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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Implantat-Struktur, die dafür vorgesehen ist, Bakterien und Substanzen, die das Wachstum derselben beschleunigen, daran zu hindern, direkt an eine Fugenstelle zwischen einem Implantat und dem Zahnfleisch/Knochen zu gelangen und die außerdem dafür vorgesehen ist, eine Knochenabsorption an der Peripherie des oberen Teils des Implantats zu verhindern und zu hemmen.
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Stand der Technik
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Bisher ist in der Zahnbehandlung eine Implantat-Behandlung üblich, worin ein künstlicher Zahn mit einem an dessen äußerer Peripherie vorgesehenen externen Gewindes an einer künstlichen Zahnwurzel, die anstelle eines verlorenen Zahns in den Kieferknochen implantiert ist, befestigt wird. Die künstliche Zahnwurzel ist in den Kieferknochen, aus dem der Zahn verlorengegangen ist, implantiert und ist funktional eine Basis für den an der Zahnwurzel befestigten künstlichen Zahn. In einer Operation zur Implantation der künstlichen Zahnwurzel wird die künstliche Zahnwurzel in ein der Größe der künstlichen Zahnwurzel entsprechend ausgebildetes Loch des Kieferknochens mittels Verschraubung eingesetzt, und die künstliche Zahnwurzel wird durch Bildung von Knochen um die künstliche Zahnwurzel herum mit dem Kieferknochen verbunden. Allerdings kann in dem Fall, dass das gebildete Loch in dem Knochen größer als die künstliche Zahnwurzel ist oder dass der Knochen um die künstliche Zahnwurzel herum osteoporotisch ist, der Fall auftreten, dass die Verbindung mit dem Kieferknochen eine lange Zeit benötigt oder letztendlich die künstliche Zahnwurzel nicht fest mit dem Kieferknochen verbunden wird.
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Außerdem kann Bindegewebe des menschlichen Körpers nicht direkt mit der künstlichen Zahnwurzel verbunden werden, und somit ist nichts vorhanden, um die periodontale Membran und ein periodontales Band zur Stützung eines Zahns an dem Knochen und dem Zahnfleisch zu ersetzen. Somit gelangen verschiedene Substanzen im Mund in den Zwischenraum zwischen dem Knochen und der künstlichen Zahnwurzel, und eine es entsteht kontinuierlich eine bakterielle Infektion und eine daraus resultierende Entzündung des Zahnfleischs und des Knochens unter fortschreitender Knochenabsorption rund um das Implantat. Als Ergebnis wächst ein Epithelium (Zahnfleisch) in Richtung des Bodens des Lochs, welches in dem Kieferknochen gebildet wurde (Einwachsen), d. h. das Zahnfleisch wächst derart, dass es zwischen der künstlichen Zahnwurzel und dem Kieferknochen entsteht und somit besteht keine Verbindung zwischen der künstlichen Zahnwurzel und dem Kieferknochen besteht. Des Weiteren wächst in dem Fall der Fixierung der künstlichen Zahnwurzel an den Kieferknochen unter Verwendung eines Gewindes, selbst wenn die künstliche Zahnwurzel ohne einen Zwischenraum zwischen derselben und dem Kieferknochen angebracht wird, fibröses Gewebe und entzündliches Gewebe in den Gewindekanal und kein Knochen wächst an der Seite des oberen Bereichs des Gewindes, d. h., es wird keine Adhäsion des Knochens und des Zahnfleisches an den oberen Bereich des Gewindes erreicht. Somit entsteht kein grenzseitiger Verschluss des oberen Bereichs des Gewindes und um das Implantat herum tritt eine Entzündung auf.
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Um die vorgenannten Probleme zu lösen, wird in Patentschrift 1 eine künstliche Zahnwurzel 100 beschrieben, die einen säulenartigen Einsatzteil 101 und einen Kopfteil 102 am oberen Ende des Einsatzteils 101 aufweist, worin zumindest ein Teil einer äußeren peripheren Oberfläche des Kopfteils 102 eine Induktionsschicht 103 aufweist, welche eine dreidimensionale Struktur besitzt, die Knochenzellen und/oder Epithelzellen induziert. Gemäß dieser künstlichen Zahnwurzel 100 wird an der oberen Seite der künstlichen Zahnwurzel 100 durch die Bereitstellung der Induktionsschicht 103 Zahnfleisch induziert, um so die künstliche Zahnwurzel 100 zu bedecken und dadurch das Einwachsen des Zahnfleischs zu verhindern.
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Stand der Technik Dokumente
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Patentdokument
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- Patentdokument 1: JP 2010-279653 A
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Zusammenfassung der Erfindung
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Durch die Erfindung gelöste Aufgabe
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Die vorgenannte Induktionsschicht 103 kann das Einwachsen des Zahnfleischs im Vergleich zu einer künstlichen Zahnwurzel ohne eine solche Induktionsschicht 103 verhindern. Allerdings wächst in dem Fall, in dem eine Induktionsschicht 103 zur Induzierung von Zahnfleisch vorgesehen ist, das Zahnfleisch nur schwer, wenn Substanzen, welche das Wachstum von Bakterien beschleunigen, wie z. B. Nahrung, an die Induktionsschicht 103 gelangen. Um ein Einwachsen zu verhindern, ist somit die regelmäßige Durchführung einer Behandlung wie einer Reinigung notwendig. Die Induktionsschicht 103 verbindet die künstliche Zahnwurzel mit dem Bindegewebe des Knochens und des Zahnfleischs.
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Somit kann durch Induzierung des Zahnfleischs auf dem Kopfteil 102 des Einsatzteils 101 mit der Induktionsschicht 103 das Einwachsen verhindert werden und es ist möglich, das Eindringen von Substanzen, welche das Wachstum von Bakterien beschleunigen, in eine zwischen der künstlichen Zahnwurzel 101 und dem Zahlfleisch gebildete Tasche zu erschweren. Allerdings ist es bevorzugt, es den Substanzen, welche das Wachstum von Bakterien beschleunigen, zu erschweren auf die Induktionsschicht 103 selbst zu gelangen. Somit ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Implantat-Struktur bereitzustellen, an welche Substanzen, die das Wachstum von Bakterien beschleunigen, erschwert gelangen können.
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Mittel zur Lösung der Aufgabe
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Die Implantat-Struktur der vorliegenden Erfindung umfasst: eine künstliche Zahnwurzel, enthaltend einen künstlichen Zahnwurzelhauptkörper mit einem distalen Endbereich und einem proximalen Endbereich mit einem Gewinde, das mindestens an der Seite des distalen Endbereichs ausgebildet ist, und einem Induktionsbereich zur Induzierung von Weichgewebe, welches an der äußeren Peripherie des proximalen Endbereichs des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers vorgesehen ist; und eine Trägerbasis, die an der künstlichen Zahnwurzel befestigt ist und die einen Deckbereich an einer Seite des proximalen Endes der Trägerbasis hat und die die gesamte Oberfläche der Seite des proximalen Endbereichs des Induktionsbereichs bedeckt, worin die Trägerbasis mit einer Stufe entlang ihrer äußeren Peripherie von dem Deckbereich hin zur Seite des distalen Endes der Trägerbasis versehen ist.
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Weiter ist es bevorzugt, dass der Stufenbereich eine schräge Form aufweist mit einem abnehmenden Durchmesser abseits des proximalen Endes der Trägerbasis.
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Weiter ist es bevorzugt, dass eine äußere Peripherie des Deckbereichs entlang der äußeren Peripherie des Induktionsbereichs ausgebildet ist.
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Es ist außerdem bevorzugt, dass eine Zahnkrone an der Trägerbasis fixiert ist.
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Weiterhin ist es bevorzugt, dass der Induktionsbereich eine dreidimensionale Struktur ineinander verwobener hoch-biokompatibler Fasern mit einem Durchmesser von 5 bis 100 μm und einer Porosität von 10% bis 90% aufweist.
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Wirkung der Erfindung
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Mit der Implantat-Struktur der vorliegenden Erfindung wird verhindert, dass Substanzen, die das Wachstum von Bakterien beschleunigen, direkt an den Induktionsbereich gelangen, da der Stufenbereich Substanzen; die das Wachstum von Bakterien beschleunigen, abfängt. Somit ist es einfach ein Einwachsen zu verhindern.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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(1(a)) Draufsicht auf die Gesamtheit der Implantat-Struktur der vorliegenden Erfindung.
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(1(b)) Teilquerschnitt, der einen Querschnitt der künstlichen Zahnwurzel in der Implantat-Struktur der vorliegenden Erfindung zeigt.
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(2) Querschnitt zur Erläuterung der Trägerbasis der Implantat-Struktur der vorliegenden Erfindung.
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(3) Teilquerschnitt, der eine Implantat-Struktur der vorliegenden Erfindung zeigt, die außerdem einen Induktionsbereich an der äußeren Peripherie des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers aufweist.
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(4) Draufsicht auf eine Implantat-Struktur der vorliegenden Erfindung mit einer Zahnkrone, die an der Trägerbasis fixiert ist.
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(5) Querschnitt, der eine konventionelle künstliche Zahnwurzel zeigt.
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Ausführungsformen zur Durchführung der Erfindung
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Unter Verweis auf die beigefügten Zeichnungen wird eine Implantat-Struktur der vorliegenden Erfindung nachfolgend im Detail erläutert.
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Wie in 1 gezeigt, weist eine Implantat-Struktur 1 der vorliegenden Erfindung eine künstliche Zahnwurzel 4 und eine Trägerbasis 5, die an der künstlichen Zahnwurzel 4 befestigt ist, auf. Die künstliche Zahnwurzel 4 umfasst einen künstlichen Zahnwurzelhauptkörper 2 und einen Induktionsbereich 3 zur Induzierung von Weichgewebe. Der künstliche Zahnwurzelhauptkörper 2 umfasst außerdem ein Gewinde T, welches mindestens an der Seite des distalen Endbereichs 21 ausgebildet ist. Der Induktionsbereich 3 zur Induzierung von Weichgewebe ist an der äußeren Peripherie des proximalen Endbereichs 22 des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 vorgesehen. Die Trägerbasis 5 weist einen Deckbereich 51 an der Seite des proximalen Endbereichs 5P der Trägerbasis auf, welcher die gesamte Oberfläche der Seite des proximalen Endbereichs 22 des Induktionsbereichs 3 bedeckt.
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„Distaler Endbereich” bezeichnet einen Endbereich der künstlichen Zahnwurzel 4, der in den Kieferknochen eingefügt wird, nämlich den Endbereich der künstlichen Zahnwurzel 4, der an der unteren Seite in den 1(a) und 1(b) lokalisiert ist. „Proximaler Endbereich” bezeichnet einen Endbereich, an welchem die Trägerbasis 5 befestigt ist und welcher gegenüber des distalen Endbereichs 21 der künstlichen Zahnwurzel 4 lokalisiert ist. Außerdem bezeichnet „proximales Ende der Trägerbasis” einen Endbereich der Trägerbasis, an welcher die Trägerbasis 5 an der künstlichen Zahnwurzel 4 befestigt ist (Endbereich der an der unteren Seite der Trägerbasis 5 in den 1(a), 1(b) und 2 lokalisiert ist), und „distales Ende der Trägerbasis”, wie unten beschrieben, bezeichnet einen Endbereich der gegenüber dem proximalen Ende 5P der Trägerbasis 5 lokalisiert ist (Endbereich, der an der oberen Seite der Trägerbasis 5 in den 1(a), 1(b) und 2 lokalisiert ist).
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Die künstliche Zahnwurzel 4 umfasst den künstlichen Zahnwurzelhauptkörper 2, der in einem in dem Kieferknochen gebildeten Loch mittels einem Gewinde T fixiert ist, und den Induktionsbereich 3, der an der äußeren Peripherie des proximalen Endbereichs 22 des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 vorgesehen ist. Der Induktionsbereich 3 induziert Weichgewebe (Zahnfleisch) nach Einsatz der künstlichen Zahnwurzel 4 in den Kieferknochen. Um die künstliche Zahnwurzel 4 an den Kieferknochen zu fixieren, ist in dem künstlichen Zahnwurzelhauptkörper 2 das Gewinde T zumindest teilweise an der Seite des distalen Endbereichs 21 ausgebildet oder das Gewinde T kann an der gesamten Seitenfläche des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 von der Seite des distalen Endbereichs 21 der künstlichen Zahnwurzel 4 bis zu der Seite des proximalen Endbereichs 22 vorgesehen sein. In dem künstlichen Zahnwurzelhauptkörper 2 wird ein Aufnahmeloch 23 mit einem innenliegenden Gewinde gebildet, und das Aufnahmeloch 23 erstreckt sich abwärts entlang einer Achse X der künstlichen Zahnwurzel 4 (siehe 1) von dem proximalen Endbereich 22 des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2. Ein Verbindungsbereich 53 der Trägerbasis (siehe 2), welcher ein Fixierungsmittel, wie ein außenliegendes Gewinde wie unten beschrieben, ist, wird in das Aufnahmeloch 23 eingeführt und fixiert. Der Verbindungsbereich 53 erstreckt sich von dem proximalen Ende 5P der Trägerbasis 5. Im Fall einer Trägerbasis 5 mit einer Zahnkrone 6 (siehe 4) wird zusätzlich zur Aufnahme der Zahnkrone 6 ein an der Trägerbasis 5 angebrachter Schaft (nicht in 4 gezeigt) vorgesehen und in die Zahnkrone 6 in gleicher Weise wie der Verbindungsbereich 53 der in 2 gezeigten Trägerbasis eingeführ und fixiert. Die Trägerbasis 5 kann als Gingivaformer oder als Einheilkappe dienen.
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Während der distale Endbereich 21 in einer Form und Struktur gebildet werden kann, die bei konventionellen Implantat-Strukturen üblich ist, kann die künstliche Zahnwurzel fest an den Kieferknochen konnektiert werden, indem der Winkel des distalen Endbereichs 21 in Abhängigkeit von der Implantat-Position in dem Kieferknochen und dem Durchmesser des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 auf 15° bis 75° eingestellt wird. Außerdem kann der distale Endbereich 21 sphärisch oder gedrillt ausgebildet sein. Außerdem ist das Material des distalen Endbereichs 21 nicht beschränkt, insbesondere solange es hoch-biokompatibel ist und beispielsweise Titan, Titanlegierungen, Zirkonium oder dergleichen, welche hoch-biokompatibel sind, können verwendet werden.
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Des Weiteren kann die künstliche Zahnwurzel 4 derart ausgestaltet sein, dass ihr äußerer Durchmesser an der Seite des proximalen Endbereichs 22 größer als der äußere Durchmesser des Gewindes T des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 ist (der äußere Durchmesser des Gewindes T an der oberen Seite in 1(a) und 1(b)), wodurch es möglich ist, die Bildung eines Spalts zwischen dem künstlichen Zahnwurzelhauptkörper 2 und dem Kieferknochen und die Bildung eines Einwachsens weitestgehend zu verhindern.
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Der Induktionsbereich 3 ist an der äußeren Peripherie des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 im proximalen Endbereich 22 vorgesehen. Um den Induktionsbereich 3 vorzusehen, ist der äußere Durchmesser der äußeren Peripherie des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 an der Seite des proximalen Endbereichs 22 der künstlichen Zahnwurzel 4 in dem Bereich, in dem der Induktionsbereich 3 vorgesehen ist, reduziert, so dass er entlang eines Teils oder entlang der gesamten äußeren Peripherie um die Breite des Induktionsbereichs 3 kleiner ist. Das bedeutet, dass der Induktionsbereich 3 ringförmig ausgebildet sein kann, so dass er die gesamte äußere Peripherie des proximalen Endbereichs 22 der künstlichen Zahnwurzel 4 umgeben kann, wie in den 1(a) und 1(b) gezeigt, oder er kann teilweise entlang der äußeren Peripherie des proximalen Endbereichs 22 vorgesehen sein.
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Der Induktionsbereich 3 dient zur Induzierung von Weichgewebe wie Zahnfleisch und die Struktur und das Material ist nicht beschränkt, insbesondere solange es Weichgewebe induzieren kann. Beispielsweise kann der Induktionsbereich 3 mit einer dreidimensionalen Struktur ineinander verwobener hoch-biokompatibler Fasern mit einem Durchmesser von 5 bis 100 μm und mit einer Porosität von 10 bis 90% verwendet werden. In dem Fall, worin der Induktionsbereich 3 eine dreidimensionale Struktur ineinander verwobener hoch-biokompatibler Fasern mit einem Durchmesser von 5 bis 100 μm und einer Porosität von 10 bis 90% aufweist, tritt Weichgewebe wie Zahnfleisch vorteilhaft in die Zwischenräume zwischen den Fasern des Induktionsbereichs 3 ein und wird stabilisiert und verbindet so die künstliche Zahnwurzel 4 mit dem Weichgewebe ohne Zwischenräume.
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Weiterhin ist die Porengröße dieses Induktionsbereichs 3 mit der dreidimensionalen Struktur 2 bis 500 μm, besonders bevorzugt 50 bis 200 μm. Beispiele der hoch-biokompatiblen Fasern sind Titanfasern oder Fasern aus einer Titanlegierung, welche eine Faser aus einem nicht-bioabsorbierbaren Material darstellt, Metallfasern, beispielsweise solche, die aus Edelstahl, Gold, Platin oder Kobalt gebildet sind, einer Polypropylenfaser, einer Polyethylenterephthalatfaser und synthetische Harzfasern, die aus Polyester und fluorhaltigen Harzen gebildet sind. Außerdem können Fasern aus einem bioabsorbierbaren Material wie Polymilchsäure, Chitin, Chitosan, Polycaprolactan, Polyglykolsäure, Stärke, Kollagen oder dergleichen verwendet werden. Des Weiteren können auch gesinterte granuläre Metalle und hoch-biokompatible poröse Keramiken verwendet werden. Beispiele derartiger Keramiken sind bioabsorbierbare Keramiken wie α-Trikalziumphosphat und β-Trikalziumphosphat und nicht-bioabsorbierbare Keramiken wie Hydroxyapatit, Aluminium, Zirkonium, Carbon, Kalziumphosphat, Glaskeramiken, Titaniumnitrit und Titaniumcarbide.
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In den Induktionsbereich 3 können Fibrin, cytokine Faktoren wie zellinduzierende Faktoren und blutgefäßinduzierende Faktoren und plättchenbildende Wachstumsfaktoren, welche Faktoren im Blut sind, eingebracht werden, um so die Bildung von Zellen zu beschleunigen. Diese Faktoren können aus natürlichen Produkten (einem zu heilenden Patienten oder anderen lebenden Organismen) extrahiert werden oder sie können künstlich erzeugt werden. Zusätzlich kann in dem Induktionsbereich 3 eine physiologisch aktive Substanz oder ein physiologisch aktiver Wirkstoff, welcher Biozellen aktiviert, absorbiert werden.
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Um die Induzierung von Knochenzellen, die Bildung von neuem Knochen und das Verwachsen des gebildeten neuen Knochens zu erleichtern, kann, wie in den 3 und 4 gezeigt, eine Knochenzelleninduzierende Schicht 7 zur Induzierung von Knochenzellen im mittleren Bereich zwischen dem distalen Endbereich 21 und dem proximalen Endbereich 22 der künstlichen Zahnwurzel 4 vorgesehen sein, so dass die künstliche Zahnwurzel 4 stabiler an dem Kieferknochen fixiert werden kann.
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Die Trägerbasis 5 kann, wie in 2 gezeigt, entweder als eine Einheilkappe verwendet werden, die an der künstlichen Zahnwurzel 4 für eine vorgesehene Zeit nach der Operation befestigt ist, bis Zahnfleisch um die künstliche Zahnwurzel herum gewachsen ist und der künstliche Zahnwurzelhauptkörper 2 mit dem Kieferknochen fest verbunden ist (siehe 2), oder als die Trägerbasis 5 mit der Zahnkrone 6 (siehe 4). Diese Trägerbasis 5 ist mit dem Verbindungsbereich 53 der Trägerbasis mit einem außenliegenden Gewinde zur Verbindung mit dem Aufnahmeloch 23 der künstlichen Zahnwurzel 4 mit einem innenliegenden Gewinde versehen. In der in 2 gezeigten Ausführungsform ist die Trägerbasis 5 mit der künstlichen Zahnwurzel 4 durch Verschrauben der Trägerbasis 5 mit dem Aufnahmeloch 23 der künstlichen Zahnwurzel 4 verbunden. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsform, wie in 2 gezeigt, beschränkt, solange die Trägerbasis 5 fest mit der künstlichen Zahnwurzel 4 verbunden werden kann.
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In der in den 1(a) und 1(b) und 2 gezeigten Trägerbasis 5 ist ein im Wesentlicher zylindrischer Bereich 54 an der oberen Seite des Stufenbereichs 52 vorgesehen. Allerdings kann die Trägerbasis 5 selbstverständlich in einer im Wesentlichen konischen Form oder in einer anderen Form ausgebildet werden, ohne einen im Wesentlichen zylindrischen Bereich 54 an der oberen Seite des Stufenbereichs 52 auszubilden, solange die künstliche Zahnwurzel einfach befestigt und entfernt werden kann.
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Des Weiteren ist das Material der Trägerbasis 5, wie insbesondere auch bei dem künstlichen Zahnwurzelhauptkörper 2, nicht beschränkt, solange es ein hoch-biokompatibles Material ist und so kann beispielsweise Titan oder eine Titanlegierung mit hoher Biokompatibilität verwendet werden.
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Wie in den 1(a), 1(b) und 2 gezeigt, hat die Trägerbasis 5, die an der künstlichen Zahnwurzel 4 befestigt wird, an der Seite des proximalen Endes 5P der Trägerbasis den Deckbereich 51, der die gesamte Oberfläche des Induktionsbereichs 3 an der Seite des proximalen Endbereichs 22 (obere Seite des Induktionsbereichs 3 in 1) bedeckt, Der Deckbereich 51 ist ein Bereich, um den Induktionsbereich 3 in 1 von oben abzudecken. Da der Deckbereich 51 die gesamte Oberfläche des Induktionsbereichs 3 an der Seite des proximalen Endbereichs 22 (obere Seite in 1) bedeckt, wird verhindert, dass Substanzen, die das Wachstum von Bakterien beschleunigen, direkt an den Induktionsbereich 3 von der Seite des proximalen Endbereichs 22 gelangen, wodurch es möglich wird, den Kontakt der Substanzen, die das Wachsen von Bakterien beschleunigen, mit dem Induktionsbereich 3 und damit das Wachstum von Bakterien auf dem Induktionsbereich 3 zu verhindern. Dadurch ist es nicht notwendig, den Induktionsbereich 3 regelmäßig zu reinigen, um das Einwachsen zu verhindern und die Aufrechterhaltung des Induktionsbereichs 3 wird einfach. Zusätzlich kann das Wachstum von Zahnfleisch im Induktionsbereich 3 beschleunigt werden. Der Deckbereich 51 ist nicht beschränkt, insbesondere solange er mindestens die gesamte Oberfläche der Seite des proximalen Endbereichs 22 des Induktionsbereichs 3 bedecken kann, und der Deckbereich 51 kann so ausgebildet sein, dass er sich über die äußere Peripherie des Induktionsbereichs 3 hinaus erstreckt und sich in äußerer radialer Richtung des künstlichen Zahnwurzelhauptkörpers 2 ausdehnt.
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Wie in den 1(a) und 1(b) gezeigt, ist es bevorzugt, dass die äußere Peripherie des Deckbereichs 51 entlang der äußeren Peripherie des Induktionsbereichs 3 ausgebildet ist, um den Induktionsbereich 3 sicher zu bedecken.
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Wie in 1 gezeigt, ist die Trägerbasis 5 mit einem Stufenbereich 52 entlang der äußeren Peripherie des Deckbereichs 51 entlang der Seite des distalen Endes 5D der Trägerbasis 5 (obere Seite der Trägerbasis 5 in 1) ausgestattet. Der Stufenbereich 52 ist nicht auf eine, wie in 1 gezeigte, angeschrägte Form mit einem von dem proximalen Endbereich 22 her abnehmenden Durchmesser beschränkt und der Stufenbereich 52 kann treppenförmig entlang der Richtung der Achse X (siehe 1(a)) der künstlichen Zahnwurzel 4 ausgebildet sein. Während in den 1(a), 1(b) und 2 der Stufenbereich 52 derart gebildet ist, dass eine Grenzfläche zwischen dem proximalen Ende 5P der Trägerbasis 5 und dem Stufenbereich 52 mit einer scharfen Kante gebildet wird, kann auch der Stufenbereich 52 und ein ansteigender Bereich (nicht gezeigt) ausgebildet werden. Der ansteigende Bereich (nicht gezeigt) wird mit einer vorgegebenen Höhe in der vertikalen Richtung (eine Aufwärtsrichtung in 2) von der Peripherie des proximalen Endes 5P der Trägerbasis vorgesehen. Der Stufenbereich 52 wird vom oberen Ende des ansteigenden Bereichs gebildet. Der „Stufenbereich” umfasst solche, die einen ansteigenden Bereich in der Mitte des angeschrägten Stufenbereichs 52 aufweisen und solche, die aus einer Kombination des angeschrägten Stufenbereichs 52 und des treppenförmigen Stufenbereichs 52 gebildet sind.
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Im Stufenbereich 52 ist das Verhältnis der Länge L1 (siehe 2) in radialer Richtung des Stufenbereichs 52 zur Höhe L2 (siehe 2) des Stufenbereichs 52, also L1/L2 nicht besonders beschränkt. Im Fall eines angeschrägten Stufenbereichs 52 ist ein Winkel θ (siehe 2), der durch das proximale Ende 5P der Trägerbasis 5 und den Stufenbereich 52 gebildet wird, nicht besonders beschränkt, solange er in einem Bereich von 0° < θ < 90° liegt. Um Substanzen, die das Wachstum von Bakterien beschleunigen, an dem Stufenbereich 52 abzufangen, ist bevorzugt 0 < L1/L2 ≤ 1 (Winkel θ (siehe 2): 0° < θ ≤ 45°). Außerdem ist in dem Fall, in dem der Stufenbereich 52 treppenförmig gebildet ist, die Anzahl der Stufen und die Breite und Höhe der Stufen des treppenförmigen Stufenbereichs 52 nicht besonders beschränkt.
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Im Fall des angeschrägten Stufenbereichs 52 ist eine Länge L3 des angeschrägten Stufenbereichs 52 nicht besonders beschränkt und liegt bevorzugt in einem Bereich von 0,1 ≤ L3 ≤ 5,0 (mm), um an dem Stufenbereich 52 das Abfangen von Substanzen, die das Wachstum von Bakterien beschleunigen, effizient zu bewirken.
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Da durch den Stufenbereich 52, der an der Trägerbasis 5 gebildet ist, Nahrungsrückstände und andere Substanzen, die das Wachstum von Bakterien beschleunigen, abgefangen werden, bevor sie an den Induktionsbereich 3 gelangen, kann das Wachstum von Zahnfleisch am Induktionsbereich 3 beschleunigt werden und das Einwachsen wird inhibiert. Außerdem wird durch das nach der Implantations-Operation entlang des Stufenbereichs 52 gebildete Zahnfleischwachstum die Bildung einer Tasche in vertikaler Richtung zwischen dem Zahnfleisch und der künstlichen Zahnwurzel 4 erschwert und der Stufenbereich 52 fängt Substanzen, die das Wachsen von Bakterien beschleunigen, ab und verhindert, dass diese Substanzen direkt an den Induktionsbereich 3 gelangen, was die Inhibierung des Einwachsens erleichtert. In den in den 1 bis 4 gezeigten Ausführungsformen, ist ein im Wesentlichen zylindrischer Bereich 54 vorgesehen, wobei der im Wesentlichen zylindrische Bereich 54 nicht notwendigerweise vorgesehen werden muss. Der im Wesentlichen zylindrische Bereich 54 muss nicht vorgesehen werden, was von der Länge des Stufenbereichs 52 und dem Verhältnis zwischen dem äußeren Durchmesser des Stufenbereichs 52 und der Trägerbasis 5 abhängt.
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Wie in 1 gezeigt, ist der Stufenbereich 52 bevorzugt in angeschrägter Form mit einem Durchmesser, der vom proximalen Ende 5P des Deckbereichs 51 der Trägerbasis her abnimmt, vorgesehen. Mit dem angeschrägten Stufenbereich 52 mit einer glatten Oberfläche wird das Wachstum von Zahnfleisch nicht beeinträchtigt und es wird verhindert, dass Substanzen, die das Wachsen von Bakterien beschleunigen, direkt an den Induktionsbereich 3 gelangen und somit kann ein Einwachsen unterbunden werden.
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Bezugszeichenliste
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- 1
- Implantat-Struktur
- 2
- Künstlicher Zahnwurzelhauptkörper
- 21
- Distaler Endbereich
- 22
- Proximaler Endbereich
- 23
- Aufnahmeloch
- 3
- Induktionsbereich
- 4
- Künstliche Zahnwurzel
- 5
- Trägerbasis
- 51
- Deckbereich
- 52
- Stufenbereich
- 53
- Verbindungsbereich der Trägerbasis
- 54
- Im Wesentlicher zylindrischer Bereich
- 5D
- Distales Ende der Trägerbasis
- 5P
- Proximales Ende der Trägerbasis
- 6
- Zahnkrone
- 7
- Knochenzellen-induzierende Schicht
- T
- Gewinde
