DE1231032B - Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang - Google Patents
Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergangInfo
- Publication number
- DE1231032B DE1231032B DES84674A DES0084674A DE1231032B DE 1231032 B DE1231032 B DE 1231032B DE S84674 A DES84674 A DE S84674A DE S0084674 A DES0084674 A DE S0084674A DE 1231032 B DE1231032 B DE 1231032B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- junction
- pressure
- semiconductor component
- tip
- dependent semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
- H04R23/006—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00 using solid state devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES
4MMTWt
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
GOIl
H04r
Deutsche KL: 42 k-7/05
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1231032
S84674IXb/42k
11. April 1963
22. Dezember 1966
S84674IXb/42k
11. April 1963
22. Dezember 1966
Die Erfindung betrifft ein druckabhängiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-Ubergang,
auf dessen Halbleiterkörper eine harte, Drücke übertragende Spitze aufgesetzt ist.
Bauelemente dieser Art sind beispielsweise durch den Aufsatz »Highly-Sensitive Mecrophone Uses
Transistor as Base« in Bell Laboratories Record, Dezember 1962, S. 418 und 419, bekanntgeworden.
Es sind ebenfalls Bauelemente bekannt, welche einen pn-übergang enthalten, auf die mittels einer
Spitze ein Druck ausgeübt wird. Die druckübertragende Spitze sitzt jedoch auf einer Fläche des Halbleiterkörpers
auf, welche parallel zum pn-übergang verläuft.
Der Erfindung zugrunde liegende Untersuchungen haben überraschenderweise gezeigt, daß ein mechanisch
elektrischer Wandler der genannten Art dann eine Erhöhung seiner Empfindlichkeit erfährt, wenn
die Spitze auf einen Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers aufgesetzt ist, in dem der pn-übergang
an die Oberfläche tritt. So wurde bei einem Transistor vom sogenannten Planartyp und einem Abschlußwiderstand
von etwa 280 Ω durch diese Maßnahme eine Empfindlichkeitssteigerung um den Faktor
30 erzielt.
Bei einem druckabhängigen Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-übergang, auf dessen Halbleiterkörper
eine harte, Drücke übertragende Spitze aufgesetzt ist, ist daher gemäß der Erfindung vorgesehen,
daß die Spitze auf die Fläche der Randzone des an die Oberfläche tretenden pn-Übergangs aufgesetzt
ist.
Die Erfindung wird durch ein Ausführungsbeispiel an Hand einer Figur näher erläutert.
In der Figur ist ein npn-Transistor vom sogenannten Planartyp dargestellt, der aus den Halbleiterschichten
1, 2 und 3 besteht, auf die Emitter-, Basis- und Kollektorkontakte 4, 5 und 6 aufgebracht sind.
Die η-leitende Emitterschicht 1 ist so in die p-leitende Basisschicht 2 eingebracht, daß der pn-übergang 7
zwischen den beiden Schichten an der Deckfläche 8 des Transistors zugänglich ist. Die Einbettung der
Emitterschicht ist hierbei so, daß die Fläche des pn-Ubergangs nahezu senkrecht in die Deckfläche des
Transistors mündet. An dieser Stelle oder in unmittelbarer Umgebung derselben ist nun eine harte
Spitze 9, vorzugsweise die Spitze einer Saphirnadel 10, mit einer Vorspannung aufgesetzt. Die zu erfas-
Druckabhängiges Halbleiterbauelement mit
mindestens einem pn-übergang
mindestens einem pn-übergang
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München 2, Witteisbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Friedrich Krieger, Gilching
sende Bewegung 11 wird über die Saphirnadel in analoge Drücke auf den pn-übergang des festliegenden
Transistors umgewandelt.
Die Anordnung nach der Erfindung eignet sich auch für Dioden, wie sie beispielsweise in dem Aufsatz
»Piezo-Junctions: Elements of a New Class of Semiconductor Devices« aus Proceedings of the
IRE, Oktober 1962, S. 2106, beschrieben sind.
Claims (3)
1. Druckabhängiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-übergang, auf dessen Halbleiterkörper
eine harte, Drücke übertragende Spitze aufgesetzt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitze (9) auf die Fläche
der Randzone des an die Oberfläche tretenden pn-Übergangs aufgesetzt ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement
ein Transistor (1, 2, 3), vorzugsweise vom Planartyp, ist und die Spitze auf die Fläche
der Randzone des Emitter-Basis-Übergangs (7) aufgesetzt ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck
im Halbleiterkörper wenigstens in der Nähe der Auflagestelle der Spitze parallel zur Ebene des
pn-Übergangs ausgerichtet ist.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES84674A DE1231032B (de) | 1963-04-11 | 1963-04-11 | Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang |
DE19631473590 DE1473590A1 (de) | 1963-04-11 | 1963-09-30 | Transistor,auf den mittels einer harten Spitze ein Druck ausgeuebt wird |
GB1461464A GB1055725A (en) | 1963-04-11 | 1964-04-09 | Piezoresistive semiconductor systems |
FR970318A FR1388459A (fr) | 1963-04-11 | 1964-04-09 | Dispositif à semi-conducteur |
CH452864A CH406659A (de) | 1963-04-11 | 1964-04-09 | Druckabhängige Halbleiteranordnung |
NL6403888A NL6403888A (de) | 1963-04-11 | 1964-04-10 | |
BE646415D BE646415A (de) | 1963-04-11 | 1964-04-10 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES84674A DE1231032B (de) | 1963-04-11 | 1963-04-11 | Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1231032B true DE1231032B (de) | 1966-12-22 |
Family
ID=7511846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES84674A Pending DE1231032B (de) | 1963-04-11 | 1963-04-11 | Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE646415A (de) |
CH (1) | CH406659A (de) |
DE (1) | DE1231032B (de) |
GB (1) | GB1055725A (de) |
NL (1) | NL6403888A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3115565A1 (de) * | 1981-04-16 | 1982-11-11 | Nina Vladimirovna Moskva Alpatova | Verfahren und einrichtung zur elektromechanischen stromsteuerung |
DE102008008931B3 (de) * | 2008-02-13 | 2009-07-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zum Schalten von elektrischen Signalen und Leistungen |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1267437B (de) * | 1965-03-12 | 1968-05-02 | Telefunken Patent | Anwendung einer einen Transistor enthaltenden Anordnung zur Umwandlung von mechanischer in elektrische Energie |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2504627A (en) * | 1946-03-01 | 1950-04-18 | Purdue Research Foundation | Electrical device with germanium alloys |
US2790089A (en) * | 1953-03-23 | 1957-04-23 | Nat Aircraft Corp | Three-element semi-conductor device |
US2792539A (en) * | 1953-07-07 | 1957-05-14 | Sprague Electric Co | Transistor construction |
US2795742A (en) * | 1952-12-12 | 1957-06-11 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductive translating devices utilizing selected natural grain boundaries |
DE1084382B (de) * | 1957-07-15 | 1960-06-30 | Raytheon Mfg Co | Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper aus zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps |
US2946114A (en) * | 1957-04-03 | 1960-07-26 | Automatic Elect Lab | Method of assembling junction transistor |
-
1963
- 1963-04-11 DE DES84674A patent/DE1231032B/de active Pending
-
1964
- 1964-04-09 CH CH452864A patent/CH406659A/de unknown
- 1964-04-09 GB GB1461464A patent/GB1055725A/en not_active Expired
- 1964-04-10 NL NL6403888A patent/NL6403888A/xx unknown
- 1964-04-10 BE BE646415D patent/BE646415A/xx unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2504627A (en) * | 1946-03-01 | 1950-04-18 | Purdue Research Foundation | Electrical device with germanium alloys |
US2795742A (en) * | 1952-12-12 | 1957-06-11 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductive translating devices utilizing selected natural grain boundaries |
US2790089A (en) * | 1953-03-23 | 1957-04-23 | Nat Aircraft Corp | Three-element semi-conductor device |
US2792539A (en) * | 1953-07-07 | 1957-05-14 | Sprague Electric Co | Transistor construction |
US2946114A (en) * | 1957-04-03 | 1960-07-26 | Automatic Elect Lab | Method of assembling junction transistor |
DE1084382B (de) * | 1957-07-15 | 1960-06-30 | Raytheon Mfg Co | Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper aus zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3115565A1 (de) * | 1981-04-16 | 1982-11-11 | Nina Vladimirovna Moskva Alpatova | Verfahren und einrichtung zur elektromechanischen stromsteuerung |
DE102008008931B3 (de) * | 2008-02-13 | 2009-07-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zum Schalten von elektrischen Signalen und Leistungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6403888A (de) | 1964-10-12 |
BE646415A (de) | 1964-10-12 |
CH406659A (de) | 1966-01-31 |
GB1055725A (en) | 1967-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1246887B (de) | Verfahren zum Verbinden der zu kontaktierenden Stelle einer Elektrode einer Halbleiteranordnung mit einem Anschlussteil | |
DE2101028C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen | |
DE1231032B (de) | Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang | |
DE1170555B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps | |
DE1239871B (de) | Druckempfindliche Halbleiteranordnung | |
DE1166844B (de) | Oszillatorschaltung zum Erzeugen von Schwingungen, deren Frequenz von der Polaritaeteines Eingangssignals abhaengt | |
DE2038283C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2527191A1 (de) | Thyristor | |
DE1072752B (de) | Gleichrichteranordnung | |
DE1931613C (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1446197A1 (de) | Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen | |
DE1250654B (de) | ||
DE1116826B (de) | Verfahren zum Herstellen einer in einem Schutzgehaeuse untergebrachten, mindestens zwei dicht nebeneinander in einer Ebene einlegierte Metallelektroden aufweisenden Halbleiterkristallanordnung | |
AT238256B (de) | Freischwingende Kippschaltung | |
DE1614869C3 (de) | Verfahren zur Überprüfung der Kapazitätsreduzierung | |
DE1514881A1 (de) | Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen | |
DE2363135A1 (de) | Halbleiteranordnung fuer hohe rueckstromdichte | |
DE2026683A1 (de) | Zenerdiode | |
DE1280326B (de) | Elektromechanischer Wandler mit einem Halbleiter-Plaettchen | |
AT251652B (de) | Feldeffekttransistor | |
DE1215399B (de) | Druckempfindliche Halbleiteranordnung | |
DE2741523A1 (de) | Druckmesseinrichtung | |
DE1272569B (de) | Vorrichtung zur Umwandlung mechanischer Spannungen in entsprechende elektrische Kenngroessen | |
DE1931613B2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1055693B (de) | Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems |