DE1489283A1 - Elektrischer Kontakt zwischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkoerper und einem Kontaktstueck - Google Patents

Elektrischer Kontakt zwischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkoerper und einem Kontaktstueck

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Description

SIEMEVS AETISIGESELLSCHAFT Akt.Z.: P U 89 283.2
uns.Z.: PLA 65/1867 Soe/Hü
Elektrischer Kontakt «wischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkörper und einem Kontaktstück
Die Erfindung betrifft einen elektrischen Kontakt zwischen einem Germanium-Silizium-Halbleiterkörper und einem Kontaktstück, insbesondere für Thermogeneratoren.
Das Kontaktstück derartiger Kontakte kann als Anschlußstück für eine elektrische Leitung oder bei Thermoelementen als Teil einer Kontaktbrücke dienen. Es muß etwa den gleichen Ausdehnungskoeffizienten wie das Halbleitermaterial haben, damit bei einer Temperaturänderung des Kontaktes keine zu großen mechanischen Spannungen entstehen, ferner muß das Kontaktstück gegenüber einer aggressiven Atmosphäre beständig sein und schließlich soll in vielen Fällen das Kontaktstück elektrisch isoliert sein, damit es, beispielsweise zu Kühlzwecken, an einen metallischen Wärmeaustausohkörper anpreßbar ist.
Ein elektrischer Kontakt der einleitend genannten Art, der alle diese Forderungen erfüllt, besteht erfindungsgemäß darin, daß als Material für das Kontaktstück Titandieilizid oder eine siliziumreichere Variante dieses Materials verwendet ist.
' — 1 —
009809/0361
Un'orlarjcn ιλπ. / .·. ι / . .··....... -«.·..■..... ..ü.gcgos. ν.4.9.
Akt.Z.: P H 89 283.21 489283 . Uns.Z.: PLA 65/1867 Soe/Hü
Vorzugswelse besitzt das Kontaktstück mit Ausnahme der Kontaktstellen einen Überzug aus einer Mischung von Siliziumoxyden und Titanoxyden. Ein Überzug aus diesen Mischoxyden ist bei dem genannten Kontaktstückmaterial in bekannter Weise durch Erhitzen zu erreichen. Wird beispielsweise Titandisilizid in einer sauerstoff haltigen Atmosphäre, z.B. Luft, auf eine Temperatur erhitzt, die möglichst dicht unter dem Schmelzpunkt des Materials für die Kontaktstücke liegt, so bilden sich an der Oberfläche des Körpers Oxyde und zwar Siliziumoxyde, in denen Titanoxyde gelöst sind.
Der erfindungsgemäße Kontakt erfüllt nicht nur die oben erwähnten Forderungen, er besitzt darüber hinaus wesentliche vorteilhafte Eigenschaften. Da das Kontaktstück eine Komponente des Halbleitermaterials enthält, ist der Halbleiterkörper unmittelbar oder nach Entfernung der Oxydschicht an den Kontaktstellen, auflegier- bzw. aufschmelzbar, so daß zum Verbinden kein zusätzliches Lot verwendet werden muß, das die elektrischen Eigenschaften des Halbleiters im ungünstigen Sinne beeinflussen kann. Das mit der Oxydschicht überzogene Kontaktstück besitzt eine sehr große Temperatur- und Temperaturwechselbeständigkeit, eine große Härte und eine große Bruchfestigkeit. Der erfindungsgemäße Kontakt ist deshalb in besonderer Weise für Thermogeneratoren geeignet. Versuche haben ergeben, daß die Kontaktstelle ohne weiteres bis über 10000C betrieben werden kann, so daß bei Thermogeneratoren ein besserer Wirkungsgrad als bei den bisher bekannten Kontaktstückmaterialien möglich ist.
009*0^70368
Akt.Z.: P 14 89 283.2 Uns.Z.: PLA 65/1867 Soe/Hü
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird zwischen dem Halb- , leiterkörper und dem Kontaktstück eine Schicht oder ein Netz aus Wolfram oder Molybdän vorgesehen. Hierdurch wird beim Aufschmelzen des Halbleiterkörpers auf das Kontaktstück der Halbleitermaterialfluß in das Kontaktstück hinein behindert. Außerdem wird auf diese Weise eine noch bessere Angleichung der Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Halbleiterkörper und dem Kontaktstück erzielt.
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeiapieles näher erläutert.
In der Figur ist ein Thermogenerator 1 dargestellt mit einem Wärmeaustauscher 2 für ein gasförmiges Medium an der heißen Kontaktstelle und einem Wärmeaustauscher 3 für ein flüssiges Medium an der kalten Kontaktstelle. Der Thermogenerator enthält zwei Thermoschenkel 4 und 5 aus Germanium-Silizium-Halbleitermaterial, von denen der eine durch eine Dotierung mit z.B. Bor, Gallium oder Indium p-leitend, der andere durch eine Dotierung mit z.B. Phosphor, Arsen oder Antimon n-leitend gemacht ist. Die Kontaktetücke 6, 7 und 8 des Thermogenerators, von denen das letztere als Brücke ausgebildet ist, bestehen aus Titandisilizid. Sie besitzen mit Ausnahme der Kontaktstellen einen Oberzug 9t 10 bzw. 11 aus Mischoxyden. Zwischen den Halbleiterkörpern und den Kontaktstücken sind Schichten 12, 13, 14 bzw. 15 aus Wolfram vorgesehen. Die Kontaktstücke 6 und 7 besitzen elektrische Zuleitungen 16 und 17.
009809/0368 .
Akt.Z. ί P 14 Ö9 285.2 Uns.Z.: PLA. 65/1867 Soe/Hti
Durch den elektrisch isolierenden Überzug aus Mischoxyden kann bei einer Thermobatterie die elektrische Schaltung unabhängig vom Wärmestromweg gemacht werden. So können beispielsweise die Thermoschenkel elektrisch in Reihe und thermisch parallel angeordnet werden.
Der erfindungsgemäße Kontakt wird auf die folgende Weise hergestellt. Die entsprechend vorgeformten Kontaktstücke aus Titan-
disilizid oder siliziumreicheren Varianten dieser Materialien werden auf eine Temperatur erhitzt, die möglichst dicht unterhalb der Schmelztemperatur des Titandisilizids liegt. Hierbei bilden sich an der Oberfläche des Körpers Oxyde (Siliziumoxyde und Titanoxyde), die zu einer Glasur verschmelzen. Bach dem Abkühlen werden die zu kontaktierenden flächen Mechanisch von der Glasur befreit. Auf die bearbeiteten Stellen werden die Halbleiterschenkel aufgeschmolzen. Die Zwischenschichten 12 bis 15 erhält man, wenn man vor dem Aufschmelzen der Halbleiterschenkel eine Folie oder ein Hetz aus Molybdän bzw. Wolfram einlegt.
" 4 " 009809/0388

Claims (6)

Akt.Z.: P U 89 283.2 Uns.Z.: PLA 65/1867 Soe/Hü Patentansprüche
1.) Elektrischer Kontakt zwisohen einen Germanium-Silizium-Halbleiterkörper und einen Kontaktstück, insbesondere für Thermogeneratoren, daduroh gekennzeichnet, daß als Material für das Kontaktstück (6, 7, 8) Titandisilizid oder eine siliziumreichere Variante dieses Materials verwendet ist.
2. Elektrischer Kontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktstück nit Ausnahme der Kontaktstellen einen Überzug (9, 10, 11) aus einer Mischung von Siliziumoxyden und Titanoxyden besitzt.
3· Elektrischer Kontakt nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Halbleiterkörper (4) und dem Kontaktstück (6) eine Schicht oder ein letz (12) aus Molybdän oder Wolfram vorgesehen ist.
4. Herstellungsverfahren für einen elektrischen Kontakt nach Anspruch 2, daduroh gekennzeichnet, daß ein Kontaktstück der gewünschten Form aus Titandisilizid oder siliziumreicheren Varianten hiervon auf eine Temperatur, die möglichst dicht unter den Schmelzpunkt des Materials für die Kontaktetücke liegt, erhitzt nach einer Glasurbildung auf der Oberfläche abgekühlt, die vorgesehene Berührungsfläche nit den Halbleiterkörper von der Glasur befreit und auf diese Stelle der Halbleiterkörper aufgeschmolzen wird.
009809/03*·^
6 Akt.Z.: P H 89 283.2 Uns.Z.: PLA 65/1867 Soe/Hü
U89283
5. Herstellungsverfahren für einen elektrischen Kontakt nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß ein Kontaktstück der gewünschten Form aus Titandisilizid oder siliziumreicheren Varianten hiervon auf eine Temperatur, die möglichst dicht unter dem Schmelzpunkt des Materials für die Kontaktstücke liegt, erhitzt,nach einer Glasurbildung auf der Oberfläche abgekühlt, die vorgesehene*Berührungsfläche mit dem Halbleiterkörper von der Glasur befreit und auf diese Stelle der Halbleiterkörper nach Zwischenlegen einer Schicht bzw. eines Netzes aus Molybdän bzw. Wolfram aufgeschmolzen wird.
009809/0368
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3664874A (en) * 1969-12-31 1972-05-23 Nasa Tungsten contacts on silicon substrates
US3989546A (en) * 1971-05-10 1976-11-02 Arco Medical Products Company Thermoelectric generator with hinged assembly for fins
DE2739242C2 (de) * 1977-08-31 1979-10-04 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Hochleistungsstromrichter
AU555193B2 (en) * 1980-11-10 1986-09-18 Edwin James Freeburn Cooling device
US5028988A (en) * 1989-12-27 1991-07-02 Ncr Corporation Method and apparatus for low temperature integrated circuit chip testing and operation
GB9015687D0 (en) * 1990-07-17 1990-09-05 Global Domestic Prod Ltd Peltier devices
US6340787B1 (en) * 1996-12-02 2002-01-22 Janick Simeray Power converter for supplying electricity from a difference in temperature
US5936193A (en) * 1997-05-09 1999-08-10 Parise; Ronald J. Nighttime solar cell
US20060021648A1 (en) * 1997-05-09 2006-02-02 Parise Ronald J Device and method to transmit waste heat or thermal pollution into deep space
JP4446064B2 (ja) * 2004-07-07 2010-04-07 独立行政法人産業技術総合研究所 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
KR20100056478A (ko) 2007-08-21 2010-05-27 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고성능 열전 속성을 갖는 나노구조체
US20110114146A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Alphabet Energy, Inc. Uniwafer thermoelectric modules
US9240328B2 (en) 2010-11-19 2016-01-19 Alphabet Energy, Inc. Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and methods thereof
US8736011B2 (en) 2010-12-03 2014-05-27 Alphabet Energy, Inc. Low thermal conductivity matrices with embedded nanostructures and methods thereof
US9051175B2 (en) 2012-03-07 2015-06-09 Alphabet Energy, Inc. Bulk nano-ribbon and/or nano-porous structures for thermoelectric devices and methods for making the same
US9257627B2 (en) 2012-07-23 2016-02-09 Alphabet Energy, Inc. Method and structure for thermoelectric unicouple assembly
US9082930B1 (en) 2012-10-25 2015-07-14 Alphabet Energy, Inc. Nanostructured thermolectric elements and methods of making the same
US9691849B2 (en) 2014-04-10 2017-06-27 Alphabet Energy, Inc. Ultra-long silicon nanostructures, and methods of forming and transferring the same
DE102016209683A1 (de) * 2016-06-02 2017-12-07 Mahle International Gmbh Thermoelektrisches Modul

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH328594A (fr) * 1954-07-03 1958-03-15 Csf Dispositif électronique comportant un élément semi-conducteur
NL190331A (de) * 1954-08-26 1900-01-01
DE1080313B (de) * 1954-09-18 1960-04-21 Siemens Planiawerke Ag Molybdaendisilizid enthaltende Werkstuecke fuer hohe Temperaturen, insbesondere elektrisches Heizelement
US2902392A (en) * 1954-09-18 1959-09-01 Siemens Planiawerke Ag Work pieces for high temperature operation and method of making them
DE1189282B (de) * 1954-12-28 1965-03-18 Siemens Planiawerke Ag Verwendung einer Sinterlegierung aus Kohlenstoff, Silizium und Molybdaen als Werkstoff zur Herstellung von warmfesten, elektrisch leitenden Teilen
NL109558C (de) * 1955-05-10 1900-01-01
US2898743A (en) * 1956-07-23 1959-08-11 Philco Corp Electronic cooling device and method for the fabrication thereof
DE1155609B (de) * 1956-12-04 1963-10-10 Union Carbide Corp Ausgangsmaterial zur Herstellung oxydationsbestaendiger und hochtemperaturfester Gegenstaende, insbesondere selbst regenerierende Schutzueberzuege fuer Metallkoerper
US2952786A (en) * 1957-04-12 1960-09-13 Minnesota Mining & Mfg Temperature compensated crystal device
DE1120154B (de) * 1958-04-29 1961-12-21 Union Carbide Corp Gesinterte feuerfeste Hartmetallegierung auf der Grundlage von Molybdaendisilicid
US3086886A (en) * 1958-06-04 1963-04-23 Schwarzkopf Dev Co Process of providing oxidizable refractory-metal bodies with a corrosion-resistant surface coating
US2955145A (en) * 1958-07-16 1960-10-04 Kanthal Ab Thermo-electric alloys
SE175893C1 (de) * 1958-07-16 1961-07-04 Kanthal Ab
US2994203A (en) * 1960-01-14 1961-08-01 Westinghouse Electric Corp Thermoelectric cooling device
US3127287A (en) * 1961-06-09 1964-03-31 Thermoelectricity
US3256699A (en) * 1962-01-29 1966-06-21 Monsanto Co Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy
US3192065A (en) * 1962-06-01 1965-06-29 North American Aviation Inc Method of forming molybdenum silicide coating on molybdenum
US3342567A (en) * 1963-12-27 1967-09-19 Rca Corp Low resistance bonds to germaniumsilicon bodies and method of making such bonds

Also Published As

Publication number Publication date
US3523832A (en) 1970-08-11
NL6607137A (de) 1966-12-12
GB1106287A (en) 1968-03-13
BE681655A (de) 1966-10-31
SE321723B (de) 1970-03-16
US3441812A (en) 1969-04-29
DE1489283B2 (de) 1970-10-15
FR1504284A (fr) 1967-12-01
DE1483298B1 (de) 1971-01-28
BE690811A (de) 1967-05-16
NL6617324A (de) 1967-06-12
GB1106260A (en) 1968-03-13

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