DE1514861C3 - Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiterschaltungsanordnung. Ausscheidung aus: 1207013 - Google Patents
Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiterschaltungsanordnung. Ausscheidung aus: 1207013Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000036316 preload Effects 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- OQCFWECOQNPQCG-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,8-tetrahydropyrimido[4,5-c]oxazin-7-one Chemical compound C1CONC2=C1C=NC(=O)N2 OQCFWECOQNPQCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 241000158147 Sator Species 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N aluminium antimonide Chemical compound [Sb]#[Al] LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
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- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
- H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
- H01L27/0755—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
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Description
stoffen Zonen gebildet werden, die an die Stelle des ausgeschnittenen Streifens der gezeigten Anordnung
treten. Im ersten Fall wäre die Unterlage 10 der Figur ein getrennter Block aus eigenleitendem Halbleitermaterial,
auf dem der Streifen 14 befestigt ist, während sie im zweiten Fall körperlich aus einem
Stück Halbleitermaterial mit dem Streifen 14 bestünde, der sich dann lediglich infolge seiner Dotierung
in den elektrischen Eigenschaften von der Unterlage unterscheidet.
Claims (1)
1 2
stabile mechanische und elektrische Eigenschaften;
Patentanspruch: seine Kapazität ist nur durch die geometrischen Abmessungen
und die Eigenschaften des Dielektrikums bestimmt und unabhängig von der angelegten Span-Mikrominiaturisierte
integrierte Halbleiterschal- 5 nung. Insbesondere kann der Kondensator mit den
tungsanordnung mit einer Halbleiterschicht, in der gleichen Verfahrensmaßnahmen wie andere übliche
oder auf der zwei oder mehrere verschiedenartige Schaltungsbestandteile von integrierten Halbleiter-Schaltungselemente,
gebildet sind, von denen min- schaltungen und gleichzeitig mit diesen hergestellt
destens eines ein Kondensator ist, dessen einer werden.
Belag ein Teil der Halbleiterschicht ist, auf die io Aufgabe der Erfindung ist eine Weiterbildung der
ein Dielektrikum aufgebracht ist, und dessen dem älteren Vorschlag entsprechenden mikrominiaanderer
Belag eine auf das Dielektrikum aufge- turisierten integrierten Halbleiterschaltungsanordnung
brachte Metallschicht ist, dadurch gekenn- in der Weise, daß jeder Kondensator ohne Rücksicht
zeichnet, daß der eine Belag eine Zone (58) auf die übrigen integrierten Schaltungselemente in
der Halbleiterschicht ist, welche den entgegen- 1S der günstigsten Weise ausgebildet sein kann,
gesetzten Leitungstyp wie das darunterliegende Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht,
gesetzten Leitungstyp wie das darunterliegende Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht,
Halbleitermaterial (14) aufweist. . daß der eine Belag eine Zone der Halbleiterschicht
ist, welche den entgegengesetzten Leitungstyp wie das darunterliegende Halbleitermaterial aufweist.
.. . 2o Durch die erfindungsgemäße Ausbildung wird er
reicht, daß die den einen Belag des Kondensators bildende Halbleiterzone unabhängig von den Eigenschaften
der übrigen Halbleiterschicht so ausgebildet
Die Erfindung bezieht sich auf eine mikrominiaturi- werden kann, wie dies für den Kondensatorbelag am
sierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit a5 günstigsten ist. Insbesondere kann diese Zone durch
einer Halbleiterschicht, in der oder auf der zwei oder Eindiffundieren von Störstoffen eine andere Leitfähigmehrere
verschiedenartige Schaltungselemente ge- keit als das darunterliegende Halbleitermaterial erbildet
sind, von denen mindestens eines ein Konden- halten.
sator ist, dessen einer Belag ein Teil der Halbleiter- Die Erfindung wird nachstehend an Hand der
schicht ist, auf die ein Dielektrikum aufgebracht ist, 3o Zeichnung beispielshalber beschrieben,
und dessen anderer Belag eine auf das Dielektrikum In der Figur ist ein Ausschnitt aus einer mikroaufgebrachte Metallschicht ist. miniaturisierten integrierten Halbleiterschaltungsan-
und dessen anderer Belag eine auf das Dielektrikum In der Figur ist ein Ausschnitt aus einer mikroaufgebrachte Metallschicht ist. miniaturisierten integrierten Halbleiterschaltungsan-
Gegenstand der älteren Patentanmeldung Ordnung im Schnitt dargestellt. Auf einer Unterlage
P 14 39 754.7-33 ist ein Kondensator mit einem 10 ist ein Streifen 14 aus einem einkristallinen Haibersten
Belag aus einem Halbleitermaterial nach Art 35 leitermaterial befestigt. Für das Halbleitermaterial
des Siliziums oder Germaniums oder eines Verbin- kommen Germanium, Silicium, intermetallische Ledungshalbleiters,
einer dielektrischen Schicht aus gierungen, wie Galliumarsenid, Aluminiumantimonid,
einem Metalloxid und einer metallischen Schicht auf Indiumantimonid und viele andere Stoffe in Frage,
der dielektrischen Schicht, bei welchem der erste Bei der Herstellung wird auf dem ursprünglichen
der dielektrischen Schicht, bei welchem der erste Bei der Herstellung wird auf dem ursprünglichen
Belag ein Teil eines Halbleiterkörpers ist, in dem 4o einkristallinen Halbleiterkörper des Leitungstyps η
oder auf dem weitere Schaltungselemente gebildet zunächst durch Diffusion eine Schicht aus Halbleitersind,
und bei welchem die dielektrische Schicht aus material entgegengesetzten Leitungstyps ρ gebildet, so
einem Siliziumoxid gebildet ist. daß ein pn-übergang entsteht. Darin werden dann
Der Kondensator und die übrigen Schaltungs- die Schaltungselemente dadurch gebildet, daß das
elemente können dabei insbesondere Bestandteile +5 Halbleitermaterial stellenweise fortgeätzt wird und
einer mikrominiaturisierten integrierten Halbleiter- daß stellenweise Material des Typs η in die p-Schicht
schaltungsanordnung sein, die auf und in dem ge- eindiffundiert wird. Auf die erforderlichen Stellen
meinsamen Halbleiterkörper gebildet ist. werden dann zur Bildung elektrischer Anschlüsse
Die Verwendung von Siliziumdioxid als Dielektri- Metallkontakte aufplattiert oder aufgedampft,
kum eines Kondensators ist aus der deutschen Patent- 5° Auf dem Streifen 14 ist ein Kopplungskondenschrift 914 266 auch bereits vorbekannt. sator C1 gebildet. Wie die Figur zeigt, gehört zu dem
kum eines Kondensators ist aus der deutschen Patent- 5° Auf dem Streifen 14 ist ein Kopplungskondenschrift 914 266 auch bereits vorbekannt. sator C1 gebildet. Wie die Figur zeigt, gehört zu dem
Aus der schweizerischen Patentschrift 202 347 ist Kondensator ein Siliziumdioxydüberzug 64 auf der
andererseits ein Kondensator bekannt, bei dem die p-Schicht 58. Dieser Überzug dient als Dielektrikum
Kapazität einer in der Sperrichtung vorgespannten für den Kondensator, während die p-Schicht 58 den
Sperrschicht ausgenutzt wird. Wenn die Sperrschicht 55 einen Belag des Kondensators darstellt. Auf die Oberdurch
einen pn-übergang zwischen zwei Halbleiter- sehe des Oxydüberzugs 64 ist ein Metallbelag 66 aufzonen
entgegengesetzten Leitungstyps gebildet ist, plattiert, der den Kondensator vervollständigt. Der
lassen sich solche Kondensatoren zwar leicht als Kondensator besteht aus den beiden leitenden BeBestandteile
von integrierten Halbleiterschaltungen lägen, die durch die p-Schicht 58 und den Metallrealisieren,
sie haben aber den Nachteil, daß eine 6o belag 66 dargestellt sind, und aus dem als Dielektri-Vorspannung
erforderlich ist und daß die Kapazität kum wirkenden Oxydüberzug 64.
von der Größe der Vorspannung abhängt. Bei einer Die Unterlage 10 kann aus eigenleitendem Halbanderen Ausführungsform dieses bekannten Konden- leitermaterial bestehen, das sich durch einen verhältsators werden als Dielektrikum Isolierschichten von nismäßig hohen spezifischen Widerstand auszeichnet, geringer Stärke verwendet, welche von Leiter- und 65 In Abänderung der zuvor beschriebenen Ausführungs-Halbleiterschichten begrenzt sind. form könnte die gesamte Anordnung auch aus einem
von der Größe der Vorspannung abhängt. Bei einer Die Unterlage 10 kann aus eigenleitendem Halbanderen Ausführungsform dieses bekannten Konden- leitermaterial bestehen, das sich durch einen verhältsators werden als Dielektrikum Isolierschichten von nismäßig hohen spezifischen Widerstand auszeichnet, geringer Stärke verwendet, welche von Leiter- und 65 In Abänderung der zuvor beschriebenen Ausführungs-Halbleiterschichten begrenzt sind. form könnte die gesamte Anordnung auch aus einem
Der Kondensator einer dem vorgenannten älteren Block aus eigenleitendem Halbleitermaterial gebildet
Vorschlag entsprechenden Anordnung besitzt sehr werden, in welchem durch Eindiffundieren von Stör-
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US81147659A | 1959-05-06 | 1959-05-06 | |
DE1207013 | 1960-05-06 | ||
US21820662A | 1962-08-14 | 1962-08-14 | |
US611363A US3340406A (en) | 1959-05-06 | 1967-01-24 | Integrated semiconductive circuit structure |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1514861A1 DE1514861A1 (de) | 1969-10-23 |
DE1514861B2 DE1514861B2 (de) | 1972-02-24 |
DE1514861C3 true DE1514861C3 (de) | 1974-02-14 |
Family
ID=27430455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19601514861 Expired DE1514861C3 (de) | 1959-05-06 | 1960-05-06 | Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiterschaltungsanordnung. Ausscheidung aus: 1207013 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1514861C3 (de) |
-
1960
- 1960-05-06 DE DE19601514861 patent/DE1514861C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1514859B2 (de) | 1976-03-25 |
DE1514861A1 (de) | 1969-10-23 |
DE1514859A1 (de) | 1969-09-18 |
DE1514861B2 (de) | 1972-02-24 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |