DE1214791B - Flaechentransistor mit Basis- und Emitterzone auf der gleichen Oberflaechenseite desHalbleiterkoerpers und Verfahren zum Herstellen - Google Patents
Flaechentransistor mit Basis- und Emitterzone auf der gleichen Oberflaechenseite desHalbleiterkoerpers und Verfahren zum HerstellenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche KL: 21g-11/02
Nummer: 1214791
Aktenzeichen: T18836 VIII c/21 g
Anmeldetag: 12. August 1960
Auslegetag: 21. April 1966
Die Erfindung betrifft einen Flächentransistor mit einer Emitter-, einer Basis- und einer Kollektorzone,
dessen Basiselektrode auf der gleichen Oberfiachenseite des Halbleiterkörpers wie die Emitterzone angebracht
ist.
Bei einer bekannten Tetrodenanördnung besteht der Halbleiterkörper aus n-leitendern Silizium. In
diesen Halbleiterkörper vom n-Leitungstyp sind zwei Diffusionsschichten eindiffundiert, urid zwar eine
η-Schicht und eine dieser η-Schicht vorgelagerte p-Schicht. Die diffundierte η-Schicht stellt die Emitterzone
der Tetrode dar, während die der n-Schicht Vorgelagerte Zone vom p-Leitungstyp die Basiszone
der Tetrode bildet. Die Störstellenkonzenträtiori der
η-Schicht ist dabei größer gewählt als die der p-Sehicht. Zur Herstellung der Hilfsbasis- und Steuerbasiselektrode
sind p-dotierende streifenförmige Elektroden durch beide Diffusionsschichten durchlegiert, während
die Emitterzone durch eine zwischen den beiden Basiselektroden flach in die Emitterzone einlegiefte
Elektrode kontaktiert ist.
Durch Anlegen einer geeigneten Gleichspannung zwischen Hilfsbasis= und Steuerbasiselektrode kann
bei dieser bekannten Tetrodenanordnung längs der Basiszone ein elektrisches Feld erzeugt werden, welches
die Emission der Tetrode auf einen schmalen Bereich der Emitterzone beschränkt, welcher der Steuerbasiselektrode
unmittelbar benachbart ist. Die bekannte Anordnung hat den Vorteil, daß der äußere Basiswiderstand,
der zwischen der einlegierten Steuerbäsiselektrode und dem Anfang der unmittelbar angrenzenden
Emitterzone auftritt, vernachlässigbar gering ist. Da der im Bereich der emittierenden Zone wirksam
werdende innere Basiswiderstand bei der bekannten Anordnung ebenfalls klein gehalten werden kann,
und zwar durch entsprechende Verkleinerung der Breite der emittierenden Zone rMt HiKe des Längsfeldes
in der Basiszone, weist die bekannte Anordnung bei entsprechender Bemessung und Dotierung der
Basiszone den kleinsten Basiswiderstand aller bekannten Transistoranordnungen auf.
Das Hochfrequenzverhalten dieser bekannten Tetrodenahordnung
ist jedoch im allgemeinen nicht besser als das der anderen bekannten Hochfrequenztransistorenänordnungen.
Dieser Nachteil der bekannten, mesaförmig ausgebildeten Tetrodenanordnung ist vor allem darauf zurückzuführen, daß im
Gegensatz zu bekannten Transistorenanordnungen auf der Emitterseite drei Elektroden angeordnet sind.
Hinzu kommt, daß zur Erzielung kleiner Kollektorkapazitäten bereits bei Anordnungen, die für eine
Betriebsfrequenz von einigen hundert MHz gedacht Flächentransistor mit Basis- und Emitterzone
auf der gleichen Oberfläehenseite des
Halbleiterkörpers und Verfahren zum
Herstellen
auf der gleichen Oberfläehenseite des
Halbleiterkörpers und Verfahren zum
Herstellen
Anmelder:
Telefunken
Telefunken
Patentverwertungsgesellschaft m. b. H.j
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Ulm/Donau, Elisabethenstr. 3
Als Erfinder benannt:
Dr. Ernst Frosehle^ Ulm/Donau
sind, die Mesastrüktur bzw. Mesäfläche nicht wesent-Hch
breiter als 1Ö0 μ sein darf, so daß der gegenseitige Abstand der Zuleitungsdrähte bei der bekannten
Tetrodenanordnung nicht größer als 25 bis 30 μ gemacht werden kann. Da für höhere Frequenzen
entsprechend kleinere Abstände erforderlich sind, wird mit zunehmender Grenzfrequenz die Kontaktierung
der emitterseitig angeordneten Elektroden immer mehr erschwert. Der geringe Elektrodenabstand
hat außerdem noch zur Folge, daß als Elektrodenzuleitungen nur sehr dünne Drähte Verwendung
finden können, die jedoch relativ hohe Zuleitungswiderstände und Zuleitungsinduktivitäten
aufweisen, welche sich vor allem bei höhen Frequenzen sehr störend bemerkbar machen.
Zur Vermeidung dieser Nachteile wird ein Flächentransistor
mit einer Emitter-, Basis-Kollektor-Zone,
dessen Basiselektrode auf der gleichen Seite des Halbleiterkörpers wie die Emitterzone angebracht ist,
erfindungsgemäß so ausgebildet, daß auf der gleichen Oberflächenseite des HalbleiterkÖrpers eine den
Emissionsstrom führende Elektrode angebracht ist, welche mit der Basiszone ohmisch und mit der
Emitterzone ohrnisch oder über einen pn-Übergang mit sehr niedriger Durchbruchsspannung verbunden
ist.
Der erfindungsgemäße Flächentransistor, der in verschiedenen Ausführungsformen in den F i g. 1 bis 5
dargestellt ist, soll am Beispiel eines Transistors mit pnp-Zonenfolge näher beschrieben werden, obwohl
natürlich auch analoge Ausführungsformen mit npn-Zonenfolge möglich sind Es soll bereits hier darauf
hingewiesen werden, daß eine spezielle Ausführungsf öfm der Erfindung gemäß den F i g. 3 bis 5 einen
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3 4
Transistor vorsieht, bei dem zwischen Basis- und sichtlich der Frequenzgrenze, so macht sich der
Kollektorzone eine schwach dotierte bzw. intrinsic- Widerstand in der Emitterzone 3 zwischen der
leitende Zwischenzone vorgesehen ist. Es erweist Legierungselektrode 2 und der emittierenden Stelle 13
sich sogar als vorteilhaft, eine solche pnip- bzw. störend bemerkbar. Es ist daher vorteilhaft, wie in
npin-Transistoranordnung mit Tetrodeneigenschaften 5 Fig. 2 gezeigt, auf die Emitterzone3 einen metallischen
gemäß einer Weiterbildung der Erfindung mesaförmig Belag 14 aufzubringen, welcher mit der Elektrode 2,
auszubilden. jedoch nicht mit der Elektrode 1 metallischen Kontakt
Der, wie bereits oben ausgeführt, im folgenden zu hat. Der metallische Belag 14 wird vorteilhaft so weit
betrachtende Transistor mit pnp-Zonenfolge soll am ausgedehnt, daß lediglich ein Sicherheitsabstand
Beispiel eines Halbleiterkörpers aus Germanium io zwischen metallischem Belag 14 und der Elektrode 1
erläutert werden, obwohl natürlich auch andere zur Vermeidung eines Kurzschlusses gewährt bleibt,
Halbleitermaterialien, wie beispielsweise Silizium oder d. h. für das HF-Verhalten des erfindungsgemäßen
AmBv-Verbindungen, Verwendung finden können. Transistors ist es günstig, wenn die Emitterzone
Die Emitterzone 3 (vgl. F i g. 1) eines solchen pnp- möglichst weitgehend, bis auf einen gewissen, techno-Transistors
ist sehr stark mit p-Störstellen dotiert, 15 logisch bedingten Sicherheitsabstand von der Elekwährend
die relativ dünne Basiszone 4 stark mit trode 1 mit Metall bedeckt ist.
n-Störstellen versetzt ist, jedoch nur so stark, daß die Die Tatsache, daß die erfindungsgemäße Anordnung Störstellendichte in der Basiszone kleiner ist als die trotz Tetrodencharakter nur zwei Elektrodenzu-Störstellendichte der Emitterzone. Die an die Basis- leitungen auf der Emitterseite benötigt, läßt die zone 4 angrenzende Kollektorzone 5 ist zur Erzielung 20 Möglichkeit zu, die Elektrodenzuleitungen stärker als eines p-Leitungstyps wie die Emitterzone mit p-Stör- im Falle von drei emitterseitig vorhandenen Elektrodenstellen dotiert. Zuleitungen auszubilden und infolgedessen nieder-
n-Störstellen versetzt ist, jedoch nur so stark, daß die Die Tatsache, daß die erfindungsgemäße Anordnung Störstellendichte in der Basiszone kleiner ist als die trotz Tetrodencharakter nur zwei Elektrodenzu-Störstellendichte der Emitterzone. Die an die Basis- leitungen auf der Emitterseite benötigt, läßt die zone 4 angrenzende Kollektorzone 5 ist zur Erzielung 20 Möglichkeit zu, die Elektrodenzuleitungen stärker als eines p-Leitungstyps wie die Emitterzone mit p-Stör- im Falle von drei emitterseitig vorhandenen Elektrodenstellen dotiert. Zuleitungen auszubilden und infolgedessen nieder-
In die emitterseitige Oberfläche dieses pnp-Tran- ohmig und induktionsarm auszuführen. F i g. 2 zeigt
sistors sind nun im Gegensatz zur bekannten Tetroden- beispielsweise eine Anordnung mit streifenförmig
anordnung nicht drei, sondern zwei Elektroden 25 ausgebildeten Elektrodenzuleitungen 11 und 12, deren
einlegiert. Das Legierungsmaterial für diese beiden Breite senkrecht zur Zeichenebene etwa gleich der
Legierungselektroden ist derart gewählt, daß durch die entsprechenden Länge der Elektrodenstreifen 1 bzw. 2
Legierung stark η-dotierte, zu den Legierungs- gewählt werden kann.
elektroden 1 und 2 gehörende Halbleiterzonen 6 und 7 Die Elektrode 2 kann auch, wie in F i g. 5 gezeigt,
entstehen. Diese und die folgenden Überlegungen 30 so ausgeführt werden, daß sie die Elektrode 1 vollgelten
natürlich auch in analoger Weise für Tran- ständig, beispielsweise ringförmig umschließt. Außer
sistoren mit umgekehrter Schichtenfolge. dem Vorteil, daß bei dieser Anordnung kein Ober-
Die erfindungsgemäße Anordnung wird nun wie flächenleckstrom vom Kollektor auf die Elektrode 1
ein normaler Transistor geschaltet und besitzt wie gelangen kann, lassen sich die Elektrodenzuleitungen
dieser nur insgesamt drei Elektrodenzuleitungen, 35 10, 11 und 12 entsprechend der F i g. 5 so ausführen,
nämlich die die Kollektorelektrode 9 kontaktierende daß der Transistor leicht in eine koaxiale Leitung
Kollektorelektrodenzuleitung 10, die die Legierungs- eingebaut werden kann und die Emitterzuleitung 12
elektrode 1 kontaktierende Elektrodenzuleitung 11 und an den Außenleiter gelegt wird,
die Elektrodenzuleitung 12, welche mit der Legierungs- Es hat sich herausgestellt, daß vor allem der elektrode 2 verbunden ist. Im Betriebszustand des 40 Kollektorvorwiderstand der bekannten Tetroden-Transistors fließt nun durch die Elektrodenzuleitung 12 anordnung wesentlich dazu beiträgt, daß die bekannte außer dem Emissionsstrom noch ein weiterer Strom Anordnung für sehr hohe Frequenzen unbrauchbar vonderLegierungselektrode2zurLegierungselektrodel ist. Eingehende Rechnungen haben nämlich gezeigt, durch die Basiszone, der wie bei einer Tetrode das daß bei sehr hohen Frequenzen die Verluste in der zur Einengung der Emission erforderliche Längsfeld 45 Kollektorzone 5 den Hauptbeitrag zum Realteil des in der Basiszone erzeugt. Der wesentliche Vorteil der Ausgangsleitwertes einer solchen Tetrode liefern und Erfindung besteht somit darin, daß der Tetrodeneffekt damit die Schwinggrenze stark herabzusetzen. Zur durch eine Dreielektrodenanordnung erzielt wird. Vermeidung dieser Verluste wird als Weiterbildung
die Elektrodenzuleitung 12, welche mit der Legierungs- Es hat sich herausgestellt, daß vor allem der elektrode 2 verbunden ist. Im Betriebszustand des 40 Kollektorvorwiderstand der bekannten Tetroden-Transistors fließt nun durch die Elektrodenzuleitung 12 anordnung wesentlich dazu beiträgt, daß die bekannte außer dem Emissionsstrom noch ein weiterer Strom Anordnung für sehr hohe Frequenzen unbrauchbar vonderLegierungselektrode2zurLegierungselektrodel ist. Eingehende Rechnungen haben nämlich gezeigt, durch die Basiszone, der wie bei einer Tetrode das daß bei sehr hohen Frequenzen die Verluste in der zur Einengung der Emission erforderliche Längsfeld 45 Kollektorzone 5 den Hauptbeitrag zum Realteil des in der Basiszone erzeugt. Der wesentliche Vorteil der Ausgangsleitwertes einer solchen Tetrode liefern und Erfindung besteht somit darin, daß der Tetrodeneffekt damit die Schwinggrenze stark herabzusetzen. Zur durch eine Dreielektrodenanordnung erzielt wird. Vermeidung dieser Verluste wird als Weiterbildung
Durch eine starke Dotierung der Emitterzone 3 der Erfindung vorgeschlagen, die Kollektorzone 5
und der daran angrenzenden, zur Legierungselektrode2 50 sehr hoch zu dotieren, beispielsweise mit 1017 bis 1020
gehörenden Halbleiterzone 7 läßt sich erreichen, daß Störstellen pro Kubikzentimeter, und gemäß F i g. 3
der durch diese Halbleiterzone und die Emitterzone zwischen der Basiszone 4 und der Kollektorzone 5 eine
im Übergangsbereich gebildete pn-Übergang eine intrinsicleitende Zone 8 vorzusehen,
sehr niedrige Zenerdurchbruchsspannung, die kleiner Diese Zwischenzone 8 kann auch schwach n- oder als 0,5 Volt ist, bzw. die Kennlinie einer sogenannten 55 p-leitend sein für den Fall, daß sich eine solche »Backward-Diode« aufweist. Bei einer solchen Charak- schwache n- oder p-Dotierung leichter technologisch teristik des durch die Emitterzone 3 und durch die realisieren läßt. Jedoch darf eine etwaige n-Dotierung Halbleiterzone 7 der Legierungselektrode 2 gebildeten der Zone 8 nur so hoch sein, daß zumindest im pn-Überganges kann wie im Falle der Anordnung Emissionsbereich 13 die Raumladungszone des kolleknach F i g. 1 der Strom zum Emitter über diesen 60 torseitigen pn-Überganges sich über die gesamte pn-Übergang zugeführt werden, so daß für die Emitter- Breite der hochohmigen Zone 8 erstreckt, wenn zone 3 keine mit der Legierungselektrode 2 ohmisch zwischen Kollektor und Basis die niedrigste vorverbundene Metallabdeckung erforderlich ist. Tran- gesehene Betriebsspannung angelegt wird,
sistoren dieser Bauart sind relativ einfach herzustellen Die geringsten Verluste und gleichzeitig spannungs- und zeigen bei einigen hundert MHz befriedigende 65 unabhängige Rückwirkungs-und Ausgangskapazitäten Verstärkungseigenschaften. erhält man, wenn der Übergang zwischen der stark
sehr niedrige Zenerdurchbruchsspannung, die kleiner Diese Zwischenzone 8 kann auch schwach n- oder als 0,5 Volt ist, bzw. die Kennlinie einer sogenannten 55 p-leitend sein für den Fall, daß sich eine solche »Backward-Diode« aufweist. Bei einer solchen Charak- schwache n- oder p-Dotierung leichter technologisch teristik des durch die Emitterzone 3 und durch die realisieren läßt. Jedoch darf eine etwaige n-Dotierung Halbleiterzone 7 der Legierungselektrode 2 gebildeten der Zone 8 nur so hoch sein, daß zumindest im pn-Überganges kann wie im Falle der Anordnung Emissionsbereich 13 die Raumladungszone des kolleknach F i g. 1 der Strom zum Emitter über diesen 60 torseitigen pn-Überganges sich über die gesamte pn-Übergang zugeführt werden, so daß für die Emitter- Breite der hochohmigen Zone 8 erstreckt, wenn zone 3 keine mit der Legierungselektrode 2 ohmisch zwischen Kollektor und Basis die niedrigste vorverbundene Metallabdeckung erforderlich ist. Tran- gesehene Betriebsspannung angelegt wird,
sistoren dieser Bauart sind relativ einfach herzustellen Die geringsten Verluste und gleichzeitig spannungs- und zeigen bei einigen hundert MHz befriedigende 65 unabhängige Rückwirkungs-und Ausgangskapazitäten Verstärkungseigenschaften. erhält man, wenn der Übergang zwischen der stark
Stellt man jedoch an die beschriebene Halbleiter- dotierten Kollektorzone 5 und der hochohmigen
anordnung höhere Anforderungen, vor allem hin- Zone 8 möglichst steil verläuft und die hochmohige
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Zwischenzone 8 so gering dotiert ist, daß sich die Die Kollektorlaufzeit το ist proportional zur KoI-Raumladungszone
der Kollektorsperrschicht durch lektorsperrschichtdicke wsc und umgekehrt proportiodie
gesamte Zone 8, d. h. vom hochdotierten Gebiet nal zur mittleren Driftgeschwindigkeit der Minoritätsder
Basiszone 4 bis zum hochdotierten Gebiet der ladungsträger. Da die Ausgangsleitwerte des Tran-Kollektorzone
5 erstreckt. 5 sistors sehr stark von der Kollektorkapazität ab-
Für viele Anwendungszwecke ist es erwünscht, daß hängen, ist es vorteilhaft, wsc möglichst groß zu
nicht nur die Realteile der Ausgangs- und Rück- machen, so daß /x im wesentlichen durch το bestimmt
Wirkungsleitwerte klein sind, was nach obigem wird. Dementsprechend soll
Vorschlag durch eine gleichmäßige, d. h. gleich breite
Vorschlag durch eine gleichmäßige, d. h. gleich breite
Intrinsiczwischenzone 8 erreicht wird, sondern auch io Jü£. ;>
XE _j_ %B _|_ Tr
deren Blindanteile. Dies läßt sich dadurch erreichen, 2 ~
daß gemäß einer Weiterbildung der Erfindung der sein.
Abstand zwischen Basis- und Kollektorzone, d. h. Da bei Tetroden und auch bei der erfindungsgemäßen
also die Breite der Intrinsiczone an der Stelle kleiner Anordnung die emittierende Zone sehr schmal ist
gemacht wird als in den übrigen Bereichen der In- 15 und direkt an die Elektrode 1 grenzt, ist es notwenidg,
trinsiczone, an der die Emission im wesentlichen die Elektrode 1 nicht zu tief einzulegieren, damit nicht
erfolgt. Dies besagt also, daß die Breite der Intrinsic- an der emittierenden Stelle 13 durch die vorstehende
zone variieren und im Bereich der bevorzugt emittieren- Halbleiterzone 6 der Elektrode 1 die Feldstärke des
den Stelle 13 kleiner sein muß als in den übrigen Kollektorfeldes infolge von Abschirmeffekten verBereichen,
wenn die Blindanteile reduziert werden 20 ringert wird. Die Elektrode 1 soll daher, auch bei
sollen. Anordnungen ohne hochohmige bzw. intrinsicleitende
Diese Forderung läßt sich gemäß F i g. 4 einmal Zwischenschicht, nicht tiefer als die halbe Kollektor-
dadurch verwirklichen, daß die Basiszone bei sich nicht sperrschichtdicke in den Halbleiterkörper einlegiert
ändernder Breite der Kollektorzone im Emissions- werden.
bereich 13 tiefer gelegt wird als in den übrigen Be- 25 Die Defektelektronen erreichen bei einer Feldstärke
reichen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die von En, = IO4 V/cm oder größer in Germanium
Kollektorzone 5 gemäß F i g. 5 nicht gleichmäßig, eine Grenzgeschwindigkeit von ungefähr 5 · 106 cm/sec.
sondern verschieden breit auszubilden, und zwar derart, Für ν = vm beträgt bei einer Kollektorlaufzeit
daß der Abstand zwischen Basis- und Kollektorzone
an den Emissionsstellen 13 geringer ist als in den 30 %Q _ Wsc 2 ■ K)-11 Sekunden,
übrigen Bereichen. Mit anderen Worten soll also die vro
Intrinsiczone 8 in diesem speziellen Fall an den
Intrinsiczone 8 in diesem speziellen Fall an den
Emissionsstellen dünner ausgebildet sein als in ihren Bei der Bemessung des Transistors nach der Erübrigen
Bereichen. Eine geschlossene ringförmige Aus- findung ist darauf zu achten, daß die Feldstärke in der
bildung der Elektrode 2 verhindert bei einer solchen 35 Kollektorsperrschicht größer oder mindestens gleich
Anordnung, bei der die Zwischenzone 8 im äußeren dieser Feldstärke Em ist. Es muß also bei noch nicht
Bereich dicker ist als im inneren Bereich, die Gefahr einsetzendem Emissionsstrom die Spannung U0 in der
eines Oberflächendurchbruches. Kollektorsperrschicht größer als 1 V pro 1 μ Kollektor-
Es soll in diesem Zusammenhang darauf hin- sperrschichtdicke sein. Fließt dagegen durch die
gewiesen werden, daß die soeben beschriebenen 40 Kollektorsperrschicht ein Emissionsstrom, so bildet
Maßnahmen, nämlich Einfügung einer Intrinsiczone sich in der Kollektorsperrschicht eine Raumladung
zwischen Kollektor- und Basiszone und verschieden- aus, die gegeben ist durch das Verhältnis von Stromartige Bemessung der Breite dieser Intrinsiczone sich dichte/g zu Driftgeschwindigkeit. Diese Raumladung
auch auf normale Transistoranordnungen ohne Tetro- erfordert aber eine zusätzliche Kollektorspannung,
deneffekt ebenfalls anwenden lassen und auch bei 45 deren Größe sich aus der Überlegung ergibt, daß einer
diesen Anordnungen eine wesentliche Verbesserung vorgegebenen Raumladungsdichte und Sperrschichtder
Schwinggrenze durch Herabsetzung des Ausgangs- dicke eine bestimmte Spannung zugeordnet ist.
leitwertes ergeben. Zur Erzielung einer hohen Stromdichte je und damit
leitwertes ergeben. Zur Erzielung einer hohen Stromdichte je und damit
Die zuletzt beschriebenen Maßnahmen betrafen eines kleinen te ist es daher vorteilhaft, die Tran-
die Vermeidung von HF-Verlusten. Bei Höchst- 50 sistoren bei möglichst hohen Spannungen zu betreiben,
frequenztransistoren ist jedoch auch darauf zu achten, z. B. bei einem Drittel bis zur Hälfte der Durchbruchs-
daß die Stromverstärkung β in Emitter-Basisschaltung spannung Ub, die bei pnip-Transistoren aus Germanium
möglichst groß ist. Bezeichnet man mit /x diejenige mit 1 μ Sperrschichtdicke etwa 20 V beträgt. Bei einer
Frequenz, bei welcher die Stromverstärkung β auf den Kollektorspannung von 10 V kann die erfindungs-
WertlabgefaUen ist, so gilt bekanntlich die Beziehung: 55 gemäße Anordnung demnach bei Stromdichten je bis
zu 8000 A/cm2 betrieben werden, ohne daß eine
—7Zf1= — + τ β + τR + te· Verringerung der Driftgeschwindigkeit der Defekt-
2 2 elektronen bzw. raumladungsbegrenzte Emission eintritt.
το ist dabei die Laufzeit der Minoritätsladungsträger 60 Es leuchtet ein, daß derart hohe Stromdichten
durch die Kollektorsperrschicht, Tb ihre Laufzeit sich im Hinblick auf die dabei entstehende Wärme
durch die Basiszone. Die weiteren Größen te und Tr nur bei Anordnungen erreichen lassen, bei denen wie
stellen die Zeitkonstanten der Parallelschaltung des im Falle der erfindungsgemäßen Anordnung und auch
Emissionswiderstandes mit der statischen Emitter- der Tetrode die emittierende Zone sehr schmal ist.
kapazität (te) bzw. der Randkapazität (tr) dar. Die 65 Selbst bei steilen pn-Übergängen zwischen Emitter-Randkapazität
entsteht an der Grenze zwischen der und Basiszone ist dann te relativ klein im Vergleich
Emitterzone 3 und der Halbleiterzone 6 der Elek- zu το. So wird z. B. bei einer Basisdotierung von
trode 1. 1018 Störstellen pro Kubikzentimeter und einem
Potentialabfall Veb von 0,1 V über dieser Emitter-Basis-Sperrschicht
die Sperrschichtdicke etwa 1,4 · 10~6 cm und die spezifische statische Emitterkapäzität
ces = 1 · 10~6 F/cm2 betragen, während die Emitterzeitkonstante te den Wert 3 · 10~12 Sekunden annimmt.
Aus diesen Überlegungen geht hervor, daß bei Transistoranordnungen, welche mit so höhen Stromdichten
arbeiten, ein flacher Dotierungsverläüf zwischen Emitter- und Basiszone nur wenig Gewinn
bringt. Ein solcher Dotierungsverläüf wirkt sich sogar 10 Bäsisschicht und Emitter liegende hochfrequente
negativ aus, da bereits bei etwa doppelter Dicke der Wechselspannung mit zunehmendem Abstand vom
Sperrschicht zwischen Emitter- und Basiszone bei Basisansschlüß stark abnimmt. Als wirksame Emitterdiesen
hohen Stromdichten Stauungen von Defekt- breite Bew kann man das 0,7fache desjenigen Abelektronen
an beiden Seiten der Sperrschicht auftreten, Standes Vom Rand des Emitters bezeichnen, in
was eine starke Zunahme der Erriittef-Basiskäpazität i5 welchem die zwischen Basis und Emitter liegende
_ ^_i_ ,. _, *..n_-.T_i_;_, -:.-M.xt-. ..■.„:-■■.,.. t,^.„.i!--i.... spannung auf den 2,7ten Teil der Eingangsspannung
abgefallen ist. Bew ist gleichzeitig die Breite eines
Transistors mit Rb = 0 — jedoch mit gleichem
te, Tc, tb —, der bei gleicher Stromdichte je unä
Der spezifische Flächenwiderstand RB der Basiszone
ist jedoch relativ hoch. Als spezifischen Flächen-Widerstand bezeichnet man den Widerstand eines an
deü Stirnseiten kontaktierten Quadrates der leitenden Basisschicht. Außerdem nehmen die Emitterstromdichtenjü
bei hohen Grenzfrequenzeh fx erhebliche
Werte an und bedingen dadurch einen hohen spezifischen kapazitiven Querleitwert zwischen Emitter
und Basis. Dies hat zur Folge, daß die zwischen
zur Folge hat. Außerdem ergibt bei gleicher Bäsisdicke
ein Konzentrationsverlaüf, bei welchem äh der Sperrschicht zum Emitter eine niedrigere Störstellenkonzentration
vorherrscht als in der Mitte der Basis-
. — _„ .—
ig, Tc3 tb -—, der bei gleicher Stromdichte je und
zone, eine wesentliche größere Basislaufzeit als ein 2o gleicher Frequenz/ denselben Betrag der Steilheit
Kontatinsverlaüf mit konstanter bzw vom d d Eiidtd fi i i
Konzentrationsverlaüf mit konstanter bzw. vom Emitter zum Kollektor hin abfallender Bäsisdotiefürig.
Es ist daher ungünstig, bei Halbleiteränordnüngen,
die zur Verstärkung extrem hoher Frequenzen gedacht sind, die Emitter- und Basiszonen nach dem Dößpeldiffusionsverfahren
herzustellen, wie dies beispielsweise bei der bekannten Tetrodenänordnüng der Fall
ist, da sich dabei nämlich immer eine schwach dotierte Übergangszone zwischen Emitter- -und Basiszone,
etwa von der Breite der Basiszone, ergibt.
Es ist daher gemäß einer Weiterbildung der Erfindung vorteilhaft, den pn-Übergang zwischen Emitter-
und Basiszone steil auszubilden. Ein solcher steiler ρη-Übergaiig kann z. B., wie unten näher
ausgeführt Wird, durch Diffusion aus einer legierten
Emitterzone hergestellt werden, welche in geringer Dichte rascher diffundierende Störstellen des den
Leitungstyp der Emitterzone nicht bestimmenden Leitungstyps enthält, z. B. bei einem Germaniüm-Halbleiterkörper
durch Zusatz von Sb im Galliumdotierten Emitter. Bei diesem Alloy-diffused-Verfahren
können sich unter Umständen die den Leitüngstyp der Basiszone bestimmenden Störstellen direkt an der
Emittergrenze sehr stark anreichern, so daß extrem hohe statische Emitter-Basis-Kapazitäten auftreten.
Dieser Effekt kann jedoch verhindert werden, wenn man die Emitterzone nicht höher als die Ehtartungsdichte
bei Zimmertemperatur T2 (bei Ge etwa 1019
Störstellen pro Kubikzentimeter) dotiert und wenn die und des Eingangswiderstandes aufweist wie ein
wesentlich breiterer Transistor mit endlichem Rb.
Da bei der /10-Grenzfrequeriz der spezifische Querleitwert
der statischen und dynamischen Kapazität
zwischen Emitter Und Basis etwa gleich —-ist, erhält
Urj\
man nach den bekannten Formeln für eine homogene elektrische Leitung bei der Frequenz / die Beziehung
wobei
Bε Wd —
ist und /10 diejenige Frequenz, bei der die Stromverstärkung
ohne Berücksichtigung des Rändzoneiieinnusses
auf den Wert eins abgefallen ist.
Die Grehzfrequenz ohne Rändzone (tr -s- 0) ist für
die als Zahlenbeispiel verwendete Anordnung gleich
9,5 ■ 10s Hz. Bei dieser Grenzfreqüenz Wird die wirksame Emitterbreite Bew gleich 0,61 μ und bei /
= 3000 MHz etwa 1,1 μ.
Die Grenzfreqüenz /fto wird nun durch die Kapazität
der Randsperrschicht zwischen Eniitterzone 3 und der Halbleiterzohe 6 der Elektrode 1 stark herab
gesetzt. Nimmt, man für die Emitterzone 3 eine
Dicke Wr von ί μ und für die Randzöne eine maximale
maximale Basisdotierung NSm gleich oder kleiner 5° Dotierung^ = 4JVi = 4· 10*^ Störstellen pro Kubik-
ist als das ~- -fache der Eigenleitungsdichte m bei
derjenigen Temperatur Tn, bei welcher die Basiszone
durch Diffusion hergestellt wird. Tz und Tp sind dabei
in Kelvingraden gemessen. Anschließend soll niöglichst rasch abgekühlt werden. Bei einer Temperatur Td
von 9730K gleich 7000G ist bei Germanium die
Eigenleitungsdichte n< ungefähr gleich 3,4 · 1018 Stör-Stellen
pro Kubikzentimeter, so daß eine maximale Basisdotierung Von etwa 1
Zentimeter möglich ist.
Zentimeter möglich ist.
Setzt man als Beispiel für den Basisschichtverlauf ein näherungsweise linear abfallendes Profil mit
1018 Störstellen pro Kubikzentimeter Maximaldotierung und eine Basisschichtdicke wb von 1,5 · 10~B cm
an, so errechnet sich daraus nach bekannten Beziehungen
eine Basislaufzeit tb gleich 3,8 · It)-12 Sekunden.
g p
Zentimeter an, wenn Nb die Basisdotierung darstellt,
XR näherungsweise gleich
WR
Bew
Die Grenzfreqüenz fßl einschließlich der Randzone
ist also für das angegebene Rechenbeispiel wesentlich geringer als /Aoj nämlich gleich 6000MHz. Es ist
18 Störstellen pro Kubik- 6o dahfer vorteilhaft, die Randkäpazitäf dadurch zu
verringern, daß die Emitterzone dünn ausgebildet wird,
so daß die Grenzfläche zwischen der ersteh Elektrode und der Emitterzone gleich oder kleiner als die
emittierende Fläche ist.
Weiterhin ist es günstig zwischen der HäMeiterzoneö
der Elektrode!, und der Emitterzone3 einen
allmählich verlaufenden pn-Übergäng herzustellen. Dies geschieht am besten dadurch, daß man die
9 10
Emitterzone 3 nur etwa drei- bis zehnmal so hoch das Grundmaterial und bilden eine η-leitende Basisdotiert wie die Basiszone 4 und die Zone 6 mindestens zone,
doppelt so hoch wie die Emitterzone. Die Metallschicht wird nun in einer geeigneten
doppelt so hoch wie die Emitterzone. Die Metallschicht wird nun in einer geeigneten
Stellt man nun die endgültige Dicke Wb der Basis- Säure abgelöst und in Scheibschen von etwa 1 · 1 ·
zone 4 erst nach erfolgter Legierung der Elektroden 1 5 0,5 mm Größe aufgeteilt. Anschließend legiert man
und 2 durch kurzzeitiges Tempern bei einer Tempe- auf übliche Weise zwei Legierungspillen von etwa
ratur her, welche nur wenig unterhalb der maximalen 80 μ Durchmesser z. B. aus einer In-Sb-Ag-Legierung
Legierungstemperatur liegt, so diffundieren die leicht im Abstand von etwa 130 μ auf und tempert anbeweglichen
Donatoren der Halbleiterzone 6 in die schließend bei etwas tieferer Temperatur nach. Nach
Emitterzone 3 und ergeben einen flach verlaufenden io kurzem Ätzen deckt man nach dem Photoresistpn-Übergang.
verfahren entlang der Verbindungslinie zwischen den
Es soll jedoch darauf hingewiesen werden, daß die beiden Legierungspillen einen etwa 70 μ breiten
vorstehenden Beziehungen für einen Transistor mit Streifen ab und führt eine Mesaätzung durch. Nach
sehr breiter emittierender Fläche abgeleitet sind. Ablösen des Photoresistüberzuges kann das Halbleiter-
Emittiert nur ein schmaler Streifen des Emitters, wie i5 plättchen auf einen Transistorfuß aufgelötet und mit
bei der erfindungsgemäßen Anordnung, so wird die zwei Silberbändchen kontaktiert werden.
Stromverstärkung kleiner. Für Transistoren nach F i g. 2 dampft man nach
Bezeichnet man mit Bee den Abstand von der Ablösen des Photoresistüberzuges z. B. Zink auf die
Halbleiterzone 6 der Elektrode 1, in welchem die Oberfläche des Transistorelementes auf. Darauf deckt
Emission der Emitterzone 3 auf den 2,7ten Teil ao man wieder mittels Photoresistverfahrens diejenigen
abgefallen ist, so wird im ungünstigsten Fall, nämlich Stellen der Emitteroberfläche ab, welche einen Metall-
dann, wenn die Grenzfrequenz nur von der statischen überzug erhalten sollen. An den nicht abgedeckten
Emitter- bzw. Randkapazität bestimmt wird Stellen wird das Zink durch kurzzeitiges Ätzen in
verdünnter Salpetersäure entfernt und das Halbleiter-
. j£c_ . \ 25 bauelement wie oben gesockelt und aufgebaut.
τ ε -t- Tu
> — TbJ, jjm aucj1 m-t kugelförmigen Legierungspillen
koaxiale Anordnungen ähnlich denen der F i g. 5
,, . „ . , . . j ΛΤ ,..,, . herstellen zu können, empfiehlt es sich, auf einem
in vektoneller Schreibweise das Verhältnis: TT ,,, .. ,..^. , Λ '. / , ™ ' . ,
Halbleiterplattchen drei oder mehr Transistoren nach
ß I r. Bew\ 3° °bi§em Verfahren herzustellen und diese dabei stern-
— gleich 1/(1 + yj J, förmig anzuordnen. Eine solche Bauweise ermöglicht
Po V " Bee J eSj sämtliche Außenelektroden dieser Transistoren
mit einer durchlochten Metallscheibe wie die Elek-
wenn β die Stromverstärkung der Tetrode, ß0 die trode 2 in F i g. 5 zu kontaktieren und alle Innen-Stromverstärkung
eines Transistors mit relativ breiter 35 elektroden gemeinsam durch einen zylinder- oder
Emissionszone und j den imaginären Einheitsvektor kegelförmigen Innenleiter zu kontaktieren, ähnlich
darstellen. Für Bee = BEw wird, β gleich 0,54 · ß0. wie bei der Elektrode 1 in F i g. 5. Man kann auch die
Für Großsignalverstärkung und Schwingungser- Transistoren so anordnen, daß statt mehrerer Innenzeugung
ist es vorteilhaft, Bee kleiner oder gleich BEw elektroden nur eine Innenelektrode verwendet wird,
zu machen, da dann der gesamte Emitterstrom 40 welche allen Transistoranordnungen gemeinsam ist.
gesteuert werden kann. Ist für eine Verstärkung Bei der mesaartigen pnip-Anordnung gemäß F i g. 3
kleiner Signale ein hohes β erwünscht, so kann Bee sind Halbleiterscheiben herzustellen, welche im Innern
vorteilhaft bis etwa 3 BEw vergrößert werden. Bei sehr stark p-dotiert sind und eine gleichmäßig dünne,
einer streifenförmigen Transistoranordnung nach den je nach Transistortyp etwa 1 bis 10 μ starke, schwach
Fig. Ibis 4 mit konstantem Basisflächenwiderstand Rb 45 η-dotierte Oberflächenschicht besitzen,
ist Solche Scheiben erhält man am einfachsten, wenn
ist Solche Scheiben erhält man am einfachsten, wenn
η —η. Se man au^ dickere Scheiben von der gewünschten
EE — τ Tj ' schwachen η-Dotierung der Oberflächenschicht nach
den bei Leistungsgleichrichtern angewendeten Ver-
Dabei ist Be die Breite der Emitterzone 3 zwischen 50 fahren eine nahezu über die ganze Scheibe reichende
den Elektroden 1 und 2, Ut gleich 25 mV und Ueb großflächige Elektrode (z. B. mit In) einlegiert,
die Betriebsspannung zwischen Emitter und Basis, die Die Legier- und Abkiihlbedingungen sind dabei so
die Betriebsspannung zwischen Emitter und Basis, die Die Legier- und Abkiihlbedingungen sind dabei so
für Anordnungen aus Germanium etwa 0,5 V beträgt. zu wählen, daß die Legierungsfront gegen das Grund-Somit
wird bei einer linearen Anordnung Bee ungefähr material möglichst eben und der einkristallin und
*** #. Je nach den ^nsehte,, Betriebst- «
gungen ist also für die erfindungsgemäße Anordnung die Legierungsfront nahe unter der gegenüberliegenden
eine Emitterbreite von 10 bis 100 μ günstig. Scheibenoberfläche liegen.
Zum Herstellen eines Transistors nach F i g. 1 geht Am Rand der Scheibe wird ein n-dotierender
man z. B. von p-dotierten Halbleiterscheiben mit 60 Hilfskontakt (Basis) einlegiert und ebenso wie die
etwa 0,3 bis 1Ω · cm spezifischem Widerstand aus. In-Elektrode mit Zuleitungsdrähten versehen und mit
Man dampft zunächst in Hochvakuum ein p-dotieren- einem geeigneten Isolierlack abgedeckt. Die nicht
des Metall, beispielsweise In mit etwas Ga, unter abgedeckte Vorderseite der so vorbereiteten Scheibe
Zusatz eines kleinen Prozentsatzes η-dotierenden wird nach einem selbstbegrenzenden elektrolytischen
Materials (As oder Sb) in dünner Schicht auf die 65 Ätzverfahren geätzt. Während des Ätzens liegt dabei
Halbleiterscheibe auf und stellt die Emitterzone durch zwischen Rückseitenelektrode und Hilfskontakt eine
Legieren her. Beim Nachtempern diffundieren die negative Spannung, so daß sich am Rückseitenkontakt
beweglichen n-Störstellen über die Legierungszone in eine Sperrschicht ausbildet, deren Dicke von der
Dotierung des η-Materials und der Spannung am Rückseitenkontakt abhängt. Zwischen Elektrolyt und
Hilfskontakt wird eine Spannung angelegt, welche ebenfalls negativ, jedoch dem Betrag nach kleiner als
die zwischen Rückseitenelektrode und Hilfskontakt liegende Spannung sein muß.
Auf die zu ätzende Scheibe wird mit einer starken Lichtquelle ein etwa 100 μ breiter, über die ganze
Scheibe gehender Lichtstreifen durch den Elektrolyt hindurchprojiziert, welcher langsam, senkrecht zu
seiner Längsausdehnung, über die Scheibe bewegt wird.
An den beleuchteten Stellen wird das Germanium rasch abgeätzt. Das Ätzen hört jedoch von selbst auf,
wenn an einer Stelle die Rückseitensperrschicht, genauer die Sperrschicht, welche der Spannungsdifferenz
Rückseitenelektrodeelektrolyt entspricht, erreicht ist.
Man kann also auf diese Weise hoch p-dotierte Scheiben herstellen, welche auf der Oberfläche eine
schwach η-dotierte dünne Schicht genau vorgebbarer ao
Dicke besitzen. Nach Ablösen der Abdeckung und der Metallschicht auf der Rückseite können diese
Scheiben, wie bereits angegeben, mit einer Emitter- und Basisschieht versehen werden.
Bei Halbleiteranordnungen nach Fig. 4 muß die
Intrinsiczone 8 an den nicht emittierenden Stellen dicker sein als an den emittierenden Stellen. Dies kann
man nach obigem Verfahren leicht dadurch erreichen, daß man zuerst die der geringeren Schichtdicke entsprechende
Vorspannung einstellt und nur diejenigen Stellen der Halbleiterscheibe belichtet, an denen
später die Schichtdicke der Intrinsiczone geringer sein soll als an den übrigen Stellen. Anschließend erhöht
man die Vorspannung und ätzt auf die beschriebene Weise streifenweise die restliche Oberfläche bis zur
gewünschten Schichtdicke der Intrinsiczone ab.
Den in F i g. 5 gezeigten Schichtenverlauf kann man beispielsweise nach folgendem Verfahren erreichen.
Zunächst legiert man in eine Scheibe aus schwach η-dotiertem Halbleitermaterial an denjenigen Stellen,
die später eine dünnere hochohmige Zone 8 ergeben sollen, etwa 10 bis 15 μ. tief p-dotierende Elektroden
ein. Dann wird auf diese Oberfläche eine dünne Schicht p-dotierender Substanz, beispielsweise In,
aufgebracht, und zwar derart, daß sie die gesamte Oberfläche bedeckt. Auf diese Schicht wird eine zweite
Halbleiterscheibe gedrückt und dieses Gebilde auf Legierungstemperatur derart erhitzt, daß die zweite
Halbleiterscheibe eine höhere Temperatur annimmt als die Ausgangsscheibe. Dadurch erhält man einen
Halbleiterkörper mit einer stark p-dotierten und einer η-dotierten Hälfte. Anschließend wird die n-dotierte
Oberfläche nach dem beschriebenen Verfahren so weit abgetragen,, daß die vorher einlegierten Stellen gerade
als Erhebungen sichtbar werden. Ist dies der Fall, so 55, wird der Ätzvorgang beendet.
Die. erfindungsgemäße Anordnung kann natürlich auch nach dem Doppeldifrusionsverfahren oder auf
andere Weise hergestellt werden. Die gestrichelte Linie 15 deutet jeweils die Grenze der Emitterzone 3
vor dem Einlegieren'der beiden Elektroden 1 und 2 an. Insbesondere kann man beim Doppeldifrusionsverfahren
die Basisanschlüsse 6 und 7 dadurch herstellen, daß man vor der Emitterdiffusion diese Stellen
z. B. mit einer Quarzschicht abdeckt. Bringt man nach
Ablösen der Quarzschicht die Scheiben anschließend in eine geeignete Metallsalzlösung, wie sie z. B. zum
Sichtbarmachen von pn-Übergängen häufig benutzt wird, so kann man auf den Zonen 6 und 7 die Metallkontakte
1 und 2 abscheiden.
Die ringförmige Anordnung gemäß F i g. 5 kann
durch Aufdampfen der Legierungsmaterialien unter Verwenden geeigneter Blenden oder durch galvanische
Abscheidung nach Abdecken der übrigen Halbleiteroberfläche mit Photoresist hergestellt werden.
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 5 umgibt die Elektrode 2 die Elektrode 1. Es ist aber auch eine
Ausführungsform möglich, bei der die Elektrode 1 die Elektorde2 insbesondere ringförmig, umgibt.
Versuche haben ergeben, daß solche Anordnungen, bei denen eine Elektrode die andere vollkommen
umschließt, das Verwenden besonders dünner Basisschichten 4 ermöglichen. Dies hat seinen Grund darin,
daß die dünne Basiszone 4 bei diesen Anordnungen nirgends an die Oberfläche tritt und daher kein
Oberflächendurchbruch über die dünne Basisschieht möglich ist.
Claims (38)
1. Flächentransistor mit einer Emitter-, einer Basis- und einer Kollektorzone, dessen Basiselektrode
auf der gleichen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers wie die Emitterzone angebracht
ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf der gleichen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers
eine den Emissionsstrom führende Elektrode angebracht ist, welche mit der Basiszone ohmisch
und mit der Emitterzone ohmisch oder über einen pn-Übergang mit sehr niedriger Durchbruchsspannung
verbunden ist.
2. Flächentransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Basiszone und
der Kollektorzone eine sehwach dotierte oder intrinsicleitende Zone vorgesehen ist.
3. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der Übergang zwischen der Kollektorzone und der hochohmigen bzw. intrinsicleitenden Zone
möglichst steil verläuft.
4. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die hochohmige bzw. intrinsicleitende Zone über ihre Fläche verschieden dick ausgebildet ist.
5. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet,
daß'die Dicke der hochohmigen bzw. intrinsicleitenden Zone zwischen Basis- und Kollektorzone
im Bereich des emittierenden Teiles der Emitterzone kleiner gewählt ist als im übrigen
. Bereich des Halbleiterkörpers.
6. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Kollektorzone zur Erzielung eines geringen Kollektorvorwiderstandes sehr stark, beispielsweise
mit 1018 bis 1020 Störstellen pro Kubikzentimeter,
dotiert ist und daß im Betriebszustand zumindest im Emissionsbereich die Raumladungszone des
kollektorseitigen pn-Überganges sich über die gesamte Breite der hochohmigen bzw. intrinsicleitenden
Zone erstreckt.
7. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der Halbleiterkörper mesaförmig ausgebildet ist und infolge der Mesastruktur die Fläche der
Basiszone kleiner oder höchstens gleich der Fläche der Kollektorzone ist.
8. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Grenzfläche zwischen der ersten Zone und der Emitterzone gleich oder kleiner als die emittierende
Fläche ist.
9. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dicke der Kollektorsperrschicht derart gewählt ist, daß die Stromverstärkung in Emitter-Basis-Schaltung
bei hohen Frequenzen zur Hälfte oder i» mehr von der Kollektorlaufzeit bestimmt wird.
10. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Kollektorspannung derart gewählt ist, daß sie größer als ein Drittel der Durchbruchsspannung
der Kollektor-Basis-Strecke ist.
11. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Emitterstromdichte derart hoch gewählt ist, daß die Raumladung der driftenden Ladungsträger in so
der Kollektorsperrschicht bei der niedrigsten Betriebsspannung sich gerade noch nicht störend
bemerkbar macht.
12. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die emittierende Fläche derart gewählt ist, daß sie 0,5- bis 3mal so breit wie die hochfrequenzmäßig
wirksame Fläche bei der Betriebsfrequenz ist.
13. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der pn-Übergang zwischen Emitter- und Basiszone steil ausgebildet ist.
14. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der Störstellenkonzentrationsverlauf derart gewählt ist, daß zwischen der ersten der beiden
Zonen und der Emitterzone zur Erzielung einer geringen Sperrschichtkapazität ein flachverlaufender
pn-Übergang entsteht.
15. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Legierungstiefe der in die schwach dotierte Basis- bzw. Kollektorzone einlegierten ersten der
beiden Zonen kleiner oder gleich der halben Kollektorsperrschichtdicke ist.
16. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste der beiden Zonen stärker dotiert ist als die Basiszone.
17. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Basiszone größenordnungsmäßig mit 1018 Störstellen pro Kubikzentimeter versetzt ist.
18. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Emitterzone drei- bis zehnmal so hoch wie die Basiszone dotiert ist.
19. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Breite der Emitterzone zwischen den beiden Zonen 10 bis 100 μ beträgt.
20. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste der beiden Zonen die zweite Zone beispielsweise ringförmig umschließt.
21. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Emitterzone und die zweite der beiden Zonen durch einen metallischen Oberfiächenbelag miteinander
verbunden sind.
22. Flächentransistor nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der metallische Belag zumindest
auf einem Teil der Emitterzone und auf der zur zweiten Zone gehörigen LegierungspiUe
aufliegt.
23. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die Emitterzone so weit mit dem metallischen Belag bedeckt ist, daß nur der erforderliche
Sicherheitsabstand zur Vermeidung eines Kurzschlusses zwischen dem metallischen Belag und
der an der ersten der beiden Zonen angebrachten
..- Elektrode gewahrt bleibt.
24. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß ein HaIbleiterplättchen zunächst mit einer Emitterzone und
einer darunterliegenden dünnen Basiszone versehen wird und daß dann die erste der beiden
Zonen durch die Emitterzone durchlegiert wird.
25. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und
zweite Zone durch Legieren hergestellt werden.
26. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitterzone
durch Legierung unter Verwendung einer zum Herstellen der Basiszone zusätzlich einen kontradotierenden
Stoff enthaltenden Legierungssubstanz hergestellt wird und daß dann die Basiszone
durch Diffusion aus dieser Emitterzone bzw. aus der flüssigen Emitterlegierung erzeugt
wird.
27. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter-
und Basiszone durch gleichzeitige oder nacheinander erfolgende Diffusion aus der Gasphase bzw.
durch Diffusion aus einem nichtlegierenden, auf die Halbleiteroberfläche aufgebrachten Stoff hergestellt
werden.
28. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors -nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionstiefe bei dem Herstellen der Basiszone durch
Diffusion kleiner als die endgültige Dicke der Basiszone gewählt wird und daß nach Einlegieren
der emitterseitigen Elektrode der Halbleiterkörper bei etwas unterhalb der Legierungstemperatur
liegenden Temperatur so lange getempert wird, bis die endgültige Dicke der Basiszone hergestellt ist.
29. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die absolute Mindesttemperatur zum Herstellen der Basiszone
durch Diffusion sich zur absoluten Zimmertemperatur verhält wie die Intrinsickonzentration
bei der Diffusionstemperatur zur gewünschten Maximalkonzentration der Basisdotierung.
30. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Halbleiterkörper nach dem Herstellen der Basiszone durch Diffusion rasch abgekühlt und bei dem
weiteren Behandeln nicht mehr so stark erhitzt wird, daß merkliche Diffusion auftritt.
31. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß in ein Halbleiterplättchen zunächst die Basiszone eindiffundiert
wird und daß vor der Diffusion der Emitterzone diejenigen Stellen der Halbleiteroberfläche
mit einem geeigneten, die Eindiffusion der Störstellen verhindernden Stoff abgedeckt werden,
an denen die beiden emitterseitigen Elektroden vorgesehen sind.
32. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die abgedeckten Stellen nach Ablösung des Abdeckmaterials
chemisch oder galvanisch mit Metall überzogen werden.
33. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß als Ausgangsmaterial ein stark dotiertes Plättchen verwendet
wird, welches unter einer Oberfläche eine schwach dotierte Schicht aufweist.
34. Verfahren zum Herstellen eines Flächentransistors nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet,
daß bei dem Herstellen einer pnip-Anordnung die gewünschte Dicke der hochohmigen
Schicht derart durch ein elektrochemisches Ätzverfahren hergestellt wird, daß die stark p-dotierte
Zone stärker negativ gegen die schwach n-dotierte Schicht vorgespannt wird als der Elektrolyt.
35. Verfahren zur Herstellung eines Flächentransistors nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Erzielung einer hochohmigen Schicht mit dünner ausgebildeten Stellen durch
elektrolytisches Ätzen zunächst die den dünneren Stellen entsprechende Vorspannung eingestellt wird
und nur diese dünneren Stellen stark belichtet werden und daß anschließend die Vorspannung
erhöht und die restliche Oberfläche bis zur gewünschten Schichtdicke abgeätzt wird.
36. Verfahren zur Herstellung von Flächentransistoren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß drei oder mehr Halbleitersysteme gleichzeitig aus einem
Halbleiterplättchen hergestellt und zueinander sternförmig angeordnet werden, daß sämtliche
Außenelektroden durch eine mit einer Bohrung versehene Metallscheibe und alle Innenelektroden
gemeinsam durch einen zylinder- oder kegelförmigen Innenleiter kontaktiert werden.
37. Verfahren zum Herstellen von Flächentransistoren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Flächentransistoren aus einem Halbleiterplättchen
gleichzeitig hergestellt und derart zueinander angeordnet werden, daß statt mehrerer Innenelektroden
nur eine gemeinsame Innenelektrode erforderlich ist.
38. Flächentransistor nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit Ausnahme des Anspruches
20, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode der zweiten der beiden Zonen die Elektrode der
ersten der beiden Zonen beispielsweise ringförmig umschließt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Belgische Patentschrift Nr. 553 173;
USA.-Patentschriften Nr. 2 924 760, 2 657 360;
schweizerische Patentschrift Nr. 335 368;
■ Journ. of appl. Physics, Bd. 30,1959, Nr. 11, S. 1819 bis 1824;
■ Journ. of appl. Physics, Bd. 30,1959, Nr. 11, S. 1819 bis 1824;
J. D ο s s e, Der Transistor, 1959, S. 51.
Hierzu !Blatt Zeichnungen
609 559/311 4.66 © Bundesdruckerei Berlin
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CH335368A (fr) * | 1957-12-28 | 1958-12-31 | Suisse Horlogerie | Transistor |
US2924760A (en) * | 1957-11-30 | 1960-02-09 | Siemens Ag | Power transistors |
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- 1960-08-12 DE DE1960T0018836 patent/DE1214791C2/de not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2657360A (en) * | 1952-08-15 | 1953-10-27 | Bell Telephone Labor Inc | Four-electrode transistor modulator |
BE553173A (de) * | 1954-05-10 | |||
US2924760A (en) * | 1957-11-30 | 1960-02-09 | Siemens Ag | Power transistors |
CH335368A (fr) * | 1957-12-28 | 1958-12-31 | Suisse Horlogerie | Transistor |
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