DE1206529B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher SperrfaehigkeitInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche KI.: 21g-11/02
Nummer: 1 206 529
Aktenzeichen: L 41746 VIII c/21 g
Anmeldetag: 13. April 1962
Auslegetag: 9. Dezember 1965
Durch Aufbringen von Thalliumsulfidschichten zwischen der Selenschicht und der Deckelektrode
können Selengleichrichter mit guten elektrischen Eigenschaften, insbesondere mit optimalem Sperrvermögen,
in bekannter Weise hergestellt werden.
Üblicherweise erfolgt das Aufbringen der Thalliumsulfidschicht durch Aufdampfen von Thalliumsulfid
Tl2S im Hochvakuum oder durch Aufsprühen einer Suspension von Thalliumsulfid.
Besonders nachteilig wirkt sich bei diesen Verfahren aus, daß der Aufdampfungsprozeß im Vakuum
aufwendig, teuer und schwierig zu steuern ist. Außerdem ist die leichte Oxydierbarkeit des
Thalliumsulfid bei höheren Temperaturen störend.
Ferner ist beim Aufsprühen von Thalliumsuspensionen auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte
keine gleichmäßige Schichtdicke gewährleistet. Um genügend feine Teilchen und eine ausreichende
Beständigkeit der Suspensionen zu erreichen, müssen Hilfsmittel zugesetzt werden, die sich oft nachteilig
auf die elektrischen Eigenschaften der Gleichrichter auswirken.
Ein weiteres bekanntes Verfahren besteht darin, die Platten in eine wäßrige Lösung Thalliumhydroxyd
zu tauchen. Dabei ist jedoch eine nachfolgend intensive Reinigung in destilliertem Wasser unerläßlich.
Das in der vorliegenden Erfindung vorgeschlagene Verfahren ermöglicht in überraschend einfacher
Weise unter Beseitigung der den bekannten Verfahren anhaftenden Nachteile die Aufbringung einer
gleichmäßigen Schicht aus reinem Thalliumsulfid auf der Gleichrichterplatte.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten mit einer gleichmäßigen
Schicht aus reinem Thalliumsulfid auf der Selenschicht und besteht darin, daß eine eine
Thalliumverbindung enthaltende Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgebracht und
diese Thalliumverbindung durch Behandeln mit Schwefelwasserstoff zu Thalliumsulfid umgesetzt
wird.
Eine thalliumhaltige Lösung wird auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgesprüht und danach
mit Schwefelwasserstoff behandelt. Bei der Behandlung der auf die Selenschicht aufgebrachten
Thalliumverbindung mit Schwefelwasserstoff H2S, vorzugsweise durch Einbringen der Gleichrichterplatten
in eine schwefelwasserstoffhaltige Atmosphäre, wird Thalliumsulfid Tl2S gebildet. Diese Thalliumsulfidbildung
erfolgt unabhängig von der Zeitdauer sowohl bei verschiedenem Druck als auch bei verschiedener
Temperatur. Als thalliumhaltige Lösung Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
hoher Sperrfähigkeit
Anmelder:
Licentia Patent-Verwaltungs-G. m. b. H.,
Frankfurt/M., Theodor-Stern-Kai 1
Als Erfinder benannt:
Dr. phil. nat. Josef Muschaweck,
Burgthann über Nürnberg;
Horst Siebke,
Walter Kreft, Belecke/Möhne;
Dr.-Phys. Siegfried Poganski, Warstein (Sauerl.)
kann besonders vorteilhaft eine Lösung von Thallium-(I)-äthylat C2H5OTl in wasserfreien Alkoholen
verwendet werden. Die auf die Gleichrichter-
ao bleche aufgebrachte Selenschicht wird mit einer Lösung, die beispielsweise aus 2,5 g Thalliumäthylat
pro Liter wasserfreiem Butanol besteht, besprüht. Die so behandelten Platten werden danach
in ein gasdichtes Gehäuse bzw. einen Kasten eingebracht, in welchem während einer Zeitdauer von beispielsweise
einer Stunde Schwefelwasserstoff eingeleitet wird. Nach dieser Behandlung mit Schwefelwasserstoff
erfolgt die Aufbringung der Deckelektrode in üblicher Weise und die das Verfahren abschließende
Schlußtemperung.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten mit einer gleichmäßigen Schicht
aus reinem Thalliumsulfid auf der Selenschicht, dadurch gekennzeichnet, daß eine eine
Thalliumverbindung enthaltende Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgebracht
und diese Thalliumverbindung durch Behandeln mit Schwefelwasserstoff zu Thalliumsulfid umgesetzt
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die thalliumhaltige Lösung auf
die Selenschicht der Gleichrichterplatten aufgesprüht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Thalliumäthylat auf die Selenschicht
der Gleichrichterplatte aufgebracht wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 916 085;
USA.-Patentschrift Nr. 2479 301.
Deutsche Patentschrift Nr. 916 085;
USA.-Patentschrift Nr. 2479 301.
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DE1962L0042188 DE1280417B (de) | 1962-04-13 | 1962-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit |
CH417263A CH429948A (de) | 1962-04-13 | 1963-04-02 | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfähigkeit |
FR931092A FR1353362A (fr) | 1962-04-13 | 1963-04-10 | Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium à grand pouvoir d'arrêt |
GB1455163A GB1038194A (en) | 1962-04-13 | 1963-04-11 | A method of producing a uniform layer of pure thallium sulphide on the selenium layer of rectifier plates |
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- 1962-04-13 DE DEL41746A patent/DE1206529B/de active Pending
- 1962-06-08 DE DE1962L0042188 patent/DE1280417B/de active Pending
-
1963
- 1963-04-02 CH CH417263A patent/CH429948A/de unknown
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DE916085C (de) * | 1937-11-01 | 1954-08-02 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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GB1038194A (en) | 1966-08-10 |
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DE1280417B (de) | 1968-10-17 |
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