DE1199028B - Logische Schaltung mit Transistoren und Dioden - Google Patents

Logische Schaltung mit Transistoren und Dioden

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DE1199028B
DE1199028B DEW22818A DEW0022818A DE1199028B DE 1199028 B DE1199028 B DE 1199028B DE W22818 A DEW22818 A DE W22818A DE W0022818 A DEW0022818 A DE W0022818A DE 1199028 B DE1199028 B DE 1199028B
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Wayne Hwa-Wei Chen
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Description

  • Logische Schaltung mit Transistoren und Dioden Zum Verarbeiten von Daten in elektronischen Rechenmaschinen sind logische Schaltungen bekannt, die mit Dioden und Transistoren arbeiten, wobei die Dioden nur für die logischen Funktionen und die Transistoren nur für die Verstärkung verwendet werden. Diese Schaltungen sind jedoch im allgemeinen umständlich und erfordern eine Reihe verschiedener Speisespannungen. Außerdem sind sie für übersprechen anfällig und neigen zur Aufnahme von Störgeräuschen. Bekannt sind auch logische Schaltungen, die nur mit direkt gekoppelten Transistoren arbeiten. Diese sogenannten DCTL-Schaltungen haben zwar den Vorteil großer Einfachheit, sie sind jedoch von den charakteristischen Eigenschaften der Transistoren sehr abhängig und lassen sich nur mit ganz bestimmten Transistoren ausführen.
  • Die Erfindung bezieht sich auf logische Schaltungen mit einem Transistor, dessen Emitterelektrode geerdet ist, dessen Basiselektrode mit dem Eingangskreis und dessen Kollektorelektrode mit dem Ausgangskreis verbunden ist, und in denen ein die Vorspannung der Basiselektrode bestimmendes Netzwerk zwischen die Basiselektrode und den Eingangskreis geschaltet ist, das eine positive Spannungsquelle enthält, die durch im Eingangskreis liegende Schaltelemente geerdet werden kann. Bekannte Schaltungen dieser Art haben den Nachteil, daß im Ausgangskreis auch bei gesperrtem Zustand des Transistors noch Ströme fließen können, die eine eindeutige Arbeitsweise der logischen Schaltung in Frage stellen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diesen Nachteil zu vermeiden und stabile Arbeitsbedingungen für den Transistor zu schaffen. An sich sind auch andere Schaltungsanordnungen zum Verstärken der Impulse in logischen Schaltungen bekannt. So ist es bekannt, hierzu e.iD-Flop-Schaltungen zu verwenden. Auch ist z. B. eine Schaltung bekannt, bei der ein Transistor über ein Netzwerk gesteuert wird, das aus einem vor die Basiselektrode geschalteten und von einem Kondensator überbrückten Widerstand besteht, an den eine negative Spannungsquelle angeschaltet ist. Die Zuführung und die Ab- nahme der Impulse erfolgt bei dieser bekannten Schaltung jedoch über Impulstransformatoren, die häufig unerwünscht sind und die Arbeitsweise einer solchen Schaltung beeinträchtigen.
  • Die die Nachteile der bekannten Schaltun ' gen ve-, meidende erfindungsgemäße logische Schaltung ist nun dadurch gekennzeichnet, daß das Netzwerk aus einer längsgeschalteten, den Eingangskreis mit der Basiselektrode verbindenden Widerstandsanordnung besteht, an deren eingangsseitigem Ende die positive Vorspannungsquelle und an deren ausgangsseitigem Ende eine negative Vorspannungsquelle angelegt sind, und daß die Vorspannungsquellen über Vorschaltwiderstände an die längsgeschaltete Widerstandsanordnung angelegt und die Spannungen und die Widerstände so bemessen sind, daß der Transistor leitend ist, wenn der Eingangskreis nicht geerdet ist, und daß der Transistor gesperrt ist, wenn der Eingangskreis geerdet ist.
  • Die Erdung des Eingangskreises erfolgt zweckmäßig, über einen oder mehrere Transistoren, von denen jeder über eine Diode mit dem eingangsseiti-en Ende der vor der Basiselektrode des gesteuerten C Transistors liegenden Widerstandsanordnung verbunden ist, wobei die Durchlaßrichtung der Diode entgegengesetzt zur Durchlaßrichtung, der Basis-Emitter-Strecke des nachfolgenden gesteuerten Transistors liegen muß. Werden als Steuertransistoren solche mit geringem Widerstand der Kollektor-Emater-Strecke verwendet, dann hat das Einschalten eines solchen Transistors zur Folge, daß die mit dem Kollektor des Transistors verbundene Diode geerdet wird. Die Widerstandsanordnung kann in an sich bekannter Weise aus einem von einem Kondensator überbrückten Ohmschen Widerstand bestehen. Als Widerstandsanordnung kann aber auch ein unsymmetrisch leitendes Schaltelement, insbesondere eine Zenerdiode dienen, deren eingangsseitiges Ende über einen Vorschaltwiderstand an eine positive Spannungsquelle angeschlossen ist. Wenn der durch den Eingan-skreis gesteuerte Transistor von der n-p-n-Type ist, ist die Anode der Zenerdiode mit der Basiselektrode des Transistors verbunden, bei Verwendung eines p-n-p-Transistors jedoch mit dem Eingangskreis.
  • Die erfindun-s-emäße Schaltung bietet gegenüber den bisher gebräuchlichen, mit Transistoren und Dioden arbeitenden Schaltungen eine Reihe von Vorteilen. Insbesondere bildet die abwechselnde Verwenduna von Dioden-Torschaltun-en und Transistor-Verstärkerstufen ein logisches System mit verteilter Verstärkung und relativ geringem Widerstand, das nur geringe Neigung zum übersprechen oder zur Aufnahme von Störungen zeigt. Ein weiterer ,viorteil ist die Verwendung von nur geringen Spannungsamplituden und die in ihrer Zahl im Vergleich zu vielen anderen Transistor-Diodenschaltungen verringerte Zahl von Speisespannungen. Außerdem bewirkt die durch eine einzelne Dioden-Torschaltung geschaffene Gleichstromkopplung zwischen den e;iizelnen Stufen, daß eine Gleichstromkopplung zwischen dem Kollektor des steuernden Transistors und der Basis des -esteuerten Transistors der fol-enden Stufe hergestellt werden kann.
  • Der steuernde Transistor kann deshalb durch die lo-;sche Diodenschaltun- hindurch-reifen, von dem gesteuerten Transistor einen Basisleckstrom abziehen und so seine Sperrung beschleunigen.
  • Diese und andere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgendon genauen Besebreibung in Verbindun- niit den Figuren. Es zeigt F i 1 eine elementare logische Schaltung mit ransistoren und Dioden entsprechend der Erfinduna und F i (y. 2 eine, einfache logische Schaltung in übereinstimmung mit der Erfindung, die von der in F i g. 1 gezeileten Schaltung abgeleitet ist.
  • F i 1 zeigt eine der Erläuterungeen dienende lo-Ische Grundschaltun- mit einem Transistor 12 und C den drei Dioden 14, C 16 und 18. Der Emitter des Transistors liegt an Masse, während seine Basis mit dem aus dem Widerstandselement 20 und den drei Dioden 14, 16 und 18 bestehenden 12:ingangssteuerkreis verbunden ist. Der Transistor 12 ist ein Schichttransistor, in diesem Falle ein n-p-n-Transistor. Er kann natürlich auch ein p-n-p-Transistor sein, wenn die Polung der dazugehörigen Schaltung entsprechend umgekehrt wird. Der Transistor 12 wird betätigt, d. ti. stromleitend, wenn der Basiseingang positiv und damit die Basis-Emitter-Strecke in der Durchlaßrichtung vorgespannt ist, Wird ein Schichttransistor stromleitend, dann ist der Widerstand der Kollektor-Emitter-Strecke sehr -erino, C ZD' und der Kollektor befindet sich beinahe auf Erdpotential. Wird die Basis gegenüber dem Emitter in Sperrichtung vorgespannt, dann ist der Widerstand der Kollektor-Emitter-Strecke sehr hoch und der Ko-II.ektor ist im wesentlichen gesperrt. Bei dem in F i g'. 1 gezeigten n-p-n-Transistor 12 bewirkt eine an die Basis angelegte negative Spannung, daß der Transistor gesperrt wird, während eine positive Eingangsspannung den Transistor leitend macht. Die an Punkt 22 angelegte negative Spannung liegt über.den Widerstand 24 an der Basis des Transistors 12 an und spannt diesen in Richtung seines Sperrzustandes vor. Die an Punkt 26 angelegte positive Spannung wirkt über die Widerstände 28 und 20 auf die Basis des Transistors 12 und spannt diesen in Durchlaßrichtung vor.
  • Sind die Eingangsschaltungen zu den drei Dioden 14, 16 und 18 geöffnet, dann überwiegt die positive Spannung die negative, und der Transistor 12 wird betätigt. Ist der Eingang einer der Dioden 14, 16 oder 18 geerdet, dann wird auch die an Punkt 26 von der positiven Spannungsquelle kommende positive Vorspannung mit Erdpotential verbunden. Das kann z. B. durch Schließen des mit dem Eingang der Diode 18 verbundenen Schalters 30 geschehen, ebenso aber auch durch die Betätigung des mit der Diode 14 verbundenen Transistors 32. Wird die positive Spannung an Erde gelegt, dann wird die Basis des Transistors 12 leicht negativ; der Transistor 12 ist gesperrt. Der Kondensator 34 beschleunigt das Kippen des Transistors 12, besonders dann, wenn er gesperrt wird. Wird, genauer gesagt, einer der Diodeneingänge an Erde gelegt, dann bewirkt der Kondensator 34 einen starken Stromanstieg, der den Kondensator zu entladen sucht. Das ist auch die Rückstromrichtune, der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 12, so daß durch diesen Strortistoß das Kippen beschleunigt wird.
  • Im Sprachgebrauch der Rechermaschinentechnik ist es gebräuchlich geworden, von »Und«- oder »Oder«-Schaltungen zu sprechen. In gewisser Hinsieht kann man die Schaltung der F i g. 1 je nach dem als »Undx- oder als »Oder«-Schaltung betrach-Len. Sind z. B. alle drei Eingän-e zu den Dioden 14 bis 18 der F i g. 1 geöffnet, dann befindet sich der Transistor 12 im Betriebszustand und sein Kollektor lie-t im wesentlichen auf Erdpo-Lential. Die Schaltun- kann in diesem Falle als >Und«-Schp.Ituno, an-.«"seihen werden. Ist dagegon einer der zu den Dioden 14 bis 18 führenden Eingänge geerdet, dann befindet sich der Transistor 12 in Ruhestellung oder im Sperrzustand, sein Kollektor-Ausgang ist oilen oder In diesem Falle kann die Schaltunals »Oder«-Schaltung angesehen werden. Die Bezeichnung »Und«- oder »Oder«-Schaltung ist für die vorliegende Schaltung nicht völlig zufriedenstellend, da iede eine Schaltung nach F i g. 1 enthaltende Stuf' der logischen Schaltung eine Inversion des ankonimenden Signals vorn geerdeten Zustand zum Leerlaufzustand bzw. umgekehrt bewirkt. Es ist deshalb erfforderlich, die Arbeitsweise jeder einzelnen Schalt-i-appe getrennt zu betrachten.
  • Obwohl eine ganze Reihe von Kombinationen von Schaltelementen möglich ist, hat sich die folgende Zusammenstellun- als besonders wirkungsvoll erwiesen:
    R.,0 1000 Ohm
    &4 ..................... 24 000 Ohm
    R28 11000 Ohm
    c34 ........ 2000 P.;cofarad
    Spannung an 22 .......... - 22 Volt
    Spannung an 26 .......... + 22 Volt
    Die verwendeten Transistoren sind Silizium-Transistoren Als Diode mit kann eindiffundierter jede schnell arbeitende Basis' Rechendiode verwendet werden. Mit Bauelementen mit den oben angegebenen Werten ergibt sich am diodenseitigen Ende des Widerstandes 20 eine Spannung von ungefähr + 1 bis + 3 Volt, während sich bei beiden Betriebszuständen der Schaltung an der Basis des Transistors 12 eine Spannungsamplitude von etwa 0 bis + 1 Volt einstellt.
  • Die Schaltung nach Fig. 1 kann dadurch vereinfacht werden, daß man den Widerstand 20 durch ein nichtlineares Widerstandselement besonderer Art ersetzt. Insbesondere kann der Widerstand 20 durch eine Zenerdiode ersetzt werden, die in Richtung des Rückstromes eine Kippspannung von 2 bis 3 Voll benötigt, und deren Anode mit der Basis des Transistors 12 verbunden ist. Werden p-n-p-Transistoren verwendet, dann muß die Zenerdiode umgepolt werden. Die Zenerdiode soll nach Möglichkeit eine Silizium-Schichtdiode mit verhältnismäßig großer übergangskapazität sein. Bei Verwendung einer Zenerdiode können außer dem Widerstand 20 auch der Widerstand 24, die mit diesem verbundene negative Spannungsquelle und der Kondensator 34 entfallen. Sind die Eingänge zu den Dioden 14, 16 und 18 geöffnet, dann bewirkt die an den Anschluß 26 angelegte positive Spannung das Kippen der Zenerdiode; der Transistor 12 wird entsperrt. Wird der Eingang zu einer der Dioden 14, 16 und 18 geerdet, dann kehrt die Zenerdiode in den Sperrzustand zurück, und der Basisstrom des Transistors 12 wird unterbrochen. Der Transistor 12 ist also gesperrt. Es wurde schon erwähnt, daß der in F i g. 1 gezeigte Kondensator 34 die Sperrung des Transistors 12 beschleunigt. Wird der Widerstand 20 durch eine Zenerdiode ersetzt, dann übernimmt die hohe Übergangskapazität der Diode diese Aufgabe.
  • Die in F i g. 2 gezeigte Schaltung ist eine logische Schaltung, die die in F i g. 1 gezeigten Grundschaltungen verwendet. Es handelt sich dabei um die mit 40, 42, 44, 46 und 48 bezeichneten Grundschaltungen. Vergleicht man die in dem strichpunktierten Kästchen 44 gezeichnete Schaltung mit der der F i g. 1, dann sieht man, daß die drei Dioden 50, 52 und 54 mit dem Kollektor des Transistors 56 verbunden sind, während die drei Dioden 14, 16 und 18 der F i g. 1 mit dem Basiseingang des Transistors 12 zusammengeschaltel sind. Schalttechnisch sind diese beiden Schaltungen praktisch äquivalent. Es macht für eine logische Schaltung keinen Unterschied, ob die Dioden am Ausgang der jeweils vorangehenden-Stufe liegen oder ob sie zusammen auf den Eingang der nächsten Stufe geschaltet sind. Zur besseren Erklärung sind die Dioden 14, 16 und 18 der Fig. 1 an den Eingang der Schalteinheit gelegt. Je nach der Verteilung der Schaltkapazitäten kann im einen oder anderen Fall die eine Anordnung der anderen vorgezogen werden. Dementsprechend sind, um eine gegenüber der Anordnung nach F i g. 1 alldere Möglichkeit aufzuzeigen, in F i g. 2 die Dioden am Kollektor des Transistors angebracht.
  • In der in F i g. 2 gezeigten Schaltung sind die beiden Stufenelemente 40 und 42 der logischen Schaltung so miteinander verbunden, daß sie einen Multivibrator bilden. Das geschieht dadurch, daß man den Ausgang einer Diode einer jeden Schaltung mit dem Eingang der anderen Schaltung verbindet. Die auf die Eingänge 62 und 64 des Multivibrators gegebenen Einstell- und Rückstellsignale sollen bewirken, daß die Eingänge geerdet werden, um damit den Zustand des Multivibrators entsprechend zu ändern. Wird z. B. die zur Schaltung 40 führende Eingangslei#tung geerdet, dann wird der Transistors 66 der Stufe 40 gesperrt, der Transistor 68 der Stufe 42 dagegen betätigt.
  • Anschließend soll die Eigenschaft der Schaltung der F i g. 2 im einzelnen betrachtet werden. Die zur Darstellung der an den verschiedenen Punkten der Schaltung auftretenden Beziehungen der Signale zueinander gebräuchliche Ausdrucksweise beruht auf den Regeln der Booleschen Algebra. Die Grundsätze der Booleschen Algebra sind in der Rechnertechnik allgemein bekannt und werden z. B. in den »Design of Switching Circuits« von W. Keister, A. E. Ritchie und S. H. Washburn, D. Van Nostrand Company Inc., New York, 1951, beschrieben. Bei Verwendung der Booleschen Algebra werden die an einer bestimmten Stelle der Schaltung herrschenden »hochgelegten Spannungen« oder »offenen« Zustände mit großen Buchstaben bezeichnet, während man die »Nieder«-Spannungszustände oder Erdpotentialstellen desselben Punktes durch apostrophierte große Buchstaben kennzeichnet. So bedeutet z. B. die Bezeichnung X, daß der Eingang der Stufe 44 spannungsmäßig »hoch« liegt, während das X' am Eingang der Stufe 44 ein #>Am-Erde-Liegen« dieses Punktes bedeutet.
  • Betrachtet man die Arbeitsweise der Stufe 46, dann sieht man, daß der am Kollektor des in der Stufe enthaltenen Transistors 70 liegende Ausgang dann hoch liegt, wenn eitler der beiden Eingänge der Stufe 46 geerdet ist. Ist der Eingang zur Stufe 44 hochgelegt, dann ist der von der Stufe 44 kornmende Eingang zur Stufe 46 geerdet. Das entspricht den mit X bezeichneten Bedineungen. Der Ausgang der Stufe 46 liegt also hoch, wenn der von Stufe 40 zur Stufe 46 führende Eingang geerdet ist. Das entspricht dem Rückstellzustand des Multivibrators und wird mit A bezeichnet, zur Unterscheidung von dem den »Ein«-Zustand des Multivibrators kennzeichnenden A. In der Booleschen Algebra wird ein »Oder«--Zustand mit einem Pluszeichen bezeichnet.
  • Deshalb wird der hochliegende Kollektor des Transistors 70 unter Verwendung der Ausdrucksform der Booleschen Algebra durch den Ausdruck A+ X bezeichnet.
  • Bei Betrachtung der Arbeitsweise der Stufe 48 der F i g. 2 sieht man, daß deren Ausgang hoch oder offen liegt, wenn ihre beiden Eingänge geerdet sind. Liegt der Eingang X hoch, dann ist die die Stufe 44 mit der Stufe 48 verbindende Leitung geerdet. Die von Stufe 44 zu Stufe 48 führende Verbindun - ist geerdet, wenn bleide zu Stufe 46 führenden Eingänge hoch liegen. Das ist dann der Fall, wenn der Eingang der Stufe 44 geerdet und der Multivibrator in »Ein«-Stellung ist. Gleichzeitig miteinander auftretende Bedingungen werden in der Booleschen Algebra als Produkt angeschrieben. Die zum »Ti,efleoen« der Stufe 46 erforderlichen Bedingungen werden durch A-X ausgedrückt. Dementsprechend ist der Boolesche Ausdruck für die Bedingungen, die zurn Hochlegen des Ausgangs der Stuie 48 erforderlich sind, X+A-X'. Das bedeutet, daß das Ausgangssignal hoch liegt, wenn auch der Eingang X hoch liegt, oder, wenn der Eingang X tief liegt und wenn der Multivibrator 40, 42 sich in dem für die Erzeugung eines »hohen« Signals an AusgangA erforderlichen »Ein«-Zustand befindet.
  • Außer der von der Stufe 48 kommenden Ausgangsleitung 72 sind oben rechts in der F i g. 2 noch zwei weitere Ausgangsleitungen 74 und 76 gezeigt. Die Ausgangsleitung 74 ist direkt mit dem Ausgang der Stufe 40 des Multivibrators verbunden und liegt deshalb hoch, wenn sich der Multivibrator in »Ein«-Zustand befindet. Das wird durch den an diese Aus-Crangsleitung angeschriebenen Buchstaben A ausgedrückt. Die Ausgangsleitung 76 ist mit dem Ausgang der Stufe 46 verbunden. Sie ist »hoch» oder »offen« unter den Bedingungen, die in der Booleschen Algebra mit dem Ausdruck A'+ X bezeichnet werden.
  • In der in F i g. 2 gezeigten Schaltung besitzt jede der die logischen Schaltstufen 40, 42 und 44 mit den darauffolgenden logischen Schaltstufen 46 oder 48 verbindenden Schaltunaen eine Diode.
  • Es ist manchmal erwünscht, in eine logische Schaltung der vorliegenden Art eine Umkehrstufe einzufügen. Eine solche Umkehrschaltung verwandelt nur die »hohen« Eingangssignale in »niedere« Ausgangssignale, und umgekehrt. Sind zwei Stufen mit ihrem Aus- und Eingang miteinander verbunden und ist die erste Stufe nicht mit dem Eingang einer anderen Stufe gekoppelt, dann braucht in der Verbindung zwischen den beiden Stufen keine Diode zu liegen. Die Stufe 46 der F i g. 2 ist eine Umkehrstufe, und die am Eingang der Stufe 46 liegenden Dioden sind nur notwendig, um eine Kopplung der von der Stufe 44 kommenden Signale auf die Leitung 76 zu verhindern. Sind keine weiteren Stufen mit der Leitung 76 verbunden, dann kann der Kollektor des Transistors 70 direkt mit dem Eingang der Stufe 48 verbunden werden.
  • An dieser Stelle erscheint es wünschenswert, auf die unmittelbare Verbindung der Transistoren der einzelnen Stufen miteinander hinzuweisen. Bei dieser direkten Verbindung kann ein steuernder Transistor unmittelbar von einem gesteuerten Transistor einer folgenden Stufe einen Basisleckstrom abziehen. Deshalb wird hier der Ausdruck »direktverbundene Schaltung« angewendet, um die hier zur Anwendung kommenden Verbindungen von den weniger wirksamen Schaltungen der bisher angeordneten Art zu unterscheiden, bei welcher die die Stufen verbindenden Schaltungen Kondensatoren, Übertrager oder entgegengesetzt gepolte Dioden enthielten.
  • Mit Hilfe der in F i g. 2 gezeigten Schaltung können einige einfache logische Entscheidungen durchgeführt werden. Entsprechend der Booleschen Algebra können aber durch entsprechende Anordnung der oben angeführten logischen Schalteinheiten alle Arten von Rechenvorgängen durchgeführt werden. Wie schon oben an g' edeutet und in dem Artikel »An Application of Boolean Algebra to the Design of Electronie Switching Circuits« von S. H. Washburn, A.1.E.E. Transactions, Teil 1, Communications and Electronics, Bd.72. September 1953, kann jede Rechenschaltung aus »Und«-Schaltungen, »Oder«-Schaltungen und »Nein«-Schaltungen gebildet werden. In dem oben angeführten Artikel ist gezeigt, daß eine »Oder«-Schaltung, an deren Eingang und Ausgang eine »Nein«- oder Umkehrschaltung angeschlossen ist, ein vollständiges Äquivalent einer »Und«-Schaltung bildet. Entsprechend stellen ein »Und«-Schaltung in Kombination mit einer Umkehrschaltung eine Grundschaltung eines Rechengerätes in dem Sinne dar, daß jeder Rechenvorgang mit Hilfe solcher Grundschaltungen durchgeführt werden kann. In ähnlicher Weise ist die Kombination einer »Oder«-Schaltung mit einer Umkehrschaltung eine solche Grundschaltung. Es wurde schon oben erwähnt, daß die in F i g. 1 gezeigte Schaltung dann als Umkehrschaltung anzusehen ist, wenn sie einen einzelnen Eingang und Ausgang besitzt und daß sie sowohl »Oder«- als auch »Und«-Funktionen ausüben kann, je nach der Art des ankommenden Si-_ gnals. Es leuchtet deshalb ein, daß die in den Figuren gezeigten und oben beschriebenen logischen Grundschaltungen zu Schaltungen zusammengestellt werden können, die zur Durchführung eines jeden Rechenvorgangs geeignet sind.
  • C, C

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Logische Schaltung mit einem Transistor, dessen Emitterelektrode geerdet ist, dessen Basiselektrode mit dem Eingangskreis und dessen Kollektorelektrode mit dem Ausgangskreis verbunden ist, und mit einem die Vorspannung der Basiselektrode bestimmenden und zwischen dieser und dem Eingangskreis liegenden Netzwerk, das eine positive Spannungsquelle enthält, die durch im Eingangskreis liegende Schaltelemente wahlweise geerdet werden kann, d a - durch gekennzeichnet, daß das Netzwerk aus einer längsgeschalteten, den Eingangskreis mit der Basiselektrode verbindenden Widerstandsanordnung besteht, an deren eingangsseiti-,gem Ende die positive Vorspannungsquelle und an deren ausgangsseitigem Ende eine negative Vorspannungsquelle angelegt sind, und daß die Vorspannungsquellen über Vorschaltwiderstände an die längsgeschaltete Widerstandsanordnung angelegt und die Spannungen und die Widerstände so bemessen sind, daß der Transistor leitend ist, wenn der Eingangskreis nicht geerdet ist, und daß der Transistor gesperrt ist, wenn der Eingangskreis geerdet ist.
  2. 2. Logische Schaltung mit Transistoren und Dioden nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Spannungsquelle (22) an der dem zweiten Transistor (12) zugekehrten Seite des Widerstandselementes (20) angeschlossen ist, um die Basis-Emitter-Strecke des zweiten Transistors (12) in Sperrichtung vorzuspannen. 3. Logische Schaltung mit Transistoren und Dioden nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Spannungsquelle (26) mit der den Dioden zugekehrten Seite des Widerstandselementes verbunden ist, unä amit die Basis-Emitter-Strecke des zweiten TOnsistors in Durchlaßrichtung vorspannt. 4. Logische Schaltung mit Transistoren und Dioden nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten, zweiten und dritten Dioden mit ihren gleichartigen Elektroden zusammengeschaltet sind, daß das Widerstandselement aus einem Ohmschen Widerstand besteht, daß das Potential der zweiten Spannungsquelle normalerweise das Potential der ersten Spannungsquelle übersteigt, und daß Steuereinrichtungen vorgesehen sind, die die Dioden entsperren und die zweite Vorspannungsquelle außer Tätigkeit setzt. C, 5. Logische Schaltung mit Transistoren und Dioden, in der eine Anzahl von ersten Transistoren mit einem gemeinsamen zweiten Transistor verbunden sind, nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand alle gleichartigen Diodenanschlüsse mit der Basis des gemeinsamen zweiten Transistors verbindet, daß ferner Einrichtungen vorgesehen sind, die den Kollektor eines ersten aus der Anzahl von ersten Transistoren mit einer der am Eingang eines zweiten Transistors aus der Anzahl der ersten Transistoren liegenden Dioden verbindet, und daß insgesamt die Verbindung zwischen dem Kollektor des ersten zu der Anzahl von ersten Transistoren gehörenden Transistors mit der Basis des zweiten zur Anzahl der ersten Transistoren galvanisch leitend ist. In Betracht gezogene Druckschriften. »Elektronische Rundschau«, 1955, Nr. 10, Abb. 7, S. 377 bis 380; »Proc. I.R.E.«, November 1952, S. 1584 bis 1596; »Electronics«, Juni 1955, S. 135; »Electronics«, Mai 1956, S. 160, 161; »Transactions of the A.J.E.E.«, Part 1, Vol. 38, September 1955, S. 466 bis 475; ARE Transactions on Electronic Computers«, Dezember 1956, S. 192 bis 196; »Pulse and Digital Circuits«, McGraw-Hill Book Comp., Ine., New York, 1956, S. 394 bis 406.
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