DE1219978B - Elektronisches Durchschaltenetzwerk in Matrixform mit Vierschichtdioden - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. Cl.:

H03k

Deutsche Kl.; 21 al -36/18

Nummer: 1219 978

Aktenzeichen: St 22899 VIII a/21 al

Anmeldetag: 4. November 1964

Auslegetag: 30. Juni 1966

Die Erfindung betrifft die konstruktive Ausgestaltung eines elektronischen Durchschaltenetzes mit Vierschichtdioden, wie es z.B. bei elektronischen Fernsprechvermittlungsanlagen zur Anwendung kommt.

Bei derartigen Anlagen besteht das Durchschaltenetz aus mehreren in Reihe hintereinandergesehalteten Matrizen. Jede Matrix weist eine Vielzahl von senkrechten und waagerechten Vielfachen auf, die sich gegenseitig kreuzen und an deren Kreuzungsstellen Koppelpunkte, z. B. Vierschichtdioden, angeordnet sind.

Die konstruktive Ausgestaltung der Schaltmatrizen mit der Vielzahl von Koppelpunkten ist besonders wichtig, da dadurch die Verdrahtungsarbeit bestimmt wird.

Die Zusammenschaltung einzelner Koppelpunkte wurde bei Halbleiterelementen bald verlassen. Es sind Anordnungen bekannt, bei denen jeweils die Dioden einer Koordinate zu einem Halbleiterstreifen zusammengefaßt sind. Aus diesen Halbleiterstreifen lassen sich dann Matrizen aufbauen. Bei einem derartigen Aufbau der Schaltmatrix sind jedoch in der anderen Koordinatenrichtung noch erhebliche Montage- und Verdrahtungsarbeiten auszuführen.

Es ist Aufgabe der Erfindung unter Anwendung dieser bekannten Integrierung mehrerer Einzelelemente in einem Halbleiterblock den konstruktiven Aufbau einer Schaltmatrix weiter zu vereinfachen. Das elektronische Durchschaltenetzwerk in Matrixform, bei dem das eine Vielfach aus Halbleiterstreifen besteht, die in Planartechnik in eine Vielzahl von Vierschichtdioden unterteilt sind und bei dem die einander zugeordneten Dioden benachbarter Streifen über Verbindungsleiter zum anderen Vielfach der Matrix zusammengeschaltet sind, ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß für alle Vielfachstreifen einer Matrix eine gemeinsame Halbleitergrundplatte verwendet ist, die durch neutrale Bereiche in mehrere parallele Streifen mit jeweils mehreren Vierschichtdioden unterteilt sind, und daß diese neutralen Bereiche mit einer Sperrspannungsquelle verbunden sind. Auf diese Weise wird eine kompakte Matrixeinheit geschaffen, die wesentlich einfacher hergestellt werden kann. Die elektrische Entkopplung der Matrixstreifen wird dadurch sichergestellt, daß die neutralen Bereiche zwischen den Matrixstreifen mit einer Sperrspannungsquelle verbunden werden.

Die Kaskadenanordnung zweier Matrizen ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterstreifen zweier aufeinanderfolgender Schalt-Elektronisches Durchschaltenetzwerk in
Matrixform mit Vierschichtdioden

Anmelder:

Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft,

Stuttgart-Zuffenhausen, Hellmuth-Hirth-Str. 42

Als Erfinder benannt:
Nicholas Victor Mansuetto, Lisle, JIl.;
Raymond Frederick Berry, Midlothian, JIl.
(V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:
V. St. ν. Amerika vom 20. November 1963
(325 074)

stufen aus einer Halbleitergrundplatte unterschiedlicher Leitfähigkeit hergestellt sind und daß jeweils die Grundbereiche zweier Halbleiterstreifen — einer aus jeder Matrix — miteinander verbunden sind. Auf diese Weise lassen sich beliebig große Schaltmatrizen herstellen, die besonders billig in der Herstellung sind und auf jedes Durchsehaltenetz einer Fernsprechanlage ausgelegt werden können. Weitere Einzelheiten des erfindungsgemäßen elektronischen Durchschaltenetzes können der folgenden Beschreibung und den Unteransprüchen entnommen werden. Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 ein Blockschaltbild eines Durchschaltenetzes einer Fernsprechanlage,

Fig. 2 im Prinzip eine Schaltmatrix des Durchschaltenetzes nach Fig. 1,

F i g. 3 eine Ansicht von zwei Halbleiterstreifen, die als integrierte senkrechte Vielfache in der Eingangs- und Ausgangsmatrix des Durchschaltenetzes verwendet werden,

F i g. 4 eine räumliche Ansicht, wie edne Vielzahl von solchen Halbleiterstreifen zusammengesebaltet werden, um eine Anordnung mit waagerechten und senkrechten Vielfachen zu erhalten,

F i g. 5 die Anordnung mehrerer Einheiten nach F i g. 4 auf einer Platte mit gedruckter Schaltung,

F i g. 6 eine integrierte Matrix als einen einzigen Halbleiterblock und

Fig. 7 die Vorspannungserzeugung bei einer Matrix nach F i g. 6.

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F i g. 1 zeigt als Beispiel den Aufbau einer Fefnsprechvermittlungsanlage mit einem Durchschaltenetzwerk 20, das elektronische Koppelelemente enthält. Diese Koppelpunkte sind über zwei in Reihe geschaltete Stufen mit vier Matrizen 21 bis 24 verteilt. Jede Matrix führt elektronisch die Funktionen eines Koordinatenschalters aus. Einer der Koppelpunkte ist mit 25 bezeichnet. Die erste Stufe wird als Eingangsstufe und die zweite als Ausgangsstufe gekennzeichnet. Die beiden Matrizen sind in geeigneter an sich bekannter Weise miteinander verbunden. Jede Matrix ist als eine Einheit aufgebaut, und jeder Koppelpunkt hat Zugang zu mindestens einem Eingang der nächsten Stufe des Durchschaltenetzes. Die Leitungen 26 sind mit einer Seite des Durchschaltenetzes 20 verbunden. Die Verbindungssätze 27, 33 sind an der anderen Seite des Durchschaltenetzwerkes 20 angeschaltet. Der Zweck des Durchschaltenetzes liegt darin, jede beliebige Leitung selektiv mit jedem Verbindungssatz zu verbinden. Jede Leitung kann z. B. von einer Fernsprechteilnehmerstelle ausgehen und zum Durchschaltenetz 20 über eine zugeordnete Teilnehmeranschlußschaltung 28 führen.

Der Teilnehmer Ä hat also über seine zugeordnete Teilnehmeranschlußschaltung Zugang zum Punkt 29 des Durchschaltenetzes. In gleicher Weise hat der Teilnehmer B über entsprechende Einrichtungen Zugang zum Punkt 30 des Durchschaltenetzes. Der Leitung B ist die Teilnehmeranschlußschaltung 31 zugeordnet. Der Buchstabe N gibt an, daß jede beliebige Anzahl von Leitungen in gleicher Weise mit dem Durchschaltenetz verbunden sein können.

Die steuernden Einrichtungen 27 können in geeigneter Weise ausgelegt sein. Die Erfindung setzt jedoch Verbindungssätze, wie sie bei automatischen Fernsprechvermittlungsanlagen eingesetzt sind, voraus. Im allgemeinen ist ein Verbindungssatz eine einseitig gerichtete Einrichtung, über die Verbindungen von einer abgehenden Verbindungsleitung OT zu einer ankommenden Verbindungsleitung TT hergestellt werden können. Diese Verbindungssätze sind mit den verschiedenen Schaltern oder ähnlichen Einrichtungen in bekannter Weise verbunden, so daß über das Durchschaltenetz eine Verbindung hergestellt werden kann.

Die Anlage nach F i g. 1 /arbeitet wie folgt: Ein rufender Teilnehmer A fordert die Anlage zur Verbindungsherstellung auf, wenn der Teilnehmer den Handapparat abhebt. Über die Teilnehmeranschlußschaltung 28 wird ein Anforderungssignal in Form eines Endmarkierungspotentials an den Zugang 29 des Durchschaltenetzes weitergeleitet. Über dieses Endmarkierungspotential wird irgendein freier Koppelpunkt des waagerechten Vielfaches 32 eine Verbindung zu einer freien abgehenden Verbindungsleitung OT über die Ausgangsmatrix 23 herstellen.

Für den vorliegenden Fall wird angenommen, daß dabei folgende Verbindung zustande kommt: Teilnehmerstelle A — Koppelpunkt 34 — Zwischenleitung 35 — Matrix 23 — Koppelpunkt 39 — abgehende Verbindungsleitung 36. Der Verbindungssatz 33 sendet Wählton zum Teilnehmer Λ, und der Teilnehmer wählt die gewünschte Rufnummer.

Der Verbindungssatz 33 markiert dann die Teilnehmeranschlußschaltung des gerufenen Teilnehmers und die ankommende Verbindungsleitung 37. Wenn der Teilnehmer A den Teilnehmer B ruft, dann tritt das Markierungspotential am Punkt 30 des Durchschaltenetzes zu der Zeit auf, in der der Verbindungssatz 33 die ankommende Verbindungsleitung

37 markiert.

In gleicher Weise wird über die Matrizen 22 und 24 vom Verbindungssatz 33 eine Verbindung zum gerufenen Teilnehmer B hergestellt, wie vorher eine Verbindung, vom rufenden Teilnehmer A zum Verbindungssatz hergestellt würde. Der Verbindungssatz 33 sendet Rufstrom .zum Teilnehmer B und empfängt das Meldekriterium. Die Verbindung hält sich dann selbst für die Dauer des Gespräches. Wenn beide Teilverbindungen hergestellt sind, dann wird über eine Torschaltung im Verbindungssatz 33 die Verbindung durchgeschaltet.

Die beiden Teilnehmer können nun über den hergestellten Verbindungsweg miteinander sprechen. Dieser Verbindungsweg geht von Punkt 29 aus, führt über das waagerechte Vielfach 32, den Koppel-

zo punkt 34, das senkrechte Vierfach 38, die Zwischenleitung 35, die Matrix 23, den Koppelpunkt 39, die ahgehende Verbindungsleitung 36, den Verbindungssatz 33, die ankommende Verbindungsleitung 37, den Koppelpunkt 40 der Matrix 24 und den Koppelpunkt 41 der Matrix 22 zum Punkt 30. Ist das Gespräch beendet und hängt ein Teilnehmer seinen Handapparat ein, dann lösen die Teilnehmeranschlußleitungen 28, 31 oder der Verbindungssatz 33 die Verbindung aus, und das Durchschaltenetzwerk kehrt in seinen Ausgangszustand zurück.

In F i g. 2 sind die mit 21 und 22 in F i g. 1 bezeichneten Matrizen in Einzelheiten gezeigt. Diese Matrizen enthalten eine Vielzahl von waagerechten und senkrechten Vielfachen, die sich kreuzen. An diesen Kreuzungsstellen sind Koppelpunkte angeordnet. Das waagerechte Vielfach 32 kreuzt sich mit dem senkrechten Vierfach 38. An dieser Kreuzungsstelle ist der Koppelpunkt 34 angeordnet.

Die hier gezeigte Matrix weist vier waagerechte und vier senkrechte Vielfache auf. Die Klammern 45 und 46 deuten °an, daß jede beliebige andere Anzahl von Vielfachen für eine Matrix gewählt werden kann.

Die Koppelpunkte der Matrix sind elektronische Schalter. Der Koppelpunkt 34 ist z. B. eine Vierschichtdiode, die im nichtleitenden Zustand einen hohen Widerstand aufweist und dann die Vielfache 32 und 38 elektrisch voneinander isoliert. Wenn an die Vielfache 32 und 38 die Zündspannung angelegt wird, dann schaltet der Koppelpunkt 34 durch, die Vierschichtdiode wird leitend und weist nur noch einen kleinen Widerstand auf. Die Vielfache 32 und

38 sind elektrisch miteinander verbunden.

Die Kennlinie einer Vierschichtdiode ist so, daß sie nach dem Durchschalten beim Fließen eines bestimmten Stromes im leitenden Zustand bleibt. Wird der Strom jedoch abgeschaltet, dann geht die Diode wieder in den hochohmigen Zustand über.

Eine Sonderheit einer Vierschichtdiode besteht darin, daß bei einer steil ansteigenden Zündspannung die Durchschaltung bei einer kleineren Spannung erfolgt, wie bei einer langsam ansteigenden Spannung (Rate-Effekt).

Mit Hilfe einer Vierschichtdiode mit den obenerwähnten Eigenschaften läßt sich ein selbstsuchendes, stromgesteuertes Durohschaltenetz aufbauen, das keine Steuereinrichtungen im Netzwerk benötigt. Jedes senkrechte Vielfach hat ein ÄC-Glied 47. Die

5 6

nächste Stufe ist ebenfalls an diesem senkrechten von Halbleiterstreifen bildet. Die Grundplatte kann

Vielfach angeschaltet, wie mit 48 angedeutet ist. Das z. B. in Vibrationsschwingungen versetzt werden,

am Punkt 29 angelegte Endmarkierungspotential Betrachtet man Fig. 3, dann ist zu ersehen, daß

steigt langsam an, so daß eine Diode am Vielfach 32 die Halbleitergrundplatte 50, die als senkrechtes

bei verhältnismäßig hoher Spannung zündet. Wenn 5 Vielfach der Eingangsmatrix verwendet wird, aus

kein Koppelpunkt durchschaltet, dann führen alle einer Reihe von Vierschichtendioden besteht, die in

senkrechten Vielfache Freipotential, und die Diode einer einzigen Halbleiterplatte integriert sind. Die

mit der niedrigsten Zündspannung schaltet zuerst eine Seite 58 aller Dioden ist der gemeinsame Teil

durch. der Halbleiterplatte. Die andere Seite 59 der Dioden

Dies soll z. B. die Diode 49 sein. Der Kondensator io ist individuell für jede Diode. Die Seite 55 gehört

des Netzwerkes 47 wird geladen, und das Endmar- z. B. zu der Diode 60.

kierungspotential aim Punkt 29 fällt auf —18 V der Zwischen den einzelnen Dioden sind Sperrbereiche

Spannungsquelle B1 ab. Nach der Durchschaltung im Halbleitermaterial, die einen Ladungsaustausch

der Diode 49 ändert sich die Spannung am Konden- zwischen den Dioden über den Halbleiterblock ver-

sator des i?C-Gliedes schlagartig. Das Zündpotential 15 hindern. Ein Sperrbereich 61 trennt die Dioden 60

auf der Leitung 48 zu der nächsten Stufe des Durch- und 62. In ähnlicher Weise ist das senkrechte Viel-

schaltenetzes 20 steigt daher sehr schnell an. In den fach der Ausgangsmatrix eine Reihe von PNPN-

folgenden Stufen des Netzwerkes 20 zünden daher Dioden, die über eine Vielzahl von Sperrbereichen

die Dioden bei kleineren Spannungen. voneinander getrennt sind. Um die Zuverlässigkeit

Wenn in einer Stufe die Zündspannung erreicht 20 eines senkrechten Vielfaches zu erhöhen, sind eine

wird, dann wird eine Diode leitend, und zu dem Anzahl von Reservedioden vorgesehen. Wenn ein

Kondensator des senkrechten Vielfaches fließt Netzplan nicht mehr als sieben Dioden für ein senk-

Strom. Wenn durch das Durchschaltenetz ein Ver- rechtes Vielfach vorsieht, dann werden in jedem

bindungsweg hergestellt ist, dann fließt darüber ein Streifen z. B. zehn Dioden gebildet. Dieser Aufbau

Strom, der alle leitenden Dioden im leitenden Zu- 25 kann gewählt werden, da eine zusätzliche Diode pro

stand hält. Wenn über das Durchschaltenetz 20 kein Streifen praktisch keinen Mehraufwand bedeutet. In

Verbindungsweg zustande kommt, dann hört der jedem senkrechten Vielfachen sind daher drei Re-

Stromfluß auf, und die leitenden Dioden kehren servedioden enthalten, die Über die Redundanz die

wieder in den nichtleitenden Zustand zurück. Bleibt Zuverlässigkeit erhöhen. Alle Dioden werden ge-

die Zündspannung am Durchschaltenetz, wird ver- 30 prüft. Wenn eine Diode zerstört ist, dann kann dafür

sucht, einen anderen Verbindungsweg durch das eine nichtzerstörte Diode eingeschaltet werden.

Durchschaltenetz zu finden. Diese Suche wird syste- In F i g. 4 ist ein elektronischer Schalter gezeigt,

matisch und vollkommen selbstsuchend ausgeführt, der mit derartigen Streifen aufgebaut ist. Eine Viel-

bis eine Verbindung zwischen der Leitung und einem zahl von Streifen 70 mit gleichem Aufbau sind par-

Verbindungssatz hergestellt ist, 35 allel und in einem bestimmten Abstand auf irgend-

Entwicklungen auf dem Halbleitergebiet haben es einer geeigneten Trägerplatte 71 befestigt. Ein bemöglich gemacht, integrierte Schaltkreise für korn- sonderes Merkmal von in Planartechnik hergestellplizierte Einzelteilstromkreise einzusetzen. Fig. 3 ten Einrichtungen besteht darin, daß das Halbleiterzeigt eine integrierte Halbleiteranordnung, die als material nicht gekapselt werden muß. Es wird nur Grundbaustein zum Aufbau von Durchschaltenetzen 40 mit einer Oxydhaut überzogen. Die Trägerplatte 71 20 verwendet werden kann. Jeder Grundbaustein gibt nur einen mechanischen Schutz und Halt,
enthält eine längliche Halbleitergrundplatte. Diese Jeder Streifen 70 stellt hier ein senkrechtes Viel-Platte 50 ist vom N-Leitfähigkeitstyp, wenn die fach dar. Die entsprechenden Dioden aller Streifen Grundbausteine für die Eingangsmatrix und vom sind daher einander zugeordnet und werden als P-Leitfähigkeitstyp (Platte 51), wenn die Grundbau- 45 waagerechtes Vielfaches bezeichnet. Die Dioden 55, steine für die Ausgangsmatrix des Durchschaltenetzes 73 und 74 bilden ein erstes und die Dioden 76, 77 20 eingesetzt sind. Diese Grundplatten werden in be- und 78 ein zweites waagerechtes Vielfach. Die entkannter Weise oxydiert, mit einer lichtempfindlichen sprechenden Seiten der einzelnen Dioden sind durch Oberfläche überzogen und über ein Negativ einer elektrisch leitende Verbindungen zusammengeschal-Lichtquelle ausgesetzt. Das Negativ weist eine An- 50 tet. Eine Leitung 79 verbindet die Dioden 55, 73 und zahl Fenster auf, die in Zeilen und Spalten ange- 74 des ersten waagerechten Vielfaches. Es kann jede ordnet sind. Dann wird die Grundplatte geätzt, und beliebige Anzahl von solchen waagerechten Vielin der Oxydschicht entstehen Fenster, über die eine fachen gebildet werden. Dabei werden Streifen nach Diffusion von Verunreinigungen in das Halbleiter- Fig. 3 verwendet. Mit den Streifen, die zehn Diomaterial stattfindet. Bei der Grundplatte für die Ein- 55 den enthalten, können sieben waagerechte Arbeitsgangsmatrix bilden diese Verunreinigungen in Form vielfache und drei waagerechte Reservevielfache gevon Zeilen und Spalten Inseln von P-Material. Jede bildet werden. Die Anschaltung der Verbindungs-Insel wird an einem Fenster der Oxydschicht gebil- leitungen 79 ist hier nicht von Bedeutung,
det, wie mit 52 in F i g. 3 gezeigt ist. Bei der Grund- Das Halbleitermaterial kann dann durch eine platte 51 für die Ausgangsmatrix werden ähnliche 60 Schutzabdeckung abgedeckt und geschützt sein. Die Inseln 53 im Halbleitermaterial erzeugt. In ähnlicher Anschlüsse werden unter der Abdeckung heraus-Weise werden andere Inseln von Verunreinigungen, geführt. Die Fig. 4 zeigt fünf solche Anschlüsse. z. B. 54, 55 in der Platte 50 oder 56, 57 in der Platte Die Anschlüsse 80 stellen die äußeren Verbindungs-51, erzeugt. Diese Inseln sind dabei N- oder punkte der waagerechten Vielfache und die An-P-Schichten. Sind in das Halbleitermaterial alle Di- 65 Schlüsse 81 die äußeren Verbindungspunkte der senkoden eindiffundiert, dann wird die Grundplatte zwi- rechten Vielfache dar.

sehen den Dioden eingekerbt und entlang dieser In F i g. 5 sind zwei derartige elektronische Schal-Linien gebrochen, so daß sie wiederum eine Vielzahl ter 82 und 83 auf einer Platte 84 mit gedrucktei

Schaltung befestigt.^!'Wird der elektronische Schalter

82 als Eingangsmatrix verwendet, darin ist die Halbleitergrundplatte 50 vom. N-Leitfähigkeitstyp. Wird der elektronische Schalter 83 als Aüsgangsmatrix verwendet, dann ist die'Halbleitergrundplätte 51 vom 's P-Leitfähigkeitstyp. Beide elektronische Schalter 82,

83 sind auf der einen Seite mit den Anschlußpunkten

85 der Platte 84 verbunden. Auf der anderen Seite können die Schalter ebenfalls auf Anschlußpunkte

86 geführt werden, über die die Größe der Schalter ib erweitert werden kann. Auf diese Weise kann jede beliebige Anzahl von" Doppelschaltern 82, 83 der Platte 84 zugeschaltet werden. Die Anzahl der Dioden in einem waagerechten Vielfach ,kann damit beliebig erhöht werden. Der Schalter nach Fig. 4 kann daher klein genug ausgelegt werden und durch Vielfachschaltung zum gewünschten Netzwerk ergänzt werden..

Wie Fig. 5 zeigt, ist ein erster Satz von Streifen als Schalter 82 und ein zweiter Satz von Streifen als Schalter83 .eingesetzt. Entsprechende Streifen in beiden Schaltern sind miteinander · verbunden und bilden Streifenpaare. So stellen z.B. die Streifen 50 und 51 ein Paar dar. In F i g. 5 sind noch weitere vier Paare gezeigt. Die Trägerplatte weist eine Sammelschiene 87, auf, an die die ÄC-Glieder der Streifenpaare angeschaltet sind. Jedes dieser RC-Glieder erfüllt die Aufgabe, wie si,e in Verbindung mit dem ÄC-Glied.47 der Fig. 2 äuigezeigt würde.

Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 ist die Halbleitergrundplätte nicht in Streifen geschnitten. Zwischen den senkrechten Streifen der Vierschichtdioden ist neutrales Material 90 oder Material "mit Sperrcharakteristik angeordnet. Alle diese· Grundplatten weisen Zeilen 93 und Spalten 94 von Vierschichtdioden auf. Jeder Diodenkoppelpunkt ist mit χ bezeichnet. Jede Spalte bildet einen Halbleiterstreifen, der waagerecht unterteilt ist. Der Streifen 91 bildet ein erstes und der Streifen 92 ein zweites senkrechtes Vielfach. Verbiridungsleiter 95 verbinden alle Dioden einer Zeile und bilden ein waagerechtes Vielfach. Auch in dieser Anordnung können Reservedioden vorgesehen werden,. Die Grundplatte enthält also eine Halbleiterplatte, die eine Vielzahl von Dioden darstellt. Eine Seife aller Dioden ist über den gemeinsamen Bereich der Halbleiterplatte zusammengefaßt. Die andere Seite aller Dioden.ist individuell. Die zwischen den Dioden gelegenen Bereiche 90 verhindern dabei, daß sich die Dioden gegenseitig beeinflussen. Außerdem wird dadurch ein Ladungsträgeraustausch zwischen den senkrechten Vielfachen vermieden.

Wie die Fig. 7 zeigt," worden die neutralen Bereiche 90 der Halbleitergrundplatte über eine geeig·; nete Spannungsquelle 96 entsprechend vorgespannt, deren Potential so gewählt wird, daß'ein Ladungsträgeraustausch zwischen benachbarten Dioden verhindert wird. ;,

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Elektronisches Durchschaltenetzwerk in Matrixform, bei dem das eine Vielfach aus Halbleiterstreifen besteht, die in Planartechnik in eine Vielzahl von Vierschichtdioden. unterteilt sind und bei dem die einander zugeordneten Dioden benachbarter Streifen über Verbindungsleiter zum anderen Vielfach der Matrix zusammengeschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß für alle Vielfachstreifen einer Matrix eine gemeinsame Halbleitergrundplatte verwendet ist, die durch neutrale Bereiche (90) in mehrere parallele Streifen (91, 92) mit jeweils mehreren Vierschichtdioden unterteilt sind, und daß diese neutralen Bereiche mit einer Sperrspannungsquelle (96) verbunden sind.

2. Durchschaltenetz nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterstreifen (50, 51) zweier aufeinanderfolgender Schaltstufen (21, 22 bzw. 23, 24) aus einer Halbleitergrundplatte unterschiedlicher Leitfähigkeit hergestellt sind und daß jeweils die Grundbereiche zweier Halbleiterstreifen — einer aus jeder Matrix — miteinander verbunden sind.

3. Durchschaltenetz nach Anspruch .2, dadurch gekennzeichnet, daß an diese Verbindungsleiter zweier Halbleiterstreifen die für die Versteilerung der Markierimpulse erforderlichen i?C-Glieder angeschaltet sind.

4. Durchschaltenetz nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitermatrizen zweier aufeinanderfolgender Stufen auf einer Platte (84) mit gedruckter Schaltung angeordnet sind und daß die waagerechten Vielfache beidseitig auf Anschlußpunkte (85, 86) geführt sind. '

5. Durchschaltenetz nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-"matrizen durch eine Abdeckhaube aus Kunststoff abgedeckt sind..

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1119 332,
368:

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

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