DE1294558B - Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zum Herstellen - Google Patents
Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zum HerstellenInfo
- Publication number
- DE1294558B DE1294558B DEW32198A DEW0032198A DE1294558B DE 1294558 B DE1294558 B DE 1294558B DE W32198 A DEW32198 A DE W32198A DE W0032198 A DEW0032198 A DE W0032198A DE 1294558 B DE1294558 B DE 1294558B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- conductivity type
- voltage rectifier
- junction
- zones
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002140 antimony alloy Substances 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
1 2
Die vorliegende Erfindung bezieht sich im all- Fähigkeitstyps umschlossen wird. Auch in diesem
gemeinen auf Hochspannungsgleichrichter und im Falle handelt es sich nicht um die Erhöhung der
besonderen auf Hochspannungsgleichrichter mit pn- Sperrspannung, sondern beide Zonen dienen als inÜbergang,
jizierende Steuerelektroden. Λ
Seit kurzem sind Siliziumeinkristalle von hoher 5 Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung
Qualität erhältlich. Dies ermöglicht die Entwicklung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung. Zum
von Hochleistungsdioden, welche einen hohen Grad besseren Verständnis der Erfindung wird auf die
physikalischer Einheitlichkeit im Bereich des inneren Zeichnungen Bezug genommen, in welchen die
pn-Übergangs besitzen. Die schwache Stelle des pn- Fig. 1 einen Querschnitt eines Halbleiterbau-
Übergangs liegt hierbei im äußeren Bereich oder im io elements zeigt, welches eine Ausführungsform der
Oberflächenbereich des Übergangs. vorliegenden Erfindung darstellt;
Wiederholt durchgeführte Versuche mit hohen Fig.2 ist eine Aufsicht auf das Halbleiterbau-
Spannungen zeigen, daß das Haupthindernis für die element gemäß der Fig. 1;
Hochspannungsstabilität in Leistungsdioden vom Fig.3 zeigt das Schaltbild des Stromkreises, den
Oberflächendurchbruch am Rand des pn-Übergangs 15 der Sperrleckstrom vorfindet;
herrührt. Ein solcher Durchbruch am Rand des pn- Fig.4 zeigt das Ausführungsbeispiel gemäß der
Übergangs führt zu einem höheren Oberflächenleck- F i g. 1 in gekapselter Form;
strom und zerstört dadurch die Diode oder vermin- Fig. 5 ist ein Querschnitt eines Gleichrichter-
dert ihre Lebensdauer wesentlich. Gleichzeitig wird elements, welches eine Vorspannung für die Hilfsdie
Spitzensperrspannung der Diode vermindert. 20 pn-Übergänge besitzt, und
Demzufolge ist die allgemeine Aufgabe der vor- Fig.6 ist ein Teilquerschnitt eines Gleichrichterliegenden
Erfindung, einen neuen und verbesserten bauelemente, welches drei auflegierte Hilfsringe be-Hochspannungsgleichrichter
mit pn-übergang zu sitzt.
schaffen. Das besondere Ziel dieser Erfindung ist es, Die grundlegende Erfindung, welche hier beschrie-
einen pn-Übergangsgleichrichter zu schaffen, wel- 25 ben wird, kann auf verschiedene Typen von pncher
eine erhöhte Lebensdauer, sehr hohe Sperr- Übergangs-Gleichrichtern angewendet werden. Aus
Spannungen und einen geringen Spannungsabfall in Gründen der Vereinfachung bezieht sich die BeDurchlaßrichtung
besitzt. Schreibung auf die Ausführungsform der Erfindung
Die Erfindung betrifft deshalb einen Hochspan- als p-Typ-Silizium-Leistungs-Diode.
nungsgleichrichter mit einer ersten einkristallinen, 30 Der Aufbau des Gleichrichterbauelements ist in
scheibenförmigen Zone eines Leitfähigkeitstyps, in starker Vergrößerung in den F i g. 1 und 2 der Zeichderen
eine Flachseite eine dünnere zweite Zone des nungen dargestellt. Das Gleichrichterbauelement 10
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eingebettet ist, besteht aus einer Scheibe 12 aus p-leitendem SiI-welche
mit einem flächenhaften pn-übergang an die zium, welches durch eine Trägerscheibe 16 getragen
erste Zone angrenzt, sowie mit je einer ohmschen 35 wird. Die Trägerscheibe 16 besteht aus einem Ma-Kontaktelektrode
auf jeder der beiden Zonen, von terial, welches eine gute Wärmeleitfähigkeit und elekdenen
die eine ohmsche Kontaktelektrode die andere trische Leitfähigkeit besitzt, sowie einen Wärmeausganze
Flachseite der ersten Zone bedeckt. Er ist er- dehnungskoeffizienten ähnlich dem der Scheibe 12.
findungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß zur Die Trägerscheibe 16 kann z. B. aus Molybdän oder
Aufteilung der Durchschlagsspannung an der Ober- 40 Wolfram hergestellt sein. Die Siliziumscheibe 12 ist
fläche mindestens eine dritte ringförmige Zone des auf der Trägerscheibe 16 mit Hilfe einer dünnen
zweiten Leitfähigkeitstyps den flächenhaften pn- Schicht eines p-Leitung hervorrufenden Lotes 14 beÜbergang
umschließt und einen zweiten pn-Über- festigt, wodurch ein ohmscher Kontakt zwischen der
gang mit der ersten Zone bildet. Kurz gesagt löst die Siliziumscheibe 12 und dem Trägerkörper 16 bewirkt
vorliegende Erfindung die obengenannte Aufgabe, 45 wird. Eine dünne Rondel8 eines η-Leitung hervorindem
ein oder mehrere Hilfs-pn-Übergänge kon- rufenden Stoffes, wie z. B. eine Gold-Antimon-Legiezentrisch
um den Haupt-pn-Übergang angeordnet rung, ist zentrisch auf die Siliziumscheibe 12 aufwerden,
wodurch die hohen Sperrspannungen, welche gelegt und in die Scheibe 12 einlegiert, wodurch sich
an der Diodenoberfläche auftreten, auf die Anzahl ein Haupt-pn-Übergang 20 in der Siliziumscheibe 12
der vorhandenen pn-Übergänge verteilt werden. Da 50 gebildet hat. Die Ronde 18, welche einen geringeren
die hohen Sperrspannungen durch eine Mehrzahl von Durchmesser als die Siliziumscheibe 12 aufweist,
pn-Übergängen getragen werden, werden die Ober- wird mit Abstand von zwei Gold-Antimon-Legieflächenleckströme
vermindert, und die Lebensdauer rungsringen 22 konzentrisch umgeben, welche ebender
Leistungsdiode wird vergrößert. __ falls in der Siliziumscheibe 12 einlegiert sind, wo-
Es ist bereits bei Transistoren bekannt, in einen 55 durch zwei kreisringförmige Hilfs-pn-Übergänge 24
Halbleiterkörper des einen Leitfähigkeitstyps meh- und 26 entstanden sind. Die Übergänge 20,24 und
rere einander umschließende, ringförmige Zonen des 26 sind in stark vergrößertem Maßstab als der Beentgegengesetzten
Leitfähigkeitstyps einzubetten. Es reich zwischen den gekreuzten Linien der F i g. 1 darhandelt
sich dabei aber nicht um eine Vergrößerung gestellt und befinden sich innerhalb des nichtlegierder
Sperrspannung, sondern es handelt sich um 60 ten Materials. Die Bereiche 19,21 und 25 sind Zonen
Emitterringe, die der Vergrößerung der Randlänge von rekristallisiertem Silizium. Eine Molybdän- oder
des Emitters dienen. Wolframkontaktelektrode 32 ist in ohmschem Kon-
Ferner ist noch ein Vier-Zonen-Halbleiterbau- takt auf die Gold-Antimon-Legierungsronde 18 aufelement
bekanntgeworden, bei dem auf einer Flach- gesetzt.
seite des scheibenförmigen Halbleiterkörpers eine 65 Obgleich der oben beschriebene Aufbau ein
Zone des einen Leitfähigkeitstyps, die in eine Zone Element mit zwei einlegierten Ringen beschreibt,
des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps eingebettet kann selbstverständlich die Anzahl der verwendeten
ist, von einer ringförmigen Zone des gleichen Leit- Ringe in Abhängigkeit von der Sperrspannung,
welcher das Bauelement ausgesetzt wird, vergrößert werden.
Die F i g. 3 stellt schematisch den Stromkreis dar, den der Sperrleckstrom auf der Oberfläche des
Gleichrichters gemäß der Erfindung mit zwei einlegierten Ringen 22 vorfindet. Jeder Gleichrichter der
F i g. 3 steht für einen pn-übergang der F i g. 1 und hat das gleiche Bezugszeichen wie in der Fig. 1.
Zum Beispiel steht der Gleichrichter 20 der F i g. 3 für den Haupt-pn-Übergang 20 der F i g. 1, und die to
Gleichrichter 24 und 26 in der F i g. 3 repräsentieren die pn-Übergänge 24 und 26, die mit den Ringen 22
der F i g. 1 verbunden sind. Man kann sehen, daß die Sperrspannung auf drei sperrende pn-Übergänge aufgeteilt
ist, so daß der Gleichrichter hierdurch sehr hohe Spannungen ertragen kann, bevor die Sperrstabilität,
welche auf Oberflächenleckströme zurückzuführen ist, Schwierigkeiten macht. Zum Beispiel
können Gleichrichter gemäß der Erfindung so ausgelegt werden, daß sie einen Spannungsabfall in ao
Durchlaßrichtung von 1 bis 1,5 V bei 100 A Durchlaßstrom besitzen und eine Spitzensperrspannung von
1500 bis 3000V.
In der F i g. 4 ist ein Kupferbecher 34 auf die Kontaktelektrode 32 gelötet, und der biegsame Kupfer- »5
leiter 36, welcher eine Kupferkappe 38 an seinem anderen Ende besitzt, ist mit dem Becher 34 verbunden.
Die Kappe 38 an dem anderen Ende des Leiters 36 berührt eine Metallkappe 40 und sorgt damit
für die elektrische Verbindung von einem äußeren Stromkreis zu dem Gleichrichterelement 10. Das
Gleichrichterelement 10 ist in einem Bodenkörper 42 untergebracht, welcher ein Schraubgewinde besitzt,
mit dessen Hilfe ein zweiter elektrischer Anschluß angebracht werden kann. Ein zylindrischer Körper
44, der einen äußeren Flansch 46 besitzt, ist an dem Grundkörper 42 befestigt und trägt einen isolierenden
Hohlzylinder 48. Ein anderer Hohlzylinder 50, welcher einen inneren Flansch 52 besitzt, ist an dem
oberen Ende des isolierenden Zylinders 48 befestigt und trägt die Kappe 40.
Anstatt die kreisringförmigen, auflegierten Ringe 22 elektrisch schwebend zu belassen, kann es zweckmäßig
sein, die Ringe an eine Spannung zu legen, wie in der Fig. 5 gezeigt wird. Ein elektrisches Potential,
welches durch die Vorwiderstände 52 an die Ringe 22 gelegt wird, vergrößert die Sperrfähigkeit des
Gleichrichters. Dies wird durch die Verschiebung der Raumladungszone bewirkt. Das heißt, die Raumladungszone,
welche durch die Spannung an den Ringen 22 hervorgerufen wird, verbindet sich mit der
Raumladungszone an dem Haupt-pn-Übergang, wodurch die resultierende Raumladungszone an der
Oberfläche verbreitert wird. Dies läßt natürlich den Gleichrichter höhere Sperrspannungen an der Oberfläche
des Gleichrichterbauelements tragen.
Es können so viel oder so wenig einlegierte Ringe aneinandergereiht werden, wie durch die Höhe
der Sperrspannung benötigt werden, welcher das Bauelement im Betrieb ausgesetzt ist. Die Fig.6 ist ein
Teilquerschnitt eines Gleichrichterelements, welches drei elektrische Ringe 22 besitzt.
Claims (5)
1. Hochspannungsgleichrichter mit einer ersten einkristallinen, scheibenförmigen Zone eines Leitfähigkeitstyps,
in deren eine Flachseite eine dünnere zweite Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps
eingebettet ist, welche mit einem flächenhaften pn-übergang an die erste Zone angrenzt,
sowie mit je einer ohmschen Kontaktelektrode auf jeder der beiden Zonen, von denen
die eine ohmsche Kontaktelektrode die andere ganze Flachseite der ersten Zone bedeckt, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Aufteilung der Duchschlagsspannung an der Oberfläche mindestens eine dritte ringförmige Zone des zweiten
Leitfähigkeitstyps den flächenhaften pn-übergang umschließt und einen zweiten pn-übergang
mit der ersten Zone bildet.
2. Hochspannungsgleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine
Kontaktelektrode an der dritten ringförmigen Zone zum Anlegen einer Vorspannung vorgesehen
ist.
3. Hochspannungsgleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere
ringförmige Zonen des zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen sind, welche einander mit Abstand
umschließen.
4. Hochspannungsgleichrichter nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste Zone aus p-leitendem Silizium besteht, in die durch Einlegieren einer Gold-Antimon-Legierung
erzeugte p-leitende Zonen eingebettet sind.
5. Verfahren zum Herstellen eines Hochspannungsgleichrichters nach Anspruch 1 oder 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps in einem Arbeitsgang
erzeugt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11555061A | 1961-06-07 | 1961-06-07 | |
US507216A US3335296A (en) | 1961-06-07 | 1965-11-10 | Semiconductor devices capable of supporting large reverse voltages |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1294558B true DE1294558B (de) | 1969-05-08 |
Family
ID=26813313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEW32198A Pending DE1294558B (de) | 1961-06-07 | 1962-05-04 | Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zum Herstellen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3335296A (de) |
CH (1) | CH401272A (de) |
DE (1) | DE1294558B (de) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3391287A (en) * | 1965-07-30 | 1968-07-02 | Westinghouse Electric Corp | Guard junctions for p-nu junction semiconductor devices |
GB1140822A (en) * | 1967-01-26 | 1969-01-22 | Westinghouse Brake & Signal | Semi-conductor elements |
US3700982A (en) * | 1968-08-12 | 1972-10-24 | Int Rectifier Corp | Controlled rectifier having gate electrode which extends across the gate and cathode layers |
US3622844A (en) * | 1969-08-18 | 1971-11-23 | Texas Instruments Inc | Avalanche photodiode utilizing schottky-barrier configurations |
US3798512A (en) * | 1970-09-28 | 1974-03-19 | Ibm | Fet device with guard ring and fabrication method therefor |
US4003072A (en) * | 1972-04-20 | 1977-01-11 | Sony Corporation | Semiconductor device with high voltage breakdown resistance |
JPS523277B2 (de) * | 1973-05-19 | 1977-01-27 | ||
JPS5242634B2 (de) * | 1973-09-03 | 1977-10-25 | ||
JPS5631898B2 (de) * | 1974-01-11 | 1981-07-24 | ||
US4032961A (en) * | 1974-10-16 | 1977-06-28 | General Electric Company | Gate modulated bipolar transistor |
US3979769A (en) * | 1974-10-16 | 1976-09-07 | General Electric Company | Gate modulated bipolar transistor |
US5083185A (en) * | 1985-02-15 | 1992-01-21 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade & Industry | Surge absorption device |
US5949124A (en) * | 1995-10-31 | 1999-09-07 | Motorola, Inc. | Edge termination structure |
US6060906A (en) * | 1998-04-29 | 2000-05-09 | Industrial Technology Research Institute | Bidirectional buffer with active pull-up/latch circuit for mixed-voltage applications |
JP3914785B2 (ja) | 2002-02-20 | 2007-05-16 | 新電元工業株式会社 | ダイオード素子 |
EP1341238B1 (de) * | 2002-02-20 | 2012-09-05 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Diodeanordnung und Transistoranordnung |
US6841825B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-01-11 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP3971670B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2007-09-05 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2672528A (en) * | 1949-05-28 | 1954-03-16 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translating device |
US2754431A (en) * | 1953-03-09 | 1956-07-10 | Rca Corp | Semiconductor devices |
DE1796305U (de) * | 1959-05-16 | 1959-09-24 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit mindestens einer flaechigen elektrode. |
FR1249135A (fr) * | 1959-02-24 | 1960-12-23 | Westinghouse Electric Corp | Appareils semi-conducteurs à injection bipolaire |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2764642A (en) * | 1952-10-31 | 1956-09-25 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor signal translating devices |
US3087098A (en) * | 1954-10-05 | 1963-04-23 | Motorola Inc | Transistor |
US2929999A (en) * | 1955-09-19 | 1960-03-22 | Philco Corp | Semiconductive device and apparatus |
US2998534A (en) * | 1958-09-04 | 1961-08-29 | Clevite Corp | Symmetrical junction transistor device and circuit |
US3099591A (en) * | 1958-12-15 | 1963-07-30 | Shockley William | Semiconductive device |
US3087099A (en) * | 1959-01-02 | 1963-04-23 | Sprague Electric Co | Narrow web mesa transistor structure |
US3148284A (en) * | 1959-01-30 | 1964-09-08 | Zenith Radio Corp | Semi-conductor apparatus with field-biasing means |
US2919388A (en) * | 1959-03-17 | 1959-12-29 | Hoffman Electronics Corp | Semiconductor devices |
US3091703A (en) * | 1959-04-08 | 1963-05-28 | Raytheon Co | Semiconductor devices utilizing carrier injection into a space charge region |
US3035186A (en) * | 1959-06-15 | 1962-05-15 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor switching apparatus |
US2991371A (en) * | 1959-06-15 | 1961-07-04 | Sprague Electric Co | Variable capacitor |
GB915688A (en) * | 1959-10-07 | 1963-01-16 | Pye Ltd | Improvements in semiconductor devices |
NL261720A (de) * | 1960-03-04 | |||
DE1133038B (de) * | 1960-05-10 | 1962-07-12 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper undvier Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps |
NL267818A (de) * | 1960-08-02 | |||
NL267390A (de) * | 1960-09-28 | |||
US3076104A (en) * | 1960-11-29 | 1963-01-29 | Texas Instruments Inc | Mesa diode with guarded junction and reverse bias means for leakage control |
US3210617A (en) * | 1961-01-11 | 1965-10-05 | Westinghouse Electric Corp | High gain transistor comprising direct connection between base and emitter electrodes |
US3210560A (en) * | 1961-04-17 | 1965-10-05 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor device |
AT233119B (de) * | 1962-01-26 | 1964-04-25 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper |
-
1962
- 1962-05-04 DE DEW32198A patent/DE1294558B/de active Pending
- 1962-05-11 CH CH566562A patent/CH401272A/de unknown
-
1965
- 1965-11-10 US US507216A patent/US3335296A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2672528A (en) * | 1949-05-28 | 1954-03-16 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translating device |
US2754431A (en) * | 1953-03-09 | 1956-07-10 | Rca Corp | Semiconductor devices |
FR1249135A (fr) * | 1959-02-24 | 1960-12-23 | Westinghouse Electric Corp | Appareils semi-conducteurs à injection bipolaire |
DE1796305U (de) * | 1959-05-16 | 1959-09-24 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit mindestens einer flaechigen elektrode. |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH401272A (de) | 1965-10-31 |
US3335296A (en) | 1967-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1294558B (de) | Hochspannungsgleichrichter und Verfahren zum Herstellen | |
DE3134074C2 (de) | Halbleiterbauelement zum Steuern großer Ströme | |
DE1197549B (de) | Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht | |
DE1260029B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen auf einem Halbleitereinkristallgrundplaettchen | |
EP0360036A2 (de) | Planarer pn-Übergang hoher Spannungsfestigkeit | |
DE1902369C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen | |
DE1284519B (de) | Zusammengesetzte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0283588B1 (de) | Steuerbares Leistungs-Halbleiterbauelement | |
DE2500235C2 (de) | Ein-PN-Übergang-Planartransistor | |
DE2944069A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE7016282U (de) | Halbleiterschaltvorrichtung. | |
DE1228343B (de) | Steuerbare Halbleiterdiode mit stellenweise negativer Strom-Spannungs-Kennlinie | |
DE2329398C3 (de) | In Rückwärtsrichtung leitendes Thyristorbauelement | |
DE2149039C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2146178B2 (de) | Thyristor mit Steuerstromverstärkung | |
DE1293900B (de) | Feldeffekt-Halbleiterbauelement | |
DE2601131A1 (de) | Halbleitereinrichtungen vom druckkontakt-typ | |
DE1166939B (de) | Spannungsregelnde Halbleiterdiode | |
DE2520134C3 (de) | Thyristor mit einem rechteckigen Halbleiterelement | |
DE1464829C3 (de) | Schaltungsanordnung mit mehreren in einem Halbleiterplättchen ausgebildeten Schaltungselementen | |
DE2339440B2 (de) | Thyristor | |
DE1275208B (de) | Steuerbarer Halbleitergleichrichter | |
DE2508874C3 (de) | Bipolarer Transistor in einer epitaktischen Schicht aus Halbleitermaterial auf einem isolierenden Substrat | |
DE1934866A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1514565B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen |