DE1286642B - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE1286642B DE1286642B DEG43212A DEG0043212A DE1286642B DE 1286642 B DE1286642 B DE 1286642B DE G43212 A DEG43212 A DE G43212A DE G0043212 A DEG0043212 A DE G0043212A DE 1286642 B DE1286642 B DE 1286642B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- nickel
- copper
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 23
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 20
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012773 waffles Nutrition 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
- H01L2924/13034—Silicon Controlled Rectifier [SCR]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9335—Product by special process
- Y10S428/938—Vapor deposition or gas diffusion
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9335—Product by special process
- Y10S428/939—Molten or fused coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12882—Cu-base component alternative to Ag-, Au-, or Ni-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12889—Au-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12944—Ni-base component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
1 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel- Diese Mängel können dadurch vermieden werden,
lung einer Halbleiteranordnung mit wenigstens einem indem die Kontaktschichten aus dem jeweils benöpn-Übergang
und mit äußeren elektrischen An- tigten Material nicht wie beim bekannten Kontaktierschlüssen,
bestehend aus einem Körper aus Halb- verfahren durch Plattieren und Löten oder Legieren,
leitermaterial und an diesem angebrachten Kon- 5 sondern in einer vorgesehenen Reihenfolge unmitteltakten,
die aus einer direkt mit dem Körper aus bar nacheinander aufgedampft werden, so daß eine
Halbleitermaterial verbundenen Schicht Nickel, einer Schichtfolge beispielsweise aus einer direkt mit dem
mit der Nickelschicht verbundenen Schicht Kupfer Körper aus Halbleitermaterial verbundenen Schicht
und einer mit der Kupferschicht verbundenen Schicht Nickel, einer direkt mit der Nickelschicht verbun-GoId
aufgebaut sind und deren Schichten beim Her- io denen Schicht Kupfer und einer direkt mit der
stellen unmittelbar nacheinander aufgedampft werden. Kupferschicht verbundenen Schicht Gold entsteht.
Bekanntlich ist es außerordentlich wichtig, bei Die Anwendung von Auf dampf verfahren zum Kon-
manchen Halbleiteranordnungen aber auch schwie- taktieren von Halbleiterkörpern ist bereits bekannt,
rig, einen elektrischen Kontakt herzustellen, der ein so beispielsweise beim Herstellen der Emitter- und
gutes elektrisches Leitvermögen und gutes Wärme- 15 Kollektorzone eines npn-Leistungstransistors. Diese
leitvermögen sowie eine gute mechanische Festigkeit Zonen werden durch Eindiffusion von Aluminium
hat. Besonders akut ist das Problem, wenn ein Kon- bis in eine Tiefe von 25 μ hergestellt. Darüber liegt
takt mit dünnen, diffundierten, wärmeempfindlichen eine Schicht aus Aluminium mit einer Gesamtstärke
Schichten aus Halbleitermaterial (ζ. B. dünnen von ebenfalls bis zu 25 μ Stärke, die von einer Schicht
Schichten mit eindiffundierten Verunreinigungen) so aus Silber von etwa der gleichen Stärke bedeckt ist.
herzustellen ist und wenn die Anordnung des Kon- Gemäß diesem Beispiel haben also die aufgedampften
taktes auf der Halbleiteroberfläche kritisch ist. Schichten eine beträchtliche Stärke.
Bisher bekannte Verfahren zur Herstellung von Bei einer Halbleiteranordnung gemäß vorliegender
Kontakten an Halbleiterkörpern umfassen zunächst Erfindung sind aber Kontaktierungsschichten von dieübliche
Legierungs- oder Löttechniken, Druckkon- 25 ser Stärke weder notwendig noch brauchbar, denn es
takte mit all ihren Nachteilen, Plattieren zum Metalli- handelt sich um einen Kontakt, bei dessen Herstelsieren
des Halbleiters und Dünnlöten oder Plattieren lung an der einen Halbleiteroberfläche auf einer
des Halbleiters und nachfolgendes Erhitzen, so daß p-dotierten und zugleich auf einer η-dotierten Zone
das Plattiermaterial eine Weich- oder Hartlotlegie- zunächst eine Metallschicht aus Nickel sperrschichtrung
bildet. 30 frei aufgedampft werden soll. Hierbei stellt sich das
Als Beispiel sei hier nur auf ein bekanntes Kon- Problem, diese Nickelschicht in der Weise und mit
taktierverfahren hingewiesen, bei welchem auf eine solcher Stärke aufzudampfen, daß an der Halbleiternickelplattierte
Halbleiteroberfläche eine flächenhafte oberfläche überwiegend eine Sinterzone aus Silicium
Stromzuführung oder Schicht aus Kupfer aufgebracht und Nickel entsteht.
und auf die Kupferschicht eine Schicht aus Gold 35 Das Problem, das der Erfindung zugrunde liegt,
plattiert wird. Zum Aufbringen der Kupferschicht ergibt sich daraus, daß die Stärken der einzelnen
muß ein ätzbeständiges Legierungsmetall verwendet Metallschichten einer auf einen Halbleiterkörper aufwerden.
Die Nickel- und die Goldschicht sind Plat- gedampften Schichtfolge je nach Verwendungszweck
tierungen. und Zusammensetzung der Schichten sowie abhängig
Bei der Anwendung herkömmlicher Legierungs- 40 von der Reihenfolge, in der sie aufgedampft werden,
oder Löttechniken führen die dabei erforderlichen bemessen sein müssen. Die Stärke der unmittelbar
höheren Temperaturen zu Problemen, die mit Ab- auf den Halbleiterkörper aufgedampften Schicht und
kühlspannungen und Zersetzung der Grenzschichten damit wenigstens auch die Stärke der nächsten darder
Anordnung zusammenhängen. Die Abkühlspan- überliegenden Schicht hängen ferner davon ab, ob die
nungen können dabei so stark werden, daß sie zum 45 unmittelbar aufgedampfte Metallschicht einen sperr-Bruch
der Plättchen führen. schichtfreien oder einen einseitig gleichrichtenden
Außerdem sind eine gute Benetzung und die Regu- Kontakt mit der Oberflächenschicht des Halbleiterlierung
der Lage des Kontaktes ein Problem. Wenn körpers bildet. In beiden Fällen ergeben sich noch
der Halbleiterkörper metallisiert wird und dann ein zusätzliche Abgängigkeiten von der Stärke und vom
Lot zur Herstellung von Kontakten mit der Anord- 50 Leitfähigkeitstyp der dotierten Oberflächenschicht bei
nung benutzt wird, ist die genaue Lage der Kontakt- einem gleichrichtenden Kontakt bzw. von der Stärke
stelle schwer zu kontrollieren, und die zur Herstel- der Sinterzone der Oberflächenschicht bei einem
lung eines guten Kontaktes erforderlichen höheren sperrschichtfreien Kontakt.
Temperaturen können die Eigenschaften der Anord- Bereits in der Einleitung wurde die Problemstel-
nung ungünstig beeinflussen. 55 lung angedeutet, die beim Vorhandensein einer sehr
Wird der Halbleiterkörper plattiert und dann er- dünnen eindiffundierten Oberflächenzone gegeben ist.
hitzt, so daß das Plattiermaterial als Lot wirkt, so Diese Problemstellung ergibt sich beispielsweise bei
kommen schädlich wirkende erhöhte Temperaturen der Herstellung einer bekannten Halbleiteranordnung
zur Anwendung, und das Plattiermaterial kann ehe- aus Silicium oder Germanium mit einer dünnen einmisch
mit dem Halbleiterkörper reagieren, wenn 60 diffundierten Oberflächenzone, auf welcher zunächst
nicht ein geeignetes Plattiermaterial verwendet wird. eine sehr dünne Goldschicht und auf die Goldschicht
Wird für diesen Zweck Gold verwendet, so führt die eine wesentlich dickere Silberschicht von 0,5 bis 15 μ
zur Bildung einer guten Bindung erforderliche Gold- Stärke aufgedampft wird, je nachdem, wie hoch die
menge zu einem sehr teuren Kontakt. Bei derjenigen erwünschte Seitwärtsleitfähigkeit sein soll.
Anordnung jedoch, bei der ein Kontaktelement plat- 65 Die Bemessung der Schichtdicken bei einer auf
tiert und dann weich oder hart mit dem Halbleiter- einem Siliciumkörper sperrschichtfrei aufgedampften
körper verlötet wird, werden wahrscheinlich samt- Schichtfolge aus Nickel, Kupfer und Gold ist eine
liehe oben angeführten Mängel gleichzeitig auftreten. rein spezifische und nicht durch bekannte Bemes-
3 4
sungsanweisungen nahegelegte, die für andere Metall- handelten Gleichrichters sind sämtlich diffundiert,
schichtfolgen, insbesondere solche für gleichrich- Die obere, p-leitende Schicht ist bei dem dargestellten
tende Kontakte gelten. Gleichrichter ein Kreisring.
Erfindungsgemäß gelöst ist das vorangehend dar- Bei dem dargestellten Gleichrichter hat das Hauptgestellte Problem dadurch, daß das Nickel in einer 5 leiterplättchen einen Durchmesser von etwa 7,5 mm
Schichtdicke von etwa 10 bis 2,5 μ, das Kupfer in und eine Dicke von etwa 0,2 mm. Offensichtlich ist
einer Dicke von etwa 10 bis 3 μ und das Gold in nun ein derartiges dünnes Scheibchen aus sehr spröetwa
10 bis 2,5 μ Dicke aufgebracht wird. dem Material außerordentlich zerbrechlich, und die
Werden die angegebenen Schichtdicken eingehal- Anordnung der Übergänge ist recht kritisch,
ten, so können bei einer Metallschichtfolge aus Nik- ίο Noch zerbrechlicher wird das Plättchen dadurch,
kel, Kupfer oder Gold die gewünschte Eindringtiefe daß es um seinen gesamten Umfang herum ab-
und andere Kontakteigenschaften kontrolliert wer- geschrägt ist, um sicherzustellen, daß ein elektrischer
den. Durchbruch im Innern (Volumendurchbruch) des
Die Erfindung wird nachstehend in einem Ausfüh- Halbleiterplättchens 16 erfolgt und nicht an seiner
rungsbeispiel an Hand der Zeichnungen näher erläu- 15 Oberfläche. Es ist schwierig, Kontakte an der An-
tert. Dabei zeigt Ordnung anzubringen, die keine zu hohe mechanische
F i g. 1 einen senkrechten Schnitt durch die Mitte Spannung in dem zerbrechlichen Plättchen verur-
eines steuerbaren Halbleitergleichrichters, der mit Sachen oder die elektrischen Eigenschaften des Plätt-
Kontakten nach der Erfindung versehen ist, und chens nicht beeinträchtigen.
F i g. 2 eine vergrößert gezeichnete Teilschnitt- ao Um der kritischen Forderung nach Kontakten mit
Seitenansicht des Gleichrichterelements (einschließ- niedrigem Widerstand am Halbleiterplättchen 16 zu
lieh der Anschlüsse) des steuerbaren Gleichrichters in genügen, wird ein System mehrerer Kontaktschichten
F i g. 1. aus mehreren Metallen ausgenutzt. Gleichzeitig eignet
In F i g. 1 ist ein Halbleiterbauelement dargestellt, sich das System für einen einzigen Behandlungsgang
das als steuerbarer Siliciumgleichrichter bekannt ist, 25 in einer Aufdampfanlage und liefert einen Kontakt,
in einem abgedichteten, in sich geschlossenen Ge- der als Puffer wirkt und die Übertragung von Span-
häuse, das allgemein durch die Ziffer 10 bezeichnet nungen von den Zuleitungen der Anordnung (die an
ist. Die Erfindung wird in dieser Form dargestellt und die Kontakte angeschlossen sind) auf das Plättchen
beschrieben, weil der Erfindungsgedanke in solchen 16 vermindert.
Bauelementen viel verwendet wird und bei der dar- 30 Der Kathodenkontakt 17 auf der Oberseite und
gestellten Anordnung besonders günstig ist. Die Ar- der Anodenkontakt 19 auf der Unterseite des Plättbeitsweise
des dargestellten steuerbaren Silicium- chens 16 stellen vorteilhafte Kontakte dar, die durch
gleichrichters wird hier nicht im einzelnen beschrie- ein besonders günstiges Verfahren aufgebracht werben,
weil ein vollständiges Verstehen der Arbeits- den. Da entsprechende Schichten oder Schichtungen
weise der Anordnung für das Verständnis der Erfin- 35 jedes der Kontakte 17 und 19 auf einmal gebildet
dung nicht wesentlich ist. Zur Erläuterung der Erfin- werden, erhalten sie entsprechende Bezugsziffern,
dung dürfte es genügen zu sagen, daß der Haupt- Beim hier dargestellten Ausführungsbeispiel besteht
leitungsweg durch die Gleichrichtereinheit 10 ver- die erste Schicht 20 (die Schicht auf dem Plättchen
läuft zwischen einer oberen flachen Anschlußklemme 16) jedes Kontaktes aus Nickel und ist etwa 10 bis
11 an dem Haupt- oder Kathodenanschluß 12 und 40 2,5 μ dick, die zweite Schicht 21 (Mittelschichtung)
einem unteren Gewindestutzen 13, der gleichzeitig ist eine etwa 10 bis 3 μ dicke Kupferschicht, und die
zur Wärmeableitung dient, sowie durch den Körper äußere Schicht 22 ist eine Goldschicht mit einer
der Vorrichtung. Da der Stromfluß durch die An- Dicke von etwa 10 bis 2,5 μ.
Ordnung vom unteren Zapfen 13 durch den Körper Eine besonders günstige Methode zum Aufbringen
der Anordnung zu der oberen, leitenden Klemme 12 45 der Anoden- und Kathodenkontakte 17 und 19 ist
erfolgt, wird die obere leitende Klemme 12 häufig als die, den Halbleiterkörper (der entweder Plättchen-Kathode
des Bauelements angesehen und der untere oder Waffelform hat) nach einer bekannten Maskier-Zapfen
13 als Anode. In der entgegengesetzten Rieh- technik (z. B. mit Siliciumdioxyd) so zu maskieren,
tung findet eine Leitung — in wahrnehmbarem Um- daß freie Zonen stehenbleiben, wo diese Kontakte
fang — nicht statt, und die Leitung, die stattfindet, 50 gebildet werden sollen. Man bringt dann den Halbwird
in Übereinstimmung mit den Kennwerten des leiterkörper in eine serienmäßige Vakuum-Bedamp-Bauelements
durch einen Strom (Steuerstrom ge- fungsanlage. Chargen der Aufdampfmetalle werden
nannt) gesteuert, der dem Gleichrichter durch einen ebenfalls in den Ofen gebracht. Die Chargen bestehen
Steueranschluß 14 zugeführt wird, der angrenzend an aus solchen Mengen und werden in solchen Abständen
Kathodenanschluß 12 oben aus dem Gehäuse 29 55 den von dem zu plattierenden Halbleiterkörper anherausragt.
Auch der Steueranschluß 14 ist an seinem ' geordnet, daß jede der aufgedampften Schichten die
oberen Ende mit einer flachen, leitenden Klemme 15 gewünschte Dicke hat.
versehen. Für die dargestellte Anwendung wird die Anlage
versehen. Für die dargestellte Anwendung wird die Anlage
Das wirksame Steuerelement des Gleichrichters, beschickt mit einer Charge Nickel zur Bildung der
d. h. derjenige Teil des Gleichrichters, der die Gleich- 60 Schicht 20 auf dem Plättchen 16 für die Kontakte 17
richtungs- und Steuerwirkung liefert, ist das scheiben- und 19, einer Charge Kupfer, die dann die Mitteiförmige Halbleiterplättchen 16, das ein Element im schicht 21 bildet, und einer Charge Gold, die die
Hauptleitungsweg darstellt. Das Halbleiterplättchen äußere Schicht 22 bildet. Die Chargen werden (wie
16 ist ein einkristallines Halbleitermaterial, z. B. Si- üblich) in Wolframheizspiralen gelegt, die dann in
licium mit drei Übergängen zwischen vier Schichten, 65 der richtigen Reihenfolge (erst Nickel, dann Kupfer
die abwechselnd einen anderen Leitungstyp besitzen. und dann Gold) aufgeheizt werden, um die richtige
Ein derartiges Bauelement wird als steuerbarer Reihenfolge von Schichten auf dem Halbleiterkörper
Gleichrichter bezeichnet. Die Schichten des hier be- zu erhalten.
Claims (1)
- 5 6Nachdem die Kontakte 17 und 19 gebildet worden er auf die obere Fläche des vergrößerten Teils 25 des sind, können an jedem die zugehörigen Anschlüsse Zapfens 13 paßt, und er wird — etwa durch Weichbefestigt werden. Bei der dargestellten Form wird der oder Hartlöten — mit diesem dicht verbunden. Ein Steueranschluß 14 am Kontakt 18 dadurch ange- Isolierdeckel — etwa aus Glas oder Keramik — ist bracht, daß man den Anschluß 14 mit dem Plättchen 5 als Verschluß für den oberen Teil des zylindrischen mit Hilfe von Ultraschall verschweißt. Der Steuer- Metallteils 27 vorgesehen und hat die Aufgabe, ein kontakt 18 ist innerhalb des oberen, ringförmigen, Kathodenröhrchen 31 und ein Steueranschlußröhrn-leitenden Emitters zentral angeordnet. Das dünne, chen 30 aufzunehmen und diese Röhrchen gegenüber spröde Halbleiterplättchen 16 wird dadurch gestützt, dem Zapfen 13 (Anodenanschluß) zu isolieren, wenn daß man es als Zentralelement in ein schützendes io der Gleichrichter zusammengebaut ist. Die Kathoden- »Sandwich-Bauteil« einbezieht (Fig.2). Der Rest bzw, Steueranschlüsse 12 bzw. 14 werden in ihren des Sandwich-Bauteils umfaßt eine untere, scheiben- zugehörigen Röhrchen 31 und 30 hochgeführt. Nachförmige Platte 23 und eine obere, aus Wolfram beste- dem das Gehäuse evakuiert worden ist, werden die hende kreisringförmige Platte 24. Diese Deckplatten Röhrchen 31 und 30 zugequetscht, damit sie mit den 23 und 24 bilden die äußeren Schichten des stützen- 15 eingepreßten Anschlüssen 12 und 14 eine gute elekden Sandwich-Bauteils und stellen einen Teil der lei- irische Verbindung ergeben und die Kathoden- bzw. tenden Anoden- bzw. Kathodenstromwege dar. Die Steuerklemmen 11 bzw. 15 der Vorrichtung bilden.
Deckplatten 23 und 24 bestehen vorzugsweise aus Der Kontakt, der zwischen dem Halbleiterplätteinem Material mit guter elektrischer Leitfähigkeit chen und den Deckplatten angeordnet ist, verhindert und gutem Wärmeleitvermögen und mit einem War- ao das Eindringen der Lötmaterialien in das Halbleitermeausdehnungskoeffizienten, der dem des Halbleiter- plättchen und den Bruch des letzteren durch die Konplättchens sehr nahekommt. Geeignet sind entweder taktierungsmaterialien, die das Fließen und Eindrin-Wolfram oder Molybdän. Sowohl die obere als auch gen des Lotes der Fertigung der Anordnung reguliedie untere Deckplatte 23 und 24 sind mit dem Platt- ren und die gegen saure Ätzmittel sehr beständig chen 16 durch ein Lot verbunden, das bei dem dar- as sind.gestellten Ausführungsbeispiel eine eutektische Gold- Der technische Fortschritt, der durch die Erfin-Germanium-Legierung sein kann. dung erzielt wird, besteht darin, daß, weil an derEs eignet sich zwar der hier beschriebene Kontakt Halbleiteroberfläche überwiegend eine Sinterzone ausauch für andere Lote, besonders brauchbar ist er Nickel und Silicium entsteht, in dieser Zone die BiI-aber mit diesem Lot. 30 dung einer Nickelsilicidbindung nach MöglichkeitDie Deckplatten 23 und 24 werden mit dem Platt- vermieden wird. Nickel als Zwischenschicht zwischen chen 16 dadurch verlötet, daß man vorgefertigte dem Silicium und einer Kupferschicht hat sich für geGold-Germanium-Stückchen zwischen die Deckplat- steuerte Halbleiterventile, die große Stromstärken zuten und das Plättchen legt und das Ganze auf etwa lassen und eine hohe Belastungswechselbeständigkeit 3700C erwärmt. Diese Temperatur liegt unterhalb der 35 aufweisen, als sehr brauchbar erwiesen. Eine uneutektischen Temperatur von Nickel—Silicium von mittelbar auf den Halbleiterkörper aufgebrachte etwa 900° C, so daß das Nickel der ersten Schicht 20 Schichtfolge aus Kupfer und Gold würde den Kondas Silicium nicht stört, was dann wichtig ist, wenn takt ziemlich hart machen, d. h., er würde die Beman die Bindung mit einem Plättchen mit dünnen, lastungswechselbeständigkeit erheblich vermindern eindiffundierten, wärmeempfindlichen Schichten vor- 40 und das unerwünschte Hindurchdiffundieren von nimmt. Die Bestandteile des Lots benetzen die äußere Gold durch die Kupferschicht in Richtung auf die Goldschicht 22 (und verbinden sich gut mit der letz- Halbleiteroberfläche aus Silicium erleichtern,
teren), jedoch verhindert die angrenzende Kupfer- Im übrigen liefert die Erfindung einen Kontakt schicht 21, daß das Lot die Nickelschicht 20, die an für Halbleiterkörper, der ein gutes Haftvermögen und das Silicium angrenzt, beeinflußt. Diese Anordnung 45 gute elektrische Eigenschaften bei geringer Eindringergibt eine gute mechanische Verbindung und die tiefe ergibt und der eine genaue Anordnung sowie Benotwendigen elektrischen Leitungs- und Wärmeüber- handlung bei niedriger Temperatur ermöglicht und tragungseigenschaften für einen derartigen Anschluß. eine Ätzbeständigkeit besitzt.Der Anodenkontakt 19 des Plättchens 16 ist mit „ ,
dem Kupferzapfen 13 durch die Deckplatte 23 ver- 50 ratentansprucn:
bunden. Der soeben beschriebene Aufbau ist am Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Anodenanschluß (Kupferzapfen 13) dadurch befestigt, anordnung mit wenigstens einem pn-Ubergang daß man die Deckplatte 23 auf die obere Fläche eines und mit äußeren elektrischen Anschlüssen, bevergrößerten Kopfes oder Fußes 25 am Kupferzapfen stehend aus einem Körper aus Halbleitermate-13 lötet. Der Kathodenanschluß 12 ist an die obere, 55 rial und an diesem angebrachten Kontakten, die ringförmige Deckplatte 24 gelötet, um den Kathoden- aus einer direkt mit dem Körper aus Halbleiteranschluß für die Anordnung zu bilden. material verbundenen Schicht Nickel, einer mitUm einen luftdichten Verschluß zu erhalten und der Nickelschicht verbundenen Schicht Kupfer um gleichzeitig äußere elektrische Verbindungen zu und einer mit der Kupferschicht verbundenen den Kathoden- und Steueranschlüssen 12 und 14 zu 60 Schicht Gold aufgebaut sind und deren Schichten erhalten, ist ein Kopfstück 26 vorgesehen. Das Kopf- beim Herstellen unmittelbar nacheinander aufstück 26 hat einen praktisch zylindrischen, aufrecht gedampft werden, dadurch gekennzeichstehenden Metallteil27, der innen den Aufbau der net, daß das Nickel in einer Schichtdicke von Anordnung umgibt und der mit einem nach außen etwa 10 bis 2,5 μ, das Kupfer in einer Dicke von gerichteten Flansch 28 an seinem unteren Umfang 65 etwa 10 bis 3 μ und das Gold in etwa 10 bis 2,5 μ versehen ist. Der Flansch 28 ist so konstruiert, daß Dicke aufgebracht wird.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35553964 US3268309A (en) | 1964-03-30 | 1964-03-30 | Semiconductor contact means |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1286642B true DE1286642B (de) | 1969-01-09 |
Family
ID=23397802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG43212A Pending DE1286642B (de) | 1964-03-30 | 1965-03-30 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3268309A (de) |
DE (1) | DE1286642B (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3368120A (en) * | 1965-03-22 | 1968-02-06 | Gen Electric | Multilayer contact system for semiconductor devices |
US3436614A (en) * | 1965-04-20 | 1969-04-01 | Nippon Telegraph & Telephone | Nonrectifying laminated ohmic contact for semiconductors consisting of chromium and 80% nickel |
US3368122A (en) * | 1965-10-14 | 1968-02-06 | Gen Electric | Semiconductor devices |
US3373322A (en) * | 1966-01-13 | 1968-03-12 | Mitronics Inc | Semiconductor envelope |
US3480841A (en) * | 1967-01-13 | 1969-11-25 | Ibm | Solderable backside ohmic contact metal system for semiconductor devices and fabrication process therefor |
US3519895A (en) * | 1968-02-06 | 1970-07-07 | Westinghouse Electric Corp | Combination of solderless terminal assembly and semiconductor |
US3581163A (en) * | 1968-04-09 | 1971-05-25 | Gen Electric | High-current semiconductor rectifier assemblies |
US3620692A (en) * | 1970-04-01 | 1971-11-16 | Rca Corp | Mounting structure for high-power semiconductor devices |
US3828425A (en) * | 1970-10-16 | 1974-08-13 | Texas Instruments Inc | Method for making semiconductor packaged devices and assemblies |
US3982908A (en) * | 1975-11-20 | 1976-09-28 | Rca Corporation | Nickel-gold-cobalt contact for silicon devices |
US4249034A (en) * | 1978-11-27 | 1981-02-03 | General Electric Company | Semiconductor package having strengthening and sealing upper chamber |
US4666569A (en) * | 1984-12-28 | 1987-05-19 | Standard Oil Commercial Development Company | Method of making multilayer ohmic contact to thin film p-type II-VI semiconductor |
US4680611A (en) * | 1984-12-28 | 1987-07-14 | Sohio Commercial Development Co. | Multilayer ohmic contact for p-type semiconductor and method of making same |
JP2007042900A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Denso Corp | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1093484B (de) * | 1956-03-05 | 1960-11-24 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere pnp- oder npn-Leistungstransistoren |
DE1127488B (de) * | 1958-02-03 | 1962-04-12 | Western Electric Co | Halbleiteranordnung aus Silizium oder Germanium und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE1154871B (de) * | 1961-01-13 | 1963-09-26 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit wenigstens einem pn-UEbergang |
DE1196793B (de) * | 1961-08-28 | 1965-07-15 | Elektronik M B H | Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiter-koerpern fuer Halbleiterbauelemente |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1001669A (en) * | 1908-01-29 | 1911-08-29 | Duplex Metals Company | Compound metal body and process of making the same. |
US2790940A (en) * | 1955-04-22 | 1957-04-30 | Bell Telephone Labor Inc | Silicon rectifier and method of manufacture |
DE1071847B (de) * | 1956-03-07 | 1959-12-24 | Western Electric Company, Incorporated, New York, N. Y. (V. St. A.) | Verfahren zur Herstellung einer im wesentlichen nicht gleichrichtenden flächenhaften Elektrode an dem Halbleiterkörper einer Halbleiteranordnung durch Legierung |
-
1964
- 1964-03-30 US US35553964 patent/US3268309A/en not_active Expired - Lifetime
-
1965
- 1965-03-30 DE DEG43212A patent/DE1286642B/de active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1093484B (de) * | 1956-03-05 | 1960-11-24 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere pnp- oder npn-Leistungstransistoren |
DE1127488B (de) * | 1958-02-03 | 1962-04-12 | Western Electric Co | Halbleiteranordnung aus Silizium oder Germanium und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE1154871B (de) * | 1961-01-13 | 1963-09-26 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit wenigstens einem pn-UEbergang |
DE1196793B (de) * | 1961-08-28 | 1965-07-15 | Elektronik M B H | Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiter-koerpern fuer Halbleiterbauelemente |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3268309A (en) | 1966-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE977615C (de) | Verfahren zur Herstellung eines fuer Signaluebertragungsvorrichtungen bestimmten Halbleiterelements | |
DE1286642B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE1811389C3 (de) | Flächenhaftes Halbleiterbauelement | |
DE1764951B1 (de) | Mehrschichtige metallisierung fuer halbleiteranschluesse | |
DE2644283B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines thermoelektrische!! Bausteins | |
DE2109191A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1958684A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2643147A1 (de) | Halbleiterdiode | |
DE1302005B (de) | ||
DE1061447B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mittels Diffusion und Legieren | |
DE1921118U (de) | Diodenanordnung. | |
DE1052572B (de) | Elektrodensystem, das einen halbleitenden Einkristall mit wenigstens zwei Teilen verschiedener Leitungsart enthaelt, z. B. Kristalldiode oder Transistor | |
DE1639262A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode | |
DE1521057C3 (de) | Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiterzone | |
DE1564534A1 (de) | Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3044514A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2324030A1 (de) | Thermo-elektrostatisch verbundene halbleitervorrichtung | |
DE1297762B (de) | Sperrschicht-Feldeffekttransistor | |
DE1812130B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleiter- oder dickfilmanordnung | |
DE1514736C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen | |
DE2142342A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE1282195B (de) | Halbleiterbauelement mit gesinterter Traeger-Zwischenplatte | |
DE2608813A1 (de) | Niedrigsperrende zenerdiode | |
DE1811136A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors | |
DE1163977B (de) | Sperrfreier Kontakt an einer Zone des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes |