DE10225680A1 - Metallschicht und Herstellverfahren hierfür sowie laminiertes keramisches Elektronikbauelement und Herstellverfahren hierfür - Google Patents
Metallschicht und Herstellverfahren hierfür sowie laminiertes keramisches Elektronikbauelement und Herstellverfahren hierfürInfo
- Publication number
- DE10225680A1 DE10225680A1 DE10225680A DE10225680A DE10225680A1 DE 10225680 A1 DE10225680 A1 DE 10225680A1 DE 10225680 A DE10225680 A DE 10225680A DE 10225680 A DE10225680 A DE 10225680A DE 10225680 A1 DE10225680 A1 DE 10225680A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal layer
- layer
- metal
- forming
- electroless plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 425
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 424
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 28
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 23
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 15
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 11
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 397
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000012549 training Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000003578 releasing effect Effects 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HZEIHKAVLOJHDG-UHFFFAOYSA-N boranylidynecobalt Chemical compound [Co]#B HZEIHKAVLOJHDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N hydrochloric acid Substances Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- SIBIBHIFKSKVRR-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynecobalt Chemical compound [Co]#P SIBIBHIFKSKVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYIOLWQRQXDECZ-UHFFFAOYSA-N phosphinous acid Chemical compound PO RYIOLWQRQXDECZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1657—Electroless forming, i.e. substrate removed or destroyed at the end of the process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
- C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
- C23C18/2053—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment only one step pretreatment
- C23C18/206—Use of metal other than noble metals and tin, e.g. activation, sensitisation with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/073—Displacement plating, substitution plating or immersion plating, e.g. for finish plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Es wird ein Herstellverfahren für eine Metallschicht zur Hand gegeben. Die Metallschicht dient zum Bilden einer Innenleiterschicht eines laminierten keramischen Elektronikbauelements und weist ausgezeichnete Formentrenneigenschaften von einem Tragelement auf, auf welchem sie ausgebildet wird, und weiterhin ist das Auftreten von Fehlern, beispielsweise das Ablösen von dem Tragelement und Rissbildung, wahrscheinlich. Eine erste Metallschicht wird mittels einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial auf einem Tragelement ausgebildet. Dann wird eine zweite Metallschicht durch Fertigen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird, gebildet. Der Schritt des Bildens der ersten Metallschicht wird beendet, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Metallschicht und ein Herstellverfahren hierfür sowie ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement und ein Herstellverfahren hierfür. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Herstellverfahren für eine Metallschicht, die im Grunde durch stromloses Plattieren gebildet wird und welche zur Verwendung als in einem laminierten keramischen Elektronikbauelement vorgesehene Innenleiterschicht geeignet ist.
- Ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement, zum Beispiel ein Vielschicht- Keramikkondensator, wird mit einer Innenleiterschicht, beispielsweise einer Innenelektrode, versehen. Die Innenleiterschicht kann durch verschiedene Verfahren gebildet werden. Zu typischen Beispielen zählen: Bilden der Innenleiterschicht durch die Verwendung eines Dickschichtausbildungsprozesses, wie zum Beispiel Drucken und Härten einer leitenden Paste, oder Bilden der Innenleiterschicht durch die Verwendung eines Dünnschichtausbildungsprozesses, wie zum Beispiel ein Vakuumdünnschichtausbildungsverfahren, z. B. Vakuumverdampfen oder Vakuumsputtern, oder ein Nassplattierverfahren, zum Beispiel ein stromloses Plattierungsverfahren oder ein Galvanisierverfahren.
- Das Verfahren zum Ausbilden der Innenleiterschicht mit Hilfe des letzteren Dünnschichtausbildungsprozesses, d. h. ein Herstellverfahren für eine Metallschicht, ist für die vorliegende Erfindung besonders relevant.
- Ein Herstellverfahren für eine Metallschicht mit Hilfe eines Dünnschichtausbildungsprozesses ist zum Beispiel aus der japanischen ungeprüften Patentanmeldungsschrift Nr. 6-302469 bekannt, welche ein Verfahren offenbart, bei dem eine erste Metallschicht mit einer Dicke von 0,1 bis 0,3 µm auf einer organischen Schicht (Tragelement) mittels eines Vakuum- Dünnschichtausbildungsverfahrens durch eine Maske gebildet wird. Eine zweite Metallschicht wird auf der ersten Metallschicht durch stromloses Plattieren gebildet und daher wird eine Metallschicht mit einer vorbestimmten Dicke hergestellt.
- Die auf der organischen Schicht ausgebildete Metallschicht muss in einem solchen Zustand sein, dass die organische Schicht durch einen Schritt, zum Beispiel Übertragen von der organischen Schicht auf eine ungesinterte Keramikschicht, abgezogen werden kann, um als Innenleiterschicht des laminierten keramischen Elektronikbauelements verwendet zu werden.
- Das in der japanischen ungeprüften Patentanmeldungsschrift Nr. 6-302469 beschriebene Verfahren leidet jedoch unter den nachstehend beschriebenen Problemen.
- Wird die Metallschicht so ausgebildet, dass kein Defekt auftritt, gibt es insofern Probleme, dass das Abziehen zwischen der Metallschicht und dem Tragelement und weiterhin die Übertragung der Metallschicht auf die ungesinterte Keramiklage unmöglich sind. Die Zeit für diese Übertragung wird verlängert, ein Teil der Metallschicht wird nicht übertragen und verbleibt auf dem Tragelement und daher kommt es zu Brechen oder Rissbildung in der Metallschicht und dergleichen.
- Zur Bewältigung dieser Probleme ist ein Verfahren, bei welchem das Anhaften zwischen dem Tragelement und der Metallschicht verringert wird, effektiv. Daher wurden Maßnahmen ergriffen, bei welchen zum Beispiel einige Kniffe bei der Kombination des Materials für das Tragelement und des Materials für die erste Metallschicht angewendet wurden. Es wurden auch einige Kniffe bei der Schichtherstellbedingung bezüglich des Dünnschichtausbildungsverfahrens zum Bilden der ersten Metallschicht angewendet.
- Wenn das Haften zwischen dem Tragelement und der Metallschicht abnimmt, wie dies vorstehend beschrieben ist, kommt es dagegen wahrscheinlich zu Ablösen in der Metallschicht aufgrund einer Innenspannung, welche in der Metallschicht während der Bildung der ersten Metallschicht durch die Vakuum- Dünnschichtausbildungsvorrichtung oder während des stromlosen Plattierens oder Waschen mit Wasser nach dem stromlosen Plattieren zum Bilden der zweiten Metallschicht auftritt. Daher kommt es zu dem Problem, dass wahrscheinlich Defekte, wie teilweises Ablösen und Rissbildung, in der Metallschicht auftreten.
- Zur Lösung dieses Problems wird ein Verfahren entwickelt, bei welchem zur Vermeidung des Auftretens des durch Ablösen während der Bildung der Metallschicht bedingten Defekts das Haftvermögen zum Halten der Metallschicht auf dem Tragelement sichergestellt wird, während das Haftvermögen so wenig wie möglich verringert wird, um die Formentrenneigenschaft innerhalb des Haftbereichs zu verbessern. Zur Verwirklichung dieses Verfahrens wurde ein Verfahren zum präzisen Steuern des Haftens zwischen dem Tragelement und der Metallschicht vorgeschlagen. Die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsschrift Nr. 7-66072 offenbart zum Beispiel das Festlegen des Verhältnisses der offenen Nadelstichfläche der ersten Metallschicht auf 1% bis 70%. Die Metallschicht kann auf einem Tragelement, welche ein Tragelement ist, zuverlässig gehalten werden, während die zum Abziehen der Metallschicht von dem Tragelement erforderliche Kraft gesteuert wird.
- Jedoch verschlechtert das Hemmen des Ablösens, welches während der Bildung der Metallschicht auftritt, mit solch einer herkömmlichen Technik eine Formentrenneigenschaft zwischen dem Tragelement und der Metallschicht. Daher wurde das Problem mit der eingangs erwähnten japanischen ungeprüften Patentanmeldungsschrift Nr. 6-302469, nämlich dass Ablösen zwischen dem Tragelement und der Metallschicht und weiterhin Übertragung auf die ungesinterte Keramiklage unmöglich sind, dass die Zeit für die Übertragung verlängert wurde, dass ein Teil der Metallschicht nicht übertragen wurde und auf dem Tragelement verblieben ist und daher Bruch- oder Rissbildung bei der Metallschicht aufgetreten sind, nicht adäquat überwunden.
- Die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsschrift Nr. 7-66072 beschreibt eine Technik, bei welcher die erste Metallschicht verdampft wird, bis die Dicke in der Größenordnung von 0,1 µm liegt. Wenn das Verdampfen durchgeführt wird, bis eine solche Dicke erreicht ist, wächst die erste Metallschicht bei dem nachstehend beschriebenen Dünnschichtwachstumsprozess zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht. Wie in der eingangs erwähnten Schrift beschrieben wird, liegt, selbst wenn ein Nadelstich ausgebildet wird, die Größe desselben in dem Beispiel bei 1 µm und im Allgemeinen bei 0,5 µm oder mehr.
- Dadurch können zwar gleichmäßige kontinuierliche Schichten über einigen Bereichen von 1 × 105 nm2 erreicht werden, doch können nur ein oder zwei Grenzlinien von Nadelstichen in manchen Bereichen von 1 × 105 nm2 beobachtet werden und andere Bereiche von 1 × 105 nm2 können Teil des Nadelstichs werden können sich in einem derartigen Zustand befinden, dass innerhalb des Bereichs desselben keine Metallschicht vorliegt.
- Demgemäss wird bei der herkömmlichen Technik der in Fig. 5 gezeigte Zustand, bei welchem die Metallschicht sich in der Inselstruktur oder in der Netzwerkstruktur über jedem Bereich von 1-105 befindet, nicht verwirklicht. Das heißt, dass die Steuerung des Ablösens basierend auf der in der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsschrift Nr. 7-66072 beschriebenen Technik eine sogenannte Makrosteuerung des Ablösens ist. Daher kommt es zu einem Problem bezüglich der Kombination des für die erste Metallschicht verwendeten Metalls und des Trägerelements, und bezüglich der Schichtherstellbedingung bei dem Dünnschichtausbildungsverfahren, wenn die Bedingung das Aufweisen einer starken Formentrenneigenschaft vorsieht. Da es in der Metallschicht zu Rissbildung kommen kann und die Metallschicht sich aufgrund von Innenspannungen, die in dem anderen Teil, nicht dem Nadelstich, in der Metallschicht während der Schichtherstellung oder während des Plattierens oder während des Waschens mit Wasser nach dem Plattieren auftreten, ablösen kann, ist es schwierig, die Metallschicht ohne Defekte, wie zum Beispiel Ablösen und Rissbildung, auszubilden.
- Wie vorstehend beschrieben gibt es nur einen Kompromiss zwischen der Ausbildung der Metallschicht ohne Defekte, wie zum Beispiel Ablosen, und der Verwirklichung einer ausgezeichneten Formentrenneigenschaft zwischen dem Tragelement und der Metallschicht. Daher ist es schwierig, eine diese beiden Bedingungen erfüllende Metallschicht stabil zu erzeugen.
- Demgemäss besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Herstellverfahren für eine Metallschicht zur Hand zu geben, welches die eingangs erwähnten Probleme überwinden oder abschwächen kann. Somit ist die Erfindung darauf ausgerichtet, sowohl die Anforderung einer ausgezeichneten Formentrenneigenschaft vom -Tragelement und die Anforderungen, dass das Auftreten von Defekten, z. B. Ablösen und Rissbildung, während der Schichtherstellung durch die Vakuum-Dünnschichtausbildungsvorrichtung oder während der Metallschichtbildung durch Plattieren oder Waschen mit Wasser nach dem Plattieren unwahrscheinlich wird, zu erfüllen.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement mit der durch Anwendung des eingangs erwähnten Herstellverfahrens für die Metallschicht hergestellten Metallschicht und ein Herstellverfahren für das laminierte keramische Elektronikbauelement zur Hand zu geben.
- Nach einer ersten Ausgestaltung der Erfindung wird ein Herstellverfahren für eine Metallschicht zur Hand gegeben, welches Folgendes umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer ersten Metallschicht bestehend aus einem stromlosen Plattierkatalysatormaterial auf einem Tragelement unter Verwendung einer Vakuum- Dünnschichtausbildungsanlage, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, und einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird.
- Die erste Metallschicht kann sich in der Inselstruktur (Inselphase), in der Netzwerkstruktur (Kanalphase oder Lochphase), in Form eines Cluster oder in Form eines Atoms oder Moleküls befinden. Die Metallschicht liegt in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 vorzugsweise in der Inselstruktur oder in der Netzwerkstruktur vor und bevorzugter in der Inselstruktur.
- Die erste Metallschicht enthält vorzugsweise mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Palladium, Silber, Gold, Platin, Nickel, Kobalt, Rhodium und Iridium.
- Die erste Metallschicht ist bevorzugter eine Metallschicht gewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Palladiumschicht mit einer Dicke von weniger als 10 nm, einer Silberschicht mit einer Dicke von weniger als 20 nm und einer Goldschicht mit einer Dicke von weniger als 20 nm.
- Die zweite Metallschicht enthält vorzugsweise mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Kobalt und Rhodium.
- Eine zweite Ausgestaltung der Erfindung gibt ein Herstellverfahren für eine Metallschicht zur Hand, welches Folgendes umfasst: einen ersten Schritt des Bildens einer ersten Metallschicht gefertigt aus einem stromlosen Plattier-Keimmaterial auf einem Tragelement unter Verwendung einer Vakuum- Dünnschichtausbildungsanlage, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst; einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht gefertigt aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial durch Adhäsion während des Anwendens des Tauchplattierens aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht; sowie einen dritten Schritt des Bildens einer dritten Metallschicht durch Ausbilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator angewendet wird.
- Die erste Metallschicht kann in jeder Form vorliegen, solange sie nicht eine gleichmäßige kontinuierliche Schicht ist, ähnlich wie bei der ersten Ausgestaltung. Die Metallschicht liegt jedoch vorzugsweise in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur oder in der Netzwerkstruktur vor und bevorzugter in der Inselstruktur.
- Vorzugsweise enthält die erste Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Silber, Aluminium, Cadmium, Kobalt, Kupfer, Chrom, Eisen, Gallium, Indium, Mangan, Nickel, Blei, Zinn und Zink und die zweite Metallschicht enthält mindestens ein Metall, welches aus der Gruppe bestehend aus Palladium, Platin, Gold, Silber, Rhodium und Iridium gewählt wird und welches ein Metall ist, das als Ersatz für das in der ersten Metallschicht enthaltene Metall dienen kann.
- Bevorzugter noch ist die erste Metallschicht eine Metallschicht gewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Kupferschicht mit einer Dicke von weniger als 30 nm, einer Silberschicht mit einer Dicke von weniger als 20 nm und einer Eisenschicht mit einer Dicke von weniger als 10 nm.
- Vorzugsweise enthält die dritte Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Kobalt und Rhodium.
- In der ersten oder zweiten Ausgestaltung wird die Zeit zum Durchführen des ersten Schritts vorzugsweise gesteuert, um den ersten Schritt zu beenden, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht wächst.
- In dem oben erwähnten Fall wird vorzugsweise ein Vorbereitungsschritt ausgeführt, um eine kritische Zeit für das Wachstum der ersten Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht zu ermitteln, indem die erste Metallschicht unter den gleichen Schichtausbildungsbedingungen wie beim ersten Schritt gebildet wird, wobei lediglich die Bedingung bezüglich der Zeit mitaufgenommen wird, dadurch gekennzeichnet, dass als Zeit zum Durchführen des ersten Schritts eine Zeit kürzer als diese kritische Zeit gewählt wird.
- Vorzugsweise ist die erste Metallschicht bei dem ersten Schritt durch das Ausbilden durch eine Maske strukturiert.
- Vorzugsweise wurde die Oberfläche des Tragelements, auf welchem die erste Metallschicht ausgebildet werden soll, einer Formentrennbehandlung unterzogen.
- Vorzugsweise wird das Tragelement als schichtförmiges verwendet.
- Für das Tragelement wird ein beliebiges Material verwendet und es wird zum Beispiel ein organisches Material, Kohlenstoff, Metall oder Metalloxid verwendet. Die vorliegende Erfindung sieht auch eine Metallschicht vor, die durch eines der vorstehend erwähnten Herstellverfahren erzeugt wurde.
- Vorzugsweise wird diese Metallschicht zum Bilden einer Innenleiterschicht verwendet, die in einem laminierten keramischen Elektronikbauelement angebracht werden soll.
- Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein laminiertes keramisches Elektronikbauteil, das mit mehreren laminierten Keramikschichten und einer Innenleiterschicht versehen ist, die sich entlang einer bestimmten Grenzfläche zwischen den Keramikschichten erstreckt. In einem solchen laminierten keramischen Elektronikbauteil, welches die vorliegende Erfindung verkörpert, wird die Innenleiterschicht durch die vorstehend erwähnte Metallschicht verwirklicht. Zu den typischen Beispielen der vorstehend erwähnten laminierten keramischen Elektronikbauelemente gehört ein Vielschicht-Keramikkondensator.
- Die vorliegende Erfindung gibt auch eine durch das vorstehend erwähnte Herstellverfahren erzeugte Metallschicht, die auf dem Tragelement ausgebildet ist, zur Hand. Das Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement, welches die vorliegende Erfindung verkörpert, wird wie nachstehend beschrieben durch Aufbringen der Metallschicht auf das Tragelement durchgeführt.
- Weiterhin sieht die Erfindung ein Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement vor, welche Folgendes umfasst: das Ausbilden einer ersten Metallschicht gefertigt aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage, wobei das Ausbilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht wächst; das Ausbilden einer zweiten Metallschicht durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator angewendet wird; das Erzeugen eines Komplexes, welcher die Metallschicht und eine ungesinterte Keramiklage durch Ausbilden der ungesinterten Keramiklage auf dem Tragelement, so dass die Metallschicht abgedeckt wird, umfasst; das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren mehrerer Komplexe; das Abziehen des Tragelements von jedem der Komplexe und das Härten des ungesinterten Laminats.
- Weiterhin gibt die Erfindung ein Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement zur Hand, welches Folgendes umfasst: Ausbilden einer ersten Metallschicht gefertigt aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage, wobei das Ausbilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht wächst; das Ausbilden einer zweiten Metallschicht durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator angewendet wird; das Herstellen einer ungesinterten Keramiklage; das Erzeugen eines Komplexes, welcher die Metallschicht und die ungesinterte Keramiklage umfasst, durch Übertragen der Metallschicht von dem Tragelement zu der ungesinterten Keramiklage; das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren mehrerer Komplexe und das Härten des ungesinterten Laminats.
- Die vorliegende Erfindung gibt weiterhin ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement zur Hand, welches durch das vorstehend erwähnte Herstellverfahren erzeugt wurde.
- Wie vorstehend beschrieben wird in Ausführungen des Herstellverfahrens für die Metallschicht nach der vorliegenden Erfindung die erste Metallschicht des stromlosen Plattier-Katalysator- oder Keimmaterials so ausgebildet, dass sie keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht wird, und dann wird die zweite Metallschicht durch stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator gebildet.
- Alternativ wird die zweite Metallschicht, die ein Katalysator für stromloses Plattieren werden soll, durch eine ionische Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht ausgebildet und dann wird die dritte Metallschicht durch stromloses Plattieren unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator ausgebildet.
- Aufgrund dieses Vorgehens kann selbst bei Verwendung der Kombination eines Tragelements und einer Metallschicht oder der Schichtherstellbedingungen, die ausgezeichnete Formentrenneigenschaften für das Tragelement von Metallschicht geben, das Auftreten von Defekten, zum Beispiel Ablösen und Rissbildung in der Metallschicht, während der Bildung der ersten Metallschicht oder während des stromlosen Plattierens für das Bilden der zweiten oder dritten Metallschicht oder während des anschließenden Waschens mit Wasser unwahrscheinlich gehalten werden.
- Bei dem Herstellverfahren für die Metallschicht, welche die vorliegende Erfindung verkörpert, wird wie vorstehend beschrieben der stromlose Plattierkatalysator bzw. das Keimmaterial der ersten Metallschicht so gebildet, dass diese keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht wird. Wurde die Schichtbildung durchgeführt, bis die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwuchs, so wurde festgestellt, dass sich manchmal die erste Metallschicht während des folgenden stromlosen Plattierens oder Waschen mit Wasser ablöste. Wenn jedoch die Schichtherstellung beendet war, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht herangewachsen war, war das Ablösen der ersten Metallschicht während des folgenden stromlosen Plattierens oder Waschens mit Wasser unwahrscheinlich. Die vorliegende Erfindung beruht auf dieser Feststellung.
- Als Grund für das Auftreten des Phänomens, aus welchem sich die vorstehend erwähnte Feststellung ableitet, wird angenommen, dass sich bei einer diskontinuierlichen ersten Metallschicht die Innenspannung des Überzugs der Plattierung, d. h. die zweite oder dritte Metallschicht, während des stromlosen Plattierens aus irgendeinem Grund entspannt.
- Daher kann bei Erzeugen eines laminierten keramischen Elektronikbauelements mit Hilfe der Metallschicht gemäss der vorliegenden Erfindung eine ausgezeichnete Übertragung der Metallschicht auf die ungesinterte Keramiklage zuverlässig verwirklicht werden. Die für die Übertragung erforderliche Zeit kann verringert und weiterhin die Ausbeute des laminierten keramischen Elektronikbauteils verbessert werden.
- Bei dem Herstellverfahren für die Metallschicht, welche die vorliegende Erfindung verkörpert, kann bei Herstellen der ersten Metallschicht in der Inselstruktur oder einer Netzwerkstruktur in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 selbst bei Ausbilden der Metallschicht unter der zuvor erwähnten Bedingung, dass eine ausgezeichnete Formentrenneigenschaft verwirklicht werden kann, die das Verhindern eines Auftretens von Defekten zuverlässiger verwirklicht werden.
- Wenn bei der Bildung der ersten Metallschicht eine Maske verwendet wird, kann, selbst wenn der Schritt zum Beispiel der Photolithographie und des Ätzens nicht vorgenommen wird, eine strukturierte Metallschicht erzeugt und daher der Schritt zum Erzeugen einer strukturierten Metallschicht vereinfacht werden.
- Die Zeit für das Durchführen des Schritts des Ausbildens der ersten Metallschicht wird so gesteuert, dass er beendet ist, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst. Zur Ermittlung dieser Zeit wird eine kritische Zeit für das Wachstum der ersten Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht festgestellt. Wird eine kürzere Zeit als diese kritische Zeit als Zeit für das Durchführen des Schritts des Ausbildens der ersten Metallschicht gewählt, kann die Zeit für das Durchführen des Schritts des Ausbildens der ersten Metallschicht mühelos ermittelt werden. Sobald diese Zeit ermittelt ist, kann bei der folgenden Herstellung der Metallschicht die erste Metallschicht stabil ausgebildet werden, ohne dass sie eine gleichmäßige kontinuierliche Schicht wird.
- Nun werden Ausführungen der Erfindung beispielhaft und unter Bezug auf die Begleitzeichnungen beschrieben. Hierbei sind:
- Fig. 1A und 1b Schnittansichten zur Erläuterung einer Ausführung eines Herstellverfahrens für eine Metallschicht, welche die vorliegende Erfindung verkörpert, wobei die in diesem Herstellverfahren enthaltenen typischen Schritte gezeigt werden;
- Fig. 2 eine Schnittansicht, welche die Bedingung der Bildung der in Fig. 1A gezeigten ersten Metallschicht 2 unter weiterer Vergrößerung zeigt;
- Fig. 3A bis 3C Schnittansichten, welche eine erste Ausführung eines Herstellverfahrens für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement gemäss der vorliegenden Erfindung erläutert und in diesem Herstellverfahren enthaltene typische Schritte zeigt;
- Fig. 4A bis 4C Schnittansichten, welche eine zweite Ausführung eines Herstellverfahrens für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement gemäss der vorliegenden Erfindung erläutern und in diesem Herstellverfahren enthaltene typische Schritte zeigen;
- Fig. 5 eine Elektronenmikroaufnahme der ersten Metallschicht nach Beispiel 1, die in Experiment 1 erzeugt wurde.
- BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGEN
- Fig. 1A und 1B sowie Fig. 2 erläutern eine erste Ausführung eines Herstellverfahrens für eine erfindungsgemäße Metallschicht.
- Bezüglich der Herstellung einer geplanten Metallschicht, wie in Fig. 1A gezeigt, wird ein erster Schritt des Bildens einer ersten Metallschicht 2, die aus einem solchen Material gefertigt wird, dass ein Katalysator für das stromlose Plattieren auf einem Tragelement 1 durch die Verwendung einer Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage entsteht, ausgeführt. Hierbei wird vorzugsweise eine Maske 3 verwendet und die Metallschicht 2 wird durch Ausbilden der ersten Metallschicht 2 durch diese Maske 3 strukturiert.
- Beispiele für die oben erwähnte Vakuum-Dünnschichtausbildungsanlage umfassen eine Vakuumverdampfungsvorrichtung, eine Sputtervorrichtung, eine Laserablationsvorrichtung, eine Ionenplattiervorrichtung, eine Clusterionenstrahlvorrichtung und eine MBE-Vorrichtung.
- Ein organisches Material, Kohlenstoff, Metall oder Metalloxid können als Material für das Tragelement 1 verwendet werden. Vorzugsweise besitzt das Tragelement 1 eine Oberfläche, auf welcher die erste Metallschicht 2 auszubilden ist, welche einer Formentrennbehandlung unterzogen wurde. Wenn ein Material mit einer geringen Adhäsion gegenüber der ersten Metallschicht 2 als Material für das Tragelement 1 verwendet wird, kann die Formentrennbehandlung für die Oberfläche des Tragelements 1 unterbleiben.
- Wird zum Beispiel ein organisches Material wie Fluorharz oder Silikonharz als Material für das Tragelement 1 verwendet, kann eine ausgezeichnete Formentrenneigenschaft vermittelt werden, selbst wenn die Formentrennbehandlung unterbleibt.
- Das Tragelement 1 kann die Form einer Platte mit relativ hoher Steifigkeit oder die Form einer Schicht mit Biegsamkeit aufweisen.
- Ist das Tragelement 1 schichtförmig, kann, da dieses walzenförmig gewickelt werden kann, die Konfiguration der Herstellungsvorrichtung vereinfacht werden, bei der die Metallschicht kontinuierlich erzeugt wird, und ferner kann eine hohe Produktivität erwartet werden. Da der Lagerraum verringert werden kann, wenn die Metallschicht in Masse gefertigt wird, und das Gewicht und Volumen verringert werden können, wenn die erzeugten Metallschichten transportiert werden, können weiterhin Lager- und Transportkosten verringert werden.
- Bei Verwendung eines schichtförmigen Tragelements 1 kann für gewöhnlich das aus Polyethylenterephthalat hergestellte Element, das gleichwertig mit der beim Spritzgießen einer ungesinterten Keramikplatte verwendeten Trägerfolie ist, verwendet und kann die beim Spritzgießen einer ungesinterten Keramikplatte verwendete Trägerfolie abgelenkt werden. In diesem Fall wurde die Oberfläche der Trägerfolie wünschenswerterweise einer formfreigebenden Behandlung mit einem Fluorharz oder Silikonharz unterzogen, um ein müheloses Ablösen durchzuführen. Als Material für das schichtförmige Tragelement 1 kann Polypropylen, etc. neben Polyethylenterephthalat verwendet werden und es kann auch eine aus Edelstahl, etc. gefertigte Schicht an Stelle der organischen Schicht verwendet werden.
- Es kann zumindest ein aus der Gruppe bestehend aus Palladium, Silber, Gold, Platin, Nickel, Kobalt, Rhodium und Iridium gewähltes Metall als das die erste Metallschicht 2, welche zum Katalysator für das stromlose Plattieren wird, bildende Material verwendet werden. Diese Metalle können allein oder in einer diese Metalle enthaltenden Legierung verwendet werden.
- Zur Verwirklichung einer ausgezeichneten Katalyse ist es erforderlich, eine Passivierung aufgrund der Bildung einer Oxidschicht zu verhindern. Daher ist es nach Bilden der ersten Metallschicht 2 erforderlich, umgehend einen nachstehend beschriebenen Schritt des stromlosen Plattierens auszuführen bzw. so zu steuern, dass die Bildung der Oxidschicht verhindert wird. Im Hinblick auf das Durchführen einer mühelosen Steuerung ist die Verwendung von Edelmetallen bevorzugt. Vor allem Palladium ist aufgrund der hohen Katalyse bezüglich der verschiedenen Plattierlösungen wünschenswert. Effektiv ist auch eine Durchführung des nachstehend beschriebenen stromlosen Plattierens nach einer Behandlung zum Entfernen der passiven Schicht.
- Bei erfindungsgemäßen Ausführungen ist es wichtig, den ersten Schritt des Bildens der ersten Metallschicht zu beenden, bevor die erste Metallschicht 2 zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst.
- Die durch den ersten Schritt gebildete erste Metallschicht 2 kann in jeder Form vorliegen, solange sie keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht ist, wie in Fig. 2 gezeigt. Die erste Metallschicht kann beispielsweise die Inselstruktur (Inselphase), die Netzwerkstruktur (Kanalphase oder Lochphase), die Form eines Atoms, die Form eines Moleküls, die Form eines Cluster oder dergleichen haben. Insbesondere ist die erste Metallschicht 2 vorzugsweise keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht in jedem Bereich von 1 × 105 nm2. Die Form der ersten Metallschicht 2 ist vorzugsweise die Inselstruktur oder die Netzwerkstruktur, bevorzugter die Inselstruktur oder die Netzwerkstruktur in der Kanalphase und am bevorzugtesten die Inselstruktur.
- Im Allgemeinen treten beim Wachstumsprozess der Dünnschicht das Eintreffen eines Atoms an dem Tragelement, die Migration, die Bildung eines Keims, das Wachstum des Keims und das Zusammenwachsen in dieser Reihenfolge auf. Das Wachstum zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht erfolgt über die Phasen der Inselstruktur und der Netzwerkstruktur. Die für das Wachstum zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht erforderliche Zeit schwankt abhängig von den Schichtherstellungsbedingungen, zum Beispiel den Sorten und Bedingungen des Materials, an dem angehaftet werden soll, und des Tragelements und auch abhängig von den in einer vakuumdünnschichtausbildenden Anlage eingestellten Bedingungen. Sobald die Dicke eine maximale Größenordnung im oberen zweistelligen Nanometer-Bereich erreicht hat, kommt es jedoch im Allgemeinen zum Heranwachsen der gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht. Die Erfahrung des Erfinders zeigt, dass bei Dicken von 10 nm oder mehr, 20 nm oder mehr, 30 nm oder mehr, 20 nm oder mehr und 10 nm oder mehr bezüglich Palladium, Silber, Kupfer, Gold bzw. Eisen die verdampften Schichten bei praktisch allen Tragelementen und Verdampfungsbedingungen zu gleichmäßigen kontinuierlichen Schichten heranwachsen.
- Wenn daher das Herstellverfahren für die die vorliegende Erfindung verkörpernde Metallschicht ausgeführt wird, wird vorzugsweise vorab ein Vorbereitungsschritt ausgeführt, bei welchem die Schichtherstellbedingung ermittelt wird. Dies kann beispielsweise die Art des Materials einschließen, welches die erste Metallschicht 2 und das Tragelement 1 bildet, sowie die in der vakuumdünnschichtausbildenden Anlage eingestellten Bedingungen mit Ausnahme der Bedingung bezüglich Zeit.
- Unter dieser festgelegten Schichtherstellbedingung wird die erste Metallschicht 2 gebildet und daher wird die kritische Zeit für das Wachstum der ersten Metallschicht 2 zu der gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht festgestellt.
- In einer praktischen Massenproduktionsphase wird der erste Schritt zum Bilden der ersten Metallschicht 2 bei einer Zeit durchgeführt, die kürzer als die in dem oben erwähnten Vorbereitungsschritt festgestellte kritische Zeit ist. Dort wo die Schicht kontinuierlich auf langen Strecken der Schicht zum Bilden des Tragelements gefertigt wird, wird die oben erwähnte Zeit durch die Transportgeschwindigkeit der Schicht gesteuert. Jedoch muss die erste Metallschicht 2 natürlich mit einer adäquaten Adhäsionskraft gebildet werden, um als Katalysatorkeime für das stromlose Plattieren in dem späteren Schritt des stromlosen Plattierens zu funktionieren.
- Wie in Fig. 1B gezeigt, wird der zweite Schritt des Bildens der zweiten Metallschicht 4 durch Fertigen einer Schicht aus einem bestimmten Metall durchgeführt, während das stromlose Plattieren mit Hilfe der ersten Metallschicht 2 als Katalysator ausgeübt wird.
- Bei dem stromlosen Plattieren zum Bilden der zweiten Metallschicht 4 wird ein stromloses Plattierbad verwendet. Dieses kann zum Beispiel aus mindestens einem Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Kobalt und Rhodium bestehen.
- Diese zweite Metallschicht 4 bildet den Hauptteil der sich ergebenden Metallschicht. Die zweite Metallschicht 4 besteht im Hinblick auf die elektrische Leitfähigkeit, die Kosten, etc. bei Einsatz dieser Metallschicht als Innenleiterschicht eines laminierten keramischen Elektronikbauelements und Einsatzmöglichkeit einer reduzierenden Atmosphäre bei der Wärmebehandlung zum Erzeugen des laminierten keramischen Elektronikbauteils wünschenswerterweise aus Kupfer oder Nickel. In diesem Fall können zum Beispiel ein stromloses Verkupferungsbad, ein stromloses Nickel- Phosphor-Legierungs-Plattierbad und ein stromloses Nickel-Bor-Legierungs- Plattierbad als stromloses Plattierbad verwendet werden.
- Wenn es dagegen nicht möglich ist, bei der Wärmebehandlungsphase zum Erzeugen des laminierten keramischen Elektronikbauelements eine reduzierende Atmosphäre einzusetzen, besteht die zweite Metallschicht 4 aus Silber, Palladium, Platin oder einer Legierung derselben.
- Durch Mischen der oben erwähnten verschiedenen Metalle mit anderen Metallelementen, wie Eutektoid, hergestellte Legierungen können verwendet werden. Daneben können auch stromlose Plattierbäder aus Kobalt-Phosphor, Kobalt-Bor, Rhodium, etc. verwendet werden.
- Wie in Fig. 1A gezeigt wird bei dem ersten Schritt eine Maske 3 zum Bilden der ersten Metallschicht 2 verwendet, und die erste Metallschicht 2 wird dadurch strukturiert. Wenn das stromlose Plattieren bei dem zweiten Schritt durchgeführt wird, wird daher die zweite Metallschicht 4 nur an dem Teil ausgebildet, an dem die erste Metallschicht 2 ausgebildet wurde, und daher kann die Metallschicht als Ganzes strukturiert werden. Metallmasken und verschiedene Maskenschichten können zum Beispiel als solche Maske 3 verwendet werden.
- Das Verfahren zum Strukturieren ist nicht auf das oben erwähnte Verfahren mit Hilfe der Maske 3 beschränkt. Verfahren mit Hilfe verschiedener Resists, zum Beispiel einem Photoresist, sind möglich. Ein Verfahren, bei welchem Ätzen nach dem Ausbilden der ersten Metallschicht 2 durchgeführt wird, und ein Verfahren, bei welchem Ätzen nach dem Ausbilden der zweiten Metallschicht 4 durchgeführt wird, sind ebenfalls möglich.
- Im Hinblick auf eine Vereinfachung des Prozesses ist jedoch das Verfahren mit Hilfe der Maske 3, beispielsweise einer Metallmaske, vorteilhaft, da die Maske 3 mühelos aufgebracht oder entfernt werden kann, wiederholt verwendet werden kann und ein Strukturierzustand in der Phase verwirklicht wurde, in welcher die erste Metallschicht 2 gebildet wurde.
- Das Herstellverfahren für die die vorliegende Erfindung verkörpernde Metallschicht kann auch wie nachstehend beschrieben ausgeführt werden.
- In dieser zweiten Ausführung verwendet der erste Schritt des Bildens der ersten Metallschicht auf dem Tragelement eine vakuumdünnschichtbildende Anlage. Als Material zum Bilden der ersten Metallschicht wird ein Material verwendet, welches ein Keim für das stromlose Plattieren wird, aber keine Katalyse bezüglich des stromlosen Plattierens haben darf.
- Dieser erste Schritt wird beendet, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst. Dies ist ähnlich wie bei der ersten Ausführung. Die erste Metallschicht liegt vorzugsweise in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur oder in einer Netzwerkstruktur vor. Dies ist ebenfalls ähnlich wie bei der ersten Ausführung.
- Anschließend wird die Oberfläche der bzw. die ganze erste Metallschicht durch ein als Katalysator für die stromlose Plattierung dienendes Material substituiert, um zu einem Keim für das stromlose Plattieren durch Tauchplattieren zu werden, und dadurch wird der zweite Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht durchgeführt. Diese zweite Metallschicht wird, wie vorstehend beschrieben, aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht ausgebildet und daher wird in ähnlicher Weise wie bei der ersten Metallschicht keine gleichmäßige kontinuierliche Schicht aufgebaut.
- Insbesondere wird bei diesem zweiten Schritt das Tragelement, an welchem die erste Metallschicht ausgebildet wurde, in eine Lösung aus einem Metall mit Katalyse bezüglich der stromlosen Plattierlösung eingetaucht. Die Substitutionsreaktion läuft aufgrund der Differenz des Gleichgewichtspotentials der Oxidationsreduktion in diesem eingetauchten Zustand weiter ab und die zweite Metallschicht wird ausgebildet. Daher ist es erforderlich, dass das Gleichgewichtspotential der Oxidationsreduktion des die erste Metallschicht bildenden Metalls unedler als das des die zweite Metallschicht bildenden Metalls ist. Umgekehrt ist es erforderlich, dass das Gleichgewichtspotential der Oxidationsreduktion des die zweite Metallschicht bildenden Metalls edler als das des die erste Metallschicht bildenden Metalls ist.
- Wie vorstehend beschrieben muss die erste Metallschicht nicht unbedingt eine Katalyse bezüglich der stromlosen Plattierlösung haben. Sie kann zum Beispiel aus mindestens einem Metall gewählt aus der Gruppe bestehend aus Silber, Aluminium, Kadmium, Kobalt, Kupfer, Chrom, Eisen, Galljum, Indium, Mangan, Nickel, Blei, Zinn oder Zink bestehen.
- Von diesen Metallen wirken Kadmium, Blei, Zinn und Zink als Katalysatorgifte und daher ist es besser, ein anderes Metall zu verwenden, wenn eine Glanzschicht erforderlich ist.
- Andererseits kann eine wässrige Lösung aus Palladiumchlorid- Chlorwasserstoffsäure und dergleichen als Lösung eines Metalls mit Katalyse, das für das Bilden der zweiten Metallschicht verwendet wird, eingesetzt werden. Diese Lösung wird im Allgemeinen als Aktivierungslösung für die Vorbehandlung des stromlosen Plattierens verwendet. Natürlich können von anderen Metallen mit Katalyse diejenigen verwendet werden, die ein edleres Gleichgewichtspotential der Oxidationsreduktion als das des Materials, das die erste Metallschicht bildet, aufweisen. D. h. diejenigen Metalle, die für das in der ersten Metallschicht enthaltene Metall substituiert werden können. Zum Beispiel können Platin, Gold, Silber, Rhodium und Iridium sowie Palladium verwendet werden.
- Die in den ersten oder zweiten Metallschichten beispielhaft enthaltenen Metalle können allein oder als eine eines dieser Metalle enthaltende Legierung verwendet werden.
- Der dritte Schritt des Bildens einer dritten Metallschicht wird durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall bei Durchführen des stromlosen Plattierens mit Hilfe der oben erwähnten zweiten Metallschicht als Katalysator durchgeführt. Da dieser dritte Schritt dem zweiten Schritt des Bildens der zweiten Metallschicht 4 in der oben erwähnten ersten Ausführung entspricht und diesem im Wesentlichen gleicht, findet die oben erwähnte Erläuterung auch hierauf Anwendung.
- Wie vorstehend beschrieben, kann die in der ersten oder zweiten Ausführung erzeugte Metallschicht beim Bilden einer Innenleiterschicht eines laminierten keramischen Elektronikbauelements, zum Beispiel einer Innenelektrode zum Bilden der Kapazität eines Vielschicht-Keramikkondensators, vorteilhaft verwendet werden.
- Fig. 3A bis 3C zeigen eine erste Ausführung eines Herstellverfahrens für ein erfindungsgemäßes laminiertes keramisches Elektronikbauelement.
- In Fig. 3A werden die durch die ersten oder zweiten Ausführungen des Herstellverfahrens für die erfindungsgemäße Metallschicht erzeugten Metallschichten 11 an dem Tragelement 12 ausgebildet gezeigt. Die Metallschichten 11 werden in dem an dem Tragelement 12 ausgebildeten Zustand, wie in Fig. 3A gezeigt, dargestellt.
- Wie in Fig. 3B gezeigt, wird ein Komplex 14 bestehend aus den Metallschichten 11 und einer ungesinterten Keramikschicht 13 durch Formen der ungesinterten Keramikschicht 13 auf dem Tragelement 12 zum Abdecken der Metallschichten 11 erzeugt.
- Wie in Fig. 3C gezeigt, wird ein ungesintertes Laminat 15 durch Laminieren von mehreren Komplexen 14 erzeugt. Da Fig. 3C eine Zwischenphase während des Laminierens der Komplexe 14 zeigt, wird in der Zeichnung nur ein Teil des ungesinterten Laminats gezeigt. Fig. 3A zeigt, dass dem an einer oberen Position angeordneten Komplex 14 beim Laminieren Vorrang gegeben wird.
- Wie in Fig. 3C gezeigt, wird der Komplex 14 durch das Tragelement 12 gestützt, bis es an dem Komplex 14 laminiert wird, welcher zuvor laminiert wurde. Daher werden bei jedem Laminieren eines Komplexes 14 mehrere Komplexe 14 wiederholt durch Ausüben von Druck von der Seite des Tragelements 12, wie durch Pfeil 16 gezeigt, durch Druck gebondet. Danach wird das Tragelement 12 abgezogen, wie durch Pfeil 17 angezeigt.
- Der Schritt des Ablösens des Tragelements 12 kann vor dem Schritt des Laminierens jedes Komplexes 14 erfolgen.
- Wenn das ungesinterte Laminat 15 für die Herstellung eines Vielschicht- Keramikkondensators verwendet wird, erfolgt das Ausrichten der Metallschichten 11, damit eine Innenelektrode zum Bilden der Kapazität durch die einander gegenüberliegenden Metallschichten 11 mit der ungesinterten Keramikschicht 13 dazwischen beim Schritt des Laminierens konfiguriert wird.
- Das ungesinterte Laminat 15 wird geschnitten, um einen Laminatchip für ein einzelnes laminiertes keramisches Elektronikbauelement herzustellen. Ggf. wird es anschließend einem Schritt des Entfettens und einem Schritt des Wärmebehandelns unterzogen.
- Dann werden Endelektroden, etc. an der äußeren Fläche des wärmebehandelten Laminats ausgebildet und daher wird ein geplantes laminiertes keramisches Elektronikbauteil, beispielsweise ein Vielschicht-Keramikkondensator, fertiggestellt.
- Fig. 4A bis 4C sind Diagramme zur Erläuterung einer zweiten Ausführung des Herstellverfahrens für das erfindungsgemäße laminierte keramische Elektronikbauelement.
- In Fig. 4A werden die Metallschichten 21 an dem Tragelement 22 ähnlich wie in Fig. 3A ausgebildet gezeigt.
- In Fig. 4A wird eine auf einer Trägerfolie 23 geformte ungesinterte Keramikschicht 24 gezeigt.
- Wie vorstehend beschrieben werden die an dem Tragelement 22 ausgebildeten Metallschichten 21 und die an der Trägerfolie 23 geformte ungesinterte Keramikschicht 24 jeweils erzeugt und dann werden die folgenden Schritte nacheinander ausgeführt.
- Wie in Fig. 4B gezeigt, wird ein Schritt des Bildens eines Komplexes 25 aus den Metallschichten 21 und der ungesinterten Keramikschicht 24 durch Übertragen der Metallschichten 21 von dem Tragelement 22 auf die ungesinterte Keramikschicht 24 ausgeführt.
- Insbesondere werden die auf dem Tragelement 22 ausgebildeten Metallschichten 21 und die von der Trägerfolie 23 gestützte ungesinterte Keramikschicht 24 einander überlappend angeordnet und in diesem Zustand werden das Tragelement 22 und die Trägerfolie 23 in Richtung des Überlappens gepresst. Dann wird das Tragelement 22 wie durch Pfeil 26 gezeigt abgelöst und dadurch werden die Metallschichten 21 von dem Tragelement 22 auf die ungesinterte Keramikschicht 24 übertragen.
- Wie in Fig. 4C gezeigt, wird ein Schritt des Bildens eines ungesinterten Laminats 27 durch Laminieren von mehreren Komplexen 25 durchgeführt. In Fig. 4C wird ähnlich zu Fig. 3C nur ein Teil des ungesinterten Laminats 27 in der Zeichnung gezeigt, und die Zeichnung zeigt, dass einem an einer oberen Position angeordneten Komplex 25 beim Laminieren Vorrang gegeben wird.
- Der Komplex 25 wird durch die Trägerfolie 23 gestützt, bis er an dem vorher laminierten Komplex 25 Laminiert wird. Dann wird nach dem Laminieren des Komplexes 25 von der Seite der Trägerfolie 23 aus Druck ausgeübt, wie durch einen Pfeil 28 angezeigt, die Komplexe 25 werden wiederholt durch Druck miteinander gebondet und dann wird die Trägerfolie 23 abgezogen, wie durch Pfeil 29 angezeigt, so dass das ungesinterte Laminat 27 erzeugt wird.
- Der Schritt des Ablösens der Trägerfolie 23 kann vor dem Schritt des Laminierens jedes Komplexes 25 durchgeführt werden.
- Das so erzeugte ungesinterte Laminat 27 wird in ähnlicher Weise wie bei der oben erwähnten ersten Ausführung geschnitten und ggf. einem Schritt des Entfettens und Wärmebehandelns unterzogen. Dann werden Endelektroden etc. ausgebildet und daher wird ein geplantes laminiertes keramisches Elektronikbauelement, beispielsweise ein Vielschicht-Keramikkondensator, erzeugt.
- Die erfindungsgemäßen Ausführungen können auf laminierte keramische Elektronikbauelemente, zum Beispiel vielschichtige keramische Tragelemente, laminierte Keramikinduktoren und laminierte Filter sowie Mehrschicht- Keramikkondensatoren, angewendet werden.
- Als Nächstes werden Beispiele beschrieben, die zum Nachweis der Wirkungen bei erfindungsgemäßen Ausführungen durchgeführt wurden.
- In Beispiel 1 wurden jeweils Beispiele und Vergleichsbeispiele bezüglich des Herstellverfahrens für die Metallschicht ausgeführt und Beurteilungen derselben vorgenommen.
- (1) Eine aus Polyethylenterephthalat bestehende Schicht, auf welcher eine Formentrennlage auf Siliconbasis ausgebildet wurde, wurde als Tragelement erzeugt. Es wurde eine Metallmaske aus Edelstahl in einer Dicke von 0,2 mm hergestellt, auf welcher an den Teilen, die zu den mehreren Innenelektroden für einen Vielschicht-Keramikkondensator werden würden, Öffnungen platziert wurden.
- (2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche des Tragelements aufgebracht, auf welchem die Formentrennlage ausgebildet worden war. Durch 10 Sekunden langes Verdampfen von Palladium auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 1 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.
- Die aus Palladium gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass das Palladium in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur vorlag.
- Fig. 5 ist eine Elektronenmikroaufnahme der vorstehend erwähnten ersten Metallschicht. In Fig. 5 bezeichnet Bezugsziffer 1 das Tragelement und Bezugsziffer 2 die erste Metallschicht.
- (3) Das Tragelement, auf welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Plattierbad unter Verwendung von Phosphinigsäure als Reduktionsmittel eingetaucht, um eine zweite Metallschicht auszubilden. Bei diesem stromlosen Plattieren betrug die Badtemperatur 80°C und die Eintauchzeit lag bei 50 Sekunden.
- Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,7 µm.
- Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
- (1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
- (2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 10 Sekunden langes Verdampfen von Eisen auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 2 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.
- Die aus Eisen gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass das Eisen in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur vorlag.
- (3) Palladium wurde für die Oberfläche der aus Eisen hergestellten ersten Metallschicht durch ein einminütiges Eintauchen des Tragelements, an welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, in eine wässrige Lösung aus Palladiumchlorid-Chlorwasserstoffsäure substituiert und dadurch wurde die aus Palladium hergestellte zweite Metallschicht gebildet.
- (4) Das Tragelement, auf welchem die zweite Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Plattierbad ähnlich dem von Schrift (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Plattieren eine dritte Metallschicht ausgebildet.
- Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,7 µm.
- Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
- (1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
- (2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 16 Sekunden langes Verdampfen von Silber auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 6 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.
- Die aus Silber gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur vorlag.
- (3) Das Tragelement, auf welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Plattierbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Plattieren eine zweite Metallschicht ausgebildet.
- Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,6 µm.
- Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
- (1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
- (2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 10 Sekunden langes Verdampfen von Silber auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 5 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.
- Die aus Silber gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur vorlag.
- (3) Palladium wurde für die Oberfläche der aus Silber hergestellten ersten Metallschicht durch ein einminütiges Eintauchen des Tragelements, an welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, in eine wässrige Lösung aus Palladiumchlorid-Chlorwasserstoffsäure substituiert und dadurch wurde die aus Palladium hergestellte zweite Metallschicht gebildet.
- (4) Das Tragelement, auf welchem die zweite Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Plattierbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Plattieren eine dritte Metallschicht ausgebildet.
- Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,7 µm.
- Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
- (1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
- (2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 30 Sekunden langes Verdampfen von Kupfer auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 4 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.
- Die aus Kupfer gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur vorlag.
- (3) Palladium wurde für die Oberfläche der aus Kupfer hergestellten ersten Metallschicht durch ein einminütiges Eintauchen des Tragelements, an welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, in eine wässrige Lösung aus Palladiumchlorid-Chlorwasserstoffsäure substituiert und dadurch wurde die aus Palladium hergestellte zweite Metallschicht gebildet.
- (4) Das Tragelement, auf welchem die zweite Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Plattierbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Plattieren eine dritte Metallschicht ausgebildet.
- Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,7 µm.
- Diese Metallschicht hatte keine Fehler und wies ausgezeichnete Formentrenneigenschaften auf.
- (1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
- (2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 100 Sekunden langes Verdampfen von Palladium auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 1 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.
- Die aus Palladium gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Elektronenmikroskop (TEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 eine gleichmäßige kontinuierliche Schicht war.
- (3) Es wurde ein Eintauchen in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs- Plattierbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit durchgeführt und daher wurde ein Arbeitsschritt zum Bilden einer zweiten Metallschicht durch stromloses Plattieren durchgeführt.
- Die zweite Metallschicht löste sich jedoch während dieses stromlosen Plattierens und während des Wasserwaschens nach dem Plattieren zusammen mit der ersten Metallschicht ab und daher ließ sich keine Metallschicht mit ausgezeichneten Eigenschaften bilden.
- (1) Es wurden ein Tragelement und eine Metallmaske hergestellt, die denen in (1) Beispiel 1 ähnelten.
- (2) Die oben erwähnte Metallmaske wurde nah an die Oberfläche der Seite der Formentrennlage des oben erwähnten Tragelements aufgebracht. Durch 100 Sekunden langes Verdampfen von Nickel auf den Öffnungen der Metallmaske bei einer Schichtherstellungsgeschwindigkeit von 10 Å/sek. auf der Basis einer Quarzresonator-Dickenlehre mittels einer Vakuumverdampfungsanlage wurde durch diese Metallmaske eine erste Metallschicht ausgebildet.
- Die aus Nickel gebildete erste Metallschicht wurde mit einem Rasterelektronenmikroskop (SEM) untersucht und es wurde nachgewiesen, dass die erste Metallschicht in jedem Bereich von 1 × 105 nm2 eine gleichmäßige kontinuierliche Schicht war.
- (3) Das Tragelement, auf welchem die erste Metallschicht ausgebildet worden war, wurde in ein stromloses Nickel-Phosphor-Legierungs-Plattierbad ähnlich dem von Schritt (3) des Beispiels 1 bei einer ähnlichen Eintauchzeit eingetaucht und daher wurde durch stromloses Plattieren eine zweite Metallschicht ausgebildet.
- Die Schichtdicke der so gebildeten Metallschicht betrug 0,8 µm.
- Diese Metallschicht wies eine mangelhafte Formentrenneigenschaft auf und wurde nicht übertragen, als eine Übertragung auf eine ungesinterte Keramikschicht versucht wurde.
- Bei diesem Experiment wurde ein Vielschicht-Keramikkondensator unter Verwendung der Metallschicht von Beispiel 1 in Experiment 1 als Innenelektrode hergestellt.
- Eine ungesinterte 7 µm dicke Keramikschicht, die Bariumtitanat als primäres Material enthielt, wurde auf einem Tragelement, auf welchem eine Metallschicht ausgebildet worden war, mittels eines Schabklingenverfahrens ausgebildet.
- Ein mit mehreren Metallschichten und mehreren ungesinterten Keramikschichten versehenes ungesintertes Laminat wurde durch wiederholtes Druckbonden von mehreren Komplexen, die jeweils aus der miteinander laminierten ungesinterten Keramikschicht und der Metallschicht bestanden, erzeugt. Das Druckbonden der Komplexe mit einander wurde durch Druckausübung von der Tragelementseite aus durchgeführt.
- Die Abzieheigenschaft der Metallschicht von dem Tragelement war während dieses Schritts ausgezeichnet.
- Das ungesinterte Laminat wurde auf eine vorbestimmte Größe zugeschnitten und dann bei einer Temperatur von 1.200°C wärmebehandelt. Dann wurde eine Endelektrode ausgebildet und somit wurde ein Vielschicht-Keramikkondensator erzeugt.
- Es sind verschiedene Abwandlungen der beschriebenen Ausführung möglich und liegen für den Fachmann nahe, ohne vom Schutzumfang, der durch die folgenden Patentansprüche festgelegt wird, abzuweichen.
Claims (16)
1. Herstellverfahren für eine Metallschicht, welches Folgendes umfasst:
einen ersten Schritt des Bildens einer aus einem stromlosen Plattier- Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, und
einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird.
einen ersten Schritt des Bildens einer aus einem stromlosen Plattier- Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, und
einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird.
2. Herstellverfahren für eine Metallschicht, welches Folgendes umfasst:
einen ersten Schritt des Bildens einer aus einem stromlosen Plattier- Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst,
einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial durch Adhäsion während des Anwendens der Eintauchplattierung aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht, und
einen dritten Schritt des Bildens einer dritten Metallschicht durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird.
einen ersten Schritt des Bildens einer aus einem stromlosen Plattier- Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei der erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst,
einen zweiten Schritt des Bildens einer zweiten Metallschicht aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial durch Adhäsion während des Anwendens der Eintauchplattierung aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht, und
einen dritten Schritt des Bildens einer dritten Metallschicht durch Herstellen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird.
3. Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass bei dem ersten Schritt die erste Metallschicht in jedem
Bereich von 1 × 105 nm2 in der Inselstruktur oder in der Netzwerkstruktur
vorliegt.
4. Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus
der Gruppe bestehend aus Palladium, Silber, Gold, Platin, Nickel, Kobalt,
Rhodium und Iridium umfasst.
5. Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht eine Metallschicht gewählt aus der
Gruppe bestehend aus einer Palladiumschicht mit einer Dicke von unter 10 nm,
einer Silberschicht mit einer Dicke von unter 20 nm und einer Goldschicht mit
einer Dicke von unter 20 nm umfasst.
6. Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 1, 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die während des Ausführens des stromlosen Plattierens
gebildete Metallschicht mindestens ein Metall gewählt aus der Gruppe
bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber, Palladium, Platin, Kobalt und Rhodium
umfasst.
7. Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht mindestens ein Metall gewählt
aus der Gruppe bestehend aus Silber, Aluminium, Cadmium, Kobalt, Kupfer,
Chrom, Eisen, Gallium, Indium, Mangan, Nickel, Blei, Zinn und Zink umfasst
und die zweite Metallschicht mindestens ein Metall umfasst, welches aus der
Gruppe bestehend aus Palladium, Platin, Gold, Silber, Rhodium und Iridium
gewählt wird und welches ein Metall ist, das für das in der ersten Metallschicht
enthaltene Metall substituiert werden kann.
8. Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht eine Metallschicht gewählt aus der
Gruppe bestehend aus einer Kupferschicht mit einer Dicke von unter 30 nm,
einer Silberschicht mit einer Dicke von unter 20 nm und einer Eisenschicht mit
einer Dicke von unter 10 nm umfasst.
9. Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass die erste Metallschicht bei dem ersten Schritt durch
Ausbilden durch eine Maske strukturiert wird.
10. Herstellverfahren für die Metallschicht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, dass als Tragelement eines mit einer Oberfläche, auf welcher
die erste Metallschicht ausgebildet werden soll, welches einer
Formentrennbehandlung unterzogen wurde, verwendet wird.
11. Durch das Herstellverfahren nach Anspruch 1 oder 2 erzeugte Metallschicht.
12. Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement,
welches Folgendes umfasst:
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei das Bilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, das Bilden einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird;
das Erzeugen eines die Metallschicht und eine ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Ausbilden der ungesinterten Keramikschicht auf dem Tragelement, um die Metallschicht abzudecken;
das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexen,
das Abziehen des Tragelements von jedem der Komplexe und
das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei das Bilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, das Bilden einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird;
das Erzeugen eines die Metallschicht und eine ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Ausbilden der ungesinterten Keramikschicht auf dem Tragelement, um die Metallschicht abzudecken;
das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexen,
das Abziehen des Tragelements von jedem der Komplexe und
das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
13. Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement,
welches Folgendes umfasst:
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei das Bilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, das Bilden einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird;
das Herstellen einer ungesinterten Keramikschicht;
das Erzeugen eines die Metallschicht und eine ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Übertragen der Metallschicht von dem Tragelement auf die ungesinterte Keramikschicht,
das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexen und
das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei das Bilden beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst, das Bilden einer zweiten Metallschicht durch Bilden einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der ersten Metallschicht als Katalysator durchgeführt wird;
das Herstellen einer ungesinterten Keramikschicht;
das Erzeugen eines die Metallschicht und eine ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Übertragen der Metallschicht von dem Tragelement auf die ungesinterte Keramikschicht,
das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexen und
das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
14. Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement,
welches Folgendes umfasst:
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei dieser erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst,
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial gefertigten zweiten Metallschicht durch Adhäsion während des Ausführens von Eintauchplattieren aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht,
das Bilden einer dritten Metallschicht durch Fertigen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird,
das Erzeugen eines die Metallschicht und eine ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Ausbilden der ungesinterten Keramikschicht auf dem Tragelement, um die Metallschicht abzudecken;
das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexen,
das Abziehen des Tragelements von jedem der Komplexe und
das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei dieser erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst,
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial gefertigten zweiten Metallschicht durch Adhäsion während des Ausführens von Eintauchplattieren aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht,
das Bilden einer dritten Metallschicht durch Fertigen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird,
das Erzeugen eines die Metallschicht und eine ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Ausbilden der ungesinterten Keramikschicht auf dem Tragelement, um die Metallschicht abzudecken;
das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexen,
das Abziehen des Tragelements von jedem der Komplexe und
das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
15. Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement,
welches Folgendes umfasst:
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei dieser erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst,
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial gefertigten zweiten Metallschicht durch Adhäsion während des Ausführens von Eintauchplattieren aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht,
das Bilden einer dritten Metallschicht durch Fertigen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird,
das Erzeugen einer ungesinterten Keramikschicht, das Erzeugen eines die Metallschicht und die ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Übertragen der Metallschicht von dem Tragelement auf die ungesinterte Keramikschicht,
das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexen und
das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Keimmaterial auf einem Tragelement mit Hilfe einer vakuumdünnschichtbildenden Anlage gefertigten ersten Metallschicht, wobei dieser erste Schritt beendet wird, bevor die erste Metallschicht zu einer gleichmäßigen kontinuierlichen Schicht heranwächst,
das Bilden einer aus einem stromlosen Plattier-Katalysatormaterial gefertigten zweiten Metallschicht durch Adhäsion während des Ausführens von Eintauchplattieren aufgrund einer ionischen Verdrängungsreaktion an mindestens der Oberfläche der ersten Metallschicht,
das Bilden einer dritten Metallschicht durch Fertigen einer Schicht aus einem Metall, während stromloses Plattieren unter Verwendung der zweiten Metallschicht als Katalysator ausgeführt wird,
das Erzeugen einer ungesinterten Keramikschicht, das Erzeugen eines die Metallschicht und die ungesinterte Keramikschicht umfassenden Komplexes durch Übertragen der Metallschicht von dem Tragelement auf die ungesinterte Keramikschicht,
das Erzeugen eines ungesinterten Laminats durch Laminieren von mehreren der Komplexen und
das Wärmebehandeln des ungesinterten Laminats.
16. Durch das Herstellverfahren nach Anspruch 12, 13, 14 oder 15 erzeugtes
laminiertes keramisches Elektronikbauelement.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP01-174251 | 2001-06-08 | ||
JP2001174251 | 2001-06-08 | ||
JP2002099749A JP3656612B2 (ja) | 2001-06-08 | 2002-04-02 | 金属膜およびその製造方法ならびに積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP02-099749 | 2002-04-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10225680A1 true DE10225680A1 (de) | 2003-08-21 |
DE10225680B4 DE10225680B4 (de) | 2014-07-31 |
Family
ID=26616625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10225680.2A Expired - Fee Related DE10225680B4 (de) | 2001-06-08 | 2002-06-10 | Herstellverfahren für eine Metallschicht sowie Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6967163B2 (de) |
JP (1) | JP3656612B2 (de) |
KR (1) | KR100486759B1 (de) |
CN (1) | CN100463084C (de) |
DE (1) | DE10225680B4 (de) |
GB (2) | GB0212286D0 (de) |
TW (1) | TW574416B (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI226660B (en) * | 2003-04-01 | 2005-01-11 | Univ Nat Taiwan | Method of fabricating polysilicon film by Nickel/Copper induced lateral crystallization |
CN1813084B (zh) * | 2003-06-27 | 2010-05-05 | 京瓷株式会社 | 金属镀膜的形成方法、电子部件制造方法及镀膜形成装置 |
US7459198B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-12-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Stress relief for electroplated films |
JP4631342B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2011-02-16 | 株式会社デンソー | 積層型圧電体素子の製造方法 |
JP2006083442A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、電子デバイス、及び電子機器 |
US20060228534A1 (en) * | 2005-04-08 | 2006-10-12 | Battelle Memorial Institute | Method for reduction of islanding in metal layers formed on dielectric materials |
US8159811B2 (en) * | 2007-10-19 | 2012-04-17 | Oh Young Joo | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
US7626802B2 (en) * | 2007-10-19 | 2009-12-01 | Oh Young Joo | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
US8203823B2 (en) * | 2008-01-11 | 2012-06-19 | Oh Young Joo | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
CN101422918B (zh) * | 2008-10-21 | 2011-03-16 | 宁波大学 | 一种易脱模陶瓷坯料成型模具 |
JP5737878B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2015-06-17 | 上村工業株式会社 | 無電解めっき方法及びled実装用基板 |
US20120058362A1 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-08 | Infineon Technologies Ag | Method for depositing metal on a substrate; metal structure and method for plating a metal on a substrate |
CN102560370B (zh) * | 2010-12-29 | 2014-07-16 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 被覆件及其制造方法 |
KR20120102319A (ko) * | 2011-03-08 | 2012-09-18 | 삼성전기주식회사 | 금속 증착 필름, 및 이를 이용한 금속 분말 |
CN102758187B (zh) * | 2011-04-27 | 2015-05-20 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 铁基合金表面镀膜方法及由该方法其制得的镀膜件 |
JP5988356B2 (ja) * | 2012-06-25 | 2016-09-07 | 京セラ株式会社 | 制御素子およびそれを用いた荷電粒子線装置 |
JP5902853B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-04-13 | 日立マクセル株式会社 | メッキ部品の製造方法 |
CN109023230B (zh) * | 2018-08-16 | 2020-04-24 | 广州本康环保科技有限公司 | 一种质量厚度为700-1000μg/cm2自支撑锡薄膜及其制备方法 |
KR20230001824U (ko) | 2022-03-11 | 2023-09-19 | 이기원 | 감기 예방용 칫솔 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3878007A (en) * | 1971-11-18 | 1975-04-15 | Rca Corp | Method of depositing a pattern of metal plated areas on an insulating substrate |
US3877981A (en) * | 1973-04-30 | 1975-04-15 | Rca Corp | Method of electroless plating |
US4354911A (en) * | 1981-08-07 | 1982-10-19 | Western Electric Company Inc. | Method of selectively depositing a metal on a surface by means of sputtering |
US4402998A (en) * | 1982-01-04 | 1983-09-06 | Western Electric Co., Inc. | Method for providing an adherent electroless metal coating on an epoxy surface |
JPH0754780B2 (ja) * | 1987-08-10 | 1995-06-07 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JPH0643248B2 (ja) * | 1987-09-18 | 1994-06-08 | 科学技術庁金属材料技術研究所長 | 遷移金属ほう化物繊維の製造法 |
JPH01226139A (ja) | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JPH0329307A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックチップコンデンサーの製造方法 |
JP2504223B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1996-06-05 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサの製造方法 |
JP2990621B2 (ja) * | 1990-11-05 | 1999-12-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
US6007652A (en) * | 1990-11-05 | 1999-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of preparing metal thin film having excellent transferability |
JP3093505B2 (ja) * | 1993-02-03 | 2000-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JPH06302469A (ja) | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサの内部電極形成方法 |
US5576053A (en) * | 1993-05-11 | 1996-11-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming an electrode on an electronic part |
JP3316947B2 (ja) | 1993-06-15 | 2002-08-19 | 株式会社村田製作所 | 電子部品用多層金属膜支持体、多層金属膜積層セラミックグリーンシート支持体及び積層体 |
JPH0757961A (ja) | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
US5595943A (en) * | 1994-06-30 | 1997-01-21 | Hitachi, Ltd. | Method for formation of conductor using electroless plating |
JP3464590B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2003-11-10 | 住友大阪セメント株式会社 | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
JPH1126631A (ja) * | 1997-07-02 | 1999-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
US6406743B1 (en) * | 1997-07-10 | 2002-06-18 | Industrial Technology Research Institute | Nickel-silicide formation by electroless Ni deposition on polysilicon |
US6436816B1 (en) * | 1998-07-31 | 2002-08-20 | Industrial Technology Research Institute | Method of electroless plating copper on nitride barrier |
US6288442B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-09-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit with oxidation-resistant polymeric layer |
KR100293510B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2001-07-12 | 구자홍 | 플라즈마디스플레이패널의전극및그제조방법 |
JP3293783B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2002-06-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6211071B1 (en) * | 1999-04-22 | 2001-04-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Optimized trench/via profile for damascene filling |
US6265075B1 (en) * | 1999-07-20 | 2001-07-24 | International Business Machines Corporation | Circuitized semiconductor structure and method for producing such |
US6426293B1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-07-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Minimizing resistance and electromigration of interconnect by adjusting anneal temperature and amount of seed layer dopant |
-
2002
- 2002-04-02 JP JP2002099749A patent/JP3656612B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-24 TW TW91111046A patent/TW574416B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-05-28 GB GBGB0212286.9A patent/GB0212286D0/en not_active Ceased
- 2002-06-07 GB GB0213112A patent/GB2377227B/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-08 KR KR10-2002-0032153A patent/KR100486759B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-06-10 US US10/164,564 patent/US6967163B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-10 CN CNB021227527A patent/CN100463084C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-10 DE DE10225680.2A patent/DE10225680B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100463084C (zh) | 2009-02-18 |
JP3656612B2 (ja) | 2005-06-08 |
KR20020093640A (ko) | 2002-12-16 |
US20030022492A1 (en) | 2003-01-30 |
GB0212286D0 (en) | 2002-07-10 |
GB0213112D0 (en) | 2002-07-17 |
KR100486759B1 (ko) | 2005-05-03 |
CN1391242A (zh) | 2003-01-15 |
US6967163B2 (en) | 2005-11-22 |
GB2377227A (en) | 2003-01-08 |
DE10225680B4 (de) | 2014-07-31 |
GB2377227B (en) | 2004-01-14 |
TW574416B (en) | 2004-02-01 |
JP2003055775A (ja) | 2003-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10225680B4 (de) | Herstellverfahren für eine Metallschicht sowie Herstellverfahren für ein laminiertes keramisches Elektronikbauelement | |
DE60120454T2 (de) | Folie mit mehrschichtigem metall und verfahren zur herstellung derselben | |
DE2424338C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat | |
DE112015006047B4 (de) | Herstellungsverfahren für eine räumliche leiterplatte, räumliche leiterplatte und substrat für eine räumliche leiterplatte | |
EP0385995B1 (de) | PRäGEFOLIE, INSBESONDERE HEISSPRäGEFOLIE, ZUR ERZEUGUNG VON LEITERBAHNEN AUF EINEM SUBSTRAT | |
DE2052424C3 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen | |
DE19632720A1 (de) | Mehrschicht-Kondensatoren unter Einsatz von amorphem, hydrierten Kohlenstoff sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
EP3592696B1 (de) | Anordnung und verfahren zum bereitstellen einer vielzahl von nanodrähten | |
DE10000090A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer mehrlagigen Planarspule | |
DE102018106691A1 (de) | Aufdampfmaskensubstrat, Aufdampfmaskensubstratherstellungsverfahren, Aufdampfmaskenherstellungsverfahren und Anzeigeeinrichtungsherstellungsverfahren | |
DE102011102986A1 (de) | Miteinander verbundene verschiedenartige Materialien und Verfahren | |
DE102018106690B4 (de) | Aufdampfmaskensubstrat, Aufdampfmaskensubstratherstellungsverfahren, Aufdampfmaskenherstellungsverfahren und Anzeigeeinrichtungsherstellungsverfahren | |
DE2425464A1 (de) | Verfahren zur herstellung von duennschicht-aperturblenden fuer korpuskularstrahlgeraete | |
EP0527980A1 (de) | Determiniertes mikrosieb, determinierter verbundkörper. | |
EP1579038B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines texturierten bandes aus metall | |
DE60017111T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer direkt mit einer Polyimidfolie verbundenen dünnen Kupferschicht | |
DE10007981A1 (de) | Gesprühtes Schaltungsmuster und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1665374B1 (de) | Basismaterial aus isolierstoff zum herstellen gedruckter leiterplatten | |
DE102008034616A1 (de) | Prägefolie und deren Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung von Strukturelementen aus Kupfer | |
DE10041506A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines Leiterbildes auf einer Schaltplatte | |
DE1665314C2 (de) | Basismaterial zur Herstellung gedruckter Schaltungen | |
DE102008016613B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit mindestens einer dielektrischen Schicht und ein elektrisches Bauelement mit mindestens einer dielektrischen Schicht | |
EP0016952B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von mit Abdeckungen versehenen Leiterplatten | |
EP2124515B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Schichtstruktur | |
DE2051728C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Schablonensiebes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01G 4005 |
|
8125 | Change of the main classification |
Ipc: C23C 18/31 AFI20051017BHDE |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |