DE1287404B - Verfahren zum Vorbereiten von Siliziumkoerpern fuer das Dotieren durch AEtzen - Google Patents
Verfahren zum Vorbereiten von Siliziumkoerpern fuer das Dotieren durch AEtzenInfo
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 10
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Vorbereiten der Oberfläche von Siliziumkörpern für das Einlegieren von Dotierungsstoffen durch Ätzen in mehreren Verfahrensschritten. . - '-Bei der Herstellung von Halbleiterelementen, wie z. B. steuerbaren Gleichrichtern oder Transistoren, mit Silizium als halbleitender Substanz ist es bekannt, sperrende oder nichtsperrende Übergänge durch Anlegieren geeigneter Materialien herzustellen. Die für das Anlegieren vorgesehener Oberflächen werden normalerweise vordem Legieren mit einer wäßrigen Lösung behandelt, die. Salpetersäure und Flußsäure enthält. Dabei bewirkt die Salpetersäure kontinuierlich die Bildung von Siliziumoxyden, die ebenso kontinuierlich von der Flußsäure abgelöst werden. Man achtet jedoch darauf, daß die in diesem Ätzverfahren behandelten Oberflächen nach Abschluß des Ätzverfahrens möglichst frei von störenden Schichten und Verunreinigungen sind. Die besonderen Schwierigkeiten bei der Anwendung des Legierungsverfahrens liegen darin, eine gleichmäßige Benetzung der Silizium-Oberfläche mit dem einzulegierenden Material zu bewirken und so eine gleichmäßige Ausbildung der Legierungsfront zu erhalten.
- Es ist bekannt (deutsche Auslegeschrift 1100 822) nach dem Legierungsprozeß den Bereich der Oberfläche, in dem die pn-Übergänge austreten, zunächst mit einer stark und anschließenden mit einer schwach angreifenden Ätzlösung zu behandeln. Auf diese Weise werden Störungen in dem besagten Bereich beseitigt und die Oberfläche geglättet.
- Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die Silizium-Oberfläche vor dem Legieren W vorzubereiten, daß der Legierungsvorgang auf der gesamten, zu legierenden Fläche abläuft.
- Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Körper zunächst einer Lösung 2 Volumteilen rauchender Salpetersäure (8611/o), 1 Volumteil Flußsäure (48 %) und 1 Volumteil Essigsäure (Eisessig 96%) ausgesetzt, sodann zur Bildung eines Silicagelfilmes aus ihr herausgenommen und anschließend einer Lösung aus: 3 Volumteilen rauchender Salpetersäure (86%), 1 Volumteil Flußsäure (48 %) und 10 Volumteilen Essigsäure (Eisessig 96 %) ausgesetzt wird.
- Der Erfindung liegt der allgemeine Gedanke zugrunde, zunächst in einem nicht bevorzugt angreifenden Ätzmittel in einem ersten Schritt zu ätzen, danach das Ätzen kurzzeitig durch Herausnehmen des Siliziumkörpers zu unterbrechen und dann mit einem bevorzugt angreifenden Ätzmittel fortzuführen. Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt es, gegen Ende des an sich bekannten Ätzverfahrens, das zur chemischen Polierung der Oberfläche dient, auf dieser Oberfläche durch Unterbrechen des Ätzvorganges einen Silicagelfilm zu erzeugen, der nach kurzer Zeit zusammen mit einem weiteren Teil der Silizium-Oberfläche in einem angreifenden Ätzmittel wieder entfernt wird, der aber im Gegensatz zu dem bekannten Ätzverfahren mindestens kurzzeitig stabil bestanden hat.
- Der Ablauf der bei dem erfindungsgemäßen Verfahren auftretenden Vorgänge wird beschleunigt, wenn man die Anteile der rauchenden Salpetersäure an den Ätzmitteln um 30 bis 50°/o erhöht. Bei Bedarf kann der Ablauf dieser Vorgänge aber auch verlangsamt werden, wenn man den Anteil der Essigsäure an dem bevorzugt angreifenden Ätzmittel um 30 bis 50 % erhöht.
- Es hat sich- herausgestellt, daß die Anwendung des erfindungsgeäßen Verfahrens zu Oberflächen führt, die gleichmäßige Legierungsfronten und damit auch günstige elektrische Daten der hergestellten Halbleiterelemente bewirken. -
Claims (3)
- Patentansprüche: 1. Verfahren zum Vorbereiten der Oberfläche von Siliziumkörpern für das Einlegieren -von Dotierungsstoffen durch Ätzen in mehreren -Verfahrensschritten, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper zunächst einer Lösung aus 2 Volumteilen= rauchender Salpetersäure (86 0%ö), 1 Volumteil Flußsäure (48%) und 1 Volumteil Essigsäure (Eisessig 96 %) ausgesetzt, sodann zur Bildung eines Silicagelfilmes aus ihr herausgenommen und anschließend einer Lösung aus 3:Volwnteilen rauchender Salpetersäure (86 %), 1 Volumteil Flußsäure' (48%) und -10 Volumteilen Essigsäure (Eisessig 96%)_ ausgesetzt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die rauchende Salpetersäure mit einer Konzentration von 30 bis 50% verwendet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Essigsäure mit einer Konzentration von 30 bis 50% verwendet wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1961L0039479 DE1287404B (de) | 1961-07-06 | 1961-07-06 | Verfahren zum Vorbereiten von Siliziumkoerpern fuer das Dotieren durch AEtzen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1961L0039479 DE1287404B (de) | 1961-07-06 | 1961-07-06 | Verfahren zum Vorbereiten von Siliziumkoerpern fuer das Dotieren durch AEtzen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1287404B true DE1287404B (de) | 1969-01-16 |
Family
ID=7268671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1961L0039479 Pending DE1287404B (de) | 1961-07-06 | 1961-07-06 | Verfahren zum Vorbereiten von Siliziumkoerpern fuer das Dotieren durch AEtzen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1287404B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2185859A1 (de) * | 1972-05-19 | 1974-01-04 | Matsushita Electronics Corp |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1100822B (de) * | 1958-04-26 | 1961-03-02 | Telefunken Gmbh | AEtzverfahren zur Beseitigung von Stoerungen der pn-UEbergaenge bei Halbleiteranordnungen des Legierungstyps |
-
1961
- 1961-07-06 DE DE1961L0039479 patent/DE1287404B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1100822B (de) * | 1958-04-26 | 1961-03-02 | Telefunken Gmbh | AEtzverfahren zur Beseitigung von Stoerungen der pn-UEbergaenge bei Halbleiteranordnungen des Legierungstyps |
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FR2185859A1 (de) * | 1972-05-19 | 1974-01-04 | Matsushita Electronics Corp |
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