DE102016211044B4 - Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem - Google Patents

Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem Download PDF

Info

Publication number
DE102016211044B4
DE102016211044B4 DE102016211044.6A DE102016211044A DE102016211044B4 DE 102016211044 B4 DE102016211044 B4 DE 102016211044B4 DE 102016211044 A DE102016211044 A DE 102016211044A DE 102016211044 B4 DE102016211044 B4 DE 102016211044B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wafer
annular frame
holding
adhesive tape
holding surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102016211044.6A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102016211044A1 (de
Inventor
Hitoshi Hoshino
Karl Priewasser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to DE102016211044.6A priority Critical patent/DE102016211044B4/de
Priority to US15/628,254 priority patent/US9935010B2/en
Priority to JP2017120663A priority patent/JP6594930B2/ja
Publication of DE102016211044A1 publication Critical patent/DE102016211044A1/de
Priority to JP2019132094A priority patent/JP2019208047A/ja
Application granted granted Critical
Publication of DE102016211044B4 publication Critical patent/DE102016211044B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H01L21/8222—Bipolar technology
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/359—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0029—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rotating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (2), der an einer Seite (4) einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen, die durch mehrere Trennlinien abgetrennt sind, aufweist, wobei das Verfahren umfasst:Anbringen der einen Seite (4) des Wafers (2) oder der Seite (6) des Wafers (2), die der einen Seite (4) gegenüberliegt, an einem Haftband (8), das durch einen ersten ringförmigen Rahmen (10) gehalten wird, so dass der Wafer (2) innerhalb einer mittleren Öffnung (12) des ersten ringförmigen Rahmens (10) angeordnet ist;Aufbringen eines Laserstrahls (LB) auf den Wafer (2) entlang der Trennlinien, um so einen modifizierten Bereich in dem Wafer (2) entlang der Trennlinien auszubilden;Anordnen des an dem Haftband (8) angebrachten Wafers (2) an einer Halteoberfläche (14) eines Halteelements (16) vor oder nach dem Aufbringen des Laserstrahls (LB) auf den Wafer (2), so dass die Seite des Haftbands (8), die der Seite desselben gegenüberliegt, die an dem Wafer (2) angebracht ist, mit der Halteoberfläche (14) in Kontakt steht, wobei ein äußerer Durchmesser des Halteelements (16) in der Ebene der Halteoberfläche (14) kleiner als ein innerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens (10) ist;nach dem Aufbringen des Laserstrahls (LB) auf den Wafer (2) Bewegen des ersten ringförmigen Rahmens (10) und zumindest eines Umfangsteils des Halteelements (16) relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche (14), um so das Haftband (8) in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche (14) liegen, radial aufzuweiten, wodurch der Wafer (2) entlang der Trennlinien in mehrere Chips (20) geteilt wird; undAnbringen eines zweiten ringförmigen Rahmens (22) an einem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands (8), der an dem Umfangsteil des Halteelements (16) angeordnet ist, wobei der zweite ringförmige Rahmen (22) an der Seite des Haftbands (8) angebracht wird, die an dem Wafer (2) angebracht ist, der Wafer (2), der in die mehreren Chips (20) geteilt wurde, innerhalb einer mittleren Öffnung (24) des zweiten ringförmigen Rahmens (22) angeordnet wird, und der zweite ringförmige Rahmen (22) ein steifer Rahmen ist; wobeiein innerer Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens (22) kleiner als der äußere Durchmesser des Halteelements (16) in der Ebene der Halteoberfläche (14) und kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens (10) ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen, die durch mehrere Trennlinien abgetrennt sind, aufweist. Ferner betrifft die Erfindung ein Waferbearbeitungssystem zum Durchführen dieses Verfahrens.
  • Stand der Technik
  • Bei einem Halbleiterbauelement-Herstellverfahren wird ein Wafer, der einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen, die durch mehrere Trennlinien abgetrennt sind, aufweist, entlang der Trennlinien in einzelne Chips oder Bausteine geteilt.
  • Im Wesentlichen wird der gleiche Ansatz wie oben beschrieben auch verwendet, um zum Beispiel einzelne Leistungsbauelemente, optische Bauelemente, medizinische Bauelemente, elektrische Komponenten oder MEMS-Bauelemente aus Wafern mit Bauelementbereichen, in denen diese Bauelemente ausgebildet sind, zu erhalten.
  • Um die Festigkeit des Wafers entlang der Trennlinien vor dem Teilen des Wafers zu verringern, ist es bekannt, einen modifizierten Bereich in dem Wafer entlang der Trennlinien auszubilden. Dieser modifizierte Bereich kann in Form einer innerhalb des Wafers ausgebildeten modifizierten Schicht oder in Form mehrerer Öffnungsbereiche vorliegen, wobei jeder Öffnungsbereich aus einem amorphen Bereich und einem Freiraum in dem amorphen Bereich, der zu wenigstens einer Oberfläche des Wafers offen ist, besteht. Ein solcher modifizierter Bereich wird durch Aufbringen eines Laserstrahls mit einer geeigneten Wellenlänge auf den Wafer entlang der Trennlinien ausgebildet.
  • Nachdem der modifizierte Bereich in dem Wafer entlang der Trennlinien ausgebildet wurde, wird eine äußere Kraft auf den Wafer in dessen radialen Richtungen ausgeübt, wodurch der Wafer entlang der Trennlinien geteilt wird und die resultierenden Chips oder Bausteine voneinander getrennt werden. Insbesondere kann der Wafer an einem aufweitbaren Band angebracht werden und die äußere Kraft durch radiales Aufweiten des Bands auf diesen ausgeübt werden.
  • Nachfolgend können die getrennten Chips oder Bausteine von dem Band aufgenommen werden. Alternativ werden die Chips oder Bausteine an dem Band beibehalten und in diesem Zustand einer weiteren Bearbeitung unterzogen, gelagert oder transportiert. Wenn die getrennten Chips oder Bausteine in dem an dem Band angebrachten Zustand beibehalten werden, ist es wichtig, eine radiale Spannung des Bands aufrechtzuerhalten, um eine Beschädigung der Chips oder Bausteine aufgrund eines unbeabsichtigten Kontakts zwischen diesen zu verhindern.
  • Die DE 10 2010 046 665 A1 offenbart ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, bei dem, nachdem Chips durch radiales Aufweiten eines aufweitbaren Bands voneinander getrennt wurden, ein ringförmiges Band an einem Umfangsabschnitt des aufgeweiteten Bands angebracht wird, um so das aufgeweitete Band unter radialer Spannung zu halten. Das ringförmige Band wird durch einen ringförmigen Rahmen gehalten.
  • Jedoch erfordert der in der DE 10 2010 046 665 A1 gelehrte Ansatz das Vorbereiten eines ringförmigen Rahmens mit einem geeignet angepassten ringförmigen Band, das an diesem angebracht ist, und ist dieser Ansatz somit umständlich und zeitaufwändig. Da das Band in eine geeignete Ringform geschnitten werden muss, bestehen erhebliche Materialverluste, die zu erhöhten Bearbeitungskosten führen. Außerdem müssen die Eigenschaften des ringförmigen Bands präzise auf die des aufweitbaren Bands abgestimmt werden, wodurch die Auswahl möglicher Bandmaterialien eingeschränkt wird. Ferner kann die Spannung des ringförmigen Bands mit der Zeit abnehmen, wodurch das Risiko eines unbeabsichtigten Kontakts zwischen den Chips, zum Beispiel während deren Lagerung oder Transport, erzeugt wird.
  • Deshalb besteht weiterhin ein Bedarf nach einem Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und einem Waferbearbeitungssystem, die ermöglichen, den Wafer in einer effizienten, zuverlässigen und kostengünstigen Weise zu bearbeiten.
  • Weiterer Stand der Technik ist in den Druckschriften DE 10 2010 046 665 A1 , US 2012 / 0 100 694 A1 , US 2015 / 0 348 821 A1 und US 2014 / 0 339 673 A1 dargelegt.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und ein Waferbearbeitungssystem bereitzustellen, die ermöglichen, den Wafer in einer effizienten, zuverlässigen und kostengünstigen Weise zu bearbeiten. Dieses Ziel wird durch ein Waferbearbeitungsverfahren mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 1 und ein Waferbearbeitungssystem mit den technischen Merkmalen des Anspruchs 11 erreicht. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung folgen aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Die Erfindung stellt ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers bereit, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen, die durch mehrere Trennlinien abgetrennt sind, aufweist. Das Verfahren umfasst ein Anbringen der einen Seite des Wafers oder der Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, an einem Haftband, das durch einen ersten ringförmigen Rahmen gehalten wird, so dass der Wafer innerhalb einer mittleren Öffnung des ersten ringförmigen Rahmens angeordnet ist, ein Aufbringen eines Laserstrahls auf den Wafer entlang der Trennlinien, um so einen modifizierten Bereich in dem Wafer entlang der Trennlinien auszubilden, und ein Anordnen des an dem Haftband angebrachten Wafers an einer Halteoberfläche eines Halteelements vor oder nach dem Aufbringen des Laserstrahls auf den Wafer, so dass die Seite des Haftbands, die der Seite desselben, die an dem Wafer angebracht ist, gegenüberliegt, mit der Halteoberfläche in Kontakt steht. Ein äußerer Durchmesser des Halteelements in der Ebene der Halteoberfläche ist kleiner als ein innerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens. Das Haftband ist ein aufweitbares Haftband. Das Verfahren umfasst ferner, nach dem Aufbringen des Laserstrahls auf den Wafer, ein Bewegen des ersten ringförmigen Rahmens und zumindest eines Umfangsteils des Halteelements relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche, um so das Haftband radial in den Richtungen aufzuweiten, die in der Ebene der Halteoberfläche liegen, wodurch der Wafer entlang der Trennlinien in mehrere Chips geteilt wird, und ein Anbringen eines zweiten ringförmigen Rahmens an einem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands, der an dem Umfangsteil des Halteelements angeordnet ist. Der zweite ringförmige Rahmen ist ein steifer Rahmen. Der zweite ringförmige Rahmen wird an der Seite des Haftbands angebracht, die an dem Wafer angebracht ist, und der Wafer, der in die mehreren Chips geteilt wurde, wird innerhalb einer mittleren Öffnung des zweiten ringförmigen Rahmens angeordnet. Ein innerer Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens ist kleiner als der äußere Durchmesser des Halteelements in der Ebene der Halteoberfläche und kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens.
  • Hierin definiert der Ausdruck „äußerer Durchmesser des Halteelements in der Ebene der Halteoberfläche“ den äußeren Durchmesser des Halteelements in den radialen Richtungen des Halteelements.
  • Gemäß dem Bearbeitungsverfahren der Erfindung wird der zweite ringförmige Rahmen an dem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands angebracht, der an dem Umfangsteil des Halteelements angeordnet ist, wobei der Wafer, der in die mehreren Chips geteilt wurde, innerhalb der mittleren Öffnung des zweiten ringförmigen Rahmens angeordnet wird. Der innere Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens ist kleiner als der äußere Durchmesser des Halteelements in der Ebene der Halteoberfläche und kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens.
  • Daher kann der zweite ringförmige Rahmen in einfacher Weise an dem Umfangsabschnitt des aufgeweiteten Haftbands angebracht werden, wobei die radiale Spannung des Bands zuverlässig aufrechterhalten wird und somit eine Beschädigung der Chips aufgrund eines unbeabsichtigten Kontakts zwischen diesen verhindert wird.
  • Da kein zusätzliches Band vorbereitet werden muss, um das aufgeweitete Haftband unter Spannung zu halten, wird die Effizienz des Bearbeitungsverfahrens erheblich verbessert. Ferner treten keine Materialverluste auf, so dass die Bearbeitungskosten minimiert werden. Außerdem kann aufgrund der Verwendung des zweiten ringförmigen Rahmens, der unmittelbar an dem Umfangsabschnitt des aufgeweiteten Haftbands angebracht wird, die auf das aufgeweitete Band aufgebrachte Spannung zuverlässig über einen längeren Zeitraum aufrechterhalten werden.
  • Deswegen ermöglicht das Bearbeitungsverfahren der Erfindung, den Wafer in einer effizienten, zuverlässigen und kostengünstigen Weise zu bearbeiten.
  • Der Laserstrahl kann auf die eine Seite des Wafers oder auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, aufgebracht werden.
    Die eine Seite des Wafers, das heißt die Vorderseite des Wafers, an welcher der Bauelementbereich ausgebildet ist, kann an dem durch den ersten ringförmigen Rahmen gehaltenen Haftband angebracht werden. In diesem Fall kann der Laserstrahl auf die Seite des Wafers, die der einen Seite gegenüberliegt, das heißt auf die Rückseite des Wafers, entlang der Trennlinien in einer besonders einfachen Weise aufgebracht werden.
  • Alternativ kann die Rückseite des Wafers an dem durch den ersten ringförmigen Rahmen gehaltenen Haftband angebracht werden. In diesem Fall kann der Laserstrahl auf die Vorderseite des Wafers entlang der Trennlinien in einer besonders einfachen Weise aufgebracht werden.
  • Die Auswahl, welche Seite des Wafers an dem Haftband angebracht wird, kann abhängig von dem Material und/oder dem Zustand des Wafers und/oder der Art des in diesem auszubildenden modifizierten Bereichs getroffen werden.
  • Der Laserstrahl kann auf die Seite des Wafers aufgebracht werden, die an dem Haftband angebracht ist. In diesem Fall wird der Laserstrahl durch das Haftband auf den Wafer aufgebracht.
  • Der Laserstrahl kann auf die Seite des Wafers aufgebracht werden, die der Seite des Wafers gegenüberliegt, die an dem Haftband angebracht ist. Somit kann der Laserstrahl auf die freiliegende Seite des Wafers aufgebracht werden.
  • Der entlang der Trennlinien in dem Wafer auszubildende modifizierte Bereich kann in Form einer modifizierten Schicht oder in Form mehrerer Öffnungsbereiche vorliegen, wobei jeder Öffnungsbereich aus einem amorphen Bereich und einem Freiraum in dem amorphen Bereich besteht, der zu wenigstens einer Oberfläche des Wafers, das heißt der Wafervorderseitenoberfläche und/oder der Waferrückseitenoberfläche, offen ist.
  • Um eine solche modifizierte Schicht in dem Wafer entlang der Trennlinien auszubilden, kann ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge verwendet werden, die eine Transmission desselben durch den Wafer ermöglicht. Ein Brennpunkt des Laserstrahls kann innerhalb des Wafers in einer Tiefe des Wafers in der Waferdickenrichtung angeordnet werden, in der die modifizierte Schicht ausgebildet werden soll. Der an dieser Tiefenposition angeordnete Brennpunkt kann entlang der Trennlinien gescannt werden, um so die modifizierte Schicht auszubilden. Die modifizierte Schicht kann zum Beispiel eine zumindest teilweise rissige Schicht oder eine Schicht aus geschmolzenem und wieder verfestigtem Wafermaterial sein.
  • Da in dieser Weise die modifizierte Schicht in dem Wafer durch Anordnen des Brennpunkts des Laserstrahls innerhalb des Wafers ausgebildet werden kann, kann der Laserstrahl von der Vorderseite oder der Rückseite des Wafers aufgebracht werden.
  • Alternativ können mehrere Öffnungsbereiche in dem Wafer entlang der Trennlinien ausgebildet werden, um den modifizierten Bereich bereitzustellen. Zum Beispiel können diese Öffnungsbereiche ausgebildet werden, indem ein Laserstrahl auf den Wafer von dessen Rückseite in mehreren Positionen entlang der Trennlinien in einem Zustand aufgebracht wird, in dem ein Brennpunkt des Laserstrahls mit einem Abstand von der Rückseite in der Dickenrichtung des Wafers angeordnet ist, um so die Öffnungsbereiche in dem Wafer auszubilden, wobei sich jeder Öffnungsbereich von der Waferrückseite in Richtung auf die Wafervorderseite erstreckt. Jeder Öffnungsbereich kann aus einem amorphen Bereich und einem Freiraum in dem amorphen Bereich, der zu der Rückseite des Wafers offen ist, bestehen.
  • Der zum Ausbilden des modifizierten Bereichs entlang der Trennlinien auf den Wafer aufgebrachte Laserstrahl kann ein gepulster Laserstrahl sein.
  • Das Bearbeitungsverfahren der Erfindung kann ferner einen Schleifschritt zum Einstellen der Waferdicke umfassen. Der Schleifschritt kann von der Rückseite des Wafers durchgeführt werden, die der Wafervorderseite, an welcher der Bauelementbereich ausgebildet ist, gegenüberliegt. Der Schleifschritt kann durchgeführt werden bevor oder nachdem der Laserstrahl auf den Wafer entlang der Trennlinien aufgebracht wird, um so den modifizierten Bereich in dem Wafer entlang der Trennlinien auszubilden.
  • Der Wafer kann zum Beispiel ein Halbleiterwafer, ein Glaswafer, ein Saphirwafer, ein Keramikwafer, wie zum Beispiel ein Aluminiumoxid (Al2O3)-Keramikwafer, ein Siliziumoxid (SiO2)-Wafer, ein Aluminiumnitrid (AlN)-Wafer oder dergleichen sein.
  • Insbesondere kann der Wafer zum Beispiel ein Silizium (Si)-Wafer, ein Galliumarsenid (GaAs)-Wafer, ein Galliumnitrid (GaN)-Wafer, ein Galliumphosphid (GaP)-Wafer, ein Indiumarsenid (InAs)-Wafer, ein Indiumphosphid (InP)-Wafer, ein Siliziumkarbid (SiC)-Wafer, ein Siliziumnitrid (SiN)-Wafer, ein Lithiumtantalat (LT)-Wafer, ein Lithiumniobat (LN)-Wafer oder dergleichen sein.
  • Der Wafer kann aus einem einzelnen Material oder aus einer Kombination unterschiedlicher Materialien, wie zum Beispiel zwei oder mehr der oben genannten Materialien, bestehen. Zum Beispiel kann der Wafer ein Si-und-Glas-Verbundwafer sein, bei dem ein aus Si bestehendes Waferelement mit einem aus Glas bestehenden Waferelement verbunden ist.
  • Der Wafer kann ein Wafer mit Halbleitergröße sein. Hierin bezeichnet der Begriff „Wafer mit Halbleitergröße“ einen Wafer mit den Abmessungen (standardisierten Abmessungen), insbesondere dem Durchmesser (standardisierten Durchmesser), das heißt äußeren Durchmesser, eines Halbleiterwafers. Die Abmessungen, insbesondere die Durchmesser, das heißt die äußeren Durchmesser, von Halbleiterwafern sind in den SEMI-Standards definiert. Zum Beispiel kann der Wafer mit Halbleitergröße ein Si-Wafer sein. Die Abmessungen eines polierten Einkristall-Si-Wafers sind in den SEMI-Standards M1 und M76 definiert. Der Wafer mit Halbleitergröße kann ein 3-Inch-, 4-Inch-, 5-Inch-, 6-Inch-, 8-Inch-, 12-Inch- oder 18-Inch-Wafer sein.
  • Die in dem Bauelementbereich an der Vorderseite des Wafers ausgebildeten Bauelemente können zum Beispiel Halbleiterbauelemente, Leistungsbauelemente, optische Bauelemente, medizinische Bauelemente, elektrische Komponenten, MEMS-Bauelemente oder Kombinationen derselben sein.
  • Wenn das Haftband in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche liegen, radial aufgeweitet wird, wodurch der Wafer entlang der Trennlinien in mehrere Chips geteilt wird, kann die Seite des Wafers, die nicht an dem Haftband angebracht ist, so angeordnet sein, dass sie nach oben oder nach unten, das heißt nach oben oder nach unten in der Richtung der Schwerkraft, weist. Wenn die Seite des Wafers, die nicht an dem Haftband angebracht ist, nach unten gerichtet ist, kann besonders zuverlässig gewährleistet werden, dass verhindert wird, dass Partikel, wie zum Beispiel Schmutzpartikel, die während der Waferteilung erzeugt werden, an Oberflächen der Chips anhaften.
  • Bevor das Haftband in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche liegen, radial ausgeweitet wird, kann ein zusätzlicher Schritt zum Brechen des Wafers entlang der Trennlinien durchgeführt werden. In dieser Weise kann eine besonders eindeutig definierte Trennung der Chips voneinander gewährleistet werden.
  • Der erste und der zweite ringförmige Rahmen sind steife Rahmen. Der erste und/oder der zweite ringförmige Rahmen können aus einem Metall oder einem Kunststoffmaterial, wie zum Beispiel einem Polymer, bestehen.
  • Der erste und/oder der zweite ringförmige Rahmen können eine Dicke von wenigstens 2 mm, vorzugsweise wenigstens 3 mm und bevorzugter wenigstens 4 mm aufweisen. Der erste und/oder der zweite ringförmige Rahmen können eine Dicke in dem Bereich von 2 mm bis 12 mm, vorzugsweise in dem Bereich von 3 mm bis 10 mm, und bevorzugter in dem Bereich von 4 mm bis 8 mm aufweisen.
  • Das Haftband kann eine Basisschicht und eine auf die Basisschicht aufgebrachte Haftmittelschicht umfassen. Die Basisschicht kann aus einem Polymermaterial, wie zum Beispiel Polyvinylchlorid (PVC), Ethylenvinylacetat (EVA) oder Polyolefin, bestehen.
  • In einer Ausführungsform wird der an dem Haftband angebrachte Wafer an der Halteoberfläche des Halteelements angeordnet bevor der Laserstrahl auf den Wafer aufgebracht wird und der Laserstrahl auf den an der Halteoberfläche angeordneten Wafer entlang der Trennlinien aufgebracht, um so den modifizierten Bereich in dem Wafer entlang der Trennlinien auszubilden. In diesem Fall kann das gleiche Halteelement zum Halten des Wafers während des Aufbringens des Laserstrahls und zum radialen Aufweiten des Haftbands verwendet werden, wodurch die Bearbeitungseffizienz weiter erhöht wird.
  • Bei einer anderen Ausführungsform wird der an dem Haftband angebrachte Wafer an der Halteoberfläche des Halteelements angeordnet nachdem der Laserstrahl auf den Wafer aufgebracht wurde. Dieser Ansatz bietet ein besonders hohes Maß an Flexibilität. Zum Beispiel kann in diesem Fall ein einzelnes Halteelement für, das heißt in Kombination mit, mehrere, wie zum Beispiel zwei oder drei, Laserstrahlaufbringmittel verwendet werden, wodurch die Gerätekosten erheblich verringert werden.
  • Ein weiterer Vorgang, wie zum Beispiel ein Reinigungsvorgang, oder weitere Vorgänge können an dem an der Halteoberfläche angeordneten Wafer durchgeführt werden, zum Beispiel bevor und/oder nachdem das Haftband radial aufgeweitet wurde. In diesem Fall kann das gleiche Halteelement zum Halten des Wafers während des weiteren Vorgangs oder der weiteren Vorgänge und zum radialen Aufweiten des Haftbands verwendet werden, wodurch die Bearbeitungseffizienz weiter erhöht wird.
  • Das Halteelement kann in Form eines Haltetischs vorliegen, der zum Beispiel einen kreisförmigen Querschnitt in der Ebene der Halteoberfläche aufweist. Zum Beispiel kann das Halteelement ein Einspanntisch sein. Das Halteelement kann eine durchgehende Halteoberfläche aufweisen.
  • Wenn der an dem Haftband angebrachte Wafer an der Halteoberfläche des Halteelements angeordnet wird, kann zumindest ein Abschnitt des an dem Haftband angebrachten Wafers an der Halteoberfläche anliegen, das heißt unmittelbar an der Halteoberfläche anliegen. Der gesamte an dem Haftband angebrachte Wafer kann an der Halteoberfläche anliegen, das heißt unmittelbar an der Halteoberfläche anliegen.
  • Das Halteelement kann einen im Wesentlichen ringförmigen Querschnitt oder einen ringförmigen Querschnitt in der Ebene der Halteoberfläche aufweisen. Zum Beispiel kann das Halteelement eine hohle Aufweitungstrommel sein. Das Halteelement kann eine nicht durchgehende Halteoberfläche aufweisen.
  • Wenn der an dem Haftband angebrachte Wafer an der Halteoberfläche des Halteelements angeordnet wird, kann der Wafer durch das Haftband an der Halteoberfläche gehalten werden. Es kann sein, dass kein Abschnitt des an dem Haftband angebrachten Wafers unmittelbar an der Halteoberfläche anliegt.
  • Der erste ringförmige Rahmen und das gesamte Halteelement, wie zum Beispiel ein Haltetisch oder ein Halteelement mit im Wesentlichen ringförmigem oder ringförmigem Querschnitt, können in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche relativ zueinander bewegt werden, um so das Haftband in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche liegen, radial aufzuweiten, wodurch der Wafer entlang der Trennlinien in die mehreren Chips geteilt wird.
  • Die relative Bewegung zwischen dem ersten ringförmigen Rahmen und dem Halteelement kann bewirkt werden, indem nur der erste ringförmige Rahmen bewegt wird und das Halteelement ortsfest gehalten wird, indem nur das Halteelement bewegt wird und der erste ringförmige Rahmen ortsfest gehalten wird oder indem der erste ringförmige Rahmen und das Halteelement relativ zueinander in entgegengesetzten Richtungen bewegt werden. Das Halteelement kann einen mittleren Teil und einen im Wesentlichen ringförmigen oder ringförmigen Umfangsteil, der den mittleren Teil umgibt, umfassen.
  • Der mittlere Teil kann in Form eines Haltetischs vorliegen, der zum Beispiel einen kreisförmigen Querschnitt in der Ebene der Halteoberfläche aufweist. Zum Beispiel kann der mittlere Teil in Form eines Einspanntischs vorliegen. Der mittlere Teil kann eine durchgehende Halteoberfläche aufweisen.
  • Der Umfangsteil weist einen im Wesentlichen ringförmigen Querschnitt oder einen ringförmigen Querschnitt in der Ebene der Halteoberfläche auf. Zum Beispiel kann der Umfangsteil in Form einer hohlen Aufweitungstrommel vorliegen. Der Umfangsteil weist eine nicht durchgehende Halteoberfläche auf.
  • Der Umfangsteil des Halteelements kann relativ zu dem mittleren Teil des Halteelements in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche bewegbar sein. Der erste ringförmige Rahmen und der Umfangsteil des Halteelements können in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche relativ zueinander bewegt werden, um so das Haftband in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche liegen, radial aufzuweiten, wodurch der Wafer entlang der Trennlinien in die mehreren Chips geteilt wird. Es kann sein, dass nur der Umfangsteil des Halteelements und der erste ringförmige Rahmen relativ zueinander bewegt werden. Der mittlere Teil des Halteelements kann ortsfest gehalten werden.
  • Das Bearbeitungsverfahren der Erfindung kann ferner umfassen, nach dem Anbringen des zweiten ringförmigen Rahmens an dem aufgeweiteten Haftband das Haftband an einer Stelle umfänglich zu schneiden, die außerhalb, das heißt radial außerhalb, des Abschnitts des Haftbands liegt, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist. Auf diese Weise kann der Abschnitt des Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, in einer einfachen und effizienten Weise von dem übrigen Teil des Bands getrennt werden, wodurch ermöglicht wird, den zweiten ringförmigen Rahmen und den daran durch das Haftband angebrachten geteilten Wafer von dem Waferbearbeitungssystem abzunehmen. Nachfolgend kann der durch den zweiten ringförmigen Rahmen gehaltene geteilte Wafer zum Beispiel einer weiteren Bearbeitung unterzogen, gelagert oder transportiert werden.
  • Das Halteelement, das zum Beispiel in Form eines Haltetischs, wie zum Beispiel eines Einspanntischs, vorliegt, kann einen abgeschrägten oder konisch zulaufenden Umfangsabschnitt aufweisen, so dass der Durchmesser des Halteelements mit zunehmendem Abstand von der Halteoberfläche in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche abnimmt. Ein solcher abgeschrägter oder konisch zulaufender Umfangsabschnitt ermöglicht einen besonders guten Zugang zu dem Haftband für ein beim Schneiden des Haftbands verwendetes Schneidwerkzeug. Daher kann in diesem Fall der Schneidvorgang in einer besonders effizienten und genauen Weise durchgeführt werden.
  • Das Bearbeitungsverfahren der Erfindung kann ferner umfassen, nach dem Schneiden des Haftbands einen Abschnitt des Haftbands, der zwischen der Stelle, an der das Haftband geschnitten wurde, und dem Abschnitt des Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, angeordnet ist, an dem zweiten ringförmigen Rahmen anzubringen. Auf diese Weise kann zuverlässig verhindert werden, dass ein Abschnitt des Haftbands von dem zweiten ringförmigen Rahmen getrennt, zum Beispiel abgelöst, wird. Somit kann eine besonders stabile und zuverlässige Befestigung des Haftbands an dem zweiten ringförmigen Rahmen gewährleistet werden.
  • Der Abschnitt des Haftbands, der zwischen der Stelle, an der das Haftband geschnitten wurde, und dem Abschnitt des Haftbands, das an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, angeordnet ist, kann an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht werden, indem zum Beispiel eine Walze oder mehrere Walzen, wie zum Beispiel ein Paar von Walzen, verwendet werden. Zum Beispiel können die Walze oder die mehreren Walzen umfänglich entlang des Abschnitts des Haftbands bewegt werden, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht werden soll, so dass der Abschnitt des Haftbands gegen den zweiten ringförmigen Rahmen gedrückt wird, wodurch diese zwei Komponenten aneinander angebracht werden.
  • Das Bearbeitungsverfahren der Erfindung kann ferner umfassen, zum Beispiel vor dem Schneiden des Haftbands, Druck auf den Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, auszuüben, zum Beispiel indem eine Walze oder mehrere Walzen, wie zum Beispiel ein Paar von Walzen, verwendet werden. Zum Beispiel können die Walze oder die mehreren Walzen umfänglich entlang des Abschnitts des Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, bewegt werden, so dass der Abschnitt des Haftbands gegen den zweiten ringförmigen Rahmen gedrückt wird. Auf diese Weise kann eine besonders stabile und zuverlässige Befestigung des Haftbands an dem zweiten ringförmigen Rahmen gewährleistet werden.
  • Der innere Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens kann um 20 mm oder mehr, vorzugsweise um 30 mm oder mehr, kleiner als der äußere Durchmesser des Halteelements in der Ebene der Halteoberfläche und/oder kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens sein. Dadurch kann in einfacher und effizienter Weise gewährleistet werden, dass der Abschnitt des Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, ein ringförmiger Bandabschnitt mit einer Ringbreite von wenigstens 10 mm, vorzugsweise wenigstens 15 mm ist. Hierin definiert der Begriff „Ringbreite“ die Hälfte der Differenz zwischen einem äußeren Durchmesser eines ringförmigen Elements und einem inneren Durchmesser desselben, das heißt äußerer Durchmesser minus innerer Durchmesser geteilt durch zwei.
  • In dieser Weise wird eine besonders zuverlässige und stabile Verbindung zwischen dem Haftband und dem zweiten ringförmigen Rahmen erzielt.
  • Der erste ringförmige Rahmen und der zweite ringförmige Rahmen können die gleiche Ringbreite aufweisen. Der erste ringförmige Rahmen kann eine Ringbreite aufweisen, die kleiner als die Ringbreite des zweiten ringförmigen Rahmens ist. Der erste ringförmige Rahmen kann eine Ringbreite aufweisen, die größer als die Ringbreite des zweiten ringförmigen Rahmens ist.
    Der erste und/oder der zweite ringförmige Rahmen kann eine Ringbreite in dem Bereich von 20 mm bis 70 mm, vorzugsweise in dem Bereich von 30 mm bis 60 mm und bevorzugter in dem Bereich von 40 mm bis 50 mm aufweisen.
  • Der erste und der zweite Rahmen sind ringförmige Rahmen. Hierin umfasst der Begriff „ringförmig“ Formen, die von einem perfekten Ring abweichen, zum Beispiel aufgrund des Vorhandenseins einer oder mehrerer ebener oder gerader Abschnitte, Kerben und/oder Nuten, die zum Beispiel an dem äußeren und/oder inneren Umfang des Rings vorliegen. Der erste und/oder der zweite ringförmige Rahmen kann eine minimale Ringbreite, zum Beispiel an einer Position des Rings, an der ein ebener oder gerader Abschnitt, eine Kerbe oder eine Nut vorliegt, in dem Bereich von 20 mm bis 70 mm, vorzugsweise in dem Bereich von 30 mm bis 60 mm und bevorzugter in dem Bereich von 40 mm bis 50 mm aufweisen.
  • Der äußere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens kann im Wesentlichen der gleiche wie der äußere Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens sein. In dieser Weise kann eine besonders effiziente und platzsparende Anordnung bereitgestellt werden, da ein erstes und ein zweites Rahmenhaltemittel zum jeweiligen Halten des ersten und des zweiten ringförmigen Rahmens so gewählt werden können, dass sie im Wesentlichen die gleiche Größe aufweisen.
  • Der äußere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens kann größer sein als der äußere Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens. Der äußere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens kann kleiner sein als der äußere Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens.
  • Der zweite ringförmige Rahmen kann ein ringförmiger Rahmen mit Halbleitergröße sein. Hierin bezeichnet der Begriff „ringförmiger Rahmen mit Halbleitergröße“ einen ringförmigen Rahmen mit den Abmessungen (standardisierten Abmessungen), insbesondere dem inneren Durchmesser (standardisierten inneren Durchmesser), eines ringförmigen Rahmens zum Halten eines Halbleiterwafers.
  • Die Abmessungen, insbesondere die inneren Durchmesser, von ringförmigen Rahmen zum Halten von Halbleiterwafern sind auch in den SEMI-Standards definiert. Zum Beispiel sind die Abmessungen von Bandrahmen für 300-mm-Wafer im SEMI-Standard SEMI G74 und die Abmessungen von Kunststoffbandrahmen für 300-mm-Wafer im SEMI-Standard SEMI G87 definiert. Die ringförmigen Rahmen können Rahmengrößen zum Halten von Wafern mit Halbleitergröße mit Größen von zum Beispiel 3 Inch, 4 Inch, 5 Inch, 6 Inch, 8 Inch, 12 Inch oder 18 Inch aufweisen.
  • Indem ein ringförmiger Rahmen mit Halbleitergröße als der zweite ringförmige Rahmen bereitgestellt wird, wird eine weitere Bearbeitung des Wafers nachdem dieser geteilt wurde, wie zum Beispiel eine weitere Bearbeitung nach der Lagerung oder dem Transport desselben, erleichtert. Insbesondere wird durch Auswählen eines ringförmigen Rahmens mit Halbleitergröße die Kompatibilität der durch den Wafer, das Haftband und den zweiten ringförmigen Rahmen gebildeten Einheit mit üblichen Vorrichtungen zur Halbleiterwaferbearbeitung, zum Beispiel in einer Anlage, die unterschiedlich von der ist, in der die Teilung des Wafers durchgeführt wurde, gewährleistet.
  • Die Erfindung stellt ferner ein Waferbearbeitungssystem zum Bearbeiten eines Wafers bereit, der an einer Seite einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen, die durch mehrere Trennlinien abgetrennt sind, aufweist. Das System umfasst ein Halteelement mit einer Halteoberfläche zum Anordnen des Wafers daran, ein erstes Rahmenhaltemittel zum Halten eines ersten ringförmigen Rahmens, ein Laserstrahlaufbringmittel zum Aufbringen eines Laserstrahls auf den Wafer entlang der Trennlinien und ein zweites Rahmenhaltemittel zum Halten eines zweiten ringförmigen Rahmens mit Halbleitergröße. Das Halteelement und das erste Rahmenhaltemittel sind so eingerichtet, dass das erste Rahmenhaltemittel und zumindest ein Umfangsteil des Halteelements relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche bewegbar sind. Das Halteelement und das zweite Rahmenhaltemittel sind so eingerichtet, dass das zweite Rahmenhaltemittel und zumindest der Umfangsteil des Halteelements relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche bewegbar sind. Ein äußerer Durchmesser des Halteelements in der Ebene der Halteoberfläche ist größer als ein innerer Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens mit Halbleitergröße.
  • Das Waferbearbeitungssystem der Erfindung ist ein System, das zum Durchführen des Waferbearbeitungsverfahrens der Erfindung eingerichtet ist. Das Waferbearbeitungssystem liefert somit die technischen Effekte und Vorteile, die oben bereits im Einzelnen für das Waferbearbeitungsverfahren beschrieben wurden.
  • Die oben für das Waferbearbeitungsverfahren der Erfindung beschriebenen Merkmale gelten auch für das Waferbearbeitungssystem der Erfindung. Insbesondere wurde das Halteelement des Waferbearbeitungssystems oben im Einzelnen beschrieben.
  • Indem das erste Rahmenhaltemittel und zumindest ein Umfangsteil des Halteelements in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche relativ zueinander bewegt werden, wird ein durch den ersten ringförmigen Rahmen gehaltenes Haftband in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche liegen, durch das Halteelement radial aufgeweitet, wodurch der an dem Haftband angebrachte Wafer entlang der Trennlinien in mehrere Chips geteilt wird.
  • Indem das zweite Rahmenhaltemittel und zumindest der Umfangsteil des Halteelements in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche relativ zueinander bewegt werden, wird der zweite ringförmige Rahmen mit Halbleitergröße an einem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands, der an dem Umfangsteil des Halteelements angeordnet ist, angebracht.
  • Das Laserstrahlaufbringmittel kann dafür eingerichtet sein, einen Laserstrahl auf den an der Halteoberfläche des Halteelements angeordneten Wafer aufzubringen.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann ferner ein erstes Bewegungsmittel zum Bewegen des ersten Rahmenhaltemittels und zumindest eines Umfangsteils des Halteelements relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche umfassen.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann ferner ein zweites Bewegungsmittel zum Bewegen des zweiten Rahmenhaltemittels und zumindest des Umfangsteils des Halteelements relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche umfassen.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann ferner ein Schneidmittel zum Schneiden des durch den ersten ringförmigen Rahmen gehaltenen Haftbands umfassen. Das Schneidmittel kann dafür eingerichtet sein, das Haftband an einer Stelle umfänglich zu schneiden, die außerhalb, das heißt radial außerhalb, des Abschnitts des Haftbands liegt, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann ferner ein Drückmittel zum Ausüben eines Drucks auf einen Abschnitt des Haftbands umfassen. Zum Beispiel kann das Drückmittel eine Walze oder mehrere Walzen, wie zum Beispiel ein Paar von Walzen, umfassen.
  • Das Drückmittel kann dafür eingerichtet sein, nach dem Schneiden des Haftbands einen Abschnitt des Haftbands, der zwischen der Stelle, an der das Haftband geschnitten wurde, und dem Abschnitt des Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, angeordnet ist, an dem zweiten ringförmigen Rahmen anzubringen. Zum Beispiel können die Walze oder die mehreren Walzen des Drückmittels umfänglich entlang des Abschnitts des Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht werden soll, bewegt werden, so dass der Abschnitt des Haftbands gegen den zweiten ringförmigen Rahmen gedrückt wird, wodurch diese zwei Komponenten aneinander angebracht werden.
  • Das Drückmittel kann dafür eingerichtet sein, zum Beispiel vor dem Schneiden des Haftbands, Druck auf den Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, auszuüben. Zum Beispiel können die Walze oder die mehreren Walzen des Drückmittels umfänglich entlang des Abschnitts des Haftbands, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen angebracht ist, bewegt werden, so dass der Abschnitt des Haftbands gegen den zweiten ringförmigen Rahmen gedrückt wird.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann ferner ein Reinigungsmittel zum Reinigen des Wafers, zum Beispiel nachdem der Wafer geteilt wurde, umfassen.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann ferner ein Brechmittel zum Brechen des Wafers entlang der Trennlinien vor dem radialen Aufweiten des Haftbands in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche liegen, umfassen.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann eine einzelne Waferbearbeitungsvorrichtung oder mehrere, wie zum Beispiel zwei oder drei, Waferbearbeitungsvorrichtungen umfassen. Die mehreren Waferbearbeitungsvorrichtungen können miteinander verbunden sein.
    Zum Beispiel kann das Waferbearbeitungssystem zwei Waferbearbeitungsvorrichtungen, das heißt eine erste Waferbearbeitungsvorrichtung und eine zweite Waferbearbeitungsvorrichtung, umfassen. Die erste Waferbearbeitungsvorrichtung und die zweite Waferbearbeitungsvorrichtung können miteinander, zum Beispiel in Reihe, verbunden sein. Die erste Waferbearbeitungsvorrichtung kann das Laserstrahlaufbringmittel umfassen. Die zweite Waferbearbeitungsvorrichtung kann das Halteelement und das erste und das zweite Rahmenhaltemittel umfassen. Ferner kann die zweite Waferbearbeitungsvorrichtung das erste Bewegungsmittel und das zweite Bewegungsmittel umfassen. Die zweite Waferbearbeitungsvorrichtung kann das Reinigungsmittel umfassen.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann drei oder mehr Waferbearbeitungsvorrichtungen umfassen, die miteinander verbunden sind. Eine der Waferbearbeitungsvorrichtungen kann das Halteelement und das erste und das zweite Rahmenhaltemittel umfassen. Die anderen Waferbearbeitungsvorrichtungen können jeweils ein Laserstrahlaufbringmittel umfassen. In diesem Fall können ein einzelnes Halteelement und ein einzelnes erstes und ein einzelnes zweites Rahmenhaltemittel für, das heißt in Kombination mit, mehrere, wie zum Beispiel zwei oder drei, Laserstrahlaufbringmittel verwendet werden, wodurch die Gerätekosten erheblich verringert werden.
  • Alternativ kann das Waferbearbeitungssystem eine einzelne Waferbearbeitungsvorrichtung umfassen, die das Laserstrahlaufbringmittel, das Halteelement und das erste und das zweite Rahmenhaltemittel umfasst. Ferner kann die einzelne Waferbearbeitungsvorrichtung das erste Bewegungsmittel und das zweite Bewegungsmittel umfassen. Die einzelne Waferbearbeitungsvorrichtung kann das Reinigungsmittel umfassen.
    Das Waferbearbeitungssystem kann eine Steuereinrichtung zum Steuern der Komponenten des Systems umfassen.
  • Die Steuereinrichtung kann dafür eingerichtet sein, die Bewegung des ersten Rahmenhaltemittels und zumindest eines Umfangsteils des Halteelements relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche zu steuern, zum Beispiel indem das erste Bewegungsmittel gesteuert wird.
  • Die Steuereinrichtung kann dafür eingerichtet sein, die Bewegung des zweiten Rahmenhaltemittels und zumindest des Umfangsteils des Halteelements relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche zu steuern, zum Beispiel indem das zweite Bewegungsmittel gesteuert wird.
  • Die Steuereinrichtung kann dafür eingerichtet sein, das Aufbringen des Laserstrahls auf den Wafer entlang der Trennlinien durch Steuern des Laserstrahlaufbringmittels zu steuern.
  • Die Steuereinrichtung kann dafür eingerichtet sein, das Waferbearbeitungssystem so zu steuern, dass das Waferbearbeitungsverfahren der Erfindung durchgeführt wird.
  • Die Steuereinrichtung kann dafür eingerichtet sein, das Schneidmittel und/oder das Drückmittel und/oder das Reinigungsmittel und/oder das Brechmittel zu steuern.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann ferner den ersten ringförmigen Rahmen umfassen, wobei der äußere Durchmesser des Halteelements in der Ebene der Halteoberfläche kleiner als ein innerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens ist.
  • Der innere Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens mit Halbleitergröße ist kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens.
  • Das Waferbearbeitungssystem kann ferner den zweiten ringförmigen Rahmen mit Halbleitergröße umfassen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Nachfolgend werden hierin nicht einschränkende Beispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erklärt, wobei:
    • 1 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Wafer, der an einem durch einen ersten ringförmigen Rahmen gehaltenen Haftband angebracht ist, zeigt;
    • 2 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt zum Aufbringen eines Laserstrahls auf den an dem Haftband angebrachten Wafer gemäß einer ersten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 3 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt zum radialen Aufweiten des Haftbands gemäß der ersten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 4 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt zum Anbringen eines zweiten ringförmigen Rahmens an einem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands gemäß der ersten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 5 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt zum umfänglichen Schneiden des Haftbands gemäß der ersten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 6 eine Querschnittsdarstellung ist, die den Wafer, der an dem durch den zweiten ringförmigen Rahmen gehaltenen Haftband angebracht ist, nach dem Schritt zum umfänglichen Schneiden des Haftbands gemäß der ersten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt;
    • 7 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt zum radialen Aufweiten des Haftbands gemäß einer zweiten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 8 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt zum Anbringen eines zweiten ringförmigen Rahmens an einem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands und einen ersten Schritt zum Drücken des Abschnitts des Haftbands gegen den zweiten ringförmigen Rahmen gemäß der zweiten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 9 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen zweiten Schritt zum Drücken des Abschnitts des Haftbands gegen den zweiten ringförmigen Rahmen gemäß der zweiten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
    • 10 eine Querschnittsdarstellung ist, die einen Schritt zum umfänglichen Schneiden des Haftbands gemäß der zweiten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung veranschaulicht; und
    • 11 eine Querschnittsdarstellung ist, die den Wafer, der an dem durch den zweiten ringförmigen Rahmen gehaltenen Haftband angebracht ist, nach dem Schritt zum umfänglichen Schneiden des Haftbands gemäß der zweiten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Ausführliche Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
  • Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die bevorzugten Ausführungsformen betreffen Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssysteme zum Durchführen dieser Verfahren.
  • Nachfolgend wird eine erste Ausführungsform des Verfahrens zum Bearbeiten eines Wafers der vorliegenden Erfindung und des Waferbearbeitungssystems der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 1 bis 6 beschrieben.
  • Wie in 1 gezeigt ist, weist der durch das Verfahren der Erfindung zu bearbeitende Wafer 2 eine Vorderseite 4 und eine Rückseite 6, die der Vorderseite 4 gegenüberliegt, auf. Ein Bauelementbereich (nicht gezeigt) mit mehreren Bauelementen, die durch mehrere Trennlinien (nicht gezeigt) abgetrennt sind, ist an der Vorderseite 4 des Wafers 2 ausgebildet.
  • Der Wafer 2 kann zum Beispiel ein Halbleiterwafer, ein Glaswafer, ein Saphirwafer, ein Keramikwafer, wie zum Beispiel ein Aluminiumoxid (Al2O3)-Keramikwafer, ein Siliziumoxid (SiO2)-Wafer, ein Aluminiumnitrid (AlN)-Wafer oder dergleichen sein.
  • Insbesondere kann der Wafer 2 zum Beispiel ein Silizium (Si)-Wafer, ein Galliumarsenid (GaAs)-Wafer, ein Galliumnitrid (GaN)-Wafer, ein Galliumphosphid (GaP)-Wafer, ein Indiumarsenid (InAs)-Wafer, ein Indiumphosphid (InP)-Wafer, ein Siliziumkarbid (SiC)-Wafer, ein Siliziumnitrid (SiN)-Wafer, ein Lithiumtantalat (LT)-Wafer, ein Lithiumniobat (LN)-Wafer oder dergleichen sein.
    Die in dem Bauelementbereich an der Vorderseite 4 des Wafers 2 ausgebildeten Bauelemente können zum Beispiel Halbleiterbauelemente, Leistungsbauelemente, optische Bauelemente, medizinische Bauelemente, elektrische Komponenten, MEMS-Bauelemente oder Kombinationen derselben sein.
  • In dem Verfahren der ersten Ausführungsform wird die Rückseite 6 des Wafers 2 zuerst an einem durch einen ersten ringförmigen Rahmen 10 gehaltenen Haftband 8 angebracht, so dass der Wafer 2 innerhalb einer mittleren Öffnung 12 des ersten ringförmigen Rahmens 10 angeordnet ist. Das Ergebnis dieses Anbringschritts ist in 1 veranschaulicht.
  • Nachfolgend wird der an dem Haftband 8 angebrachte Wafer 2 an einer Halteoberfläche 14 eines Halteelements 16 angeordnet, so dass die Seite des Haftbands 8, die der Seite desselben, die an dem Wafer 2 angebracht ist, gegenüberliegt, mit der Halteoberfläche 14 in Kontakt steht (siehe 2). Wie in 2 veranschaulicht ist, liegt der gesamte an dem Haftband 8 angebrachte Wafer 2 unmittelbar an der Halteoberfläche 14 des Halteelements 16 an.
  • Das in 2 gezeigte Halteelement 16 liegt in Form eines Haltetischs mit einem kreisförmigen Querschnitt in der Ebene der Halteoberfläche 14 vor. Zum Beispiel kann das Halteelement 16 ein Einspanntisch sein. Das Halteelement 16 weist eine durchgehende Halteoberfläche 14 auf.
  • Ferner weist das Halteelement 16 einen abgeschrägten oder konisch zulaufenden Umfangsabschnitt 18 auf, so dass der Durchmesser des Halteelements 16 mit zunehmenden Abstand von der Halteoberfläche 14 in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche 14 abnimmt. Dieser abgeschrägte oder konisch zulaufende Umfangsabschnitt 18 ermöglicht einen besonders guten Zugang zu dem Haftband 8 für ein beim Schneiden des Haftbands verwendetes Schneidwerkzeug, wie nachfolgend unter Bezugnahme auf 5 näher erläutert wird.
  • Wie in 2 gezeigt ist, ist ein äußerer Durchmesser des Halteelements 16 in der Ebene der Halteoberfläche 14 kleiner als ein innerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens 10.
  • Nachdem der an dem Haftband 8 angebrachte Wafer 2 an der Halteoberfläche 14 des Halteelements 16 angeordnet wurde, wird ein Laserstrahl LB auf den Wafer 2 entlang der Trennlinien aufgebracht, um so einen modifizierten Bereich (nicht gezeigt) in dem Wafer 2 entlang der Trennlinien auszubilden, wie in 2 veranschaulicht ist. Der Laserstrahl LB wird durch ein Laserstrahlaufbringmittel (nicht gezeigt) auf den Wafer 2 aufgebracht.
  • Das Halteelement 16 und das Laserstrahlaufbringmittel bilden einen Teil eines Waferbearbeitungssystems (nicht gezeigt) gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Wie oben ausgeführt wurde, kann der in dem Wafer 2 ausgebildete modifizierte Bereich zum Beispiel in Form einer modifizierten Schicht oder in Form mehrerer Öffnungsbereiche vorliegen, wobei jeder Öffnungsbereich aus einem amorphen Bereich und einem Freiraum in dem amorphen Bereich, der zu wenigstens einer Oberfläche des Wafers 2 offen ist, besteht. Zum Beispiel kann der Freiraum in dem amorphen Bereich nur zu der Wafervorderseite 4 offen sein oder zu der Wafervorderseite 4 und der Waferrückseite 6 offen sein.
  • Nachdem der Laserstrahl LB auf den Wafer 2 aufgebracht wurde, so dass der modifizierte Bereich in dem Wafer 2 ausgebildet wurde, werden der erste ringförmige Rahmen 10 und das gesamte Halteelement 16 in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche 14 relativ zueinander bewegt, wie in 3 durch einen Pfeil A veranschaulicht ist. Die relative Bewegung zwischen dem ersten ringförmigen Rahmen 10 und dem Halteelement 16 kann bewirkt werden, indem nur der erste ringförmige Rahmen 10 bewegt wird und das Halteelement 16 ortsfest gehalten wird, indem nur das Halteelement 16 bewegt wird und der erste ringförmige Rahmen 10 ortsfest gehalten wird, oder indem der erste ringförmige Rahmen 10 und das Halteelement 16 in entgegengesetzten Richtungen relativ zueinander bewegt werden.
  • Da der äußere Durchmesser des Halteelements 16 in der Ebene der Halteoberfläche 14 kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens 10 ist, kann sich das Halteelement 16 durch die mittlere Öffnung 12 des ersten ringförmigen Rahmens 10 in der Richtung des Pfeils A in 3 bewegen. Aufgrund dieser relativen Bewegung zwischen dem ersten ringförmigen Rahmen 10 und dem Halteelement 16 wird das Haftband 8 in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche 14 liegen, radial aufgeweitet, wodurch der Wafer 2 entlang der Trennlinien in mehrere Chips 20 geteilt wird (siehe 3).
  • Der erste ringförmige Rahmen 10 und das Halteelement 16 werden durch Verwendung eines ersten Rahmenhaltemittels (nicht gezeigt) und eines ersten Bewegungsmittels (nicht gezeigt) relativ zueinander bewegt. Das erste Rahmenhaltemittel hält den ersten ringförmigen Rahmen 10. Das erste Bewegungsmittel bewegt das erste Rahmenhaltemittel, das den ersten ringförmigen Rahmen 10 hält, und das Halteelement 16 in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche 14 relativ zueinander.
  • Das erste Rahmenhaltemittel und das erste Bewegungsmittel bilden einen Teil des Waferbearbeitungssystems gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Das Waferbearbeitungssystem umfasst ferner eine Steuereinrichtung (nicht gezeigt), die dafür eingerichtet ist, die Bewegung des ersten Rahmenhaltemittels und des Halteelements 16 relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche 14 durch Steuern des ersten Bewegungsmittels zu steuern.
  • Nachfolgend wird ein zweiter ringförmiger Rahmen 22 an einem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8, der an dem Umfangsteil des Halteelements 16 angeordnet ist, angebracht, wie in 4 veranschaulicht ist. Der zweite ringförmige Rahmen 22 wird an der Seite des Haftbands 8, die an dem Wafer 2 angebracht ist, angebracht. Der Wafer 2, der in die mehreren Chips 20 geteilt wurde, wird innerhalb einer mittleren Öffnung 24 des zweiten ringförmigen Rahmens 22 angeordnet (siehe 4).
  • Indem der zweite ringförmige Rahmen 22 an dem Umfangsabschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8 angebracht wird, wird die radiale Spannung des Bands 8 aufrechterhalten, wodurch eine Beschädigung der Chips 20 aufgrund eines unbeabsichtigten Kontakts zwischen diesen, insbesondere nach dem Schneiden des aufgeweiteten Bands 8 (siehe 5), zuverlässig verhindert wird.
  • Wie in 4 gezeigt ist, ist ein innerer Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens 22 kleiner als der äußere Durchmesser des Halteelements 16 in der Ebene der Halteoberfläche 14 und kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens 10. Daher kann der zweite ringförmige Rahmen 22 in einfacher Weise an dem Umfangsabschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8 angebracht werden, indem der zweite ringförmige Rahmen 22 gegen den Umfangsabschnitt der Halteoberfläche 14 gedrückt wird, wobei das aufgeweitete Band 8 dazwischen angeordnet ist. In dieser Weise kann eine stabile und zuverlässige Verbindung zwischen dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 und dem aufgeweiteten Band 8 effizient erzielt werden.
  • Der zweite ringförmige Rahmen 22 wird an dem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8, der an dem Umfangsteil des Halteelements 16 angeordnet ist, angebracht, indem ein zweites Rahmenhaltemittel (nicht gezeigt) und ein zweites Bewegungsmittel (nicht gezeigt) verwendet werden. Das zweite Rahmenhaltemittel hält den zweiten ringförmigen Rahmen 22. Das zweite Bewegungsmittel bewegt das zweite Rahmenhaltemittel, das den zweiten ringförmigen Rahmen 22 hält, und das Halteelement 16 relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche 14. Indem das zweite Rahmenhaltemittel und das Halteelement 16 in dieser Weise relativ zueinander bewegt werden, wird der zweite ringförmige Rahmen 22 an dem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8 angebracht, der an dem Umfangsteil des Halteelements 16 angeordnet ist.
  • Das zweite Rahmenhaltemittel und das zweite Bewegungsmittel bilden einen Teil des Waferbearbeitungssystems gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Steuereinrichtung des Waferbearbeitungssystems ist dafür eingerichtet, die Bewegung des zweiten Rahmenhaltemittels und des Halteelements 16 relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche 14 durch Steuern des zweiten Bewegungsmittels zu steuern.
  • Der zweite ringförmige Rahmen 22 kann ein ringförmiger Rahmen mit Halbleitergröße sein. In dieser Weise wird eine weitere Bearbeitung des Wafers 2 nachdem dieser geteilt wurde, wie zum Beispiel eine weitere Bearbeitung nach dessen Lagerung oder Transport, erleichtert, wie oben ausgeführt wurde.
  • Nachdem der zweite ringförmige Rahmen 22 an dem aufgeweiteten Haftband 8 angebracht wurde, wird das Haftband 8 an einer Stelle umfänglich geschnitten, die außerhalb des Abschnitts des Haftbands 8 angeordnet ist, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 angebracht ist, wie in 5 veranschaulicht ist. Das Haftband 8 wird durch Verwendung eines Schneidmittels 26, wie zum Beispiel eines Messers oder einer Klinge, das umfänglich um das Halteelement 16 herum bewegt wird, umfänglich geschnitten. Wie ferner in 5 gezeigt ist, wird der Schneidvorgang durch den abgeschrägten oder konisch zulaufenden Umfangsabschnitt 18 des Halteelements 16 erleichtert, der dem Schneidmittel 26 einen besonders guten Zugang zu dem Haftband 8 erlaubt.
  • Das Schneidmittel 26 bildet einen Teil des Waferbearbeitungssystems gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Steuereinrichtung des Waferbearbeitungssystems ist dafür eingerichtet, den durch das Schneidmittel 26 durchgeführten Schneidvorgang zu steuern.
  • Nachfolgend werden der zweite ringförmige Rahmen 22 und der durch das Haftband 8 an diesem angebrachte geteilte Wafer 2 von dem Waferbearbeitungssystem abgenommen, wie in 6 veranschaulicht ist. In diesem Zustand kann der geteilte Wafer 2, der durch den zweiten ringförmigen Rahmen 22 gehalten wird, einer weiteren Bearbeitung unterzogen, gelagert oder transportiert werden. Aufgrund der Verwendung des zweiten ringförmigen Rahmens 22, der unmittelbar an dem Umfangsabschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8 angebracht ist, kann die auf das aufgeweitete Band 8 ausgeübte Spannung zuverlässig über einen längeren Zeitraum, zum Beispiel während der Lagerung oder des Transport des Wafers 2, aufrechterhalten werden.
  • Nachfolgend wird eine zweite Ausführungsform des Verfahrens zum Bearbeiten eines Wafers der vorliegenden Erfindung und des Waferbearbeitungssystems der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 7 bis 11 beschrieben.
  • Die zweite Ausführungsform der Erfindung unterscheidet sich im Wesentlichen von der ersten Ausführungsform der Erfindung bezüglich des Aufbaus des Halteelements 16, wie nachfolgend ausgeführt wird. Bei der Beschreibung der zweiten Ausführungsform werden die Elemente, die im Wesentlichen identisch zu denen der ersten Ausführungsform sind, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und wird eine wiederholte Beschreibung derselben weggelassen.
  • Wie in 7 gezeigt ist, umfasst das Halteelement 16 gemäß der zweiten Ausführungsform einen mittleren Teil 16a und einen ringförmigen Umfangsteil 16b, der den mittleren Teil 16a umgibt. Der Umfangsteil 16b des Halteelements 16 ist in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche 14 relativ zu dem mittleren Teil 16a des Halteelements 16 bewegbar.
  • Der mittlere Teil 16a liegt in Form eines Haltetischs vor, der zum Beispiel einen kreisförmigen Querschnitt in der Ebene der Halteoberfläche 14 aufweist. Zum Beispiel kann der mittlere Teil 16a in Form eines Einspanntischs vorliegen. Der mittlere Teil 16a weist eine durchgehende Halteoberfläche auf.
  • Der Umfangsteil 16b weit einen ringförmigen Querschnitt in der Ebene der Halteoberfläche 14 auf. Zum Beispiel kann der Umfangsteil 16b in Form einer hohlen Aufweitungstrommel vorliegen. Der Umfangsteil 16b weist eine nicht durchgehende Halteoberfläche auf.
  • Die Schritte zum Anbringen des Wafers 2 an dem durch den ersten ringförmigen Rahmen 10 gehaltenen Haftband 8 und zum Aufbringen des Laserstrahls LB auf den Wafer 2 entlang der Trennlinien, um so einen modifizierten Bereich in dem Wafer 2 entlang der Trennlinien auszubilden, sind im Wesentlichen die gleichen wie für die oben beschriebene erste Ausführungsform.
  • Nachdem der Laserstrahl LB auf den Wafer 2 aufgebracht wurde, so dass der modifizierte Bereich in dem Wafer 2 ausgebildet wurde, werden der erste ringförmige Rahmen 10 und der Umfangsteil 16b des Halteelements 16 in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche 14 relativ zueinander bewegt, um so das Haftband 8 in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche 14 liegen, radial aufzuweiten, wodurch der Wafer 2 entlang der Trennlinien in die mehreren Chips 20 geteilt wird, wie durch einen Pfeil A in 7 veranschaulicht ist. Es kann sein, dass nur der Umfangsteil 16b des Halteelements 16 und der erste ringförmige Rahmen 10 relativ zueinander bewegt werden. Der mittlere Teil 16a des Halteelements 16 kann während des Bandaufweitungsvorgangs ortsfest gehalten werden.
  • Nachfolgend wird der zweite ringförmige Rahmen 22 an einem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8 angebracht, der an dem Umfangsteil 16b des Halteelements angeordnet ist, wie in 8 veranschaulicht ist. Der zweite ringförmige Rahmen 22 wird an der Seite des Haftbands 8 angebracht, die an dem Wafer 2 angebracht ist. Der Wafer 2, der in die mehreren Chips 20 geteilt wurde, wird innerhalb der mittleren Öffnung 24 des zweiten ringförmigen Rahmen 22 angeordnet (siehe 8) .
  • Wie in 8 gezeigt ist, ist der innere Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmen 22 kleiner als der äußere Durchmesser des Halteelements 16 in der Ebene der Halteoberfläche 14, das heißt der äußere Durchmesser des Umfangsteils 16b des Halteelements 16, und kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens 10. Daher kann der zweite ringförmige Rahmen 22 in einfacher Weise an dem Umfangsabschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8 angebracht werden, indem der zweite ringförmige Rahmen 22 gegen die Halteoberfläche 14 des Umfangsteils 16b des Halteelements gedrückt wird, wobei das aufgeweitete Band 8 dazwischen angeordnet ist. In dieser Weise kann eine stabile und zuverlässige Verbindung zwischen dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 und dem aufgeweiteten Band 8 effizient erzielt werden.
    Nachfolgend wird, wie auch in 8 veranschaulicht ist, auf einen radial inneren Teil des Abschnitts des aufgeweiteten Haftbands 8, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 angebracht ist, Druck ausgeübt, indem ein Drückmittel 28 verwendet wird, das ein Paar von Walzen umfasst. Die Walzen des Drückmittels 28 werden umfänglich entlang des inneren Teils des Abschnitts des Haftbands 8, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 befestigt ist, bewegt, so dass dieser innere Teil gegen den zweiten ringförmigen Rahmen 22 gedrückt wird. In dieser Weise wird die Befestigung des Haftbands 8 an dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 weiter verbessert.
  • Das Drückmittel 28 bildet einen Teil des Waferbearbeitungssystems gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Steuereinrichtung des Waferbearbeitungssystems ist dafür eingerichtet, den durch das Drückmittel 28 durchgeführten Drückvorgang zu steuern.
  • Nachdem der Drückvorgang an dem inneren Teil des Abschnitts des aufgeweiteten Haftbands 8, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 angebracht ist, durchgeführt wurde, wird der Umfangsteil 16b des Halteelements 16 zurückgezogen und ein ähnlicher Drückvorgang an einem radial äußeren Teil des Abschnitts des aufgeweiteten Haftbands 8, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 angebracht ist, durchgeführt (siehe 9). In dieser Weise wird eine besonders einheitliche Verbindung zwischen dem Haftband 8 und dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 erzielt. Für diesen zusätzlichen Drückvorgang wird das gleiche Drückmittel 28 wie bei dem in 8 veranschaulichten Drückvorgang verwendet, wie in 9 gezeigt ist.
  • Nachfolgend wird, wie in 10 veranschaulicht ist, das Haftband 8 an einer Stelle, die außerhalb des Abschnitts des Haftbands 8, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen 22 angebracht ist, angeordnet ist, umfänglich geschnitten. Dieser Schneidvorgang wird im Wesentlichen in der gleichen Weise wie bei der ersten Ausführungsform (siehe 5) unter Verwendung des gleichen Schneidmittels 26 durchgeführt.
  • Nachdem das Haftband 8 in dieser Weise geschnitten wurde, werden der zweite ringförmige Rahmen 22 und der durch das Haftband 8 an diesem angebrachte geteilte Wafer 2 von dem Waferbearbeitungssystem abgenommen, wie in 11 veranschaulicht ist. In diesem Zustand kann der geteilte Wafer 2, der durch den zweiten ringförmigen Rahmen 22 gehalten wird, einer weiteren Bearbeitung unterzogen, gelagert oder transportiert werden. Aufgrund der Verwendung des zweiten ringförmigen Rahmens 22, der unmittelbar an dem Umfangsabschnitt des aufgeweiteten Haftbands 8 angebracht ist, kann die auf das aufgeweitete Band 8 ausgeübte Spannung zuverlässig über eine längere Zeitdauer, zum Beispiel während der Lagerung oder des Transports des Wafers 2, aufrechterhalten werden.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers (2), der an einer Seite (4) einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen, die durch mehrere Trennlinien abgetrennt sind, aufweist, wobei das Verfahren umfasst: Anbringen der einen Seite (4) des Wafers (2) oder der Seite (6) des Wafers (2), die der einen Seite (4) gegenüberliegt, an einem Haftband (8), das durch einen ersten ringförmigen Rahmen (10) gehalten wird, so dass der Wafer (2) innerhalb einer mittleren Öffnung (12) des ersten ringförmigen Rahmens (10) angeordnet ist; Aufbringen eines Laserstrahls (LB) auf den Wafer (2) entlang der Trennlinien, um so einen modifizierten Bereich in dem Wafer (2) entlang der Trennlinien auszubilden; Anordnen des an dem Haftband (8) angebrachten Wafers (2) an einer Halteoberfläche (14) eines Halteelements (16) vor oder nach dem Aufbringen des Laserstrahls (LB) auf den Wafer (2), so dass die Seite des Haftbands (8), die der Seite desselben gegenüberliegt, die an dem Wafer (2) angebracht ist, mit der Halteoberfläche (14) in Kontakt steht, wobei ein äußerer Durchmesser des Halteelements (16) in der Ebene der Halteoberfläche (14) kleiner als ein innerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens (10) ist; nach dem Aufbringen des Laserstrahls (LB) auf den Wafer (2) Bewegen des ersten ringförmigen Rahmens (10) und zumindest eines Umfangsteils des Halteelements (16) relativ zueinander in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche (14), um so das Haftband (8) in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche (14) liegen, radial aufzuweiten, wodurch der Wafer (2) entlang der Trennlinien in mehrere Chips (20) geteilt wird; und Anbringen eines zweiten ringförmigen Rahmens (22) an einem Abschnitt des aufgeweiteten Haftbands (8), der an dem Umfangsteil des Halteelements (16) angeordnet ist, wobei der zweite ringförmige Rahmen (22) an der Seite des Haftbands (8) angebracht wird, die an dem Wafer (2) angebracht ist, der Wafer (2), der in die mehreren Chips (20) geteilt wurde, innerhalb einer mittleren Öffnung (24) des zweiten ringförmigen Rahmens (22) angeordnet wird, und der zweite ringförmige Rahmen (22) ein steifer Rahmen ist; wobei ein innerer Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens (22) kleiner als der äußere Durchmesser des Halteelements (16) in der Ebene der Halteoberfläche (14) und kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens (10) ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der an dem Haftband (8) angebrachte Wafer (2) an der Halteoberfläche (14) des Halteelements (16) angeordnet wird, bevor der Laserstrahl (LB) auf den Wafer (2) aufgebracht wird, und der Laserstrahl (LB) auf den an der Halteoberfläche (14) angeordneten Wafer (2) entlang der Trennlinien aufgebracht wird, um so den modifizierten Bereich in dem Wafer (2) entlang der Trennlinien auszubilden.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der an dem Haftband (8) angebrachte Wafer (2) an der Halteoberfläche (14) des Halteelements (16) angeordnet wird nachdem der Laserstrahl (LB) auf den Wafer (2) aufgebracht wurde.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der erste ringförmige Rahmen (10) und das gesamte Halteelement (16) in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche (14) relativ zueinander bewegt werden, um so das Haftband (8) in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche (14) liegen, radial aufzuweiten, wodurch der Wafer (2) entlang der Trennlinien in die mehreren Chips (20) geteilt wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Halteelement (16) einen mittleren Teil (16a) und einen ringförmigen Umfangsteil (16b), der den mittleren Teil (16a) umgibt, aufweist, der Umfangsteil (16b) des Halteelements (16) relativ zu dem mittleren Teil (16a) des Halteelements (16) in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche (14) bewegbar ist, und der erste ringförmige Rahmen (10) und der Umfangsteil (16b) des Halteelements (16) in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche (14) relativ zueinander bewegt werden, um so das Haftband (8) in den Richtungen, die in der Ebene der Halteoberfläche (14) liegen, radial aufzuweiten, wodurch der Wafer (2) entlang der Trennlinien in die mehreren Chips (20) geteilt wird.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner umfasst, nach dem Anbringen des zweiten ringförmigen Rahmens (22) an dem aufgeweiteten Haftband (8) das Haftband (8) an einer Stelle, die außerhalb des Abschnitts des Haftbands (8) angeordnet ist, der an dem zweiten ringförmigen Rahmen (22) angebracht ist, umfänglich zu schneiden.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, das ferner umfasst, nach dem Schneiden des Haftbands (8) einen Abschnitt des Haftbands (8), der zwischen der Stelle, an der das Haftband (8) geschnitten wurde, und dem Abschnitt des Haftbands (8), der an dem zweiten ringförmigen Rahmen (22) angebracht ist, angeordnet ist, an dem zweiten ringförmigen Rahmen (22) anzubringen.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der innere Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens (22) um 20 mm oder mehr kleiner als der äußere Durchmesser des Halteelements (16) in der Ebene der Halteoberfläche (14) und/oder kleiner als der innere Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens (10) ist.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein äußerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens (10) gleich groß wie ein äußerer Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens (22) ist.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der zweite ringförmige Rahmen (22) ein ringförmiger Rahmen mit Halbleitergröße ist.
  11. Waferbearbeitungssystem zum Bearbeiten eines Wafers (2), der an einer Seite (4) einen Bauelementbereich mit mehreren Bauelementen, die durch mehrere Trennlinien abgetrennt sind, aufweist, wobei das System aufweist: ein Halteelement (16), das eine Halteoberfläche (14) zum Anordnen des Wafers (2) daran aufweist; ein erstes Rahmenhaltemittel zum Halten eines ersten ringförmigen Rahmens (10); ein Laserstrahlaufbringmittel zum Aufbringen eines Laserstrahls (LB) auf den Wafer (2) entlang der Trennlinien; und ein zweites Rahmenhaltemittel zum Halten eines zweiten ringförmigen Rahmens (22) mit Halbleitergröße; wobei das Halteelement (16) und das erste Rahmenhaltemittel so eingerichtet sind, dass das erste Rahmenhaltemittel und zumindest ein Umfangsteil des Halteelements (16) in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche (14) relativ zueinander bewegbar sind, das Halteelement (16) und das zweite Rahmenhaltemittel so eingerichtet sind, dass das zweite Rahmenhaltemittel und zumindest der Umfangsteil des Halteelements (16) in der Richtung senkrecht zu der Ebene der Halteoberfläche (14) relativ zueinander bewegbar sind, und ein äußerer Durchmesser des Halteelements (16) in der Ebene der Halteoberfläche (14) größer als ein innerer Durchmesser des zweiten ringförmigen Rahmens (22) mit Halbleitergröße ist.
  12. Waferbearbeitungssystem nach Anspruch 11, das ferner den ersten ringförmigen Rahmen (10) aufweist, wobei der äußere Durchmesser des Halteelements (16) in der Ebene der Halteoberfläche (14) kleiner als ein innerer Durchmesser des ersten ringförmigen Rahmens (10) ist.
DE102016211044.6A 2016-06-21 2016-06-21 Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem Active DE102016211044B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016211044.6A DE102016211044B4 (de) 2016-06-21 2016-06-21 Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem
US15/628,254 US9935010B2 (en) 2016-06-21 2017-06-20 Method of processing a wafer and wafer processing system
JP2017120663A JP6594930B2 (ja) 2016-06-21 2017-06-20 ウェーハを加工する方法およびウェーハ加工システム
JP2019132094A JP2019208047A (ja) 2016-06-21 2019-07-17 ウェーハを加工する方法およびウェーハ加工システム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016211044.6A DE102016211044B4 (de) 2016-06-21 2016-06-21 Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016211044A1 DE102016211044A1 (de) 2017-12-21
DE102016211044B4 true DE102016211044B4 (de) 2024-02-15

Family

ID=60481107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016211044.6A Active DE102016211044B4 (de) 2016-06-21 2016-06-21 Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9935010B2 (de)
JP (2) JP6594930B2 (de)
DE (1) DE102016211044B4 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017201154A1 (de) * 2017-01-25 2018-07-26 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem
JP6951124B2 (ja) * 2017-05-23 2021-10-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP7012559B2 (ja) * 2018-02-27 2022-01-28 株式会社ディスコ テープ貼着方法及びテープ貼着装置
JP7355618B2 (ja) * 2018-12-04 2023-10-03 株式会社ディスコ ウエーハ分割装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010046665A1 (de) 2009-09-30 2011-04-21 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US20120100694A1 (en) 2010-10-21 2012-04-26 Disco Corporation Dividing method for wafer having die bonding film attached to the back side thereof
US20140339673A1 (en) 2013-05-14 2014-11-20 Texas Instruments Incorporated Wafer processing
US20150348821A1 (en) 2012-12-26 2015-12-03 Hitachi Chemical Company, Ltd. Expansion method, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0346253A (ja) * 1989-07-14 1991-02-27 Fujitsu Ltd ウェハ拡張装置
JP2007081037A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスおよびその製造方法
JP4835830B2 (ja) * 2005-12-22 2011-12-14 株式会社東京精密 エキスパンド方法、装置及びダイシング装置
JP2007250598A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2011046581A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Seiko Instruments Inc 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
JP2011121817A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Seiko Instruments Inc 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
JP2011166002A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2012156400A (ja) * 2011-01-27 2012-08-16 Disco Abrasive Syst Ltd テープ拡張装置
JP6301658B2 (ja) * 2014-01-15 2018-03-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016001677A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010046665A1 (de) 2009-09-30 2011-04-21 Disco Corporation Waferbearbeitungsverfahren
US20120100694A1 (en) 2010-10-21 2012-04-26 Disco Corporation Dividing method for wafer having die bonding film attached to the back side thereof
US20150348821A1 (en) 2012-12-26 2015-12-03 Hitachi Chemical Company, Ltd. Expansion method, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US20140339673A1 (en) 2013-05-14 2014-11-20 Texas Instruments Incorporated Wafer processing

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019208047A (ja) 2019-12-05
DE102016211044A1 (de) 2017-12-21
US9935010B2 (en) 2018-04-03
US20170365519A1 (en) 2017-12-21
JP6594930B2 (ja) 2019-10-23
JP2018037647A (ja) 2018-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017201154A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem
DE102016211044B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem
DE112015005458B4 (de) Vakuumspannvorrichtung, abschräg-/poliervorrichtung und siliciumwaferabschräg-/polierverfahren
DE10312662B4 (de) Halbleitereinrichtungsherstellungsanordnung und Halbleitereinrichtungsherstellungsverfahren zum Bilden von Halbleiterchips durch Teilen von Halbleiterwafern
DE102013219901B4 (de) Spanntisch
DE102005014740B4 (de) Bandexpansionsvorrichtung
DE102012212095A1 (de) Laserbearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE112015006857T5 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzabdeckung zur Verwendung in diesem Verfahren
DE102010046665B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016215473B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE102015220379A1 (de) Wasser-Bearbeitungsverfahren
DE102014207012A1 (de) Bearbeitungsverfahren für ein plattenförmiges Werkstück
EP2028164A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trennen einer Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere Einzelplatten mittels Laser
DE102017201151B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE102015204698B4 (de) Verfahren zum Teilen eines Wafers
DE112017003219T5 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
DE102014218759A1 (de) Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück
DE102015221485A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016224035A1 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE102016202073A1 (de) Einspanntisch einer Bearbeitungsvorrichtung
DE102016203320A1 (de) Schneidevorrichtung und Waferschneideverfahren
DE102018214337A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
DE102020200439A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102014226050A1 (de) Bauelementwafer-Bearbeitungsverfahren
DE102019202914A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division