DE1206529B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit

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DE1206529B
DE1206529B DEL41746A DEL0041746A DE1206529B DE 1206529 B DE1206529 B DE 1206529B DE L41746 A DEL41746 A DE L41746A DE L0041746 A DEL0041746 A DE L0041746A DE 1206529 B DE1206529 B DE 1206529B
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DE
Germany
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thallium
selenium
sulfide
layer
rectifier
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Pending
Application number
DEL41746A
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English (en)
Inventor
Walter Kreft
Dr Phil Nat Josef Muschaweck
Dr-Phys Siegfried Poganski
Horst Siebke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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    • H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche KI.: 21g-11/02
Nummer: 1 206 529
Aktenzeichen: L 41746 VIII c/21 g
Anmeldetag: 13. April 1962
Auslegetag: 9. Dezember 1965
Durch Aufbringen von Thalliumsulfidschichten zwischen der Selenschicht und der Deckelektrode können Selengleichrichter mit guten elektrischen Eigenschaften, insbesondere mit optimalem Sperrvermögen, in bekannter Weise hergestellt werden.
Üblicherweise erfolgt das Aufbringen der Thalliumsulfidschicht durch Aufdampfen von Thalliumsulfid Tl2S im Hochvakuum oder durch Aufsprühen einer Suspension von Thalliumsulfid.
Besonders nachteilig wirkt sich bei diesen Verfahren aus, daß der Aufdampfungsprozeß im Vakuum aufwendig, teuer und schwierig zu steuern ist. Außerdem ist die leichte Oxydierbarkeit des Thalliumsulfid bei höheren Temperaturen störend.
Ferner ist beim Aufsprühen von Thalliumsuspensionen auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte keine gleichmäßige Schichtdicke gewährleistet. Um genügend feine Teilchen und eine ausreichende Beständigkeit der Suspensionen zu erreichen, müssen Hilfsmittel zugesetzt werden, die sich oft nachteilig auf die elektrischen Eigenschaften der Gleichrichter auswirken.
Ein weiteres bekanntes Verfahren besteht darin, die Platten in eine wäßrige Lösung Thalliumhydroxyd zu tauchen. Dabei ist jedoch eine nachfolgend intensive Reinigung in destilliertem Wasser unerläßlich.
Das in der vorliegenden Erfindung vorgeschlagene Verfahren ermöglicht in überraschend einfacher Weise unter Beseitigung der den bekannten Verfahren anhaftenden Nachteile die Aufbringung einer gleichmäßigen Schicht aus reinem Thalliumsulfid auf der Gleichrichterplatte.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten mit einer gleichmäßigen Schicht aus reinem Thalliumsulfid auf der Selenschicht und besteht darin, daß eine eine Thalliumverbindung enthaltende Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgebracht und diese Thalliumverbindung durch Behandeln mit Schwefelwasserstoff zu Thalliumsulfid umgesetzt wird.
Eine thalliumhaltige Lösung wird auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgesprüht und danach mit Schwefelwasserstoff behandelt. Bei der Behandlung der auf die Selenschicht aufgebrachten Thalliumverbindung mit Schwefelwasserstoff H2S, vorzugsweise durch Einbringen der Gleichrichterplatten in eine schwefelwasserstoffhaltige Atmosphäre, wird Thalliumsulfid Tl2S gebildet. Diese Thalliumsulfidbildung erfolgt unabhängig von der Zeitdauer sowohl bei verschiedenem Druck als auch bei verschiedener Temperatur. Als thalliumhaltige Lösung Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfähigkeit
Anmelder:
Licentia Patent-Verwaltungs-G. m. b. H.,
Frankfurt/M., Theodor-Stern-Kai 1
Als Erfinder benannt:
Dr. phil. nat. Josef Muschaweck,
Burgthann über Nürnberg;
Horst Siebke,
Walter Kreft, Belecke/Möhne;
Dr.-Phys. Siegfried Poganski, Warstein (Sauerl.)
kann besonders vorteilhaft eine Lösung von Thallium-(I)-äthylat C2H5OTl in wasserfreien Alkoholen verwendet werden. Die auf die Gleichrichter-
ao bleche aufgebrachte Selenschicht wird mit einer Lösung, die beispielsweise aus 2,5 g Thalliumäthylat pro Liter wasserfreiem Butanol besteht, besprüht. Die so behandelten Platten werden danach in ein gasdichtes Gehäuse bzw. einen Kasten eingebracht, in welchem während einer Zeitdauer von beispielsweise einer Stunde Schwefelwasserstoff eingeleitet wird. Nach dieser Behandlung mit Schwefelwasserstoff erfolgt die Aufbringung der Deckelektrode in üblicher Weise und die das Verfahren abschließende Schlußtemperung.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten mit einer gleichmäßigen Schicht aus reinem Thalliumsulfid auf der Selenschicht, dadurch gekennzeichnet, daß eine eine Thalliumverbindung enthaltende Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgebracht und diese Thalliumverbindung durch Behandeln mit Schwefelwasserstoff zu Thalliumsulfid umgesetzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die thalliumhaltige Lösung auf die Selenschicht der Gleichrichterplatten aufgesprüht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Thalliumäthylat auf die Selenschicht der Gleichrichterplatte aufgebracht wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 916 085;
USA.-Patentschrift Nr. 2479 301.
DEL41746A 1962-04-13 1962-04-13 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit Pending DE1206529B (de)

Priority Applications (5)

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DEL41746A DE1206529B (de) 1962-04-13 1962-04-13 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit
DE1962L0042188 DE1280417B (de) 1962-04-13 1962-06-08 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit
CH417263A CH429948A (de) 1962-04-13 1963-04-02 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfähigkeit
FR931092A FR1353362A (fr) 1962-04-13 1963-04-10 Procédé de fabrication de redresseurs au sélénium à grand pouvoir d'arrêt
GB1455163A GB1038194A (en) 1962-04-13 1963-04-11 A method of producing a uniform layer of pure thallium sulphide on the selenium layer of rectifier plates

Applications Claiming Priority (2)

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DEL41746A DE1206529B (de) 1962-04-13 1962-04-13 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit
DE1962L0042188 DE1280417B (de) 1962-04-13 1962-06-08 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit

Publications (1)

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DE1206529B true DE1206529B (de) 1965-12-09

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ID=25985535

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DE1962L0042188 Pending DE1280417B (de) 1962-04-13 1962-06-08 Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern hoher Sperrfaehigkeit

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CH (1) CH429948A (de)
DE (2) DE1206529B (de)
GB (1) GB1038194A (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US2479301A (en) * 1947-11-29 1949-08-16 Westinghouse Electric Corp Selenium rectifier
DE916085C (de) * 1937-11-01 1954-08-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB565323A (en) * 1943-11-22 1944-11-06 Otto Kurt Kolb Improvements relating to alternating electric current rectifiers of the selenium type

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Also Published As

Publication number Publication date
GB1038194A (en) 1966-08-10
CH429948A (de) 1967-02-15
DE1280417B (de) 1968-10-17

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