DE1036315B - Fuer Schaltzwecke zu verwendender Verbundtransistor - Google Patents
Fuer Schaltzwecke zu verwendender VerbundtransistorInfo
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Description
DEUTSCHES
Aus der Transistorverstärkertechnik her ist es bekannt, zwei Transistoren zu einem sogenannten Verbundtransistor,
in der Literatur auch als Compound-Transistor bezeichnet, zusammenzufassen. Einen
solchen bekannten Verbundtransistor zeigt die Schaltungsanordnung nach Fig. 1. Dabei ist mit T1 der
Vor- und mit T2 der Haupttransistor bezeichnet. Beide Transistoren sind im vorliegenden Beispiel in
Emitterschaltung betrieben, dabei ist die Emitterelektrode des Vortransistors mit der Basiselektrode
des Haupttransistors verbunden, während die Emitterelektrode des Haupttransistors die für den Ein- und
den Ausgangskreis gemeinsame Elektrode des Verbundtransistors darstellt. Die beiden Kollektorelektroden
werden zu einer gemeinsamen Ausgangsklemme zusammengefaßt. Die ganze Schaltung stellt
einen neuen Transistor dar. Die zum Betrieb der Transistoren erforderliche Gleichspannung wird diesen
über die Klemme2 zugeführt; bei einem p-n-p-Flätihentransistor
oder bei. einem n-leitenden Spitzenkontakttransistor
·— in Emitterschaltung betrieben — ist diese Spannung die Kollektorspannung — Uc. Das
Prinzip des Verbundtransistors kann man auch noch auf mehr als zwei Transistoren ausdehnen. Sind die
Für Schaltzwecke
zu verwendender Verbundtransistor
zu verwendender Verbundtransistor
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
München 2, Witteisbacherplatz 2
Dipl.-Ing. Peter Gerke, München-Solln,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
d'as das Eindringen des Sperrstromes des Vortransistors
in den Haupttransistor verhinderndie Sdhaltmittel aus einem hochohmigen Widerstand besteht,
der an der Steuerelektrode des Haupttransistors anTransistoren T1, T2 usw. zu einem Verbundtransistor 25 geschlossen ist und aus einer Gleichstromquelle gezusammengeschaltet,
so folgt eine Gesamtstromver- speist wird, deren Spannung kleiner als die am Ein-
stärkung, die gegeben ist durch etwa ßv ß2, ..., wenn
der Stromverstärkungsfaktor in Emitterschaltung des ersten Transistors mit ßv des zweiten mit ß2 usw. bezeichnet
ist. Die Erzielung eines hohen Stromverstärkungsfaktors ist der besondere Vorteil, den der Verbundtransistor
besitzt.
Nachteilig ist jedoch, daß sich der Verbundtransistor in dieser bekannten Form schlecht verriegeln!
gang liegende Sperrspannung ist und eine Polarität besitzt, die der an den Ausgangselektroden der Transistoren
liegenden entgegengesetzt ist.
Eine andere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß das das Eindringen des Sperrstromes des
Vortransistors in den Haupttransistor verhindernde Schaltmittel aus einem Gleichrichter besteht, der zwischen
der Steuerelektrode des Vortrans i'stors und der
läßt. Liegt am Eingang 1 eine positive Spannung 35 Eingangselektrode des Haupttransistors angeschlos-
+ Usp, so wird der Vortransistar T1 gesperrt, sein sen fet.
Sperrstrom Ic?1 jedoch entriegelt den Haupttransi- Besonders vorteilhaft ist der gemäß der Erfindung
stör T2 teilweise, somit führt der Haupttransistor den angegebene Aufbau des Verbundtransistors beim BeStrom
ß2-Icov wobei /J2 im allgemeinen größer als trieb in Emitterschaltung, aber auch beim Betrieb in
20 ist, ja sogar größer als 100 werden kann. Auf diese 40 Basis- oder Kollektorschaltung ist eine beträchtliche
Weise ist der Verbundtransistor für Schaltzwecke Verbesserung erzielbar.
nahezu unbrauchbar. Die Erfindung wird an Hand zweier in den Fig. 2
Durch die Erfindung wird nun die Möglichkeit ge- und 3 dargestellter als Ausführungsbeispiele zu
schaffen, einen wenigstens aus einem Vor- und einem wertender Schaltschemata näher erläutert. Die in den
Haupttransistor bestehenden Verbundtransistor auch 45 Fig. 2 und 3 gewählte Bezeichnungeweise stimmt mit
für Schaltzwecke zu verwenden; dieser Verbundtran- der in der Fig. 1 verwendeten überein,
sistor ist dadurch gekennzeichnet, daß bei Sperrung Die Schaltungsanordnung nach Fig. 2 zeigt eine
des Vortransistors die Steuerelektrode des Haupttran- Ausführungsform, um das Sperrverhalten des Ver-
sistors auf einem separaten Weg über einen derart bundtransistors zu verbessern. Hierbei besteht das das
gewählten Vorwiderstand Sperrpotential erhält, daß 50 Eindringen des Sperrstromes des Vortransistors T1 in
bei öffnung des Vortransistors das Sperrpotential an den Haupttransistor T2 verhindernde Schaltmittel aus
pp
der Steuerelektrode des Haupttransistors aufgehoben wird.
Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß
Eine Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß
p 2
einem hochohmigen Widerstand Rv, der an der Steuerelektrode
des Haupttransistors, das ist die BasiseLektrode von T2, angeschlossen ist und aus einer Gleich-
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stromquelle, die an der Klemme 3 liegt, gespeist wird, deren Spannung Uv kleiner als die an der Eingangsklemme 1 liegende Sperrspannung + i7sp ist, und eine
Polarität besitzt, die der an den Ausgangselektroden der Transistoren, also der an der Klemme 2 befindliehen
Kollektorspannung — Uc entgegengesetzt ist.
Es wird somit über den hochohmigen Widerstand Rv ständig eine positive Vorspannung + Uv der Basis
des Haupttransistors T2 zugeführt. Diese Sperrspannung
wird aber nur dann wirksam, wenn der Vortransistor T1 durch eine positive Spannung + Usp am
Eingang 1 hochohmig wird. Nachteilig ist bei dieser Schaltung, daß im leitenden Zustand des Verbundtransistors
ein Teil der Stromverstärkung ß1 des Vortransistors
T1 verlorengeht, da der Kollektorstrom tg
des Vortransistors nur zu einem Teil von der Basis des Haupttransistors T2 herrührt. Der über den Vorwiderstand
Rv fließende Anteil des Kollektorstromes des Vortransistors geht der Gesamtstromverstärkung
verloren. ao
Dieser Verlust läßt sich vermeiden, wenn, wie aus der Schaltungsanordnung nach Fig. 3 hervorgeht,
daß das Eindringen des Sperrstromes des Vortransistors in den Haupttransistor verhindernde Schaltmittel
aus einem Gleichrichter G/ besteht, der zwischen der Steuerelektrode des Vortransistors und der Eingangselektrode
des Haupttransistors, also zwischen den beiden Basiselektroden angeschlossen ist. Im
leitenden Zustand des Verbundtransistors stört der Gleichrichter Gl nicht, da er damn entsprechend der
gewählten Polarität des Gleichrichters sperrt. Liegt die positive Sperrspannung + Usp an den Eingangsklemmen 1, so kann, sich diese Sperrspannung über
den Durchlaßwiderstand des Gleichrichters direkt an der Basis des Haupttranaistors T2 auswirken. Der „„
Vortransistor T1 sperrt dabei auch, da sich an der sperrenden Elektrode des Gleichrichters Gl sicher ein
negativeres Potential als an der nichtsperrenden Elektrode des Gleichrichters ausgebildet, d'. h. also, daß die
Emitterelektrode des Vortransistors negativer als ihre Basiselektrode ist. Man kann diese Schaltung
auch so auffassen, daß der Sperrstrom ICo t des Vortransistors
nicht mehr über die Basis des Haupttransistors, sondern über den Gleichrichter fließt.
Während bei der bekannten Schaltungsanordnung
nach Fig. 1 bei Anlegen der Sperrspannung + Usp am
Eingang der Strom (1 + ß2) · Iqoi durch den Lastwiderstand
RL mit einem Stromverstärkungsfaktor ß2,
der größer als 20 ist, fließt, beträgt der Sperrstrom, der durch den in der Schaltungsanordnung nach Fig. 3
angeordneten LastwiderstandRx. fließt, nur /coi+^Co2'
wenn /Co2 der Kollektorsperrstrom des Haupttransistors
ist.
Claims (6)
1. Für Schaltzwecke zu verwendender, aus wenigstens einem Vor- und einem Haupttransistor
bestehender Verbundtransistor, dadurch gekennzeichnet, daß bei Sperrung des Vortransistors die
Steuerelektrode des Haupttransistors auf einem separaten Weg über einen derart gewählten Vorwiderstand
Sperrpoteiitial erhält, daß bei öffnung des Vortransistors das Sperrpotential an der
Steuerelektrode des Haupttransistors aufgehoben wird.
2. Verbundtransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorwiderstand aus einem
hochohmigen Widerstand besteht, der an der Steuerelektrode des Haupttransistors angeschlossen
ist und aus einer Gleichstromquelle gespeist wird, deren Spannung kleiner als die am Eingang des
Vortransistors liegende Sperrspannung ist und eine Polarität besitzt, die der an den Ausgangselektroden,
der Transistoren liegenden entgegengesetzt ist.
3. Verbundiranisistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorwiderstand aus einem
Gleichrichter besteht, der zwischen der Steuerelektrode des Vortransistors und der Steuerelektrode
des Haupttransistors angeschlossen ist.
4. Verbundtransistor nach einem der vorhergehenden Aneprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
Vor- und Haupttransistor in Emitterschaltung betrieben werden.
5. Verbundtransistor nach einem der Ansprüche 1 bi<s 3, dadurch gekennzeichnet, daß Vor-
und Haupttransiistor in Basisschaltung betrieben werden.
6. Verbundtransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß Vor-
und Haupttransistor in Kollektorschaltung betrieben werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
©80» 597/251 β.»
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE558124D BE558124A (de) | 1956-06-07 | ||
DES48979A DE1036315B (de) | 1956-06-07 | 1956-06-07 | Fuer Schaltzwecke zu verwendender Verbundtransistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DES48979A DE1036315B (de) | 1956-06-07 | 1956-06-07 | Fuer Schaltzwecke zu verwendender Verbundtransistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1036315B true DE1036315B (de) | 1958-08-14 |
Family
ID=7487072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES48979A Pending DE1036315B (de) | 1956-06-07 | 1956-06-07 | Fuer Schaltzwecke zu verwendender Verbundtransistor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE558124A (de) |
DE (1) | DE1036315B (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3305707A (en) * | 1961-03-30 | 1967-02-21 | Scm Corp | Transistor bias circuits |
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FR2366746A1 (fr) * | 1976-10-01 | 1978-04-28 | Siemens Ag | Procede pour commander un transistor fonctionnant a l'etat de saturation et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede |
DE2822880A1 (de) * | 1977-05-31 | 1978-12-14 | Western Electric Co | Bipolare transistor-schalteranordnung |
-
0
- BE BE558124D patent/BE558124A/xx unknown
-
1956
- 1956-06-07 DE DES48979A patent/DE1036315B/de active Pending
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Also Published As
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BE558124A (de) |
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