DE10347467B4 - Frequenzmultiplizierer und zugehöriges Multiplizierverfahren sowie Datenausgabepuffer und Halbleiterbaustein - Google Patents

Frequenzmultiplizierer und zugehöriges Multiplizierverfahren sowie Datenausgabepuffer und Halbleiterbaustein Download PDF

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Abstract

Frequenzmultiplizierer, der ein externes Taktsignal (CLK, CLKB) mit einer vorbestimmten Frequenz empfängt, das externe Taktsignal (CLK, CLKB) multipliziert und das multiplizierte Taktsignal als internes Taktsignal (PCLK) ausgibt,
gekennzeichnet durch
– einen ersten Pulssignalgenerator (410), der ein erstes Taktsignal (CLK) und ein zweites Taktsignal (CLKB) empfängt, welche die gleiche Frequenz haben, und ein erstes Pulssignal (A) mit einer ersten Pulsbreite ausgibt, wenn der Pegel des ersten Taktsignals (CLK) größer als der Pegel des zweiten Taktsignals (CLKB) ist;
– einen zweiten Pulssignalgenerator (420), der in Abhängigkeit von einem ersten Steuersignal (DE) freigegeben wird und eine Referenzspannung (VREF) und das erste Taktsignal (CLK) empfängt und ein zweites Pulssignal (B) mit einer zweiten Pulsbreite ausgibt, wenn der Pegel der Referenzspannung (VREF) größer als der Pegel des ersten Taktsignals (CLK) ist; und
– eine ODER-Schaltung (450), die das erste Pulssignal (A) und das zweite Pulssignal (B) empfängt und die logische Summe...

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Frequenzmultiplizierer, auch Frequenzvervielfacher bezeichnet, nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein zugehöriges Verfahren zur Frequenzvervielfachung sowie einen Datenausgabepuffer und einen Halbleiterbaustein mit einem solchen Frequenzmultiplizierer.
  • Bei der Entwicklung eines Halbleiterbausteins werden Speicherchips getestet, ob irgendwelche Speicherzellen nach deren Herstellung Defekte aufweisen. Speicherzellentests zur Überprüfung der normalen Funktion können während des Halbleiterherstellungsprozesses oder danach durchgeführt werden. Bei einem Test, der nach der Herstellung des Speicherchips durchgeführt wird, werden Daten in den Halbleiterbaustein eingegeben und vom Ausgabeanschluss ausgegeben und getestet. Die Tests werden mit einem Testaufbau für den Halbleiterbaustein durchgeführt. Der Testaufbau legt ein externes Taktsignal an den Halbleiterbaustein an und empfängt ein Ausgabesignal als Reaktion auf Da ten, die vom Halbleiterbaustein in die Speicherzellen geschrieben werden. Das vom Testaufbau empfangene Ausgabesignal des Halbleiterbausteins wird daher benutzt, um festzustellen, ob die Speicherzelle irgendeinen Defekt hat.
  • Um diese Tests durchzuführen, sollten die Taktsignalfrequenzen des Halbleiterbausteins und des Testaufbaus gleich sein, so dass der Testaufbau fehlerlos die Ausgabedaten des Halbleiterbausteins detektieren kann. Die Betriebsgeschwindigkeiten des Halbleiterbausteins und des Testaufbaus sind jedoch häufig verschieden. Insbesondere kann die Betriebsgeschwindigkeit des Testaufbaus bei zunehmendem Ansteigen der Betriebsgeschwindigkeit von Halbleiterbausteinen nicht mehr mithalten. Deshalb müssen die Tests mit der Betriebsgeschwindigkeit des Testaufbaus durchgeführt werden.
  • Ist die Betriebsgeschwindigkeit des Halbleiterbausteins beispielsweise 400MHz und die Betriebsgeschwindigkeit des Testaufbaus 100MHz, dann müssen die Tests mit der Betriebsgeschwindigkeit des Testaufbaus, d.h. mit 100MHz, durchgeführt werden. Da die Betriebsgeschwindigkeit des Testaufbaus konstant ist und nur durch einen Austausch des Testaufbaus verändert werden kann, müssen die Tests mit der Betriebsgeschwindigkeit des Testausaufbaus durchgeführt werden.
  • Für einen Halbleiterbaustein mit einer niedrigen Betriebsgeschwindigkeit ist die begrenzte Betriebsgeschwindigkeit des Testaufbaus tolerierbar. Da die Betriebsgeschwindigkeit und die Speicherkapazität der Halbleiterbausteine immer mehr zunehmen, sind die Betriebsgeschwindigkeiten des Halbleiterbausteins und des Testaufbaus jedoch häufig verschieden. Deshalb steigt die benötigte Testzeit an und die Tests werden ineffizient. Da die benötigte Testzeit direkt mit den Herstellungskosten des Halbleiterbausteins zusammenhängt, kann die verlängerte Testzeit ein Ansteigen der Herstellungskosten verursachen, was zu einem Ansteigen der Halbleiterbausteinkosten führen kann. Deshalb wird ein Halbleiterbaustein benötigt, der mit einem Testaufbau bei einer niedrigen Testgeschwindigkeit getestet und mit einer hohen Betriebsgeschwindigkeit betrieben werden kann.
  • In der Offenlegungsschrift EP 1 168 369 A2 ist ein synchroner Halbleiterspeicherbaustein offenbart, der in einem Testmodus mit gegenüber dem Normalbetrieb doppelter Betriebsgeschwindigkeit arbeitet, ohne die Betriebsfrequenz einer zugehörigen Testeinheit zu erhöhen. Dazu beinhaltet der synchrone Halbleiterspeicherbaustein unter anderem einen Taktsignalgenerator mit einem frequenzverdoppelnden Pulssignalgenerator.
  • In der Patentschrift US 5.959.915 ist ein Testverfahren für synchrone Speicherbausteine hoher Geschwindigkeit unter Verwendung einer Testeinheit beschrieben, die einen aus zwei parallelen Pulssignalgeneratoren aufgebauten Frequenzverdoppler beinhaltet.
  • In der Offenlegungsschrift DE 199 17 320 A1 ist ein Taktgenerator für ein Halbleiter-Prüfsystem offenbart, der unter anderem eine variable Verzögerungsschaltung mit mehreren in Reihe geschalteten Flip-Flops beinhaltet, die mit einem ersten Taktsignal synchronisiert sind und deren Ausgangssignale einem Multiplexer zugeführt werden. Dessen Ausgangssignal wird über eine Gatterschaltung mit einem zweiten Taktsignal synchronisiert.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen Halbleiterbaustein sowie einen zugehörigen Frequenzmultiplizierer und ein zugehöriges Verfahren sowie einen Datenausgabepuffer derart zur Verfügung zu stellen, dass der Halbleiterbaustein fehlerfrei bei genügend niedriger Testgeschwindigkeit getestet werden kann, auch wenn er im normalen Betrieb mit höherer Betriebsgeschwindigkeit arbeitet.
  • Die Erfindung löst diese Aufgabe durch einen Frequenzmultiplizierer mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, durch einen Datenausgabepuffer mit den Merkmalen des Patentanspruchs 11, durch einen Halbleiterbaustein mit den Merkmalen des Patentanspruchs 14 oder 15 und durch ein Frequenzvervielfachungsverfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 16.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Es zeigen:
  • 1 ein schematisches Blockschaltbild eines Halbleiterbausteins und eines Testaufbaus;
  • 2 ein Schaltbild eines herkömmlichen Frequenzmultiplizierers;
  • 3 ein Zeitablaufdiagramm von verschiedenen Signalen des Frequenzmultiplizierers aus 2;
  • 4 ein Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Frequenzmultiplizierers;
  • 5 ein Zeitablaufdiagramm von verschiedenen Signalen des Frequenzmultiplizierers aus 4;
  • 6 ein Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Datenausgabepuffers eines Halbleiterbausteins;
  • 7 ein Zeitablaufdiagramm von verschiedenen Signalen des Datenausgabepuffers aus 6; und
  • 8 ein Blockschaltbild eines ertindungsgemäßen Halbleiterbausteins mit Frequenzmultiplizierer und Datenausgabepuffer.
  • 1 zeigt eine schematische Darstellung eines Halbleiterbausteins und eines Testaufbaus. Wie aus 1 ersichtlich ist, ist ein zu testender Halbleiterspeicherbaustein 100 mit einem Testaufbau 110 verbunden. Die Betriebsgeschwindigkeit des Halbleiterbausteins 100 und des Testaufbaus 110 sind jedoch verschieden.
  • Deshalb stellt die vorliegende Erfindung einen Frequenzmultiplizierer zur Verfügung, der externe Taktsignale CLK und CLKB vom Testaufbau 110 empfängt und die Frequenzen der externen Taktsignale CLK und CLKB mit einem Faktor N multipliziert. Zudem wird ein Datenausgabepuffer zur Datenausgabe zur Verfügung gestellt, der an einem Ausgabeanschluss des Halbleiterbausteins 100 Daten an den Testaufbau 110 ausgibt.
  • 2 zeigt ein Schaltbild eines herkömmlichen Frequenzmultiplizierers 200 und 3 zeigt ein Zeitablaufdiagramm von verschiedenen Signalen des Frequenzmultiplizierers aus 2. Der Frequenzmultiplizierer 200 umfasst einen Differenzverstärker 210, einen ersten Pulssignalgenerator 220, einen zweiten Pulssignalgenerator 230 und eine ODER-Schaltung 240.
  • Der Differenzverstärker 210 empfängt die externen Taktsignale CLK und CLKB, verstärkt die Differenz zwischen den externen Taktsignalen CLK und CLKB und gibt das verstärkte Signal an den ersten Pulssignalgenerator 220 und an den zweiten Pulssignalgenerator 230 aus. Der erste Pulssignalgenerator 220 umfasst eine Mehrzahl von Invertern 221, 222, 223 und 225 und ein NAND-Gatter 224, um ein erstes Pulssignal A mit einer vorgegebenen Pulsbreite an einer ansteigenden Flanke des externen Taktsignals CLK auszugeben.
  • Der zweite Pulssignalgenerator 230 umfasst eine Mehrzahl von Invertern 231, 232, 233, 235 und 236 und ein NAND-Gatter 234, um ein zweites Pulssignal B mit einer vorgegebenen Pulsbreite an einer abfallenden Flanke des externen Taktsignals CLK auszugeben. Die ODER-Schaltung 240 gibt eine logische Summe des ersten Pulssignals A und des zweiten Pulssignals B als internes Taktsignal PCLK aus.
  • Wie aus 3 ersichtlich ist, entsteht ein Versatz bei der Erzeugung des zweiten Pulssignals B. Dieser wird durch die Zeitdifferenz zwischen dem ersten Pulssignalgenerator 220 und dem zweiten Pulssignalgenerator 230 hervorgerufen, d.h. die Verzögerung des Inverters 236 des zweiten Pulssignalgenerators 230, die nachfolgend mit α bezeichnet wird, ruft den Versatz hervor.
  • 4 zeigt ein Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Frequenzmultiplizierers 400 und 5 zeigt ein Zeitablaufdiagramm von verschiedenen Signalen des Frequenzmultiplizierers 400 aus 4.
  • Der Frequenzmultiplizierer 400 umfasst einen ersten Pulssignalgenerator 410, einen zweiten Pulssignalgenerator 420, einen dritten Pulssignalgenerator 430, einen vierten Pulssignalgenerator 440 und eine ODER-Schaltung 450. Der erste Pulssignalgenerator 410 empfängt ein erstes Taktsignal CLK und ein zweites Taktsignal CLKB und gibt ein erstes Pulssignal A aus. Der zweite Pulssignalgenerator 420 wird durch ein erstes Steuersignal DE oder ein zweites Steuersignal QE freigegeben und empfängt eine Referenzspannung VREF und das erste Taktsignal CLK und gibt ein zweites Pulssignal B aus. Der dritte Pulssignalgenerator 430 wird durch das zweite Steuersignal QE freigegeben und empfängt die Referenzspannung VREF und das zweite Taktsignal CLKB und gibt ein drittes Pulssignal C aus. Der vierte Pulssignalgenerator 440 wird durch das zweite Steuersignal QE freigegeben und empfängt die Referenzspannung VREF und das zweite Taktsignal CLKB und gibt ein viertes Pulssignal D aus.
  • In diesem Ausführungsbeispiel umfasst der erste Pulssignalgenerator 410 einen Differenzverstärker 411 und eine Mehrzahl logischer Schaltungen 412, 413, 414, 415 und 416. Der Differenzverstärker 411 empfängt das erste Taktsignal CLK an einem ersten Eingabeanschluss und das zweite Taktsignal CLKB an einem zweiten Eingabeanschluss, verstärkt die Differenz zwischen dem ersten Taktsignal CLK und dem zweiten Taktsignal CLKB und gibt das verstärkte Signal aus.
  • Eine Mehrzahl von Invertern 412, 413 und 414 sind in Reihe geschaltet, wobei der Inverter 412 das Ausgabesignal des Differenzverstärkers 411 empfängt und das invertierte Ausgabesignal des Differenzverstärkers 411 ausgibt. Der Inverter 413 empfängt das Ausgabesignal des Inverters 412 und gibt das invertierte Ausgabesignal des Inverters 412 aus. Der Inverter 414 empfängt das Ausgabesignal des Inverters 413 und gibt das invertierte Ausgabesignal des Inverters 413 aus.
  • Ein NAND-Gatter 415 empfängt das Ausgabesignal des Differenzverstärkers 411 und das Ausgabesignal des Inverters 415 und bildet die logische Summe der Ausgabesignale und gibt die logische Summe aus. Der Inverter 416 empfängt das Ausgabesignal des NAND-Gatters 415, invertiert das empfangene Ausgabesignal und gibt das erste Pulssignal A aus.
  • Der zweite Pulssignalgenerator 420 umfasst einen Differenzverstärker 421 und eine Mehrzahl logischer Schaltungen 422, 423, 424, 425 und 426. Der dritte Pulssignalgenerator 430 umfasst einen Differenzverstärker 431 und eine Mehrzahl logischer Schaltungen 432, 433, 434, 435 und 436. Der vierte Pulssignalgenerator 440 umfasst einen Differenzverstärker 441 und eine Mehrzahl logischer Schaltungen 442, 443, 444, 445 und 446. Der zweite Pulssignalgenerator 420, der dritte Pulssignalgenerator 430 und der vierte Pulssignalgenerator 440 haben die gleiche Konfiguration wie der erste Pulssignalgenerator 410, d.h. die Differenzverstärker 421, 431 und 441, die Mehrzahl von Invertern 422, 423, 424, 432, 433, 434, 442, 443 und 444, die NAND-Gatter 425, 435 und 445 und die Inverter 426, 436 und 446 sind auf die gleiche Weise miteinander verbunden wie im ersten Pulssignalgenerator 410.
  • Ein erster Eingabeanschluss des Differenzverstärkers 421 des zweiten Pulssignalgenerators 420 empfängt die Referenzspannung VREF und ein zweiter Eingabeanschluss des Differenzverstärkers 421 empfängt das erste Taktsignal CLK. Ein erster Eingabeanschluss des Differenzverstärkers 431 des dritten Pulssignalgenerators 430 empfängt das zweite Taktsignal CLKB und ein zweiter Eingabeanschluss des Differenzverstärkers 431 empfängt die Referenzspannung VREF. Ein erster Eingabeanschluss des Differenzverstärkers 441 des vierten Pulssignalgenerators 440 empfängt die Referenzspannung VREF und ein zweiter Eingabeanschluss des Differenzverstärkers 441 empfängt das zweite Taktsignal CLKB.
  • Der zweite Pulssignalgenerator 420 umfasst weiter eine logische Schaltung 427, welche die logische Summe des ersten Steuersignals DE und des zweiten Steuersignals QE bildet, einen Inverter 428, der das Ausgabesignal der logischen Schaltung 427 invertiert und ausgibt, einen PMOS-Transistor MP2, dessen Gateanschluss mit dem Ausgabeanschluss des Inverters 428 verbunden ist, dessen Drainanschluss mit einer Versorgungsspannung VDD und dessen Sourceanschluss mit einem positiven Versorgungsspannungsanschluss des Differenzverstärkers 421 verbunden ist, und einen NMOS-Transistor MN2, dessen Gateanschluss mit dem Ausgabeanschluss des Inverters 428 verbunden ist, dessen Drainanschluss mit dem Ausgabeanschluss des Differenzverstärkers 421 verbunden ist und dessen Sourceanschluss mit einer Massespannung VSS verbunden ist.
  • Der dritte Pulssignalgenerator 430 und der vierte Pulssignalgenerator 440 empfangen jeweils das zweite Steuersignal QE und umfassen einen Inverter 437, der das zweite Steuersignal QE invertiert, jeweils einen PMOS-Transistor MP3 bzw. MP4, deren Gateanschlüsse mit dem Ausgabeanschluss des Inverters 437 verbunden sind, deren Drainanschlüsse mit der Versorgungsspannung VDD und deren Sourceanschlüsse mit dem Versorgungsspannungsanschluss des zugehörigen Differenzverstärkers 431 bzw. 441 verbunden sind, und jeweils einen NMOS-Transistor MN3 bzw. MN4, deren Gateanschlüsse mit dem Ausgabeanschluss des Inverters 437 verbunden sind, deren Drainanschlüsse mit dem Ausgabeanschluss des Differenzverstärkers 431 bzw. 441 verbunden sind und deren Sourceanschlüsse mit der Massespannung VSS verbunden sind.
  • Unter Bezugnahme auf die 4 und 5 wird nun die Funktionsweise des Frequenzmultiplizierers beschrieben. In 5 sind das erste Taktsignal CLK und die Referenzspannung VREF dargestellt. Sind das erste Steu ersignal DE und das zweite Steuersignal QE gesperrt, dann sind die PMOS-Transistoren MP2, MP3 und MP4 sperrend geschaltet, wodurch die Differenzverstärker 421, 431 und 441 nicht arbeiten. Zusätzlich sind die NMOS-Transistoren MN2, MN3 und MN4 leitend geschaltet und die Ausgabeanschlüsse der Differenzverstärker 421, 431 und 441 sind zurückgesetzt. In diesem Fall arbeitet nur der Differenzverstärker 411 und das erste Pulssignal A wird erzeugt. Dadurch wird in diesem Fall die Frequenz nicht vervielfacht.
  • Ist nur das erste Steuersignal DE freigegeben und das zweite Steuersignal QE gesperrt, dann arbeiten die PMOS-Transistoren MP3 und MP4 nicht und die NMOS-Transistoren MN3 und MN4 sind leitend geschaltet. Dadurch werden das dritte Pulssignal C und das vierte Pulssignal D nicht ausgegeben. Nach dem Freischalten des ersten Steuersignals DE gibt die Logikschaltung 427 jedoch ein logisches Signal mit einem hohen Pegel aus, so dass der Inverter 428 ein logisches Signal mit einem niedrigen logischen Pegel ausgibt. Dadurch werden der PMOS-Transistor MP2 leitend und der NMOS-Transistor sperrend geschaltet. In diesem Fall arbeitet der zweite Pulssignalgenerator 420. Das zweite Pulssignal B wird durch den zweiten Pulssignalgenerator 420 erzeugt und die Logikschaltung 450 gibt ein Taktsignal aus, das eine Frequenz hat, die zweimal so groß ist wie die Frequenz der externen Taktsignale CLK bzw. CLKB.
  • Wird das zweite Steuersignal QE freigeschaltet, dann werden die PMOS-Transistoren MP2, MP3 und MP4 leitend und die NMOS-Transistoren MN2, MN3, MN4 sperrend geschaltet, unabhängig davon, ob das erste Steuersignal DE freigeschaltet oder gesperrt ist. Ist das zweite Steuersignal QE freigeschaltet, dann arbeiten der erste bis vierte Pulssignalgenerator 410 bis 440 und erzeugen das erste Pulssignal A, das zweite Pulssignal B, das dritte Pulssignal C bzw. das vierte Pulssignal D. Daher gibt die ODER-Schaltung 450 ein Taktsignal mit einer Fre quenz aus, die viermal so groß ist wie die Frequenz der externen Taktsignale CLK bzw. CLKB.
  • Wie oben bereits ausgeführt wurde, wird das externe Taktsignal mit zwei multipliziert, wenn das erste Steuersignal freigeschaltet ist, und wenn das zweite Steuersignal freigeschaltet ist, wird das externe Taktsignal mit vier multipliziert. Deshalb wird der Fall, in dem das erste Steuersignal DE freigeschaltet ist, als Zweifachflankenmodus und der Fall, in dem das zweite Steuersignal QE freigeschaltet ist, als Vierfachflankenmodus bezeichnet.
  • Vorzugsweise sind die Pulsbreiten des ersten bis vierten Pulssignals A bis D gleich lang. Die Pulsbreite wird durch Summieren der Verzögerungszeiten der Mehrzahl von Invertern 412, 413, 414, 422, 423, 424, 432, 433 und 434 bestimmt, die sich vor einem Eingabeanschluss des jeweiligen NAND-Gatters 415, 425, 435 und 445 befinden.
  • Das bedeutet, dass es durch den Frequenzmultiplizierer 400 möglich ist, den Versatz der durch die entsprechenden Pulssignalgeneratoren erzeugten Pulssignale zu entfernen. Zusätzlich ist es möglich, den Frequenzmultiplizierer im Zweifachflankenmodus oder im Vierfachflankenmodus durch Freigabe des ersten oder von beiden Steuersignalen entsprechend den korrespondierenden Pulssignalgeneratoren zu betreiben.
  • Der gezeigte Frequenzmultiplizierer 400 kann im Zweifachflankenmodus oder im Vierfachflankenmodus betrieben werden. Für den Fachmann ist klar, dass der Frequenzmultiplizierer 400 je nach Bedarf so konfiguriert werden kann, dass er in der Lage ist, das externe Taktsignal mit 2, 4, 8, 16 usw. zu multiplizieren, und so in einem beliebigen Mehrfachflankenmodus betrieben werden kann.
  • 6 zeigt ein Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Datenausgabepuffers 600 eines Halbleiterbausteins. Wie aus 6 ersichtlich ist, umfasst der Datenausgabepuffer 600 eine Mehrzahl von Flip-Flops 601, 602, 603 und 604, eine ODER-Schaltung 605 und eine Ausgabeschaltung 606.
  • Das erste Flip-Flop 601 empfängt Daten DATA von einem nicht dargestellten Halbleiterbaustein und ist mit einem ersten Taktsignal CLK1 synchronisiert und gibt die Ausgabedaten DATA aus. Das zweite Flip-Flop 602 empfängt das Ausgabesignal des ersten Flip-Flops 601, ist mit dem ersten Taktsignal CLK1 synchronisiert und gibt das Ausgabesignal des ersten Flip-Flops 601 aus. Analoges gilt für das dritte und vierte Flip-Flop 603, 604.
  • Die in 6 gezeigte Verschaltung der Mehrzahl von Flip-Flops 601, 602, 603 und 604 und des Datenausgabepuffers 605 führt zu einer Betriebsweise, wie sie in 7 als Zeitablaufdiagramm dargestellt ist.
  • Die ODER-Schaltung 605 empfängt die Ausgabesignale der Mehrzahl von Flip-Flops 601, 602, 603 und 604, bildet die logische Summe der Ausgangssignale und gibt die logische Summe aus. Die Ausgabeschaltung 606 empfängt das Ausgabesignal der ODER-Schaltung 605, ist mit einem zweiten Taktsignal CLK2 synchronisiert und gibt das Ausgabesignal der ODER-Schaltung 605 aus.
  • Der Datenausgabepuffer 600 kann N Flip-Flops umfassen, wobei N eine natürliche Zahl größer als zwei ist und wobei bei dem Datenausgabepuffer 600 aus 6 N beispielsweise vier ist. Die Taktfrequenz des ersten Taktsignal CLK1 ist vorzugsweise N-mal so groß wie die Taktfrequenz des zweiten Taktsignals CLK2.
  • Nun wird unter Bezugnahme auf 6 die Funktionsweise des Datenausgabepuffers 600 beschrieben. Nach dem Testen des Halbleiterbausteins werden auszugebende Daten DATA in den Datenausgabepuffer 600 eingegeben. Da der Halbleiterbaustein mit einer höheren Geschwindigkeit als der nicht dargestellte Testaufbau arbeitet, dient der Datenausgabepuffer als Schnittstelle zum Anpassen von Daten, die mit einer hohen Geschwindigkeit ausgegeben werden, an die Betriebsgeschwindigkeit des Testaufbaus anzupassen.
  • Das erste Flip-Flop 601 empfängt die Daten DATA synchronisiert mit dem ersten Taktsignal CLK1 und gibt die Daten DATA aus. Das zweite Flip-Flop 602 empfängt das Ausgabesignal des ersten Flip-Flops 601 synchronisiert mit dem ersten Taktsignal CLK1 und gibt das Ausgabesignal des ersten Flip-Flops 601 aus. Das dritte Flip-Flop 603 empfängt das Ausgabesignal des zweiten Flip-Flops 602 synchronisiert mit dem ersten Taktsignal CLK1 und gibt das Ausgabesignal des zweiten Flip-Flops 602 aus. Das vierte Flip-Flop 604 empfängt das Ausgabesignal des dritten Flip-Flops 603 synchronisiert mit dem ersten Taktsignal CLK1 und gibt das Ausgabesignal des dritten Flip-Flops 603 aus.
  • Werden die Daten DATA aufeinander folgend ausgegeben, dann haben die entsprechenden Flip-Flops 601, 602, 603 und 604 aufeinander folgende Daten. Die ODER-Schaltung 605 empfängt die Ausgabesignale der Flip-Flops 601, 602, 603 und 604 und gibt die Ausgabesignale nach der logischen Summenbildung aus. Die Ausgabeschaltung 606 empfängt das Ausgabesignal der ODER-Schaltung 605 und gibt das Ausgabesignal der ODER-Schaltung 605 als Reaktion auf das zweite Taktsignal CLK2 aus. Das Ausgabesignal der Ausgabeschaltung 606 wird nach extern ausgegeben und in den nicht dargestellten Testaufbau eingegeben. Auf diese Weise kann der Halbleiterbaustein unter Benutzung des Ausgabesignals der Ausgabeschaltung 606 getestet werden.
  • Die Daten DATA sind beispielsweise repräsentativ für das Testergebnis des Halbleiterbausteins. Das bedeutet, dass während des Tests des Halbleiterbausteins Daten mit dem Wert „1" in eine Speicherzelle geschrieben und wieder ausgelesen werden. Anstatt ein Bit nach dem anderen zu testen, wird eine Mehrzahl von Bits auf einmal getestet, was als Parallelbittest (PBT) bezeichnet wird.
  • Eine Vergleichsschaltung ist im Halbleiterbaustein enthalten. Die Vergleichsschaltung vergleicht die Mehrzahl von Bits und gibt Daten aus. Die Vergleichsschaltung kann so konfiguriert sein, dass sie die Mehrzahl von Bits und Ausgabedaten logisch multipliziert. Wird von der Vergleichsschaltung als Vergleichsergebnis kein logischer Wert „1" ausgegeben, dann ist die Speicherzelle defekt und der Speicherchip wird als defekt bestimmt.
  • 7 zeigt ein Zeitablaufdiagramm, das die Betriebsweise des Datenausgabepuffers aus 6 darstellt. Wie aus 7 ersichtlich ist, werden vier Dateneinheiten 1, 2, 3, 4 nacheinander in den Flip-Flops 601 bis 604 als Reaktion auf das erste Taktsignal CLK1 gespeichert und Ausgabesignale „1234", die mit dem Vergleichsergebnis der vier Dateneinheiten korrespondieren, werden als Reaktion auf das zweite Taktsignal CLK2 ausgegeben.
  • Das bedeutet, wie aus 6 und 7 ersichtlich ist, dass die getesteten Daten DATA entsprechend dem ersten Taktsignal CLK1 verarbeitet werden, welches viermal schneller ist als das zweite Taktsignal CLK2, und dann werden die getesteten Daten DATA zu einem Zeitpunkt ausgegeben, der dem zweiten Taktsignal CLK2 entspricht. Daher kann auf diese Weise die Zeit, die benötigt wird, um den Halbleiterbaustein zu testen, stark reduziert werden.
  • 8 zeigt ein Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Halbleiterbausteins 800 mit Frequenzmultiplizierer und Datenausgabepuffer. Wie aus 8 ersichtlich ist, umfasst der Halbleiterbaustein 800 einen Frequenzmultiplizierer 810 und einen Datenausgabepuffer 830. Eine Speicherschaltung des Halbleiterbausteins 800 wird wie folgt getestet.
  • Der Frequenzmultiplizierer 810 empfängt die externen Taktsignale CLK und CLKB und multipliziert die externen Taktsignale CLK und CLKB mit dem Faktor N. Ein Ausgabesignal des Frequenzmultiplizierers 810 wird in eine Latenzsteuerschaltung 822, einen internen Spaltenadressengenerator 823, einen Spaltenadressendecoder 824 und in eine Vergleichsschaltung 831 des Datenausgabepuffers 830 eingegeben.
  • Die Latenzsteuerschaltung 822 steuert die Latenz des Halbleiterbausteins als Reaktion auf ein Ausgabesignal eines Modusregisters 821 und gibt ein vorbestimmtes Steuersignal an einen Ausgabeanschluss 832 und an eine Eingabe-/Ausgabesteuerschaltung 826 (E/A-Steuerschaltung) aus. Für den Test des Halbleiterbausteins wird der interne Spaltenadressengenerator 823 mit einem internen Taktsignal PCLK synchronisiert, erzeugt Adressen und gibt die Adressen an den Spaltenadressendecoder 824 aus.
  • Der Spaltenadressendecoder 824 empfängt das Ausgabesignal des internen Spaltenadressengenerators 823 und gibt ein Spaltenauswahlleitungssignal (CSL) an eine Speicherzelle 825 aus. Daten in der Speicherzelle 825 werden in Abhängigkeit vom Spaltenauswahlleitungssignal über die E/A-Steuerschaltung 826 durch den Datenausgabepuffer 830 nach außerhalb des Halbleiterbausteins ausgegeben. Die vom Halbleiterbaustein nach extern ausgegebenen Ausgabedaten werden in den nicht dargestellten Testaufbau eingegeben. Daher wird durch Testen der Daten bestimmt, ob der Halbleiterbaustein abnormal arbeitet.
  • Der Halbleiterbaustein 800 aus 8 kann in Abhängigkeit vom multiplizierten internen Taktsignal PCLK mit einer hohen Geschwindigkeit betrieben werden. Zusätzlich umfasst der Halbleiterbaustein 800 den Datenausgabepuffer 830, der Daten synchronisiert mit einem Taktsignal ausgibt, das die gleiche Frequenz wie das Taktsignal des nicht dargestellten Testaufbaus hat, wenn der Halbleiterbaustein 800 getestet wird.
  • Wie oben ausgeführt wurde, kann der erfindungsgemäße Frequenzmultiplizierer einen Versatz in einem von einem Frequenzmultiplizierer erzeugten Pulssignal entfernen und multiplizierte Frequenzen auf verschiedene Weise erzeugen.
  • Zusätzlich können der Datenausgabepuffer, der Frequenzmultiplizierer und der Halbleiterbaustein mit einem solchen Datenausgabepuffer und einem solchen Frequenzmultiplizierer entsprechend der Erfindung eine Mehrzahl von Speicherzellen gleichzeitig mit einem Taktsignal mit einer niedrigen Frequenz testen. Dadurch können die benötigte Testzeit und die Testkosten stark reduziert werden und ein herkömmlicher Testaufbau, der mit einer niedrigen Taktfrequenz arbeitet, kann effektiv genutzt werden.

Claims (21)

  1. Frequenzmultiplizierer, der ein externes Taktsignal (CLK, CLKB) mit einer vorbestimmten Frequenz empfängt, das externe Taktsignal (CLK, CLKB) multipliziert und das multiplizierte Taktsignal als internes Taktsignal (PCLK) ausgibt, gekennzeichnet durch – einen ersten Pulssignalgenerator (410), der ein erstes Taktsignal (CLK) und ein zweites Taktsignal (CLKB) empfängt, welche die gleiche Frequenz haben, und ein erstes Pulssignal (A) mit einer ersten Pulsbreite ausgibt, wenn der Pegel des ersten Taktsignals (CLK) größer als der Pegel des zweiten Taktsignals (CLKB) ist; – einen zweiten Pulssignalgenerator (420), der in Abhängigkeit von einem ersten Steuersignal (DE) freigegeben wird und eine Referenzspannung (VREF) und das erste Taktsignal (CLK) empfängt und ein zweites Pulssignal (B) mit einer zweiten Pulsbreite ausgibt, wenn der Pegel der Referenzspannung (VREF) größer als der Pegel des ersten Taktsignals (CLK) ist; und – eine ODER-Schaltung (450), die das erste Pulssignal (A) und das zweite Pulssignal (B) empfängt und die logische Summe mehrerer Signale bildet, zu denen wenigstens das erste Pulssignal (A) und das zweite Pulssignal (B) gehören, und das logische Summensignal als das interne Taktsignal (PCLK) ausgibt.
  2. Frequenzmultiplizierer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Steuersignal in einem Zweifachflankenmodus freigegeben wird.
  3. Frequenzmultiplizierer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Pulssignal (A) die gleiche Pulsweite hat wie das zweite Pulssignal (B).
  4. Frequenzmultiplizierer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch – einen dritten Pulssignalgenerator (430), der in Abhängigkeit von einem zweiten Steuersignal (QE) und der Referenzspannung (VREF) freigegeben wird und ein drittes Pulssignal (C) mit einer dritten Pulsbreite ausgibt, wenn der Pegel des zweiten Taktsignals (CLKB) größer als der Pegel der Referenzspannung (VREF) ist; und – einen vierten Pulssignalgenerator (440), der in Abhängigkeit vom zweiten Steuersignal (QE) freigegeben wird und die Referenzspannung (VREF) und das zweite Taktsignal (CLKB) empfängt und ein viertes Pulssignal (D) mit einer vierten Pulsbreite ausgibt, wenn der Pegel der Referenzspannung (VREF) größer als der Pegel des zweiten Taktsignals (CLKB) ist; – wobei die ODER-Schaltung (450) auch das dritte Pulssignal (C) und das vierte Pulssignal (D) empfängt und diese zusätzlich zur Bildung der logischen Summe benutzt-
  5. Frequenzmultiplizierer nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Pulssignalgenerator (410) folgende Elemente umfasst: – einen ersten Differenzverstärker (411), der das erste Taktsignal (CLK) und das zweite Taktsignal (CLKB) empfängt und die Differenz zwischen dem ersten Taktsignal (CLK) und dem zweiten Taktsignal (CLKB) abtastet und verstärkt, und – eine erste Logikschaltung (415), die ein Ausgabesignal des ersten Differenzverstärkers (411) empfängt und das erste Pulssig nal (A) korrespondierend mit dem Ausgabesignal des ersten Differenzverstärkers (411) erzeugt.
  6. Frequenzmultiplizierer nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Pulssignalgenerator (420) folgende Elemente umfasst: – einen zweiten Differenzverstärker (421), der als Reaktion auf das erste Steuersignal (DE) freigeschaltet wird und die Referenzspannung (VREF) und das erste Taktsignal (CLK) empfängt und die Differenz zwischen der Referenzspannung (VREF) und dem ersten Taktsignal (CLK) abtastet und verstärkt, und – eine zweite Logikschaltung (425), die ein Ausgabesignal des zweiten Differenzverstärkers (421) empfängt und das zweite Pulssignal (B) korrespondierend mit dem Ausgabesignal des zweiten Differenzverstärkers (421) erzeugt.
  7. Frequenzmultiplizierer nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Pulssignalgenerator (430) folgende Elemente umfasst: – einen dritten Differenzverstärker (431), der als Reaktion auf das zweite Steuersignal (QE) freigeschaltet wird und die Referenzspannung (VREF) und das zweite Taktsignal (CLKB) empfängt und die Differenz zwischen der Referenzspannung (VREF) und dem zweiten Taktsignal (CLKB) abtastet und verstärkt, und – eine dritte Logikschaltung (435), die ein Ausgabesignal des dritten Differenzverstärkers (431) empfängt und das dritte Pulssignal (C) korrespondierend mit dem Ausgabesignal des dritten Differenzverstärkers (431) erzeugt.
  8. Frequenzmultiplizierer nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der vierte Pulssignalgenerator (440) folgende Elemente umfasst: – einen vierten Differenzverstärker (441), der als Reaktion auf das zweite Steuersignal (QE) freigeschaltet wird und die Referenzspannung (VREF) und das zweite Taktsignal (CLKB) empfängt und die Differenz zwischen der Referenzspannung (VREF) und dem zweiten Taktsignal (CLKB) abtastet und verstärkt, und – eine vierte Logikschaltung (445), die ein Ausgabesignal des vierten Differenzverstärkers (441) empfängt und das vierte Pulssignal (D) korrespondierend mit dem Ausgabesignal des vierten Differenzverstärkers (441) erzeugt.
  9. Frequenzmultiplizierer nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Pulssignal (A), das zweite Pulssignal (B), das dritte Pulssignal (C) und das vierte Pulssignal (D) die gleiche Pulsweite haben.
  10. Frequenzmultiplizierer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Steuersignal (DE) in einem Zweifachflankenmodus und das zweite Steuersignal (QE) in einem Vierfachflankenmodus freigegeben wird.
  11. Datenausgabepuffer für einen Halbleiterbaustein, gekennzeichnet durch – eine vorgebbare Anzahl N von Flip-Flops (601 bis 604), die ein erstes Taktsignal (CLK1) empfangen und in Reihe geschaltet sind, wobei ein erstes Flip-Flop (601) Daten (DATA) empfängt, die vom Halbleiterbaustein ausgegeben werden, und mit dem ersten Taktsignal (CLK1) synchronisiert ist und die Daten (DATA) ausgibt und ein zweites bis N-tes Flip-Flop (602 bis 604) jeweils die Ausgabedaten des vorgeschalteten Flip-Flops (601 bis 603) empfangen, mit dem ersten Taktsignal (CLK1) synchronisiert sind und die Ausgabedaten des vorgeschalteten Flip-Flops (601 bis 603) ausgeben, – eine ODER-Schaltung (605), welche die Ausgabesignale der N Flip-Flops (601 bis 604) empfängt, die logische Summe der Ausgabesignale bildet und ein entsprechendes Summensignal ausgibt, und – eine Ausgabeschaltung (606) die mit einem zweiten Taktsignal (CLK2) synchronisiert ist und das Ausgabesignal der ODER-Schaltung (605) ausgibt, wobei die Taktfrequenz des ersten Taktsignals (CLK1) N-mal größer als die Taktfrequenz des zweiten Taktsignals (CLK2) ist.
  12. Datenausgabepuffer nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl N von in Reihe geschalteten Flip-Flops (601 bis 604) gleich vier ist.
  13. Datenausgabepuffer nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Taktfrequenz des ersten Taktsignals (CLK1) viermal größer als die Taktfrequenz des zweiten Taktsignals (CLK2) ist.
  14. Halbleiterbaustein mit – einem Frequenzmultiplizierer (810), der an einem Eingangsanschluss des Halbleiterbausteins angeschlossen ist, ein Taktsignal (CLK, CLKB) mit einer vorbestimmten Frequenz empfängt und ein internes Taktsignal (PCLK) mit einer größeren Frequenz als die vorbestimmte Frequenz ausgibt, und – einem Datenausgabepuffer (830), der getestete Ausgabedaten entsprechend zum Testen des Halbleiterbausteins eingeschriebenen Daten ausgibt, dadurch gekennzeichnet, dass – der Frequenzmultiplizierer (810) ein solcher nach einem der Ansprüche 1 bis 10 ist.
  15. Halbleiterbaustein, insbesondere nach Anspruch 14, mit – einem Frequenzmultiplizierer (810), der an einem Eingangsanschluss des Halbleiterbausteins angeschlossen ist, ein Taktsignal (CLK, CLKB) mit einer vorbestimmten Frequenz empfängt und ein internes Taktsignal (PCLK) mit einer größeren Frequenz als die vorbestimmte Frequenz ausgibt, und – einem Datenausgabepuffer (830), der getestete Ausgabedaten entsprechend zum Testen des Halbleiterbausteins eingeschriebenen Daten ausgibt, dadurch gekennzeichnet, dass – der Datenausgabepuffer (830) ein solcher nach einem der Ansprüche 11 bis 13 ist.
  16. Verfahren zur Frequenzvervielfachung, gekennzeichnet durch folgende Schritte: – Erzeugen eines ersten Pulssignals (A) mit einer ersten Pulsbreite durch Empfangen eines ersten Taktsignals (CLK) und eines zweiten Taktsignals (CLKB) mit der gleichen Frequenz, wenn der Pegel des ersten Taktsignals (CLK) größer als der Pegel des zweiten Taktsignals (CLKB) ist; – Erzeugen eines zweiten Pulssignals (B) mit einer zweiten Pulsbreite in Abhängigkeit von einem ersten Steuersignal (DE), wenn der Pegel einer empfangenen Referenzspannung (VREF) größer als der Pegel des ersten Taktsignals (CLK) ist; und – Bilden einer logischen Summe aus mehreren Signalen, zu denen wenigstens das erste Pulssignal (A) und das zweite Pulssignal (B) gehören, und Ausgabe des logischen Summensignals als ein internes Taktsignal (PCLK).
  17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Steuersignal in einem Zweifachflankenmodus freigegeben wird.
  18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Pulssignal (A) die gleiche Pulsweite wie das zweite Pulssignal (B) hat.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, gekennzeichnet durch folgende weitere Schritte: – Erzeugen eines dritten Pulssignals (C) mit einer dritten Pulsbreite in Abhängigkeit von einem zweiten Steuersignal (QE) und der Referenzspannung (VREF), wenn der Pegel des zweiten Taktsignals (CLKB) größer als der Pegel der Referenzspannung (VREF) ist; und – Erzeugen eines vierten Pulssignals (D) mit einer vierten Pulsbreite in Abhängigkeit von einem zweiten Steuersignal (QE), wenn der Pegel der Referenzspannung (VREF) größer als der Pegel des zweiten Taktsignals (CLKB) ist; – wobei die logische Summe unter zusätzlicher Heranziehung des dritten Pulssignals (C) und des vierten Pulssignals (D) gebildet wird.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Pulssignal (A), das zweite Pulssignal (B), das dritte Pulssignal (C) und das vierte Pulssignal (D) die gleiche Pulsweite haben.
  21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Steuersignal (DE) in einem Zweifachflankenmodus und das zweite Steuersignal (QE) in einem Vierfachflankenmodus freigegeben wird.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4127208B2 (ja) * 2003-07-14 2008-07-30 日本電気株式会社 周波数シンセサイザ
KR100653403B1 (ko) * 2004-11-23 2006-12-04 에이디반도체(주) 정전용량변화 검출방법 및 검출집적회로
US7555690B1 (en) * 2004-12-23 2009-06-30 Xilinx, Inc. Device for and method of coupling test signals to a device under test
US7587645B2 (en) * 2005-01-24 2009-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Input circuit of semiconductor memory device and test system having the same
KR100657830B1 (ko) * 2005-01-24 2006-12-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 테스트 장치 및 방법
KR100588595B1 (ko) * 2005-04-22 2006-06-14 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 내부 클록 생성방법 및 이를 이용한반도체 메모리 장치
KR100714482B1 (ko) * 2005-07-11 2007-05-04 삼성전자주식회사 반도체 장치, 테스트 기판, 반도체 장치의 테스트 시스템및 반도체 장치의 테스트 방법
US7385872B2 (en) 2006-10-17 2008-06-10 Qimonda North America Corp. Method and apparatus for increasing clock frequency and data rate for semiconductor devices
KR100913023B1 (ko) * 2007-09-14 2009-08-20 주식회사 동부하이텍 위상 클럭 발생기
KR101998293B1 (ko) 2013-04-22 2019-07-10 에스케이하이닉스 주식회사 주파수 체배기
CN110113009B (zh) * 2018-02-01 2023-05-23 长鑫存储技术有限公司 倍频电路及倍频器
JP7443692B2 (ja) * 2019-07-29 2024-03-06 株式会社デンソーウェーブ 産業用制御装置の入力モジュール
KR20220048735A (ko) * 2020-10-13 2022-04-20 삼성전자주식회사 테스트 시간을 줄이는 메모리 장치의 테스트 방법, 메모리 빌트-인 셀프 테스트(mbist) 회로 및 메모리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5959915A (en) * 1997-06-30 1999-09-28 Samsung Electronics, Co., Ltd. Test method of integrated circuit devices by using a dual edge clock technique
DE19917320A1 (de) * 1998-04-17 1999-10-21 Advantest Corp Taktgenerator für ein Halbleiter-Prüfsystem
EP1168369A2 (de) * 2000-05-29 2002-01-02 Nec Corporation Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3746811B2 (ja) * 1995-06-13 2006-02-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路
US5933379A (en) * 1996-11-18 1999-08-03 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method and circuit for testing a semiconductor memory device operating at high frequency
US5805611A (en) * 1996-12-26 1998-09-08 Stmicroelectronics, Inc. Method and apparatus for testing high-frequency integrated circuits using a lower-frequency tester
KR100272503B1 (ko) * 1998-01-26 2000-11-15 김영환 고속테스트기능의램버스주문형집적회로및그를이용한테스트방법
JPH11306797A (ja) * 1998-04-22 1999-11-05 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JP4540137B2 (ja) * 1998-07-24 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 同期型半導体記憶装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5959915A (en) * 1997-06-30 1999-09-28 Samsung Electronics, Co., Ltd. Test method of integrated circuit devices by using a dual edge clock technique
DE19917320A1 (de) * 1998-04-17 1999-10-21 Advantest Corp Taktgenerator für ein Halbleiter-Prüfsystem
EP1168369A2 (de) * 2000-05-29 2002-01-02 Nec Corporation Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung

Also Published As

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JP4180479B2 (ja) 2008-11-12
US6980036B2 (en) 2005-12-27
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US20040061560A1 (en) 2004-04-01
KR100493027B1 (ko) 2005-06-07
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KR20040029532A (ko) 2004-04-08

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