DE1034703B - Einrichtung in einem selbsttaetigen Signalisierungssystem zur Herstellung einer Signalverbindung - Google Patents
Einrichtung in einem selbsttaetigen Signalisierungssystem zur Herstellung einer SignalverbindungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung in einem selbsttätigen Signalisierungssystem, z. B. einem
selbsttätigen Telephoniesystem, zur Herstellung einer Signalverbindung zwischen einem mehrerer Leiter
einer ersten Gruppe und einem mehrerer Leiter einer zweiten Gruppe.
Es ist bereits eine solche Einrichtung bekannt, bei der zwischen jedem Leiter der ersten Gruppe und
jedem Leiter der zweiten Gruppe die Hauptstrombahn eines Transistors liegt, dessen Stromverstärkungsgrad
größer als 1 ist. Die Emitterelektroden der Transistoren sind dabei mit den Leitern der ersten Gruppe und
die Kollektorelektroden mit den Leitern der zweiten Gruppe verbunden, und im Basiskreis der Transistoren
liegt ein Widerstand. Die Leiter der ersten Gruppe sind je über einen Widerstand mit einer ersten
Klemme der Speisequelle verbunden, und die Leiter der zweiten Gruppe sind je über einen Widerstand mit
einer zweiten Klemme der Speisequelle verbunden. Ferner sind Mittel vorgesehen zur Änderung der
Spannung eines der Leiter der ersten Gruppe und eines der Leiter der zweiten Gruppe in der Weise, daß
infolge des gleichzeitigen Auftretens dieser Spannungsänderungen der zwischen diesen Leitern liegende
Transistor stromleitend wird. Bei der bekannten Einrichtung sind die Basiselektroden über einen Widerstand
mit den Emitterelektroden verbunden. Der Kollektorstrom eines solchen als Dipol geschalteten
Transistors weist als Funktion der Spannung zwischen der Kollektorelektrode und der Emitterelektrode
einen ähnlichen Verlauf wie eine Gasröhrenkennlinie auf. Wenn die Spannung einen bestimmten Grenzwert
überschreitet, wird der Transistor stromleitend und bleibt dann stromleitend, da an dem im Basiskreis liegenden
Widerstand ein solcher Spannungsabfall auftritt, daß die Sperrschicht zwischen der Emitterelektrode
und der Basiselektrode in der Durchlaßrichtung vorpolarisiert ist. Ein Nachteil der bekannten Vorrichtung
besteht darin, daß im allgemeinen die erwähnte Schwellspannung für verschiedene Transistoren
sehr verschiedene Werte annehmen kann und auch bei demselben Transistor die Schwellspannung stark
temperaturabhängig ist und sich bei Alterung ändert, so daß keine zuverlässige Wirkung erzielt werden
kann.
Außerdem tritt bei der bekannten Einrichtung infolge der inneren Kopplung zwischen der Emitterelektrode
und der Kollektorelektrode gesperrter Transistoren ein bestimmtes Maß von Übersprechen auf.
Die Erfindung begegnet diesen Nachteilen. Bei der Einrichtung nach der Erfindung sind die Basiselektroden
der Transistoren, deren Kollektorelektroden mit demselben Leiter verbunden sind, mit einem gemeinsamen
Punkt gekoppelt, der über einen ersten
Einrichtung in einem selbsttätigen
Signalisierungssystem zur Herstellung
einer Signalverbindung
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dipl.-Ing. H. Zoepke, Patentanwalt,
München 5, Erhardtstr. 11
München 5, Erhardtstr. 11
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 5. Juni 1956
Niederlande vom 5. Juni 1956
Jacob Fredrik Klinkhamer, Eindhoven (Niederlande), ist als Erfinder genannt worden
Gleichrichter mit einem Punkt konstanten Potentials und über einen zweiten Gleichrichter in Reihe mit
einem Widerstand mit dem betreffenden Leiter verbunden ist; dabei werden über weitere Widerstände
den Gleichrichtern solche Vorspannungen zugeführt, daß der erste Gleichrichter stromführend ist sowohl
im Ruhezustand der Schaltung als auch wenn einer der entsprechenden Transistoren stromführend ist, jedoch
zeitweise gesperrt wird bei Änderung der Spannung des betreffenden Leiters, um einen Transistor
stromführend zu machen. In diesem Zustand ist der zweite Gleichrichter stromführend, während der erste
Gleichrichter gesperrt ist, wenn einer der Transistoren stromführend ist.
Die Erfindung wird an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Bei der Einrichtung nach Fig. 1 liegen zwischen mehreren Eingangsleitern A1, A2, A3 und mehreren
Ausgangsleitern Bl, B 2, B 3 die Hauptstrombahnen
von Transistoren TU, T12, T13, T21, T22 usw.,
wobei die Emitterelektroden mit den Eingangsleitern A1, A2, A3 und die Kollektorelektroden mit den
Ausgangsleitern Bl, B 2, B 3 verbunden sind. Die Eingangsleiter Al, A2, A3 sind über Widerstände
Rl, R2, R3 an Erde gelegt, und die Ausgangsleiter Bl, B2, B3 sind über Widerstände Wl, W2, W3
mit einer Spannungsquelle V1 verbunden, deren Spannung z. B. gleich — 10 V gegen Erde ist. Die Basiselektroden
von Transistoren, deren Kollektorelek-
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troden mit demselben Ausgangsleiter verbunden sind, wie z. B. TU, T21, T31 bzw. T12, T22, T32 usw.,
sind über Gleichrichter GIl, G21, G31 bzw. G12,
G22, G 32 mit einem gemeinsamen Steuerleiter Cl bzw. C2 usw. verbunden, und diese Steuerleiter sind
je über einen Gleichrichter Gl mit einer Spannungsquelle V2 gekoppelt, deren Spannung z. B. + 2 V gegen
Erde beträgt. Die Basiselektroden der Transistoren sind ferner über Widerstände RIl, R12, R21,
R31 usw. mit einer Spannungsquelle V3 verbunden,
deren Spannung höher ist als die der Spannungsquelle V2, so daß die erwähnten Gleichrichter normalerweise
stromführend sind und die Basiselektroden der Transistoren eine Spannung von etwa + 2 V gegen Erde
aufweisen. Die Transistoren sind normalerweise gesperrt, da die Spannung der Basiselektroden höher
ist als die der Emitterelektroden und der Kollektorelektroden. Zwischen den Ausgangsleitern Bl, B 2,
B3 und den entsprechenden Steuerleitern Cl, C2, C3
liegt die Reihenschaltung eines GleichTichters G2 und eines von einem Kondensator C1 überbrückten Widerstandes
Ri, wobei der Verbindungspunkt S über einen Widerstand R 5 mit der Spannungsquelle Vl verbunden
ist. Der Gleichrichter G2 erhält somit eine derartige Vorspannung, daß er normalerweise stromführend
ist.
Die Eingangsleiter A1, A2, A3 und die Ausgangsleiter
Bl, B 2, B 3 sind galvanisch, kapazitiv oder transformatorisch mit nicht in der Zeichnung dargestellten
weiteren Verbindungsmitteln, z. B. ähnlichen Verbindungseinrichtungen, verbunden. Um eine
Sprechverbindung zwischen einem der Eingangsleiter. z.B. A2, und einem der Ausgangsleiter, z.B. Bl, herzustellen,
wird durch nicht näher dargestellte Mittel .".uf galvanischem, transformatorischem oder kapazitivem
Wege die Spannung des Eingangsleiters A2 um etwa 1,5 V erhöht und die Spannung des Ausgangsleiters
Bl derart herabgesetzt, daß die Spannung des Punktes B bis etwa + 1J2 V abnimmt. Die Spannung
der Emitterelektroden der Transistoren T22, T23, TIl und TZl, die mit diesen Leitern gekoppelt sind,
bleibt dabei negativ gegenüber derjenigen der Basiselektroden, so daß diese Transistoren gesperrt bleiben.
Die Spannung der Emitterelektrode des Transistors T21 wird aber positiv gegenüber der der Basiselektrode,
so daß dieser Transistor stromführend wird und eine Strombahn von Erde über den Widerstand
R2, den Leiter A2, die Hauptstrombahn des Transistors T21, den Leiter Bl und den Widerstand Wl
zur Spannungsquelle Vl geschlossen wird. Die verschiedenen Elektroden des Transistors T21 nehmen
dann eine Spannung von etwa — 5 V an. Da der Stromverstärkungsgrad der Transistoren größer als 1
ist. übersteigt der Kollektorstrom den Emitterstrom, und der über die Basiselektrode fließende Differenzstrom
bewirkt einen solchen Spannungsabfall am Widerstand J?21, daß die Basisspannung des Transistors
T 21 etwas negativer gegenüber der Emitters^annung ist. so daß der Gleichrichter G 21 gesperrt
wird und der Transistor stromführend bleibt. Der Widerstand i?21 hat einen hohen Wert, so daß er nur
';ne geringe Dämpfung der Sprechströme herbeiführt.
Her Gleichrichter G2 wird gesperrt, da die Spannung
des Leiters B1 etwa gleich — 5 V und die Spannung fies Punktes .9 etwa gleich — 7 V ist, so daß auch auf
diesem Wege keine Dämpfung der Sprechströme erfolgen kann. Hiermit ist die gewünschte Sprechverbindung
zwischen den Leitern A2 und Bl über den Transistor T21 hergestellt. Der Spannungsabfall am
Wirlerstand R2 verhütet, daß einer der anderen mit dem Leiter A2 gekoppelten Transistoren T22 und
T 23 stromführend werden kann, da die Spannung der Emitterelektroden stark negativ gegenüber den Basiselektroden
ist. Ebenso verhütet der Spannungsabfall am Widerstand Wl, daß einer der anderen mit dem
Leiter Bl verbundenen Transistoren TIl und T 31 stromführend werden kann, da der Gleichrichter G 2
gesperrt ist. Da die Gleichrichter (Pll, G31, (722 und
G 23 sowie der Gleichrichter Gl in diesem Zustand
ίο stromführend sind, sind die Basiselektroden der Transistoren
TIl, T31, T22 und T23 für Sprechströme auf einem Weg niedriger Impedanz mit Erde verbunden,
so daß über diese Gleichrichter kein Übersprechen, z. B. vom Leiter Bl auf den Leiter Al oder
umgekehrt, auftreten kann. Die Unterbrechung der Verbindung beim Ende eines Gesprächs kann z. B.
dadurch erfolgen, daß dem Leiter Bl ein positiver Impuls oder dem Leiter A 2 ein negativer Impuls zugeführt
wird.
Die Einrichtung nach Fig. 1 erfordert einen einzelnen Gleichrichter je Transistor. Die Einrichtung nach
Fig. 2 entspricht im wesentlichen derjenigen nach Fig. 1, und entsprechende Elemente sind darin mit
gleichen Bezugszeichen angedeutet. Die Basiselektroden der Transistoren sind dabei jedoch über Widerstände
DIl, D 21, D 31, D12, D 22 usw. mit den
Steuerleitern Cl, C2 und C3 verbunden, welch
letztere hier über Widerständet 1, K2 und K3 mit
der positiven Spannungsquelle V3 verbunden sind.
Die Steuerleiter sind ferner in entsprechender Weise über den Gleichrichter Gl mit der Spannungsquelle
V2 und über den Gleichrichter G2, den Widerstand Ri und den Kondensator Cl mit den Ausgangsleitern
Bl, B2 und B3 gekoppelt. Im Ruhezustand ist
wieder infolge des über den Widerstand Kl fließenden Stromes der Gleichrichter G1 stromführend, und die
Basiselektroden weisen eine Spannung von + 2 V gegen Erde auf. Einer der Transistoren, z. B. T21,
wird in entsprechender Weise durch Erhöhung der Spannung eines der Eingangsleiter und Herabsetzung
der Spannung eines der Ausgangsleiter stromführend gemacht, wobei die Kollektorelektrode und die Basiselektrode
des Transistors T 21 eine Spannung etwa — 5 V annehmen und ein Basisstrom über den Widerstand
D21 fließt, derart, daß der Transistor T21 stromführend bleibt. Das Vorhandensein der Widerstände
DIl, D31, D22 und D23, welche die Basiselektroden der Transistoren TIl, T31, T22 und T23
über den Gleichrichter Gl mit der Spannungsquelle ]/2 verbinden, verhütet das Übersprechen über diese
Transistoren, da zwischen den von den Sperrschichten gebildeten inneren Widerständen und den erwähnten
Widerständen eine Spannungsteilung auftritt, wobei die Impedanz der Sperrschichten hoch gegenüber den
erwähnten Widerständen ist.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Einrichtung in einem selbsttätigen Signalisierungssystem, z. B. einem selbsttätigen Telephoniesystem, zur Herstellung einer Signalverbindung zwischen einem mehrerer Leiter einer ersten Gruppe und einem mehrerer Leiter einer zweiten Gruppe, bei der zwischen jedem Leiter der ersten Gruppe und jedem Leiter der zweiten Gruppe die Hauptstrombahn eines Transistors liegt, dessen Stromverstärkungsgrad größer als 1 ist. bei der die Emitterelektroden mit den Leitern der ersten Gruppe und die Kollektorelektroden mit den Leitern der zweiten Gruppe verbunden sind und dieLeiter der ersten Gruppe je über eine Impedanz mit einer ersten Klemme einer Speisequelle und die Leiter der zweiten Gruppe je über eine Impedanz mit einer zweiten Klemme der Speisequelle verbunden sind und in den Basiskreisen der Transistoren ein Widerstand liegt, bei der ferner Mittel vorgesehen sind zur Änderung der Spannung eines der Leiter der ersten Gruppe und eines der Leiter der zweiten Gruppe in der Weise, daß der zwischen diesen Leitern liegende Transistor stromführend wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Basiselektroden der Transistoren, deren Kollektorelektroden mit demselben Leiter (z. B. Bl) der zweiten Gruppe verbunden sind, mit einem gemeinsamen Punkt (P) gekoppelt sind, der über einen ersten Gleichrichter (G 1) mit einem Punktkonstanten Potentials verbunden ist und über einen zweiten Gleichrichter (G 2) in Reihe mit einem von einem Kondensator (C 1) überbrückten Widerstand (i?4) mit dem betreffenden Leiter der zweiten Gruppe verbunden ist, daß dabei über weitere Widerstände den Gleichrichtern solche Vorspannungen zugeführt werden, daß der erste Gleichrichter stromführend ist sowohl im Ruhezustand der Schaltung als auch wenn einer der entsprechenden Transistoren stromführend ist, jedoch zeitweise gesperrt wird bei Änderung· der Spannung des entsprechenden Leiters der zweiten Gruppe zur Auslösung eines der Transistoren. (In diesem Zustand ist der zweite Gleichrichter stromführend, während der erste Gleichrichter gesperrt ist, wenn einer der Transistoren stromführend ist.)Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 809 578/158 7.
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