nicht kreisscheibenförmig zu
sein, sie kann auch elliptisch oder oval sein.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Elektronenstrahlerzeugungssystem für eine Elektronenstrahlröhre, das mindestens aus einer
Kathode mit verhältnismäßig kleiner emittierender Oberfläche, einer gelochten Steuerelektrode, einer
gelochten ersten Anode, einer ersten Beschleunigungselektrode, einer Fokussierelektrode und einer
zweiten Beschleunigungselektrode besteht, bei dem die emittierende Oberfläche der Kathode kleiner als
die Fläche; der Öffnung.in der Steuerelektrode ist. und das sich zur Anwendung bei einem Elektronenstrahlstrom
eignet, dessen Höchstwert mindestens 2mA beträgt, dadurch gekennzeichnet,
daß die emittierende Oberfläche der Kathode kleiner als 0,35 mm2 und die Fläche der Öffnung in der
Steuerelektrode das 1,4- bis 2,6fache der emittierenden Oberfläche der Kathode sind und der Abstand
der Kathodenoberfläche von der Steuerelektrode etwa 100 μ beträgt.
2. Elektronenstrahlerzeugungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Durchmesser
der emittierenden Kathodenoberfläche 0,35 mm und der der Öffnung in der Steuerelektrode
0,5 mm beträgt.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6515726 | 1965-12-03 | ||
NL6515726A NL6515726A (de) | 1965-12-03 | 1965-12-03 | |
DEN0029568 | 1966-11-29 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1564472A1 DE1564472A1 (de) | 1970-01-22 |
DE1564472B2 DE1564472B2 (de) | 1975-06-19 |
DE1564472C3 true DE1564472C3 (de) | 1976-02-05 |
Family
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