DE1214790C2 - Leistungsgleichrichter mit einkristallinem Halbleiterkoerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps - Google Patents
Leistungsgleichrichter mit einkristallinem Halbleiterkoerper und vier Schichten abwechselnden LeitfaehigkeitstypsInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 19
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 17
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N tris(2-aminoethyl)amine Chemical compound NCCN(CCN)CCN MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
einen vorbestimmten Stromwert gebunden ist. Auf Der Thyristor gemäß Fig. 1 kann z.B. aus einer
diese Weise können die Leistungsgrenzen des Thyristors als Ausgangskörper dienenden einkristallinen Platte
erhöht werden, insbesondere die Stabilität des Kipp- oder Scheibe von schwachdotiertem Silizium mit
Vorganges, der bekanntlich durch Impulsgabe z. B. einer Donatorenkonzentration von 1015 cm"3 oder
über einen Hilfskontakt gesteuert werden kann. 5 weniger, z. B. etwa 1014 cm~3, hergestellt sein, von
Es ist zwar aus der Zeitschrift »IRE Transactions dem ein unverändert bleibender Teil am fertigen
on Electron Devices«, Januar 1958, S. 2 bis 5, ein Thyristor die η-Basis bildet. Der Deutlichkeit halber
Halbleiterbauelement bekanntgeworden, bei dem die ist in der Zeichnung ein stark vergrößerter und beStromverstärkungen
beider Teiltransistoren abhängig züglich des Verhältnisses der Dicke zur Breite bzw.
von der Stromdichte einen bestimmten Verlauf zei- io zum Durchmesser verzerrter Maßstab gewählt worgen.
Der Wert der Stromdichte, 'bei dem der eine den. Die wirklichen Abmessungen einer praktisch
Stromverstärkungsfaktor gegen eins ansteigt, liegt verwendeten Scheibe waren 18 mm Durchmesser und
jedoch um etwa drei Zehnerpotenzen höher als bei 0,3 mm Dicke. In diese Scheibe wurde allseitig
der Erfindung. Zur Lösung der der vorliegenden Gallium aus der Gasphase eindiffundiert, bis die
Erfindung zugrunde liegenden Aufgabe sind der Ent- 15 Scheibe von einer p-leitenden Schicht überzogen war.
gegenhaltung keinerlei Anregungen zu entnehmen. Statt Gallium kann unter anderem Aluminium oder
In der gleichen Zeitschrift in S. 13 bis 18, ist ein Bor dazu verwendet werden. Ein besonders gutes
Halbleiterbauelement beschrieben, bei dem die Ergebnis wurde durch einen zweistufigen Diffusions-Summe
der Stromverstärkungsfaktoren bei einem prozeß erzielt, wobei in der ersten Stufe Gallium und
bestimmten Stromwert steil gegen eins ansteigt. 20 in der zweiten Stufe Aluminium zum Dotieren be-Dieser
Entgegenhaltung lassen sich jedoch weder die nutzt wurde.
Verläufe der einzelnen Teilstromverstärkungsfaktoren Anschließend wurden in einem einzigen Arbeits-
noch konkrete Werte entnehmen. gang auf der einen Seite (rechts in Fig. 1) zur
Zur Erzielung des gewünschten Verlaufs der bei- Schaffung des p-Emitters und des Kontakts K2 eine
den Stromverstärkungsfaktoren kann es wesentlich 25 etwa die ganze Fläche bedeckende Aluminiumfolie
, beitragen, wenn man die Dotierungskonzentration und auf der anderen Seite (links in Fig. 1) zur
der zweiten Schicht in einem der ersten Schicht be- Schaffung des Steuerkontakts S eine kleine Ronde,
nachbarten Teilbereich zu etwa 1017cm~3 wählt, ebenfalls aus Aluminiumfolie, gestanzt, sowie zur
während sie in einem der dritten Schicht benachbar- Schaffung des η-Emitters und des Kontakts K1 eine
ten Teilbereich etwa drei Zehnerpotenzen niedriger 30 ringförmige Goldfolie mit etwa 0,5 °/o Antimongehalt
ist. einlegiert. Die beiden Emitter bestehen dabei aus
Ist also beispielsweise die zweite Schicht des Halb- Rekriställisationsschichten mit entsprechend hohen
leiterkörpers p-leitend (p-Basis) und höher dotiert Dotierungskonzentrationen, die Kontakte aus Legieals
die η-leitende dritte Schicht (η-Basis), was nor- rungen der betreffenden Metalle mit Silizium im
malerweise bei Thyristoren der Fall ist, die aus 35 eutektischen Verhältnis. Durch passende Wahl der
n-Silicium hergestellt sind, so soll der Einfangquer- Foliendicken kann bei gegebener Legierungstempeschnitt
der eingebrachten Rekombinationszentren für ratur von etwa 800° C ein Verhältnis der Eindring-Elektronen
wesentlich größer sein als für Defekt- tiefen bzw. Legierungstiefen erzielt werden, das
elektronen; in diesem Fall sind ja die Elektronen die qualitativ der Darstellung in Fig. 1 entspricht, näm-Minoritätsträger
im höher dotierten p-leitenden Ge- 40 lieh so, daß die p-leitende Diffusionsschicht auf der
biet. Die folgenden Ausführungen beziehen sich auf Unterseite durch den Legierungsprozeß vollständig
dieses Beispiel, bei dem also die p-Basis höher dotiert erfaßt ist, auf der Oberseite hingegen nur ein Teil
ist als die η-Basis. Ist umgekehrt die zweite Schicht der Diffusionsschicht, während der restliche Teil der
des Halbleiterkörpers η-leitend und höher dotiert als letzteren als p-Basis bestehen geblieben ist. Damit
die p-leitende dritte Schicht, so soll der Einfang- 45 diese mit dem p-Emitter keine niedrigohmige Verquerschnitt
der eingebrachten Rekombinationszentren bindung hat, ist die Diffusionsschicht durch einen
für Defektelektronen wesentlich größer sein als für ringförmigen Graben G unterbrochen, der vor oder
Elektronen. nach dem Legierungsprozeß durch mechanische bzw.
Die Erfindung soll an Hand der Zeichnung näher chemische Bearbeitung hergestellt werden kann. Das
erläutert werden. Die 50 Bauelement kann in an sich bekannter Weise mit
F i g. 1 zeigt das Querschnittsprofil eines Thyristors einem Oberflächenschutz, z. B. Oxydschicht oder
aus Silicium als Beispiel und eine Grundschaltung, Lackschicht, versehen und in einem Gehäuse im
in der ein solcher als gesteuerter Gleichrichter ver- Vakuum oder unter Schutzgas gekapselt sein,
wendet werden kann; An die beiden Emitter bzw. an die Kontakte K1
wendet werden kann; An die beiden Emitter bzw. an die Kontakte K1
F i g. 2 enthält ein Schema eines Thyristors, das als 55 und K2 kann ein Laststromkreis angeschlossen sein,
Ausschnitt aus dem in F i g. 1 dargestellten Thyristor der nach F i g. 1 eine Wechselspannungsquelle A und
aufgefaßt werden kann; einen Verbraucher V enthalten kann. Der Steuer-
F i g. 3 ist ein Diagramm der Dotierungskonzen- Stromkreis, enthaltend eine Steuerspannungsquelle,
tration in den vier verschiedenen Schichten des Thy- ζ. B. eine Batterie B und ein HilfsSteuerelement oder
ristors, aufgetragen über der Dicke dieser Schichten 60 Hilfsschaltelement H, ist einerseits an den Steuerais
Ortskoordinate; in der kontakt S und somit an die p-Basis, andererseits an
F i g. 4 ist das typische Kennliniendiagramm eines den benachbarten Emitter, also an den n-Emitter,
Thyristors aus Silicium dargestellt, in welchem die über den Kontakt K1 angeschlossen. Er ist in Durchmit
der Erfindung erzielte Verbesserung durch Vari- laßrichtung des pn-Übergangs zwischen diesen beianten
wiedergegeben wird; die 65 den Bereichen gepolt. Als Durchlaßrichtung des gan-
Fig. 5a und 5b schließlich zeigen den Verlauf zen Thyristors wird die Richtung vom p-Emitter zum
der Verstärkungsfaktoren in Abhängigkeit von der η-Emitter bezeichnet. Wird das Hilfsschaltelement H
Strombelastung. synchron zur Wechselspannung von A so gesteuert,
daß in jeder positiven Halbwelle ein Steuerimpuls vom p-Emitter zur η-Basis, beansprucht werden,
dem Steuerkontakt des Thyristors zugeführt wird, so Demgegenüber sind im ersten Quadranten rechts
fließt im Verbraucherstromkreis Gleichstrom. Durch oben zunächst die Kennlinien der Spannung U in
Veränderung der zeitlichen Lage der Impulse inner- Durchlaßrichtung des Thyristors, d. h. in Sperrichhalb
des Halbwellenbereichs ist es bekanntlich mög- 5 rung des mittleren pn-Übergangs, bis zur Kippspanlich,
den Mittelwert der Gleichspannung zu ändern. nung dargestellt. Die Spannung U ist nach rechts ab-Die
rein schematische Darstellung der vier ver- getragen. Außerdem sind zwei Kurven ILl und /i2 der
schiedenen Schichten nebst Kontakten K1 und K2 ' Durchlaßstromdichte oder Laststromdichte eingetragemäß
Fig. 2 kann als Ausschnitt aus F i g. 1 durch gen. Für diese gilt ein wesentlich verkleinerter Stromdie
Bruchlinien H-II aufgefaßt werden, jedoch ohne io maßstab, der auf der rechten Seite der Ordinaten-Beachtung
eines bestimmten Dickenmaßstabs. Sie achse auf getragen' ist. Die Kurven geben die gegendient
lediglich zur Veranschaulichung der Bereichs- seitige Abhängigkeit dieser Stromdichte und der
grenzen in Verbindung mit dem Diagramm der Durchlaßspannung Up wieder, welch letztere in
Fig. 3. einem wesentlich vergrößerten Maßstab auf einer
Dieses zeigt in logarithmischem Maßstab die Do- 15 Parallelen zur Abszissenachse am oberen Rand des
tierungskonzentrationen in den einzelnen Zonen oder Diagramms angegeben ist.
Bereichen, welche den vier verschiedenen Schichten Die bisher bekannten Thyristoren zeigen häufig bei
entsprechen. Dabei sind die Akzeptorendichten mit Raumtemperatur von etwa 200C eine Kippspannung
größerer Strichstärke dargestellt als die Donatoren- von mehr als 1000 V. Steigt jedoch die Temperatur
dichten. Nach dem Diagramm hat der durch den be- 20 des Thyristors während des Betriebes, so ergibt sich
schriebenen Legierungsprozeß erzielte Akzeptorüber- ein starker Rückgang der Kippspannung Uk, wie im
schuß im p-Emitter einen über die gesamte Schicht Diagramm für 90, 100, 120 und 150° C beispielsdicke
nahezu konstanten Wert von 3 · 1018 em"3. In weise dargestellt. Diesen Rückgang der Kippspannung
der unverändert gebliebenen η-Basis beträgt die Do- mit steigender Temperatur zeigen insbesondere solche
natorendichte, wie früher erwähnt, etwa 1014cm~3 25 Thyristoren, deren Durchlaßspannung bei vollem
und ist ebenfalls über die ganze Dicke dieser Schicht Betriebsstrom verhältnismäßig niedrig ist, insbeson- konstant.
Im Gegensatz dazu ist die Akzeptoren- dere den Wert 1V nicht wesentlich übersteigt. Diese
konzentration in der p-Basis durch den beschriebe- bekannten Siliziumthyristoren dürfen auf die Dauer
nen Diffusionsvorgang ungleichmäßig über die nicht mit einem so hohen Strom beansprucht werden,
Schichtdicke verteilt, wie die entsprechende Kurve 30 daß sie die an sich zulässige Höchsttemperatur um
in F i g. 3 zeigt, die am rechten Rand des Bereichs 150° C erreichen, weil dann die Kippspannung auf
von einem Wert 1014 cm"3 ausgeht und am linken einen so niedrigen Wert absinken würde, daß eine
Rand einen Wert von 1017 cm~3 erreicht. Zündung in jeder positiven Halbwelle der Betriebs-
Nach dem dargestellten Verlauf liegt der Mittel- spannung, unabhängig von dem eingestellten Zeitwert
der Dotierungskonzentration in diesem Bereich 35 punkt des Zündimpulses, bereits am Anfang der
etwas höher als 3-1016cm~3. Die erforderliche mitt- Halbwelle stattfinden und somit die Steuerfähigkeit
lere Dotierungskonzentration dieses Bereichs kann des Thyristors verlorengehen würde. Ein solcher
natürlich auch durch einen Legierungsvorgang er- Thyristor kann also im Betrieb nicht voll ausgenutzt
zielt werden, indem beispielsweise eine Goldfolie werden. Andere bekannte Thyristortypen, die eine
mit einem geringen Gehalt an Bor in die linke Seite 4° größere Temperaturstabilität der Kippspannung aufdes
Halbleiterkörpers einlegiert wird. Hierbei bildet weisen, bei denen also die Kippspannung mit zunehsich
eine Rekristallisationsschicht vom p-Typ. Die mender Temperatur bis 120 oder 150° C gar nicht
darüberliegende Legierungsschicht, bestehend aus oder nur wenig zurückgeht, zeigen dafür, den Naeheiner
Gold-Silizium-Legierung mit Borgehalt, kann teil, daß ihr Durchlaßstrom nach einer Kurve ähnlich
nach beendetem Legierungsvorgang durch Ätzen ent- 45 der Kurve ILl im Diagramm der F i g. 4 verläuft, bei
fernt werden. Die auf diese Weise erhaltene Rekri- denen also die Durchlaßspannung im Betrieb mit
stallisationsschicht bildet dann die p-Basis mit einer höherer Stromdichte ebenfalls hohe Werte annimmt,
über die ganze Dicke gleichmäßigen Dotierungs- indem sie den Wert IV wesentlich übersteigt. Inkonzentration
von beispielsweise etwa 1017 cm"3, folgedessen sind die Verluste bei diesen Thyristoren
wie eine gestrichelte Linie im Diagramm der Fig..3 50 wesentlich höher, so daß die höchstzulässige Tempeandeutet.
Auf dieser durch Legierung erhaltenen ratur bereits bei einem wesentlich geringeren Strom
p-Basis können der Steuerkontakt und der η-Emitter eintritt als bei den vorher beschriebenen Thyristoren,
mit dem zugehörigen Kontakt K1 in derselben Weise Auch die zuletzt geschilderten Thyristoren können
erzeugt werden, wie oben für die durch Diffusion er- daher im Betrieb nicht voll ausgenutzt werden,
haltene p-Basis beschrieben wurde. Der η-Emitter hat 55 Während also bei den bekannten Thyristoren jedesnach
F i g. 3 eine über seine ganze Dicke etwa kon- mal ein Vorteil mit einem Mangel erkauft werden
stante Donatorendichte zwischen IO18 und 1019 cm"3. muß, ermöglicht es demgegenüber die Erfindung, die
Die F i g. 4 veranschaulicht die mit der Erfindung Vorteile der bekannten beiden Thyristoren miterzielte
Verbesserung durch die Gegenüberstellung einander zu vereinigen und ihre Mängel zu vermeiverschiedener
Kurven im Kennliniendiagramm des 60 den. Die neuen Thyristoren haben also auch bei der
Siliziumthyristors. Hierbei wurde die im dritten höchstzulässigen Temperatur ihre volle Steuerfähig-Quadranten
links unten dargestellte Sperrkennlinie keit, weil ihre Kippspannung nicht wesentlich niedfür
beide Ausführungsformen einheitlich angenom- riger ist als bei Raumtemperatur, und sie haben fermen.
Sie zeigt den Rückwärtsstrom Ir pro Flächen ner verhältnismäßig geringe Verluste, weil ihre
einheit des sperrenden pn-Übergangs nach unten ab- 65 Durchlaßspannung beim höchstzulässigen Strom den
getragen, in Abhängigkeit von der nach links ab- Wert 1V nicht oder nicht wesentlich übersteigt
getragenen Sperrspannung Us, mit der die beiden Diese wesentliche Verbesserung läßt sich wie folgt
äußeren pn-Übergänge, und zwar hauptsächlich der erklären: Störstellen, deren Energieniveau etwa in
7 8
der Mitte des verbotenen Energiebandes des Halb- η-Basis innerhalb eines Bereiches von 0,05 bis
leiters zwischen seinem Valenz- und Leitungsband 0,15 mm möglich. Derartige hohe Ströme (Leckliegt,
beeinflussen die Dotierungsverhältnisse im ströme) erreicht nun der Tyristor im gesperrten ZuHalbleiter
nur unwesentlich. Sie bilden Rekombina- stand erst bei der durch »Punch-through« oder
tionszentren, an denen die Vorgänge der Rekom- 5 »Breakdown« bestimmten maximalen Sperrspannung,
bination und Paarerzeugung ablaufen, und bestim- Erst bei sehr hohen Temperaturen werden derartige
men damit die Lebensdauer τ der Stromträger bzw. Leckströme auch schon bei kleineren Spannungen
deren Diffusionslänge im Halbleiterkörper, vor allem erreicht. Da nun aber der angegebene Verlauf der
in den beiden Basisgebieten. Lebensdauer r, wie schon gesagt, weitgehend tempe-
Durch das vorgeschlagene Einbringen von Stör- io raturunabhängig bestehenbleibt, wenn die p-Basis
stellen mit den vorbezeichneten besonderen Eigen- genügend hoch dotiert ist, z. B. mit einer mittleren
schäften wird nun bewirkt, daß die Lebensdauer der Akzeptorenkonzentration 1016 cm"3 oder mehr,
Stromträger in der niederohmigen Basis, in unserem bleibt also auch die Kippspannung temperaturstabil,
obigen Beispiel, also in der p-Basis, stark strom- und zwar ist sie bis zu sehr hohen Temperaturen von
abhängig wird, und zwar in dem Sinn, daß bei klei- 15 150° C und mehr gleich der »Breakdown«- bzw.
nen Strömen die Lebensdauer sehr klein ist und daß »Punch-through«-Spannung. Die erste der angestreb-
erst bei verhältnismäßig hohen Stromdichten von ten Forderungen wird daher mit der Erfindung er-
mehr als 10 mA/cm2 die Lebensdauer sehr groß wird. reicht.
Dies hat zur Folge, daß die Stromverstärkung in die- Mit der vorgeschlagenen Maßnahme erreicht man
ser p-Basis bei kleinen Strömen zunächt sehr niedrig 20 jedoch auch zugleich gute Durchlaßeigenschaften,
ist und erst bei Stromdichten zwischen 10 und Um gute Durchlaßeigenschaften zu erreichen, ist es
100 mA/cm2 steil gegen den Wert eins ansteigt. Bei notwendig, daß im Bereich hoher Durchlaßströme
genügend hoher Dotierung der p-Basis bleibt dieser die Diffusionslängen in beiden Basisgebieten gecharakteristische
Verlauf des Stromverstärkungsfak- nügend groß sind im Vergleich zur Dicke dieser
tors bis zu verhältnismäßig sehr hohen Temperaturen 25 Basisgebiete. Man kann diese Forderung auch so
von 150° C und mehr unverändert erhalten. formulieren:
Rekombinationszentren der beschriebenen Art, die Die Summe der Stromverstärkungsfaktoren anm
in dem einen Basisgebiet eine stromabhängige des ersten und apnp des zweiten Transistors muß im
Lebensdauer erzeugen, bewirken im zweiten Basis- Bereich hoher Durchlaßströme deutlich größer als
gebiet von umgekehrtem Leitfähigkeitstyp eine prak- 30 der Wert eins sein. Dies wird aber ebenfalls mit der
tisch stromunabhängige Lebensdauer und damit Erfindung erreicht. Da der Stromverstärkungsfaktor
einen weitgehend stromunabhängigen Wert der ocnpn des ersten Transistors bis zu verhältnismäßig
Stromverstärkung des zweiten Transistors. Man er- hohen Sperrströmen sehr klein ist, kann man, wie
hält also für die Stromverstärkungsfaktoren anpn des schon gesagt, den Stromverstärkungsfaktor
<xpnp des
ersten Transistors und <xpnp des zweiten Transistors 35 zweiten Transistors relativ hoch machen, z.B. 0,5
den in F i g. 5 a skizzierten Verlauf, wenigstens soweit bis 0,8. Da nun der Stromverstärkungsfaktor «npn des
sie durch die Volumenlebensdauer bestimmt sind. ersten Transistors bei höheren Strömen sehr groß
Dieser Verlauf kann noch durch OberflächenefEekte wird, d. h. näherungsweise den Wert eins erreicht,
modifiziert sein sowie — vor allem bei sehr kleinen liegt also im Gebiet hoher Durchlaßströme die
Strömen — durch eine verstärkte Rekombination in 4° Summe beider Stromverstärkungsfaktoren deutlich
den Raumladungsgebieten zwischen Emitter und Ba- über eins. Damit ist aber auch die zweite Forderung,
sis. Diese zusätzlichen Einflüsse beeinträchtigen nicht nämlich die nach kleinen Durchlaßspannungen,
die Gültigkeit der hier geschilderten Überlegungen. ebenfalls erfüllt.
Den Absolutwert der Stromverstärkungsfaktoren bei Alles Gesagte gilt in analoger Weise für solche
hohen Strömen kann man durch die Zahl der ein- 45 Thyristoren, deren η-Basis höher dotiert ist als die
diffundierten Rekombinationszentren und durch die p-Basis. Hier wird in der niedrigdotierten p-Basis
Wahl der Dicke der Basisgebiete einstellen. eine annähernd stromabhängige Stromverstärkung
Mit einem derartigen Verlauf der Stromverstär- erreicht, in der höher dotierten η-Basis eine Strom-
kungsfaktoren kann man nun die eingangs geforderte verstärkung, die in der beschriebenen Weise strom-
Kombination von niedrigen Durchlaßspannungen 50 abhängig ist, sofern man Störstellen eindiffundiert,
und hoher Temperaturstabilität der Kippspannung deren Wirkungsquerschnitt für Defektelektronen
erreichen. Wie schon erwähnt wurde, sperren die größer als für Elektronen ist.
Thyristoren in Vorwärtsrichtung nur so lange, wie <
Obgleich es genügt, die Rekombinationszentren
die in Fig. 5b dargestellte Summe der Stromverstär- der geforderten Art allein in die Basisgebiete einzu-
kungsfaktoren kleiner als ein ist; sie kippen dann, 55 bringen, wird es im allgemeinen einfacher sein, die
wenn diese Summe den Wert eins erreicht. Durch die beschriebenen Rekombinationszentren über den
geschilderte Anreicherung der p-Basis mit besonde- ganzen Halbleiterkristall etwa gleichmäßig zu ver-
ren Rekombinationszentren ist nun der Stromverstär- teilen. Dies wird durch die Eigenschaften derartiger
kungsfaktor »nm bei kleinen Strömen auf einen sehr Rekombinationszentren erleichtert, da z.B. Rekomniedrigen
Wert festgelegt. Solange die Dichte des 60 binationszentren, deren Energieniveau etwa in der
Stromes in Vorwärtsrichtung also nicht mindestens Mitte des verbotenen Energiebandes des Siliziums
10 mA/cm2 und mehr beträgt, kann der Thyristor zwischen seinem Valenz- und Leitungsband liegt, wie
nicht kippen, wenn außerdem der Stromverstärkungs- Kupfer, Gold, Mangan, Eisen, normalerweise-eine
faktor <xpnp einen vernünftigen Wert hat, der nicht recht hohe Diffusionskonstante in Silizium haben,
allzunah am Wert eins liegt. Dies letztere ist aber, 65 Läßt man diese Stoffe also während eines Diffusions-
wie schon gesagt, durch Einbringen der beson- oder Legierungsprozesses in einen beispielsweise
deren Rekombinationszentren auch in die η-Basis scheibenförmigen Rohkristall eindiffundieren, so
und durch eine passende Bemessung der Dicke der werden sie sich im allgemeinen gleichmäßig über den
9 10
ganzen Siliziümkristall verteilen. Auch das gleich- Silizium, deren p-Basis höher dotiert ist als die
mäßige Einbringen dieser Rekombinationszentreri in η-Basis, vorzugsweise Mangan zu benutzen, während
einem Siliziumstab beim Zonenschmelzprozeß ist es für Thyristoren aus Silizium mit höher dotierter
wegen der sehr niedrigen Verteilungskoeffizienten η-Basis als aussichtsreich erscheint, diese mit Kupfer
dieser Stoffe in Silizium verhältnismäßig einfach 5 anzureichern. Eisen und Gold bilden sowohl Donadurchführbar.
Mit beiden Verfahren ist auch der tor- als Akzeptorstörstellen, haben also in beiden
Absolutgehalt an derartigen Störstellen mit normalen Fällen günstige Eigenschaften.
Mitteln regulierbar. Die Erfindung ist hier am Beispiel eines aus SiIi-Die oben angeführten Stoffe, Cu, Fe, Mn, Au, sind zium hergestellten Thyristors geschildert worden, als Rekombinationszentren in Silizium bekannt. Be- io ohne jedoch an dieses Halbleitermaterial gebunden züglich der Einfangquerschnitte dieser Stoffe für zu sein, vielmehr kommen auch andere Halbleiter-Elektronen und Defektelektronen steht auf Grund stoffe, die sonst für ähnliche Zwecke wie Silizium in von allgemeinen theoretischen Überlegungen zu er- elektronischen Anlagen verwendet werden, für die warten, daß Rekombinationszentren mit Akzeptor- praktische Verwirklichung der Erfindung in Betracht, Charakter einen größeren Einfangquerschnitt für 15 insbesondere solche, die im Diamantgitter kristalli-Defektelektronen besitzen, während umgekehrt bei sieren. Als Beispiel seien noch genannt: Germanium, Donatoren der Einfangquerschnitt normalerweise für Siliziumkarbid, intermetallische Verbindungen der Elektronen größer sein wird. · Demnach wird emp- III. und V. Gruppe sowie der II. und VI. Gruppe fohlen, zur Anreicherung mit Rekombinationszen- des Periodischen Systems der Elemente wie Galliumtren, wie beschrieben, für solche Thyristoren aus 20 arsenid bzw. Zinkselenid.
Mitteln regulierbar. Die Erfindung ist hier am Beispiel eines aus SiIi-Die oben angeführten Stoffe, Cu, Fe, Mn, Au, sind zium hergestellten Thyristors geschildert worden, als Rekombinationszentren in Silizium bekannt. Be- io ohne jedoch an dieses Halbleitermaterial gebunden züglich der Einfangquerschnitte dieser Stoffe für zu sein, vielmehr kommen auch andere Halbleiter-Elektronen und Defektelektronen steht auf Grund stoffe, die sonst für ähnliche Zwecke wie Silizium in von allgemeinen theoretischen Überlegungen zu er- elektronischen Anlagen verwendet werden, für die warten, daß Rekombinationszentren mit Akzeptor- praktische Verwirklichung der Erfindung in Betracht, Charakter einen größeren Einfangquerschnitt für 15 insbesondere solche, die im Diamantgitter kristalli-Defektelektronen besitzen, während umgekehrt bei sieren. Als Beispiel seien noch genannt: Germanium, Donatoren der Einfangquerschnitt normalerweise für Siliziumkarbid, intermetallische Verbindungen der Elektronen größer sein wird. · Demnach wird emp- III. und V. Gruppe sowie der II. und VI. Gruppe fohlen, zur Anreicherung mit Rekombinationszen- des Periodischen Systems der Elemente wie Galliumtren, wie beschrieben, für solche Thyristoren aus 20 arsenid bzw. Zinkselenid.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Thyristor mit einkristallinem Halbleiterkör- Möglichkeit zwei Anforderungen genügen. Sie sollen
per, enthaltend vier aufeinanderfolgende Schich- 5 in Durchlaßrichtung in durchlässigem Zustand einen
ten von abwechselnd entgegengesetztem Leitungs- hohen Nutzstrom mit möglichst kleinem Spannungstyp, von denen die erste, zweite und dritte Schicht abfall passieren lassen und in gesperrtem Zustand
einen ersten Transistor und die zweite, dritte und wie auch in Sperrichtung eine möglichst hohe Spanvierte
Schicht einen zweiten Transistor bilden nung blockieren können, und zwar bei möglichst
und dessen zweite Schicht eine höhere Dotie- io hoher Betriebstemperatur. Die durch den Spannungsrungskonzentration
als die dritte Schicht hat, abfall des Nutzstroms in Durchlaßrichtung bedingte wobei der erste Transistor einen mit dem Strom Verlustleistung in Verbindung mit der zulässigen
zunehmenden Verstärkungsfaktor aufweist, da- Betriebstemperatur einerseits und die Sperrfähigkeit
durch gekennzeichnet, daß wenigstens andererseits bestimmen Betriebsstrom und Betriebsdie
zweite und dritte Schicht zusätzliche Rekom- 15 spannung und damit die mit dem Bauelement bebinationszentren
aufweisen, die aus solchen Stör- herrschbare Leistung. Die beiden erwähnten Anforstellen
bestehen, deren Energieniveau der Mitte derungen sind nun aber keineswegs stets ohne weides
verbotenen Energiebandes des Halbleiter- teres miteinander verträglich, sie stehen vielmehr
materials zwischen seinem Valenz- und Leitungs- häufig sogar im Gegensatz zueinander. Stellt man
band näher liegt als dem nächstgelegenen Rande 20 nämlich Thyristoren her, die einen niedrigen Spandes
verbotenen Energiebandes und die gegenüber nungsabfall in Durchlaßrichtung haben, so findet
den Minoritätsträgern der zweiten Schicht einen man im allgemeinen, daß die Sperrspannung in Vorwesentlich
größeren Einfangquerschnitt haben als wärtsrichtung — die sogenannte Kippspannung —
gegenüber ihren Majoritätsträgern, derart, daß mit wachsender Temperatur sehr schnell abnimmt,
der Stromverstärkungsfaktor des ersten Transi- 25 so daß man nur eine niedrige Betriebstemperatur und
stors im Stromdichtebereich unterhalb lOmA/cm2 damit nur eine niedrige Verlustleistung zulassen darf
sehr klein gegen eins und im Stromdichtebereich und mithin auch einen entsprechend niedrigeren
zwischen 10 und 100 mA/cm2 steil gegen eins Grenzwert des zulässigen Druchlaßstroms erhält,
ansteigt und daß der Stromverstärkungsfaktor Umgekehrt erhält man eine gute Temperaturstabilität
des zweiten Transistors in dem zuletzt genannten 30 der Kippspannung, wenn man schlechte Durchlaß-Stromdichtebereich
praktisch stromunabhängig ist. eigenschaften, d.h. also hohen Spannungsabfall in
2. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch ge- Durchlaßrichtung in Kauf nimmt,
kennzeichnet, daß die Dotierungskonzentration Im deutschen Gebrauchsmuster 1 838 035 ist beder zweiten Schicht in einem der ersten Schicht reits ein Halbleiterbauelement beschrieben, bei dem benachbarten Teilbereich etwa 1017 cm~3 beträgt 35 die Temperaturstabilität der Kippspannung offen- und in einem der dritten Schicht benachbarten sichtlich durch einen Kurzschluß zwischen der ersten Teilbereich um etwa drei Zehnerpotenzen nied- und zweiten Schicht erreicht wird. Maßnahmen, die riger ist. gleichzeitig eine* Temperaturstabilität der Kippspan-
kennzeichnet, daß die Dotierungskonzentration Im deutschen Gebrauchsmuster 1 838 035 ist beder zweiten Schicht in einem der ersten Schicht reits ein Halbleiterbauelement beschrieben, bei dem benachbarten Teilbereich etwa 1017 cm~3 beträgt 35 die Temperaturstabilität der Kippspannung offen- und in einem der dritten Schicht benachbarten sichtlich durch einen Kurzschluß zwischen der ersten Teilbereich um etwa drei Zehnerpotenzen nied- und zweiten Schicht erreicht wird. Maßnahmen, die riger ist. gleichzeitig eine* Temperaturstabilität der Kippspan-
3. Thyristor nach Anspruch 1, dadurch ge- nung und einen niedrigen Spannungsabfall in Durchkennzeichnet,
daß auch die übrigen Schichten des 40 laßrichtung bewirken, sind diesem Gebrauchsmuster
Halbleiterkörpers Rekombinationszentren gleicher nicht zu entnehmen.
Art enthalten. Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu-
4. Thyristor nach Anspruch 1, 2 oder 3, da- gründe, einen Thyristor der eingangs erwähnten Gatdurch
gekennzeichnet, daß die zusätzlichen Re- tung so weiterzubilden, daß sowohl eine temperaturkombinationszentren
aus Gold bestehen. 45 stabile Kippspannung als auch eine niedrige Durch-
5. Thyristor nach Anspruch 1, 2 oder 3, da- laßspannung erreicht wird.
durch gekennzeichnet, daß im Fall einer p-leiten- Dies wird dadurch erreicht, daß wenigstens die
den zweiten Schicht die zusätzlichen Rekombi- zweite und dritte Schicht zusätzlich Rekombinations-
nationszentren aus Mangan bestehen. Zentren aufweisen, die aus solchen Störstellen be-
50 stehen, deren Energieniveau der Mitte des verbotenen
Energiebandes des Halbleitermaterials zwischen
seinem Valenz- und Leitungsband näher liegt als dem
Die Erfindung betrifft einen Thyristor mit einem nächstgelegenen Rande des verbotenen Energiebaneinkristallinen
Halbleiterkörper, enthaltend vier auf- des und die gegenüber den Minoritätsträgern der
einanderfolgende Schichten von abwechselnd ent- 55 zweiten Schicht einen wesentlich größeren Einfanggegengesetztem
Leitungstyp, von denen die erste, querschnitt haben als gegenüber ihren Majoritätszweite
und dritte Schicht einen ersten Transistor und trägem, derart, daß der Stromverstärkungsfaktor des
die zweite, dritte und vierte Schicht einen zweiten ersten Transistors im Stromdichtebereich unterhalb
Transistor bilden und dessen zweite Schicht eine 10 mA/cm2 sehr klein gegen eins ist und im Stromhöhere Dotierungskonzentration als die dritte Schicht 60 dichtebereich zwischen 10 und 100 mA/cm2 steil
hat, wobei der erste Transistor einen mit dem Strom gegen eins ansteigt und daß der Stromverstärkungszunehmenden
Verstärkungsfaktor aufweist. faktor des zweiten Transistors in dem zuletzt ge-Es
ist bekannt, daß Thyristoren in Durchlaßrich- nannten Stromdichtebereich praktisch stromunabhäntung
sperren, wenn die Summe der Stromverstär- gig ist.
kungsfaktoren der beiden Transistoren kleiner als 65 Hierdurch wird erreicht, daß die Summenkurve
eins ist. Aus der umfangreichen Literatur über Tran- der Stromverstärkungsfaktoren den Wert eins so steil
sistoren und Thyristoren sind ferner eine Reihe ver- durchläuft, daß damit der Kippvorgang eindeutig und
schiedener Mittel bekannt, die es ermöglichen, den praktisch unabhängig von anderen Betriebsgrößen an
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1052447D GB1052447A (de) | 1962-09-15 | ||
DE1962S0081478 DE1214790C2 (de) | 1962-09-15 | 1962-09-15 | Leistungsgleichrichter mit einkristallinem Halbleiterkoerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps |
CH788363A CH416839A (de) | 1962-09-15 | 1963-06-25 | Leistungsgleichrichter mit einkristallinem Halbleiterkörper und vier Schichten abwechselnden Leitfähigkeitstyps |
US308830A US3349299A (en) | 1962-09-15 | 1963-09-13 | Power recitfier of the npnp type having recombination centers therein |
FR947356A FR1418007A (fr) | 1962-09-15 | 1963-09-15 | Redresseur pn-pn pour courants forts et son procédé de fabrication |
FR18571A FR88265E (fr) | 1962-09-15 | 1965-05-26 | Redresseur pnpn pour courants forts et son procédé de fabrication |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1962S0081478 DE1214790C2 (de) | 1962-09-15 | 1962-09-15 | Leistungsgleichrichter mit einkristallinem Halbleiterkoerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps |
FR18571A FR88265E (fr) | 1962-09-15 | 1965-05-26 | Redresseur pnpn pour courants forts et son procédé de fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1214790B DE1214790B (de) | 1966-04-21 |
DE1214790C2 true DE1214790C2 (de) | 1973-08-30 |
Family
ID=25996996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1962S0081478 Expired DE1214790C2 (de) | 1962-09-15 | 1962-09-15 | Leistungsgleichrichter mit einkristallinem Halbleiterkoerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3349299A (de) |
CH (1) | CH416839A (de) |
DE (1) | DE1214790C2 (de) |
FR (1) | FR88265E (de) |
GB (1) | GB1052447A (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3356543A (en) * | 1964-12-07 | 1967-12-05 | Rca Corp | Method of decreasing the minority carrier lifetime by diffusion |
US3390022A (en) * | 1965-06-30 | 1968-06-25 | North American Rockwell | Semiconductor device and process for producing same |
GB1155978A (en) * | 1965-10-28 | 1969-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pressure-Responsive Semiconductor Device. |
DE1614410B2 (de) * | 1967-01-25 | 1973-12-13 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Halbleiterbauelement |
US3628107A (en) * | 1969-05-05 | 1971-12-14 | Gen Electric | Passivated semiconductor device with peripheral protective junction |
US3906545A (en) * | 1972-01-24 | 1975-09-16 | Licentia Gmbh | Thyristor structure |
DE2333429C3 (de) * | 1973-06-30 | 1984-01-05 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Thyristor und Verfahren zu seiner Herstellung |
CH580339A5 (de) * | 1974-12-23 | 1976-09-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
JPS5230389A (en) * | 1975-09-03 | 1977-03-08 | Hitachi Ltd | Thyristor |
US4112458A (en) * | 1976-01-26 | 1978-09-05 | Cutler-Hammer, Inc. | Silicon thyristor sensitive to low temperature with thermal switching characteristics at temperatures less than 50° C |
JPS594075A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Toshiba Corp | サイリスタ |
GB2359415A (en) * | 2000-02-21 | 2001-08-22 | Westcode Semiconductors Ltd | Profiling of semiconductor wafer to prevent edge breakdown |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3036226A (en) * | 1958-12-15 | 1962-05-22 | Ibm | Negative resistance semiconductor circuit utilizing four-layer transistor |
NL239104A (de) * | 1958-05-26 | 1900-01-01 | Western Electric Co | |
US2997604A (en) * | 1959-01-14 | 1961-08-22 | Shockley William | Semiconductive device and method of operating same |
US2980832A (en) * | 1959-06-10 | 1961-04-18 | Westinghouse Electric Corp | High current npnp switch |
US3064132A (en) * | 1959-11-10 | 1962-11-13 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor device |
NL265766A (de) * | 1960-06-10 | |||
US3124703A (en) * | 1960-06-13 | 1964-03-10 | Figure | |
US3210560A (en) * | 1961-04-17 | 1965-10-05 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor device |
NL275313A (de) * | 1961-05-10 |
-
0
- GB GB1052447D patent/GB1052447A/en active Active
-
1962
- 1962-09-15 DE DE1962S0081478 patent/DE1214790C2/de not_active Expired
-
1963
- 1963-06-25 CH CH788363A patent/CH416839A/de unknown
- 1963-09-13 US US308830A patent/US3349299A/en not_active Expired - Lifetime
-
1965
- 1965-05-26 FR FR18571A patent/FR88265E/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1214790B (de) | 1966-04-21 |
GB1052447A (de) | |
CH416839A (de) | 1966-07-15 |
FR88265E (fr) | 1967-01-06 |
US3349299A (en) | 1967-10-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C2 | Grant after previous publication (2nd publication) |