DE1488885A1 - Schutzanordnung fuer eine stabilisierte Spannungsversorgung mit Transistoren - Google Patents

Schutzanordnung fuer eine stabilisierte Spannungsversorgung mit Transistoren

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DE1488885A1
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DE
Germany
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voltage
transistor
transistors
power supply
current
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Pending
Application number
DE19661488885
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English (en)
Inventor
Guy Arzul
Albert Burgert
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Alcatel Lucent SAS
Original Assignee
Compagnie Generale dElectricite SA
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/569Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
    • G05F1/573Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overcurrent detector
    • G05F1/5735Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overcurrent detector with foldback current limiting

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Description

DR. MÜLLER-BORfe DlPL.-lNG. GRALFS DR. MANlffc4 8 8 8 8 5
PATENTANWÄLTE
LiILl 8. Feb. 1966
M/Sv - O 666
Compagnie Generale d1Electricity , rue La Boetie - PARIS (8eme) Frankreich
Schutzanordnung für eine stabilisierte Spannungsversorgung
mit Transistoren
Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für einen Ballasttransistor in einer stabilisierten Spannungsversorgungsanordnung. Es ist bekannt, die Änderungen einer ungeglätteten Gleichspannung durch entgegengesetzte Änderungen des Innenwiderstandes eines Ballasttransistors zu kompensieren, der von einem in eine Belastung geschickten Strom durchflossen wird. Die Belastung wird somit von einer stabilisierten Spannung gespeist· Venn aus einem unerwarteten Grunde, z.B. wegen eines zufälligen Kurzschlusses, der Stromfluß einen übermäßig hohen Wert annimmt, kann der Ballasttransistor in einigen Millisekunden zerstört sein. Es ist also wichtig, den Transistor gegen Zerstörung zu schützen, und zwar aus Gründen der Bequemlichkeit, um den Ausfall der Speisung zu
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vermeiden und aus wirtschaftlichen Gründen} die als Ballast verwendeten Transistoren sind nämlich im allgemeinen kostspielig.
Es sind Lösungen dieses Schutzproblemes bekannt. Die einen benutzen Relais, während andere rein elektronische Schaltungen verwenden, die im allgemeinen bevorzugt sind.
Die durch die Erfindung geschaffene Lösung ist durch ihre außerordentliche Einfachheit bemerkenswert. Ihre Wirksamkeit ist dabei wenigstens gleich der der bekannten Lösungen. Die Einfachheit der Schaltung verleiht ihr zugleich eine große Verlässlichkeit.
Gemäß der Erfindung ist bei einer Stabilisatorschaltung mit einem Ballasttransistor, der an seinem Emitter eine ungeglättete Eingangsspannung aufnimmt und über seinen Kollektor eine stabilisierte Ausgangsspannung an eine Belastung abgibt, und mit einem Differentialverstärker mit zwei Transistoren, von denen einer an seiner Basis mit einem Abgriff eines von der stabilisierten Spannung gespeisten Spannungsteilers verbunden ist, während der andere an seinem Kollektor mit der Basis des Ballasttransistors und an seiner Basis mit einem Spannungs-Stabilisatorelement, z.B. einer Zener-Diode, verbunden ist, die von der ungeglätteten Spannung über einen
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Widerstand gespeist wird, vorgesehen, daß die letztgenannte Basis mit der Ausgangsspannung über einen Widerstand verbunden ist.
Me Arbeitsweise der Schaltung gemäß der Erfindung ergibt sich im einzelnen aus der folgenden Beschreibung anhand der Zeichnung; in dieser zeigen:
Figur 1 eine bevorzugte Ausführungsform einer geschützten stabilisierten Spannungsversorgung und
Figur 2 ein Diagramm, welches zum Verständnis der Arbeitsweise beiträgt.
In Figur 1 aetefe- der Zeichnung ist eine ungeglättete Spannung mit dem Wert V^ an die Eingangsklemmen E E1 der Speisung gelegt. Qx] ist ein Ballasttransistor, Q2 u11^ Qx sind zwei als DifferentialVerstärker geschaltete Transistoren, welche einen gemeinsamen Emitterwiderstand R^ haben. Der Transistor Qp empfängt an seiner Basis eine Bezugsspannung V. die von einem Stabilisatorelement, z.B. einer Zener-Diode, geliefert wird, die von der ungeglätteten Spannung über einen Widerstand Ro gespeist wird. Der Kollektor des Transistors Qp ist mit der Basis des Ballasttransistors Q^ verbunden. Der
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Kollektor des Transistors Q, ist direkt mit der Klemme E der ungeglätteten Spannung verbunden. Seine Basis liegt am Mittelabgriff P eines Spannungsteilers aus den Widerständen E^, und E1-, der an die Klemmen S S1 der Ausgangsspannung mit dem Vert Vp geschaltet ist.
Gemäß der Erfindung ist ein Widerstand E3, zwischen die Bads des Transistors Q2 un<i die Klemme S gelegt. Bei den bekannten Schaltungen findet sich ein derartiger Widerstand nicht.
Im normalen Betrieb sind die drei Transistoren leitend. Die Spannung V an den Klemmen des Widerstandes E^ ist gleich der Bezugsspannung V vermindert um die Emitter-Basisspannung VV des Transistors Q2. Der Strom I, welcher den Widerstand E^ durchfließt, d.h. die Summe der Ströme I2 und I* der Transistoren Q2 1^d Qz ist gleich:
I+I- V/E,, - Vo " Vbe
d. O I B
Solange der Transistor Q2 leitend ist, verändert sich V, wenig und bleibt gleich einem geringen Bruchteil der Spannung V . Die Summe I der Ströme I0 und I2 bleibt also im
O C. y
normalen Betrieb annähernd kaostant.
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Im normalen Betrieb behält der Punkt P durch den Vorgang der Stabilisierung ein Potential, das annähernd gleich dem Bezugspotential V ist. Die stabilisierte Spannung V ist annähernd gleich Vn R4 * R5 .
Figur 2 zeigt die Beziehung der Ausgangsspannung Vg als Funktion des gelieferten Stromes I2 mit dem Belastungswiderstand Hx als Parameter (Kurve a) sowie die Veränderung der in dem Ballasttransistor verbrauchten Leistung W (Kurve b).
Von einem unendlichen Widerstand (offener Kreis) und einem gelieferten Strom Null ausgehend bleibt die Ausgangsspannung annähernd konstant, wenn B- abnimmt, sofern der Transistor Q, leitend ist (Zweig AB der Kurve). Bei weiter abnehmendem Belastungswiderstand nähert sich der Transistor dem Sperrzustand, die Stabilisierung ist nicht mehr ausreichend und die Ausgangsspannung fällt geringfügig ab. Dies ist der Ast BG der Kurve. Am Punkt C sperrt der Transistor Q*. Der Strom in dem Transistor Qp, welcher ebenfalls der Basisstrom des Ballasttransistors ^1 ist,
VV
V-V nimmt den größtmöglichen Wert an, d.h I « ~"^""g
Folglich führt der Transistor Q^ den größtmöglichen Strom, d.h.: I - b· IpM> wobei b der Stromverstärkungskoeffizient des Transistors Q1 ist.
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Wenn der Belastungswiderstand weiter abnimmt, bleibt der gelieferte Strom bei den bekannten Schaltungen in Abwesenheit des Widerstandes IU nach Figur 1 konstant gleich I . Die Spannung an den Klemmen der Belastung nimmt ab; der Darstellungspunkt durchläuft die Linie -β* in Figur 2.
Der Energieverbrauch in dem Ballasttransistor Q^ beschreibt ausgehend von einem Wert Null bei offenem Kreis den Ast OF der Kurve bis zum Wert I des Stromes. Gemäß der Abnahme des Belastungswiderstandes nimmt dann, die Ausgangsspannung Vo ab, während die Spannung an den Klemmen des Transistors Qx] gleich V^ - Vp anwächst. Der Verbrauch in dem Ballasttransistor folgt der gestrichelten Geraden F und erreicht schnell einen verbotenen Wert, der zur Zerstörung des Transistors führt.
Wenn gemäß der Erfindung der Widerstand R, zwischen die Basis des Transistors Qp und eine Ausgangsklemme S der Speisung geschaltet wird, erniedrigt sich die Spannung am Punkt T gemäß der Abnahme des Belastungswiderstandes R-^; die Ausgangsspannung V^ nimmt ab. Daraus folgt, daß der Strom, welcher die Zener-Diode Z durchfließt, nicht mehr zur Aufrechterhaltung der Bezugsspannung an ihren Klemmen ausreicht. Unter diesen Umständen nimmt die Spannung an
15/056/,
der Basis des Transistors
den Transistor durchfließt, wird geringer und das gleiche gilt folglich für den vom Ballasttransistor gelieferten Strom, da diese beiden Ströme durch die Beziehung It ■ b· Ip verknüpft sind.
In Figur 2 kehrt in der Kurve a der Darstellungspunkt, welcher zuerst dem Ast ABC gefolgt ist (wie bei der bekannten Schaltung) zu den geringeren ßtromwerten zurück, wenn der Belastungswiderstand H^ weiter abnimmt. Er beschreibt den Ast CD. .
Der Energieverbrauch kehrt zu geringen Werten gemäß dem Ast FG zurück, nachdem er sich wie vorher gemäß der Kurve OF geändert hat.
Durch eine geeignete Wahl der Parameter gestattet es die Schaltung gemäß der Erfindung auf sichere Weise den Energieverbrauch auf einen nicht gefährlichen Wert zu begrenzen. Dieses Ergebnis wird durch Mittel von außerordentlicher Einfachheit erzielt.
- Patentanspruch 909815/0564

Claims (1)

  1. Patentanspruch.
    Schutzschaltung für einen Ballasttraneistor In einer Spannungsversorgung zur Lieferung einer stabilisierten Spannung zwischen zwei Ausgangsklemmen aus einer zwei Eingangsklemmen speisenden ungeglatteten Eingangsspannung mit einem DIfferential-Eegelverstärker mit zwei Transistoren, die mit einem ihrer Eingänge mit einem von einem Strom durchflossenen und eine Bezugsspannung liefernden Element verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Element durch eine Abzapfung eines Spannungsteilers(Ep» B,) mit Strom versorgt wird, der zwischen eine der Eingangsklemmen und eine der Ausgangsklemmen geschaltet ist*
    909815/0564
DE19661488885 1965-02-08 1966-02-08 Schutzanordnung fuer eine stabilisierte Spannungsversorgung mit Transistoren Pending DE1488885A1 (de)

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FR4743A FR1435900A (fr) 1965-02-08 1965-02-08 Protection d'une alimentation stabilisée à transistors

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DE1488885A1 true DE1488885A1 (de) 1969-04-10

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DE19661488885 Pending DE1488885A1 (de) 1965-02-08 1966-02-08 Schutzanordnung fuer eine stabilisierte Spannungsversorgung mit Transistoren

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BE (1) BE675938A (de)
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GB (1) GB1126951A (de)
LU (1) LU50397A1 (de)
NL (1) NL6601557A (de)

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BE675938A (de) 1966-08-02
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US3399338A (en) 1968-08-27
LU50397A1 (de) 1966-08-04
FR1435900A (fr) 1966-04-22

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