DE1189586B - Schaltungsanordnung zur Wiederherstellung der Impulshoehe von elektrischen Impulsen - Google Patents

Description

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Deutsche KL: 21 al-36/04

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

B 57463 VIII a/21 al
12. April 1960
25. März 1965

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Wiederherstellung der Impulshöhe (Amplitude) von elektrischen Impulsen, die über ein elektrisches Bauelement mit Richtwirkung übertragen werden.

Bei der Übertragung von elektrischen Impulsen in solchen Schaltungszweigen oder Schaltungsanordnungen, die im Übertragungsweg einen Richtleiter oder Gleichrichter enthalten, zeigt sich stets eine Verformung der Impulse, insbesondere tritt an dem Bauelement mit Richtwirkung ein Spannungsabfall auf, so daß der Impuls am Ende des Übertragungsweges nicht mehr die anfängliche Höhe (Amplitude) aufweist. Es hat sich nun gezeigt, daß in solchen Fällen, bei denen die absolute Größe des zu übertragenden Impulses wesentlich ist, eine Wiederherstellung der Impulshöhe zu fordern ist.

Besonders wichtig ist die Wiederherstellung der ursprünglichen Impulshöhe bei Schaltungsanordnungen zur Signaltrennung oder -selektion bei Zeichenerkennungssystemen. Bei diesen Trenn- oder Selektionsschaltungen werden die Signale oder Impulse der einzelnen Zeichenerkennungskanäle über jeweils einen Richtleiter zusammengeführt, und es wird nur der jeweils höchste Impuls zur Identifizierung des gelesenen Zeichens übertragen und ausgewertet. Der bei dieser Impulsübertragung auftretende Verlust an Impulshöhe kann bei den empfindlichen Systemen für die Zeichenerkennung nicht vernachlässigt werden, insbesondere nicht, wenn dieser Amplitudenverlust in der Größenordnung der Systemtoleranzen oder der niedrigsten noch auszuwertenden Impulshöhen liegt. Hier stellt sich daher das Problem, den Verlust an Impulshöhe bei der Übertragung über das elektrische Bauelement mit Richtwirkung auszugleichen und möglichst in jedem Vergleichsfall dem übertragenden Impuls die ursprüngliche Höhe wiederzugeben.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zu schaffen, mit der die Höhe eines bei der Übertragung über das Bauelement mit Richtwirkung verformten Impulses in genau beherrschbarer Weise und in jeweils gewünschtem Maße wiederhergestellt werden kann. Dies wird nach der Erfindung dadurch erreicht, daß mit dem Bauelement mit Richtwirkung ein an sich bekanntes Schaltungsglied verbunden ist, das belastungsunabhängig durch dieses Bauelement bei Auftreten des Impulses einen konstanten Strom zieht, und daß durch dasselbe Schaltungsglied über ein zweites elektrisches Bauelement mit Richtwirkung ein zusätzlicher Strom gezogen wird, der von einem zweiten Schaltungsanordnung zur Wiederherstellung der Impulshöhe von elektrischen Impulsen

_e Anmelder:

Burroughs Corporation,
Detroit, Mich. (V. St. A.)

Vertreter:
Dipl.-Ing. H. Kosel, Patentanwalt,

Bad Gandersheim, Braunschweiger S'tr. 22

Als Erfinder benannt:
Harvey Rosenberg, Drexel Hill, Pa.;

Richard Lewis Fussell, Newton Square, Pa.
(V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 23. April 1959
(808 374)

Schaltungsglied mit denselben belastungsunabhängigen Stromeigenschaften geliefert wird und der von dem zweiten Schaltungsglied gezogene Strom, der dem zweiten elektrischen Bauelement zugeführt wird, eine Amplitude hat, die der Amplitude des Stromimpulses gleich ist, der das erste Bauelement beaufschlagt, wodurch an den beiden Bauelementen eine konstante Spannungsdifferenz gehalten wird. Es wird dadurch erreicht, daß der Spannungsabfall am zweiten elektrischen Bauelement sich als Spannungsanstieg für den zu übertragenden Impuls äußert und eine genau vorgegebene Größe erhalten kann, so daß mit dieser Größe der Spannungsabfall am elektrischen Bauelement im eigentlichen Übertragungsweg kompensiert wird. Die Belastungsunabhängigkeit der beiden Schaltungsglieder gewährleistet eine genau beherrschbare Abhängigkeit der Kompensationswirkung am zweiten Bauelement, so daß der ursprüngliche absolute Wert des zu übertragenden Impulses am Ausgang der Schaltung erneut zur Verfugung steht und zur Auswertung gebracht werden kann. Bei einem Zeichenerkennungssystem hat sich eine so genau zu bemessende Wiederherstellung des identifizierenden höchsten Vergleichsimpulses als besonders vorteilhaft erwiesen, da sie Fehlidentifizierungen durch ungenaue Signalbezeichnungen vermeiden hilft.

509 520/Ϊ58

Nach einer Ausführungsform der Erfindung sind die Bauelemente Dioden, die gegeneinandergepolt miteinander verbunden sind. Dabei können die Dioden Siliziumdioden sein.

Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist jedes Schaltungsglied mit einem Siliziumtransistor versehen und sind die Transistoren zueinander komplementär. Dadurch lassen sich in besonders einfacher Weise die in ihrer Leitungswirkung in der Schaltungsanordnung nach der Erfindung entgegengesetzten belastungsunabhängigen Schaltungsglieder realisieren.

Im folgenden wird an Hand der Zeichnung ein Ausführungsbeispiel der Erfindung bei ihrer Anwendung an einer Impulsselektionsschaltung für ein Zeichenerkennungssystem beschrieben. In der Zeichnung zeigt

Fi g. 1 ein Schaltbild eines als belastungsunabhängige konstante Stromquelle dienenden Schaltungsgliedes mit Transistor,

F i g. 2 ein Ausführungsbeispiel der Schaltungsanordnung nach der Erfindung in Verbindung mit einer Selektionsschaltung im Schaltbild,

F i g. 3 ein Diagramm zur Erläuterung der Beziehung zwischen den zu übertragenden Eingangsimpulsen und des Unterschiedes der von der Schaltungsanordnung abgegebenen Impulse und den zu übertragenden Eingangsimpulsen,

F i g. 4 ein vereinfachtes schematisches Schaltbild der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 2 zur Erläuterung der fließenden Ströme.

In F i g. 1 ist das Beispiel eines Transistors 17 dargestellt, der als konstante Stromquelle in Basisschaltung betrieben wird. Unter einer konstanten Stromquelle ist hier zu verstehen, daß sie einen Strom mit einem im wesentlichen vorgeschriebenen Wert fortlaufend entweder zufuhrt oder zieht, und zwar abhängig von Belastungsänderungen an ihrem Ausgang. Eine solche Schaltung ist an sich bekannt.

Das in F i g. 1 dargestellte Schaltungsglied enthält zwei Widerstände 11 und 13, die einen Spannungsteiler bilden. Durch entsprechende Auswahl der Widerstände 11 und 13 mit geringen Größen und durch Einschaltung des Spannungsteilers zwischen entsprechende Spannungsquellen (wie z. B. gemäß Fig. 1 zwischen Erde und +15V) wird der Strom durch den Spannungsteiler groß und die Steuer- oder Vorspannung am Knotenpunkt 15 bestimmt. Der Basisstrom in einem Transistor ist gewöhnlich verhältnismäßig klein. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Basisstrom beispielsweise nicht größer als ein Hundertstel des Wertes des Stromes, der durch den Spannungsteiler fließt. Daraus ergibt sich, daß die Steuerspannung am Knotenpunkt 15 als feststehend angesehen werden kann, weil sie durch den starken Strom bestimmt wird, der durch den Spannungsteiler fließt. Jede Änderung des Basisstromes wird eine vernachlässigbare Wirkung auf die am Knotenpunkt 15 entwickelte Spannung haben. Der durch den Widerstand 12 hindurchgehende Emitterstrom wird bestimmt durch das Verhältnis zwischen dem Potentialunterschied zwischen der + 15-V-Quelle und dem Knotenpunkt 15, geteilt durch die Summe des Widerstandes 12 und der Impedanz am Knotenpunkt von Emitter und Basis des Transistors 17. Da jedoch die Impedanz am Knotenpunkt von Emitter und Basis verhältnismäßig klein ist im Vergleich zum Widerstand 12, kann angenommen werden, daß Änderungen der Impedanz am Knotenpunkt von Emitter und Basis auf den Emitterstrom nur eine vernachlässigbare Wirkung haben werden. Der Emitterstrom wird daher hauptsächlich bestimmt durch die Größe des Widerstandes 12 und den obenerwähnten Potentialunterschied. Da der Widerstand 12 konstant ist und der Spannungsunterschied zwischen der +15-V-Quelle und dem Knotenpunkt 15 als konstant angesehen wird, kann

ίο angenommen werden, daß der Emitterstrom konstant ist, und außerdem, daß der Emitterstrom durch Stromkreisparameter außerhalb des Transistors selbst bestimmt wird. Gemäß dem Buch von Ebers und Moll, »Proceedings of the IRE«, Dezember 1954, ist die folgende Gleichung gültig:

l_c =

I_c0

(Emitterstoßstelle positiv vorgespannt, Kollektorstoßstelle negativ vorgespannt), in welcher bedeutet:

l_c den Kollektorstrom, α den Stromverstärkungsfaktor und I_{c 0} den Sättigungsstrom, gesehen an der Kollektorklemme, wenn der Emitterstromkreis offen ist. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Transistoren, z. B. der Transistor 17, Siliziumtransistoren. Bei Siliziumtransistoren ist der Sättigungsstrom I_c0 vernachlässigbar, und diese Größe kann daher in der obigen Gleichung entfallen. Somit ergibt sich aus der obigen Gleichung, wenn I_c0 entfällt und cc konstant ist, daß der Kollektorstrom einen konstanten Wert besitzt, wenn der Emitterstrom konstant ist. Wenn daher in der oben beschriebenen Weise ein Emitterstrom mit einem konstanten Wert vorgesehen wird, ergibt sich ein Kollektorstrom mit einem konstanten Wert. Ein solcher Kollektorstrom bleibt unverändert durch Spannungsänderungen an der Ausgangsklemme 19 oder am Belastungswiderstand 21, was zu der oben gegebenen Definition einer belastungsunabhängigen konstanten Stromquelle paßt.

In F i g. 2 ist das Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Regenerationsschaltung an einer Selektionsschaltung dargestellt. Als belastungsunabhängige, die erforderlichen konstanten Ströme ziehenden bzw. zuführenden Schaltungsglieder dienen die zueinander komplementären, d. h. einem entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp zugehörenden Transistoren 18 und 23, wobei hier der Transistor 18 ein pnp- und der Transistor 23 ein npn-Transistor ist. Die beiden Schaltungsglieder sind entsprechend F i g. 1 als konstante Stromquellen geschaltet. Die Selektion der auf den Kanälen 61, 63, 65, 67 usw. auftretenden Impulse wird über die Dioden 49, 51, 53, 55 usw. auf die gemeinsame Leitung 69 durchgeführt.

Die Steuerspannungen an den Basen der Transistoren 18 und 23 werden erzeugt, indem ein aus in Reihe geschalteten veränderlichen Widerständen 25, 27 und 29 bestehender Spannungsteilerkreis zwischen eine Quelle 31 positiven Potentials und eine Quelle 33 negativen Potentials eingeschaltet wird. Die Widerstände 25, 27 und 29 sind entsprechend ausgewählt und eingestellt, so daß sie einen verhältnismäßig starken Strom durch den Spannungsteilerkreis sowie bestimmte Vor- oder Steuerspannungen an den Knotenpunkten 35 und 37 ergeben. Der starke Spannungsteilerstrom ergibt entsprechend der Beschreibung der F i g. 1 im wesentlichen konstante Vorspannungen an den Knotenpunkten 35 und 37,

die durch die Basisströme nicht beeinflußt werden. Nach Einstellung der Widerstände 25, 27 und 29 beeinflußt eine Änderung des absoluten Wertes der Speisespannungen 31 und 33 das Verhältnis der Vorspannungen an den Knotenpunkten 35 und 37 nicht.

Die Werte für die Widerstände 39 und 41 werden so ausgewählt, daß sie zusammen mit den gewählten Vorspannungen an den Knotenpunkten 35 und 37 die zugehörigen Emitterströme und infolgedessen die zugehörigen Kollektorströme bestimmen. Vorzugsweise sind die Stromkreisparameter so ausgewählt, daß sich ein Kollektorstrom I_c für den Transistor 23 ergibt, der doppelt so stark ist wie der Kollektorstrom I₁. des Transistors 18. Da der Transistor 18 nur die Hälfte des Stromes liefert, der vom Transistor 23 gezogen wird, muß die andere Hälfte des Stromes beim Auftreten eines Eingangsimpulses durch eine oder mehrere der Dioden 49, 51, 53 und 55 zugeführt werden, um den Strombedarf am KoI-lektor des Transistors 23 zu decken. Wenn der den höchsten Impuls führende Kanal leitet und auf der gemeinsamen Leitung 69 ein Potential erzeugt, das jeden der anderen Kanäle blockiert, wird die andere Hälfte des vom Transistor 23 gezogenen Stromes durch die Diode zugeführt, die dem das höchste Signal führenden Kanal zugeordnet ist. An dieser Diode tritt dabei ein Spannungsabfall auf, um den die Höhe des Impulses bei der Übertragung auf die Leitung 69 verringert wird.

Zur Erläuterung sei angenommen, daß der Kanal 61 den höchsten Impuls führt und daß die Dioden der anderen Kanäle 63, 65, 67 blockiert wurden. Wenn bei der bevorzugten Ausführungsform der vom Transistor 23 gezogene Strom 200 μ Α beträgt, werden 100 μΑ durch die Diode 49 und 100 μΑ durch die als zusätzliches Bauelement in den Übertragungsweg geschaltete Diode 57 gezogen. Wenn die Dioden 49 und 57 angepaßt, d. h. so gewählt sind, daß beide in der Durchlaßrichtung bei 100 μΑ den gleichen Spannungsabfall aufweisen, dann wird der Spannungsabfall an der Diode 49 gleich dem Spannungsanstieg an der Diode 57 sein. Da der Belastungswiderstand 20 sehr groß ist und einen verhältnismäßig schwachen Strom zieht, so folgt daraus, daß eine festgesetzte Änderung der Höhe eines zu übertragenden veränderlichen Signals, die sich aus dem Spannungsabfall an der Diode 49 ergibt, durch einen Spannungsanstieg an der Diode 57 ausgeglichen wird und damit die ursprüngliche Höhe wiederhergestellt wird, so daß an der Klemme 59 ein Ausgangssignal erzeugt wird, das im wesentlichen gleich dem Eingangssignal im Kanal 61 ist.

Wenn der in F ig. 2 dargestellte Stromkreis zur Selektion und Regeneration negativer Signale verwendet wird und ein Ausgangssignal erzeugt werden soll, das im wesentlichen dem zu übertragenden höchsten negativen Signal entspricht, werden die Transistoren 18 und 23 in der Schaltungsanordnung vertauscht, die Dioden 49, 51, 53, 55 und 57 gegenüber der Darstellung in F i g. 2 mit entgegengesetzter Polarität geschaltet und die Spannungsquellen 31 und 32 ebenfalls vertauscht.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Dioden 49, 51, 53, 55 und 57 auf 100 μΑ angepaßt. Diese Dioden sind vorzugsweise schnellschaltende Siliziumdioden mit einer Nennspannung von 125 V und einem Kriechstrom von 0,25 μΑ. Die Dioden .können auch an eine andere Stromstärke angepaßt werden; dann werden die Transistoren 18 und 23 so eingestellt, daß sie den dann erforderlichen Nennstrom liefern. Es werden vorzugsweise Siliziumdioden verwendet, weil sie ebenso wie Siliziumtransistoren äußerst niedrige Thermalströme aufweisen. Die Schaltungsanordnung nach der Erfindung ist in einem System verwendbar, das in einem großen Außentemperaturbereich betrieben wird. Bei hohen Temperaturen tritt in Siliziumdioden ein vernachlässigbarer Stromfluß in entgegengesetzter Richtung auf, selbst wenn die Dioden negativ vorgespannt sind. Bei Verwendung von Germaniumdioden wurde festgestellt, daß bei hohen Temperaturen Strom in der entgegengesetzten Richtung durch die negativ vorgespannten Germaniumdioden hindurchgeht, so daß der durch die positiv vorgespannte Diode gezogene Strom größer wird als der angepaßte Stromwert. Infolgedessen ist der Spannungsabfall an der Diode, die dem das höchste Signal führenden Kanal zugeordnet ist (positiv vorgespannte Diode), größer als der Spannungsanstieg an der in Reihe geschalteten Diode. Dies ergibt eine Fehlanpassung und erzeugt eine Abweichung der Impulshöhe am Ausgang. Bei Systemen, in denen die Außentemperaturen nicht sehr hoch sind und nur eine geringe Anzahl von Eingangssignalen zu mischen ist, können gemäß der Erfindung auch Germaniumdioden und Germaniumtransistoren in zufriedenstellender Weise verwendet werden.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform wurde Strom von 100 μΑ gewählt, weil

1. bei verhältnismäßig stärkeren Strömen eine bessere Diodenanpassung erfolgt und

2. bei stärkeren Strömen eine bessere Frequenzabhängigkeit auftritt.

Andererseits wurde bei einem schwächeren Strom, beispielsweise bei einem gewählten Strom von 50 μΑ gefunden, daß das höchste Signal bei einer niedrigeren Signalsspannung gewählt und übertragen wird als bei einem Strom von 100 μΑ. Ein Strom von 50 μΑ erhöht die untere Grenze des Signalbereichs, der verarbeitet werden kann. Dies wird aus der nachstehenden Beschreibung der F i g. 3 besser verständlich.

In F i g. 3 ist ein Satz von Kurven dargestellt, die für einen gewählten Strom von 100 μΑ und für einen Mischer oder Selektionskreis mit 13 Eingängen aufgezeichnet sind. Die Gerade 71 des Diagramms wird als 5%-Linie bezeichnet, was bedeutet, daß die Punkte, an denen die 5%-Linie die Kurven schneidet, die Punkte darstellen, an denen der Unterschied zwischen der Ausgangsspannung und der zu übertragenden Spannung kleiner ist als 5% der zu übertragenden Spannung. Wenn alle anderen Kanäle, mit Ausnahme des das höchste Signal führenden Kanals, Signale mit einem Maximalwert von 0,9 des höchsten Signals zuführen, muß das höchste Signal gemäß der Darstellung in F i g. 3 ungefähr 300 mV betragen, bevor das Ausgangssignal größer wird als 95% des höchsten Signals (oder die 5°/o-Linie schneidet). Wenn das System Ausgangssignale erzeugen soll, die größer sind als 95% der Eingangssignale, stellen die Schnittpunkte der verschiedenen Kurven mit der 5%-Linie die Grenzen für die Signale mit geringer Impulshöhe dar, die durch das System verarbeitet werden können. Wenn angenommen wird, daß das System auf jedem der anderen

Kanäle maximale Signale von 0,9 des höchsten Signals empfangen kann, dann ergibt sich aus F i g. 3, daß die untere Grenze des zu verarbeitenden Signalbereichs ungefähr 30OmV beträgt (bei einem gewählten Strom von 100 μΑ). Wenn die anderen Kanäle Signale zuführen, die Maximalwerte von nur 0,7 des höchsten Signals aufweisen, wird ein Eingangssignal von 200 mV übertragen, wie sich aus dem Schnittpunkt der 5 "/»-Linie mit der Kurve 72 (der Kurve 0,7) bei 200 mV ergibt.

Wenn die anderen Eingangssignale viel schwächer sind als der höchste Eingangsimpuls und die Dioden beispielsweise an ± 5 mV angepaßt sind, dann beträgt das Minimum des gewählten und übertragenen Signals bei einer Genauigkeit von 5% 100 mV.

Wie bereits obenerwähnt, sind die Kurven in Fig. 3 für einen gewählten Strom von 100 μ Α aufgezeichnet. Für jeden anderen Wert des gewählten Stromes ist die untere Grenze des zur Wirkung kommenden Signalbereichs entsprechend verschieden, a° d.h. der Schnittpunkt der 5%-Linie liegt an einer anderen Stelle. Es kann beispielsweise gezeigt werden, daß bei einem gewählten Strom von 50 μΑ das höchste Signal bei 22OmV gewählt und übertragen wird, d. h. die 5%-Linie bei ungefähr 220 mV schneidet, wenn angenommen wird, daß die anderen Kanäle Signale von 0,9 des höchsten Signals zuführen. Da bei 50 μΑ eine untere Signalbereichsgrenze erzielt werden kann, die niedriger ist als die untere Signalbereichsgrenze bei einem gewählten Strom von 100 μΑ, ergibt sich die Frage hinsichtlich der Wahl von 100 μΑ bei der bevorzugten Ausführungsform. Bei dem System, in welchem die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung gegenwärtig verwendet wird, sind die anderen Kanäle auf die Zuführung von Signalen mit weniger als 0,7 des höchsten Signals beschränkt. Wie bereits bemerkt, ergibt dieser Zustand eine zufriedenstellende untere Grenze des Signalbereichs von 200 mV. Da andererseits das vorliegende System bei 2OkHz betrieben wird, was erstens bessere Frequenzabhängigkeit bei 100 μΑ als bei 50 μΑ und zweitens bessere Diodenanpassung bei dem stärkeren Strom ergibt, wurde für die bevorzugte Ausfuhrungsform ein Strom von 100 μΑ gewählt.

Wenn die Toleranzen des Systems erhöht werden, d. h. wenn das System z. B. Ausgangssignale erzeugen soll, die größer sind als 90°/o an Stelle von 95% des höchsten Signals, kann der Bereich der zu verarbeitenden Signale erhöht werden, indem insbesondere die untere Bereichsgrenze gesenkt wird. Diese Schlußfolgerung wird in Fig. 3 durch die Schnittpunkte der Kurven mit der 10%-Linie74 bewiesen, welche zeigt, daß das höchste Signal bei ungefähr 20OmV übertragen wird, wenn die anderen Kanäle Signale von 0,9 des höchsten Signals zuführen.

F i g. 4 zeigt ein schematisches Schaltbild der beschriebenen Schaltungsanordnung. Die beiden konstanten Stromquellen 22 und 24 führen I_dc zu und ziehen 2 I_dc. Der ungefähre Weg des Wechselstromes (angegeben durch I₁) verläuft durch die beiden Dioden 26 und 28 sowie durch den Verbraucher 30 (wo die Belastungswirkung der konstanten Stromquelle vernachlässigbar ist). Die Wechselstromkomponente/i ist viel kleiner als die Gleichstromkomponente, so daß sie eine vernachlässigbare Wirkung hat, insoweit sie eine Unausgeglichenheit des Spannungsabfalls an den Dioden 26 und 28 verursacht.

Wenn z. B. eine Selektionsschaltung eine Wiederherstellung der Impulshöhe erfordern sollte, die größer oder geringer ist als der Verlust der Impulshöhe, an der ersten im Übertragungsweg liegenden Diode oder an der Diode, die dem das höchste Signal führenden Kanal zugeordnet ist, kann das Verhältnis der Stromstärken, die von der einen konstanten Stromquelle zugeführt und von der anderen konstanten Stromquelle gezogen werden, auf einen anderen Wert festgelegt werden, der von dem Wert 1:2 gemäß der vorstehenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform verschieden ist.

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung zur Wiederherstellung der Impulshöhe (Amplitude) von elektrischen Impulsen, die über ein elektrisches Bauelement mit Richtwirkung übertragen werden, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Bauelement ein an sich bekanntes Schaltungsglied verbunden ist, das belastungsunabhängig durch dieses Bauelement bei Auftreten des Impulses einen konstanten Strom zieht, und daß durch dasselbe Schaltungsglied über ein zweites elektrisches Bauelement mit Richtwirkung ein zusätzlicher Strom gezogen wird, der von einem zweiten Schaltungsglied mit denselben belastungsunabhängigen Stromeigenschaften geliefert wird und der von dem zweiten Schaltungsglied (18) gezogene Strom, der dem zweiten elektrischen Bauelement (57) zugeführt wird, eine Amplitude hat, die der Amplitude des Stromimpulses gleich ist, der das erste Bauelement beaufschlagt, wodurch an den beiden Bauelementen eine konstante Spannungsdifferenz gehalten wird.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bauelemente Dioden sind, die gegeneinander gepolt miteinander verbunden sind.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dioden Siliziumdioden sind.

4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Schaltungsglied mit einem Siliziumtransistor versehen ist und die Transistoren zueinander komplementär sind.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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