DE10223482A1 - Verfahren zum Bilden einer Metallschicht eines Halbleiterelementes - Google Patents

Verfahren zum Bilden einer Metallschicht eines Halbleiterelementes

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Ku-Young Kim
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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden einer Metallschicht eines Halbleiterelementes und insbesondere ein Verfahren mit den Schritten: Entfernen eines restlichen natürlichen Oxides von einem Kontaktloch durch RF-Plasmaätzen, Bilden einer Metallverbindungsschicht auf diesem Kontaktloch, um die Verbindung mit einer isolierenden Zwischenschicht zu verbessern, Bilden einer ersten Metallschicht in dem Kontaktloch bis zu einer vorbestimmten Dicke unter einem vorbestimmten Druck, um die Stufenabdeckung zu verbessern, und Bilden einer zweiten Metallschicht bis zu einer vorbestimmten Dicke, wodurch die Metallschicht eingeebnet wird. Als Ergebnis wird die Stufenabdeckung der Bodenoberfläche und der Seitenwände des Kontaktloches verbessert, wodurch durch Trennung einer Metallleitung eines Halbleiterelementes verursachte Defekte vermieden werden und der ökonomische Effekt verbessert wird.

Description

    Hintergrund der Erfindung 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum flachen Aufeinanderstapeln einer Metallschicht eines Halbleiterelementes, und insbesondere auf eine Verfahren zum Bilden einer Metallschicht eines Halbleiterelementes, welches ein restliches natürliches Oxid von einem Kontaktloch durch RF-Plasmaätzen entfernt, eine Metallverbindungsschicht auf dem Kontaktloch bildet, um die Verbindung mit einer isolierenden Zwischenschicht zu verbessern, eine erste Metallschicht in dem Kontaktloch unter niedrigem Druck bis zu einer vorbestimmten Dicke bildet, um die Stufenabdeckung zu verbessern, und dann eine zweite Metallschicht bis zu einer vorbestimmten Dicke bildet, um hierdurch die Metallschicht einzuebnen.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Wenn die Integration eines Halbleiterelementes ansteigt, dann nimmt im Allgemeinen eine Kontaktfläche ab und es steigt ein Längenverhältnis an, welches einen Grad des Anwinkelns eines Ätzabschnittes widerspiegelt. Wenn die Fläche eines Kontaktloches abnimmt und das Längenverhältnis ansteigt, nimmt im Allgemeinen eine Stufenabdeckung eine Abschnittes, wie etwa eines Kontaktloches, ab. Daher verschlechtert sich der Stromfluss und Widerstandswert sinkt, wodurch die Zuverlässigkeit des Halbleiterelementes abnimmt.
  • Die Temperatur, die elektrische Energie, der Druck etc. sind Faktoren, die die Stufenabdeckung der Metallschicht beim Abscheiden einer Metallschicht auf dem Kontaktloch beeinflusst. Obwohl die Stufenabdeckung der Metallschicht durch Anpassen der elektrischen Energie und des Druckes beeinflusst werden kann, weist dieser Prozess einige Einschränkungen auf. Insbesondere kann die Stufenabdeckung mit der Temperatur eingestellt werden. Wenn die Temperatur jedoch zu hoch ist, wird Metall, welches auf den Seitenwänden des Kontaktloches angeordnet ist, zu einem anderen Abschnitt diffundiert (beispielsweise zu einer isolierenden Zwischenschicht) und es wird somit eine Metallleitung getrennt. Wenn die Temperatur niedrig ist, wird im Gegensatz dazu die metallische Leitung verbunden, jedoch wird die Stufenabdeckung aufgrund eines Schatteneffektes, welcher den Fluss des Metalls verschlechtert, verstärkt.
  • Auf diesem Weg wird durch einen Metallkontaktprozess für ein hochintegriertes Speicherelement von 256 MB oder mehr Wolfram (W) in dem Kontaktloch durch einen CVD (chemische Dampfabscheidung)-Prozess abgeschieden, und es wird dann eine Wolframschicht durch einen Rückätzprozess eingeebnet.
  • In dem Prozess zum Stapeln einer Wolframschicht in dem Kontaktloch und zum Einebnen derselben durch einen Rückätzprozess treten jedoch Probleme derart auf, dass eine große Anzahl von Schritten auftritt und somit die Kosten pro Einheit hoch sind, und der Rückätzprozess nicht präzise kontrolliert werden kann und daher die Wolframschicht übermäßig geätzt wird.
  • Darüber hinaus ist der Widerstand von Wolfram relativ größer als der von Aluminium oder Kupfer, so dass der Kontaktwiderstand hoch ist.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Daher ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Bildung einer Metallschicht eines Halbleiterelementes zur Verfügung zu stellen. Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, die Stufenabdeckung der Bodenoberfläche und der Seitenwände des Kontaktloches zu verbessern.
  • Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, Defekte zu verhindern, die durch eine Trennung der Metallleitung eines Halbleiterelementes verursacht werden, und den ökonomischen Effekt zu verbessern.
  • Um die obigen Ziele zu erreichen, wird ein Verfahren zur Verfügung gestellt, um eine Metallschicht eines Halbleiterelementes in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zu bilden, welches Verfahren die Schritte aufweist:
    kontinuierliches Bilden einer unteren leitenden Schicht und einer isolierenden Zwischenschicht auf einem Wafer mit einer vorbestimmten Substruktur;
    Bilden eines Kontaktloches durch Ätzen eines vorbestimmten Abschnittes einer isolierenden Zwischenschicht, wodurch die untere leitende Schicht exponiert wird;
    Entfernen von in dem Kontaktloch und in der isolierenden Zwischenschicht des Wafers vorhandener Feuchtigkeit durch Entgasen;
    Entfernen eines restlichen natürlichen Oxides von der unteren leitenden gegenüber einer Bodenoberfläche des Kontaktloches exponierten Schicht durch Ausführen von RF-Plasmaätzen nach dem Entgasen des Wafers;
    Bilden einer Metallverbindungsschicht auf einer gesamten Oberfläche des Kontaktloches und der isolierenden Zwischenschicht, wodurch eine Verbindung mit der unteren leitenden Schicht hergestellt wird;
    Bilden einer ersten Metall schicht auf der Metallverbindungsschicht;
    Bilden einer zweiten Metallschicht auf der ersten Metallschicht;
    und Bilden eines Musters durch maskiertes Ätzen nach Beschichten der zweiten Metallschicht mit einem Antireflektionsfilm.
  • Die isolierende Zwischenschicht ist eine SOG-Schicht, eine HSQ- Schicht, eine HDP-Oxid-Schicht oder eine andere IMD-Schicht.
  • Die Metallverbindungsschicht ist Titan, eine Titan-Legierung, eine Titan- Nitrid-Schicht oder eine Titan/Titan-Nitrid-Schicht.
  • Die erste Metallschicht und die zweite Metallschicht sind Aluminium oder eine Aluminium-Legierung.
  • Die erste Metallschicht wird mit einer Gleichstromenergie von 1~20 KW bei einer zur Verfügung gestellten Inertgasmenge von etwa 1~500 sccm bei einer Heiztemperatur von unter 400°C und unter einem Prozessdruck von unter 0.5 mTorr abgeschieden. Insbesondere ist die Heiztemperatur eine Umgebungstemperatur und die Temperatur des Wafers wird im Bereich von 200~300°C durch das Plasma angehoben.
  • Die zweite Metallschicht wird mit einer Gleichstromenergie von 1~20 KW und einer zugeführten Inertgasmenge von 1~1000 sccm abgeschieden.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die obigen Ziele, Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden klarer aus der folgenden detaillierten Beschreibung, wenn sie in Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen gesehen wird, in denen:
  • Fig. 1 eine Ansicht ist, die den Status zeigt, in welchem eine untere leitende Schicht und eine isolierende Zwischenschicht auf einem Wafer in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung beschichtet werden;
  • Fig. 2 eine Ansicht ist, die den Status zeigt, in welchem ein Kontaktloch auf der isolierenden Zwischenschicht gebildet wird und ein Abschnitt der unteren leitenden Schicht exponiert wird in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung;
  • Fig. 3 eine Ansicht ist, die den Status beim Ausführen eines RF- Plasmaätzprozesses zum Entfernen eines natürlichen Oxides von einem Kontaktloch in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Fig. 4 eine Ansicht ist, die den Status zeigt, in welchem eine Metallverbindungsschicht in dem Kontaktloch und auf dem oberen Abschnitt einer isolierenden Schicht in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung aufgebracht wird;
  • Fig. 5 eine Ansicht ist, die den Status zeigt, in welchem eine erste Metallschicht auf dem oberen Abschnitt der Metallverbindungsschicht in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung aufgebracht wird;
  • Fig. 6 eine Ansicht ist, die den Status zeigt, in welchem eine zweite Metallschicht auf dem oberen Abschnitt der ersten Metallschicht in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung aufgebracht wird;
  • Fig. 7 eine Ansicht ist, die den Status zeigt, in welchem eine Antireflektionsschicht auf dem oberen Abschnitt der zweiten Metallschicht in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung aufgebracht wird;
  • Fig. 8 eine Ansicht ist, die den Status zeigt, in welchem die Metallschicht, die erste und die zweite Metallschicht und die Antireflektionsschicht geätzt werden, um ein Muster in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zu bilden;
  • Fig. 9 ein Graph ist, welcher die kumulative Wahrscheinlichkeit eines Kontaktwiderstandes (Durchgangswiderstandes) gemäß den Typen von isolierenden Zwischenschichten in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • Fig. 10a bis 10d Fotografien sind, die die Eigenschaften des Status zeigen, in welchem die erste und die zweite Metallschicht gemäß der isolierenden Zwischenschicht in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung vergraben sind.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nunmehr mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • Wie in der Fig. 1 dargestellt, werden eine untere leitende Schicht 10 und eine isolierende Zwischenschicht 12 kontinuierlich auf einen Wafer 1 mit einer vorbestimmten Substruktur abgeschieden, und es wird anschließend eine Fotolackschicht 14 auf der isolierenden Zwischenschicht 12 gebildet, so dass ein Abschnitt geöffnet werden kann, an welchem ein Kontaktloch gebildet werden soll.
  • Als isolierende Zwischenschicht 12 werden eine SOG(auf Glas aufgeschleudert, englisch "spin-on-glass")-Schicht, eine HSQ (Wasserstoffsilsesquioxane)-Schicht, eine HDP(hochdichtes Plasma)-Oxidschicht oder eine andere IMD-Schicht verwendet.
  • Wie in der Fig. 9 dargestellt, zeigt der Graph einen Durchgangskettenwiderstand, wenn die SOG-Schicht, die HSQ-Schicht oder die HDP- Oxidschicht als isolierende Zwischenschicht 12 verwendet werden. In diesem Graphen werden statistisch getestete Proben insgesamt als 100% angenommen. Im Falle der HSQ-Schicht weisen 100% der HSQ- Schichten einen niedrigen Widerstand auf. Auf der anderen Seite liegt ein breiter Bereich von Widerständen zwischen 1 Ω und 100 Ω im Falle der SOG-Schicht vor.
  • An diesem Punkt wird der Widerstand und seine Verteilung mehr oder weniger verbessert, wenn die Rückätzdicke der SOG-Schicht von 150 nm auf 220 nm angehoben wird.
  • Mit anderen Worten ist es im Falle der Verwendung der SOG-Schicht bevorzugt durch einen Rückätzprozess zu Ätzen, so dass sie eine verbleibende Dicke von 500~4000 Å aufweist.
  • Wie in der Fig. 2 dargestellt, wird die isolierende Zwischenschicht 12 unter Verwendung der Fotolackschicht 14 durch einen Kontaktmaskenätzprozess geätzt, und es wird dann die untere leitende Schicht 10 exponiert, wodurch ein Kontaktloch 16 gebildet wird.
  • Durch Gasabscheidung wird Feuchtigkeit, die sich in dem Kontaktloch 16 und in der Zwischenschicht 12 des Wafers befindet, entfernt.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird auf der unteren leitenden Schicht 10, die der Bodenoberfläche des Kontaktloches 16 exponiert ist, ein natürliches Oxid kleiner Größe gebildet.
  • Wie in der Fig. 3 dargestellt ist, wird ein RF-Plasmaätzen ausgeführt, um das natürliche Oxid 18 zu entfernen.
  • Gemäß Fig. 4 wird eine Metallverbindungsschicht 20 auf den gesamten Oberflächen des Kontaktloches 16 und der isolierenden Zwischenschicht 12 auf dem Wafer 1 gebildet, so dass sie mit der unteren leitenden Schicht 10 verbunden werden können. Diese Metallverbindungsschicht 20 dient dazu, die Verbindungseigenschaften zu verbessern, so dass Metallverbindungen, die auf der isolierenden Zwischenschicht 12 und der unteren leitenden Schicht 10 angeordnet sind, die Verbindung einfach machen.
  • Als Metallverbindungsschicht werden Titan, eine Titanlegierung, eine Titannitridschicht oder eine Titan/Titannitridschicht verwendet. Die Metallverbindungsschicht 20 wird bis zu einer Stapeldicke von etwa 300~1000 Å gebildet, mit einer Gleichstromenergie von 5~20 KW bei einer Zuführmenge eines Inertgases von 10~200 sccm, bei einer Temperatur von 5~400°C und unter einem Druck von 20~100 mTorr.
  • Dann ist bevorzugt, dass die Gleichstromenergie 12 KW beträgt, dass als Inertgas Argon in einer Flussrate von 50~100 sccm zur Verfügung gestellt wird, dass die Temperatur bei 200~300°C liegt, und dass der Druck 40~60 mTorr beträgt.
  • Und wenn die Metallverbindungsschicht 20 beschichtet wird, beginnt die Temperatur einer ersten Kammer vorzugsweise bei einer Raumtemperatur.
  • Wie in der Fig. 5 dargestellt ist, wird der Wafer 1 mit einer resultierenden Struktur eines Stabes der Metallverbindungsschicht 20 in eine zweite Kammer verbracht, um eine erste Metallschicht 22 auf der Metallverbindungsschicht 20 bei einer vorbestimmten Temperatur und einem niedrigen Druck zu bilden.
  • Die erste Metallschicht 22 wird unter den folgenden Bedingungen abgeschieden: eine Abscheidedicke von 2500~3000 Å, eine Gleichstromenergie von 1~20 KW, Argon als verwendetes Inertgas mit einer Flussrate von 1~500 sccm, mit einer Temperatur von 10~400°C, bei einem Druck von 0.01~0.7 mTorr. Insbesondere liegt der Abscheidungsdruck vorzugsweise bei 0.01~0.5 mTorr.
  • Und wenn die erste Metallschicht 22 beschichtet wird, beginnt die Temperatur der zweiten Kammer bei der Raumtemperatur und die Temperatur des Wafers wird durch Plasma auf bis zu 200~300°C angehoben.
  • Anschließend kann nach dem Beschichten der ersten Metallschicht 22 der resultierende Wafer mit der ersten Metallschicht 22 auf Raumtemperatur abgekühlt werden, um eine erhöhte Temperatur abzusenken.
  • Wie in der Fig. 6 dargestellt ist, wird im Falle, dass der Wafer 1 mit einer resultierenden Struktur mit der ersten Metallschicht 22 in der gleichen Kammer (der zweiten Kammer), verbleibt wie er ist, eine zweite Metallschicht 24 auf der ersten Metallschicht 22 bei vorbestimmter Temperatur und Druck gebildet.
  • Zu diesem Zeitpunkt kann der gekühlte Wafer 1 auf eine Temperatur von 200~300°C für 10~300 Sekunden vor dem Abscheiden der zweiten Metallschicht vorgeheizt werden.
  • Die zweite Metallschicht 24 wird vorzugsweise unter den folgenden Bedingungen abgeschieden: eine Gleichstromenergie von 1~20 KW, Argon als Inertgas, welches mit einer Flussrate von 1~1000 sccm zugeführt wird, und eine Temperatur von 450~550°C.
  • Nach dem Bilden der zweiten Metallschicht 24 kann sie auf die Raumtemperatur abgekühlt werden. Wie in den Fig. 7 und 8 dargestellt ist, wird das resultierende Material zu einer vorbestimmten Kammer bewegt und es wird dann eine antireflektierende Schicht 26 auf dem Wafer 1 des resultierenden Materials aufgetragen, und es wird dann ein Muster 28 durch maskierendes Ätzen gebildet.
  • Fig. 10a bis 10d zeigen die vergrabenen Eigenschaften der ersten Metallschicht 22 und der zweiten Metallschicht 24 gemäß der isolierenden Zwischenschicht. Fig. 10a zeigt einen Fall der Verwendung einer HSQ- Schicht als isolierende Zwischenschicht 12. Fig. 10b zeigt einen Fall der Verwendung einer HDP-Oxidschicht als isolierende Zwischenschicht 12. Fig. 10c zeigt einen Fall der Verwendung einer SOG-Schicht als die isolierende Zwischenschicht 12 und der Ausführung eines 220 nm Rückätzprozesses. Fig. 10d zeigt einen Fall der Verwendung einer SOG-Schicht als die isolierende Zwischenschicht 12 und der Ausführung eines 150 nm Rückätzprozesses.
  • Im Vergleich zwischen der Fig. 10c und der Fig. 10d wird im Falle der Verwendung der SOG-Schicht der Eingrabungs- und Einebnungsprozess des Kontaktloches 16 weich ausgeführt, wenn der 220 nm Rückätzprozess ausgeführt wird.
  • Wie oben beschrieben, wird in dem Verfahren zur Bildung einer Metallschicht eines Halbleiterelementes demnach ein natürliches Restoxid von einem Kontaktloch durch RF-Plasmaätzen entfernt, eine Metallverbindungsschicht auf dieses Kontaktloch aufgebracht, um die Verbindung mit einer isolierenden Zwischenschicht zu verbessern, eine erste Metallschicht in diesem Kontaktloch mit einer vorbestimmten Dicke und unter einem niedrigen Druck aufgebracht, um die Stufenabdeckung zu verbessern, und dann eine zweite Metallschicht bis zu einer vorbestimmten Dicke aufgebracht, um dadurch die Metallschicht einzuebnen. Daher wird die Stufenabdeckung der Bodenoberfläche und der Seitenwände des Kontaktloches verbessert, wodurch durch die Trennung von Metallleitungen eines Halbleiterelementes verursachte Defekte vermieden werden und der ökonomische Effekt verbessert wird.

Claims (23)

1. Verfahren zum Bilden einer Metallschicht eines Halbleiterelementes, mit den Schritten:
eine untere leitende Schicht und eine isolierende Zwischenschicht wird kontinuierlich auf einem eine vorbestimmte Substruktur aufweisenden Wafer gebildet;
ein Kontaktloch wird durch Ätzen eines vorbestimmten Abschnittes der isolierenden Zwischenschicht gebildet, wodurch die untere leitende Schicht exponiert wird;
in dem Kontaktloch und in der isolierenden Zwischenschicht des Wafers enthaltene Feuchtigkeit wird durch Entgasen entfernt;
eine Metallverbindungsschicht wird auf einer Gesamtoberfläche des Kontaktloches und der isolierenden Zwischenschicht gebildet, wodurch eine Verbindung mit der unteren leitenden Schicht entsteht;
eine erste Metallschicht wird auf der Metallverbindungsschicht gebildet;
eine zweite Metallschicht wird auf der ersten Metallschicht gebildet; und
ein Muster wird durch maskierendes Ätzen nach dem Beschichten einer Antireflektionsschicht auf der zweiten Metallschicht gebildet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die isolierende Zwischenschicht mit einem Material gebildet wird, welches aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer SOG- Schicht, einer HSQ-Schicht und einer HDP-Schicht besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die SOG-Schicht durch einen Rückätzprozess geätzt wird, wobei sie eine verbleibende Dicke von 500~4000 Å aufweist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren weiterhin einen Schritt des Ausführens von Ätzen aufweist, wodurch ein verbleibendes natürliches Oxid von der unteren leitenden Schicht entfernt wird, welche nach dem Entgasen der Bodenoberfläche des Kontaktloches exponiert ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das natürliche Oxid durch RF-Plasmaätzen entfernt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallverbindungsschicht mit einem Material gebildet wird, welches aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Titan, einer Titanlegierung, einer Titannitridschicht und einer Titan/Titannitridschicht besteht.
7. Verfahren nach einem Ansprüche 1 oder 6, wobei die Metallverbindungsschicht bis zu einer Dicke von 300~1000 Å gebildet wird, mit einer Gleichstromenergie von 5~20 KW, bei einer Zuführmenge eines Inertgases von 10~200 sccm, bei einer Temperatur von 5~400°C und unter einem Druck von 20~100 mTorr.
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Metallverbindungsschicht mit einer Gleichstromenergie von 12 KW, bei einer Zuführmenge eines Inertgases von 50~100 sccm, bei einer Temperatur von 200~300°C und unter einem Druck von 40~60 mTorr gebildet wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Metallverbindungsschicht bei einer Temperatur gebildet wird, welche bei Raumtemperatur beginnt.
10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Metallschicht und die zweite Metallschicht mit Aluminium oder einer Aluminiumlegierung gebildet werden.
11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Metallschicht bis zu einer Dicke von 2500~3000 Å abgeschieden wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 11, wobei die erste Metallschicht mit einer Gleichstromenergie von 1~20 KW, bei einer Zuführmenge eines Inertgases von 1~500 sccm, und bei einer Temperatur von 10~400°C gebildet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Inertgas Argon ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 12, wobei die erste Metallschicht unter einem Druck von 0.01~0.7 mTorr abgeschieden wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Druck 0.01~0.5 mTorr beträgt.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 12, wobei die erste Metallschicht bei einer Temperatur abgeschieden wird, die bei einer Raumtemperatur beginnt.
17. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren weiterhin einen Schritt des Kühlens des Wafers bei einer Raumtemperatur nach dem Bilden der ersten Metallschicht aufweist.
18. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren weiterhin einen Schritt des Vorheizens des Wafers bei einer Temperatur von 200~300°C für 10~300 Sekunden vor dem Bilden der zweiten Metallschicht aufweist.
19. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweite Metallschicht mit einer Gleichstromenergie von 1~20 KW und bei einer Zuführmenge eines Inertgases von 1~1000 sccm abgeschieden wird.
20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Inertgas Argon ist.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 19, wobei die zweite Metallschicht bei einer Abscheidetemperatur von 450~550°C abgeschieden wird.
22. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren weiterhin einen Schritt des Kühlens der zweiten Metallschicht bei einer Raumtemperatur nach dem Bilden der zweiten Metallschicht aufweist.
23. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die antireflektierende Schicht aus einer Titan/Titan-Nitrid- Schicht gebildet wird.
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