JP2011046581A - 接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 - Google Patents
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Abstract
【課題】接合ガラスを所定サイズ毎に切断することで、歩留まりを向上させることができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】ウエハ接合体60の吸収波長のレーザー光を輪郭線に沿って照射して、リッド用基板ウエハ50にスクライブラインM’を形成するスクライブ工程と、スクライブラインM’に沿って切断刃により割断応力を加えることで、スクライブラインM’に沿ってウエハ接合体を切断するブレーキング工程とを有し、スクライブ工程では、スクライブラインM’の幅寸法Wに対する深さ寸法Dの倍率が0.8以上6.0以下となるスクライブラインM’を形成することを特徴とする。
【選択図】図15
【解決手段】ウエハ接合体60の吸収波長のレーザー光を輪郭線に沿って照射して、リッド用基板ウエハ50にスクライブラインM’を形成するスクライブ工程と、スクライブラインM’に沿って切断刃により割断応力を加えることで、スクライブラインM’に沿ってウエハ接合体を切断するブレーキング工程とを有し、スクライブ工程では、スクライブラインM’の幅寸法Wに対する深さ寸法Dの倍率が0.8以上6.0以下となるスクライブラインM’を形成することを特徴とする。
【選択図】図15
Description
本発明は、接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計に関するものである。
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子(パッケージ)が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その1つとして、表面実装(SMD)型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、例えば互いに接合されたベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片(電子部品)とを備えている。
ここで、上述した圧電振動子を製造する際には、リッド基板用ウエハにキャビティ用の凹部を形成する一方、ベース基板用ウエハ上に圧電振動片をマウントした後、接合層(接合材)を介して両ウエハを陽極接合し、複数のパッケージがウエハの行列方向に形成されたウエハ接合体とする。そして、ウエハ接合体に形成された各パッケージ毎(キャビティ毎)にウエハ接合体を切断することで、キャビティ内に圧電振動片が気密封止された複数の圧電振動子を製造するものである。
ところで、ウエハ接合体の切断方法としては、例えば歯先にダイヤモンドが付着したブレードを用い、ウエハ接合体を厚さ方向に沿って切断(ダイシング)する方法が知られている。
しかしながら、ブレードによる切断方法では、ブレードの幅寸法を考慮した切断代を圧電振動子の形成領域間に設ける必要があるため、1枚のウエハ接合体から取り出せる圧電振動子の数が少ないこと、また切断時におけるチッピングの発生、チッピングをきっかけにしてウエハ接合体が割れやすいこと、切断面が粗いこと等の問題があった。また、加工速度が遅いため、生産効率が悪いという問題もあった。
しかしながら、ブレードによる切断方法では、ブレードの幅寸法を考慮した切断代を圧電振動子の形成領域間に設ける必要があるため、1枚のウエハ接合体から取り出せる圧電振動子の数が少ないこと、また切断時におけるチッピングの発生、チッピングをきっかけにしてウエハ接合体が割れやすいこと、切断面が粗いこと等の問題があった。また、加工速度が遅いため、生産効率が悪いという問題もあった。
また、金属棒の先端にダイヤモンドを埋め込み、このダイヤモンドによってウエハ接合体の表面における切断予定線に沿って傷(スクライブライン)を付けた後、スクライブラインに沿って割断応力を加えて切断する方法も知られている。
しかしながら、上述の方法では、スクライブラインに無数のチッピングが発生するため、チッピングをきっかけにしてウエハ接合体が割れやすく、また切断面も粗くなるという問題がある。そのため、圧電振動子のような微小な電子部品の製造に採用することが難しい。
しかしながら、上述の方法では、スクライブラインに無数のチッピングが発生するため、チッピングをきっかけにしてウエハ接合体が割れやすく、また切断面も粗くなるという問題がある。そのため、圧電振動子のような微小な電子部品の製造に採用することが難しい。
そこで、上述のような問題に対応するために、スクライブラインの形成時に生じたチッピングを除去するケミカル処理をウエハ接合体に施した後、スクライブラインに対して機械的または熱的応力を加えてウエハ接合体を切断分離する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、ケミカル処理を行うためには専用のケミカル処理装置が必要になるとともに、ケミカル処理後のウエハ接合体に対して後処理を施す必要もある。そのため、設備コストの増加及び製造工数の増加に繋がるという問題がある。
しかしながら、ケミカル処理を行うためには専用のケミカル処理装置が必要になるとともに、ケミカル処理後のウエハ接合体に対して後処理を施す必要もある。そのため、設備コストの増加及び製造工数の増加に繋がるという問題がある。
また、ウエハ接合体の切断予定線に対してレーザーを照射してスクライブラインを形成し、その後ウエハ接合体を急冷することで、この時生じる熱衝撃を利用してウエハ接合体を切断する方法も知られている(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、上述した特許文献2の構成では、ウエハ接合体を急冷することで、切断面に歪が生じる等の虞があり、特に圧電振動子のような微小な電子部品を切断するのには適さない。
しかしながら、上述した特許文献2の構成では、ウエハ接合体を急冷することで、切断面に歪が生じる等の虞があり、特に圧電振動子のような微小な電子部品を切断するのには適さない。
近時では、ウエハ接合体の一方の面からレーザーによりスクライブラインを形成した後、ウエハ接合体の他方の面から切断刃を当接させ、この切断刃により機械的な割断応力を加えることにより、ウエハ接合体を切断する方法が開発されている。切断刃を当接させることで、ウエハ接合体に割断応力の応力集中が発生する。これにより、溝を起点としてウエハ接合体の厚さ方向に沿ってクラックが発生する。その結果、ウエハ接合体が溝に沿って折れるように切断されるため、ウエハ接合体が切断予定線に沿ってスムーズに切断されることになる。
レーザーによりスクライブラインを形成する場合、幅寸法はレーザーのスポット径によって、深さ寸法はレーザーの照射時間(ウエハ接合体に与えるエネルギー量)によって決定される。
この場合、スクライブラインの深さ寸法が幅寸法に対して深すぎると、レーザーによりウエハ接合体に与えるエネルギー量が多くなり、ウエハ接合体が大きなダメージを受ける。その結果、切断時において割断応力を付与する際にウエハ接合体が粉々に破損(クラッシュ)する虞がある。また、レーザーの照射時間が増加することで、製造効率が低下するという問題がある。
一方、スクライブライン深さ寸法が幅寸法に対して浅すぎると、割断応力を加える際にスクライブラインが割断の起点とならず、ウエハ接合体が割れ難いという問題がある。
この場合、スクライブラインの深さ寸法が幅寸法に対して深すぎると、レーザーによりウエハ接合体に与えるエネルギー量が多くなり、ウエハ接合体が大きなダメージを受ける。その結果、切断時において割断応力を付与する際にウエハ接合体が粉々に破損(クラッシュ)する虞がある。また、レーザーの照射時間が増加することで、製造効率が低下するという問題がある。
一方、スクライブライン深さ寸法が幅寸法に対して浅すぎると、割断応力を加える際にスクライブラインが割断の起点とならず、ウエハ接合体が割れ難いという問題がある。
また、図19に示すように、ウエハ接合体203は、基板用ウエハ200,201が接合層202を介して積層されているため、ウエハ接合体203を切断する場合には、単板の基板用ウエハを切断する場合に比べてウエハ接合体203に対して大きな割断応力を加える必要がある。
この場合、刃先角度が小さく、厚みが薄い切断刃205を用いてウエハ接合体203に割断応力を付与すると、切断刃205が撓んでしまう虞がある。そのため、スクライブラインM’とは異なる位置に刃先が当接し、その位置に割断応力の応力集中が発生する。その結果、スクライブラインM’とは異なる位置からウエハ接合体203が割れる(いわゆる、滑り現象が発生する)という問題がある。そして、この位置からウエハ接合体203が斜めに割断されることになる。一方、切断刃205の刃先角度が大きすぎる場合には、切断刃205を当接させてもウエハ接合体203に割断応力の応力集中を発生させることができずに、ウエハ接合体203が粉々に破損(クラッシュ)する虞がある。
その結果、最悪の場合にはキャビティCと外部とが連通してキャビティC内の気密を保てなくなるという問題がある。これらの製品は、不良品として扱われるため、1枚のウエハ接合体203から取り出される良品の数が減少し、歩留まりが低下するという問題がある。
その結果、最悪の場合にはキャビティCと外部とが連通してキャビティC内の気密を保てなくなるという問題がある。これらの製品は、不良品として扱われるため、1枚のウエハ接合体203から取り出される良品の数が減少し、歩留まりが低下するという問題がある。
そこで、本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、接合ガラスを所定サイズ毎に切断することで、歩留まりを向上させることができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供するものである。
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係る接合ガラスの切断方法は、複数のガラス基板の接合面同士が接合材を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、前記接合ガラスの吸収波長のレーザー光を前記切断予定線に沿って照射して、前記接合ガラスの一方の面に溝を形成する溝形成工程と、前記接合ガラスの前記切断予定線に沿って切断刃により割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有し、前記溝形成工程では、前記溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率が0.8以上6.0以下となる前記溝を形成することを特徴としている。
本発明に係る接合ガラスの切断方法は、複数のガラス基板の接合面同士が接合材を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、前記接合ガラスの吸収波長のレーザー光を前記切断予定線に沿って照射して、前記接合ガラスの一方の面に溝を形成する溝形成工程と、前記接合ガラスの前記切断予定線に沿って切断刃により割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有し、前記溝形成工程では、前記溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率が0.8以上6.0以下となる前記溝を形成することを特徴としている。
この構成によれば、溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率を0.8以上に形成することで、切断工程において接合ガラスに対して割断応力を付与した場合に、溝が切断時の起点となり、接合ガラスには厚さ方向に沿ってクラックが発生する。これにより、接合ガラスが溝に沿って折れるように切断されるため、接合ガラスが切断予定線に沿ってスムーズに切断されることになる。
一方、溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率を6.0以下に形成することで、レーザーを過剰に照射する必要がないので、溝形成工程において接合ガラスがレーザーにより受けるダメージを抑制することもできる。その結果、切断工程時におけるクラッシュを防止することができる。また、レーザーの照射時間を短縮して、製造効率の向上を図ることもできる。
したがって、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時に接合ガラスの割れ等を防ぎ、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。
一方、溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率を6.0以下に形成することで、レーザーを過剰に照射する必要がないので、溝形成工程において接合ガラスがレーザーにより受けるダメージを抑制することもできる。その結果、切断工程時におけるクラッシュを防止することができる。また、レーザーの照射時間を短縮して、製造効率の向上を図ることもできる。
したがって、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時に接合ガラスの割れ等を防ぎ、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。
また、前記切断工程において、前記切断刃の刃先角度は80度以上100度以下であることを特徴としている。
この構成によれば、刃先角度を80度以上に設定することで、接合ガラスに対して割断応力を付与した際に、上述した滑り現象が生じることがなく、切断予定線に沿って効果的に割断応力を付与することができる。そのため、接合ガラスの厚さ方向へのクラック進行を促進することができる。
一方、刃先角度を100度以下に設定することで、接合ガラスに割断応力の応力集中を発生させ、上述したクラッシュを防止することができる。
したがって、接合ガラスをスムーズ、かつ容易に切断することができ、より良好な切断面を得ることができる。
この構成によれば、刃先角度を80度以上に設定することで、接合ガラスに対して割断応力を付与した際に、上述した滑り現象が生じることがなく、切断予定線に沿って効果的に割断応力を付与することができる。そのため、接合ガラスの厚さ方向へのクラック進行を促進することができる。
一方、刃先角度を100度以下に設定することで、接合ガラスに割断応力の応力集中を発生させ、上述したクラッシュを防止することができる。
したがって、接合ガラスをスムーズ、かつ容易に切断することができ、より良好な切断面を得ることができる。
また、前記切断工程では、前記接合ガラスの他方の面から割断応力を加えることを特徴としている。
この構成によれば、接合ガラスの他方の面から割断応力を加えることで、溝の底頂部に大きな割断応力を発生させることができる。したがって、接合ガラスをよりスムーズ、かつ容易に切断することができるため、より良好な切断面を得ることができる。
この構成によれば、接合ガラスの他方の面から割断応力を加えることで、溝の底頂部に大きな割断応力を発生させることができる。したがって、接合ガラスをよりスムーズ、かつ容易に切断することができるため、より良好な切断面を得ることができる。
また、前記切断工程に先立って、前記接合ガラスを保護するための保護フィルムを前記接合ガラスの前記一方の面に貼り付ける貼付工程を有し、前記保護フィルムの厚さは、20μm以上30μm以下であることを特徴としている。
保護フィルムの厚さが薄すぎる場合(保護フィルムの厚さが20μmより薄い場合)、保護フィルムが接合ガラスとともに切断される虞がある。一方、保護フィルムの厚さが厚すぎる場合(保護フィルムの厚さが30μmより厚い場合)、接合ガラスに作用する割断応力が保護フィルムで緩和され、接合ガラスがスムーズに切断されず、切断面の表面精度が低下する虞がある。
これに対して、本発明の構成によれば、保護フィルムの厚さを20μm以上とすることで、切断工程において、保護フィルムが接合ガラスとともに切断される虞がない。一方、保護フィルムの厚さを30μm以下とすることで、接合ガラスに作用する割断応力が保護フィルムにより緩和されることもないので、接合ガラスをよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。
保護フィルムの厚さが薄すぎる場合(保護フィルムの厚さが20μmより薄い場合)、保護フィルムが接合ガラスとともに切断される虞がある。一方、保護フィルムの厚さが厚すぎる場合(保護フィルムの厚さが30μmより厚い場合)、接合ガラスに作用する割断応力が保護フィルムで緩和され、接合ガラスがスムーズに切断されず、切断面の表面精度が低下する虞がある。
これに対して、本発明の構成によれば、保護フィルムの厚さを20μm以上とすることで、切断工程において、保護フィルムが接合ガラスとともに切断される虞がない。一方、保護フィルムの厚さを30μm以下とすることで、接合ガラスに作用する割断応力が保護フィルムにより緩和されることもないので、接合ガラスをよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。
また、本発明に係るパッケージの製造方法は、上記本発明の接合ガラスの切断方法を使用して、前記接合ガラスの内側に電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージを製造する方法であって、前記切断工程では、複数の前記パッケージの形成領域を隔する前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断することを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を用いてパッケージを製造することで、切断時に接合ガラスがパッケージ形成領域毎の切断予定線に沿ってスムーズに切断されることになる。これにより、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時にガラス基板の割れ等を防ぎ、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。
その結果、キャビティ内の気密が確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。したがって、良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
この構成によれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を用いてパッケージを製造することで、切断時に接合ガラスがパッケージ形成領域毎の切断予定線に沿ってスムーズに切断されることになる。これにより、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時にガラス基板の割れ等を防ぎ、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。
その結果、キャビティ内の気密が確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。したがって、良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明に係るパッケージは、上記本発明の接合ガラスの切断方法を使用して形成され、前記接合ガラスの内側に電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージであって、前記接合ガラスの前記一方の面に、前記溝が割断されてなる面取り部を有していることを特徴としている。
この構成によれば、切断されたパッケージを取り出す際に、パッケージを取り出すための器具がパッケージの角部に接触した場合であっても、接触によるチッピングの発生を抑制することができるので、パッケージを良品の状態で取り出すことができる。
なお、面取り部は、レーザーにより溝を形成した後、溝(切断予定線)に沿って接合ガラスを切断することで自動的に形成することができるので、切断後のパッケージに別工程としてそれぞれ面取り部を形成する場合に比べて迅速、かつ容易に面取り部を形成することができる。その結果、作業効率を向上させることができる。
さらに、このように溝に沿って接合ガラスを切断することで、パッケージの切断面の表面精度を向上させ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。
この構成によれば、切断されたパッケージを取り出す際に、パッケージを取り出すための器具がパッケージの角部に接触した場合であっても、接触によるチッピングの発生を抑制することができるので、パッケージを良品の状態で取り出すことができる。
なお、面取り部は、レーザーにより溝を形成した後、溝(切断予定線)に沿って接合ガラスを切断することで自動的に形成することができるので、切断後のパッケージに別工程としてそれぞれ面取り部を形成する場合に比べて迅速、かつ容易に面取り部を形成することができる。その結果、作業効率を向上させることができる。
さらに、このように溝に沿って接合ガラスを切断することで、パッケージの切断面の表面精度を向上させ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。
また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴としている。
この構成によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた圧電振動子を提供することができる。
この構成によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた圧電振動子を提供することができる。
また、本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
また、本発明に係る電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。
また、本発明に係る電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
本発明に係る接合ガラスの切断方法によれば、溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率を0.8以上に形成することで、切断工程において接合ガラスに対して割断応力を付与した場合に、溝が切断時の起点となり、接合ガラスには厚さ方向に沿ってクラックが発生する。これにより、接合ガラスが溝に沿って折れるように切断されるため、接合ガラスが切断予定線に沿ってスムーズに切断されることになる。
一方、溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率を6.0以下に形成することで、レーザーを過剰に照射する必要がないので、溝形成工程において接合ガラスがレーザーにより受けるダメージを抑制することもできる。その結果、切断工程時におけるクラッシュを防止することができる。また、レーザーの照射時間を短縮して、製造効率の向上を図ることもできる。
したがって、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時に接合ガラスの割れ等を防ぎ、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。
また、本発明に係るパッケージの製造方法及びパッケージによれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を用いてパッケージを製造することで、キャビティの気密が確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。したがって、良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
一方、溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率を6.0以下に形成することで、レーザーを過剰に照射する必要がないので、溝形成工程において接合ガラスがレーザーにより受けるダメージを抑制することもできる。その結果、切断工程時におけるクラッシュを防止することができる。また、レーザーの照射時間を短縮して、製造効率の向上を図ることもできる。
したがって、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時に接合ガラスの割れ等を防ぎ、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。
また、本発明に係るパッケージの製造方法及びパッケージによれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を用いてパッケージを製造することで、キャビティの気密が確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。したがって、良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
(圧電振動子)
図1は、本実施形態における圧電振動子の外観斜視図であり、図2は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図3は図2に示すA−A線に沿った圧電振動子の断面図であり、図4は圧電振動子の分解斜視図である。
図1〜図4に示すように、圧電振動子1は、ベース基板2とリッド基板3とで2層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティC内に圧電振動片5が収納された表面実装型の圧電振動子1である。そして、圧電振動片5とベース基板2の外側に設置された外部電極6,7とが、ベース基板2を貫通する一対の貫通電極8,9によって電気的に接続されている。
(圧電振動子)
図1は、本実施形態における圧電振動子の外観斜視図であり、図2は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図3は図2に示すA−A線に沿った圧電振動子の断面図であり、図4は圧電振動子の分解斜視図である。
図1〜図4に示すように、圧電振動子1は、ベース基板2とリッド基板3とで2層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティC内に圧電振動片5が収納された表面実装型の圧電振動子1である。そして、圧電振動片5とベース基板2の外側に設置された外部電極6,7とが、ベース基板2を貫通する一対の貫通電極8,9によって電気的に接続されている。
ベース基板2は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板2には、一対の貫通電極8,9が形成される一対のスルーホール21,22が形成されている。スルーホール21,22は、ベース基板2の外側端面(図3中下面)から内側端面(図3中上面)に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。
リッド基板3は、ベース基板2と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板2に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板3のベース基板2が接合される接合面側には、圧電振動片5が収容される矩形状の凹部3aが形成されている。
この凹部3aは、ベース基板2及びリッド基板3が重ね合わされたときに、圧電振動片5を収容するキャビティCを形成する。そして、リッド基板3は、凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して後述する接合層23を介して陽極接合されている。なお、リッド基板3の上部周縁には、圧電振動子1の製造工程における後述するスクライブ工程時において、リッド基板3の角部が面取りされた面取り部90が形成されている。
この凹部3aは、ベース基板2及びリッド基板3が重ね合わされたときに、圧電振動片5を収容するキャビティCを形成する。そして、リッド基板3は、凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して後述する接合層23を介して陽極接合されている。なお、リッド基板3の上部周縁には、圧電振動子1の製造工程における後述するスクライブ工程時において、リッド基板3の角部が面取りされた面取り部90が形成されている。
圧電振動片5は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片5は、平行に配置された一対の振動腕部24,25と、一対の振動腕部24,25の基端側を一体的に固定する基部26とからなる音叉型で、一対の振動腕部24,25の外表面上には、振動腕部24,25を振動させる図示しない一対の第1の励振電極と第2の励振電極とからなる励振電極と、第1の励振電極及び第2の励振電極と後述する引き回し電極27,28とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している(何れも不図示)。
この圧電振動片5は、平行に配置された一対の振動腕部24,25と、一対の振動腕部24,25の基端側を一体的に固定する基部26とからなる音叉型で、一対の振動腕部24,25の外表面上には、振動腕部24,25を振動させる図示しない一対の第1の励振電極と第2の励振電極とからなる励振電極と、第1の励振電極及び第2の励振電極と後述する引き回し電極27,28とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している(何れも不図示)。
このように構成された圧電振動片5は、図3,図4に示すように、金等のバンプBを利用して、ベース基板2の内側端面に形成された引き回し電極27,28上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片5の第1の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプBを介して一方の引き回し電極27上にバンプ接合され、第2の励振電極が他方のマウント電極及びバンプBを介して他方の引き回し電極28上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片5は、ベース基板2の内側端面から浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極27,28とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。
そして、ベース基板2の内側端面側(リッド基板3が接合される接合面側)には、導電性材料(例えば、アルミニウム)からなる陽極接合用の接合層23が形成されている。この接合層23は、膜厚が例えば3000Å〜5000Å程度に形成され、リッド基板3に形成された凹部3aの周囲を囲むようにベース基板2の周縁に沿って形成されている。そして、ベース基板2とリッド基板3とは、凹部3aをベース基板2の接合面側に対向させた状態でベース基板2に対して接合層23を介して陽極接合されている。
また、外部電極6,7は、ベース基板2の外側端面における長手方向の両端に設置されており、各貫通電極8,9及び各引き回し電極27,28を介して圧電振動片5に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極6は、一方の貫通電極8及び一方の引き回し電極27を介して圧電振動片5の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極7は、他方の貫通電極9及び他方の引き回し電極28を介して、圧電振動片5の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
貫通電極8,9は、焼成によってスルーホール21,22に対して一体的に固定された筒体32及び芯材部31によって形成されたものであり、スルーホール21,22を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持しているとともに、外部電極6,7と引き回し電極27,28とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極8は、外部電極6と基部26との間で引き回し電極27の下方に位置しており、他方の貫通電極9は、外部電極7と振動腕部25との間で引き回し電極28の下方に位置している。
筒体32は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体32は、両端が平坦で且つベース基板2と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体32の中心には、芯材部31が筒体32の中心孔を貫通するように配されている。また、本実施形態ではスルーホール21,22の形状に合わせて、筒体32の外形が円錐状(断面テーパ状)となるように形成されている。そして、この筒体32は、スルーホール21,22内に埋め込まれた状態で焼成されており、これらスルーホール21,22に対して強固に固着されている。
上述した芯材部31は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体32と同様に両端が平坦で、かつベース基板2の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。
なお、貫通電極8,9は、導電性の芯材部31を通して電気導通性が確保されている。
上述した芯材部31は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体32と同様に両端が平坦で、かつベース基板2の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。
なお、貫通電極8,9は、導電性の芯材部31を通して電気導通性が確保されている。
このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極6,7に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片5の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部24,25を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部24,25の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
(圧電振動子の製造方法)
次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図5に示すフローチャートを参照しながら説明する。
初めに、図5に示すように、圧電振動片作製工程を行って図1〜図4に示す圧電振動片5を作製する(S10)。また、圧電振動片5を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図5に示すフローチャートを参照しながら説明する。
初めに、図5に示すように、圧電振動片作製工程を行って図1〜図4に示す圧電振動片5を作製する(S10)。また、圧電振動片5を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
(第1のウエハ作成工程)
図6は、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態で、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ接合体の分解斜視図である。
次に、図5,図6に示すように、後にリッド基板3となるリッド基板用ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第1のウエハ作製工程を行う(S20)。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ50を形成する(S21)。次いで、リッド基板用ウエハ50の内側端面50a(図6における下面)に、エッチング等により行列方向にキャビティC用の凹部3aを複数形成する凹部形成工程を行う(S22)。
次に、後述するベース基板用ウエハ40との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ40との接合面となるリッド基板用ウエハ50の内側端面50a側を少なくとも研磨する研磨工程(S23)を行い、内側端面50aを鏡面加工する。以上により、第2のウエハ作成工程(S20)が終了する。
図6は、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態で、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ接合体の分解斜視図である。
次に、図5,図6に示すように、後にリッド基板3となるリッド基板用ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第1のウエハ作製工程を行う(S20)。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ50を形成する(S21)。次いで、リッド基板用ウエハ50の内側端面50a(図6における下面)に、エッチング等により行列方向にキャビティC用の凹部3aを複数形成する凹部形成工程を行う(S22)。
次に、後述するベース基板用ウエハ40との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ40との接合面となるリッド基板用ウエハ50の内側端面50a側を少なくとも研磨する研磨工程(S23)を行い、内側端面50aを鏡面加工する。以上により、第2のウエハ作成工程(S20)が終了する。
(第2のウエハ作成工程)
次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板2となるベース基板用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第1のウエハ作製工程を行う(S30)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ40を形成する(S31)。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハ40に一対の貫通電極8,9を配置するためのスルーホール21,22を複数形成するスルーホール形成工程を行う(S32)。具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ40の外側端面40bから凹部を形成した後、少なくともベース基板用ウエハ40の内側端面40a側から研磨することで、凹部を貫通させ、スルーホール21,22を形成することができる。
次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板2となるベース基板用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第1のウエハ作製工程を行う(S30)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ40を形成する(S31)。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハ40に一対の貫通電極8,9を配置するためのスルーホール21,22を複数形成するスルーホール形成工程を行う(S32)。具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ40の外側端面40bから凹部を形成した後、少なくともベース基板用ウエハ40の内側端面40a側から研磨することで、凹部を貫通させ、スルーホール21,22を形成することができる。
続いて、スルーホール形成工程(S32)で形成されたスルーホール21,22内に貫通電極8,9を形成する貫通電極形成工程(S33)を行う。これにより、スルーホール21,22内において、芯材部31がベース基板用ウエハ40の両端面40a,40bに対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極8,9を形成することができる。
次に、ベース基板用ウエハ40の内側端面40aに導電性材料をパターニングして、接合層23を形成する接合層形成工程を行う(S34)とともに、引き回し電極形成工程を行う(S35)。なお、接合層23はベース基板用ウエハ40におけるキャビティCの形成領域以外の領域、すなわちリッド基板用ウエハ50の内側端面50aとの接合領域の全域に亘って形成する。このようにして、第2のウエハ製作工程(S30)が終了する。
次に、第2のウエハ作成工程(S30)で作成されたベース基板用ウエハ40の各引き回し電極27,28上に、圧電振動片作成工程(S10)で作成された圧電振動片5を、それぞれ金等のバンプBを介してマウントする(S40)。そして、上述した各ウエハ40,50の作成工程で作成されたベース基板用ウエハ40及びリッド基板用ウエハ50を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う(S50)。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ40,50を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片5が、リッド基板用ウエハ50に形成された凹部3aとベース基板用ウエハ40とで囲まれるキャビティC内に収納された状態となる。
重ね合わせ工程後、重ね合わせた2枚のウエハ40,50を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハ40,50の外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う(S60)。具体的には、接合層23とリッド基板用ウエハ50との間に所定の電圧を印加する。すると、接合層23とリッド基板用ウエハ50との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片5をキャビティC内に封止することができ、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とが接合したウエハ接合体60を得ることができる。そして、本実施形態のように両ウエハ40,50同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ40,50を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれや、ウエハ接合体60の反り等を防ぎ、両ウエハ40,50をより強固に接合することができる。
その後、一対の貫通電極8,9にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極6,7を形成し(S70)、圧電振動子1の周波数を微調整する(S80)。
(個片化工程)
図7は、ウエハ接合体の個片化工程の手順を示すフローチャートである。また、図8〜図13はウエハ接合体の断面図であり、個片化工程を説明するための工程図である。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ接合体60を切断して個片化する個片化工程を行う(S90)。
個片化工程(S90)では、図7,図8に示すように、まずUVテープ80及びリングフレーム81を用いて、ウエハ接合体60を保持するためのマガジン82を作成する(S91)。リングフレーム81は、その内径がウエハ接合体60の直径よりも大径に形成されたリング状の部材であり、厚さ(軸方向における長さ)がウエハ接合体60と同等に形成されている。また、UVテープ80はポリオレフィンからなるシート材に紫外線硬化樹脂、例えばアクリル系の粘着剤が塗布されたものであり、具体的には電気化学工業製のUHP−1525M3や、リンテック製のD510T等が好適に用いられている。また、UVテープ80の厚さは、160μm以上180μm以下程度のものを用いることが好ましく、本実施形態では175μm程度のものが好適に用いられている。
図7は、ウエハ接合体の個片化工程の手順を示すフローチャートである。また、図8〜図13はウエハ接合体の断面図であり、個片化工程を説明するための工程図である。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ接合体60を切断して個片化する個片化工程を行う(S90)。
個片化工程(S90)では、図7,図8に示すように、まずUVテープ80及びリングフレーム81を用いて、ウエハ接合体60を保持するためのマガジン82を作成する(S91)。リングフレーム81は、その内径がウエハ接合体60の直径よりも大径に形成されたリング状の部材であり、厚さ(軸方向における長さ)がウエハ接合体60と同等に形成されている。また、UVテープ80はポリオレフィンからなるシート材に紫外線硬化樹脂、例えばアクリル系の粘着剤が塗布されたものであり、具体的には電気化学工業製のUHP−1525M3や、リンテック製のD510T等が好適に用いられている。また、UVテープ80の厚さは、160μm以上180μm以下程度のものを用いることが好ましく、本実施形態では175μm程度のものが好適に用いられている。
マガジン82は、リングフレーム81の一方の面81aから、貫通孔81bを塞ぐようにUVテープ80を貼り付けることで作成することができる。そして、リングフレーム81の中心軸とウエハ接合体60の中心軸とを一致させた状態で、UVテープ80の粘着面にウエハ接合体60を貼着する(S92)。具体的には、ベース基板用ウエハ40の外側端面40b側(外部電極側)を、UVテープ80の粘着面に貼着する。これにより、ウエハ接合体60がリングフレーム81の貫通孔81b内にセットされた状態となる。この状態で、ウエハ接合体60をレーザースクライブ装置(不図示)に搬送する(S93)。
図14は、トリミング工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体のリッド基板用ウエハを取り外した状態を示すベース基板用ウエハの平面図である。
ここで、図9,図14に示すように、リッド基板用ウエハ50とベース基板用ウエハ40とを接合している接合層23を剥離するトリミング工程を行う(S94)。トリミング工程(S94)では、接合層23の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が532nmの第2高調波レーザーからなる第1レーザー87を用い、レーザー光R1の照射領域の接合層23を溶融させる。この場合、第1レーザー87から出射されたレーザー光R1は、ビームスキャナ(ガルバノメーター)によって反射された後、Fθレンズを介して集光される。そして、集光されたレーザー光R1をウエハ接合体60におけるリッド基板用ウエハ50の外側端面50b(一方の面)側から照射しながら、レーザー光R1とウエハ接合体60とを平行に相対移動させる。具体的には、各キャビティCを仕切る隔壁上、すなわち圧電振動子1の輪郭線(切断予定線)M(図6参照)に沿って第1レーザー87を走査する。
ここで、図9,図14に示すように、リッド基板用ウエハ50とベース基板用ウエハ40とを接合している接合層23を剥離するトリミング工程を行う(S94)。トリミング工程(S94)では、接合層23の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が532nmの第2高調波レーザーからなる第1レーザー87を用い、レーザー光R1の照射領域の接合層23を溶融させる。この場合、第1レーザー87から出射されたレーザー光R1は、ビームスキャナ(ガルバノメーター)によって反射された後、Fθレンズを介して集光される。そして、集光されたレーザー光R1をウエハ接合体60におけるリッド基板用ウエハ50の外側端面50b(一方の面)側から照射しながら、レーザー光R1とウエハ接合体60とを平行に相対移動させる。具体的には、各キャビティCを仕切る隔壁上、すなわち圧電振動子1の輪郭線(切断予定線)M(図6参照)に沿って第1レーザー87を走査する。
なお、トリミング工程(S94)におけるレーザー光R1のスポット径は、例えば10μm以上30μm以下程度に設定されている。また、トリミング工程(S94)のその他の条件としては、例えば第1レーザー87の加工点平均出力が1.0W、周波数変調が20kHz、走査速度が200mm/sec程度に設定することが好ましい。
これにより、輪郭線M上の接合層23がレーザー光R1を吸収して加熱されることで、接合層23が溶融し、レーザー光R1の照射領域(輪郭線M)より外側へ収縮する。その結果、両ウエハ40,50の接合面(リッド基板用ウエハ50の内側端面50a及びベース基板用ウエハ40の内側端面40a)上に、接合面から接合層23が剥離されてなるトリミングラインTが形成される。
これにより、輪郭線M上の接合層23がレーザー光R1を吸収して加熱されることで、接合層23が溶融し、レーザー光R1の照射領域(輪郭線M)より外側へ収縮する。その結果、両ウエハ40,50の接合面(リッド基板用ウエハ50の内側端面50a及びベース基板用ウエハ40の内側端面40a)上に、接合面から接合層23が剥離されてなるトリミングラインTが形成される。
次に、図10に示すように、リッド基板用ウエハ50における外側端面50bの表層部分にレーザー光R2を照射し、ウエハ接合体60にスクライブラインM’を形成する(S95:スクライブ工程)。スクライブ工程(S95)では、リッド基板用ウエハ50(ソーダ石灰ガラス)の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が266nmのUV−Deepレーザーからなる第2レーザー88を用い、レーザー照射領域のリッド基板用ウエハ50の表層部分を溶融させる。具体的には、トリミング工程(S94)と同様に、第2レーザー88とウエハ接合体60とを平行に相対移動させ、圧電振動子1の輪郭線Mに沿って第2レーザー88を走査する。すると、リッド基板用ウエハ50の表層部分がレーザー光R2を吸収して加熱されることで、リッド基板用ウエハ50が溶融し、V溝状のスクライブラインM’が形成される。なお、上述したように第1レーザー87と第2レーザー88とは、各圧電振動子1の輪郭線Mに沿って走査される。これにより、接合層23が剥離されたトリミングラインTとスクライブラインM’とは、ウエハ接合体60を厚さ方向からみて重なるように配置されることになる。
図15は、スクライブ工程後のウエハ接合体を示す断面図である。
図15に示すように、本実施形態のスクライブラインM’は、幅寸法をW、深さ寸法をDとすると、幅寸法Wに対する深さ寸法Dの倍率が0.8以上6.0以下になるように形成することが好ましい(幅W:深さD=1:0.8〜6.0)。本実施形態のように第2レーザー88によりスクライブラインM’を形成する場合、幅寸法Wはレーザー光R2のスポット径によって、深さ寸法Dはレーザー光R2の照射時間(ウエハ接合体60に与えるエネルギー量)によって調整することができる。
そこで、スクライブラインM’の深さ寸法Dが幅寸法Wに対して深すぎると(幅寸法Wに対する深さ寸法Dが6.0より大きい場合)、第2レーザー88によりウエハ接合体60に与えるエネルギー量が多くなり、ウエハ接合体60が大きなダメージを受ける。そのため、後述する個片化工程(S90)において、ウエハ接合体60がクラッシュする虞がある。また、レーザー光R2の照射時間が増加することで、製造効率が低下するという問題がある。一方、スクライブラインM’の深さ寸法Dが幅寸法Wに対して浅すぎると(幅寸法Wに対する深さ寸法Dが0.8よりも小さい場合)、割断応力を加える際にスクライブラインM’が割断の起点とならず、ウエハ接合体60が割れ難いという問題がある。
図15に示すように、本実施形態のスクライブラインM’は、幅寸法をW、深さ寸法をDとすると、幅寸法Wに対する深さ寸法Dの倍率が0.8以上6.0以下になるように形成することが好ましい(幅W:深さD=1:0.8〜6.0)。本実施形態のように第2レーザー88によりスクライブラインM’を形成する場合、幅寸法Wはレーザー光R2のスポット径によって、深さ寸法Dはレーザー光R2の照射時間(ウエハ接合体60に与えるエネルギー量)によって調整することができる。
そこで、スクライブラインM’の深さ寸法Dが幅寸法Wに対して深すぎると(幅寸法Wに対する深さ寸法Dが6.0より大きい場合)、第2レーザー88によりウエハ接合体60に与えるエネルギー量が多くなり、ウエハ接合体60が大きなダメージを受ける。そのため、後述する個片化工程(S90)において、ウエハ接合体60がクラッシュする虞がある。また、レーザー光R2の照射時間が増加することで、製造効率が低下するという問題がある。一方、スクライブラインM’の深さ寸法Dが幅寸法Wに対して浅すぎると(幅寸法Wに対する深さ寸法Dが0.8よりも小さい場合)、割断応力を加える際にスクライブラインM’が割断の起点とならず、ウエハ接合体60が割れ難いという問題がある。
そのため、本実施形態のスクライブラインM’は、幅寸法Wが14μm程度、深さDが11μm程度に形成されている。なお、幅寸法Wに対する深さ寸法Dを同等に設定することがより好ましい。なお、スクライブ工程(S95)のその他の条件としては、例えば第2レーザー88の加工点出力が250mW〜600mW、パルスエネルギーが100μJ、加工閾値フルーエンスが30J/(cm2・pulse)、走査速度が40mm/sec〜60mm/sec程度に設定することが好ましい。
次に、スクライブラインM’が形成されたウエハ接合体60を、1つ1つの圧電振動子1に切断する切断工程を行う(S100)。
切断工程(S100)では、まず図11に示すように、リングフレーム81の他方の面81cに、貫通孔81bを塞ぐようにセパレーター(保護フィルム)83を貼り付ける(S101)。セパレーター83は、ブレーキング工程(S103)において、リッド基板用ウエハ50の外側端面50bを保護するものであり、ポリエチレンテレフタレートフィルム(いわゆる、PET材)等によって、厚さが20μm以上30μm以下に形成されている。セパレーター83の厚さが20μmよりも薄いと、後述するブレーキング工程(S103)において、セパレーター83がウエハ接合体60とともに切断される虞があるため好ましくない。一方、セパレーター83の厚さが30μmよりも厚いと、ブレーキング工程(S103)においてウエハ接合体60に作用する割断応力がセパレーター83で緩和され、ウエハ接合体60がスムーズに切断されず、切断面の表面精度が低下する虞があるため好ましくない。
切断工程(S100)では、まず図11に示すように、リングフレーム81の他方の面81cに、貫通孔81bを塞ぐようにセパレーター(保護フィルム)83を貼り付ける(S101)。セパレーター83は、ブレーキング工程(S103)において、リッド基板用ウエハ50の外側端面50bを保護するものであり、ポリエチレンテレフタレートフィルム(いわゆる、PET材)等によって、厚さが20μm以上30μm以下に形成されている。セパレーター83の厚さが20μmよりも薄いと、後述するブレーキング工程(S103)において、セパレーター83がウエハ接合体60とともに切断される虞があるため好ましくない。一方、セパレーター83の厚さが30μmよりも厚いと、ブレーキング工程(S103)においてウエハ接合体60に作用する割断応力がセパレーター83で緩和され、ウエハ接合体60がスムーズに切断されず、切断面の表面精度が低下する虞があるため好ましくない。
そして、ウエハ接合体60は、UVテープ80とセパレーター83とにより挟持された状態で、リングフレーム81の貫通孔81b内に保持される。この状態でウエハ接合体60をブレーキング装置内に搬送する(S102)。
次いで、ブレーキング装置内に搬送されたウエハ接合体60に対して、割断応力を加えるブレーキング工程を行う(S103)。ブレーキング工程(S103)では、刃の長さがウエハ接合体60の直径よりも長い切断刃70を用意し、この切断刃70をベース基板用ウエハ40の外側端面40b(他方の面)側からスクライブラインM’(トリミングラインT)に位置合わせした後、切断刃70の刃先をベース基板用ウエハ40の外側端面40bに接触させる。その後、ウエハ接合体60の厚さ方向(輪郭線M)に沿って、ウエハ接合体60に所定の割断応力(例えば、10kg/inch)を加える。なお、図11において、符号71はブレーキング装置においてウエハ接合体60がセットされるシリコンラバー(例えば、厚さ2mm程度)である。
ところで、本実施形態のブレーキング工程(S103)では、2枚の基板用ウエハ40,50が積層された比較的厚さの厚いウエハ接合体60を切断するため、ウエハ接合体60には例えば10kg/inch程度の大きな割断応力を加える必要がある。
そこで、本実施形態の切断刃70は、切断刃70の根元の厚さQが10mm程度で、かつ刃先角度θが80度以上100度以下に形成されていることが好ましい。切断刃の刃先角度θが小さすぎる場合(刃先角度θが80度よりも小さい場合)には、上述した図19に示すような滑り現象が生じる虞があるため好ましくない。一方、切断刃の刃先角度θが大きすぎる場合(刃先角度θが100度よりも大きい場合)には、ブレーキング工程(S103)において、切断刃をウエハ接合体に当接させてもウエハ接合体に割断応力の応力集中を発生させることができずに、ウエハ接合体が粉々に破損(クラッシュ)する虞がある。
具体的に、本実施形態の切断刃70の刃先角度θは90度程度に形成され、刃先の先端は曲率半径が10μm程度の曲面形状に形成されている。
そして、この切断刃70を介してウエハ接合体60に割断応力を加えると、切断刃70が撓むことはなく、ウエハ接合体60の厚さ方向に沿って割断応力が効果的に伝達されることになる。そのため、ウエハ接合体60には輪郭線Mから厚さ方向に沿ってクラックが発生し、ウエハ接合体60がリッド基板用ウエハ50上に形成されたスクライブラインM’に沿って折れるように切断される。そして、各スクライブラインM’毎に切断刃70を押し当てることで、ウエハ接合体60を輪郭線M毎のパッケージに一括して分離することができる。その後、ウエハ接合体60に貼り付けられたセパレーター83を剥離する(S104)。なお、本実施形態のようにブレーキング工程(S103)において、スクライブラインM’の形成面の反対側、すなわちベース基板用ウエハ40の外側端面40bからスクライブラインM’に沿って割断応力を加えることで、スクライブラインM’の底頂部に大きな割断応力を発生させることができる。したがって、ウエハ接合体60をよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。そのため、より良好な切断面を得ることができる。また、上述した割断応力とはスクライブラインMから離間する方向(各圧電振動子1が離間する方向)に発生する引張応力である。
そして、この切断刃70を介してウエハ接合体60に割断応力を加えると、切断刃70が撓むことはなく、ウエハ接合体60の厚さ方向に沿って割断応力が効果的に伝達されることになる。そのため、ウエハ接合体60には輪郭線Mから厚さ方向に沿ってクラックが発生し、ウエハ接合体60がリッド基板用ウエハ50上に形成されたスクライブラインM’に沿って折れるように切断される。そして、各スクライブラインM’毎に切断刃70を押し当てることで、ウエハ接合体60を輪郭線M毎のパッケージに一括して分離することができる。その後、ウエハ接合体60に貼り付けられたセパレーター83を剥離する(S104)。なお、本実施形態のようにブレーキング工程(S103)において、スクライブラインM’の形成面の反対側、すなわちベース基板用ウエハ40の外側端面40bからスクライブラインM’に沿って割断応力を加えることで、スクライブラインM’の底頂部に大きな割断応力を発生させることができる。したがって、ウエハ接合体60をよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。そのため、より良好な切断面を得ることができる。また、上述した割断応力とはスクライブラインMから離間する方向(各圧電振動子1が離間する方向)に発生する引張応力である。
次に、個片化された圧電振動子1を取り出すためのピックアップ工程を行う(S110)。ピックアップ工程(S110)では、まずマガジン82のUVテープ80に対してUV照射し、UVテープ80の粘着力を僅かに低下させる(S111)。なお、この状態では、ウエハ接合体60は未だUVテープ80に貼り付いた状態である。
次に、後述するエクスパンド工程(S113)を行うために、図12に示すように、ウエハ接合体60をエクスパンド装置91内に搬送する(S112)。そこで、まずエクスパンド装置91について説明する。
エクスパンド装置91は、リングフレーム81がセットされる円環状のベースリング92と、ベースリング92の内側に配置され、ウエハ接合体60よりも大径に形成された円板状のヒーターパネル93とを備えている。ヒーターパネル93は、ウエハ接合体60がセットされるベースプレート94に伝熱型のヒーター(不図示)が搭載されたものであり、ヒーターパネル93の中心軸がベースリング92の中心軸に一致するように配置されている。また、ヒーターパネル93は、図示しない駆動手段によって軸方向に沿って移動可能に構成されている。なお、図示しないがエクスパンド装置91は、ベースリング92上にセットされるリングフレーム81を、ベースリング92との間で挟持する押え部材も備えている。
エクスパンド装置91は、リングフレーム81がセットされる円環状のベースリング92と、ベースリング92の内側に配置され、ウエハ接合体60よりも大径に形成された円板状のヒーターパネル93とを備えている。ヒーターパネル93は、ウエハ接合体60がセットされるベースプレート94に伝熱型のヒーター(不図示)が搭載されたものであり、ヒーターパネル93の中心軸がベースリング92の中心軸に一致するように配置されている。また、ヒーターパネル93は、図示しない駆動手段によって軸方向に沿って移動可能に構成されている。なお、図示しないがエクスパンド装置91は、ベースリング92上にセットされるリングフレーム81を、ベースリング92との間で挟持する押え部材も備えている。
このような装置を用いてエクスパンド工程(S113)を行うには、まずウエハ接合体60をエクスパンド装置91にセットする前に、後述するグリップリング85のうち、内側リング85aをヒーターパネル93の外側にセットする。この時、内側リング85aは、ヒーターパネル93に固定され、ヒーターパネル93の移動時にともに移動するようにセットされる。なお、グリップリング85は、内径がヒーターパネル93の外径よりも大きく、リングフレーム81の貫通孔81bの内径よりも小さく形成された樹脂製のリングであり、内側リング85aと、内径が内側リング85aの外径と同等に形成された外側リング85b(図13参照)とで構成されている。すなわち、内側リング85aは外側リング85bの内側に嵌まり込むようになっている。
その後、マガジン82に固定されたウエハ接合体60をエクスパンド装置91にセットする。この時、UVテープ80側をヒーターパネル93及びベースリング92に向けてウエハ接合体60をセットする。具体的に、ウエハ接合体60の外側端面40bとヒーターパネル93とを対向させるとともに、リングフレーム81の一方の面81aとベースリング92とを対向させた状態で、ウエハ接合体60をエクスパンド装置91にセットする。これにより、ヒーターパネル93上にUVテープ80を介してウエハ接合体60がセットされる。そして、図示しない押え部材によってリングフレーム81をベースリング92との間に挟持する。
次に、ヒーターパネル93のヒーターによってUVテープ80を50℃以上に加熱する。UVテープ80を50℃以上に加熱することで、UVテープ80が軟化して延伸し易くなる。そして、図13に示すように、UVテープ80を加熱した状態でヒーターパネル93を内側リング85aとともに上昇させる(図13中矢印参照)。この時、リングフレーム81はベースリング92と押え部材との間で挟持されているので、UVテープ80がウエハ接合体60の径方向外側に向かって延伸する。これにより、UVテープ80に貼着された圧電振動子1同士が離間し、隣接する圧電振動子1間のスペースが拡大する。そして、この状態で内側リング85aの外側に外側リング85bをセットする。具体的には、内側リング85aと外側リング85bとの間にUVテープ80を挟んだ状態で、両者を嵌め合わせる。これにより、UVテープ80が延伸された状態でグリップリング85に保持される。そして、グリップリング85の外側のUVテープ80を切断し、リングフレーム81とグリップリング85とを分離する(S114)。
その後、UVテープ80に対して再びUV照射し、UVテープ80の粘着力をさらに低下させる(S115:紫外線照射工程)。これにより、UVテープ80から圧電振動子1が剥離される。その後、画像認識等により各圧電振動子1の位置を把握して、ノズル等により吸引することで、UVテープ80から剥離された圧電振動子1を取り出していく。このように、UVテープ80にUV照射してUVテープ80から圧電振動子1を剥離することで、個片化された圧電振動子1を取り出し易くすることができる。なお、本実施形態では上述したブレーキング工程(S103)おいて、リッド基板用ウエハ50のスクライブラインM’に沿って個片化を行うため、個片化された圧電振動子1のリッド基板3の上部周縁にはスクライブラインM’によってC面取りが施された面取り部90が形成される。
以上により、互いに陽極接合されたベース基板2とリッド基板3との間に形成されたキャビティC内に圧電振動片5が封止された、図1に示す2層構造式表面実装型の圧電振動子1を一度に複数製造することができる。
以上により、互いに陽極接合されたベース基板2とリッド基板3との間に形成されたキャビティC内に圧電振動片5が封止された、図1に示す2層構造式表面実装型の圧電振動子1を一度に複数製造することができる。
その後、図5に示すように、内部の電気特性検査を行う(S120)。すなわち、圧電振動片5の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子1の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子1の製造が終了する。
このように、本実施形態では、スクライブ工程(S95)において、幅寸法Wに対する深さ寸法Dを0.8以上6.0以上でスクライブラインM’を形成する構成とした。
この構成によれば、ブレーキング工程(S103)に先立って、リッド基板用ウエハ50の表層部分に輪郭線Mに沿ってスクライブラインM’を形成することで、従来のようなブレードによる切断方法に比べて、切断代が非常に小さい、切断速度が速い、切断面の表面精度が良好、チッピングの発生がない等のメリットがある。
特に、スクライブラインM’の幅寸法Wに対する深さ寸法Dの倍率を0.8以上に形成することで、ブレーキング工程(S103)において、スクライブラインM’が切断時の起点となり、ウエハ接合体60の厚さ方向へのクラック進行を促進することができる。
一方、スクライブラインM’の幅寸法Wに対する深さ寸法Dの倍率を6.0以下に形成することで、レーザー光R2を過剰に照射する必要がないので、スクライブ工程(S95)において、ウエハ接合体60が第2レーザー88により受けるダメージを抑制することもできる。そのため、ブレーキング工程(S103)におけるクラッシュを防止することができる。また、レーザー光R2の照射時間を短縮して、製造効率の向上も図ることができる。なお、本願発明者はスクライブ工程(S95)後、ブレーキング工程(103)前にウエハ接合体60の曲げ試験(例えば振幅3mm)を行ったが、この曲げ試験において、ウエハ接合体60にクラックや破損等は検出されなかった。
この構成によれば、ブレーキング工程(S103)に先立って、リッド基板用ウエハ50の表層部分に輪郭線Mに沿ってスクライブラインM’を形成することで、従来のようなブレードによる切断方法に比べて、切断代が非常に小さい、切断速度が速い、切断面の表面精度が良好、チッピングの発生がない等のメリットがある。
特に、スクライブラインM’の幅寸法Wに対する深さ寸法Dの倍率を0.8以上に形成することで、ブレーキング工程(S103)において、スクライブラインM’が切断時の起点となり、ウエハ接合体60の厚さ方向へのクラック進行を促進することができる。
一方、スクライブラインM’の幅寸法Wに対する深さ寸法Dの倍率を6.0以下に形成することで、レーザー光R2を過剰に照射する必要がないので、スクライブ工程(S95)において、ウエハ接合体60が第2レーザー88により受けるダメージを抑制することもできる。そのため、ブレーキング工程(S103)におけるクラッシュを防止することができる。また、レーザー光R2の照射時間を短縮して、製造効率の向上も図ることができる。なお、本願発明者はスクライブ工程(S95)後、ブレーキング工程(103)前にウエハ接合体60の曲げ試験(例えば振幅3mm)を行ったが、この曲げ試験において、ウエハ接合体60にクラックや破損等は検出されなかった。
したがって、ウエハ接合体60が輪郭線Mに沿ってスムーズ、かつ容易に切断されることになるので、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、ブレーキング時にウエハ接合体60の割れ等を防ぎ、ウエハ接合体60を所望のサイズに切断することができる。これにより、キャビティCの気密が確保することができ、振動特性の優れた信頼性の高い圧電振動子1を提供することができる。
したがって、一枚のウエハ接合体60から良品として取り出される圧電振動子1の数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
したがって、一枚のウエハ接合体60から良品として取り出される圧電振動子1の数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
しかも、本実施形態では、切断刃70の刃先角度θを80度以上100度以下に設定する構成とした。
この構成によれば、刃先角度θを80度以上に設定することで、ウエハ接合体60に対して割断応力を付与した際に、上述した滑り現象が生じることがなく、輪郭線Mに沿って効果的に割断応力を付与することができる。そのため、ウエハ接合体60の厚さ方向へのクラック進行を促進することができる。
一方、刃先角度を100度以下に設定することで、ウエハ接合体60に割断応力の応力集中を発生させ、上述したクラッシュを防止することができる。
したがって、ウエハ接合体60をスムーズ、かつ容易に切断することができ、より良好な切断面を得ることができる。
また、セパレーター83の厚さを20μm以上とすることで、ブレーキング工程(S103)において、セパレーター83がウエハ接合体60とともに切断される虞がない。
一方、セパレーター83の厚さを30μm以下とすることで、ウエハ接合体60に作用する割断応力がセパレーター83により緩和されることもないので、ウエハ接合体60をよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。
この構成によれば、刃先角度θを80度以上に設定することで、ウエハ接合体60に対して割断応力を付与した際に、上述した滑り現象が生じることがなく、輪郭線Mに沿って効果的に割断応力を付与することができる。そのため、ウエハ接合体60の厚さ方向へのクラック進行を促進することができる。
一方、刃先角度を100度以下に設定することで、ウエハ接合体60に割断応力の応力集中を発生させ、上述したクラッシュを防止することができる。
したがって、ウエハ接合体60をスムーズ、かつ容易に切断することができ、より良好な切断面を得ることができる。
また、セパレーター83の厚さを20μm以上とすることで、ブレーキング工程(S103)において、セパレーター83がウエハ接合体60とともに切断される虞がない。
一方、セパレーター83の厚さを30μm以下とすることで、ウエハ接合体60に作用する割断応力がセパレーター83により緩和されることもないので、ウエハ接合体60をよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。
なお、スクライブ工程(S95)に先立って輪郭線M上の接合層23を剥離してトリミングラインTを形成することで、ブレーキング時にウエハ接合体60の厚さ方向へのクラック進行を促進するとともに、ウエハ接合体60の面方向へのクラック進行を防ぐことができる。
また、本実施形態の圧電振動子1のリッド基板3は、その周縁部に面取り部90が形成されている構成とした。
この構成によれば、ピックアップ工程(S110)において、個片化された圧電振動子1を取り出す際に、圧電振動子1を取り出すための器具が、圧電振動子1の角部に接触した場合であっても、接触によるチッピングの発生を抑制することができるので、圧電振動子1を容易に取り出すことができる。
また、面取り部90は、第2レーザー88によりスクライブラインM’を形成した後、スクライブラインM’に沿って切断することで自動的に形成することができるので、切断後の圧電振動子1にそれぞれ面取り部90を形成する場合に比べて迅速、かつ容易に面取り部90を形成することができる。その結果、作業効率を向上させることができる。
さらに、このようにスクライブラインM’に沿ってウエハ接合体60を切断することで、圧電振動子1の切断面の切断精度を向上させ、信頼性の高い圧電振動子1を提供することができる。
この構成によれば、ピックアップ工程(S110)において、個片化された圧電振動子1を取り出す際に、圧電振動子1を取り出すための器具が、圧電振動子1の角部に接触した場合であっても、接触によるチッピングの発生を抑制することができるので、圧電振動子1を容易に取り出すことができる。
また、面取り部90は、第2レーザー88によりスクライブラインM’を形成した後、スクライブラインM’に沿って切断することで自動的に形成することができるので、切断後の圧電振動子1にそれぞれ面取り部90を形成する場合に比べて迅速、かつ容易に面取り部90を形成することができる。その結果、作業効率を向上させることができる。
さらに、このようにスクライブラインM’に沿ってウエハ接合体60を切断することで、圧電振動子1の切断面の切断精度を向上させ、信頼性の高い圧電振動子1を提供することができる。
(発振器)
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図16を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器100は、図16に示すように、圧電振動子1を、集積回路101に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器100は、コンデンサ等の電子部品102が実装された基板103を備えている。基板103には、発振器用の上述した集積回路101が実装されており、この集積回路101の近傍に、圧電振動子1が実装されている。これら電子部品102、集積回路101及び圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図16を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器100は、図16に示すように、圧電振動子1を、集積回路101に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器100は、コンデンサ等の電子部品102が実装された基板103を備えている。基板103には、発振器用の上述した集積回路101が実装されており、この集積回路101の近傍に、圧電振動子1が実装されている。これら電子部品102、集積回路101及び圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
このように構成された発振器100において、圧電振動子1に電圧を印加すると、この圧電振動子1内の圧電振動片5が振動する。この振動は、圧電振動片5が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路101に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路101によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子1が発振子として機能する。
また、集積回路101の構成を、例えば、RTC(リアルタイムクロック)モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
また、集積回路101の構成を、例えば、RTC(リアルタイムクロック)モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
上述したように、本実施形態の発振器100によれば、高品質化された圧電振動子1を備えているので、発振器100自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
(電子機器)
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図17を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子1を有する携帯情報機器110を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器110は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図17を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子1を有する携帯情報機器110を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器110は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
次に、本実施形態の携帯情報機器110の構成について説明する。この携帯情報機器110は、図17に示すように、圧電振動子1と、電力を供給するための電源部111とを備えている。電源部111は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部111には、各種制御を行う制御部112と、時刻等のカウントを行う計時部113と、外部との通信を行う通信部114と、各種情報を表示する表示部115と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部116とが並列に接続されている。そして、電源部111によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
制御部112は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部112は、予めプログラムが書き込まれたROMと、このROMに書き込まれたプログラムを読み出して実行するCPUと、このCPUのワークエリアとして使用されるRAM等とを備えている。
計時部113は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えている。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電振動片5が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部112と信号の送受信が行われ、表示部115に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
通信部114は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部117、音声処理部118、切替部119、増幅部120、音声入出力部121、電話番号入力部122、着信音発生部123及び呼制御メモリ部124を備えている。
無線部117は、音声データ等の各種データを、アンテナ125を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部118は、無線部117又は増幅部120から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部120は、音声処理部118又は音声入出力部121から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部121は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
無線部117は、音声データ等の各種データを、アンテナ125を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部118は、無線部117又は増幅部120から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部120は、音声処理部118又は音声入出力部121から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部121は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
また、着信音発生部123は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部119は、着信時に限って、音声処理部118に接続されている増幅部120を着信音発生部123に切り替えることによって、着信音発生部123において生成された着信音が増幅部120を介して音声入出力部121に出力される。
なお、呼制御メモリ部124は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部122は、例えば、0から9の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
なお、呼制御メモリ部124は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部122は、例えば、0から9の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
電圧検出部116は、電源部111によって制御部112等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部112に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部114を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、3V程度となる。電圧検出部116から電圧降下の通知を受けた制御部112は、無線部117、音声処理部118、切替部119及び着信音発生部123の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部117の動作停止は、必須となる。さらに、表示部115に、通信部114が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
すなわち、電圧検出部116と制御部112とによって、通信部114の動作を禁止し、その旨を表示部115に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部115の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×(バツ)印を付けるようにしても良い。
なお、通信部114の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部126を備えることで、通信部114の機能をより確実に停止することができる。
なお、通信部114の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部126を備えることで、通信部114の機能をより確実に停止することができる。
上述したように、本実施形態の携帯情報機器110によれば、高品質化された圧電振動子1を備えているので、携帯情報機器自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図18を参照して説明する。
本実施形態の電波時計130は、図18に示すように、フィルタ部131に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)とに、標準の電波を送信する送信所(送信局)があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。
本実施形態の電波時計130は、図18に示すように、フィルタ部131に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)とに、標準の電波を送信する送信所(送信局)があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。
(電波時計)
以下、電波時計130の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ132は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ133によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部131によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子1は、上述した搬送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部138、139をそれぞれ備えている。
以下、電波時計130の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ132は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ133によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部131によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子1は、上述した搬送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部138、139をそれぞれ備えている。
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路134により検波復調される。
続いて、波形整形回路135を介してタイムコードが取り出され、CPU136でカウントされる。CPU136では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC137に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部138、139は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
続いて、波形整形回路135を介してタイムコードが取り出され、CPU136でカウントされる。CPU136では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC137に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部138、139は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計130を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子1を必要とする。
上述したように、本実施形態の電波時計130によれば、高品質化された圧電振動子1を備えているので、電波時計自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片5を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片としても構わない。
例えば、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片5を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片としても構わない。
また、上述した実施形態では、切断工程においてリッド基板用ウエハ50の外側端面50bにスクライブラインM’を形成する一方、ベース基板用ウエハ40の外側端面40bから切断刃70を押し当てる場合について説明したが、これに限られない。例えば、ベース基板用ウエハ40の外側端面40bにスクライブラインM’を形成する一方、リッド基板用ウエハ50の外側端面50bから切断刃70を押し当ててもよい。
さらに、ベース基板用ウエハ40に凹部3aを形成してもよく、両ウエハ40,50に凹部3aをそれぞれ形成してもよい。
さらに、ベース基板用ウエハ40に凹部3aを形成してもよく、両ウエハ40,50に凹部3aをそれぞれ形成してもよい。
さらに、上述した第1レーザーや第2レーザーは一例に過ぎず、材料によって適宜選択可能である。
また、スクライブラインM’の幅寸法Wに対する深さ寸法Dや、切断刃70の刃先角度θ、セパレーター83の厚み等は上述した範囲内において、適宜設計変更が可能である。
また、スクライブラインM’の幅寸法Wに対する深さ寸法Dや、切断刃70の刃先角度θ、セパレーター83の厚み等は上述した範囲内において、適宜設計変更が可能である。
1…圧電振動子(パッケージ) 2…ベース基板(ガラス基板) 3…リッド基板(ガラス基板) 4…圧電振動片(電子部品) 23…接合膜(接合材) 60…ウエハ接合体(接合ガラス) 70…切断刃 83…セパレーター(保護シート) 100…発振器 110…携帯情報機器(電子機器) 130…電波時計 C…キャビティ M’…スクライブライン(溝)
Claims (10)
- 複数のガラス基板の接合面同士が接合材を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、
前記接合ガラスの吸収波長のレーザー光を前記切断予定線に沿って照射して、前記接合ガラスの一方の面に溝を形成する溝形成工程と、
前記接合ガラスの前記切断予定線に沿って切断刃により割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有し、
前記溝形成工程では、前記溝の幅寸法に対する深さ寸法の倍率が0.8以上6.0以下となる前記溝を形成することを特徴とする接合ガラスの切断方法。 - 前記切断工程において、前記切断刃の刃先角度は80度以上100度以下であることを特徴とする請求項1記載の接合ガラスの切断方法。
- 前記切断工程では、前記接合ガラスの他方の面から割断応力を加えることを特徴とする請求項1または請求項2記載の接合ガラスの切断方法。
- 前記切断工程に先立って、前記接合ガラスを保護するための保護フィルムを前記接合ガラスの前記一方の面に貼り付ける貼付工程を有し、
前記保護フィルムの厚さは、20μm以上30μm以下であることを特徴とする請求項3記載の接合ガラスの切断方法。 - 請求項1ないし請求項4の何れか1項に記載の接合ガラスの切断方法を使用して、前記接合ガラスの内側に電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージを製造する方法であって、
前記切断工程では、複数の前記パッケージの形成領域を隔する前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断することを特徴とするパッケージの製造方法。 - 請求項1ないし請求項4の何れか1項に記載の接合ガラスの切断方法を使用して形成され、前記接合ガラスの内側に電子部品を封入可能なキャビティを備えたパッケージであって、
前記接合ガラスの前記一方の面に、前記溝が割断されてなる面取り部を有していることを特徴とするパッケージ。 - 請求項6記載のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
- 請求項7記載の前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
- 請求項7記載の前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
- 請求項7記載の前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012206869A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Instruments Inc | ガラス体の切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
JP2014143317A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Seiko Instruments Inc | 電子部品及びその製造方法 |
JP2014150363A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
KR20160011566A (ko) * | 2014-07-22 | 2016-02-01 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 접합 기판의 분단 방법 및 브레이크날 |
US11296035B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-04-05 | Kioxia Corporation | Semiconductor wafer and semiconductor chip |
KR102681932B1 (ko) | 2018-04-20 | 2024-07-04 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5134045B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2013-01-30 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
CN103250349B (zh) * | 2011-02-07 | 2015-09-02 | 株式会社大真空 | 音叉型压电振动片及音叉型压电振子 |
JP2012209617A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子の製造方法、該製造方法によって製造される圧電振動子、該圧電振動子を有する発振器、電子機器及び電波時計 |
CN102280238B (zh) * | 2011-05-19 | 2015-02-25 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种片式元器件的制造方法 |
DE102016211044B4 (de) * | 2016-06-21 | 2024-02-15 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem |
JP6760641B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2020-09-23 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性基板の分断方法 |
DE102017201154A1 (de) | 2017-01-25 | 2018-07-26 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem |
WO2020003793A1 (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ピラー供給方法、ガラスパネルユニットの製造方法、及びピラー供給装置 |
CN109748516A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-05-14 | 江阴泰榕光电科技有限公司 | 导电玻璃的制作工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05297334A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子用ガラス基板の切断加工方法 |
JP2005314127A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Japan Steel Works Ltd:The | ガラスの切断方法及びその装置 |
JP2006157872A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-06-15 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子とその製造方法、発振器、電子機器及び電波時計 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6072409A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-24 | Fujitsu Ltd | 圧電振動子の製造方法 |
JP3319912B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2002-09-03 | 株式会社デンソー | 半導体センサ用台座およびその加工方法 |
JP2000219528A (ja) | 1999-01-18 | 2000-08-08 | Samsung Sdi Co Ltd | ガラス基板の切断方法及びその装置 |
JP3612317B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2005-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3577492B1 (ja) | 2003-03-24 | 2004-10-13 | 西山ステンレスケミカル株式会社 | ガラスの切断分離方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板及びフラットパネルディスプレイ |
JP2005118821A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Olympus Corp | 超短パルスレーザ加工方法 |
-
2009
- 2009-08-28 JP JP2009198708A patent/JP2011046581A/ja not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-19 TW TW99127740A patent/TW201136850A/zh unknown
- 2010-08-27 US US12/870,161 patent/US8615857B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-27 CN CN201010274983XA patent/CN102001822A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05297334A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子用ガラス基板の切断加工方法 |
JP2005314127A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Japan Steel Works Ltd:The | ガラスの切断方法及びその装置 |
JP2006157872A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-06-15 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子とその製造方法、発振器、電子機器及び電波時計 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012206869A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Instruments Inc | ガラス体の切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
JP2014143317A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Seiko Instruments Inc | 電子部品及びその製造方法 |
JP2014150363A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 圧電デバイス及びその製造方法 |
KR20160011566A (ko) * | 2014-07-22 | 2016-02-01 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 접합 기판의 분단 방법 및 브레이크날 |
JP2016022669A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 貼り合わせ基板の分断方法およびブレーク刃 |
KR102351832B1 (ko) | 2014-07-22 | 2022-01-14 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 접합 기판의 분단 방법 및 브레이크날 |
KR102681932B1 (ko) | 2018-04-20 | 2024-07-04 | 가부시기가이샤 디스코 | 웨이퍼의 가공 방법 |
US11296035B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-04-05 | Kioxia Corporation | Semiconductor wafer and semiconductor chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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