DE1170167B - Speichermatrix mit Tunneldioden - Google Patents
Speichermatrix mit TunneldiodenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Deutsche Kl.: 42 m-14
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
St 18897 IX c/42 m
24. Februar 1962
14. Mai 1964
24. Februar 1962
14. Mai 1964
Die Erfindung betrifft eine Speichermatrix mit Tunneldioden, bei der das Ein- und Ausspeichern
von Informationen zeilenweise erfolgt.
Es ist bekannt, für eine Speichermatrix eine Parallelschaltung von einer Tunneldiode und einem
Ohmschen Widerstand unter Einprägung eines konstanten Ruhestromes als bistabiles Speicherelement
zu verwenden. Der Ruhestrom und der Widerstand sind dann so bemessen, daß sich zwei stabile Arbeitspunkte ergeben, denen beispielsweise die beiden bi-
nären Bedeutungen »0« und »1« zugeordnet werden können. Die einzelnen Speicherelemente sind über
Zeilen- und Spaltenwiderstände mit Zeilen- und Spaltenleitungen verbunden, denen außer dem Ruhestrom
für die einzelnen Speicherelemente auch noch Halbstromimpulse zum Aufrufen der entsprechenden
Speicherelemente zuführbar sind.
Es bereitet nun erhebliche Schwierigkeiten, die Leseausgänge der einzelnen Speicherelemente spaltenweise
zu Spalten-Leseleitungen zusammenzufassen, ohne daß die einzelnen Speicherzellen sich gegenseitig
beeinflussen. Es ist bereits vorgeschlagen worden, die Leseausgänge der Speicherelemente einer
Zeile kapazitiv auf die Spalten-Leseleitung zu koppeln. Durch die parallel liegenden Speicherelemente
der nicht aufgerufenen Zeilen erfolgt jedoch eine Spannungsteilung der Lesesignale, so daß bei vielen
Speicherelementen die ausgelesenen Informationen nicht mehr einwandfrei erkennbar sind.
Weiterhin sind noch Matrixspeicher mit zeilenweisem Ein- und Ausspeichern bekanntgeworden,
bei denen die Auskopplung der Lesesignale über Transformatoren geschieht. Dies ist jedoch mit einem
sehr großen Aufwand verbunden.
Es ist nun die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Speichermatrix zu finden, bei der die Zusammenfassung
der Leseausgänge einer Spalte ohne größeren Aufwand möglich ist und bei der die einzelnen
Speicherelemente einer Spalte einwandfrei voneinander entkoppelt sind.
Gemäß der Erfindung ist diese Speichermatrix dadurch gekennzeichnet, daß als Koppelelement Dioden
dienen, deren Anoden mit den Anoden der einzelnen Tunneldioden und deren Kathoden mit den Spalten-Leseleitungen
verbunden sind, daß die Dioden so vorgespannt sind, daß sie auch bei den höchsten an
den Tunneldioden abfallenden Spannungen noch gesperrt sind und daß weiterhin zum Lesen der Informationen
einer Zeile das Potential aller Kathoden der Tunneldioden dieser Zeile in positiver Richtung
angehoben werden, so daß die den eingespeicherten Informationen entsprechenden Ausgangssignale an
Speichermatrix mit Tunneldioden
Anmelder:
Standard Elektrik Lorenz Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausen, Helhnuth-Hirth-Str. 42
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Öle lohan Melhus, Ludwigsburg
Arbeitswiderständen, die an die einzelnen Spalten-Leseleitungen angeschlossen sind, abgreifbar sind.
Ein zerstörungsfreies Lesen der eingespeicherten Information ist dadurch möglich, daß zum Lesen die
Kathoden der Tunneldioden der betreffenden Zeile um den Betrag der Vorspannung der Dioden in positiver
Richtung angehoben werden.
Dies wird zweckmäßigerweise so durchgeführt, daß alle Kathoden der Tunneldioden, zeilenweise zusammengefaßt,
über Vorwiderstände, die normalerweise durch Schalter überbrückt sind, mit der gemeinsamen
Rückleitung verbunden sind, wobei die Vorwiderstände so bemessen sind, daß bei geöffnetem
Schalter durch die Summe der in allen Speicherelementen einer Zeile fließenden Ruheströme ein
Spannungsabfall entsteht, der der Vorspannung der Dioden entspricht, so daß beim öffnen des Schalters
einer zu lesenden Zeile die Kathoden der Tunneldioden dieser Zeile um einen bestimmten Betrag in
positiver Richtung angehoben werden.
Die Erfindung wird nun an Hand der F i g. 1 und 2 beispielsweise näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine Speichermatrix gemäß der Erfindung,
Fig. 2 die Kennlinie einer Tunneldiode mit den eingezeichneten Arbeitspunkten.
Die Speichermatrix nach Fig. 1 besteht aus einzelnen
bistabilen Tunneldiodenschaltungen, die im Ruhezustand mit eingeprägten Strömen I0 betrieben
werden. Die Tunneldioden der einzelnen Speicherelemente sind über Zeilenwiderstände RY und
Spaltenwiderstände Rx mit den Zeilen- bzw. Spaltendrähten
verbunden. Auf Grund des eingeprägten Stromes I0 ergeben sich für die bistabilen Speicherelemente
jeweils die beiden stabilen Arbeitspunkte »0« und »1« (s. Fig. 2).
Zum Einschreiben von Informationen in eine Zeile der Speichermatrix wird kurzzeitig der Strom I0
dieser Zeile abgeschaltet, um alle Speicherelemente in ihre Ruhelage »0« zu bringen. Anschließend wird
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allen Speicherelementen einer Zeile über die Zeilenwiderstände RY der Strom /0 + eingeprägt. Von
den Spaltendrähten X gelangen über die Spalten-
AI
widerstände Rx Halbstromimpulse 2 auf die einzelnen
Speicherelemente. Je nachdem, ob ein Speicherelement einen Zeilen-Halbstromimpuls und
einen Spalten-Halbstromimpuls zusätzlich zu dem Ruhestrom erhält oder nicht, schaltet das Element in
den Speicherzustand »1« bzw. bleibt in der Ruhestellung »0« stehen.
Das Ausspeichern der in der Matrix gespeicherten Information geschieht durch das Aufrufen einer ganzen
Zeile. Es sind so viele Leseausgänge A vorhanden, wie die Speichermatrix Spalten besitzt. Die Ausgänge
aller Speicherelemente einer Spalte sind über Dioden D mit den zugeordneten Spaltendrähten verbunden.
Die Dioden sind so weit vorgespannt, daß sie gerade gesperrt sind, wenn in einem Speicherelement
die Information »1« eingespeichert ist. Das entspricht etwa der Spannung, die an einer Tunneldiode
abfällt, wenn sich diese in dem stabilen Zustand »1« befindet. Die Vorspannung wird den
Dioden D von der Spannungsquelle U über die Arbeitswiderstände R2 und die Spalten-Lesedrähte
zugeführt.
Zum Lesen der Speicherelemente einer Zeile wird das Potential der Kathoden der Tunneldioden um
einen solchen Betrag in positiver Richtung angehoben, daß die von der Vorspannungsquelle U erzeugte
Vorspannung aufgehoben wird. Hierdurch werden nur die Dioden D einer Zeile leitend, in denen eine
»1« eingespeichert war, und ein Stromstoß bestimmter Größe fließt über den Arbeitswiderstand R2 dieser
Spalte. Befand sich ein Speicherelement in der Stellung »0«, so bleibt die Diode gesperrt. Da jeweils
nur das Kathodenpotential der Tunneldioden einer abgefragten Zeile angehoben werden, bleiben alle
Dioden der nicht aufgerufenen Zeilen gesperrt; was bedeutet, daß eine einwandfreie Entkopplung zwischen
den Tunneldioden einer Spalte vorhanden ist. Die Potentialanhebung der Kathoden der Tunneldioden
einer Zeile in positiver Richtung geschieht nun durch das Öffnen des Schalters S der betreffenden
Zeile. Der parallel liegende Widerstand R1 ist so
bemessen, daß an ihm beim Durchfließen aller Ruheströme /0 der Tunneldioden-Speicherelemente einer
Zeile etwa die Spannung abfällt, mit der die Dioden D
durch die Vorspannungsquelle U vorgespannt sind. Diese Potentialanhebung der Tunneldioden reicht
nicht aus, um den Speicherzustand der einzelnen Speicherelemente zu ändern. Das Lesen der Information
geschieht also zerstörungsfrei.
Dadurch, daß die Arbeitswiderstände der einzelnen Spalten-Lesedrähte Ohmsche Widerstände sind, ist
beim Auslesen der Informationen als Ausgangskriterium eine Gleichspannung verfügbar. Bei der
Verwendung von Induktivitäten erhielte man nur einen Spannungssprung als Ausgangssignal.
Selbstverständlich können die Tunneldioden TD und die Dioden D in entgegengesetzter Richtung gepolt
sein, wenn gleichzeitig alle Spannungs- und Stromquellen umgepolt werden.
Claims (3)
1. Speichermatrix mit Tunneldioden, bei der die Anoden der Tunneldioden über Zeilen- und
Spaltenwiderstände mit Zeilen- bzw. Spaltenleitongen verbunden sind, bei der ferner das Ein-
und Ausspeichern von Informationen zeilenweise erfolgt und die Leseausgänge der einzelnen
Speicherelemente spaltenweise auf Spalten-Leseleitungen gekoppelt sind, dadurch gekennzeichnet,
daß als Koppelelemente Dioden (D) dienen, deren Anoden mit den Anoden der einzelnen
Tunneldioden (TD) und deren Kathoden mit den Spalten-Leseleitungen (A) verbunden
sind, daß die Dioden (D) so vorgespannt sind, daß sie auch bei den höchsten an den Tunneldioden
abfallenden Spannungen noch gesperrt sind, und daß weiterhin zum Lesen der Informationen
einer Zeile das Potential aller Kathoden der Tunneldioden dieser Zeile in positiver Rich-■
tung angehoben werden, so daß die den eingespeicherten Informationen entsprechenden Ausgangssignale
an Arbeitswiderständen (R2), die an die einzelnen Spalten-Leseleitungen (A) angeschlossen
sind, abgreifbar sind.
2. Speichermatrix nach Anspruch 1, bei der ein zerstörungsfreies Lesen der eingespeicherten
Informationen erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß zum Lesen die Kathoden der Tunneldioden
(TD) der betreffenden Zeile um den Betrag der Vorspannung der Dioden (D) in positiver Richtung
angehoben werden.
3. Speichermatrix nach Anspruch 1 oder 2, bei der ein zerstörungsfreies Lesen der eingespeicherten
Informationen erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß alle Kathoden der Tunneldioden (TD),
zeilenweise zusammengefaßt, über Vorwiderstände (R1), die normalerweise durch Schalter (S)
überbrückt sind, mit der gemeinsamen Rückleitung (O) verbunden sind, wobei die Vorwiderstände
(R.) so bemessen sind, daß bei geöffnetem Schalter (S) durch die Summe der in allen
Speicherelementen einer Zeile fließenden Ruheströme (Z0 in Fig. 2) ein Spannungsabfall entsteht,
der der Vorspannung der Dioden (D) entspricht, so daß beim öffnen des Schalters (S)
einer zu lesenden Zeile die Kathoden der Tunneldioden dieser Zeile um einen bestimmten Betrag
in positiver Richtung angehoben werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
409 589/353 5.64 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (10)
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ID=25994078
Family Applications (1)
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Also Published As
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GB1002727A (en) | 1965-08-25 |
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