DE1488885A1 - Schutzanordnung fuer eine stabilisierte Spannungsversorgung mit Transistoren - Google Patents
Schutzanordnung fuer eine stabilisierte Spannungsversorgung mit TransistorenInfo
- Publication number
- DE1488885A1 DE1488885A1 DE19661488885 DE1488885A DE1488885A1 DE 1488885 A1 DE1488885 A1 DE 1488885A1 DE 19661488885 DE19661488885 DE 19661488885 DE 1488885 A DE1488885 A DE 1488885A DE 1488885 A1 DE1488885 A1 DE 1488885A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- transistors
- power supply
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/565—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
- G05F1/569—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
- G05F1/573—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overcurrent detector
- G05F1/5735—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overcurrent detector with foldback current limiting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
DR. MÜLLER-BORfe DlPL.-lNG. GRALFS DR. MANlffc4 8 8 8 8 5
LiILl 8. Feb. 1966
M/Sv - O 666
Compagnie Generale d1Electricity
, rue La Boetie - PARIS (8eme)
Frankreich
Schutzanordnung für eine stabilisierte Spannungsversorgung
mit Transistoren
Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für einen Ballasttransistor
in einer stabilisierten Spannungsversorgungsanordnung. Es ist bekannt, die Änderungen einer ungeglätteten
Gleichspannung durch entgegengesetzte Änderungen des Innenwiderstandes eines Ballasttransistors zu kompensieren, der
von einem in eine Belastung geschickten Strom durchflossen wird. Die Belastung wird somit von einer stabilisierten
Spannung gespeist· Venn aus einem unerwarteten Grunde, z.B. wegen eines zufälligen Kurzschlusses, der Stromfluß einen
übermäßig hohen Wert annimmt, kann der Ballasttransistor in einigen Millisekunden zerstört sein. Es ist also wichtig,
den Transistor gegen Zerstörung zu schützen, und zwar aus Gründen der Bequemlichkeit, um den Ausfall der Speisung zu
909815/0564
vermeiden und aus wirtschaftlichen Gründen} die als Ballast
verwendeten Transistoren sind nämlich im allgemeinen kostspielig.
Es sind Lösungen dieses Schutzproblemes bekannt. Die einen
benutzen Relais, während andere rein elektronische Schaltungen verwenden, die im allgemeinen bevorzugt sind.
Die durch die Erfindung geschaffene Lösung ist durch ihre außerordentliche Einfachheit bemerkenswert. Ihre Wirksamkeit
ist dabei wenigstens gleich der der bekannten Lösungen. Die Einfachheit der Schaltung verleiht ihr zugleich
eine große Verlässlichkeit.
Gemäß der Erfindung ist bei einer Stabilisatorschaltung mit einem Ballasttransistor, der an seinem Emitter eine ungeglättete
Eingangsspannung aufnimmt und über seinen Kollektor eine stabilisierte Ausgangsspannung an eine Belastung abgibt,
und mit einem Differentialverstärker mit zwei Transistoren, von denen einer an seiner Basis mit einem Abgriff eines von
der stabilisierten Spannung gespeisten Spannungsteilers verbunden ist, während der andere an seinem Kollektor mit der
Basis des Ballasttransistors und an seiner Basis mit einem Spannungs-Stabilisatorelement, z.B. einer Zener-Diode, verbunden
ist, die von der ungeglätteten Spannung über einen
909815/0564
Widerstand gespeist wird, vorgesehen, daß die letztgenannte Basis mit der Ausgangsspannung über einen Widerstand verbunden
ist.
Me Arbeitsweise der Schaltung gemäß der Erfindung ergibt sich im einzelnen aus der folgenden Beschreibung anhand der
Zeichnung; in dieser zeigen:
Figur 1 eine bevorzugte Ausführungsform einer geschützten stabilisierten Spannungsversorgung und
Figur 2 ein Diagramm, welches zum Verständnis der Arbeitsweise beiträgt.
In Figur 1 aetefe- der Zeichnung ist eine ungeglättete Spannung
mit dem Wert V^ an die Eingangsklemmen E E1 der Speisung gelegt.
Qx] ist ein Ballasttransistor, Q2 u11^ Qx sind zwei als
DifferentialVerstärker geschaltete Transistoren, welche einen
gemeinsamen Emitterwiderstand R^ haben. Der Transistor Qp
empfängt an seiner Basis eine Bezugsspannung V. die von
einem Stabilisatorelement, z.B. einer Zener-Diode, geliefert wird, die von der ungeglätteten Spannung über einen Widerstand
Ro gespeist wird. Der Kollektor des Transistors Qp
ist mit der Basis des Ballasttransistors Q^ verbunden. Der
909815/0564
Kollektor des Transistors Q, ist direkt mit der Klemme E
der ungeglätteten Spannung verbunden. Seine Basis liegt am Mittelabgriff P eines Spannungsteilers aus den Widerständen
E^, und E1-, der an die Klemmen S S1 der Ausgangsspannung
mit dem Vert Vp geschaltet ist.
Gemäß der Erfindung ist ein Widerstand E3, zwischen die
Bads des Transistors Q2 un<i die Klemme S gelegt. Bei den
bekannten Schaltungen findet sich ein derartiger Widerstand nicht.
Im normalen Betrieb sind die drei Transistoren leitend. Die Spannung V an den Klemmen des Widerstandes E^ ist
gleich der Bezugsspannung V vermindert um die Emitter-Basisspannung
VV des Transistors Q2. Der Strom I, welcher
den Widerstand E^ durchfließt, d.h. die Summe der
Ströme I2 und I* der Transistoren Q2 1^d Qz ist gleich:
I+I- V/E,, - Vo " Vbe
d. O I B
Solange der Transistor Q2 leitend ist, verändert sich V,
wenig und bleibt gleich einem geringen Bruchteil der Spannung V . Die Summe I der Ströme I0 und I2 bleibt also im
O C. y
normalen Betrieb annähernd kaostant.
909815/0564
Im normalen Betrieb behält der Punkt P durch den Vorgang der Stabilisierung ein Potential, das annähernd gleich
dem Bezugspotential V ist. Die stabilisierte Spannung V
ist annähernd gleich Vn R4 * R5 .
Figur 2 zeigt die Beziehung der Ausgangsspannung Vg als
Funktion des gelieferten Stromes I2 mit dem Belastungswiderstand
Hx als Parameter (Kurve a) sowie die Veränderung der in dem Ballasttransistor verbrauchten Leistung W
(Kurve b).
Von einem unendlichen Widerstand (offener Kreis) und einem gelieferten Strom Null ausgehend bleibt die Ausgangsspannung
annähernd konstant, wenn B- abnimmt, sofern der Transistor Q, leitend ist (Zweig AB der Kurve). Bei weiter
abnehmendem Belastungswiderstand nähert sich der Transistor dem Sperrzustand, die Stabilisierung ist nicht mehr ausreichend
und die Ausgangsspannung fällt geringfügig ab. Dies ist der Ast BG der Kurve. Am Punkt C sperrt der
Transistor Q*. Der Strom in dem Transistor Qp, welcher
ebenfalls der Basisstrom des Ballasttransistors ^1 ist,
VV
V-V nimmt den größtmöglichen Wert an, d.h I « ~"^""g
Folglich führt der Transistor Q^ den größtmöglichen Strom,
d.h.: I - b· IpM> wobei b der Stromverstärkungskoeffizient
des Transistors Q1 ist.
909815/0 5 64
Wenn der Belastungswiderstand weiter abnimmt, bleibt der
gelieferte Strom bei den bekannten Schaltungen in Abwesenheit des Widerstandes IU nach Figur 1 konstant gleich I .
Die Spannung an den Klemmen der Belastung nimmt ab; der Darstellungspunkt durchläuft die Linie -β*
in Figur 2.
Der Energieverbrauch in dem Ballasttransistor Q^ beschreibt
ausgehend von einem Wert Null bei offenem Kreis den Ast OF
der Kurve bis zum Wert I des Stromes. Gemäß der Abnahme des Belastungswiderstandes nimmt dann, die Ausgangsspannung
Vo ab, während die Spannung an den Klemmen des Transistors
Qx] gleich V^ - Vp anwächst. Der Verbrauch in dem Ballasttransistor
folgt der gestrichelten Geraden F und erreicht schnell einen verbotenen Wert, der zur Zerstörung des
Transistors führt.
Wenn gemäß der Erfindung der Widerstand R, zwischen die
Basis des Transistors Qp und eine Ausgangsklemme S der
Speisung geschaltet wird, erniedrigt sich die Spannung am Punkt T gemäß der Abnahme des Belastungswiderstandes R-^;
die Ausgangsspannung V^ nimmt ab. Daraus folgt, daß der
Strom, welcher die Zener-Diode Z durchfließt, nicht mehr zur Aufrechterhaltung der Bezugsspannung an ihren Klemmen
ausreicht. Unter diesen Umständen nimmt die Spannung an
15/056/,
der Basis des Transistors
den Transistor durchfließt, wird geringer und das gleiche gilt folglich für den vom Ballasttransistor gelieferten Strom, da diese beiden Ströme durch die Beziehung It ■ b· Ip verknüpft sind.
den Transistor durchfließt, wird geringer und das gleiche gilt folglich für den vom Ballasttransistor gelieferten Strom, da diese beiden Ströme durch die Beziehung It ■ b· Ip verknüpft sind.
In Figur 2 kehrt in der Kurve a der Darstellungspunkt, welcher zuerst dem Ast ABC gefolgt ist (wie bei der
bekannten Schaltung) zu den geringeren ßtromwerten zurück, wenn der Belastungswiderstand H^ weiter abnimmt. Er beschreibt
den Ast CD. .
Der Energieverbrauch kehrt zu geringen Werten gemäß dem
Ast FG zurück, nachdem er sich wie vorher gemäß der Kurve OF
geändert hat.
Durch eine geeignete Wahl der Parameter gestattet es die Schaltung gemäß der Erfindung auf sichere Weise den Energieverbrauch
auf einen nicht gefährlichen Wert zu begrenzen. Dieses Ergebnis wird durch Mittel von außerordentlicher
Einfachheit erzielt.
- Patentanspruch 909815/0564
Claims (1)
- Patentanspruch.Schutzschaltung für einen Ballasttraneistor In einer Spannungsversorgung zur Lieferung einer stabilisierten Spannung zwischen zwei Ausgangsklemmen aus einer zwei Eingangsklemmen speisenden ungeglatteten Eingangsspannung mit einem DIfferential-Eegelverstärker mit zwei Transistoren, die mit einem ihrer Eingänge mit einem von einem Strom durchflossenen und eine Bezugsspannung liefernden Element verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Element durch eine Abzapfung eines Spannungsteilers(Ep» B,) mit Strom versorgt wird, der zwischen eine der Eingangsklemmen und eine der Ausgangsklemmen geschaltet ist*909815/0564
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR4743A FR1435900A (fr) | 1965-02-08 | 1965-02-08 | Protection d'une alimentation stabilisée à transistors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1488885A1 true DE1488885A1 (de) | 1969-04-10 |
Family
ID=8570337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661488885 Pending DE1488885A1 (de) | 1965-02-08 | 1966-02-08 | Schutzanordnung fuer eine stabilisierte Spannungsversorgung mit Transistoren |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3399338A (de) |
BE (1) | BE675938A (de) |
DE (1) | DE1488885A1 (de) |
FR (1) | FR1435900A (de) |
GB (1) | GB1126951A (de) |
LU (1) | LU50397A1 (de) |
NL (1) | NL6601557A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2603263A1 (de) * | 1975-02-03 | 1976-08-05 | Ibm | Treiberschaltung mit ueberlastungsschutz |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3628127A (en) * | 1970-04-27 | 1971-12-14 | Bell Telephone Labor Inc | Voltage level shifter circuit with current ratio control of transconductive impedance of semiconductor |
US3886410A (en) * | 1973-12-21 | 1975-05-27 | Rca Corp | Short circuit protection apparatus for a regulated power supply |
US3924158A (en) * | 1974-10-24 | 1975-12-02 | Hughes Aircraft Co | Electronic overload protection device |
US4835649A (en) * | 1987-12-14 | 1989-05-30 | United Technologies Corporation | Self-latching current limiter |
US4972136A (en) * | 1989-11-07 | 1990-11-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Linear power regulator with current limiting and thermal shutdown and recycle |
GB2279472B (en) * | 1993-06-02 | 1997-07-23 | Vtech Communications Ltd | Low drop-out regulator apparatus |
US5831416A (en) * | 1997-12-10 | 1998-11-03 | Galvanix Corporation | Apparatus and method for charging batteries |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3005147A (en) * | 1957-08-12 | 1961-10-17 | North American Aviation Inc | Short circuit protection for a transistorized power supply |
US3250981A (en) * | 1962-02-05 | 1966-05-10 | Monte L Marks | Voltage regulator |
US3240997A (en) * | 1962-10-02 | 1966-03-15 | North American Aviation Inc | Power supply |
US3321698A (en) * | 1963-12-09 | 1967-05-23 | Lorain Prod Corp | Voltage regulator circuitry |
-
1965
- 1965-02-08 FR FR4743A patent/FR1435900A/fr not_active Expired
- 1965-10-22 US US501705A patent/US3399338A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-02-02 BE BE675938A patent/BE675938A/xx unknown
- 1966-02-04 LU LU50397A patent/LU50397A1/xx unknown
- 1966-02-07 GB GB5365/66A patent/GB1126951A/en not_active Expired
- 1966-02-08 NL NL6601557A patent/NL6601557A/xx unknown
- 1966-02-08 DE DE19661488885 patent/DE1488885A1/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2603263A1 (de) * | 1975-02-03 | 1976-08-05 | Ibm | Treiberschaltung mit ueberlastungsschutz |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6601557A (de) | 1966-08-09 |
BE675938A (de) | 1966-08-02 |
GB1126951A (en) | 1968-09-11 |
US3399338A (en) | 1968-08-27 |
LU50397A1 (de) | 1966-08-04 |
FR1435900A (fr) | 1966-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69723415T2 (de) | Schutz einer integrierten Stromversorgung | |
DE19817767A1 (de) | Halbleiter-Leistungsschaltung | |
DE2320128A1 (de) | Zwangskommutierter zerhacker mit drosselspule | |
DE3854006T2 (de) | Generator von periodischen Signalen, insbesondere für Schaltnetzteile. | |
DE2240538C3 (de) | Stromstabilisierungseinrichtung | |
DE2809439A1 (de) | Schaltungseinrichtung zur steuerung des basisstromes eines als schalttransistor betriebenen leistungstransistors | |
DE1538252A1 (de) | Stromkreis mit steuerbaren Gleichrichtern | |
DE3302912C2 (de) | ||
DE2308090A1 (de) | Ueberlast-schutzschaltung | |
DE1488885A1 (de) | Schutzanordnung fuer eine stabilisierte Spannungsversorgung mit Transistoren | |
DE1513420B2 (de) | Spannungsregeleinrichtung zur erzeugung einer geregelten gleichspannung mit einem schalttransistor und einem kontinuierlich gesteuerten stelltransistor | |
DE2045768A1 (de) | Steueranlage fur einen Wechselstrom generator | |
DE2506196C2 (de) | Gleichstrom-Schaltvorrichtung zur Erhöhung des Spitzenstromes | |
DE1939459A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Regelung einer Gleichspannung | |
DE10317374A1 (de) | Steuerschaltung für Leistungsvorrichtung | |
DE3303618C2 (de) | ||
EP0513910B1 (de) | Gleichrichterschaltung | |
DD277562A1 (de) | Schaltung zur strombegrenzung mit foldback-verhalten | |
DE2444833A1 (de) | Leistungsverstaerker der klasse b | |
DE3411912A1 (de) | Schaltender regler | |
DE2632381A1 (de) | Wechselrichterschaltung | |
DE2009039A1 (de) | Schaltung mit Überstromschutz | |
DE3208213A1 (de) | Oszillator und schaltung mit negativem widerstand | |
DE3733889C2 (de) | ||
DE2728945A1 (de) | Halbleiter-schalteinheit |