DE1512544A1 - Laufzeit-Impulsgenerator - Google Patents

Laufzeit-Impulsgenerator

Info

Publication number
DE1512544A1
DE1512544A1 DE19671512544 DE1512544A DE1512544A1 DE 1512544 A1 DE1512544 A1 DE 1512544A1 DE 19671512544 DE19671512544 DE 19671512544 DE 1512544 A DE1512544 A DE 1512544A DE 1512544 A1 DE1512544 A1 DE 1512544A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pulse generator
transistors
time
generator according
run
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671512544
Other languages
English (en)
Inventor
Gerhard-Guenter Gassmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Standard Elektrik Lorenz AG filed Critical Standard Elektrik Lorenz AG
Priority to FR1581545D priority Critical patent/FR1581545A/fr
Publication of DE1512544A1 publication Critical patent/DE1512544A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/04Shaping pulses by increasing duration; by decreasing duration

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Control Of Stepping Motors (AREA)

Description

Laufzeit- Impulsgenerator
Die Erfindung befasst sich mit einem Laufzeit-Impulsgen-erator, bei dem die Frequenz und die Dauer der Impulse durch die Laufzeit eines oder mehrerer Laufzeitglieder bestimmt ist.
Im allgemeinen werden zur Erzeugung von· Impulsen RC-Generatoren z.B. Multivibratoren, Sperrschwinger oder dergl. verwendet, bei denen die Zeitkonstante eines oder mehrerer RC-Glieder für die Wahl der Frequenz und die Impulsdauer .verwendet wird. Es wurden auch bereits Laufzeit—Impulsgeneratoren vorgeschlagen· Bei diesen wird zur Bestimmung der Frequenz und ^ Impulsdauer die Laufzeit von Verzögerungsleitungen herangezogen. Eine Verzögerungsleitung mit relativ langer Laufzeit ist,jedoch entweder sehr lang oder sie arbeitet unter Anwendung elektroakustischer Wandler in Verbindung mit der Schalllaufzeit in einem Medium ( z.B.Glas). In beiden Fällen wird · relativ viel Platz benötigt. Ausserdem ist der wirtschaftliche Aufwand relativ hoch.: Schliesslich ist die Variation der Frequenz nicht oder nur in beschränktem Umfang möglich.
Die Erfindung stellt sich die Aufgabe, einen Laufzeit-Impulsgenerator zujschaffen, der besonders wenig Platz benötigt, nur geringen !wirtschaftlichen Aufwand -erfordert und ausserdem in einfacher Weise in der Frequenz variiert werden .kann· Eine weitere Aufgabe besteht darin, einen" Laufzeit-Impuls
generator: zu
schaffen, der in einfaoher Weise in integrierter
Technik erstellt werden kann.
Dr.Hi/mch
.7.5.67
ORIGINAL INSPECTED
09846/1360-
SEL/Reg. 11 476
i.c
Bei einem Laufzeit- Impulsgenerator, -"bei dem die Frequenz . ν und die Dauer der Impulse durch die Laufzeit eines oder mehrerer Laufzeitglieder bestimmt ist, schlägt die Erfindung vor, dass diese Laufzeitglieder Halbleiterelemente (z.B.Transistoren, Dioden )sind, deren Sperrverzögerung als Laufzeit' dient· Es wird als vorteilhaft angesehen, dass zur Erhöhung der Verzögerungszeit der Halbleiterelemente., ein möglichst grosses Verhältnis von Durchlass- und Ausräumstrom verwendet wird. Ferner erscheint es zweckmässig, dass der· Durchlass- und Ausräumstrom, über mindestens einen Widerstand zu-bzv· abgeführt wird und bei der Zuführung eine möglichst grosse und bei der Abführung eine-möglichst kleine Spannung dem' dem ' Halbleiterelement abgekehrten Ende dieses Widerstandes zugeführt wird, teei einem besonderen Ausführungsbeispiel besteht der Lauf zeitj-Impulsgenerat or aua drei oder; einer höheren unge- * raden Zahl vpn Transistoren, die jeweils einen Kollektorwiderstand haben jund der Kollektor jedes Transistors jeweils über einen Koppelwideestand mit der Basis des folgenden Transistors, bzw, der.KoILektor des letzten Transistors über einpn Koppelwiderstand mk.t der Basis des ersten verbunden sind· Dabei wird ,es als besonders vorteilhaft angesehen, anstelle der Koppel-· widerstände Dioden'zu verwenden, deren Sperrverzögerungsaeit
j ; j ·
kleiner als die der Transistoren iet. "Aber auch die Verwendung· von Transistoren in Kollektorschaltung anstelle der Koppel- ; widerstände·hat sich als vorteilhaft erwiesen· Die Variation der Freq
gen, das
lenz· lässt sich besondere einfach dadurch bewerkstellijeWeils von der Basis der Transistoren, deren Sperr-
verzöger ings'zeit ausgenutzt wird* Ableitwiderstände zu einer ■ Variable:! Spannungsquelle führen· Bei der Ausführung der Laufzeitimpulsgeneratoren in integrierter Schaltung hat es sich als zweckmässig erwiesen, diese Ableitwiderstände duroh Transistoren in Emitterschaltung zu ersetzen· . . '
Die erfindungsgemässe Anordnung hat die ',Vorteile, dass ein : '. einfaoher Laufzeitgenerator: geschaffen wird, der geringen '
Platz erfordert und darüber hinaus sich-besonders für die .
• -0 0.9 81 6 /■ 1 3 6 G; ' · ' ; . - 3 rtBiraNAL »NSPECTED
SEL/Reg. 11 476 " ■ .' . ^
integrierte Schaltungstechnik eignet, weil weder Spulen noch Kondensatoren und-wenn gewünscht, auch keine Widerstände benötigt werden.
Anhand der Ausführungsbeispiele sei die Erfindung näher erläutert. Anhand der Prinzipskizzen Figur 1a - c soll*die der Erfindung· zugrunde liegende Sperrverzögerungszeit von Kalbleitern, kürz erläutert werden. In Pig. 1a ist 3 ein Transistor, 4 ein Kollektorwiderstand, der mit der Batterie-•spannung + TJB verbunden ist. 2 ist ein Koppelwiderstand. 6 ist ein Schalter, dessen Potential am Punkt 1 je nach Schaltstellung positiv oder negativ sein kann. 5 ist ein Abgriff, von dem die Kollektorspannung ,des Transistors 3 abgenommen werden kann· Die beiden Spannungen, die dem Schalter zugeführt werden, sollen nicht auf Hasse bezogen sein, sondern auf die Bezugsspannung, bei der der Basistromeinsatz Liegt. . Bei Silizium-Transistoren ist dies bei1 ca. 0,5 bis 0,7 V der Fall. Zur Erreichung besonders grosser Verzögerungszeiten genügt es somit, dass die negative Spannung relativ zur Masse einen-Wert von z.B. + 0,3 V hat. Dadurch ist es möglich, dass als Schalter ebenfalls ein Transistor der gleichen Art wie der Transistor 3 angewendet wird·
ϊη Fig. 1b wird der.zeitliche Verlauf des Potent als 1 dargestellt, wenn der Schalter 6 von positivem zu negativem Potential umgeschalte; wird. Diese Umschaltung wird idealisiert als unendlich s
ihnell betrachtet»
In Fig. 1c ist die an dem Punkt 5 liegende Kollektorspannung des Transistors wiedergegeben. Der Spannungssprung in positiver Richtung erfolgt nach Ablauf der Verzögerungsze'it T'. Diese Verzögerungezeit ist um so grosser, je grosser der
■ - j ■ ·
Durchlasstrom der Basisemitt.er-Diode ist,' der von -trüber den Schalter Über den Widerstand 2 in die Basis des Transistors
■009846/1360 ." "" 4 "
iMAu SIwPECTED
SEL/Reg. 11 476 ■ - .<T-
fliesst. Sie ist ebenfalls um bo grosser, je kleiner die negative Spannung ist, die nach Umschaltung des Schalters an Punkt 1 liegt. Je kleiner diese Sperrspannung 1st, um so geringer ist ;der sog. Ausräumstrom, der während 4er Zeit über d-en Widerstand 2 zurückfliesst. Zur Erzielung .einer möglichst grossen Verzögerungszeit*l 'Wird daher erfindungsgemäss vorgesehen, das Verhältnis von Durchlass- und Ausräumstrom möglichst grase zu machen. Diese Massriahme wird z.B. dadurch erreicht, dass die dem Schalter 6 zugeführte positive Spannung möglichst gross und die negative Spannung möglichst klein gemacht wird. ·
In Pig.2 wird ein erfindungsgemässer Laufzeit-Impulsgenerator dargestellt. |!Darin entsprechen die Transistoren 7, 8 und 9 dem Transistor 3 in Pig. 1a. Die Widerstände 1o, .11, 12 entsprechen dem Widerstand 4 in Pig. 1a und die Widerstände 13, H, 15 d$m Widerstand 2 in Pig. 1a. Anstelle des Schalters 6 (Pig· 1a) 4ient in Pig.2 der,Transistor ö für den Transistor ■ 9» der Transistor 7 für den Transistor 8 und der Transistor für den Transistor 7. Die Kollektorwiderstände 1o, 11, 12 liegen an der Batteriespannung + TJ15 . Zur Variation der Preq'uenz
1 j °
"des Impulsgenerators wird über die Ableitwiderstände 16, 17, 18· vom Potentiometer 19 eine variable negative Spannung den Basis-'elektroden der drei Transistoren zugeführt. 'Zur Erläuterung der Wirkungsweise der Schaltung Pig·2 dienen die Sp'annungsverläufe, wie sie in Pig, 3a bis c dargestellt sind. Darin ist a di
21 und c
stimmten
t1 fällt
} Spannung des Punktes 2o, b die Spannung des Punktee diel Spannung des Punktes 22, wie sie bei einer bespannung am Potentiometer 19 auftreten. Zur Zeit die Spannung am Punkt 2o auf nahezu 0 V ab ( siehe
"1Ig. 3a)· Die Polge. davon ist, dass nach Ablauf der Sperr-Verzögerungszeitΐ die Spannung am Punkt 21 auf einen positiven Wert ansteigt ( siehe Pig. 3"b ).. Infolge diesee Anstiegs fällt ohne'Ablauf einer Verzögerungszeit das Potential 22 auf nahezu 0 V ab, weil der IransiB-tor die Verzögerungezeit *i
. SEL/Reg. 11 476 " "■ ." _. ■ ' -
' . . I ^ 1612544
nur beim Sperren,nicht jedoch beim Öffnen-aufweist. Infolge dieses zur Zeit tp erfolgenden SpannungsSprungs auf nahezu 0 V am Punkt 22 steigt nach Ablauf der Verzögerungszeit am Punkt 2o die Spannung wieder auf einen positiven Wert an. Infolge dieses Anstiegs zur Zeit t, fällt die Spannung am ' 'Punkt 21 zur gleichen! Zeit auf nahezu Ό V ab. Dieser Abfall hat zur Folge, dass nach weiterem Verstreichen der •Verzögerungszeit 'X .zur Zeit t. die Spannung am Punkt 22 auf positive Werte ansteigt und infolgedessen gleichzeitig die Spannung am Punkt 20 wieder auf negative Werte abfällt. Wie man aus der Pig·3 erkennt, erzeugt dieser mit drei Transistoren1 arbeitende Laufzeit-Impulsgenerätor drei Impülsspannungen, die in ihrer Phase jeweils um -12o° verschoben sind. In ähnlicher Weise arbeitet ein Generator mit 5 Tran-
sistoren oder einer weiteren.ungeraden Zahl von Transistoren. Je höher die Zahl der Transistoren, um so niedriger ist die Frequenz bei gleicher Verzögerungszeit der Transistoren.
Pig· 4 zeigt ein Impuls- Schema entsprechend.Pig.3.» welches ' für einen Impulsgenerator mit 5 Transistoren gilt. Die gezeigten Spannungsdiagramme lassen sich in ähnlicher Weise herleiten wie die Spannungsdiagramme der Pig·3·
• Um die Frequenz bei gleicher Zahl der Transistoren noch weiter herabzusetzen, wird das Verhältnis von Durchlasszu Ausräumetrom,in vorteilhafter Weise dadurch erhöht, dass anstelle der Koppelwiderstände 13, H, 15 Dioden 13a, 14a,' 15a ( s.Pig,5 ) verwendet werden, deren Sperrverzögerungszeit kleiner, vorzugsweise wesentlich kleiner, als die der Transistoren ist. Durch diese Dioden wird erreicht, dass das Verhältnis von Durchlass- zu Ausräuma'trom wesentlich erhöht , wird, weil für den Durchlasetrom der niedrige Wert des Diodendurchlasswiderstandes .massgebend,ist, während für den Ausräumotrom die! Parallelschaltung des aehr hohen und praktisch* vernachlässigbaren Sperrwiderstandee' der Diode mit dem jeweiligen Ableitwideratand1 ( 16, 17, 18 ) bea.timmend ist.
'. _ ORIGINAL l^ZCTED · ,
0*09846 /.1 360 · ■ -6-
SEL/Regi
11
476· " · --Ö---
* ·"· ' 1 Bi 254
5 sind für die gleichen Seile die gleichen
In der Figj
Bezugsz^icli^n wie. in Pig. 2 verwendet. Die grundsätzliche Wirkungsweise' ist ebenfalls gleich. Durch Anwendung dieser-Koppeid:.öden ist es durch schaltungstechnische Massnahmen •möglich] die Sperrverzögerungszeit" der Transistoren weiter zu erhöhen und damit die Impulsfrequenz herabzusetzen.Besonders, stark wird die Sperrverzögerungszeit vergrössert, wenn anstelle der Koppelwiderstände 13» 14, 15 wie in" Pig. 6 Transistoren 13b, 14b, 15b verwendet werden,· die in Kollektorschaltung • arbeiten. Diese Schaltungsanordnung ist in doppelter Weise
vorteilhaft, denn die in Kollektorschaltung arbeitenden ν Transistoren für den Durchlasstrom der nachfolgenden Basis-Emitterstrecke .wirken wie ein besonders niedriger Koppel-. widerstand.Ausserdem arbeiten sie jedoch als Impedanzwandler, so dass die Kollektorwiderstände 10, 11, 12. der jeweils" vorhergehenden Transistoren wesentlich grosser als in' den Schaltungen gemäss Pig· 2 und Pig.5 gewählt werden können. Das hat zur Polge, dass" die Zahl der in der Basis-Emitter- . zone auftretenden Ladungsträger weiterhin erhöht wird, .wodurch die Sperrverzögerungszeit "eine zusätzliche Vergrösserung erfährt. Auch in den Schaltungen Pig.5 und 6 lässt sich die Frequenz mit dem Potentiometer 19 in relativ weiten Grenzen variieren. Auch in Pig. 6 sind für gleiche Teile die gleichen Bezugszeichen wie in Pig.2 verwendet worden· Mit den geschilderten Unterschieden ist die grundsätzliche Arbeitsweise die gleiche, wie. bei den vorhergehenden Schaltungen.
Wenn eine Schaltung gemäss Pig. 2, 4, 5 und 6 in integrierter Technik realisiert werden soll, ist es. zweckmässig, die Ab-'leitwiderstände 16', 17» 1.8 durch Transistoren in Emitterschaltung zu ersetzen, um auf einfache Weise hohe Widerstandswerte zu realisieren. Zur Erzielung extrem hoher Verzögerungs- · zeiten ist es zweckmässig,' ausser der Verzögerungszeit der Transistoren nooh zusätzlich, die Verzögerungezeit von Dioden mit zu verwenden·So ist es z.B. möglich,-'die Widerstände 13» 14, 15 der Pig.2 in jeweils zwei Widerstände aufzuspalten
.. ■■■■·■ 009846/ 136p; . ■ -7"al inspected
SEL/Reg. 11 476
1^12544
und zwischen dem Verbindungspunkt dieser zwei Widerstände jeweils eine Diode zu legen, deren anderes Ende an eine bestimmte Spannung gelegt ist. Um'die Sperrverzägerungszeit • der zusätzlichen Dioden vollständig ausnutzen zu können, ist es weiterhin vorteilhaft, die in zwei Widerstände aufgespaltenen Koppelwiderstände jeweils durch einen transistor in Kollektorschaltung-zu ersetzen. Eine solche Schaltung wird in'Fig. 7 gezeigt. Darin sind" wieder gleiche Seile mit den gleichen Bezugszeichen·versehen. 131 und 132 sind die Transistoren, die dem in zwei Teile aufgespaltenen Widerstand der Pig. 2 entsprechen.Die Transistoren 141 und 142 entsprechen analog dem Widerstand 14 und die Transistoren 151» 152 dem Widerstand 15· Die Dioden 23, 24 und 25 liegen jeweils zwischen den in Kollektorschaltung arbeitenden Transistoren und einer bestimmten Spannung Uy. Der scheinbar sehr hohe Aufwand einer solchen Schaltung ist jedoch in integrierter Technik durchaus wirtschaftlich vertretbar, da in integrierter'Technik Transistorsysteme wesentlich billiger als z.B. Widerstände
und Kondensatoren hergestellt werden können. Ausserdem erreicht man mit einer solchen Schaltung gemäss Fig.7 sehr1 niedrige Frequenzen von z.B. einigen kHz, obwohl die Transistoren Grenzfrequenzen von vielen MHz, z.B. 200 MHz, bes:" was zur" Folge hat, dass mit der Schaltung Impulsspann1 sehr hoher. Flankensteilheit erreicht werden können* ~A~ Kollektorwiderstände 1o, 11, 12 können iria Halt' iiteri hergestellt werden.
S Patentansprüche Bl·Z β ichnungen (
Fig.). · ."■:
Dr.Hi/mch
7.3.67
:■<-"■-■ ι
I ■ ■
009-8 46/1360 .· '' -OWGINAL INSPECTED

Claims (1)

  1. SEI/Reg. 11 476
    Belegexemplar
    Darf nicht geändert werden
    Ansprüche. .. '
    Laufzeit-Impulsgenerator, bei dem die Frequenz und die Dauer der Impulse durch die Laufzeit eines oder mehrerer Lnufzeitr glieder bestimmt ist, dadurch gekennzeichnet, dass diese Laufzeitglieder Halbleiterelemente ( z.B. Transistoren, Dioden) · sind, deren Sperrverzögerungszeit als Laufzeit dient. « . ■ ·
    2. Laufzeit- Impulsgenerator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, , dass zur Erhöhung der Verzögerungszeitj der Halbleiterelemente
    ein möglichst grosses Verhältnis von Durchlass- und Ausräum-■ strom verwendet 'wird. · .
    3. Laufzeit-Impulsgenerator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchlass- und Ausräumstrom über mindestens einen
    " Widerstand zu- bzw. abgeführt wird und bei der Zuführung eine möglichst grosse und bei der Abführung eine möglichst kleine Spannung dem dem Halbleiterelement abgekehrten Ende dieses Widerstandes zugeführt wird.
    4· Laufzeitimpulsgenerator· nach einem-der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass drei oder eine höhere ungerade
    Zahl von Transistoren verwendet werden, die jeweils einen • Kollektorwiderstand haben und der Kollektor jedes Transistors jeweils über -einen Koppelwiderstand mit der Basis des folgenden Transistors bzw. der Kollektor des letzten Transistors über einen Koppelwiderstand mit der Basis des ersten Transistors
    verbunden sind. . · . .
    5· Laufzeitimpulsgenerator nach Anspruch 4ι dadurch gekennzeichnet, dass' anstelle de,r koppelwiderstände .Dioden verwendet werden, deren'Sperrverzögerungezeit Meiner als die der Tranaistoren . Bind» ; . . ■ ι ·■■■.. ■■'■-..·■■ . ■ ■
    0 Q 9 8 4 6 / 1 3 6 0' .original inspected
    SEL/Reg. 11 476
    6. Laufzeit-Impulsg.enerator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass anstelle der. Koppelwiderstände Transietoren in . · Kollektorschaltung verwendet werden, j ·
    7.. Laufzeit-Impulsgeneratör nach einem der Ansprüche 4 bis 6, . dadurch gekennzeichnet, dass zwecks Variation der Frequenz jeweils von der Basis, der !Dransistoren, deren Sperrverzögerungszeit ausgenutzt wird, Ableitwiderstände zu einer variablen Spannungsqueile führen. ' ■ ·
    * ■ ■
    8· Laufzeit- Impulsgenerator nach Anspruch 7# dadurch gekennzeichnet, daes in integrierten Schaltungen diese Ableitwider-' stände, durch Transistoren in Emitterschaltung ersetzt sind.
    ι I
    'i
    009846/1 3 6Ό'
    Leerseite
DE19671512544 1967-03-15 1967-06-03 Laufzeit-Impulsgenerator Pending DE1512544A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1581545D FR1581545A (de) 1967-06-03 1968-05-31

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEST026624 1967-03-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1512544A1 true DE1512544A1 (de) 1970-11-12

Family

ID=7461058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671512544 Pending DE1512544A1 (de) 1967-03-15 1967-06-03 Laufzeit-Impulsgenerator

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3553484A (de)
AT (1) AT281113B (de)
BE (1) BE712206A (de)
CH (1) CH489150A (de)
DE (1) DE1512544A1 (de)
ES (1) ES351631A1 (de)
FI (1) FI44249B (de)
FR (1) FR1565577A (de)
NL (1) NL6803772A (de)
SE (1) SE352501B (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2460644A1 (de) * 1974-10-30 1976-06-24 Siemens Ag Basisgekoppelte flipflops
DE2524044A1 (de) * 1975-05-30 1976-12-02 Siemens Ag Universelles verknuepfungsglied fuer den subnanosekundenbereich

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3588544A (en) * 1968-03-20 1971-06-28 Hazeltine Research Inc Signal generating circuits using internal semiconductor capacitance
US3918008A (en) * 1972-12-27 1975-11-04 Proximity Devices Voltage controlled sweep oscillator
US3831112A (en) * 1972-12-27 1974-08-20 Proximity Devices Voltage controlled sweep oscillator
US3931588A (en) * 1974-09-10 1976-01-06 Rca Corporation Voltage controlled oscillator utilizing field effect transistors
JPS5828773B2 (ja) * 1977-06-21 1983-06-17 松下電器産業株式会社 コンデンサレスオシレ−タ
US4638191A (en) * 1984-07-05 1987-01-20 Hewlett-Packard Company Amplitude insensitive delay line
US4658161A (en) * 1985-08-13 1987-04-14 Hewlett-Packard Company Split phase loop
US4728908A (en) * 1987-01-05 1988-03-01 American Telephone And Telegraph Company Oscillator circuit utilizing multiple semiconductor devices
US5049767A (en) * 1989-05-01 1991-09-17 Honeywell Inc. Shared inverter outputs delay system

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL185742B (nl) * 1953-04-20 Motorola Inc Halfgeleiderschakelinrichting bestaande uit een door middel van licht te besturen thyristorschakelaar voor beide stroomrichtingen.
NL224465A (de) * 1953-04-30
US3018389A (en) * 1958-06-03 1962-01-23 Rca Corp Delay circuit using magnetic cores and transistor storage devices
US3144563A (en) * 1960-04-14 1964-08-11 Sylvania Electric Prod Switching circuit employing transistor utilizing minority-carrier storage effect to mintain transistor conducting between input pulses
US3349252A (en) * 1964-03-16 1967-10-24 Automatic Elect Lab Minority carrier storage flip-flop

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2460644A1 (de) * 1974-10-30 1976-06-24 Siemens Ag Basisgekoppelte flipflops
DE2524044A1 (de) * 1975-05-30 1976-12-02 Siemens Ag Universelles verknuepfungsglied fuer den subnanosekundenbereich

Also Published As

Publication number Publication date
NL6803772A (de) 1968-09-16
US3553484A (en) 1971-01-05
BE712206A (de) 1968-09-16
ES351631A1 (es) 1969-06-01
AT281113B (de) 1970-05-11
FR1565577A (de) 1969-05-02
CH489150A (de) 1970-04-15
SE352501B (de) 1972-12-27
FI44249B (de) 1971-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2921037A1 (de) Hochspannungsschaltung fuer isolierschicht-feldeffekttransistoren
DE19525237A1 (de) Pegelschieberschaltung
DE3814667A1 (de) Rueckspannungsgenerator
DE1028617B (de) Bistabile Kippschaltung mit wenigstens einem Transistor
EP0010137A1 (de) Substratvorspannungs-Generatorschaltung
DE1512544A1 (de) Laufzeit-Impulsgenerator
DE1014591B (de) Anordnung zur Kippschwingungserzeugung
DE2130909A1 (de) Ungesaettigte Logikschaltung fuer TTL- und DTL-Schaltungen
DE1156107B (de) Impulszaehler mit Tunneldioden
DE2358408A1 (de) Horizontalablenkschaltung
DE2444060A1 (de) Treiberschaltung
DE2030135C3 (de) Verknüpfungsschaltung
DE2627047A1 (de) Halbleiterschalter
DE1240551B (de) Impulsgenerator zur Erzeugung extrem steilflankiger Impulse mit Speicherschaltdioden
DE1284521B (de) Schaltungsanordnung mit einem mehremitter-transistor
DE2415629C3 (de) Schaltungsanordnung zum zeitweiligen, von der Größe der veränderlichen Betriebsspannung abhängigen Blockieren eines Stromzweiges
DE2363616A1 (de) Signal-verzoegerungsschaltung
DE4115413C2 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Schaltimpulses
DE2728945C3 (de) Halbleiter-Schalteinheit mit 4-Elektroden-PNPN-Schaltern
DE1085915B (de) Impulsformende Halbleitertransistorverstaerkeranordnung
DE3801530C2 (de)
DE3929350C1 (en) CMOS input to digital output signal level converter - has PMOS and NMOS FET control transistors and current limiter
DE2743099A1 (de) Schaltungsanordnung mit transistoren
DE1144762B (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung rechteckiger Impulse
DE2111409C3 (de) Dynamisches Schieberegister