DE1446197A1 - Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen - Google Patents
Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden FlaechenInfo
- Publication number
- DE1446197A1 DE1446197A1 DE19591446197 DE1446197A DE1446197A1 DE 1446197 A1 DE1446197 A1 DE 1446197A1 DE 19591446197 DE19591446197 DE 19591446197 DE 1446197 A DE1446197 A DE 1446197A DE 1446197 A1 DE1446197 A1 DE 1446197A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- steamed
- aperture
- area
- boundary lines
- under reduced
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
- Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flächen. Bei der Herstellung von elektrischen Halbleitersystemen mit z.B. Silizium, Germanium oder halbleitenden intermetallischen Verbindungen, wie Trockengleichrichter, Kristallverstärker, Vierschichtendioden oder -trioden, ist man in immer größerem Umfange dazu übergegangen, entweder Teile der in diesen Systemen erforderlichen Schichtenfolgen oder die Kontakte an solche Schichten durch Legierungsvorgänge herzustellen. Die einwandfreie elektrische Funktion dieser Systeme erfordert, daß: die anzulegierenden Flächen sehr genau festgelegt und eingehalten. werden.
- Man ist deshalb dazu übergegangen, das anzulegierende Material ganz oder teilweise, z.B. eine oder mehrere seiner Komponenten, auf die anzulegierende Fläche aufzudampfen.. Zu diesem Zweck werden Blenden verwendet, die die zu bedampfende Fläche begrenzen und unmittelbar auf die betreffende Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgelegt werden.
- Es hat sich jedoch herausgestellt, daß das Entfernen der Blende nach dem Bedampfen mit Schwierigkeiten verbunden sein kann. An der Begrenzungslinie zwischen: der Blendenbohrung und zu bedampfenden Fläche haftet die Blende leicht an der Aufdampfschicht. Beim Entfernen der Blende ist deshalb die Rufdampf-Schicht am Rande, also dort wo die genau Begrenzung derbedampften Fläche eingehalten werden mußmechanischen Belastungen ausgesetzt,. die leicht zum Abheben oder Reißen der Aufdampfsohicht führen, können.
- Es hat sich jedoch herausgestellt, daß dieser Mangel behoben werden kann, wenn man eine Blende gemäß der vorliegenden f indung verwendet.
Die vorliegende Erfindung bezieht -sich- auf eine Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flächen, die unmittelbar auf' den zu bedampfenden Körper aufgelegt wird; und die sich, von den. .bisher bekannten - dadurch unterscheidet, daß die senkrechte Pro jekti.on der lichten Öffnung der Blende auf de Oberfläche des zu bedampfenden Körpers kleiner ist als die durch die anliegende Stirnfläche der Blende begrenzte Fläche. - Mit besonderem Vorteil ist- dabei die Form: der lichten Öffnung der Blende so gewählt, daß sie der Form der zu . bedampfenden Fläche geometrisch ähnlich ist., .2u einer -besonders gleichmäßigen Bedampfung gelängt man mit Blenden, bei denen. die BegrenzungsIinzen der Projek- tion innerhalb der Begrenzungslaniei2. der .zu bedampf enden - - Fläche liegen und- diese Begrenzungslinien keine gemeinsa- men Punkte aufweisen. Dabei ist. es wiederum. von Vorteil, wenn von jedem Punkte der Begrenzungslinien der zu be- dampfenden' Fläche- au.s der kürzeste Äbstand zu- der un= mittelbar benachbarten Begrenzungslinie der Projektion ,glei_ch ist. - Für die Herstellung ringförmiger, vorzugaweis:e kre .sring- förmger Bed:ampfungstächen. werden oft. Blenden. verwendet, " deren. einzelne BZendentele durch. Stege. miteinander ver- bunden sind.. Dabei empfiehlt es sch,., die Stege. so aüszu -- bilden, daß: ihre Breite.. ist, als ,# Länge:: _ Be.soncI:ers bewährt haben, sich. Blenden. nach. der Erfindung,; be;i denen die. Innenwandung, der-" BIcudenbahrurg@ an der° z= - Die Figuren zeigen in z.T. schematischer Darstellung Ausführungsbeispiele von Blenden gemäß der vorliegenden Erfindung.
- In Fig. 1 ist eine ganz einfache Ausführungsform einer kreisförmigen Blende dargestellt. Sie wird mit der zur Schneide zusamm--engeschrumpften Stirnfläche 1 auf die Oberfläche des zu bedampfenden Körpers aufgesetzt. Die senkrechte Projektion ihrer lichten Öffnung 2 auf die Halbleiteroberfläche ist kleiner als die durch die anliegende Stirnfläche 1 begrenzte Fläche. Die Form der lichten Öffnung 2 der Blende ist ebenso kreisförmig wie die der durch die Stirnfläche 1 begrenzten Fläche und damit dieser geometrisch ähnlich. Die Begrenzungslinie der Projektion liegt innerhalb der Begrenzungslinie der zu bedampfenden Fläche und diese beiden Begrenzungslinien haben keine .gemeinsamen Punkte. Auch ist von jedem funkte der.Begrenzungslinie aus der kürzeste Abstand zu der Begrenzungslinie der Projektion gleich. Die Innenwandun'r-- 3 der konischen Blendenbohrung hat an der zur . Auflage auf die zu bedampfende Fläche vorgesehenen Stirnseite 1 über ihren gesamten Umfang eine Ausnehmung.einen ;-eotrichelt dargestellten dreieckigen Querschnitt 4. Die dargestellte Blende eignet sich z.B. zum Aufdampfen von Yollektorlegierungamaterial bei Transistoren oder zum Bedampfen von Halbleiterkörpern, die als Gleichrichter VerwendunG finden sollen.
- In den Fgruren 2 und 3 ist in Schnitt und Ansicht eine komplizierte Blende dargestellt, durch deren mittlere Öffnung 4 ein Kreis und durch deren mit Stegen 5 in Sektoren 6 bzw. 7 unterteilte kreisringförmige Kreisringe gleichzeitig aufgedampft werden könnet. Die in Fig. 2 gestrichelt dargestellten Ausnehmungen ß haben hier-rechteckigen Querschnitt.. Auch ist-bei den Stegen 5 die Länge größer als ihre Breite. Die zur Auflage auf den zu bedampfenden Körper bestimmten Flächen sind mit 9 bezeichnet. Blenden nach Fig. 2 und 3 eignen sich besönders--zum Aufdampfen solcher Substanzen, die zum Herstellen von-Basis- und Emitteranschlüssen für Transistoren vorgesehen sind. -
Claims (1)
- Patentansprüche. 1. Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flächen, die unmittelbar auf den zu bedampfenden Körper aufgelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die senkrechte Projektion der lichten Öffnung der Blende auf die Oberfläche des zu bedampfenden Körpers kleiner ist als die durch die anliegende Stirnfläche der Blende begrenzte Fläche. z. Blende nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Form der lichten Öffnung der Blende und die Form der zu bedampfenden Fläche geometrisch ähnlich sind. 3. Blende nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Begrenzungslinien der Projektion innerhalb der Begrenzungslinien der zu bedampfenden Fläche liegen, und daß diese Begrenzungslinien keine gemeinsamen Punkte aufweisen. 4. Blende nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß von jedem Punkt der Begrenzungslinien der zu bedampfenden Fläche aus der kürzeste Abstand zu der unmittelbar benachbarten Begrenzungslinie der Projektion gleich ist. 5. Blende nach Anspruch 1 oder einem der folgenden für ringförmige, vorzugsweise kreisringförmige Bedampfungsflächen, bei der die Blendenteile durch Stege miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Stege kleiner ist als ihre Länge. 6. Blende nach Anspruch 'I oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenwandung der-3lendenbohrung auf der zur Auflage auf die zu bedampfende Fläche vorgesehene Stirnseite über ihren gesamten Umfang-eine Aus-_ nehmung mit dreieckigem oder rechteckigem Querschnitt aufweist. .-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL0033104 | 1959-04-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1446197A1 true DE1446197A1 (de) | 1969-05-29 |
Family
ID=7266172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19591446197 Pending DE1446197A1 (de) | 1959-04-27 | 1959-04-27 | Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1446197A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2359908A1 (fr) * | 1976-07-28 | 1978-02-24 | Ibm | Masque pour le depot en phase vapeur et son procede de fabrication |
FR2416500A1 (fr) * | 1978-02-01 | 1979-08-31 | Hitachi Ltd | Methode de production d'images materielles |
FR2517332A1 (fr) * | 1981-11-27 | 1983-06-03 | Varian Associates | Procede et ecran d'arret perfectionnes pour definir le profil d'epaisseur de couches deposees par pulverisation sur un substrat semi-conducteur |
-
1959
- 1959-04-27 DE DE19591446197 patent/DE1446197A1/de active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2359908A1 (fr) * | 1976-07-28 | 1978-02-24 | Ibm | Masque pour le depot en phase vapeur et son procede de fabrication |
FR2416500A1 (fr) * | 1978-02-01 | 1979-08-31 | Hitachi Ltd | Methode de production d'images materielles |
FR2517332A1 (fr) * | 1981-11-27 | 1983-06-03 | Varian Associates | Procede et ecran d'arret perfectionnes pour definir le profil d'epaisseur de couches deposees par pulverisation sur un substrat semi-conducteur |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1269840B (de) | Unterlegscheibe | |
DE1293905B (de) | Verfahren zum Herstellen eines npn-Galliumarsenid-Transistors | |
DE1446197A1 (de) | Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen | |
DE3620223A1 (de) | Einrichtung zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
DE1813130A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung | |
DE1564015A1 (de) | Planares Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von UEbergaengen in planaren Halbleiterbauelementen | |
DE1952632A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Diffusionszone | |
AT201114B (de) | Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen | |
DE1093019C2 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen | |
DE1589696C3 (de) | Halbleiterbauelement, insbesondere Flächentransistor | |
DE1931613C (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1910315C3 (de) | ||
DE2457106A1 (de) | Thyristor | |
DE2026678A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE1231032B (de) | Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang | |
DE2405066A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung | |
DE2822911C2 (de) | Halbleiteranordnung mit mindestens einem pn-Übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE1174129B (de) | Verfahren zum Herstellen eines pn-UEberganges durch Auftragen einer Aktivatorschicht auf einer Flaeche eines Halbleiterkoerpers und durch anschliessendes Legieren und/oder Diffundieren | |
DE1764398C (de) | Sperrschichtkondensator | |
DE1910315B2 (de) | Halbleiterbauelement mit einem gleichrichtenden metall-halbleiterkontakt und verfahren zum herstellen | |
DE2011701A1 (de) | Lateraltransistor | |
DE1105522B (de) | Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper | |
Tworuschka | Religion, Culture and Methodology. Papers of the Groningen Working-group for the Study of Fundamental Problems and Methods of Science of Religion.(Religion and Reason. Method and Theory in the Study and Interpretation of Religion, Bd. 8) | |
DE1218065B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-bauelementes | |
DE1564106B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines feldeffekttransistorelementes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 |